JP2007132949A - Method of detecting defect in semiconductor wafer - Google Patents

Method of detecting defect in semiconductor wafer Download PDF

Info

Publication number
JP2007132949A
JP2007132949A JP2006354058A JP2006354058A JP2007132949A JP 2007132949 A JP2007132949 A JP 2007132949A JP 2006354058 A JP2006354058 A JP 2006354058A JP 2006354058 A JP2006354058 A JP 2006354058A JP 2007132949 A JP2007132949 A JP 2007132949A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
defect
semiconductor wafer
silicon wafer
defects
anisotropy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006354058A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuya Togashi
和也 富樫
Katsuo Nozaki
勝雄 野崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumco Techxiv Corp
Original Assignee
Sumco Techxiv Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumco Techxiv Corp filed Critical Sumco Techxiv Corp
Priority to JP2006354058A priority Critical patent/JP2007132949A/en
Publication of JP2007132949A publication Critical patent/JP2007132949A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To precisely discriminate an anisotropic defect from an isotropic defect to detect precisely the numbers of the both defects, using a measuring instrument for detecting the defect by scanning a laser beam along a fixed direction on a semiconductor wafer surface, and to precisely discriminate the respective defects different in anisotropy to detect precisely the numbers of the defects in every defect different in the anisotropy. <P>SOLUTION: A scattered beam is measured while changing a relative scanning direction of the beam with respect to a semiconductor wafer by a prescribed angle at a time, using a crystalline direction of a semiconductor constituting the semiconductor wafer as a reference, and measured results in the every change by the prescribed angle at the one time are compared, in this method of the present invention. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体ウェーハの表面に存在する欠陥を検出する方法に関するものである。   The present invention relates to a method for detecting defects present on the surface of a semiconductor wafer.

半導体デバイスは半導体ウェーハ上に薄膜を形成する工程を経て作成される。   A semiconductor device is formed through a process of forming a thin film on a semiconductor wafer.

図２（ａ）は半導体ウェーハとしてシリコン（Ｓi）ウェーハを想定し、シリコンウェーハ基板１の上にエピタキシャル成長層２が形成された後のシリコンウェーハ１′の断面を示している。すなわちＣＶＤ装置の炉内で、薄膜の原料ガス、たとえばトリクロルシラン（ＳiＨＣl3）がシリコン基板１の表面１ａに供給される。そしてトリクロルシランの化学反応によってシリコン基板１の表面１ａに同じシリコンの薄膜２がエピタキシャル成長によって形成されていく。   2A shows a cross section of the silicon wafer 1 ′ after the epitaxial growth layer 2 is formed on the silicon wafer substrate 1, assuming a silicon (Si) wafer as the semiconductor wafer. That is, a thin film source gas, for example, trichlorosilane (SiHCl3) is supplied to the surface 1a of the silicon substrate 1 in the furnace of the CVD apparatus. The same silicon thin film 2 is formed on the surface 1a of the silicon substrate 1 by epitaxial growth by the chemical reaction of trichlorosilane.

このようにして原子配列がシリコン基板１と同一の結晶が、基板１上に形成される。エピタキシャル成長層２の表面を２ａとする。   In this way, a crystal having the same atomic arrangement as that of the silicon substrate 1 is formed on the substrate 1. The surface of the epitaxial growth layer 2 is 2a.

図３（ａ）はシリコンウェーハ基板１を上面からみた図であり、シリコンウェーハ基板１を構成するシリコン原子の結晶の配列の様子を模式的に示している。また図３（ｂ）はシリコン結晶の基本格子を示し（１００）結晶面の場所を示している。   FIG. 3A is a view of the silicon wafer substrate 1 as viewed from above, and schematically shows the arrangement of silicon atom crystals constituting the silicon wafer substrate 1. FIG. 3B shows the basic lattice of the silicon crystal and shows the location of the (100) crystal plane.

図３（ａ）に示すように、シリコンウェーハ基板１単体では、シリコンウェーハ表面１ａと、シリコン結晶の（１００）面とが平行となるような結晶構造となっている。   As shown in FIG. 3A, the silicon wafer substrate 1 alone has a crystal structure in which the silicon wafer surface 1a and the (100) plane of the silicon crystal are parallel to each other.

シリコンウェーハ基板１上に形成されるエピタキシャル成長層２についても図３（ａ）と同様な原子配列の結晶構造であるものと考えられる。   The epitaxial growth layer 2 formed on the silicon wafer substrate 1 is also considered to have an atomic arrangement crystal structure similar to that shown in FIG.

しかし図２（ｂ）に示すようにシリコンウェーハ１の表面１ａに、金属汚染、ゴミ、キズ等の異物３が存在する場合、その異物を核にして、原子配列が図３（ａ）に示すものと異なる結晶４が成長することがある。これは結晶欠陥の一種であり、積層欠陥（スタッキング・フォルト；ＳＦ）と呼ばれている。   However, as shown in FIG. 2B, when a foreign matter 3 such as metal contamination, dust, scratches, etc. is present on the surface 1a of the silicon wafer 1, the atomic arrangement is shown in FIG. Different crystals 4 may grow. This is a kind of crystal defect and is called a stacking fault (stacking fault; SF).

図４（ａ）は図３（ａ）に対応させて、エピタキシャル成長層２が形成された後のシリコンウェーハ１′の表面２ａを上面からみた図である。また図４（ｂ）はシリコン結晶の基本格子における（１１０）方向を示している。   FIG. 4A is a view of the surface 2a of the silicon wafer 1 ′ after the epitaxial growth layer 2 is formed, as viewed from the top, corresponding to FIG. 3A. FIG. 4B shows the (110) direction in the basic lattice of the silicon crystal.

図４（ａ）に示すように積層欠陥４と正常なエピタキシャル成長層２との境界５は、上面からみて略正方形であり一定の方向を向いている。境界５の方向は、シリコン結晶の（１１０）方向に一致している。   As shown in FIG. 4A, the boundary 5 between the stacking fault 4 and the normal epitaxial growth layer 2 is substantially square when viewed from the top, and faces a certain direction. The direction of the boundary 5 coincides with the (110) direction of the silicon crystal.

図５は図４（ａ）を４５度回転させた状態を示している。   FIG. 5 shows a state where FIG. 4A is rotated by 45 degrees.

図５に示すように、積層欠陥４の境界５のうち特定の方向の境界線５ａに沿って、非常に細長い、つまり異方性の顕著なピット６が発生することがある。   As shown in FIG. 5, pits 6 that are extremely elongated, that is, have remarkable anisotropy, may occur along the boundary 5 a in a specific direction among the boundaries 5 of the stacking fault 4.

ピット６は耐圧不良等を招き半導体デバイスの不良の原因となる。このためシリコンウェーハ１′の表面２ａに存在するピット６の有無、数を計測して、計測結果に基づき、不良なシリコンウェーハを除去することが必要になる。また計測結果から不良の原因を突きとめシリコンウェーハの歩留まりを高める必要がある。   The pit 6 causes a breakdown voltage failure and the like and causes a semiconductor device failure. For this reason, it is necessary to measure the presence / absence and number of pits 6 present on the surface 2a of the silicon wafer 1 'and remove the defective silicon wafer based on the measurement result. Moreover, it is necessary to identify the cause of the defect from the measurement result and increase the yield of the silicon wafer.

そこで従来より、パーティクルカウンタを用いてシリコンウェーハ１′の表面２ａに存在するピット６の数を計測するようにしている。   Therefore, conventionally, the number of pits 6 existing on the surface 2a of the silicon wafer 1 'is measured using a particle counter.

パーティクルカウンタは、シリコンウェーハ１′の表面２ａでレーザ光を一定方向に走査して、表面２ａで反射した散乱光の強度を測定して、表面２ａに存在するピット６の有無を検出するものであり、表面２ａの全体にわたってレーザ光を走査したときの計測結果から、シリコンウェーハ１′の表面２ａに存在するピット６の数をカウントすることができる。   The particle counter scans laser light in a certain direction on the surface 2a of the silicon wafer 1 ', measures the intensity of scattered light reflected on the surface 2a, and detects the presence or absence of pits 6 present on the surface 2a. The number of pits 6 existing on the surface 2a of the silicon wafer 1 'can be counted from the measurement result when the laser beam is scanned over the entire surface 2a.

ところが従来はレーザ光を走査する方向が定まっておらず、同一のシリコンウェーハ１′を試料として使用したとしても、計測の結果得られるピット６の数が、計測する人間によってばらつくことがあった。すなわちシリコンウェーハ１′の表面２ａにおける欠陥の計測を安定して高感度で行うことができなかった。   However, conventionally, the scanning direction of the laser beam is not fixed, and even if the same silicon wafer 1 ′ is used as a sample, the number of pits 6 obtained as a result of measurement may vary depending on the person to be measured. That is, the measurement of defects on the surface 2a of the silicon wafer 1 'cannot be stably performed with high sensitivity.

またシリコンウェーハ１′の表面に存在する欠陥には、上述したピット６のような異方性を有した欠陥もあり、また円形の突起のような等方性を有した欠陥もある。   Further, the defects present on the surface of the silicon wafer 1 ′ include defects having anisotropy such as the pits 6 described above and defects having isotropic properties such as circular protrusions.

しかしながらパーティクルカウンタという計測器は本来、上述したように欠陥に反射したときの散乱光の強度から、欠陥の有無を検出するものでしかなく、異方性を有した欠陥と等方性を有した欠陥を識別することまではできなかった。   However, a measuring instrument called a particle counter originally only detects the presence or absence of a defect from the intensity of scattered light when reflected by the defect as described above, and was isotropic with a defect having anisotropy. I couldn't identify the defect.

また従来は、ウェーハに対してレーザ光を走査する方向が定まっていなかったことから、ある方向にレーザ光を走査したときには、等方性を有した欠陥を精度よく検出することができるものの、異方性を有した結果についてはこれを見逃し精度よく検出することができないことがあった。   Conventionally, since the direction in which the laser beam is scanned with respect to the wafer has not been determined, an isotropic defect can be accurately detected when the laser beam is scanned in a certain direction. In some cases, the results having the direction were overlooked and could not be detected accurately.

このように従来にあっては、異方性を有した欠陥と等方性を有した欠陥とを識別することはできず、レーザ光を走査する方向によっては、異方性を有した欠陥を見逃してしまうことがあった、本発明はこうした実状に鑑みてなされたものであり、パーティクルカウンタのように、半導体ウェーハ表面でレーザ光を一定方向に走査することによって欠陥を検出する計測器を用いて、異方性を有した欠陥と等方性を有した欠陥とを高精度に識別して、両者の欠陥の数を高精度に検出できるようにすることを第１の解決課題とするものである。   Thus, in the prior art, it is impossible to distinguish between an anisotropic defect and an isotropic defect, and depending on the direction in which the laser beam is scanned, an anisotropic defect may be detected. The present invention has been made in view of such a situation, and a measuring instrument that detects defects by scanning a laser beam in a certain direction on the surface of a semiconductor wafer, such as a particle counter, is used. The first problem to be solved is to identify defects having anisotropy and isotropic defects with high accuracy and to detect the number of both defects with high accuracy. It is.

またパーティクルカウンタという計測器は本来、上述したように欠陥に反射したときの散乱光の強度から、欠陥の有無を検出するものでしかなく、異方性が異なる各種の欠陥を識別することまではできなかった。   In addition, the measuring instrument called a particle counter originally only detects the presence / absence of a defect from the intensity of scattered light when reflected by the defect as described above, until it identifies various defects with different anisotropy. could not.

そこで本発明は、パーティクルカウンタのように、半導体ウェーハ表面でレーザ光を一定方向に走査することによって欠陥を検出する計測器を用いて、異方性が異なる各欠陥を高精度に識別して、異方性の異なる欠陥毎に欠陥の数を高精度に検出できるようにすることを第２の解決課題とするものである。   Therefore, the present invention uses a measuring device that detects defects by scanning laser light in a certain direction on the surface of a semiconductor wafer, such as a particle counter, to accurately identify each defect having different anisotropy, A second problem to be solved is to enable the number of defects to be detected with high accuracy for each defect having different anisotropy.

そこで第１発明は、第１、第２の解決課題を達成するために、
半導体ウェーハの表面で光を一定方向に走査し散乱光を測定することにより、半導体ウェーハの表面に存在する欠陥を検出する半導体ウェーハの欠陥検出方法において、
前記半導体ウェーハを構成する半導体の結晶の方向を基準にして、所定角度ずつ半導体ウェーハに対する光の相対的な走査方向を変化させつつ、散乱光を測定し、
前記所定角度ずつ変化させる毎に得られた測定結果を比較すること
を特徴とする。 Therefore, the first invention achieves the first and second solving problems,
In the semiconductor wafer defect detection method for detecting defects existing on the surface of the semiconductor wafer by scanning the light in a certain direction on the surface of the semiconductor wafer and measuring the scattered light,
Measuring the scattered light while changing the relative scanning direction of the light with respect to the semiconductor wafer by a predetermined angle with respect to the direction of the semiconductor crystal constituting the semiconductor wafer,
The measurement results obtained each time the predetermined angle is changed are compared.

第２発明は、第１発明において、
前記所定角度ずつ変化させる毎に得られた測定結果を比較することにより、等方性を有した欠陥と異方性を有した欠陥とを識別すること
を特徴とする。 The second invention is the first invention,
By comparing the measurement results obtained each time the predetermined angle is changed, an isotropic defect and an anisotropy defect are identified.

第３発明は、第１発明において、
前記所定角度ずつ変化させる毎に得られた測定結果を比較することにより、異方性が異なる各欠陥を識別すること
を特徴とする。 The third invention is the first invention,
Each defect having different anisotropy is identified by comparing measurement results obtained each time the predetermined angle is changed.

第４発明は、第１乃至第３発明において、
前記光の相対的な走査方向は、２方向であること
を特徴とする。 The fourth invention is the first to third invention,
The relative scanning direction of the light is two directions.

第５発明は、第１乃至第３発明において、
前記光の相対的な走査方向は、欠陥で反射する散乱光の強度が最大となるような走査方向を含むこと
を特徴とする。 A fifth invention is the first to third invention,
The relative scanning direction of the light includes a scanning direction in which the intensity of scattered light reflected by the defect is maximized.

すなわち図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示すように、半導体ウェーハ１′を構成する半導体の結晶の方向を基準にして、所定角度ずつ半導体ウェーハ１′に対する光の相対的な走査方向を変化させつつ、散乱光を測定する。そして所定角度ずつ変化させる毎に得られた測定結果を比較することにより、等方性を有した欠陥と異方性を有した欠陥とを識別する。   That is, as shown in FIGS. 7 (a), (b), (c), and (d), with respect to the direction of the semiconductor crystal constituting the semiconductor wafer 1 ', the light beam is incident on the semiconductor wafer 1' by a predetermined angle. The scattered light is measured while changing the relative scanning direction. Then, by comparing the measurement results obtained every time the angle is changed by a predetermined angle, the defect having isotropic property and the defect having anisotropy are identified.

これによりパーティクルカウンタのように、半導体ウェーハ表面２ａでレーザ光を一定方向に走査することによって欠陥を検出する計測器を用いて、異方性を有した欠陥と等方性を有した欠陥とを高精度に識別でき、両者の欠陥の数を高精度に検出することができるようになる。   Thereby, using a measuring device that detects defects by scanning laser light in a certain direction on the surface 2a of the semiconductor wafer, such as a particle counter, defects having anisotropy and defects having anisotropy are removed. It can be identified with high accuracy, and the number of defects of both can be detected with high accuracy.

また、異方性が異なる各種欠陥を高精度に識別でき、異方性が異なる欠陥毎に欠陥の数を高精度に検出することができるようになる。   In addition, various defects having different anisotropies can be identified with high accuracy, and the number of defects can be detected with high accuracy for each defect having different anisotropy.

以下図面を参照して本発明に係る半導体ウェーハの欠陥検出方法の実施の形態について説明する。   Embodiments of a defect detection method for a semiconductor wafer according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

なお以下に説明する実施形態では、半導体ウェーハとしてシリコンウェーハを想定し図２（ａ）で説明したように、エピタキシャル成長後のシリコンウェーハ１′の表面２ａに存在する積層欠陥４を、パーティクルカウンタを用いて検出する場合を想定する。なおパーティクルカウンタとして、たとえば商品名「ＷＩＳ−ＣＲ８２」、「ＳＦＳ６２２０」の装置を使用することができる。   In the embodiment described below, a silicon wafer is assumed as the semiconductor wafer, and as described with reference to FIG. 2A, the stacking fault 4 existing on the surface 2a of the silicon wafer 1 ′ after the epitaxial growth is detected using a particle counter. It is assumed that it is detected. As the particle counter, for example, devices having trade names “WIS-CR82” and “SFS6220” can be used.

・第１の実施形態
図１は図５に対応する図でありシリコンウェーハ１′を図５に示す状態から反時計回りに９０゜回転させた状態を示している。 First Embodiment FIG. 1 is a view corresponding to FIG. 5 and shows a state in which the silicon wafer 1 ′ is rotated 90 ° counterclockwise from the state shown in FIG.

すなわちシリコンウェーハ１′の表面２ａには、積層欠陥４が存在する。この積層欠陥４と正常なエピタキシャル成長層２との境界５は、上面からみて略正方形であり一定の方向を向いている。境界５の方向は、シリコン結晶の（１１０）方向に一致している。つまり境界５はシリコン結晶の方向を基準とした一定の方向に存在する。   That is, the stacking fault 4 exists on the surface 2a of the silicon wafer 1 '. The boundary 5 between the stacking fault 4 and the normal epitaxial growth layer 2 is substantially square when viewed from the top and faces in a certain direction. The direction of the boundary 5 coincides with the (110) direction of the silicon crystal. That is, the boundary 5 exists in a certain direction with respect to the direction of the silicon crystal.

積層欠陥４の境界５のうち特定の方向の境界線５ａに沿って、非常に細長い、つまり異方性の顕著なピット６が発生する。つまりピット６の長手方向は、シリコン結晶の方向を基準とした一定の方向に一致する。   A very elongated pit 6 having a remarkable anisotropy is generated along a boundary 5a in a specific direction among the boundaries 5 of the stacking fault 4. That is, the longitudinal direction of the pit 6 coincides with a certain direction with respect to the direction of the silicon crystal.

ここでシリコンウェーハ１′には、シリコン結晶の方向（結晶方位）を特定して示すノッチ２ｂが付与されている。そしてピット６の長手方向は、シリコン結晶方位に対して４５゜だけ傾斜させた方向に一致している。一方レーザ光Ｌの走査方向は固定されている。したがってシリコンウェーハ１′を回転させてノッチ２ｂの位置を変化させれば、シリコン結晶方位に対するレーザ走査方向が変化しこれに応じてピット６の長手方向に対するレーザ走査方向が変化する。   Here, the silicon wafer 1 ′ is provided with a notch 2 b that indicates the direction (crystal orientation) of the silicon crystal. The longitudinal direction of the pits 6 coincides with the direction inclined by 45 ° with respect to the silicon crystal orientation. On the other hand, the scanning direction of the laser beam L is fixed. Therefore, if the position of the notch 2b is changed by rotating the silicon wafer 1 ', the laser scanning direction with respect to the silicon crystal orientation changes, and the laser scanning direction with respect to the longitudinal direction of the pit 6 changes accordingly.

したがってノッチ２ｂを目印にして境界線５ａの方向つまりピット６の長手方向に、レーザ光Ｌが走査するようシリコンウェーハ１′を位置決めすることができる。具体的には図５に示すようにレーザ光Ｌの走査方向を図中左向きに固定すると、標準状態ではノッチ２ｂはシリコンウェーハ１′の図中上側に位置されている。これをシリコンウェーハ１′が「０゜」に位置決めされている状態と定義する。そしてこの標準状態から反時計回りにシリコンウェーハ１′を９０゜ずつ回転させたときの位置（レーザ光の走査方向を固定したまま）を、それぞれ「９０゜」、「１８０゜」、「２７０゜」の位置とする。図１は図５の「０゜」の標準位置からシリコンウェーハ１′を「９０゜」の位置に変化させた状態を示している。   Accordingly, the silicon wafer 1 ′ can be positioned so that the laser beam L scans in the direction of the boundary line 5 a, that is, the longitudinal direction of the pit 6 with the notch 2 b as a mark. Specifically, as shown in FIG. 5, when the scanning direction of the laser beam L is fixed to the left in the figure, the notch 2b is positioned on the upper side of the silicon wafer 1 ′ in the standard state. This is defined as a state in which the silicon wafer 1 ′ is positioned at “0 °”. The positions when the silicon wafer 1 'is rotated by 90 ° counterclockwise from this standard state (with the scanning direction of the laser beam fixed) are “90 °”, “180 °”, “270 °”, respectively. ”Position. FIG. 1 shows a state in which the silicon wafer 1 ′ is changed from the standard position “0 °” in FIG. 5 to the position “90 °”.

このようにシリコンウェーハ１′を「９０゜」の位置に位置決めして、パーティクルカウンタから出射されるレーザ光Ｌの走査方向を、ピット６の長手方向に一致させる。   In this way, the silicon wafer 1 ′ is positioned at the “90 °” position so that the scanning direction of the laser light L emitted from the particle counter coincides with the longitudinal direction of the pit 6.

パーティクルカウンタを作動させると、パーティクルカウンタから出射されたレーザ光Ｌは、ピット６の長手方向に沿って走査する。   When the particle counter is operated, the laser light L emitted from the particle counter scans along the longitudinal direction of the pit 6.

レーザ光Ｌがピット６の長手方向に沿って走査するためピット６で反射して散乱する散乱光の強度は最大となり、ピット６を高感度で検出することができる。   Since the laser light L scans along the longitudinal direction of the pit 6, the intensity of the scattered light reflected and scattered by the pit 6 becomes maximum, and the pit 6 can be detected with high sensitivity.

パーティクルカウンタから出射されたレーザ光Ｌは、シリコンウェーハ１′の表面２ａの全面にわたり走査する。このためシリコンウェーハ１′の表面２ａの全体にわたってレーザ光Ｌを走査した結果から、シリコンウェーハ１′の表面２ａに存在するピット６の数を高精度に計測することができる。   The laser beam L emitted from the particle counter scans the entire surface 2a of the silicon wafer 1 ′. For this reason, from the result of scanning the laser beam L over the entire surface 2a of the silicon wafer 1 ', the number of pits 6 existing on the surface 2a of the silicon wafer 1' can be measured with high accuracy.

以上のように本第１の実施形態によれば、シリコンウェーハ１′の表面２ａに存在するピット６の検出を、安定して高感度で行うことができるようになる。   As described above, according to the first embodiment, the detection of the pits 6 existing on the surface 2a of the silicon wafer 1 'can be stably performed with high sensitivity.

・第２の実施形態
上述した第１の実施形態では、レーザ光Ｌの走査方向とピット６の長手方向を一致させている。 Second Embodiment In the first embodiment described above, the scanning direction of the laser light L and the longitudinal direction of the pits 6 are matched.

しかし必ずしもレーザ光Ｌの走査方向とピット６の長手方向を一致させている必要はなく、図６に示すようにシリコンウェーハ１′を構成するシリコン結晶の方向を基準とする一定方向Ｌ1またはＬ2方向またはＬ3方向に、レーザ光を走査するものであればよい。つまりピット６の長手方向に対して一定の角度を有した方向にレーザ光を走査してもよい。   However, the scanning direction of the laser beam L and the longitudinal direction of the pits 6 do not necessarily coincide with each other, and as shown in FIG. 6, a constant direction L1 or L2 direction based on the direction of the silicon crystal constituting the silicon wafer 1 '. Or what is necessary is just to scan a laser beam to L3 direction. That is, the laser beam may be scanned in a direction having a certain angle with respect to the longitudinal direction of the pit 6.

ただし、Ｌ3にて示すように、レーザ光の走査方向がピット６の幅方向に一致する場合には、散乱光の強度が弱くなり場合によってはパーティクルカウンタの検出限界以下になるおそれがある。   However, as indicated by L3, when the scanning direction of the laser light coincides with the width direction of the pit 6, the intensity of the scattered light becomes weak and in some cases, the detection limit of the particle counter may be exceeded.

以上のように本第２の実施形態によれば、シリコンウェーハ１′を構成するシリコン結晶の方向を基準とする一定方向に、レーザ光を走査しているので、シリコンウェーハ１′の表面２ａに存在するピット６の検出を、安定して行うことができるようになる。   As described above, according to the second embodiment, since the laser beam is scanned in a fixed direction with respect to the direction of the silicon crystal constituting the silicon wafer 1 ′, the surface 2 a of the silicon wafer 1 ′ is scanned. The existing pit 6 can be detected stably.

・第３の実施形態
つぎに、シリコンウェーハ１′の表面２ａに、上述したピット６のような異方性を有した欠陥と、略円形の突起のような等方性を有した欠陥とが混在して存在する場合に好適な計測方法について説明する。 Third Embodiment Next, a defect having anisotropy such as the above-described pit 6 and a defect having isotropic property such as a substantially circular protrusion are formed on the surface 2a of the silicon wafer 1 ′. A measurement method suitable for the case where both exist together will be described.

図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、シリコンウェーハ１′を「０゜」、「９０゜」、「１８０゜」、「２７０゜」の位置に順次位置決めして、シリコンウェーハ１′に対する相対的なレーザ走査方向を順次９０゜づつ変化させたときの計測結果をそれぞれ示している。図７（ａ）〜（ｄ）に示すようにシリコンウェーハ表面２ａの各位置は、Ｘ−Ｙ座標系の座標位置で特定される。図７（ａ）〜（ｄ）に示される黒丸は、シリコンウェーハ表面２ａの各座標位置に存在する欠陥を示している。   7 (a), (b), (c) and (d), the silicon wafer 1 'is sequentially positioned at the positions "0 °", "90 °", "180 °" and "270 °". The measurement results when the relative laser scanning direction with respect to the silicon wafer 1 ′ is sequentially changed by 90 ° are shown. As shown in FIGS. 7A to 7D, each position of the silicon wafer surface 2a is specified by a coordinate position in the XY coordinate system. Black circles shown in FIGS. 7A to 7D indicate defects present at the respective coordinate positions of the silicon wafer surface 2a.

上述したように異方性を有したピット６は、レーザ光Ｌがピット６の長手方向に沿って走査されているとき、つまりシリコンウェーハ１′が「９０゜」、「２７０゜」に位置決めされているときに、散乱光の強度が強くなり高感度に検出することができる。これに対してレーザ光Ｌがピット６の幅方向に沿って走査されているとき、つまりシリコンウェーハ１′が「０゜」、「１８０゜」に位置決めされているときには、散乱光の強度が弱くなり高感度で検出できなくなる。   As described above, the pit 6 having anisotropy is positioned when the laser beam L is scanned along the longitudinal direction of the pit 6, that is, the silicon wafer 1 ′ is positioned at “90 °” or “270 °”. The intensity of the scattered light becomes strong and can be detected with high sensitivity. On the other hand, when the laser beam L is scanned along the width direction of the pit 6, that is, when the silicon wafer 1 'is positioned at "0 °" or "180 °", the intensity of the scattered light is weak. It becomes impossible to detect with high sensitivity.

これに対して等方性を有した欠陥は、シリコンウェーハ１′が「０゜」、「９０゜」、「１８０゜」、「２７０゜」のいずれの位置に位置決めされた場合であっても、同等の感度で検出される。   On the other hand, the defect having isotropicity is a case where the silicon wafer 1 ′ is positioned at any position of “0 °”, “90 °”, “180 °”, “270 °”. , Detected with equivalent sensitivity.

以上のことから図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示すように、「９０゜」で計測された欠陥（図７（ｂ））、「２７０゜」で計測された欠陥（図７（ｄ））から、「０゜」で計測された欠陥（図８（ａ））、「１８０゜」で計測された欠陥（図７（ｃ））を取り除いた欠陥が、異方性を有した欠陥つまりピット６であり、それ以外の欠陥が等方性を有した欠陥であると識別することができる。   From the above, as shown in FIGS. 7 (a), (b), (c) and (d), the defect measured at “90 °” (FIG. 7 (b)) and measured at “270 °”. The defect obtained by removing the defect measured at “0 °” (FIG. 8A) and the defect measured at “180 °” (FIG. 7C) from the defect (FIG. 7D) It is possible to identify that the defect has anisotropy, that is, the pit 6 and the other defect is an isotropic defect.

以上のよに本第３の実施形態によれば、パーティクルカウンタのように、半導体ウェーハ１′の表面２ａでレーザ光Ｌを一定方向に走査することによって欠陥を検出する計測器を用いて、異方性を有した欠陥と等方性を有した欠陥とを高精度に識別することが可能となり、両者の欠陥の数を高精度に検出できるようになる。   As described above, according to the third embodiment, a measuring instrument that detects defects by scanning the laser beam L in a certain direction on the surface 2a of the semiconductor wafer 1 ', such as a particle counter, is used. It becomes possible to discriminate between the defect having the isotropic property and the defect having the isotropic property with high accuracy, and the number of both defects can be detected with high accuracy.

・第４の実施形態
上述した第３の実施形態では、異方性の顕著なピット６と等方性を有した欠陥とを識別する場合を想定したが、異方性の強弱、対称性の異なる欠陥同士であれば、これらの欠陥同士を同様な方法で識別することができ、ウェーハ表面に存在する各種類の結晶欠陥を分類することが可能になる。 Fourth Embodiment In the third embodiment described above, it is assumed that pits 6 with significant anisotropy are identified from defects having isotropic properties. If they are different defects, these defects can be identified by a similar method, and each type of crystal defect existing on the wafer surface can be classified.

すなわち第３の実施形態と同様の方法を適用して、異方性の強弱、異方性の対称性等が異なる各種類の欠陥を識別でき、異方性が異なる欠陥毎に、その欠陥の数を高精度に検出することができる。   That is, by applying the same method as that of the third embodiment, it is possible to identify each type of defect having different anisotropy strength and anisotropy symmetry, and for each defect having different anisotropy, The number can be detected with high accuracy.

・第５の実施形態
シリコンウェーハ１′の表面２ａには、サイズが異なる各欠陥が顕れる。 Fifth Embodiment Each defect having a different size appears on the surface 2a of the silicon wafer 1 ′.

欠陥のサイズを「散乱サイズ」で定義し、３種類の欠陥Ａ、Ｂ、Ｃを、パーティクルカウンタを用いて検出したときのグラフを図８に示す。   FIG. 8 shows a graph when the defect size is defined by “scattering size” and three types of defects A, B, and C are detected using a particle counter.

この第５の実施形態では、第１の実施形態と同様にシリコンウェーハ１′を「９０゜」の位置に位置決めして計測した。   In the fifth embodiment, measurement was performed by positioning the silicon wafer 1 ′ at a position of “90 °” as in the first embodiment.

図８において横軸はシリコンウェーハ１′の表面２ａの各欠陥を特定する番号を示しており、各欠陥に番号１、２、３…を付与している。図８の縦軸は散乱サイズ（ｕｍ）を示し、散乱光の強度に対応している。   In FIG. 8, the abscissa indicates a number for identifying each defect on the surface 2a of the silicon wafer 1 ', and numbers 1, 2, 3,. The vertical axis in FIG. 8 indicates the scattering size (um) and corresponds to the intensity of the scattered light.

このようにシリコンウェーハ１′を「９０゜」に位置決めして、レーザ光Ｌをシリコン結晶方位を基準とする特定の方向（ピット６の長手方向）に沿って走査すると、それぞれ異なる散乱強度が測定される。この測定結果から、それぞれ異なる散乱サイズの欠陥Ａ、Ｂ、Ｃを識別し分類することができる。具体的には欠陥Ａの平均散乱サイズは１．８０ｕｍとなり、欠陥Ｂの平均散乱サイズは１．２５ｕｍとなり、欠陥Ｃの平均散乱サイズは１．０５ｕｍとなった。これは顕微鏡を用いて測定したサイズと一致した。   Thus, when the silicon wafer 1 'is positioned at "90 °" and the laser beam L is scanned along a specific direction (longitudinal direction of the pit 6) based on the silicon crystal orientation, different scattering intensities are measured. Is done. From this measurement result, defects A, B, and C having different scattering sizes can be identified and classified. Specifically, the average scattering size of defect A was 1.80 μm, the average scattering size of defect B was 1.25 μm, and the average scattering size of defect C was 1.05 μm. This was consistent with the size measured using a microscope.

なお本実施形態ではサイズが異なる各種類の欠陥Ａ、Ｂ、Ｃを識別しているが、形状が異なる各種欠陥を同様にして識別することができる。   In the present embodiment, the types of defects A, B, and C having different sizes are identified, but various types of defects having different shapes can be identified in the same manner.

以上のように本実施形態によれば、サイズまたは形状が異なる各種類の欠陥を識別でき、サイズ毎に、あるいは形状毎に、その欠陥の数を高精度に検出することができる。   As described above, according to the present embodiment, each type of defect having a different size or shape can be identified, and the number of defects can be detected with high accuracy for each size or for each shape.

・第６の実施形態
ところで、上述した第１の実施形態では、シリコン結晶方位を基準にしてピット６の長手方向を定め、このピット６の長手方向に沿ってレーザ光Ｌが走査するようシリコンウェーハ１′を位置決めして、ピット６を高感度で検出するようにしている。しかし、シリコン結晶方位を基準にするのではなく、実際にウェーハ表面を観察した結果からピット６の長手方向を定めてもよい。また、この方法は、シリコンウェーハの表面に発生したスクラッチキズ、加工キズなどのキズを検出する場合にも適用することができる。以下「欠陥」とは、キズやピット６などの結晶欠陥を含む意味で使用する。 By the way, in the first embodiment described above, the silicon wafer is set so that the longitudinal direction of the pit 6 is determined based on the silicon crystal orientation and the laser light L is scanned along the longitudinal direction of the pit 6. 1 'is positioned to detect the pit 6 with high sensitivity. However, instead of using the silicon crystal orientation as a reference, the longitudinal direction of the pits 6 may be determined from the result of actually observing the wafer surface. This method can also be applied to detecting scratches such as scratches and processing scratches generated on the surface of the silicon wafer. Hereinafter, the term “defect” is used to include crystal defects such as scratches and pits 6.

すなわち、まずエピタキシャル成長層２が積層されていないシリコンウェーハ１あるいはエピタキシャル成長層２が積層されたシリコンウェーハ１′の表面を顕微鏡等で観察して、表面で発生した欠陥（キズやピット６など）の長手方向を特定する。具体的には、顕微鏡の観察結果から、ノッチ２ｂに対して欠陥の長手方向がいずれの角度だけ傾斜しているのかを測定する。そして、この特定された欠陥の長手方向に沿って、レーザ光Ｌが走査するようシリコンウェーハ１あるいは１′を位置決めする。   That is, first, the surface of the silicon wafer 1 on which the epitaxial growth layer 2 is not laminated or the surface of the silicon wafer 1 ′ on which the epitaxial growth layer 2 is laminated is observed with a microscope or the like, and the length of defects (scratches, pits 6, etc.) generated on the surface is observed. Identify the direction. Specifically, from the observation result of the microscope, it is measured which angle the longitudinal direction of the defect is inclined with respect to the notch 2b. Then, the silicon wafer 1 or 1 'is positioned so that the laser beam L scans along the longitudinal direction of the identified defect.

つぎに、パーティクルカウンタを作動させ、パーティクルカウンタから出射されたレーザ光Ｌを、欠陥の長手方向に沿って走査させる。   Next, the particle counter is operated, and the laser beam L emitted from the particle counter is scanned along the longitudinal direction of the defect.

レーザ光Ｌが欠陥の長手方向に沿って走査するため欠陥で反射して散乱する散乱光の強度は最大となり、欠陥を高感度で検出することができる。   Since the laser light L scans along the longitudinal direction of the defect, the intensity of the scattered light reflected and scattered by the defect is maximized, and the defect can be detected with high sensitivity.

パーティクルカウンタから出射されたレーザ光Ｌは、シリコンウェーハ１あるいは１′の表面の全面にわたり走査する。このためシリコンウェーハ１あるいは１′の表面の全体にわたってレーザ光Ｌを走査した結果から、シリコンウェーハ１あるいは１′の表面に存在する欠陥の数を高精度に計測することができる。   The laser beam L emitted from the particle counter scans the entire surface of the silicon wafer 1 or 1 '. Therefore, the number of defects existing on the surface of the silicon wafer 1 or 1 ′ can be measured with high accuracy from the result of scanning the laser beam L over the entire surface of the silicon wafer 1 or 1 ′.

以上のように本第６の実施形態によれば、シリコンウェーハ１あるいは１′の表面に存在する欠陥の検出を、安定して高感度で行うことができるようになる。   As described above, according to the sixth embodiment, it is possible to stably detect defects present on the surface of the silicon wafer 1 or 1 'with high sensitivity.

以上説明した各実施形態では、シリコンウェーハを想定したが、本発明としては半導体であれば他の材料のウェーハにも適用することができる。たとえば半導体材料としてＧａＡs（ガリウム砒素）、Ｇe（ゲルマニウム）を使用する場合にも適用することができる。   In each of the embodiments described above, a silicon wafer is assumed, but the present invention can also be applied to wafers of other materials as long as it is a semiconductor. For example, the present invention can also be applied when using GaAs (gallium arsenide) or Ge (germanium) as a semiconductor material.

図１は実施形態のシリコンウェーハを示す上面図である。FIG. 1 is a top view showing a silicon wafer according to an embodiment. 図２（ａ）、（ｂ）はシリコンウェーハの断面図である。2A and 2B are cross-sectional views of the silicon wafer. 図３（ａ）はシリコンウェーハの上面図で図３（ｂ）はシリコン基本格子を示す斜視図である。FIG. 3A is a top view of the silicon wafer, and FIG. 3B is a perspective view showing a silicon basic lattice. 図４（ａ）はシリコンウェーハ表面に存在する積層欠陥の境界を示す図で、図４（ｂ）は積層欠陥の境界の方向とシリコン基本格子の関係を示す図である。FIG. 4A is a diagram showing a boundary between stacking faults existing on the surface of the silicon wafer, and FIG. 4B is a diagram showing a relationship between the direction of the stacking fault boundary and the silicon basic lattice. 図５はシリコンウェーハ表面に存在する積層欠陥の境界に顕れるピットを示す図である。FIG. 5 is a diagram showing pits appearing at the boundary of stacking faults existing on the silicon wafer surface. 図６のシリコンウェーハの位置決めの基準となるピットを示す図である。It is a figure which shows the pit used as the reference | standard of positioning of the silicon wafer of FIG. 図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）はシリコンウェーハを各位置に位置決めしたときにウェーハ表面で検出される各欠陥を示す図である。FIGS. 7A, 7B, 7C, and 7D are views showing defects detected on the wafer surface when the silicon wafer is positioned at each position. 図８はシリコンウェーハ表面に存在する各欠陥をサイズごとに識別されることを示すグラフである。FIG. 8 is a graph showing that each defect present on the silicon wafer surface is identified by size.

符号の説明Explanation of symbols

１ シリコン基板
２ エピタキシャル成長層
１′ シリコンウェーハ
６ ピット 1 Silicon substrate 2 Epitaxial growth layer 1 'Silicon wafer 6 Pit

Claims (5)

半導体ウェーハの表面で光を一定方向に走査し散乱光を測定することにより、半導体ウェーハの表面に存在する欠陥を検出する半導体ウェーハの欠陥検出方法において、
前記半導体ウェーハを構成する半導体の結晶の方向を基準にして、所定角度ずつ半導体ウェーハに対する光の相対的な走査方向を変化させつつ、散乱光を測定し、
前記所定角度ずつ変化させる毎に得られた測定結果を比較すること
を特徴とする半導体ウェーハの欠陥検出方法。 In the semiconductor wafer defect detection method for detecting defects existing on the surface of the semiconductor wafer by scanning light in a certain direction on the surface of the semiconductor wafer and measuring scattered light,
Measuring the scattered light while changing the relative scanning direction of the light with respect to the semiconductor wafer by a predetermined angle with respect to the direction of the semiconductor crystal constituting the semiconductor wafer,
A defect detection method for a semiconductor wafer, comprising comparing the measurement results obtained each time the predetermined angle is changed. 前記所定角度ずつ変化させる毎に得られた測定結果を比較することにより、等方性を有した欠陥と異方性を有した欠陥とを識別すること
を特徴とする請求項１記載の半導体ウェーハの欠陥検出方法。 2. The semiconductor wafer according to claim 1, wherein a defect having isotropy and a defect having anisotropy are identified by comparing measurement results obtained each time the predetermined angle is changed. Defect detection method. 前記所定角度ずつ変化させる毎に得られた測定結果を比較することにより、異方性が異なる各欠陥を識別すること
を特徴とする請求項１記載の半導体ウェーハの欠陥検出方法。 The defect detection method for a semiconductor wafer according to claim 1, wherein each defect having different anisotropy is identified by comparing measurement results obtained each time the predetermined angle is changed. 前記光の相対的な走査方向は、２方向であること
を特徴とする請求項１乃至３記載の半導体ウェーハの欠陥検出方法。 The defect detection method for a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the relative scanning direction of the light is two directions. 前記光の相対的な走査方向は、欠陥で反射する散乱光の強度が最大となるような走査方向を含むこと
を特徴とする請求項１乃至３記載の半導体ウェーハの欠陥検出方法。 The defect detection method for a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the relative scanning direction of the light includes a scanning direction in which the intensity of scattered light reflected by the defect is maximized.
JP2006354058A 2006-12-28 2006-12-28 Method of detecting defect in semiconductor wafer Pending JP2007132949A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006354058A JP2007132949A (en) 2006-12-28 2006-12-28 Method of detecting defect in semiconductor wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006354058A JP2007132949A (en) 2006-12-28 2006-12-28 Method of detecting defect in semiconductor wafer

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001362920A Division JP2003161704A (en) 2001-11-28 2001-11-28 Method of detecting defect of semiconductor wafer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007132949A true JP2007132949A (en) 2007-05-31

Family

ID=38154695

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006354058A Pending JP2007132949A (en) 2006-12-28 2006-12-28 Method of detecting defect in semiconductor wafer

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007132949A (en)

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63244753A (en) * 1987-03-31 1988-10-12 Toshiba Corp Defect recognition and processing device
JPH0442945A (en) * 1990-06-06 1992-02-13 Nec Yamagata Ltd Inspection of wafer slip line
JPH08102478A (en) * 1994-09-30 1996-04-16 Kobe Steel Ltd Crystal defect detecting equipment
JPH08101135A (en) * 1994-09-30 1996-04-16 Shin Etsu Handotai Co Ltd Foreign matter inspecting device
JPH09304289A (en) * 1995-04-10 1997-11-28 Hitachi Electron Eng Co Ltd Method and apparatus for inspecting surface of wafer
JPH10209237A (en) * 1997-01-17 1998-08-07 Nec Corp Method and apparatus for testing wafer
JPH11145228A (en) * 1997-11-07 1999-05-28 Mitsubishi Electric Corp Inspection of lamination defect and semiconductor wafer
JP2001015567A (en) * 1999-06-29 2001-01-19 Toshiba Microelectronics Corp Device and method for evaluating semiconductor substrate
JP2001235431A (en) * 2000-02-25 2001-08-31 Topcon Corp Surface inspection instrument
JP2001235428A (en) * 2000-02-23 2001-08-31 Nikon Corp Visual examination instrument
JP2001255278A (en) * 2000-03-08 2001-09-21 Hitachi Ltd Surface inspection device and its method
JP2001272340A (en) * 2000-03-27 2001-10-05 Nippon Steel Corp Crystal defect evaluation method and apparatus
JP2003161704A (en) * 2001-11-28 2003-06-06 Komatsu Electronic Metals Co Ltd Method of detecting defect of semiconductor wafer

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63244753A (en) * 1987-03-31 1988-10-12 Toshiba Corp Defect recognition and processing device
JPH0442945A (en) * 1990-06-06 1992-02-13 Nec Yamagata Ltd Inspection of wafer slip line
JPH08102478A (en) * 1994-09-30 1996-04-16 Kobe Steel Ltd Crystal defect detecting equipment
JPH08101135A (en) * 1994-09-30 1996-04-16 Shin Etsu Handotai Co Ltd Foreign matter inspecting device
JPH09304289A (en) * 1995-04-10 1997-11-28 Hitachi Electron Eng Co Ltd Method and apparatus for inspecting surface of wafer
JPH10209237A (en) * 1997-01-17 1998-08-07 Nec Corp Method and apparatus for testing wafer
JPH11145228A (en) * 1997-11-07 1999-05-28 Mitsubishi Electric Corp Inspection of lamination defect and semiconductor wafer
JP2001015567A (en) * 1999-06-29 2001-01-19 Toshiba Microelectronics Corp Device and method for evaluating semiconductor substrate
JP2001235428A (en) * 2000-02-23 2001-08-31 Nikon Corp Visual examination instrument
JP2001235431A (en) * 2000-02-25 2001-08-31 Topcon Corp Surface inspection instrument
JP2001255278A (en) * 2000-03-08 2001-09-21 Hitachi Ltd Surface inspection device and its method
JP2001272340A (en) * 2000-03-27 2001-10-05 Nippon Steel Corp Crystal defect evaluation method and apparatus
JP2003161704A (en) * 2001-11-28 2003-06-06 Komatsu Electronic Metals Co Ltd Method of detecting defect of semiconductor wafer

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102235580B1 (en) Defect marking for semiconductor wafer inspection
JPH08220006A (en) Method and apparatus for analyzing minute foreign matter, and manufacture of semiconductor element or liquid crystal display element using the method and apparatus
KR102115334B1 (en) Evaluation method of semiconductor wafer
JP6414801B2 (en) Defect inspection method
CN100380621C (en) Wafer fault detecting method and system and storage media
US10955350B2 (en) SiC wafer defect measuring method, reference sample, and method of manufacturing SiC epitaxial wafer
KR100851212B1 (en) Method of inspecting surface defect on semiconductor and afm therefor
TW462100B (en) Wafer surface inspection method
JP6508082B2 (en) Evaluation method of epitaxial wafer
JP4254584B2 (en) Evaluation method of crystal defects
JP4604734B2 (en) Wafer evaluation method
JP2009198281A (en) Structure analyzing method of crystal
JP2007132949A (en) Method of detecting defect in semiconductor wafer
JP2007147636A (en) Flaw detection method of semiconductor wafer
JP2007147637A (en) Flaw detection method of semiconductor wafer
JP2003161704A (en) Method of detecting defect of semiconductor wafer
JP5614243B2 (en) Evaluation method of silicon epitaxial wafer
TW201421016A (en) Semiconductor inspection device, and inspection method using charged particle beam
JP7143828B2 (en) Slip detection method for silicon single crystal wafer
JP2003203959A (en) Sample for observing semiconductor wafer surface crystal defect and manufacturing method therefor
KR20060118182A (en) Detecting method for micro-scratch of wafer
TWI741758B (en) Coordinate position specific precision calibrating method for laser surface inspecting device and method for evaluating semiconductor wafer
JP4908885B2 (en) Semiconductor device characteristic prediction method and characteristic prediction apparatus
WO2023106414A1 (en) Work-affected layer evaluation method and evaluation system
Borionetti et al. Nano− micro characterization of defects on silicon surfaces: an industrial perspective of metrology challenges

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20100126

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100329

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100427

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100907