JP2007115812A - ペルチェモジュール及び電子機器 - Google Patents
ペルチェモジュール及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007115812A JP2007115812A JP2005304112A JP2005304112A JP2007115812A JP 2007115812 A JP2007115812 A JP 2007115812A JP 2005304112 A JP2005304112 A JP 2005304112A JP 2005304112 A JP2005304112 A JP 2005304112A JP 2007115812 A JP2007115812 A JP 2007115812A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- peltier
- elements
- peltier elements
- voltage
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【課題】 対象物の加熱及び冷却効率の向上を図ることが可能なペルチェモジュール及び電子機器を提供すること。
【解決手段】 複数の熱電素子21,22及び該複数の熱電素子21,22を挟持する複数の電極26,27を有する複数のペルチェ素子20aと、複数のペルチェ素子20aを挟持するとともに、一方の基板に温度制御される対象物が配置された一対の基板と、対象物に応じて、複数のペルチェ素子20aに対して個別あるいは所定の領域内の複数のペルチェ素子20aごとに供給する電圧を制御する制御部30とを備えることを特徴とする。
【選択図】 図5
【解決手段】 複数の熱電素子21,22及び該複数の熱電素子21,22を挟持する複数の電極26,27を有する複数のペルチェ素子20aと、複数のペルチェ素子20aを挟持するとともに、一方の基板に温度制御される対象物が配置された一対の基板と、対象物に応じて、複数のペルチェ素子20aに対して個別あるいは所定の領域内の複数のペルチェ素子20aごとに供給する電圧を制御する制御部30とを備えることを特徴とする。
【選択図】 図5
Description
本発明は、ペルチェモジュール及び電子機器に関する。
近年、一対の半導体素子からなるペルチェ素子を備え、ペルチェ効果を利用して、冷却、加熱を行うペルチェモジュールが提案されている(例えば、特許文献1参照。)。特許文献1に記載のペルチェモジュールは、熱電素子であるp型半導体素子とn型半導体素子とが交互に並べられ、これら半導体素子が、2枚の金属基板によってサンドイッチ状に挟み込まれた構造を形成している。このようなペルチェ素子は、異なるエネルギー準位間における電子の遷移によって生じる発熱および吸熱の効果を用いて対象物を加熱または冷却するものであり、また、その加熱または冷却を電流方向に応じて切り替え可能なものである。
特開2002−280621号公報
しかしながら、ペルチェモジュールは上記特許文献1に記載されているとおり、面内に温度むらが発生すると、周辺部で冷却効率が小さくなってしまう。また、ペルチェモジュールの熱輸送量は液冷などに比べ単位面積あたりの効率が低く、熱量が大きい場合には、ペルチェのサイズが大きくなってしまい熱源がペルチェモジュールに比べ小さい場合には周辺部の冷却効率が低下してしまう。このため、上記特許文献1に記載されているペルチェモジュールは、基台に金属基板を使用することにより面内温度分布を低減させているが、面内温度分布をなくすことは出来ない。
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、対象物の加熱及び冷却効率の向上を図ることが可能なペルチェモジュール及び電子機器を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明は、以下の手段を提供する。
本発明のペルチェモジュールは、複数の熱電素子及び該複数の熱電素子を挟持する複数の電極を有する複数のペルチェ素子と、該複数のペルチェ素子を挟持するとともに、一方の基板に温度制御される対象物が配置された一対の基板と、前記対象物に応じて、前記複数のペルチェ素子に対して個別にあるいは所定の領域内の複数のペルチェ素子ごとに供給する電圧を制御する制御部とを備えることを特徴とする。
なお、電圧を制御することによりペルチェ素子に流れる電流を制御する。
本発明のペルチェモジュールは、複数の熱電素子及び該複数の熱電素子を挟持する複数の電極を有する複数のペルチェ素子と、該複数のペルチェ素子を挟持するとともに、一方の基板に温度制御される対象物が配置された一対の基板と、前記対象物に応じて、前記複数のペルチェ素子に対して個別にあるいは所定の領域内の複数のペルチェ素子ごとに供給する電圧を制御する制御部とを備えることを特徴とする。
なお、電圧を制御することによりペルチェ素子に流れる電流を制御する。
本発明に係るペルチェモジュールでは、隣接する熱電素子間に電極を介して電流が流れる。このとき、複数のペルチェ素子は、制御部により、個別にあるいは所定の領域内の複数のペルチェ素子ごとに供給される電圧が制御されているため、所定の熱電素子間にのみ多くの電流を流すことができる。したがって、対象物に応じて所定のペルチェ素子を効果的に加熱あるいは冷却することができるので、ペルチェ素子を効率良く加熱及び冷却することが可能となる。
また、本発明のペルチェモジュールは、前記複数のペルチェ素子が、前記対象物に対向して配置されたペルチェ素子を有する第1ブロックと、その他のペルチェ素子を有する第2ブロックとにブロック化され、前記制御部が、前記第1ブロック及び前記第2ブロックのペルチェ素子のそれぞれに供給する電圧を制御することが好ましい。
本発明に係るペルチェモジュールでは、制御部により電圧を制御し、例えば、第2ブロックのペルチェ素子より、第1ブロックのペルチェ素子に多くの電流を供給する。これにより、従来のように、ペルチェ素子に全体的に同じ電流を流す場合に比べ、対象物が配置されていないペルチェ素子が過剰に加熱あるいは冷却されてしまうことがない。したがって、ペルチェ素子に無駄なく電流を供給することができるので、加熱効率あるいは冷却効率を向上させることが可能になる。また、対象物が配置されている基板と、対象物が配置されていない基板との温度差を抑えることができるため、加熱能力あるいは冷却能力を向上させることが可能となる。さらに、ペルチェモジュールの基板の面方向における温度差も小さくなり、基板の熱膨張係数が略均一化されるため、基板とペルチェ素子との界面に加わる熱応力の発生を抑えることができる。したがって、対象物と基板の接触状態が良好になるため、熱交換効率が向上することになる。
また、本発明のペルチェモジュールは、前記複数のペルチェ素子には、個別にあるいは所定の領域内ごとにスイッチング素子が設けられ、前記制御部は、前記スイッチング素子により前記複数のペルチェ素子に電圧を供給することが好ましい。
本発明に係るペルチェモジュールでは、スイッチング素子として、複数のペルチェ素子の個別にあるいは所定の領域内の複数のペルチェ素子ごとに、例えば、薄膜トランジスタ(TFT)等のアクティブ素子を用いることにより、ペルチェ素子に電流を正確に供給することが可能となる。
また、本発明のペルチェモジュールは、前記複数のペルチェ素子には、各前記ペルチェ素子の個別の温度あるいは所定の領域内の前記複数のペルチェ素子全体の温度を測定する温度測定手段が設けられ、前記制御部は、前記温度測定手段により測定された温度に基づいて前記複数のペルチェ素子に電圧を供給することが好ましい。
本発明に係るペルチェモジュールでは、温度測定手段により、複数のペルチェ素子の個別にあるいは所定の領域内の複数のペルチェ素子ごとの温度を測定する。そして、制御部により電圧を制御し、測定した温度に基づいて、複数のペルチェ素子に電流を供給する。したがって、温度測定手段により測定された温度が高いペルチェ素子に、多くの電流を供給することができるので、基板の温度分布を精度良く均一化するとともに、基板を所望の温度に調節することが可能となる。
本発明の電子機器は、上記のペルチェモジュールを備えることを特徴とする。
本発明に係る電子機器では、上述した冷却効率及び加熱効率が良いペルチェモジュールを用いることにより、電子機器内の部品を効率良く加熱あるいは冷却することができる。したがって、電子機器を好適な状態に保つことができるため、安定した特性を得ることが可能となる。
本発明に係る電子機器では、上述した冷却効率及び加熱効率が良いペルチェモジュールを用いることにより、電子機器内の部品を効率良く加熱あるいは冷却することができる。したがって、電子機器を好適な状態に保つことができるため、安定した特性を得ることが可能となる。
以下、図面を参照して、本発明に係るペルチェモジュール及び電子機器の実施形態について説明する。なお、以下の図面においては、各部材を認識可能な大きさとするために、各部材の縮尺を適宜変更している。
まず、本発明のペルチェモジュールの第1実施形態について、図1から図5を参照して説明する。
本実施形態に係るペルチェモジュール1は、対象物を加熱及び冷却することが可能であるが、本実施形態では、発熱部(対象物)2を冷却する場合について説明する。このペルチェモジュール1は、図1及び図2に示すように、吸熱面11aに発熱部2が配置された吸熱側セラミック基板11と、この吸熱側セラミック基板11に対向して配置された放熱側セラミック基板12と、これらセラミック基板11,12により挟持されたペルチェ素子列20と、ペルチェ素子列20に供給する電圧を制御する制御部30とを備えている。
本実施形態に係るペルチェモジュール1は、対象物を加熱及び冷却することが可能であるが、本実施形態では、発熱部(対象物)2を冷却する場合について説明する。このペルチェモジュール1は、図1及び図2に示すように、吸熱面11aに発熱部2が配置された吸熱側セラミック基板11と、この吸熱側セラミック基板11に対向して配置された放熱側セラミック基板12と、これらセラミック基板11,12により挟持されたペルチェ素子列20と、ペルチェ素子列20に供給する電圧を制御する制御部30とを備えている。
ペルチェ素子列20は、図2に示すように、複数のペルチェ素子20aからなっており、ペルチェ素子20aは、一対のp型熱電半導体(熱電素子)21及びn型熱電半導体(熱電素子)22と、吸熱側セラミック基板11側に設けられ、隣接するp型,n型の熱電変換素子21,22同士を電気的に接続する複数の吸熱側金属電極26と、放熱側セラミック基板12側に設けられ、隣接するp型,n型の熱電変換素子21,22同士を電気的に接続する複数の放熱側金属電極27とを備えている。また、ペルチェ素子列20は、隣接するp型,n型の熱電変換素子21,22同士が直列接続となるように、p型熱電変換素子21,n型の熱電変換素子22及び放熱側金属電極27,吸熱側金属電極26が交互に接合された構成となっている。
図3は、ブロック化されたペルチェ素子列20を模式的に示した平面図であり、図4は、ブロック化されたペルチェ素子列20を模式的に示した側面図である。
ペルチェ素子列20は、図3及び図4に示すように、吸熱側セラミック基板11を介して発熱部2に対向して配置、すなわち、吸熱側セラミック基板11側から見て発熱部2に覆われる位置に配置されているペルチェ素子20aを有するブロックAと、吸熱側セラミック基板11を介して吸熱側セラミック基板11側から見て発熱部2の一部に覆われる位置に配置されたペルチェ素子20a(その他のペルチェ素子)を有するブロックBと、吸熱側セラミック基板11上の発熱部2が配置されていない領域に吸熱側セラミック基板11に対向して配置されたペルチェ素子20a(その他のペルチェ素子)を有するブロックCとにブロック化されている。
ペルチェ素子列20は、図3及び図4に示すように、吸熱側セラミック基板11を介して発熱部2に対向して配置、すなわち、吸熱側セラミック基板11側から見て発熱部2に覆われる位置に配置されているペルチェ素子20aを有するブロックAと、吸熱側セラミック基板11を介して吸熱側セラミック基板11側から見て発熱部2の一部に覆われる位置に配置されたペルチェ素子20a(その他のペルチェ素子)を有するブロックBと、吸熱側セラミック基板11上の発熱部2が配置されていない領域に吸熱側セラミック基板11に対向して配置されたペルチェ素子20a(その他のペルチェ素子)を有するブロックCとにブロック化されている。
また、ペルチェ素子20aには、図5に示すように、隣接する放熱側金属電極27間に電圧を印加する電源31がそれぞれ設けられている。また、制御部30には、電源31に印加する電圧を変化させる電圧可変部32が電源31ごとに設けられている。
また、複数の吸熱側金属電極26には、個々のペルチェ素子20aの温度を測定する温度測定手段33がそれぞれ設けられている。温度測定手段33として、例えば、遷移金属酸化物の焼結体を含むとともに、当該遷移金属酸化物における抵抗値の変化によって、温度測定が可能な温度依存性抵抗であるサーミスタ33を用いる。このサーミスタ33により測定された温度は制御部30に送られるようになっている。
また、複数の吸熱側金属電極26には、個々のペルチェ素子20aの温度を測定する温度測定手段33がそれぞれ設けられている。温度測定手段33として、例えば、遷移金属酸化物の焼結体を含むとともに、当該遷移金属酸化物における抵抗値の変化によって、温度測定が可能な温度依存性抵抗であるサーミスタ33を用いる。このサーミスタ33により測定された温度は制御部30に送られるようになっている。
制御部30は、サーミスタ33により測定された温度に基づいて電源31より印加する電圧を計算するものである。本実施形態では、複数のペルチェ素子20aが全体的に同じ温度になるように、ペルチェ素子20aごとに印加する電源電圧を算出している。また、算出された電源電圧は電圧可変部32に送られるようになっている。
さらに、制御部30により、ブロックA,B,Cごとにペルチェ素子20aに印加する電圧が制御されている。具体的には、制御部30により、吸熱側,放熱側セラミック基板11,12の中央部に配置されたブロックAのペルチェ素子20aに最も電流が流れるように電圧が制御されており、ブロックAを囲うように配置されたブロックB、吸熱側,放熱側セラミック基板11,12の外周に沿って配されたブロックCのペルチェ素子20aの順に電流値が減少するように制御されている。
次に、以上の構成からなる本実施形態のペルチェモジュール1を用いて、発熱部2を冷却する方法について説明する。
まず、ブロックA,B,Cのペルチェ素子20aそれぞれにあらかじめ設定された電圧値の電圧を電源31から印加する。ペルチェ素子20aに電圧を印加することにより、n型熱電半導体22からp型熱電半導体21に直流電流が流れる。隣接する熱電半導体21,22に電流が流れることにより、吸熱側金属電極26は冷却され、発熱部2の熱が、吸熱側セラミック基板11を介して吸熱側金属電極26に伝達される。そして、吸熱側金属電極26に伝達された熱は、p型熱電半導体21及びn型熱電半導体22を経て放熱側金属電極27にそれぞれ伝達される。次いで、放熱側金属電極27に伝達された熱は、放熱側セラミック基板12を介して外部に放出され、発熱部2は冷却される。
まず、ブロックA,B,Cのペルチェ素子20aそれぞれにあらかじめ設定された電圧値の電圧を電源31から印加する。ペルチェ素子20aに電圧を印加することにより、n型熱電半導体22からp型熱電半導体21に直流電流が流れる。隣接する熱電半導体21,22に電流が流れることにより、吸熱側金属電極26は冷却され、発熱部2の熱が、吸熱側セラミック基板11を介して吸熱側金属電極26に伝達される。そして、吸熱側金属電極26に伝達された熱は、p型熱電半導体21及びn型熱電半導体22を経て放熱側金属電極27にそれぞれ伝達される。次いで、放熱側金属電極27に伝達された熱は、放熱側セラミック基板12を介して外部に放出され、発熱部2は冷却される。
このとき、制御部30が、サーミスタ33により測定した温度に基づいて、吸熱側セラミック基板11の面を均一な温度となるように、複数のペルチェ素子20aそれぞれに印加する電圧を算出する。算出された電圧を電源31より、複数のペルチェ素子20aに印加することにより、発熱部2と接触している吸熱側セラミック基板11の面を均一な温度にする。
本実施形態に係るペルチェモジュール1では、発熱部2に対向して配置されたブロックAのペルチェ素子20aに最も電流が多く流れるように制御されているため、発熱部2を効果的に冷却することができる。また、ブロックB,Cの順に、ペルチェ素子20aに流れる電流が小さくなるように制御されているため、発熱部2が配置されていない吸熱側セラミック基板11の周辺部を過剰に冷却することがなくなる。したがって、吸熱側セラミック基板11と放熱側セラミック基板12との温度差を抑えることができるため、発熱部2の冷却能力を向上させることが可能となる。また、ペルチェモジュール1のセラミック基板11,12の面方向における温度が均一化されるため、熱膨張係数が略均一化され、セラミック基板11,12とペルチェ素子列20との界面に加わる熱応力の発生を抑えることができる。これにより、発熱部2とセラミック基板11との接触状態が良好になるため、さらに、熱交換効率が向上することになる。
なお、ペルチェ素子列20をブロックA,B,Cに分けたが、これに限らず、発熱部2の発熱量や、位置に応じて、ペルチェ素子列20をブロック化し、個々にあるいは所定の領域内の複数のペルチェ素子20aに印加する電圧を制御することが可能である。
[第2実施形態]
次に、本発明に係る第2実施形態について、図6を参照して説明する。なお、以下に説明する各実施形態において、上述した第1実施形態に係るペルチェモジュール1と構成を共通とする箇所には同一符号を付けて、説明を省略することにする。
本実施形態に係るペルチェモジュール40において、制御部41がペルチェ素子20aに印加する電圧を所定の領域内の複数のペルチェ素子20aごとに制御する点において第1実施形態と異なる。すなわち、本実施形態では、第1実施形態のブロックA,ブロックB,ブロックCのペルチェ素子20aをブロックごとに一つの電源42により駆動している。
次に、本発明に係る第2実施形態について、図6を参照して説明する。なお、以下に説明する各実施形態において、上述した第1実施形態に係るペルチェモジュール1と構成を共通とする箇所には同一符号を付けて、説明を省略することにする。
本実施形態に係るペルチェモジュール40において、制御部41がペルチェ素子20aに印加する電圧を所定の領域内の複数のペルチェ素子20aごとに制御する点において第1実施形態と異なる。すなわち、本実施形態では、第1実施形態のブロックA,ブロックB,ブロックCのペルチェ素子20aをブロックごとに一つの電源42により駆動している。
図6は、領域ごとのペルチェ素子20aの接続を模式的に示した斜視図である。
ペルチェ素子列20は、図6に示すように、それぞれのブロックA,B,C内の隣接するp型,n型の熱電変換素子21,22同士がすべて直列接続となるように、p型熱電変換素子21,n型の熱電変換素子22及び放熱側金属電極27,吸熱側金属電極26が交互に接合された構成となっている。
また、ブロックA,B,Cごとに、放熱側金属電極27間に電圧を印加する電源42と、電源42に印加する電圧を変化させる電圧可変部43とが設けられている。さらに、ブロックA,B,Cごとの複数のペルチェ素子20a全体の温度を測定するサーミスタ44が、吸熱側金属電極26に設けられている。
ペルチェ素子列20は、図6に示すように、それぞれのブロックA,B,C内の隣接するp型,n型の熱電変換素子21,22同士がすべて直列接続となるように、p型熱電変換素子21,n型の熱電変換素子22及び放熱側金属電極27,吸熱側金属電極26が交互に接合された構成となっている。
また、ブロックA,B,Cごとに、放熱側金属電極27間に電圧を印加する電源42と、電源42に印加する電圧を変化させる電圧可変部43とが設けられている。さらに、ブロックA,B,Cごとの複数のペルチェ素子20a全体の温度を測定するサーミスタ44が、吸熱側金属電極26に設けられている。
本実施形態に係るペルチェモジュール40では、ブロックA,B,Cごとに一つの電源41によりブロックA,B,Cのペルチェ素子20aを駆動しているため、第1実施形態に比べ、制御部41及び電源42の数が減るため、簡易な回路構成にすることが可能となる。
[第3実施形態]
次に、本発明の第3実施形態として、上記第1実施形態のペルチェモジュール1を有する光源装置100を備えるプロジェクタについて説明する。
次に、本発明の第3実施形態として、上記第1実施形態のペルチェモジュール1を有する光源装置100を備えるプロジェクタについて説明する。
図7は、上記実施形態のペルチェモジュール1を備えたプロジェクタ(電子機器)500の説明図である。図中、符号512、513、514は上記実施形態のペルチェモジュール1のセラミック基板11の吸熱面11aに配置された光源装置(発熱部)、522、523、524は液晶ライトバルブ、525はクロスダイクロイックプリズム、526は投写レンズを示している。
各光源装置512、513、514には、それぞれ赤(R)、緑(G)、青(B)に発光するLEDチップが採用されている。なお、光源光の照度分布を均一化させるための均一照明系として、各光源装置の後方にロッドレンズやフライアイレンズを配置してもよい。
赤色光源装置512からの光束は、重畳レンズ535Rを透過して反射ミラー517で反射され、赤色光用液晶ライトバルブ522に入射する。また、緑色光源装置513からの光束は、重畳レンズ535Gを透過して緑色光用液晶ライトバルブ523に入射する。また、青色光源装置514からの光束は、重畳レンズ535Bを透過して反射ミラー516で反射され、青色光用液晶ライトバルブ524に入射する。なお、均一照明系としてフライアイレンズを用いた場合には、各光源からの光束は重畳レンズを介することにより液晶ライトバルブの表示領域において重畳され、液晶ライトバルブが均一に照明されるようになっている。
また、各液晶ライトバルブの入射側および出射側には、偏光板(図示せず)が配置されている。そして、各光源からの光束のうち所定方向の直線偏光のみが入射側偏光板を透過して、各液晶ライトバルブに入射する。また、入射側偏光板の前方に偏光変換手段(図示せず)を設けてもよい。この場合、入射側偏光板で反射された光束をリサイクルして各液晶ライトバルブに入射させることが可能になり、光の利用効率を向上させることができる。
各液晶ライトバルブ522、523、524によって変調された3つの色光は、クロスダイクロイックプリズム525に入射する。このプリズムは4つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。これらの誘電体多層膜によって3つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は投写光学系である投写レンズ526により投写スクリーン527上に投写され、拡大された画像が表示される。
上述した本実施形態のプロジェクタ500は、光源装置512,513,514がペルチェモジュール1により冷却されることによって大きな電流を供給でき、高輝度化される。したがって、表示特性の優れたプロジェクタを提供することができる。
なお、本実施形態において、第2実施形態のペルチェモジュール40を備えた構成であっても良い。
なお、本実施形態において、第2実施形態のペルチェモジュール40を備えた構成であっても良い。
なお、本発明の技術範囲は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、複数のペルチェ素子20aの個別にあるいは所定の領域内の複数のペルチェ素子20aごとにスイッチング素子が設けられ、制御部30,41が、スイッチング素子20aにより複数のペルチェ素子20aに電流を供給する構成であっても良い。この構成の場合、例えば、薄膜トランジスタ(TFT)等のアクティブ素子を用いることにより、ペルチェ素子20aに電流を正確に供給することが可能となる。
また、サーミスタ33は、個々のペルチェ素子20aごとあるいは領域ごとのペルチェ素子20aに設けられた構成にし、精度良く制御したが、用途に応じては省略しても構わない。すなわち、発熱部2の大きさ、発熱量が決まっている場合は、電圧可変部32及びサーミスタ33を省略し、制御部30,41により、あらかじめ設定された電圧を電源31,42に印加し、ペルチェ素子20aに電圧を印加すれば良い。
例えば、複数のペルチェ素子20aの個別にあるいは所定の領域内の複数のペルチェ素子20aごとにスイッチング素子が設けられ、制御部30,41が、スイッチング素子20aにより複数のペルチェ素子20aに電流を供給する構成であっても良い。この構成の場合、例えば、薄膜トランジスタ(TFT)等のアクティブ素子を用いることにより、ペルチェ素子20aに電流を正確に供給することが可能となる。
また、サーミスタ33は、個々のペルチェ素子20aごとあるいは領域ごとのペルチェ素子20aに設けられた構成にし、精度良く制御したが、用途に応じては省略しても構わない。すなわち、発熱部2の大きさ、発熱量が決まっている場合は、電圧可変部32及びサーミスタ33を省略し、制御部30,41により、あらかじめ設定された電圧を電源31,42に印加し、ペルチェ素子20aに電圧を印加すれば良い。
また、ペルチェ素子列20をセラミック基板11,12により挟持させた構成にしたが、セラミック基板に限らず熱伝導性の高い銅板やアルミ基板等であっても良い。
また、温度測定手段としてサーミスタを用いたが、これに限らず、例えば、pn接合ダイオードにおける電流−電圧特性の温度変化を利用したpn接合温度計や、核4極共鳴に基づいたNQR(nuclear quad-repole resonance)温度計、等が挙げられ、これらについても、好適に用いることができる。このような温度測定手段を用いることにより、正確かつ迅速にペルチェ素子20aの温度検知ができるとともに、半導体や無機物から構成することができ、駆動用IC内の微小空間であっても、容易に収容することができる。
また、温度測定手段としてサーミスタを用いたが、これに限らず、例えば、pn接合ダイオードにおける電流−電圧特性の温度変化を利用したpn接合温度計や、核4極共鳴に基づいたNQR(nuclear quad-repole resonance)温度計、等が挙げられ、これらについても、好適に用いることができる。このような温度測定手段を用いることにより、正確かつ迅速にペルチェ素子20aの温度検知ができるとともに、半導体や無機物から構成することができ、駆動用IC内の微小空間であっても、容易に収容することができる。
1,40…ペルチェモジュール、2…発熱部(対象物)、11…吸熱側セラミック基板、12…放熱側セラミック基板、20a…ペルチェ素子、26…吸熱側金属電極、27…放熱側金属電極、30,41…制御部、31,42…電源、32,43…電圧可変部、33,44…サーミスタ(温度測定手段)、500…プロジェクタ(電子機器)
Claims (5)
- 複数の熱電素子及び該複数の熱電素子を挟持する複数の電極を有する複数のペルチェ素子と、
該複数のペルチェ素子を挟持するとともに、一方の基板に温度制御される対象物が配置された一対の基板と、
前記対象物に応じて、前記複数のペルチェ素子に対して個別にあるいは所定の領域内の複数のペルチェ素子ごとに供給する電圧を制御する制御部とを備えることを特徴とするペルチェモジュール。 - 前記複数のペルチェ素子が、前記対象物に対向して配置されたペルチェ素子を有する第1ブロックと、その他のペルチェ素子を有する第2ブロックとにブロック化され、
前記制御部が、前記第1ブロック及び前記第2ブロックのペルチェ素子のそれぞれに供給する電圧を制御することを特徴とする請求項1に記載のペルチェモジュール。 - 前記複数のペルチェ素子には、個別にあるいは所定の領域内ごとにスイッチング素子が設けられ、
前記制御部は、前記スイッチング素子により前記複数のペルチェ素子に電圧を供給することを特徴とする請求項1または2に記載のペルチェモジュール。 - 前記複数のペルチェ素子には、各前記ペルチェ素子の個別の温度あるいは所定の領域内の前記複数のペルチェ素子全体の温度を測定する温度測定手段が設けられ、
前記制御部は、前記温度測定手段により測定された温度に基づいて前記複数のペルチェ素子に電圧を供給することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のペルチェモジュール。 - 請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のペルチェモジュールを備えることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005304112A JP2007115812A (ja) | 2005-10-19 | 2005-10-19 | ペルチェモジュール及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005304112A JP2007115812A (ja) | 2005-10-19 | 2005-10-19 | ペルチェモジュール及び電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007115812A true JP2007115812A (ja) | 2007-05-10 |
Family
ID=38097746
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005304112A Withdrawn JP2007115812A (ja) | 2005-10-19 | 2005-10-19 | ペルチェモジュール及び電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007115812A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009082230A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Fujifilm Corp | 画像検出器及び画像撮影システム |
JP2010238818A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Nomura Research Institute Ltd | 熱移送装置 |
JP2018514951A (ja) * | 2015-05-11 | 2018-06-07 | クアルコム,インコーポレイテッド | 双方向熱電冷却器を備えるパッケージオンパッケージ(PoP)デバイス |
CN110006536A (zh) * | 2017-12-11 | 2019-07-12 | 松下知识产权经营株式会社 | 红外线传感器及其辐射热测量计红外线受光部的冷却方法 |
JP2021118197A (ja) * | 2020-01-22 | 2021-08-10 | 古河電気工業株式会社 | 光学装置 |
CN114556601A (zh) * | 2019-10-25 | 2022-05-27 | 松下知识产权经营株式会社 | 热电转换装置、热电转换装置的控制方法、使用热电转换装置冷却和/或加热对象物的方法及电子装置 |
CN114556602A (zh) * | 2019-10-25 | 2022-05-27 | 松下知识产权经营株式会社 | 热电转换装置、热电转换装置的控制方法、使用热电转换装置冷却和/或加热对象物的方法及电子装置 |
-
2005
- 2005-10-19 JP JP2005304112A patent/JP2007115812A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009082230A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Fujifilm Corp | 画像検出器及び画像撮影システム |
JP2010238818A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Nomura Research Institute Ltd | 熱移送装置 |
JP2018514951A (ja) * | 2015-05-11 | 2018-06-07 | クアルコム,インコーポレイテッド | 双方向熱電冷却器を備えるパッケージオンパッケージ(PoP)デバイス |
CN110006536A (zh) * | 2017-12-11 | 2019-07-12 | 松下知识产权经营株式会社 | 红外线传感器及其辐射热测量计红外线受光部的冷却方法 |
CN114556601A (zh) * | 2019-10-25 | 2022-05-27 | 松下知识产权经营株式会社 | 热电转换装置、热电转换装置的控制方法、使用热电转换装置冷却和/或加热对象物的方法及电子装置 |
CN114556602A (zh) * | 2019-10-25 | 2022-05-27 | 松下知识产权经营株式会社 | 热电转换装置、热电转换装置的控制方法、使用热电转换装置冷却和/或加热对象物的方法及电子装置 |
JP2021118197A (ja) * | 2020-01-22 | 2021-08-10 | 古河電気工業株式会社 | 光学装置 |
JP7370878B2 (ja) | 2020-01-22 | 2023-10-30 | 古河電気工業株式会社 | 光学装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8226244B2 (en) | Image display device | |
JP2007115812A (ja) | ペルチェモジュール及び電子機器 | |
US8605226B2 (en) | Projector | |
US7309145B2 (en) | Light source apparatus and projection display apparatus | |
JP2007201285A (ja) | 光源装置 | |
JP2013190594A (ja) | 光モジュールおよび走査型画像表示装置 | |
JP2009047969A (ja) | プロジェクタおよび表示装置 | |
JP2005078966A (ja) | 光源装置、光源装置の製造方法、投射型表示装置 | |
JP2008145486A (ja) | プロジェクタ | |
JP7404690B2 (ja) | 電気光学パネル、電気光学装置および電子機器 | |
JP4654664B2 (ja) | 光源装置および投射型表示装置 | |
WO2013077067A1 (ja) | 光源装置、画像表示装置、および、光源装置の制御方法 | |
JP2019128465A (ja) | 光源装置およびプロジェクター | |
TW201837372A (zh) | 照明系統及投影裝置 | |
JP2009086273A (ja) | 投写型映像表示装置の光源エレメントおよびこの光源エレメントにより構成された光源ユニットを備えた投写型映像表示装置 | |
TWI723177B (zh) | 合成光學系統單元及投影機 | |
JPH03288187A (ja) | 投写型表示装置 | |
JP5609675B2 (ja) | 投射型表示装置 | |
JP2010249945A (ja) | 冷却システムおよび投写型映像表示装置 | |
CN107210582A (zh) | 半导体激光光源装置、半导体激光光源***及影像显示装置 | |
JP2012145689A (ja) | 投射型表示装置 | |
JPH1164849A (ja) | 液晶表示装置用光源及びそれを用いたカラー液晶表示装置 | |
JP4345507B2 (ja) | 光源装置及びプロジェクタ | |
JP2005250249A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2020139975A (ja) | プロジェクター |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20090106 |