JP2007116074A - Light emitting diode equipment and luminaire - Google Patents

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Tomohiro Sanpei
友広 三瓶
Akiko Saito
明子 斉藤
Iwatomo Moriyama
厳與 森山
Masami Iwamoto
正己 岩本
Masahiro Toda
雅宏 戸田
Shinji Nogi
新治 野木
Akiko Nakanishi
晶子 中西
Mitsuru Shiozaki
満 塩崎
Kiyoko Kawashima
淨子 川島
Hisayo Uetake
久代 植竹
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Toshiba Lighting and Technology Corp
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Toshiba Lighting and Technology Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide light emitting diode equipment and a luminaire capable of suppressing deterioration in optical characteristics. <P>SOLUTION: The light emitting diode equipment is provided with a substrate 2 including a surface, stepped sections 2e, 2f, and a side; a resin layer 9 configured by having recesses 8 formed on the side of the surface, fitting sections 11a2, 11b2 that are fitted into the stepped sections, and an injection gate trace 9c provided on the side; a conductive layer 5 disposed on a substrate; and a light emitting diode chip 6 that is disposed inside the recess, and is electrically connected to the conductive layer. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は発光ダイオード装置および照明装置に関する。   The present invention relates to a light emitting diode device and a lighting device.

従来、ＬＥＤチップ等の点発光するＬＥＤ発光素子を用いた発光表示体としては、図１０に示すようなドットマトリクス発光表示体がある。即ち、このドットマトリクス発光表示体１０１は、表示体基板１０２上にＬＥＤ発光素子を搭載してＸ−Ｙのマトリックスダイナミック点灯発光表示回路を構成している。そして、この表示体基板１０２上に、内周面を白系の光反射面とした透孔１０５をＬＥＤ発光素子に対応して縦横に８×８個形成してなる合成樹脂製のマスク板１０６を重ねて接着し、各ＬＥＤ発光素子を各透孔１０５に収容し、更に各透孔１０５に透光性樹脂１０７を注入してＬＥＤ発光素子の配設配線部分を封止することにより、発光部１０８として８×８のドットマトリクス状に配列された発光ドットを形成している。
実開平７−７１６１号公報 Conventionally, as a light emitting display using an LED light emitting element that emits point light such as an LED chip, there is a dot matrix light emitting display as shown in FIG. That is, the dot matrix light emitting display 101 is configured by mounting an LED light emitting element on the display substrate 102 to form an XY matrix dynamic lighting display circuit. Then, a synthetic resin mask plate 106 is formed on the display substrate 102 by forming 8 × 8 through holes 105 in the vertical and horizontal directions corresponding to the LED light emitting elements. By overlapping and adhering, each LED light emitting element is accommodated in each through hole 105, and further, a translucent resin 107 is injected into each through hole 105 to seal the arrangement wiring portion of the LED light emitting element. As 108, light emitting dots arranged in an 8 × 8 dot matrix are formed.
Japanese Utility Model Publication No. 7-7161

上記発光表示体１０１では、この表示体基板１０２上に、内周面を白系の光反射面とした透孔１０５をＬＥＤ発光素子に対応して縦横に８×８個形成してなる合成樹脂製のマスク板１０６を重ねて接着する場合に、透孔１０５とＬＥＤ発光素子との位置関係がずれることがあり、この場合には、光学特性が低下することがある。   The light-emitting display body 101 is made of a synthetic resin in which 8 × 8 through holes 105 are formed on the display body substrate 102 in the vertical and horizontal directions corresponding to the LED light-emitting elements. When the mask plate 106 is overlapped and bonded, the positional relationship between the through hole 105 and the LED light emitting element may be shifted, and in this case, the optical characteristics may be deteriorated.

本発明は、光学特性の低下を抑制することのできる発光ダイオード装置および照明装置を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a light-emitting diode device and an illumination device that can suppress a decrease in optical characteristics.

請求項１の発明は、表面、段差部および側面を含む基板と；前記表面側に形成される凹部、前記段差部に嵌合する嵌合部および前記側面側に形成された射出ゲート痕を有してなる樹脂層と；前記基板上に配設された導電層と；凹部内に配設されて導電層に電気的に接続された発光ダイオードチップと；を具備していることを特徴とする。   The invention of claim 1 includes a substrate including a surface, a stepped portion and a side surface; a recess formed on the surface side, a fitting portion fitted to the stepped portion, and an injection gate mark formed on the side surface side. A conductive layer disposed on the substrate; and a light-emitting diode chip disposed in the recess and electrically connected to the conductive layer. .

ここで、基板は、例えば放熱性の優れているアルミニウム等の金属製基板等であればよく、基板を覆う樹脂層の熱膨張係数と近似する熱膨張係数を有するものが好適である。   Here, the substrate may be, for example, a metal substrate such as aluminum having excellent heat dissipation, and preferably has a thermal expansion coefficient that approximates the thermal expansion coefficient of the resin layer that covers the substrate.

また、樹脂層を構成する樹脂材は、射出成形マシンの射出ゲートから前記基板を配設した型内に射出される。射出ゲートは基板の側面側に形成されており、射出される樹脂によって基板が各側面からほぼ均等に圧力を受けるために、不用意に基板がずれることが低減される。   Moreover, the resin material which comprises a resin layer is inject | emitted from the injection gate of an injection molding machine in the type | mold which has arrange | positioned the said board | substrate. The injection gate is formed on the side surface side of the substrate, and the substrate receives pressure almost uniformly from each side surface by the injected resin, thereby reducing the occurrence of inadvertent displacement of the substrate.

したがって、射出ゲート痕は、この種の方法を利用すれば、当然に樹脂層側面に形成されるものである。射出ゲートは、基板の両側面側に設けてもよいし片側のみでもよい。なお、片側のみの場合には、他の側面側には基板押えが必要となる。また、射出ゲートを基板の両側面側に設ける場合には、各側面側に設ける射出ゲートを同数とするのが好ましい。射出された樹脂によって基板を両側面側から均等に押圧することができるからである。   Therefore, the injection gate trace is naturally formed on the side surface of the resin layer when this type of method is used. The injection gate may be provided on both sides of the substrate or only on one side. In the case of only one side, a substrate holder is required on the other side surface. Further, when the injection gates are provided on both side surfaces of the substrate, it is preferable that the number of injection gates provided on each side surface is the same. This is because the substrate can be evenly pressed from both sides by the injected resin.

また、基板の各両側面側から射出された樹脂は、基板中央部で出会うことになり、凹部の面に合せ面が生じることがあるが、片側のみの場合には、射出された樹脂は、一方向に流れるので、凹部に合せ面ができなくなり、凹部形状を適切に形成することができる。   In addition, the resin injected from each side of each side of the substrate will meet at the center of the substrate, and there may be a mating surface on the surface of the recess, but in the case of only one side, the injected resin is Since it flows in one direction, the mating surface cannot be formed in the recess, and the recess shape can be formed appropriately.

また、凹部は発光ダイオードチップから放射された光を凹部内面で反射する反射板の役割をしている。   The recess serves as a reflector that reflects the light emitted from the light emitting diode chip on the inner surface of the recess.

請求項２の発明は、請求項１記載の発光ダイオード装置において、前記樹脂層の射出ゲート痕は、前記基板の長手方向に沿う方向に直線状であって凸状に形成されていることを特徴とする。射出ゲート痕は直線状に一本であってもよいし複数本あってもよい。また、基板の長手方向に連続していなくてもよい。この射出ゲート痕は樹脂層を基板の長手方向に沿って補強するので、基板の反りを抑制する。   According to a second aspect of the present invention, in the light-emitting diode device according to the first aspect, the injection gate trace of the resin layer is formed in a linear shape and a convex shape in a direction along the longitudinal direction of the substrate. And There may be one injection gate trace or a plurality of injection gate traces. Moreover, it does not need to be continuous in the longitudinal direction of the substrate. Since this injection gate mark reinforces the resin layer along the longitudinal direction of the substrate, warpage of the substrate is suppressed.

請求項３の発明は、請求項１または２記載の発光ダイオード装置において、前記射出ゲート痕と対向する方向であって前記基板の表面、側面または裏面に基板押え痕が形成されていることを特徴とする。対向する方向とは、射出ゲート痕が形成される樹脂層の面とは異なる面であればよい。例えば、樹脂層の一側面にゲート痕が形成されている場合には、基板押え痕は樹脂層の他の側面、表面または裏面に形成されていればよい。すなわち、樹脂層の射出成形時において、基板押えピンは、射出ゲートと同じところではなく対向するところで基板を押えているからである。   According to a third aspect of the present invention, in the light emitting diode device according to the first or second aspect of the present invention, a substrate pressing mark is formed on a front surface, a side surface or a back surface of the substrate in a direction facing the injection gate mark. And The facing direction may be a surface different from the surface of the resin layer on which the injection gate trace is formed. For example, when a gate mark is formed on one side surface of the resin layer, the substrate pressing mark may be formed on the other side surface, front surface or back surface of the resin layer. That is, at the time of injection molding of the resin layer, the substrate pressing pin presses the substrate at a position opposite to the injection gate, not at the same location.

請求項４の発明は、器具本体と；器具本体に配設された請求項１ないし３のいずれか一に記載の発光ダイオード装置と；を具備していることを特徴とする。   The invention of claim 4 is characterized by comprising: an instrument body; and the light emitting diode device according to any one of claims 1 to 3 disposed in the instrument body.

請求項１の発明によれば、基板は、各側面からほぼ均等に圧力を受けるために、基板が不用意にずれることがなく、基板に形成された導電層における発光ダイオードチップの配置位置と凹部の位置がずれることを抑制することができ、所定の光学特性を得ることができる。   According to the first aspect of the present invention, since the substrate receives pressure almost uniformly from each side surface, the substrate is not inadvertently displaced, and the light emitting diode chip placement position and the recesses in the conductive layer formed on the substrate are prevented. Can be prevented from shifting, and predetermined optical characteristics can be obtained.

請求項２の発明によれば、射出ゲート痕は樹脂層を基板の長手方向に沿って厚みを有して樹脂層を補強するので、使用時の温度変化などによる基板の反りを抑制することができる。   According to the invention of claim 2, since the injection gate mark has a thickness of the resin layer along the longitudinal direction of the substrate and reinforces the resin layer, it is possible to suppress warpage of the substrate due to temperature change during use. it can.

請求項３の発明によれば、樹脂層の射出成形時において、基板押えは射出ゲートと同じ方向ではなく対向する方向で均等に基板を押えているので、射出ゲートから流れ出す樹脂の力で基板が押されようとしても、基板を均等に押えることができる。したがって、基板に形成された導電層における発光ダイオードチップの配置位置と樹脂層の凹部の位置がずれることを抑制することができ、所定の光学特性を得ることができる。   According to the invention of claim 3, at the time of injection molding of the resin layer, since the substrate presser is pressing the substrate evenly in the opposite direction, not in the same direction as the injection gate, the substrate is pressed by the force of the resin flowing out from the injection gate. Even if it is pushed, the substrate can be pressed evenly. Therefore, it is possible to suppress the displacement of the arrangement position of the light emitting diode chip in the conductive layer formed on the substrate and the position of the concave portion of the resin layer, and to obtain predetermined optical characteristics.

請求項４の発明によれば、請求項１ないし３の効果を奏する発光ダイオード装置を有する照明装置を提供することができる。   According to invention of Claim 4, the illuminating device which has a light emitting diode device which has the effect of Claims 1 thru | or 3 can be provided.

以下、本発明の一実施形態を示す発光ダイオード装置について、図面を参照して説明する。図１は本発明の一実施形態を示す発光ダイオード装置の平面図、図２は同じく側面図、図３は図１の発光ダイオード装置におけるIV−IV線断面図、図４は図１の発光ダイオード装置におけるI−I線断面図、図５は図１の発光ダイオード装置におけるII−II線断面図、図６は本発明の一実施形態を示す発光ダイオード装置に使用する基板の平面図である。   Hereinafter, a light-emitting diode device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 is a plan view of a light emitting diode device showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a side view of the same, FIG. 3 is a sectional view taken along line IV-IV in the light emitting diode device of FIG. 1, and FIG. FIG. 5 is a sectional view taken along line II-II in the light emitting diode device of FIG. 1, and FIG. 6 is a plan view of a substrate used in the light emitting diode device showing an embodiment of the present invention.

図１において、発光ダイオード装置１は、長尺状の基板２と、この基板２上に配設された導電層としての回路パターン５と、この回路パターン５上に複数配設された発光ダイオードチップ６と、この発光ダイオードチップ６を囲むように形成された凹部を有する樹脂層９と含んで構成されている。   In FIG. 1, a light emitting diode device 1 includes a long substrate 2, a circuit pattern 5 as a conductive layer disposed on the substrate 2, and a plurality of light emitting diode chips disposed on the circuit pattern 5. 6 and a resin layer 9 having a recess formed so as to surround the light emitting diode chip 6.

基板２は、放熱性と剛性を有するアルミニウム（Ａｌ）、窒化アルミニウム、ニッケル（Ｎｉ）、ガラスエポキシ等で長尺な平板状に形成されている。さらに、基板２は、表面、裏面、側面および一対の端部を有している。図４〜６に示すように、側面部には例えば角形の一対の切欠２ｂ，２ｃが形成され、一対の端部には固定用の切欠２ｄが形成され、裏面側には、一対の段差部２ｅ，２ｆが長手方向の全長に亘って連続的に形成されている。   The substrate 2 is formed in a long flat plate shape with aluminum (Al), aluminum nitride, nickel (Ni), glass epoxy or the like having heat dissipation and rigidity. Further, the substrate 2 has a front surface, a back surface, a side surface, and a pair of end portions. 4-6, for example, a pair of square notches 2b and 2c are formed on the side surface, a pair of notches 2d are formed on the pair of end portions, and a pair of stepped portions is formed on the back surface side. 2e and 2f are continuously formed over the entire length in the longitudinal direction.

樹脂層９は、基板２の表面側に形成される投光開口を有する凹部８、側面部１１ａ，１１ｂ、前記段差部２ｅ，２ｆに嵌合する嵌合部１１ａ２，１１ｂ２および前記側面側に設けられた射出ゲート痕９ｃを形成してなる。   The resin layer 9 is provided on the side surface side of the concave portion 8 formed on the surface side of the substrate 2 and having a light projection opening, side surface portions 11a and 11b, fitting portions 11a2 and 11b2 fitted to the step portions 2e and 2f. The injection gate mark 9c thus formed is formed.

導電層としての回路パターン５は、基板２上に電気絶縁層４を介して配設されている。回路パターン５は、銅（Ｃｕ）とニッケル（Ｎｉ）の合金や金（Ａｕ）等に形成され、発光ダイオードチップ６の陰極側と陽極側とが接続される。   A circuit pattern 5 as a conductive layer is disposed on the substrate 2 with an electrical insulating layer 4 interposed therebetween. The circuit pattern 5 is formed of an alloy of copper (Cu) and nickel (Ni), gold (Au), or the like, and the cathode side and the anode side of the light emitting diode chip 6 are connected.

発光ダイオードチップ６は、青色光を発光する例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）系半導体等からなる。この発光ダイオードチップ６は、その底面電極を回路パターン５の一方上に載置してダイボンディング等により電気的に接続する一方、上面電極を回路パターン５の他方にボンディングワイヤ７で接続している。なお、図３中符号５ｃは一対の回路パターン５同士を電気的に絶縁する間隙である。   The light emitting diode chip 6 is made of, for example, a gallium nitride (GaN) semiconductor that emits blue light. The light emitting diode chip 6 has its bottom electrode placed on one side of the circuit pattern 5 and electrically connected by die bonding or the like, while its top electrode is connected to the other side of the circuit pattern 5 by a bonding wire 7. . In FIG. 3, reference numeral 5c is a gap for electrically insulating the pair of circuit patterns 5 from each other.

以下、上記樹脂層９について詳細に説明する。樹脂層９には、基板２表面側において、各発光ダイオードチップ６の周囲を所要の間隔を置いて取り囲み、漸次拡開する逆円錐台状の凹部８が形成されている。凹部８は、その凹部内面に反射面８ａを形成し、外部に開口する投光開口８ｂとその上端面である投光開口端８ｃをそれぞれ有する。   Hereinafter, the resin layer 9 will be described in detail. The resin layer 9 is formed with an inverted frustoconical recess 8 which surrounds each light emitting diode chip 6 with a predetermined interval on the surface side of the substrate 2 and gradually expands. The recess 8 forms a reflection surface 8a on the inner surface of the recess, and has a light projecting opening 8b that opens to the outside and a light projecting opening end 8c that is the upper end surface thereof.

また、各凹部８の内部には、透光性を有するシリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性透明樹脂が注入され、投光開口端８ｃとほぼ面一になるように充填され、封止樹脂１０としてそれぞれ形成されている。なお、この封止樹脂１０内には、例えば黄色発光の蛍光体が混入されている。   In addition, a thermosetting transparent resin such as a translucent silicone resin or an epoxy resin is injected into each concave portion 8 and filled so as to be substantially flush with the light projecting opening end 8c. 10, respectively. For example, a phosphor emitting yellow light is mixed in the sealing resin 10.

そして、この凹部８、発光ダイオードチップ６および蛍光体入りの封止樹脂により、発光ダイオード発光部３を構成している。   The light emitting diode light emitting section 3 is constituted by the recess 8, the light emitting diode chip 6, and the sealing resin containing the phosphor.

樹脂層９は、例えばＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）やＰＰＡ（ポリフタルアミド）、ＰＣ（ポリカーボネート）等が好適である。   The resin layer 9 is preferably made of, for example, PBT (polybutylene terephthalate), PPA (polyphthalamide), PC (polycarbonate), or the like.

また、図４で示すように、樹脂層９は、基板２の側面を幅方向に挟持する一対の側面部１１ａ，１１ｂを有し、凹部８と一体形成され、断面コ字状となっている。上記樹脂層９の一対の側面部１１ａ，１１ｂは、基板２の切欠２ｂ，２ｃにそれぞれ係合する角柱状の係合凸部１１ａ１，１１ｂ１をそれぞれ形成している。これら係合凸部１１ａ１，１１ｂ１は隣り合う凹部８間に形成されるスリット１１と同一位置に形成されている。図３で示すように、各係合凸部１１ａ１，１１ｂ１の厚さ方向の上端は、図５中の上端面２ａとほぼ面一に形成されている。   As shown in FIG. 4, the resin layer 9 has a pair of side surface portions 11 a and 11 b that sandwich the side surface of the substrate 2 in the width direction, is integrally formed with the recessed portion 8, and has a U-shaped cross section. . The pair of side surface portions 11 a and 11 b of the resin layer 9 form prismatic engagement convex portions 11 a 1 and 11 b 1 that engage with the notches 2 b and 2 c of the substrate 2, respectively. These engaging convex portions 11a1 and 11b1 are formed at the same position as the slits 11 formed between the adjacent concave portions 8. As shown in FIG. 3, the upper ends in the thickness direction of the engaging projections 11a1 and 11b1 are formed substantially flush with the upper end surface 2a in FIG.

図４および５に示すように、樹脂層９の一対の側面部１１ａ，１１ｂは、その端部が基板２側へほぼ直角にそれぞれ屈曲され、基板２の段差２ｅ，２ｆにそれぞれ嵌合する嵌合部１１ａ２，１１ｂ２が一体に形成されている。なお、これら一対の嵌合部１１ａ２，１１ｂ２の間からは、基板２の裏面が露出している。   As shown in FIGS. 4 and 5, the pair of side surface portions 11a and 11b of the resin layer 9 are bent at substantially right angles to the substrate 2 side and fitted into the steps 2e and 2f of the substrate 2, respectively. The joint portions 11a2 and 11b2 are integrally formed. The back surface of the substrate 2 is exposed from between the pair of fitting portions 11a2 and 11b2.

また、樹脂層９には、図１および２等に示されるように、基板２の長手方向で隣り合う凹部８を連結する連結部９ａの外表面にスリット１１を全幅に亘って形成している。このスリット１１の大きさを調整することにより、樹脂層９が固化する際の収縮程度を制御することができる。   Further, as shown in FIGS. 1 and 2 and the like, the resin layer 9 is formed with slits 11 over the entire width on the outer surface of the connecting portion 9a that connects the concave portions 8 adjacent in the longitudinal direction of the substrate 2. . By adjusting the size of the slit 11, the degree of contraction when the resin layer 9 is solidified can be controlled.

図５に示すように、各スリット１１は、その底面で基板２の回路パターン５を外部に露出させる深さに形成されている。また、樹脂層９には、スリット１１部分において、基板２の両側面側には一対の側面部１１ａ，１１ｂが形成されている。これら一対の側面部１１ａ，１１ｂは、図５に示されるように、基板２を幅方向で挟持するように配設されている。   As shown in FIG. 5, each slit 11 is formed to a depth at which the circuit pattern 5 of the substrate 2 is exposed to the outside at the bottom surface. In the resin layer 9, a pair of side surface portions 11 a and 11 b are formed on both side surfaces of the substrate 2 in the slit 11 portion. As shown in FIG. 5, the pair of side surface portions 11a and 11b are disposed so as to sandwich the substrate 2 in the width direction.

図１および２に示すように、樹脂層９の側面部１１ａ，１１ｂは、基板２の側面部を所要厚で被覆し、図１に示すように基板２の長手方向の全長に亘って連続的に連成されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the side surface portions 11a and 11b of the resin layer 9 cover the side surface portions of the substrate 2 with a required thickness and are continuous over the entire length in the longitudinal direction of the substrate 2 as shown in FIG. It is coupled to.

樹脂層９を射出成形により基板２に形成する場合には、スリット１１および凹部８等を形成する型内に基板２を配設し、基板２の側面に対向して射出ゲートを配設し、両側面方向から樹脂を射出する。この結果、樹脂の射出ゲート痕９ｃは基板２の側面側の樹脂層９側面部１１ａ，１１ｂに形成されることになる。   When the resin layer 9 is formed on the substrate 2 by injection molding, the substrate 2 is disposed in a mold for forming the slits 11 and the recesses 8 and the like, an injection gate is disposed opposite to the side surface of the substrate 2, Resin is injected from both sides. As a result, the resin injection gate mark 9 c is formed on the side surface portions 11 a and 11 b of the resin layer 9 on the side surface side of the substrate 2.

このため、射出される樹脂によって基板２が各側面からほぼ均等に圧力を受け、不用意に基板２がずれることが低減され、発光ダイオードチップ６が配置される回路パターン５と凹部８の位置がずれることがなく、光学特性の低下を抑制することができるものである。   For this reason, the substrate 2 receives pressure almost uniformly from each side surface by the injected resin, thereby reducing the inadvertent displacement of the substrate 2, and the positions of the circuit pattern 5 and the recess 8 where the light-emitting diode chip 6 is disposed. It is possible to suppress the deterioration of the optical characteristics without shifting.

そして、図１に示すように、樹脂層９に一体に連結されている側面部１１ａ，１１ｂは、基板２の幅方向両端部を幅方向に挟持すると共に、これら一対の側面部１１ａ，１１ｂの一対の嵌合部１１ａ２，１１ｂ２が基板裏面２ｂ側の一対の段差２ｅ，２ｆに嵌合することにより、樹脂層９と一対の側面部１１ａ，１１ｂにより基板２を厚さ方向に抱え持ちしている。   As shown in FIG. 1, the side surface portions 11 a and 11 b integrally connected to the resin layer 9 sandwich both ends in the width direction of the substrate 2 in the width direction, and the pair of side surface portions 11 a and 11 b. When the pair of fitting portions 11a2 and 11b2 are fitted to the pair of steps 2e and 2f on the substrate back surface 2b side, the substrate 2 is held in the thickness direction by the resin layer 9 and the pair of side surface portions 11a and 11b. Yes.

すなわち、樹脂層９と一対の側面部１１ａ，１１ｂにより、基板２を表裏方向と幅方向の２方向で挟持すると共に、基板２の長手方向で係止しているので、樹脂層９を基板２上の所定の位置に強固に固定することができる。   That is, the substrate 2 is sandwiched between the front and back directions and the width direction by the resin layer 9 and the pair of side surface portions 11a and 11b and is locked in the longitudinal direction of the substrate 2. It can be firmly fixed at a predetermined position above.

次に、この発光ダイオード装置１の作用を説明する。まず、一対の回路パターン５ａ，５ｂを介して各発光ダイオードチップ６に直流電圧が印加されると、これら発光ダイオードチップ６が青色に発光する。この発光は透明の封止樹脂１０内の黄色発光の蛍光体を励起し、黄色を発光させると共に、発光ダイオードチップ６の青色光と混色することにより白色光となって、反射面８ａにより反射されて投光開口８ｂから外部へ放射される。   Next, the operation of the light emitting diode device 1 will be described. First, when a direct current voltage is applied to each light emitting diode chip 6 through the pair of circuit patterns 5a and 5b, the light emitting diode chips 6 emit blue light. This light emission excites the yellow light-emitting phosphor in the transparent sealing resin 10 to emit yellow light, and is mixed with the blue light of the light-emitting diode chip 6 to become white light, which is reflected by the reflecting surface 8a. Then, the light is emitted from the projection opening 8b to the outside.

これら発光ダイオードチップ６は通電により発熱し、発光ダイオード装置１全体に伝達されるが、基板２に伝達された熱の一部は、各スリット１１の外部露出底面である基板上面２ａの一部から外部へ放出されるので、その昇温を抑制することができる。   These light-emitting diode chips 6 generate heat when energized and are transmitted to the entire light-emitting diode device 1, but part of the heat transferred to the substrate 2 is from a part of the substrate upper surface 2 a that is the externally exposed bottom surface of each slit 11. Since it is discharged to the outside, the temperature rise can be suppressed.

また、樹脂層９は、金属製の基板２よりも熱膨張率が大きいので、その熱膨張差により、反り等の変形が発生しようとするが、その変形がスリット１１の変形により吸収するので、樹脂層９の変形を防止または低減することができる。   In addition, since the resin layer 9 has a larger coefficient of thermal expansion than the metal substrate 2, deformation such as warpage is likely to occur due to the difference in thermal expansion, but the deformation is absorbed by the deformation of the slit 11. The deformation of the resin layer 9 can be prevented or reduced.

このために、凹部８の反射面８ａや封止樹脂１０の変形により、その投光開口端８ｂの投光方向がずれて色むらや輝度むら（明るさのむら）が発生するのを防止または低減することができる。   For this reason, the deformation of the reflecting surface 8a of the recess 8 and the sealing resin 10 prevents or reduces the occurrence of uneven color and uneven brightness (brightness unevenness) due to deviation of the light projecting direction of the light projecting opening end 8b. can do.

なお、前記実施形態では、発光ダイオード発光部３の複数個をそれぞれ１列状に配設した発光ダイオード装置について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば各発光ダイオード発光部３の複数個をマトリックス状に形成してもよく、さらに発光ダイオード発光部３はそれぞれ単数でもよい。また、複数個の発光ダイオード装置１を器具本体に一平面上に配列して一体に連結することにより所要の照明装置に構成してもよい。   In the above embodiment, the light emitting diode device in which a plurality of light emitting diode light emitting portions 3 are arranged in a row has been described. However, the present invention is not limited to this, and for example, each light emitting diode light emitting portion. 3 may be formed in a matrix, and the number of light emitting diode light emitting portions 3 may be single. Moreover, you may comprise a required illuminating device by arranging the several light emitting diode apparatus 1 on the instrument main body on one plane, and connecting integrally.

次に、本発明の他の実施形態を示す発光ダイオード装置について、図面を参照して説明する。図７は本発明の他の実施形態を示す発光ダイオード装置の側面図、図８は図７の発光ダイオード装置におけるＡ−Ａ線断面図、図９は図７の発光ダイオード装置におけるＢ−Ｂ線断面図である。なお、図７〜９の各図面において、前述した実施形態の発光ダイオード装置と同一または相当する部分については、同一の符号を付してその詳細なる説明は省略する。   Next, a light emitting diode device according to another embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 7 is a side view of a light emitting diode device showing another embodiment of the present invention, FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line AA in the light emitting diode device of FIG. 7, and FIG. 9 is a line BB in the light emitting diode device of FIG. It is sectional drawing. In addition, in each drawing of FIGS. 7-9, about the part which is the same as that of the light emitting diode apparatus of embodiment mentioned above, or the part which corresponds, the same code | symbol is attached | subjected and the detailed description is abbreviate | omitted.

図７ないし９に示す発光ダイオード装置１における樹脂層９の射出ゲート痕９ｃは、基板２の長手方向に沿う方向に直線状であって凸状に形成されている。本実施形態では、射出ゲート痕９ｃは一直線状に２本形成している。   The injection gate mark 9 c of the resin layer 9 in the light emitting diode device 1 shown in FIGS. 7 to 9 is formed in a straight line and a convex shape in the direction along the longitudinal direction of the substrate 2. In the present embodiment, two injection gate traces 9c are formed in a straight line.

また、凸状の高さは僅かであるが、連続的に樹脂層９の側面に形成されているので、基板２長手方向に沿って補強でき、基板２の反りを抑制することができる。   Moreover, although the convex height is slight, since it is continuously formed on the side surface of the resin layer 9, it can be reinforced along the longitudinal direction of the substrate 2, and the warpage of the substrate 2 can be suppressed.

図８に図示したように、発光ダイオード装置１の射出ゲート痕９ｃと対向する方向であって基板２の裏面には、基板押え痕９ｄが形成されている。基板押え痕９ｄは、樹脂層９の射出成形時に使用される基板押えピンを抜いた痕であり、射出された樹脂がピンのあった部分に流れ込んだ構成となっている。   As shown in FIG. 8, a substrate pressing mark 9 d is formed on the back surface of the substrate 2 in the direction facing the emission gate mark 9 c of the light emitting diode device 1. The substrate pressing mark 9d is a mark obtained by removing a substrate pressing pin used at the time of injection molding of the resin layer 9, and the injected resin flows into the portion where the pin is present.

樹脂層９の射出成形時において、基板押えのピン（図示しない。）は、射出ゲートと同じ方向ではなく対向する方向で均等に基板２を押えているので、射出ゲートから流れ出す樹脂の力で基板２が押されようとしても、基板２を均等に押えることができる。したがって、基板２に形成された導電層５における発光ダイオードチップ６の配置位置と樹脂層９の凹部１０の位置がずれることを抑制することができ、所定の光学特性を得ることができる。   At the time of injection molding of the resin layer 9, the substrate pressing pins (not shown) hold the substrate 2 evenly in the opposite direction, not in the same direction as the injection gate. Even if 2 is pressed, the substrate 2 can be pressed evenly. Accordingly, it is possible to suppress the displacement of the arrangement position of the light-emitting diode chip 6 and the position of the concave portion 10 of the resin layer 9 in the conductive layer 5 formed on the substrate 2 and to obtain predetermined optical characteristics.

なお、本実施形態では、基板押え痕９ｄは、基板２表面に回路パターン５を外部に露出させる深さに形成されたスリット１１に対向する部分ではないところに形成されている。スリット１１は樹脂で覆われていないので、この部分の強度は低下するが、本実施形態では基板２表面が樹脂層９で覆われた部分の裏面側に形成されているので、樹脂が少なくなることにより形成される基板押え痕を形成しても、この部分の強度を低下させることがない。   In the present embodiment, the substrate pressing mark 9d is formed at a portion that is not opposed to the slit 11 formed on the surface of the substrate 2 so as to expose the circuit pattern 5 to the outside. Since the slit 11 is not covered with the resin, the strength of this portion is reduced, but in this embodiment, the surface of the substrate 2 is formed on the back side of the portion covered with the resin layer 9, so that the resin is reduced. Even if the substrate press mark formed by this is formed, the strength of this portion is not lowered.

本発明の一実施形態を示す発光ダイオード装置の平面図。The top view of the light emitting diode device which shows one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態を示す発光ダイオード装置の側面図。The side view of the light emitting diode device which shows one Embodiment of this invention. 図１の発光ダイオード装置におけるIV−IV線断面図。FIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV in the light emitting diode device of FIG. 1. 図１の発光ダイオード装置におけるI−I線断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II in the light-emitting diode device of FIG. 1. 図1の発光ダイオード装置におけるII−II線断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in the light emitting diode device of FIG. 本発明の一実施形態を示す発光ダイオード装置に係る基板の平面図。The top view of the board | substrate which concerns on the light emitting diode apparatus which shows one Embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態を示す発光ダイオード装置の側面図。The side view of the light emitting diode apparatus which shows other embodiment of this invention. 図７の発光ダイオード装置におけるＡ−Ａ線断面図。AA line sectional view in the light emitting diode device of FIG. 図７の発光ダイオード装置におけるＢ−Ｂ線断面図。BB sectional drawing in the light-emitting-diode apparatus of FIG. 従来の発光ダイオード表示体の斜視図。The perspective view of the conventional light emitting diode display body.

符号の説明Explanation of symbols

１…発光ダイオード装置、２…基板、２ｂ，２ｃ…切欠、２ｄ…端部（固定用の切欠）、２ｅ，２ｆ…段差、３…発光ダイオード発光部、４…絶縁層、５…回路パターン、６…発光ダイオードチップ、８…凹部、８ａ…反射面、８ｂ…投光開口、８ｃ…投光開口端、９…樹脂層、９ｃ…射出ゲート痕、９ｄ…基板押え痕、１０…封止樹脂、１１…スリット、１１ａ，１１ｂ…一対の側面部、１１ａ１，１１ｂ１…係合凸部、１１ａ２，１１ｂ２…嵌合部。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Light emitting diode apparatus, 2 ... Board | substrate, 2b, 2c ... Notch, 2d ... End part (notch for fixation), 2e, 2f ... Level difference, 3 ... Light emitting diode light emission part, 4 ... Insulating layer, 5 ... Circuit pattern, DESCRIPTION OF SYMBOLS 6 ... Light emitting diode chip, 8 ... Recessed part, 8a ... Reflecting surface, 8b ... Projection opening, 8c ... Projection opening end, 9 ... Resin layer, 9c ... Injection gate trace, 9d ... Substrate pressing trace, 10 ... Sealing resin , 11 ... slits, 11 a and 11 b ... a pair of side parts, 11 a 1 and 11 b 1 ... engaging convex parts, 11 a 2 and 11 b 2 ... fitting parts.

Claims (4)

表面、段差部および側面を含む基板と；
前記表面側に形成される凹部、前記段差部に嵌合する嵌合部および前記側面側に形成された射出ゲート痕を有してなる樹脂層と；
前記基板上に配設された導電層と；
凹部内に配設されて導電層に電気的に接続された発光ダイオードチップと；
を具備することを特徴とする発光ダイオード装置。 A substrate including a surface, a stepped portion and a side surface;
A resin layer having a concave portion formed on the surface side, a fitting portion fitted to the stepped portion, and an injection gate mark formed on the side surface;
A conductive layer disposed on the substrate;
A light emitting diode chip disposed in the recess and electrically connected to the conductive layer;
A light-emitting diode device comprising: 前記樹脂層の射出ゲート痕は、前記基板の長手方向に沿う方向に直線状であって凸状に形成されていることを特徴とする請求項１記載の発光ダイオード装置。   2. The light emitting diode device according to claim 1, wherein the injection gate trace of the resin layer is formed in a linear shape and a convex shape in a direction along a longitudinal direction of the substrate. 前記射出ゲート痕と対向する方向であって前記基板の表面、側面または裏面に基板押え痕が形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の発光ダイオード装置。   The light-emitting diode device according to claim 1, wherein a substrate pressing mark is formed on a front surface, a side surface, or a back surface of the substrate in a direction facing the injection gate mark. 器具本体と；
器具本体に配設された請求項１ないし３のいずれか一に記載の発光ダイオード装置と；
を具備することを特徴とする照明装置。 An instrument body;
A light-emitting diode device according to any one of claims 1 to 3 disposed in an instrument body;
An illumination device comprising:
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