JP2007129227A - 電子装置の製造方法、巻き取り製造工程、薄膜トランジスタ及び塗布装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電子装置の製造方法は、表面エネルギーパターンを基板上に作成し、第1の液体を基板上にブラシ塗布し、基板上の表面エネルギーパターンに応じて液体のパターンを形成する工程を有する。また、薄膜トランジスタは、導電層と、導電層上に形成された絶縁体の層と、絶縁体の層の上に形成された導電物質及び第1の自己組織化単層膜(SAM)のパターンと、導電物質上に形成された第2のSAMと、第1のSAM及び第2のSAMとの上に形成された半導体層とを有する。更に、塗布装置はインク吸収性のブラシヘッドと、インク流路によってブラシヘッドに接続されたインク容器と、搬送ベルトとを有し、搬送ベルトの表面がブラシヘッドと対向している。
【選択図】図1
Description
(2)試料をH1,H1,H2,H2-パーフルオロデカンチオールの0.005molエタノール溶液に15時間浸漬し、銀上にH1,H1,H2,H2-パーフルオロデカンチオールSAM層を形成する。
(3)窒素流中で試料を乾燥する。
20・・・スタンプ
30・・・SAMパターン
40・・・ブラシ
50・・・インクパターン/電極
60・・・半導体層
70・・・誘電体層
80・・・ゲート電極
Claims (24)
- 電子装置の製造方法であって、
基板上に表面エネルギーパターンを作成する第1の工程と、
第1の液体を前記基板上にブラシ塗布し、前記基板上の前記表面エネルギーパターンに応じて液体のパターンを形成する第2の工程と、を有すること、
を特徴とする電子装置の製造方法。 - 請求項1記載の方法において、
インクジェット印刷法を用いて前記基板上に他の構造層を堆積する第3の工程を更に有することを特徴とする電子装置の製造方法。 - 請求項1又は2記載の方法において、
前記表面エネルギーパターンは、
前記第1の液体に対する親液性を有する親液性物質と、
前記第1の液体に対する疎液性を有する疎液性物質と、を有することを特徴とする電子装置の製造方法。 - 請求項3記載の方法において、
前記親液性物質は親水性又は親油性であり、
前記疎液性物質は疎水性又は疎油性であることを特徴とする電子装置の製造方法。 - 請求項1乃至4の何れか一に記載の方法において、
前記第1の工程は、
第1の自己組織化単層膜(SAM)を前記基板に堆積する第4の工程を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。 - 請求項5記載の方法において、
前記第1の自己組織化膜を軟接触印刷法(ソフトコンタクト印刷法)を用いて堆積することを特徴とする電子装置の製造方法。 - 請求項5又は6記載の方法において、
前記第1の自己組織化膜はH1,H1,H2,H2-パーフルオロデシルトリクロロシランを有することを特徴とする電子装置の方法。 - 請求項1乃至7の何れか一に記載の方法において、
半導体層を前記基板上に堆積させる第5の工程を更に有することを特徴とする電子装置の製造方法。 - 請求項8記載の方法において、
誘電体層を前記半導体層上に堆積する第6の工程を更に有することを特徴とする電子装置の製造方法。 - 請求項9記載の方法において、
前記誘電体層上に導電性材料のパターンを堆積する第7の工程を更に有することを特徴とする電子装置の製造方法。 - 請求項1乃至10の何れか一に記載の方法において、
前記基板は導電層と絶縁層とを有し、
前記第1の工程において、
前記表面エネルギーパターンは、前記絶縁層上に形成されることを特徴とする電子装置の製造方法。 - 請求項1乃至11の何れか一に記載の方法において、
前記基板上の前記表面エネルギーパターンに応じて第2の液体を前記基板上にブラシ塗布し多層パターンを形成する第8の工程を更に有することを特徴とする電子装置の製造方法。 - 請求項12記載の方法において、
前記第8の工程に先立って、
前記第1の液体のパターンを熱的に又は光学的に硬化させる第9の工程を更に有することを特徴とする電子装置の製造方法。 - 請求項12又は13記載の方法において、
前記第1及び前記第2の液体は同一であることを特徴とする電子装置の製造方法。 - 請求項12又は13記載の方法において、
前記第1及び前記第2の液体は異なる物質を含んでいることを特徴とする電子装置の製造方法。 - 請求項1乃至12の何れか一に記載の方法において、
前記第2の工程の後に、表面処理を実行して基板表面の濡れ性の強弱の極性を変化させる第10の工程と、
前記基板上に更に液体をブラシ塗布する第11の工程とを更に有することを特徴とする電子装置の製造方法。 - 請求項12又は13に記載の方法において、
前記第1の液体は前記基板上の第1の領域にブラシ塗布され、
前記第2の液体は基板上の第2の領域にブラシ塗布され、
前記第1及び前記第2の液体は異なる物質を含んでいることを特徴とする電子装置の製造方法。 - 請求項1乃至17の何れか一に記載の方法において、
前記第2の工程において、前記基板をブラシヘッドと相対的に0.001m/s〜1m/sの速度で移動させることを特徴とする電子装置の製造方法。 - 電子装置を製造するための巻き取り製造(ロールツーロール)工程工程であって、請求項1乃至18の何れか一に記載の方法を有することを特徴とする工程。
- 薄膜トランジスタであって、
導電層と、
前記導電層上に形成された絶縁体の層と、
前記絶縁体の層の上に形成された導電物質と第1の自己組織化単層膜(SAM)とのパターンと、
前記導電物質上に形成された第2のSAMと、
前記第1のSAMと前記第2のSAMとの上に形成された半導体層とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 請求項20記載の薄膜トランジスタにおいて、
前記半導体層は高分子材料を有し、
前記第1のSAMが前記半導体層中の高分子鎖を局所的に整列させることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 請求項20又は21に記載の薄膜トランジスタにおいて、
前記第2のSAMは前記導電物質の仕事関数を増加させることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 塗布装置であって、
インク吸収性のブラシヘッドと、
インク流路によって前記ブラシヘッドに接続されたインク容器と、
搬送ベルトとを有し、
前記搬送ベルトの表面が前記ブラシヘッドと対向していることを特徴とする塗布装置。 - 請求項23記載の塗布装置において、
前記搬送ベルトの表面は前記ブラシヘッドに接触していることを特徴とする塗布装置。
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