JP2007134706A - 薄膜トランジスタ用シングルチャンバｃｖｄプロセス - Google Patents

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Abstract

【課題】汚染の問題を生じずに、同じＣＶＤチャンバ内で、真性アモルファスシリコン層とドープアモルファスシリコン層とを連続して基板上へ堆積する改良方法を提供する。
【解決手段】真性アモルファスシリコン層の堆積に先立ち、誘電絶縁材料の層を堆積する第１の堆積操作により、同じＣＶＤチャンバ内で基板上に連続して堆積することにより行われる。ＴＦＴ基板上に堆積された絶縁材料は、その前に行われた基板への堆積プロセスによってチャンバ壁面に残留した残留ドーパントを覆うに充分な残留絶縁材料をチャンバ壁面に被覆させるような厚さをもつべきである。このことにより、同じＣＶＤチャンバ内で基板上に真性アモルファスシリコン層を堆積させる次の堆積プロセスに対してクリーンな環境を与える。
【選択図】なし

Description

発明の詳細な説明
[産業上の利用分野]
本発明は、化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバ内に配置された基板上に、真性の(intrinsic) アモルファスシリコン層及び少なくともドーパントを１種ドープしたアモルファスシリコン層を連続的に堆積する改良方法に関する。特に、本発明は、真性の(intrinsic)アモルファスシリコン層及び少なくともドーパントを１種ドープしたアモルファスシリコン層を、同じＣＶＤチャンバ内の薄膜トランジスタ(thin filmtransistor :TFT)基板上に堆積し、係る真性のアモルファスシリコン層を係るドーパントにより汚染しない改良方法に関する。
[従来の技術]
プラズマ励起化学気相堆積法（ＰＥＣＶＤ）は、種々の基板に電子材料の層を堆積することによる半導体デバイスの製造に広く用いられる方法である。ＰＥＣＶＤプロセスでは、２枚一組の平行板電極を備えた真空堆積チャンバの中に基板が配置される。通常、基板は下側の電極でもあるサセプタ上に配置される。堆積チャンバ内には、上側の電極でもあるガス流入マニホールドを介して反応体ガス(reactant gas)が流入される。２枚の電極間には、高周波（ＲＦ）電圧が印加されるが、これら電極は、反応体ガスにプラズマを発生させるに充分なＲＦ出力を発生させる。プラズマは、反応体ガスを分解して、基板体の表面上に所望の物質の層を堆積させる。この第１の層の上に別の電子材料の別の層を堆積するには、堆積しようとする別の層の物質を含んだ反応体ガスを堆積チャンバに流入させればよい。各反応体ガスはプラズマに暴露されて、所望の材料の層を堆積させる。
近年、大型液晶セルがフラットパネルディスプレーに用いられるようになった。このタイプの液晶セルは、液晶材料の層を挟んだ２枚のガラス板を有している。ガラス基板は、基板上にコーティングされた導電性の膜を有し、少なくとも１つの基板がＩＴＯフィルム等のように透明である。基板は、出力源に接続されて、液晶材料の配向を変化させることができる。導電性膜を正確にパターン化することにより、液晶セルの様々なエリアを利用することが可能である。最近では、液晶セルの別々のエリアに非常に高速でアドレスする目的で、薄膜トランジスタが用いられるようになった。このような液晶セルは、ＴＶやコンピュータモニタ等のアクティブマトリックスディスプレイに有用である。
液晶セルの解像度に対する要求が増しており、画素と呼ばれる液晶セルの多数のエリアにアドレスすることが望ましい。近年のディスプレイパネルには、１，０００，０００以上の画素を入れることが可能である。各画素を個別にアドレスしスイッチ状態にしたまま、他の画素へのアドレスを可能にするためには、少なくとも同じ数のトランジスタをガラス板上に形成する必要がある。
薄膜トランジスタデバイスには大きく２つのタイプが用いられ、その１つは、バックチャンネルエッチ型(backchannel etched ;BCE)薄膜トランジスタである。ＢＣＥ ＴＦＴの処理において多用されるＣＶＤプロセスは、３層を連続的に堆積するプロセスである；この３層とは、典型的にはゲート窒化珪素の絶縁層、ゲート酸化珪素の絶縁層又はこれら２つの絶縁層の上に、真性の（アンドープの）アモルファスシリコン（ｉ−ａ−Ｓｉ）層、そしてこの上にリンをドープしたアモルファスシリコン（ｎ+−ａ−Ｓｉ）の薄い層であり、これらを別々の３つのＣＶＤチャンバで堆積する。ドープしたアモルファスシリコン層は約４０〜６０ｎｍの厚みでよいのだが、連続プロセスで真性アモルファスシリコン膜を汚染する残留リンをチャンバ内に残さないために、従来技術では別のプロセスチャンバで堆積しなければならなかった。
ドープしたアモルファスシリコン層の堆積のステップは、アモルファスシリコンベースのＴＦＴの堆積プロセス全ての中でも重要なステップである。真性アモルファスシリコン層の頂面上にドープアモルファスシリコン層を堆積することにより、真性アモルファスシリコンと続いて堆積されるメタル層との間の電気的接触を改善する。この真性アモルファスシリコン層とメタル層との間薄いドープアモルファスシリコン層を堆積することにより、真性アモルファスシリコン層とメタル層との間にオーミック接続を形成せしめる。
[発明が解決しようとする課題]
真性アモルファスシリコン層とドープアモルファスシリコン層とを単一のＣＶＤチャンバのみで堆積すれば、ドーパントガスや微粒子、即ち、リン、アンチモン、ヒ素やホウ素の微粒子がチャンバ内に残されてチャンバ壁を覆った場合にこれらは汚染物になる。次のＴＦＴ基板の堆積プロセスが行われた時に、チャンバ壁に残された残留ドーパントは不純物として真性アモルファスシリコン層を汚染する。このような汚染により、薄膜トランジスタデバイスに欠陥が生じ使用できなくなる。
その結果、従来のＰＥＣＶＤプロセス薄膜トランジスタの製造に用いて、真性アモルファスシリコン層とドープアモルファスシリコン層との堆積を連続して行う場合、ドープアモルファスシリコン層の堆積プロセスは、アンドープアモルファスシリコン層の堆積プロセスとは別のＣＶＤチャンバで行う必要がある。ガラス基板はそのサイズも重量も大きく、例えばサイズが約３６０ｘ４６５ｘ１．１ｍｍにもなるため、ガラス基板上への薄膜の堆積には一般に大きな反応チャンバを要し、反応チャンバから、次に行われる薄膜の堆積のための別の反応チャンバへの移動のために、大きく且つしばしば動作の遅い移送装置が必要となる。この基板の移送操作は、貴重な処理時間を消費し、系のスループットを低減してしまう。一般に、移送操作は基板温度の低下を伴い、従って、この移送操作の後に、基板を再び堆積の温度まで加熱しなければならず、この時間が更に、堆積に要する時間に付加される。更に、別のチャンバへの移送の際に、堆積された膜が汚染される恐れが必ず存在する。
従って、本発明の目的は、真性アモルファスシリコン層とドープアモルファスシリコン層とを連続して基板上へ堆積する、高スループットの方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、真性アモルファスシリコン層の汚染の問題を生じずに、同じＣＶＤチャンバ内で、真性アモルファスシリコン層とドープアモルファスシリコン層とを連続して基板上へ堆積する改良方法を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
本発明に従えば、真性アモルファスシリコン層の汚染の問題を生じずに、同じＣＶＤチャンバ内で、真性アモルファスシリコン層とドープアモルファスシリコン層とは連続して基板上へ堆積される。
好適な具体例では、真性アモルファスシリコン層の堆積に先立ち、誘電絶縁材料の層を堆積する第１の堆積操作により、真性アモルファスシリコン層とドープアモルファスシリコン層とは、同じＣＶＤチャンバ内で基板上に連続して堆積される。ＴＦＴ基板上に堆積された絶縁材料は、その前に行われた基板への堆積プロセスによってチャンバ壁面に残留した残留ドーパントを実質的に全て覆うに充分な残留絶縁材料をチャンバ壁面に被覆させるような最低限の厚さをもつ必要がある。このことにより、同じＣＶＤチャンバ内で基板上に真性アモルファスシリコン層を堆積させる次の堆積プロセスに対してクリーンな環境を与えるに有効である。そして、このプロセスを繰り返して別の基板を処理することもできる。
このチャンバ内で基板１〜１０枚に堆積操作を行った後には、チャンバ内部のインシチュウ(in-situ)プラズマクリーニングプロセスを行ってもよい。プラズマクリーニングプロセスは、チャンバ壁面から絶縁材料とドーパントとを全て除去するに有効である。このインシチュウクリーニングの頻度は、各堆積プロセスにおいて決められるべき多くのプロセスパラメータに依存する。
[実施例]
本発明は、チャンバ壁面の残留ドーパントによる真性アモルファスシリコン層の汚染の問題を生じずに、同じＣＶＤチャンバ内で、真性アモルファスシリコン層とドープアモルファスシリコン層とを連続して基板上へ堆積する改良方法を開示する。
先ず、図１には、本発明に従った方法の実施が可能なプラズマ励起ＣＶＤ装置１０の模式的な断面図が示される。この装置は、ターナーらによる米国特許出願通し番号０８／０１０６８３番（１９９３年１月２８日提出）に開示されている。堆積チャンバ１２は、上面１４へ通じる開口と、該開口内の第１の電極ないしガス流入マニホールド１６とを包含する。もしくは、上面１４は、電極１６と一体であり、その内部表面に隣接していてもよい。チャンバ１２内部には、板状で第１の電極１６と平行な位置にまで伸びたサセプタ１８がある。サセプタ１８は、代表的にはアルミニウム製であり、酸化アルミニウムの層で被覆される。サセプタ１８は大地に接続されて、第２の電極として作用する。サセプタ１８は、シャフト２０の一端に設置され、シャフト２０は垂直方向に堆積チャンバ１２の底壁面２２を越えて伸びている。シャフト２０は垂直方向に可動であり、サセプタ１８が第１の電極１６に対して接近及び分離する垂直方向への動きを可能にする。リフトオフ板２４は、サセプタ１８と知積チャンバ１２の底壁面２２との間でサセプタ１８と実質的に平行になるように、水平方向に伸び、且つ垂直方向に対して可動である。リフトオフピン２６は、リフトオフ板２４から垂直上向きに突出している。リフトオフピン２６は、サセプタ１８のリフト口２８を通って伸びることができる位置にあり、サセプタ１８の厚さよりも少しだけ長い長さを有する。図にはリフトピン２６は２つしか示されないが、リフトオフ板２４の周囲にわたって更に多数のリフトピン２６があってもよい。ガス流出口３０は、堆積チャンバ１２の側壁面を突き抜けて伸び、堆積チャンバ１２の排気手段（図示されず）に接続される。ガス流入パイプ４２は、堆積チャンバ１２の第１の電極ないしガス流入マニホールド１６に伸び、ガススイッチネットワーク（図示されず）を介して種々のガスのソース（図示されず）に接続される。第１の電極１６は、ＲＦ出力ソース３６に接続される。通常は、基板をロードロックドア（図示されず）を介して堆積チャンバ１２内のサセプタ１８状に基板を運ぶための、並びに被覆が済んだ基板を堆積チャンバ１２から除去するための、移送パドル（図示されず）が具備される。
堆積装置１０を運転するにあたり、まず移送パドル（図示されず）により、基板３８が堆積チャンバ１２内にロードされて、サセプタ１８上に置かれる。基板３８は、サセプタ１８のリフト口２８を越えて広がる大きさである。通常用いられる薄膜トランジスタ基板のサイズは、約３６０ｍｍ〜４６５ｍｍである。サセプタ１８は、リフトオフピン２６がリフト口２８を越えて伸びないような状態になるようにシャフト２０を上向きに動かすことによって、リフトオフピン２６の上に位置し、サセプタ１８及び基板３８は第１の電極に比較的近い位置にある。基板表面とガス流入マニホールド１６との間の電極間距離ないし間隔は、約０．５〜約２インチ（約１２．７〜約５０．８ｍｍ）である。更に好適には、この電極の間隔は、約０．８〜約１．４インチ（約２０．３２〜約３５．５６ｍｍ）である。
本発明の堆積プロセスに先立ち、大きなガラス製のＴＦＴシートである基板３８は、周知のＴＦＴ技術により処理される。好適な具体例では、アルミニウムのパターン化されたメタルを含む最上層が堆積される。
本発明の堆積のプロセスの開始に際し、先ず、堆積チャンバ１２はガス流出口を介して排気される。そして、パターン化されたＴＦＴ基板がサセプタ１８の上の位置に置かれる。
現在いろいろなタイプの薄膜トランジスタが使用されている。これら薄膜トランジスタの多くは、ＴＦＴ基板上のパターン化ゲートメタルの上へゲート誘電層を堆積し、ゲート誘電層の頂面上に被覆されたアモルファスシリコン層を有することを要する。その後、アモルファスシリコン層の上にメタルが堆積されるが、このアモルファスシリコン層にはドープアモルファスシリコン層の薄い層も含まれてアモルファスシリコンとその上のメタルとの接触を改善してもよい。
窒化珪素ゲート誘電層は、ガラス基板上の薄膜トランジスタを形成するための絶縁層として有用であるために、高品質である必要がある。本発明では、高品質の窒化珪素膜は、この堆積操作において、ＣＶＤチャンバ内の圧力を約１．２〜約１．５トールに維持し、基板温度を約３００〜３５０℃に維持することで得られる。反応体ガスの流量は、反応体ガスのレベルを適正に維持するように制御される。好ましくは、前掲の基板サイズでは、シラン１００〜３００ｓｃｃｍ及びアンモニア５００〜１０００ｓｃｃｍを、キャリアガスとしての窒素１０００〜１００００ｓｃｃｍに対して用いて、窒化珪素膜を堆積させる。ゲート窒化珪素膜（又は、ゲート絶縁層）の好ましい厚さは、約５０〜１０００ｎｍである。
また、本発明のプロセスでは誘電絶縁層として、例えば酸化珪素、シリコンオキシナイトライドや、ＰＭＤＡ−ＯＤＡ、テフロン、ポリキノリン、ポリイミドやシロキサン等のポリマーベースの誘電材料等、他の誘電材料を用いてもよい。
図２は、３層のＣＶＤ処理のバックチャンネル型にエッチングされた薄膜トランジスタの拡大断面図である。アルミニウム等のパターン化メタル（図示させず）で被覆されたガラス製のＴＦＴ基板には、先ず、パッシベーションゲート誘電絶縁材料層５２が堆積されるが、これには、パッシベーション窒化珪素、ゲート酸化珪素、又はゲート酸化珪素とゲート窒化珪素との複合層等がある。そして、ゲート絶縁層の上には、真性ないしアンドープアモルファスシリコン層５４が、約２００〜約４００ｎｍの厚さで堆積される。次の堆積プロセスでは、約４０〜６０ｎｍの厚さのドープアモルファスシリコン層５６が、真性アモルファスシリコン層５４の上に堆積される。使用したドーパントは、リンである。しかし、アンチモン、ヒ素又はホウ素等他のドーパント成分も、本発明において有用である。
代表的な堆積プロセス及びその処理条件を、次の表１〜表３に示す。
Figure 2007134706
Figure 2007134706
Figure 2007134706
本発明では、ゲート窒化珪素層、真性アモルファスシリコン層及びドープアモルファスシリコン層の３層全ての堆積を、１つのＣＶＤプロセスチャンバ内で堆積させることができる。コンパクトなＣＶＤチャンバシステムは、チャンバ内のガスの変更及び安定化が早くでき、また、プロセスチャンバ壁面の面積が小さいため、絶縁材の堆積プロセスにおいて壁面に堆積したドープアモルファスシリコンを効率良く覆うことが可能となるため、コンパクトなＣＶＤチャンバシステム内で実施すれば非常に有用である。従って、その後の真性アモルファスシリコンの堆積プロセスにおいて残留ドーパントは覆われたままの状態であるため、真性アモルファスシリコン層はほとんど汚染されない。プロセスチャンバのインシチュウプラズマクリーニングは、壁面の堆積物の全蓄積量を低減させるように頻繁なチャンバクリーニングを可能にする能力がある。このことにより、厚く蓄積したことから生じた壁面からの膜の剥離による残留物汚染は排除される。
また、本発明のシングルチャンバシステムは、システムの信頼性に対して別の利点を与える。従来のシステムでは、ドープアモルファスシリコンの堆積にはただ１つのチャンバのみが使用され、別の層の堆積には２つ以上のチャンバが用いられている。仮に、ドープアモルファスシリコンチャンバがメンテナンス等何らかの理由で使用不能になった場合、堆積システム全体が使用不能になる。本発明の１チャンバシステムを用いれば、各チャンバは独立して稼働し、従って非常に大きなシステムの信頼性が与えられる。
シングルチャンバＣＶＤプロセスの有効性を確かめるため、一連の試験が実施された。ドーパントによる汚染を測定するには、真性アモルファスシリコンの電気伝導率が良い指標である。ドープアモルファスシリコンの代表的な電気伝導率は、１０-2（ｏｈｍ−ｃｍ）-1のオーダーであり、真性アモルファスシリコンでは、１０-10 （ｏｈｍ−ｃｍ）-1のオーダーである。
（実施例）表４に示されるサンプルＮｏ．１の結果は、リンを含まない膜をリファレンスとして用いるために、リンを含まないチャンバ内でサンプル上に堆積操作を行い得られたものである。その他のサンプルは、ドープアモルファスシリコン膜が頻繁に処理されたチャンバ内で堆積された。これらのサンプルは、以下の処理ステップで作製された：１）チャンバのインシチュウプラズマクリーニング２）５０ｎｍのアモルファスシリコンの堆積３）所定の厚さでゲート窒化珪素を堆積、Ｎｏ．２では成長させず４）同じチャンバに導入された別の新しい基板上に真性アモルファスシリコンを１００ｎｍ堆積５）真性アモルファスシリコン膜の電気伝導率を測定。
Figure 2007134706
表４からわかるように、ゲート窒化珪素のバリア層としての有効性は、厚さが２００ｎｍ（サンプル３）から４００ｎｍ（サンプル４）の間で生じている。ゲート窒化珪素層がバリア層として機能するに充分ないし最小の厚さは、約２００ｎｍであることがわかった。２００ｎｍ以上の厚さでは、有効度は更に大きくなる。
ゲート窒化珪素層として厚さ２００ｎｍ未満の層が用いられる場合、まずＣＶＤチャンバのシーズニングプロセスを行ってもよい。このプロセスでは、チャンバ内に基板が無い状態で、電極間にある絶縁材料のための反応体ガスにプラズマを発生させ、チャンバ壁面を絶縁材料で実質的に覆う。その後、基板をチャンバ内に導入し、３層のアモルファスシリコン堆積プロセスを実施する。
本発明は、例示された手法について説明を行ってきたが、ここで用いられた用語は、説明の語と同種のものを意図しており、限定を意図するものではない。
更に、本発明は好適な具体例に関して説明されたきたが、ここでの教示内容を当業者が直ちに本発明の変形に応用するであろうことが理解されよう。例えば、ゲート窒化珪素の代りに他の誘電材料を用いてもよく、また、リンの代りに他のドーパントを用いてもよい。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明のシングルチャンバＣＶＤプロセスは、真性アモルファスシリコン層の汚染の問題を生じずに、同じＣＶＤチャンバ内で、真性アモルファスシリコン層とドープアモルファスシリコン層とを連続して基板上へ堆積する改良方法を提供する。
本発明の実施に用いられたプラズマ励起ＣＶＤチャンバの断面図である。 ＣＶＤ処理された３層構造のバックチャンネルエッチ型薄膜トランジスタの拡大断面図である。
符号の説明
１０…プラズマ励起ＣＶＤ装置、１２…堆積チャンバ、１４…上面、１６…第１の電極ないしガス流入マニホールド、１８…サセプタ、２０…シャフト、２２…底壁面、２４…リフトオフ板、２６…リフトオフピン、２８…リフト口、３０…ガス流出口、３２…側壁面、３６…ＲＦ出力ソース、３８…基板、４２…ガス流入パイプ、５０…ＴＦＴ基板、５２…パッシベーションゲート誘電絶縁材料層、５４…真性アモルファスシリコン、５６…ドープアモルファスシリコン。

Claims (18)

  1. 堆積方法であって：
    化学気相堆積チャンバ内の基板上に真性シリコン層を堆積するステップと；
    同一の化学気相堆積チャンバ内で、前記真性シリコン層上にドープシリコンを堆積するステップと；
    を備える、前記方法。
  2. 前記ドープシリコンは、リン、アンチモン、ヒ素、ホウ素から成る群から選択されるドーパントでドープされる、請求項１に記載の方法。
  3. 前記真性シリコンは、真性アモルファスシリコンを備え、前記ドープシリコンは、ドープアモルファスシリコンを備える、請求項１に記載の方法。
  4. 前記チャンバの圧力は、約１．２から約１．５トールである、請求項１に記載の方法。
  5. 前記基板は、前記堆積中、約０．５インチから約２インチの距離だけ、電極から離間されている、請求項１に記載の方法。
  6. 前記真性シリコンは、約２００ｎｍから約４００ｎｍの厚みまで堆積される、請求項１に記載の方法。
  7. 前記ドープシリコンは、約４０ｎｍから６０ｎｍの厚みまで堆積される、請求項１に記載の方法。
  8. 前記ドープシリコンを堆積するステップは、ガス入口マニホールドに印加される３００ワットのＲＦ電力を提供する工程を備える、請求項１に記載の方法。
  9. Ｈ２とＳｉＨ４を前記チャンバに提供するステップを更に備え、前記ＳｉＨ４に対するＨ２の比は、３を超える、請求項１に記載の方法。
  10. 堆積方法であって：
    化学気相堆積チャンバ内の基板上に真性シリコン層を堆積するステップと；
    同一の化学気相堆積チャンバ内で、前記真性シリコン層上にドープシリコンを堆積するステップとであって、前記ドープシリコンの堆積は、前記真性シリコンの堆積の直後に起こる、前記ステップと；
    を備える、前記方法。
  11. 前記ドープシリコンは、リン、アンチモン、ヒ素、ホウ素から成る群から選択されるドーパントでドープされる、請求項１０に記載の方法。
  12. 前記真性シリコンは、真性アモルファスシリコンを備え、前記ドープシリコンは、ドープアモルファスシリコンを備える、請求項１０に記載の方法。
  13. 前記チャンバの圧力は、約１．２から約１．５トールである、請求項１０に記載の方法。
  14. 前記基板は、前記堆積中、約０．５インチから約２インチの距離だけ、電極から離間されている、請求項１０に記載の方法。
  15. 前記真性シリコンは、約２００ｎｍから約４００ｎｍの厚みまで堆積される、請求項１０に記載の方法。
  16. 前記ドープシリコンは、約４０ｎｍから６０ｎｍの厚みまで堆積される、請求項１０に記載の方法。
  17. 前記ドープシリコンを堆積するステップは、ガス入口マニホールドに印加される３００ワットのＲＦ電力を提供する工程を備える、請求項１０に記載の方法。
  18. Ｈ２とＳｉＨ４を前記チャンバに提供するステップを更に備え、前記ＳｉＨ４に対するＨ２の比は、３を超える、請求項１０に記載の方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010032913A1 (en) * 2008-09-19 2010-03-25 Electronics And Telecommunications Research Institute Method for depositing amorphous silicon thin film by chemical vapor deposition

Families Citing this family (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR910003742B1 (ko) * 1986-09-09 1991-06-10 세미콘덕터 에너지 라보라터리 캄파니 리미티드 Cvd장치
KR0171982B1 (ko) * 1995-12-02 1999-03-30 김주용 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법
DE19712233C2 (de) * 1996-03-26 2003-12-11 Lg Philips Lcd Co Flüssigkristallanzeige und Herstellungsverfahren dafür
US5824365A (en) * 1996-06-24 1998-10-20 Micron Technology, Inc. Method of inhibiting deposition of material on an internal wall of a chemical vapor deposition reactor
US6020035A (en) * 1996-10-29 2000-02-01 Applied Materials, Inc. Film to tie up loose fluorine in the chamber after a clean process
US20030143410A1 (en) * 1997-03-24 2003-07-31 Applied Materials, Inc. Method for reduction of contaminants in amorphous-silicon film
US5937308A (en) * 1997-03-26 1999-08-10 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor trench isolation structure formed substantially within a single chamber
US5904542A (en) * 1997-03-26 1999-05-18 Advanced Micro Devices, Inc. Performing a semiconductor fabrication sequence within a common chamber and without opening the chamber beginning with forming a field dielectric and concluding with a gate dielectric
US5891793A (en) * 1997-04-04 1999-04-06 Advanced Micro Devices, Inc. Transistor fabrication process employing a common chamber for gate oxide and gate conductor formation
JP3801730B2 (ja) * 1997-05-09 2006-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 プラズマｃｖｄ装置及びそれを用いた薄膜形成方法
JP4114972B2 (ja) * 1997-05-27 2008-07-09 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置
TW460943B (en) * 1997-06-11 2001-10-21 Applied Materials Inc Reduction of mobile ion and metal contamination in HDP-CVD chambers using chamber seasoning film depositions
US6211065B1 (en) 1997-10-10 2001-04-03 Applied Materials, Inc. Method of depositing and amorphous fluorocarbon film using HDP-CVD
US6323119B1 (en) 1997-10-10 2001-11-27 Applied Materials, Inc. CVD deposition method to improve adhesion of F-containing dielectric metal lines for VLSI application
US6624064B1 (en) 1997-10-10 2003-09-23 Applied Materials, Inc. Chamber seasoning method to improve adhesion of F-containing dielectric film to metal for VLSI application
US6071573A (en) * 1997-12-30 2000-06-06 Lam Research Corporation Process for precoating plasma CVD reactors
JPH11260734A (ja) * 1998-03-12 1999-09-24 Nec Corp 半導体装置の製造方法
US6635569B1 (en) * 1998-04-20 2003-10-21 Tokyo Electron Limited Method of passivating and stabilizing a Ti-PECVD process chamber and combined Ti-PECVD/TiN-CVD processing method and apparatus
US6225601B1 (en) 1998-07-13 2001-05-01 Applied Komatsu Technology, Inc. Heating a substrate support in a substrate handling chamber
US6645884B1 (en) * 1999-07-09 2003-11-11 Applied Materials, Inc. Method of forming a silicon nitride layer on a substrate
US6586343B1 (en) 1999-07-09 2003-07-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for directing constituents through a processing chamber
US6530992B1 (en) 1999-07-09 2003-03-11 Applied Materials, Inc. Method of forming a film in a chamber and positioning a substitute in a chamber
TW487959B (en) * 1999-08-13 2002-05-21 Semiconductor Energy Lab Laser apparatus, laser annealing method, and manufacturing method of a semiconductor device
US6274500B1 (en) * 1999-10-12 2001-08-14 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Single wafer in-situ dry clean and seasoning for plasma etching process
JP4592849B2 (ja) * 1999-10-29 2010-12-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体製造装置
US6573030B1 (en) 2000-02-17 2003-06-03 Applied Materials, Inc. Method for depositing an amorphous carbon layer
US6448180B2 (en) * 2000-03-09 2002-09-10 Advanced Micro Devices, Inc. Deposition of in-situ doped semiconductor film and undoped semiconductor film in the same reaction chamber
JP4790896B2 (ja) * 2000-05-26 2011-10-12 エーユー オプトロニクス コーポレイション トップゲート型ｔｆｔを含むアクティブマトリックスデバイスの製造方法および製造装置
US6436488B1 (en) * 2000-06-12 2002-08-20 Agilent Technologies, Inc. Chemical vapor deposition method for amorphous silicon and resulting film
JP4389359B2 (ja) * 2000-06-23 2009-12-24 日本電気株式会社 薄膜トランジスタ及びその製造方法
US6559052B2 (en) 2000-07-07 2003-05-06 Applied Materials, Inc. Deposition of amorphous silicon films by high density plasma HDP-CVD at low temperatures
US6413321B1 (en) 2000-12-07 2002-07-02 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing particle contamination on wafer backside during CVD process
US6706336B2 (en) * 2001-02-02 2004-03-16 Canon Kabushiki Kaisha Silicon-based film, formation method therefor and photovoltaic element
US6740601B2 (en) 2001-05-11 2004-05-25 Applied Materials Inc. HDP-CVD deposition process for filling high aspect ratio gaps
US6596653B2 (en) 2001-05-11 2003-07-22 Applied Materials, Inc. Hydrogen assisted undoped silicon oxide deposition process for HDP-CVD
US6887578B2 (en) * 2001-10-30 2005-05-03 Massachusetts Institute Of Technology Fluorocarbon-organosilicon copolymers and coatings prepared by hot-filament chemical vapor deposition
US6734101B1 (en) 2001-10-31 2004-05-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Solution to the problem of copper hillocks
US6730615B2 (en) * 2002-02-19 2004-05-04 Intel Corporation High reflector tunable stress coating, such as for a MEMS mirror
US6541397B1 (en) * 2002-03-29 2003-04-01 Applied Materials, Inc. Removable amorphous carbon CMP stop
JP2004072049A (ja) * 2002-08-09 2004-03-04 Ricoh Co Ltd 有機ｔｆｔ素子及びその製造方法
KR101015161B1 (ko) * 2002-10-25 2011-02-16 외를리콘 솔라 아게, 트뤼프바흐 반도체 장치들의 제조방법 및 그 방법으로 얻어진 반도체장치들
US6808748B2 (en) 2003-01-23 2004-10-26 Applied Materials, Inc. Hydrogen assisted HDP-CVD deposition process for aggressive gap-fill technology
US7723228B2 (en) * 2003-05-20 2010-05-25 Applied Materials, Inc. Reduction of hillocks prior to dielectric barrier deposition in Cu damascene
US7371427B2 (en) * 2003-05-20 2008-05-13 Applied Materials, Inc. Reduction of hillocks prior to dielectric barrier deposition in Cu damascene
US6958112B2 (en) 2003-05-27 2005-10-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems for high-aspect-ratio gapfill using atomic-oxygen generation
US7300829B2 (en) * 2003-06-02 2007-11-27 Applied Materials, Inc. Low temperature process for TFT fabrication
US6903031B2 (en) 2003-09-03 2005-06-07 Applied Materials, Inc. In-situ-etch-assisted HDP deposition using SiF4 and hydrogen
US7109114B2 (en) * 2004-05-07 2006-09-19 Applied Materials, Inc. HDP-CVD seasoning process for high power HDP-CVD gapfil to improve particle performance
US7229931B2 (en) 2004-06-16 2007-06-12 Applied Materials, Inc. Oxygen plasma treatment for enhanced HDP-CVD gapfill
US7183227B1 (en) 2004-07-01 2007-02-27 Applied Materials, Inc. Use of enhanced turbomolecular pump for gapfill deposition using high flows of low-mass fluent gas
TWI244128B (en) * 2004-08-26 2005-11-21 Mosel Vitelic Inc Method of utilizing amorphous silicon layer to form a gate structure and its application
US7087536B2 (en) 2004-09-01 2006-08-08 Applied Materials Silicon oxide gapfill deposition using liquid precursors
US20060189171A1 (en) * 2005-02-23 2006-08-24 Chua Choon A Seasoning process for a deposition chamber
US7678715B2 (en) 2007-12-21 2010-03-16 Applied Materials, Inc. Low wet etch rate silicon nitride film
WO2010009297A2 (en) * 2008-07-16 2010-01-21 Applied Materials, Inc. Hybrid heterojunction solar cell fabrication using a doping layer mask
KR20110105382A (ko) 2008-12-10 2011-09-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 스크린 프린팅 패턴 정렬을 위한 향상된 비젼 시스템
JP5698950B2 (ja) 2009-10-23 2015-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8741394B2 (en) 2010-03-25 2014-06-03 Novellus Systems, Inc. In-situ deposition of film stacks
US9028924B2 (en) 2010-03-25 2015-05-12 Novellus Systems, Inc. In-situ deposition of film stacks
US8709551B2 (en) * 2010-03-25 2014-04-29 Novellus Systems, Inc. Smooth silicon-containing films
US8895116B2 (en) 2010-11-04 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of crystalline semiconductor film and manufacturing method of semiconductor device
US9165788B2 (en) 2012-04-06 2015-10-20 Novellus Systems, Inc. Post-deposition soft annealing
US9117668B2 (en) 2012-05-23 2015-08-25 Novellus Systems, Inc. PECVD deposition of smooth silicon films
WO2014003855A1 (en) 2012-06-27 2014-01-03 Monteris Medical Corporation Image-guided therapy of a tissue
US9388491B2 (en) 2012-07-23 2016-07-12 Novellus Systems, Inc. Method for deposition of conformal films with catalysis assisted low temperature CVD
US9018108B2 (en) 2013-01-25 2015-04-28 Applied Materials, Inc. Low shrinkage dielectric films
US8895415B1 (en) 2013-05-31 2014-11-25 Novellus Systems, Inc. Tensile stressed doped amorphous silicon
WO2015108558A1 (en) * 2014-01-17 2015-07-23 Applied Materials, Inc. In-line chamber coating to control particle flaking
US9504484B2 (en) 2014-03-18 2016-11-29 Monteris Medical Corporation Image-guided therapy of a tissue
WO2015143025A1 (en) 2014-03-18 2015-09-24 Monteris Medical Corporation Image-guided therapy of a tissue
US10675113B2 (en) 2014-03-18 2020-06-09 Monteris Medical Corporation Automated therapy of a three-dimensional tissue region
US9299558B2 (en) 2014-03-21 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Run-to-run stability of film deposition
US9548188B2 (en) 2014-07-30 2017-01-17 Lam Research Corporation Method of conditioning vacuum chamber of semiconductor substrate processing apparatus
US10327830B2 (en) 2015-04-01 2019-06-25 Monteris Medical Corporation Cryotherapy, thermal therapy, temperature modulation therapy, and probe apparatus therefor
CN104795315A (zh) * 2015-04-15 2015-07-22 上海华力微电子有限公司 一种非晶硅薄膜及一种半导体器件的制造方法
CN113628959A (zh) * 2021-07-19 2021-11-09 华虹半导体(无锡)有限公司 应用于功率器件的沟槽填充方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5992519A (ja) * 1982-11-19 1984-05-28 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JPS6294922A (ja) * 1985-10-22 1987-05-01 Fuji Photo Film Co Ltd プラズマｃｖｄ法による製膜装置
JPH0194615A (ja) * 1987-10-06 1989-04-13 Seiko Epson Corp プラズマｃｖｄ装置
JPH0551753A (ja) * 1991-08-22 1993-03-02 Nissin Electric Co Ltd プラズマｃｖｄ法及び装置
JPH05160045A (ja) * 1991-12-11 1993-06-25 Nissin Electric Co Ltd プラズマｃｖｄ法及び装置
JPH05166728A (ja) * 1991-12-11 1993-07-02 Toshiba Corp プラズマｃｖｄ装置
JPH05335335A (ja) * 1992-06-01 1993-12-17 Toshiba Corp 水素化アモルファスシリコン薄膜トランジスタの製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59204274A (ja) * 1983-05-06 1984-11-19 Seiko Instr & Electronics Ltd 薄膜トランジスタ
US4933296A (en) * 1985-08-02 1990-06-12 General Electric Company N+ amorphous silicon thin film transistors for matrix addressed liquid crystal displays
FR2590406B1 (fr) * 1985-11-15 1988-10-28 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un transistor en couches minces a grille auto-alignee par rapport au drain et a la source de celui-ci
DE3725358A1 (de) * 1987-07-30 1989-02-09 Telog Systems Gmbh Vorrichtung und verfahren zur oberflaechenbehandlung von materialien
US4990981A (en) * 1988-01-29 1991-02-05 Hitachi, Ltd. Thin film transistor and a liquid crystal display device using same
JPH01302769A (ja) * 1988-05-30 1989-12-06 Seikosha Co Ltd 逆スタガー型シリコン薄膜トランジスタの製造方法
JP2708533B2 (ja) * 1989-03-14 1998-02-04 富士通株式会社 Ｃｖｄ装置の残留ガス除去方法
US5244730A (en) * 1991-04-30 1993-09-14 International Business Machines Corporation Plasma deposition of fluorocarbon
US5221414A (en) * 1991-07-16 1993-06-22 Micron Technology, Inc. Process and system for stabilizing layer deposition and etch rates while simultaneously maintaining cleanliness in a water processing reaction chamber
JP3150408B2 (ja) * 1992-03-16 2001-03-26 株式会社東芝 Ｃｖｄ装置のプラズマ・クリーニング後処理方法
US5266504A (en) * 1992-03-26 1993-11-30 International Business Machines Corporation Low temperature emitter process for high performance bipolar devices
US5281546A (en) * 1992-09-02 1994-01-25 General Electric Company Method of fabricating a thin film transistor using hydrogen plasma treatment of the intrinsic silicon/doped layer interface
JPH07169700A (ja) * 1993-12-16 1995-07-04 Sanyo Electric Co Ltd 基板の処理装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5992519A (ja) * 1982-11-19 1984-05-28 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JPS6294922A (ja) * 1985-10-22 1987-05-01 Fuji Photo Film Co Ltd プラズマｃｖｄ法による製膜装置
JPH0194615A (ja) * 1987-10-06 1989-04-13 Seiko Epson Corp プラズマｃｖｄ装置
JPH0551753A (ja) * 1991-08-22 1993-03-02 Nissin Electric Co Ltd プラズマｃｖｄ法及び装置
JPH05160045A (ja) * 1991-12-11 1993-06-25 Nissin Electric Co Ltd プラズマｃｖｄ法及び装置
JPH05166728A (ja) * 1991-12-11 1993-07-02 Toshiba Corp プラズマｃｖｄ装置
JPH05335335A (ja) * 1992-06-01 1993-12-17 Toshiba Corp 水素化アモルファスシリコン薄膜トランジスタの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010032913A1 (en) * 2008-09-19 2010-03-25 Electronics And Telecommunications Research Institute Method for depositing amorphous silicon thin film by chemical vapor deposition

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