JP2007115845A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板(ウエハ10)の処理空間を形成する処理室20と、前記処理室に少なくとも原料ガス、キャリアガス、エッチング性ガスから成る所望の処理ガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内の雰囲気および前記基板を加熱する加熱手段(ヒータ18)とを有し、前記基板上に選択的にエピタキシャル膜を成長させる基板処理装置において、前記ガス供給手段は、前記処理室20内に挿入される複数のガス供給ノズル16、17を含み、前記複数のガス供給ノズルの少なくとも一つが、前記エッチング性ガスのみを供給するガス供給ノズル17から構成されていることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
(2)基板の処理空間として形成され外周囲から加熱された処理室に、少なくとも原料ガス、キャリアガス、エッチング性ガスから成る処理ガスを供給し、処理室内のボートの加熱された基板上に所望のエピタキシャル膜を成長させる半導体デバイスの製造方法において、前記処理室内に、前記原料ガス、キャリアガス、エッチング性ガスのうちの特定のガスのみを供給するガス供給ノズルとそれ以外のガスを供給するガス供給ノズルとを上下に配設し、これにより各ガス供給ノズル中を流れる処理ガスの流速をガス供給ノズルが1本の場合より低減して、処理ガスを処理炉内の上部より導入することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
(3)基板の処理空間を形成する処理室に、少なくとも原料ガス、キャリアガス、エッチング性ガスから成る所望の処理ガスを供給し、処理室内の加熱された基板上に選択的にエピタキシャル膜を成長させる半導体デバイスの製造方法において、前記処理室内に複数のガス供給ノズルを有し、前記複数のガス供給ノズルの少なくとも一つが、前記エッチング性ガスのみを供給することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
3 反応管
4 炉口フランジ
5 ガス導入管
6 ガス排気管
7 シールキャップ
8 ボート載置台
9 ボート
10 ウエハ
13 ボート回転機構
14 Oリング
16 第一ガス供給ノズル
17 第二ガス供給ノズル
18 ヒータ
19 ガス導入管
20 処理室
Claims (1)
- 基板の処理空間を形成する処理室と、
前記処理室に少なくとも原料ガス、キャリアガス、エッチング性ガスから成る所望の処理ガスを供給するガス供給手段と、
前記処理室内の雰囲気および前記基板を加熱する加熱手段と、
を有し、
前記基板上に選択的にエピタキシャル膜を成長させる基板処理装置であって、
前記ガス供給手段は、前記処理室内に挿入される複数のガス供給ノズルを含み、
前記複数のガス供給ノズルの少なくとも一つが、前記エッチング性ガスのみを供給するガス供給ノズルから構成されている
ことを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
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JP2005304955A JP2007115845A (ja) | 2005-10-19 | 2005-10-19 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005304955A JP2007115845A (ja) | 2005-10-19 | 2005-10-19 | 基板処理装置 |
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JP2007115845A true JP2007115845A (ja) | 2007-05-10 |
Family
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Family Applications (1)
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JP2005304955A Pending JP2007115845A (ja) | 2005-10-19 | 2005-10-19 | 基板処理装置 |
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Country | Link |
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002008991A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-11 | Tokyo Electron Ltd | クリーニング方法 |
JP2002373861A (ja) * | 2001-06-13 | 2002-12-26 | Tokyo Electron Ltd | バッチ式熱処理装置 |
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2005
- 2005-10-19 JP JP2005304955A patent/JP2007115845A/ja active Pending
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