JP2007115675A - Paste for electron emitting source - Google Patents

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JP2007115675A JP2006253974A JP2006253974A JP2007115675A JP 2007115675 A JP2007115675 A JP 2007115675A JP 2006253974 A JP2006253974 A JP 2006253974A JP 2006253974 A JP2006253974 A JP 2006253974A JP 2007115675 A JP2007115675 A JP 2007115675A
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Kazuki Shigeta
和樹 重田
Atsushi Ikeda
篤 池田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide paste for electron emitting source having a small amount of environmental load by enhancing adhesion of a carbon nanotube and a cathode electrode by low melting point glass frit containing no lead, and to provide an electron emitting element using the same. <P>SOLUTION: The paste for the electron emitting source contains the carbon nanotube and glass powder, and the glass powder contains Bi<SB>2</SB>O<SB>3</SB>of 45-86 wt.%. It also contains the glass powder of 200-8000 pts.wt. to the carbon nanotube of 100 pts.wt. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、電子放出源用ペーストおよびそれを用いた電子放出素子に関する。   The present invention relates to an electron emission source paste and an electron emission device using the same.

カーボンナノチューブ(以下、CNTという)は物理的・化学的耐久性に優れているだけでなく、電界放出に適した先鋭な先端形状と大きなアスペクト比を持っている。そのため、CNTを電子放出源とした電界放出型ディスプレイ(FED)、電界放出を用いた液晶用バックライトや照明等の研究が盛んに行われている。このCNTを用いた電子放出源を作製する方法の一つにCNTをペーストにして印刷することよりカソード電極上にCNTを有する膜を作製する方法がある。この方法は、カソード電極上にCNTを含むペーストを印刷し、感光性の場合はさらに露光・現像によりパターン加工を行い、その後焼成することによってペースト中の有機成分を分解し、さらにレーザー法、プラズマ法、テープ剥離法等の起毛処理を、CNTを有する膜に行うことによって電子放出源を作製するものである。   Carbon nanotubes (hereinafter referred to as CNT) are not only excellent in physical and chemical durability, but also have a sharp tip shape suitable for field emission and a large aspect ratio. For this reason, research has been actively conducted on field emission displays (FEDs) using CNTs as electron emission sources, liquid crystal backlights using field emission, illumination, and the like. One method for producing an electron emission source using CNTs is a method of producing a film having CNTs on a cathode electrode by printing CNT as a paste. In this method, a paste containing CNTs is printed on the cathode electrode, and in the case of photosensitivity, pattern processing is further performed by exposure / development, and then the organic components in the paste are decomposed by baking, and further laser method, plasma An electron emission source is produced by performing a raising process such as a method or a tape peeling method on a film having CNTs.

しかし、起毛処理時や電子放出時にCNTがカソード電極上から剥離してしまうという問題があった。これは、CNTはカソード電極と分子間力のみによって接着しているため、CNTとカソード電極との接着性が不十分であり、CNTに何らかの力が加わった際に容易にカソード電極から剥離してしまうからであった。そこで、ペーストにガラス粉末を含有させ、CNTとカソード電極との接着性を向上させる技術がある(特許文献1参照)。これは、焼成時にガラス粉末が軟化しカソード電極やCNTに固着することによって電子放出源であるCNTとカソード電極との接着性を強化し、CNTの剥離を抑制するものである。この技術では、CNTの酸化抑制およびガラス基板の歪みの抑制のためにペーストの焼成温度を400〜500℃程度の低温で行うので、少なくとも軟化点が450℃以下の低軟化点ガラスを用いる必要がある。このような低軟化点ガラスとして鉛系ガラス、亜鉛系ガラス、ビスマス系ガラスを用いることが開示されている(特許文献2参照)。
特開2003−331713号公報(請求項1等) 特開2004−178891号公報(第25段落)
However, there is a problem that the CNTs are peeled off from the cathode electrode during the brushing treatment or when the electrons are emitted. This is because CNT is bonded to the cathode electrode only by intermolecular force, so the adhesion between the CNT and the cathode electrode is insufficient, and when the CNT is subjected to some force, it easily peels off from the cathode electrode. It was because it ended up. Therefore, there is a technique for improving the adhesion between the CNT and the cathode electrode by containing glass powder in the paste (see Patent Document 1). This is because the glass powder is softened and fixed to the cathode electrode or CNT during firing, thereby enhancing the adhesion between the electron emission source CNT and the cathode electrode, and suppressing CNT peeling. In this technique, since the paste is fired at a low temperature of about 400 to 500 ° C. in order to suppress CNT oxidation and distortion of the glass substrate, it is necessary to use a low softening point glass having a softening point of 450 ° C. or lower. is there. The use of lead-based glass, zinc-based glass, or bismuth-based glass as such a low softening point glass is disclosed (see Patent Document 2).
JP 2003-331713 A (Claim 1 etc.) JP 2004-178891 A (25th paragraph)

しかしながら、鉛系ガラスは環境負荷が大きく、亜鉛系ガラスは鉛を含有しないが耐水性に課題がある。ビスマス系ガラスは環境負荷、耐水性の観点から好ましいことが知られているが、カソード電極やCNTへの固着性に関する有効な知見が見出されておらず、ビスマス系ガラスを用いる場合のカソード電極とCNTの接着性についても十分なものではなかった。   However, lead-based glass has a large environmental load, and zinc-based glass does not contain lead, but has a problem in water resistance. Bismuth glass is known to be preferable from the viewpoints of environmental load and water resistance, but no effective knowledge about the cathode electrode and CNT fixing property has been found, and the cathode electrode in the case of using bismuth glass. Also, the adhesion between CNT and CNT was not sufficient.

本発明は上記課題に着目し、鉛を含有しないビスマス系低軟化点ガラス粉末によりCNTとカソード電極との接着性を向上させることで、CNTのカソード電極からの剥離を抑制し、しかも環境負荷の少ない電子放出源用ペーストおよびそれを用いた電子放出素子を提供することを目的とする。   The present invention pays attention to the above-mentioned problems, and improves the adhesion between the CNT and the cathode electrode by using the bismuth-based low softening point glass powder not containing lead, thereby suppressing the separation of the CNT from the cathode electrode and reducing the environmental load. An object of the present invention is to provide a paste for an electron emission source with a small amount and an electron emission device using the paste.

すなわち、本発明はCNTとガラス粉末を含む電子放出源用ペーストであって、ガラス粉末がBiを45〜86重量%含有し、カーボンナノチューブ100重量部に対し、前記ガラス粉末を200〜8000重量部含む電子放出源用ペーストおよびそれを用いた電子放出素子である。 That is, the present invention is a paste for an electron emission source including the CNT and the glass powder, the glass powder Bi 2 O 3 containing 45 to 86 wt%, relative to 100 parts by weight of carbon nanotubes, 200 the glass powder An electron-emitting source paste containing 8000 parts by weight and an electron-emitting device using the same.

本発明によれば、特定量のビスマスによってCNTとカソード電極との接着性を格段に向上させることができ、また鉛を含有しないので環境負荷が少ない。   According to the present invention, the adhesiveness between the CNT and the cathode electrode can be remarkably improved by a specific amount of bismuth, and the environmental load is small because lead is not contained.

本発明は、CNTとガラス粉末を含み、CNT100重量部に対し、Biを45〜86重量%含有するガラス粉末を200〜8000重量部含む電子放出源用ペーストである。 The present invention is an electron emission source paste containing CNT and glass powder, and containing 200 to 8000 parts by weight of glass powder containing 45 to 86% by weight of Bi 2 O 3 with respect to 100 parts by weight of CNTs.

CNTは電子放出源となる材料であり、本発明では、単層、または2層、3層等の多層CNTを用いることができる。層数の異なるCNTの混合物としてもよい。未精製CNT粉末はアモルファスカーボンや触媒金属等の不純物を含むことがあるため精製することによって純度を高めることもできる。また、CNTの長さを短くするため、ボールミルやビーズミル等でCNT粉末を粉砕してもよい。   CNT is a material that serves as an electron emission source. In the present invention, single-layer or multi-layer CNTs such as two layers or three layers can be used. A mixture of CNTs having different numbers of layers may be used. Since the unpurified CNT powder may contain impurities such as amorphous carbon and catalytic metal, the purity can be increased by purification. Moreover, in order to shorten the length of CNT, you may grind | pulverize CNT powder with a ball mill, a bead mill, etc.

ガラス粉末は、CNTとカソード基板との接着性付与のために必要である。ガラス粉末がBiを45〜86重量%含有することで、有毒な鉛(Pb)を含むことなくガラス軟化点を450℃以下に下げることができる。Biは低軟化点ガラスの主成分であるPbと比較して、有毒性がはるかに低いにもかかわらず、多くの性質に類似性が認められ、Pbと同様にガラスの軟化点を下げることができる。Biが45重量%より少ないと軟化点が高くなりすぎ、86重量%より多いとガラスが不安定になりやすいため好ましくない。 The glass powder is necessary for imparting adhesion between the CNT and the cathode substrate. When the glass powder contains Bi 2 O 3 in an amount of 45 to 86% by weight, the glass softening point can be lowered to 450 ° C. or less without containing toxic lead (Pb). Although Bi is much less toxic than Pb, which is the main component of low softening point glass, similarities are observed in many properties, and it can lower the softening point of glass like Pb. it can. If Bi 2 O 3 is less than 45% by weight, the softening point becomes too high, and if it is more than 86% by weight, the glass tends to become unstable, which is not preferable.

電子放出源用ペーストの焼成温度は、CNTへの酸化等のダメージを抑制するために低ければ低いほうがよい。また、CNTとカソード基板の接着性をより強固にするためには、ガラス粉末をできるだけ軟化させることが効果的である。CNTの分解は、500℃程度から始まることが多いので、焼成温度は450℃以下にすることが好ましい。そして、一般的に焼成温度はガラス軟化点の20〜30℃高い温度に設定するので、よりガラスを軟化させるためには、ガラス軟化点が焼成温度より30℃より低いことが好ましい。より好ましくは35℃以下である。そのためには、Biを70〜85重量%含有することが好ましい。これによりガラス軟化点を415℃以下に下げることができる。 The firing temperature of the electron emission source paste is preferably as low as possible in order to suppress damage such as oxidation to the CNTs. In order to further strengthen the adhesion between the CNT and the cathode substrate, it is effective to soften the glass powder as much as possible. Since decomposition of CNT often starts at about 500 ° C., the firing temperature is preferably 450 ° C. or lower. And since a calcination temperature is generally set to the temperature 20-30 degreeC higher than a glass softening point, in order to soften glass more, it is preferable that a glass softening point is lower than 30 degreeC from a calcination temperature. More preferably, it is 35 degrees C or less. For this purpose preferably contains the Bi 2 O 3 70 to 85 wt%. Thereby, the glass softening point can be lowered to 415 ° C. or lower.

ここでいうガラスの軟化点は示差熱分析(DTA)法を用いてガラス試料100mgを20℃/分で空気中で加熱し、横軸に温度、縦軸に熱量をプロットして得られるDTA曲線より得られる。   The softening point of the glass here is a DTA curve obtained by heating 100 mg of a glass sample in air at 20 ° C./min using a differential thermal analysis (DTA) method, and plotting the temperature on the horizontal axis and the amount of heat on the vertical axis. More obtained.

ガラス粉末は、Biを45〜86重量%含有されていれば、その他の組成は特に限定されない。好ましくは、45〜86重量%のBi、0.5〜8重量%のSiO、3〜25重量%のB、0〜25重量%のZnOを有するガラス粉末がガラスの安定性と軟化点の制御のしやすさという点で好ましい。 As long as the glass powder contains Bi 2 O 3 in an amount of 45 to 86% by weight, the other composition is not particularly limited. Preferably, 45-86 wt% of Bi 2 O 3, 0.5 to 8 wt% of SiO 2, 3 to 25 wt% B 2 O 3, glass powder is a glass having 0-25 wt% of ZnO This is preferable in terms of stability and ease of control of the softening point.

SiOの含有量を0.5〜8重量%とすることでガラスの安定性を向上させることができる。0.5重量%より少ないとその効果が不十分であり、8重量%より多いとガラスの軟化点が高くなりすぎる。より好ましくは0.5〜2重量%である。 By setting the content of SiO 2 to 0.5 to 8% by weight, the stability of the glass can be improved. If the amount is less than 0.5% by weight, the effect is insufficient. If the amount is more than 8% by weight, the softening point of the glass becomes too high. More preferably, it is 0.5 to 2% by weight.

の含有量もまた3〜25重量%とすることでガラスの安定性を向上させることができる。3重量%より少ないとその効果が不十分であり、25重量%より多いとガラスの軟化点が高くなりすぎる。より好ましくは3〜10重量%である。 The stability of the glass can be improved by setting the content of B 2 O 3 to 3 to 25% by weight. If it is less than 3% by weight, the effect is insufficient, and if it is more than 25% by weight, the softening point of the glass becomes too high. More preferably, it is 3 to 10% by weight.

ZnOは含まなくともよいが、25重量%まで含有させることで軟化点を下げることができる。25重量%より多いとガラスが不安定になる。より好ましくは5〜15重量%である。その他にもAl、NaO、CaO、MgO、CeO、KO等を含むことができる。 ZnO may not be contained, but the softening point can be lowered by containing up to 25% by weight. If it exceeds 25% by weight, the glass becomes unstable. More preferably, it is 5 to 15% by weight. In addition, Al 2 O 3 , Na 2 O, CaO, MgO, CeO, K 2 O and the like can be included.

CNTとカソード電極の接着性を得るために、CNTとガラス粉末の比は、CNT100重量部に対し、ガラス粉末が200〜8000重量部であることが重要である。200重量部未満だと十分な接着性が得られない。8000重量部より大きいとペースト粘度が高くなりすぎる。   In order to obtain adhesion between CNT and the cathode electrode, it is important that the ratio of CNT to glass powder is 200 to 8000 parts by weight of glass powder with respect to 100 parts by weight of CNT. If it is less than 200 parts by weight, sufficient adhesion cannot be obtained. If it is larger than 8000 parts by weight, the paste viscosity becomes too high.

ここで接着性は次のように評価する。電子放出源用ペーストをベタ印刷し、焼成して形成したCNTと軟化したガラス粉末を含む膜(以下CNT膜という)に所定の剥離接着強さを持つテープを貼り、ゆっくりと引き剥がすときにCNT膜に剥離がみられるかどうかで判断することができる。多く剥離が見られるときは好ましくなく、剥離がないものが好ましい。   Here, the adhesiveness is evaluated as follows. A tape having a predetermined peel adhesion strength is applied to a film (hereinafter referred to as a CNT film) formed by solid printing an electron emission source paste and baked to form CNT and a softened glass powder. Judgment can be made by whether or not the film is peeled off. When many peeling is seen, it is not preferable, and a thing without peeling is preferable.

ガラス粉末の平均粒径は2μm以下が好ましい。2μmより大きいと直径10〜50μmの高精細な円状パターンを形成する際、形状不良の原因となる。さらに好ましくは1μmより小さいことである。ガラス粉末の粒径が小さくなるとガラス粉末が軟化しやすくなるため、より少ないガラス粉末の添加量でCNTとカソード基板の接着性を得ることができる。そのため、ガラスの平均粒径が1〜2μmのときはCNT100重量部に対してガラス粉末が3000〜8000重量部が好ましく、ガラスの平均粒径が1μmより小さいときは、CNT100重量部に対してガラス粉末が200〜3000重量部であることが好ましい。   The average particle size of the glass powder is preferably 2 μm or less. When it is larger than 2 μm, it causes a shape defect when a high-definition circular pattern having a diameter of 10 to 50 μm is formed. More preferably, it is smaller than 1 μm. When the particle size of the glass powder is reduced, the glass powder is easily softened. Therefore, the adhesion between the CNT and the cathode substrate can be obtained with a smaller addition amount of the glass powder. Therefore, when the average particle size of the glass is 1 to 2 μm, the glass powder is preferably 3000 to 8000 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the CNT. When the average particle size of the glass is less than 1 μm, the glass is used with respect to 100 parts by weight of the CNT. The powder is preferably 200 to 3000 parts by weight.

ここで平均粒径とは、累積50%粒径(D50)のことをさす。これは一つの粉体の集団の全体積を100%として体積累積カーブを求めたとき、その体積累積カーブが50%となる点の粒径を表したものであり、累積平均径として一般的に粒度分布を評価するパラメータの1つとして利用されているものである。なお、ガラス粉末の粒度分布の測定はマイクロトラック法(日機装(株)製マイクロトラックレーザー回折式粒度分布測定装置による方法)で測定することができる。 Here, the average particle diameter refers to a cumulative 50% particle diameter (D 50 ). This represents the particle size at which the volume cumulative curve is 50% when the volume cumulative curve is determined with the total volume of one powder group as 100%. This is used as one of the parameters for evaluating the particle size distribution. The particle size distribution of the glass powder can be measured by a microtrack method (a method using a microtrack laser diffraction type particle size distribution measuring device manufactured by Nikkiso Co., Ltd.).

本発明のペーストは、平均粒径が0.1〜0.8μmの範囲にある無機粒子をさらに含むことが好ましい。無機粒子を含むことによって、CNTとカソード基板の接着性を保持しつつ、表面処理によるCNTの起毛数を増加させることができる。ガラス粉末が軟化すると、CNTが軟化したガラス粉末に覆われてしまい、起毛処理を行ってもCNT膜から起毛されないことがある。無機粒子を含むと、粒子が軟化したガラスの間にはいることによってすき間が生じる。これにより軟化したガラス粉末に覆われないCNTを増やすことができ、起毛処理によるCNTの起毛数を増加させることができる。すき間ができても軟化したガラス粉末がマトリックスを形成しているため接着性は保持される。平均粒径が0.1μmよりも小さいと、ガラス粉末表面に付着して焼結阻害を起こしやすい。また、0.8μmよりも大きいと軟化したガラス粉末からなるマトリックスの強度が弱くなる。   The paste of the present invention preferably further contains inorganic particles having an average particle size in the range of 0.1 to 0.8 μm. By including the inorganic particles, the number of raised CNTs by the surface treatment can be increased while maintaining the adhesion between the CNTs and the cathode substrate. When the glass powder is softened, the CNTs are covered with the softened glass powder, and even if the raising treatment is performed, the CNT film may not be raised. When inorganic particles are included, a gap is generated by the particles entering between the softened glasses. As a result, the number of CNTs not covered with the softened glass powder can be increased, and the number of CNTs raised by the raising process can be increased. Even if there is a gap, the glass powder that has been softened forms a matrix, so that adhesion is maintained. When the average particle size is smaller than 0.1 μm, it tends to adhere to the surface of the glass powder and inhibit sintering. On the other hand, if it is larger than 0.8 μm, the strength of the matrix made of the softened glass powder becomes weak.

平均粒径が0.1〜0.8μmの無機粒子は、CNT100重量部に対して、100〜1000重量部であることが好ましい。100重量部よりも少ないと、CNTの起毛数の増加の効果が大きくない。1000重量部よりも多いと、軟化したガラス粉末からなるマトリックスの強度が弱くなる。   The inorganic particles having an average particle size of 0.1 to 0.8 μm are preferably 100 to 1000 parts by weight with respect to 100 parts by weight of CNT. When the amount is less than 100 parts by weight, the effect of increasing the number of raised CNTs is not great. When the amount is more than 1000 parts by weight, the strength of the matrix made of the softened glass powder becomes weak.

また、平均粒径が0.1〜0.8μmの無機粒子は金属、酸化物、ガラス軟化点が500℃より高いガラスの少なくとも1種類から選ばれることが好ましい。一般的に、電子放出源用ペーストの焼成は400〜500℃で行われるので、この焼成温度以下で融解したり、軟化する無機粒子は、CNTを覆ってしまうため好ましくない。さらに好ましくは、導電性を持つ無機粒子である。導電性を持っていれば、金属でも無機酸化物やガラス軟化点が500℃より高いガラスに金属やITO、SnO、ZnOなどの導電性酸化物がコーティングされたものでもよい。無機粒子が導電性をもつことによって、さらにCNTとカソード電極との接触抵抗を低減することができる。 The inorganic particles having an average particle size of 0.1 to 0.8 μm are preferably selected from at least one of metals, oxides, and glasses having a glass softening point higher than 500 ° C. In general, since the electron emission source paste is fired at 400 to 500 ° C., inorganic particles that melt or soften below the firing temperature cover the CNTs, which is not preferable. More preferred are inorganic particles having electrical conductivity. As long as it has conductivity, an inorganic oxide or a glass having a glass softening point higher than 500 ° C. may be coated with a conductive oxide such as metal, ITO, SnO 2 , or ZnO. Since the inorganic particles have electrical conductivity, the contact resistance between the CNT and the cathode electrode can be further reduced.

ここで平均粒径が0.1〜0.8μmの無機粒子の平均粒径は、JISR1626(1996年)記載の「ファインセラミックス粉体の気体吸着BET法による比表面積の測定方法」における流動法BET一点法により得られる比表面積から算出される値をさす。比表面積の測定装置としては、例えばユアサアイオニクス(株)製のMONOSORBを用いることができる(吸着ガス:N、キャリアガス:N/He=30/70)。平均粒径(μm)は、比表面積(m/g)から密度(g/cm)を用いては次式によって算出される。平均粒径=6/(密度・比表面積) 。 Here, the average particle diameter of the inorganic particles having an average particle diameter of 0.1 to 0.8 μm is the flow method BET described in “Method for measuring specific surface area of fine ceramic powder by gas adsorption BET method” described in JIS R1626 (1996). The value calculated from the specific surface area obtained by the one-point method. As an apparatus for measuring the specific surface area, for example, MONOSORB manufactured by Yuasa Ionics Co., Ltd. can be used (adsorption gas: N 2 , carrier gas: N 2 / He = 30/70). The average particle diameter (μm) is calculated from the specific surface area (m 2 / g) using the density (g / cm 3 ) according to the following formula. Average particle size = 6 / (density / specific surface area).

平均粒径が0.1〜0.8μmの無機粒子としては、金属として金、銀、銅、アルミ、ニッケルなどが、無機酸化物としては、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、イットリア、セリア、マグネシア、酸化亜鉛、酸化マンガン、酸化銅、酸化鉄、酸化ホルミウム、酸化鉛、酸化錫などが、ガラス軟化点が500℃より高いガラスとしては、ガラス軟化点が500℃よりも高ければ特に制限なく、使用することができる。導電性を持たない無機酸化物やガラス軟化点が500℃より高いガラスについては、金属やITO、SnO、ZnOでコーティングされているものが好ましい。コーティングされる担体としての無機酸化物は、例えばシリカ、アルミナ、チタニアが安価であるという点で好ましい。また、コーティング剤としての導電性物質は、銀、銅、ITO、SnO、ZnOが入手のしやすさという点から好ましい。特に、チタニアにSnOがコーティングされた導電性無機粒子を好適に用いることができる。例えば、石原産業(株)製、白色導電性酸化チタンETシリーズが挙げられる。 Examples of inorganic particles having an average particle size of 0.1 to 0.8 μm include gold, silver, copper, aluminum, and nickel as metals, and examples of inorganic oxides include silica, alumina, titania, zirconia, yttria, ceria, and magnesia. Zinc oxide, manganese oxide, copper oxide, iron oxide, holmium oxide, lead oxide, tin oxide, etc., as glass having a glass softening point higher than 500 ° C, there is no particular limitation as long as the glass softening point is higher than 500 ° C, Can be used. Inorganic oxides and glass softening point which does not have electrical conductivity for high glass than 500 ° C. is a metal or ITO, those which are coated with SnO 2, ZnO preferred. The inorganic oxide as a carrier to be coated is preferable in that silica, alumina, and titania are inexpensive. As the conductive material as the coating agent, silver, copper, ITO, SnO 2 and ZnO are preferable from the viewpoint of easy availability. In particular, conductive inorganic particles obtained by coating titania with SnO 2 can be suitably used. For example, white conductive titanium oxide ET series manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd. can be mentioned.

電子放出源用ペーストは、CNTとガラス粉末を必須成分とし、必要に応じて平均粒径が0.1〜0.8μmの範囲にある無機粒子、バインダー樹脂、溶媒、分散剤等を適宜含むことができる。   The electron emission source paste contains CNT and glass powder as essential components, and optionally contains inorganic particles, a binder resin, a solvent, a dispersant, and the like having an average particle size in the range of 0.1 to 0.8 μm. Can do.

バインダー樹脂として、セルロース系樹脂(エチルセルロース、メチルセルロース、ニトロセルロース、アセチルセルロース、セルロースプロピオネート、ヒドロキシプロピルセルロース、ブチルセルロース、ベンジルセルロース、変性セルロースなど)、アクリル系樹脂(アクリル酸、メタクリル酸、メチルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルアクリレート、エチルメタクリレート、プロピルアクリレート、プロピルメタクリレート、イソプロピルアクリレート、イソプロピルメタクリレート、n−ブチルアクリレート、n−ブチルメタクリレート、tert−ブチルアクリレート、tert−ブチルメタクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ベンジルアクリレート、ベンジルメタクリレート、フェノキシエチルアクリレート、フェノキシエチルメタクリレート、イソボルニルアクリレート、イソボルニルメタクリレート、グリシジルメタクリレート、スチレン、α−メチルスチレン、3−メチルスチレン、4−メチルスチレン、アクリルアミド、メタアクリルアミド、アクリロニトリル、メタアクリロニトリルなど単量体のうち少なくとも1種からなる重合体)、エチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルコール、プロピレングリコール、ウレタン系樹脂、メラミン系樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂などが挙げられる。などが挙げられる。   As binder resin, cellulose resin (ethyl cellulose, methyl cellulose, nitrocellulose, acetyl cellulose, cellulose propionate, hydroxypropyl cellulose, butyl cellulose, benzyl cellulose, modified cellulose, etc.), acrylic resin (acrylic acid, methacrylic acid, methyl acrylate) , Methyl methacrylate, ethyl acrylate, ethyl methacrylate, propyl acrylate, propyl methacrylate, isopropyl acrylate, isopropyl methacrylate, n-butyl acrylate, n-butyl methacrylate, tert-butyl acrylate, tert-butyl methacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2- Hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate 2-hydroxypropyl methacrylate, benzyl acrylate, benzyl methacrylate, phenoxyethyl acrylate, phenoxyethyl methacrylate, isobornyl acrylate, isobornyl methacrylate, glycidyl methacrylate, styrene, α-methylstyrene, 3-methylstyrene, 4- A polymer comprising at least one of monomers such as methylstyrene, acrylamide, methacrylamide, acrylonitrile, methacrylonitrile), ethylene-vinyl acetate copolymer resin, polyvinyl butyral, polyvinyl alcohol, propylene glycol, urethane resin, melamine Resin, phenol resin, alkyd resin and the like. Etc.

溶媒はバインダー樹脂等有機成分を溶解するものが好ましい。例えば、エチレングリコールやグリセリンに代表されるジオールやトリオールなどの多価アルコール、アルコールをエーテル化および/またはエステル化した化合物(エチレングリコールモノアルキルエーテル、エチレングリコールジアルキルエーテル、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールジアルキルエーテル、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート)などが挙げられる。より具体的には、テルピネオール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、2,2,4−トリメチル−1,3−ペンタンジオールモノイソブチレート、ブチルカルビトールアセテートなどやこれらのうちの1種以上を含有する有機溶媒混合物が用いられる。   The solvent is preferably a solvent that dissolves an organic component such as a binder resin. For example, polyhydric alcohols such as diol and triol typified by ethylene glycol and glycerin, compounds obtained by etherification and / or esterification of alcohol (ethylene glycol monoalkyl ether, ethylene glycol dialkyl ether, ethylene glycol alkyl ether acetate, diethylene glycol monoacetate) Alkyl ether acetate, diethylene glycol dialkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol dialkyl ether, propylene glycol alkyl ether acetate) and the like. More specifically, terpineol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol dipropyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, methyl cellosolve acetate , Ethyl cellosolve acetate, propyl cellosolve acetate, butyl cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, 2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol monoisobutylene DOO, organic solvent mixture containing one or more of such or these butyl carbitol acetate is used.

分散剤はアミン系くし形ブロックコポリマーが好ましい。アミン系くし形ブロックコポリマーとしては、たとえば、アビシア(株)製のソルスパース13240、ソルスパース13650、ソルスパース13940、ソルスパース24000SC、ソルスパース24000GR、ソルスパース28000(いずれも商品名)などが挙げられる。   The dispersant is preferably an amine comb block copolymer. Examples of the amine-based comb block copolymer include Solsperse 13240, Solsperse 13650, Solsperse 13940, Solsperse 24000SC, Solsperse 24000GR, Solsperse 28000 (all trade names) manufactured by Avicia Co., Ltd., and the like.

電子放出源用ペーストは感光性を付与してもよく、感光性有機成分を含有することによって、露光および現像を通してパターン加工を行うことができる。感光性有機成分としては、紫外線を照射した時に化学的な変化が生じることによって、紫外線照射前には現像液に可溶であったものが露光後は現像液に不溶になるネガ型感光性有機成分と、紫外線照射前には現像液に不溶であったものが露光後は現像液に可溶になるポジ型感光性有機成分のいずれかを選ぶことができるが、本発明は特にネガ型感光性有機成分を用いた場合に好適に使用することができる。ネガ型感光性有機成分としては、感光性ポリマー、感光性オリゴマー、感光性モノマーのうち少なくとも1種類から選ばれる感光性成分を含有し、さらに必要に応じて、バインダー、光重合開始剤、紫外線吸光剤、増感剤、増感助剤、重合禁止剤、可塑剤、増粘剤、酸化防止剤、分散剤、有機あるいは無機の沈殿防止剤やレベリング剤等の添加成分を含むものが好ましい。   The electron emission source paste may be provided with photosensitivity, and by containing a photosensitive organic component, pattern processing can be performed through exposure and development. The photosensitive organic component is a negative photosensitive organic material that is soluble in the developer before UV irradiation but becomes insoluble in the developer after UV exposure due to a chemical change that occurs when irradiated with UV light. Either a positive-type photosensitive organic component that is insoluble in the developer before irradiation with ultraviolet light or that becomes soluble in the developer after exposure can be selected. It can be suitably used when a water-soluble organic component is used. The negative photosensitive organic component contains a photosensitive component selected from at least one of a photosensitive polymer, a photosensitive oligomer, and a photosensitive monomer, and further, if necessary, a binder, a photopolymerization initiator, and an ultraviolet absorption. It preferably contains an additive component such as a sensitizer, a sensitizer, a sensitization aid, a polymerization inhibitor, a plasticizer, a thickener, an antioxidant, a dispersant, an organic or inorganic precipitation inhibitor or a leveling agent.

本発明に用いる感光性ポリマーはバインダー樹脂の機能も持つ。感光性ポリマーとしてはカルボキシル基を有することが好ましい。カルボキシル基を有するポリマーは、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、ビニル酢酸またはこれらの酸無水物等のカルボキシル基含有モノマーおよびメタクリル酸エステル、アクリル酸エステル、スチレン、アクリロニトリル、酢酸ビニル、2−ヒドロキシアクリレート等のモノマーを選択し、アゾビスイソブチロニトリルのような開始剤を用いて共重合することにより得られる。   The photosensitive polymer used in the present invention also has a binder resin function. The photosensitive polymer preferably has a carboxyl group. Polymers having a carboxyl group include, for example, acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, maleic acid, fumaric acid, vinyl acetic acid or their anhydrides and other carboxyl group-containing monomers and methacrylic acid esters, acrylic acid esters, It can be obtained by selecting monomers such as styrene, acrylonitrile, vinyl acetate, 2-hydroxyacrylate and copolymerizing using an initiator such as azobisisobutyronitrile.

カルボキシル基を有するポリマーとしては、焼成時の熱分解温度が低いことから、(メタ)アクリル酸エステルおよび(メタ)アクリル酸を共重合成分とするコポリマーが好ましく用いられる。とりわけ、スチレン/メタクリル酸メチル/メタクリル酸共重合体が好ましく用いられる。   As the polymer having a carboxyl group, a copolymer having (meth) acrylic acid ester and (meth) acrylic acid as a copolymerization component is preferably used since the thermal decomposition temperature during firing is low. In particular, a styrene / methyl methacrylate / methacrylic acid copolymer is preferably used.

カルボキシル基を有するコポリマーの樹脂酸価は50〜150mgKOH/gであることが好ましい。酸価が150より大きいと、現像許容幅が狭くなる。また、酸価が50未満では未露光部の現像液に対する溶解性が低下する。現像液濃度を高くすると露光部まで剥がれが発生し、高精細なパターンが得られにくくなる。   The resin acid value of the copolymer having a carboxyl group is preferably 50 to 150 mgKOH / g. If the acid value is greater than 150, the allowable development width becomes narrow. On the other hand, if the acid value is less than 50, the solubility of the unexposed area in the developer is lowered. When the developer concentration is increased, the exposed portion is peeled off and it becomes difficult to obtain a high-definition pattern.

側鎖にエチレン性不飽和結合を導入する方法として、ポリマー中のメルカプト基、アミノ基、水酸基やカルボキシル基に対して、グリシジル基やイソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物やアクリル酸クロライド、メタクリル酸クロライドまたはアリルクロライド、マレイン酸等のカルボン酸を反応させて作る方法がある。   As a method for introducing an ethylenically unsaturated bond into a side chain, an ethylenically unsaturated compound having a glycidyl group or an isocyanate group, acrylic acid chloride, methacrylic acid with respect to a mercapto group, amino group, hydroxyl group or carboxyl group in the polymer. There is a method in which a carboxylic acid such as chloride, allyl chloride or maleic acid is reacted.

グリシジル基を有するエチレン性不飽和化合物としては、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、アリルグリシジルエーテル、エチルアクリル酸グリシジル、クロトニルグリシジルエーテル、クロトン酸グリシジルエーテル、イソクロトン酸グリシジルエーテル等が挙げられる。とりわけ、CH=C(CH)COOCHCHOHCH−が好ましく用いられる。 Examples of the ethylenically unsaturated compound having a glycidyl group include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, allyl glycidyl ether, glycidyl ethyl acrylate, crotonyl glycidyl ether, crotonic acid glycidyl ether, and isocrotonic acid glycidyl ether. In particular, CH 2 ═C (CH 3 ) COOCH 2 CHOHCH 2 — is preferably used.

イソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物としては、(メタ)アクリロイルイソシアナート、(メタ)アクリロイルエチルイソシアネート等がある。また、グリシジル基やイソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物やアクリル酸クロライド、メタクリル酸クロライドまたはアリルクロライドは、ポリマー中のメルカプト基、アミノ基、水酸基やカルボキシル基に対して0.05〜1モル当量反応させることが好ましい。   Examples of the ethylenically unsaturated compound having an isocyanate group include (meth) acryloyl isocyanate and (meth) acryloylethyl isocyanate. In addition, the ethylenically unsaturated compound having a glycidyl group or an isocyanate group, acrylic acid chloride, methacrylic acid chloride or allyl chloride is 0.05 to 1 molar equivalent with respect to a mercapto group, amino group, hydroxyl group or carboxyl group in the polymer. It is preferable to react.

エチレン性不飽和結合を有するアミン化合物の調製は、エチレン性不飽和結合を有するグリシジル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリル酸クロリド、(メタ)アクリル酸無水物等をアミノ化合物と反応させればよい。複数のエチレン性不飽和基含有化合物を混合して用いてもよい。   Preparation of an amine compound having an ethylenically unsaturated bond may be carried out by reacting glycidyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid chloride, (meth) acrylic anhydride, etc. having an ethylenically unsaturated bond with an amino compound. . A plurality of ethylenically unsaturated group-containing compounds may be mixed and used.

バインダー成分が必要な場合にはポリマーとして、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、メタクリル酸エステル重合体、アクリル酸エステル重合体、アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体、ブチルメタクリレート樹脂等を用いることができる。   When a binder component is required, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, methacrylic acid ester polymer, acrylic acid ester polymer, acrylic acid ester-methacrylic acid ester copolymer, butyl methacrylate resin, or the like can be used as the polymer.

感光性モノマーの具体的な例としては、光反応性を有する炭素−炭素不飽和結合を含有する化合物を用いることができ、例えばアルコール類(例えば、エタノール、プロパノール、ヘキサノール、オクタノール、シクロヘキサノール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトールなど)のアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステル、カルボン酸(例えば、酢酸プロピオン酸、安息香酸、アクリル酸、メタクリル酸、コハク酸、マレイン酸、フタル酸、酒石酸、クエン酸など)とアクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、アリルグリシジル、またはテトラグリシジルメテキシリレンジアミンとの反応生成物、アミド誘導体(例えば、アクリルアミド、メタクリルアミド、N−メチロールアクリルアミド、メチレンビスアクリルアミドなど)、エポキシ化合物とアクリル酸またはメタクリル酸との反応物などを挙げることができる。また、多官能感光性モノマーにおいて、不飽和基は、アクリル、メタクリル、ビニル、アリル基が混合して存在しても良い。   As a specific example of the photosensitive monomer, a compound containing a carbon-carbon unsaturated bond having photoreactivity can be used. For example, alcohols (for example, ethanol, propanol, hexanol, octanol, cyclohexanol, glycerin) can be used. , Trimethylolpropane, pentaerythritol, etc.) acrylic acid or methacrylic acid ester, carboxylic acid (eg, propionic acid, benzoic acid, acrylic acid, methacrylic acid, succinic acid, maleic acid, phthalic acid, tartaric acid, citric acid, etc.) ) And glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, allyl glycidyl, or tetraglycidyl methylylene diamine, amide derivatives (eg, acrylamide, methacrylamide, N-methylol acrylamide, methyle) Bisacrylamide etc.), reaction products of epoxy compounds with acrylic acid or methacrylic acid. In the polyfunctional photosensitive monomer, the unsaturated group may be present in a mixture of acrylic, methacrylic, vinyl and allyl groups.

本発明では、これらを1種または2種以上使用することができる。感光性モノマーは、全感光性有機成分に対し、好ましくは2〜40重量%の範囲で添加され、より好ましくは、5〜30重量%である。感光性モノマーの量が少なすぎると光硬化不足になりやすく、露光部の感度が低下したり、現像耐性が低下したりする。感光性モノマーの量が多すぎる場合には未露光部の水に対する溶解性が低下したり、架橋密度が高すぎるために焼成時に脱バインダー不良を引き起こすおそれがある。   In the present invention, one or more of these can be used. The photosensitive monomer is preferably added in the range of 2 to 40% by weight, more preferably 5 to 30% by weight, based on the total photosensitive organic component. If the amount of the photosensitive monomer is too small, the photocuring tends to be insufficient, and the sensitivity of the exposed portion is lowered or the development resistance is lowered. If the amount of the photosensitive monomer is too large, the solubility of the unexposed portion in water may be reduced, or the crosslinking density may be too high, which may cause debinding failure during firing.

本発明に用いる光重合開始剤は、ラジカル種を発生するものから選んで用いられる。光重合開始剤としては、ジエトキシアセトフェノン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、ベンジルジメチルケタール、1−(4−イソプロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル−(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、1−ヒドロキシシクロヘキシル−フェニルケトン、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、2−メチル−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノプロパン−1−オン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタノン−1、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾフェノン、o−ベンゾイル安息香酸メチル、4−フェニルベンゾフェノン、4,4−ジクロロベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、4−ベンゾイル−4’−メチル−ジフェニルサルファイド、アルキル化ベンゾフェノン、3,3’,4,4’−テトラ(t−ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノン、4−ベンゾイル−N,N−ジメチル−N−[2−(1−オキソ−2−プロペニルオキシ)エチル]ベンゼンメタナミニウムブロミド、(4−ベンゾイルベンジル)トリメチルアンモニウムクロリド、2−ヒドロキシ−3−(4−ベンゾイルフェノキシ)−N,N,N−トリメチル−1−プロペンアミニウムクロリド一水塩、2−イソプロピルチオキサントン、2,4−ジメチルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、2,4−ジクロロチオキサントン、2ーヒドロキシ−3−(3,4−ジメチル−9−オキソ−9H−チオキサンテン−2−イロキシ)−N,N,N−トリメチル−1−プロパナミニウムクロリド、2,4,6−トリメチルベンゾイルフェニルホスフィンオサイド、2,2’−ビス(o−クロロフェニル)−4,5,4’,5’−テトラフェニル−1,2−ビイミダゾール、10−ブチル−2−クロロアクリドン、2−エチルアンスラキノン、ベンジル、9,10−フェナンスレンキノン、カンファーキノン、メチルフェニルグリオキシエステル、η5−シクロペンタジエニル−η6−クメニル−アイアン(1+)−ヘキサフルオロフォスフェイト(1−)、ジフェニルスルフィド誘導体、ビス(η5−2,4−シクロペンタジエン−1−イル)−ビス(2,6−ジフルオロ−3−(1H−ピロール−1−イル)−フェニル)チタニウム、4,4−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、チオキサントン、2−メチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン、4−ベンゾイル−4−メチルフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン、2,3−ジエトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニル−2−フェニルアセトフェノン、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオフェノン、p−t−ブチルジクロロアセトフェノン、ベンジルメトキシエチルアセタール、アントラキノン、2−t−ブチルアントラキノン、2−アミノアントラキノン、β−クロルアントラキノン、アントロン、ベンズアントロン、ジベンズスベロン、メチレンアントロン、4−アジドベンザルアセトフェノン、2,6−ビス(p−アジドベンジリデン)シクロヘキサン、2,6−ビス(p−アジドベンジリデン)−4−メチルシクロヘキサノン、2−フェニル−1,2−ブタジオン−2−(o−メトキシカルボニル)オキシム、1,3−ジフェニルプロパントリオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、N−フェニルグリシン、テトラブチルアンモニウム(+1)n−ブチルトリフェニルボレート(1−)、ナフタレンスルフォニルクロライド、キノリンスルホニルクロライド、N−フェニルチオアクリドン、4,4−アゾビスイソブチロニトリル、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニルホスフィン、四臭素化炭素、トリブロモフェニルスルホン、過酸化ベンゾイルおよびエオシン、メチレンブルー等の光還元性の色素とアスコルビン酸、トリエタノールアミン等の還元剤の組み合わせ等が挙げられる。   The photopolymerization initiator used in the present invention is selected from those generating radical species. As photopolymerization initiators, diethoxyacetophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, benzyldimethyl ketal, 1- (4-isopropylphenyl) -2-hydroxy-2-methylpropane- 1-one, 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl- (2-hydroxy-2-propyl) ketone, 1-hydroxycyclohexyl-phenylketone, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (o-ethoxy) Carbonyl) oxime, 2-methyl- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropan-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1, Benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl Ether, benzoin isobutyl ether, benzophenone, methyl o-benzoylbenzoate, 4-phenylbenzophenone, 4,4-dichlorobenzophenone, hydroxybenzophenone, 4-benzoyl-4'-methyl-diphenyl sulfide, alkylated benzophenone, 3,3 ' , 4,4′-tetra (t-butylperoxycarbonyl) benzophenone, 4-benzoyl-N, N-dimethyl-N- [2- (1-oxo-2-propenyloxy) ethyl] benzenemethananium bromide, (4-Benzoylbenzyl) trimethylammonium chloride, 2-hydroxy-3- (4-benzoylphenoxy) -N, N, N-trimethyl-1-propenaminium chloride monohydrate, 2-isopropylthioxanthone, 2,4- Dimethyl Oxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2-hydroxy-3- (3,4-dimethyl-9-oxo-9H-thioxanthen-2-yloxy) -N, N, N-trimethyl- 1-propanaminium chloride, 2,4,6-trimethylbenzoylphenylphosphine oxide, 2,2′-bis (o-chlorophenyl) -4,5,4 ′, 5′-tetraphenyl-1,2-bi Imidazole, 10-butyl-2-chloroacridone, 2-ethylanthraquinone, benzyl, 9,10-phenanthrenequinone, camphorquinone, methylphenylglyoxyester, η5-cyclopentadienyl-η6-cumenyl-iron (1 +)-hexafluorophosphate (1-), diphenyl sulfide derivative, bi (Η5-2,4-cyclopentadien-1-yl) -bis (2,6-difluoro-3- (1H-pyrrol-1-yl) -phenyl) titanium, 4,4-bis (dimethylamino) benzophenone, 4,4-bis (diethylamino) benzophenone, thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 4-benzoyl-4-methylphenylketone, dibenzylketone, fluorenone, 2,3-diethoxyacetophenone, 2,2- Dimethoxy-2-phenyl-2-phenylacetophenone, 2-hydroxy-2-methylpropiophenone, pt-butyldichloroacetophenone, benzylmethoxyethyl acetal, anthraquinone, 2-t-butylanthraquinone, 2-aminoanthraquinone, β -Chloranthra Non, anthrone, benzanthrone, dibenzsuberone, methyleneanthrone, 4-azidobenzalacetophenone, 2,6-bis (p-azidobenzylidene) cyclohexane, 2,6-bis (p-azidobenzylidene) -4-methylcyclohexanone, 2 -Phenyl-1,2-butadion-2- (o-methoxycarbonyl) oxime, 1,3-diphenylpropanetrione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, N-phenylglycine, tetrabutylammonium (+1) n- Butyltriphenylborate (1-), naphthalenesulfonyl chloride, quinolinesulfonyl chloride, N-phenylthioacridone, 4,4-azobisisobutyronitrile, benzthiazole disulfide, triphenylphosphine, tetrabrominated carbon Examples include combinations of photoreductive dyes such as silicon, tribromophenylsulfone, benzoyl peroxide and eosin, methylene blue, and reducing agents such as ascorbic acid and triethanolamine.

本発明では、これらを1種または2種以上使用することができる。光重合開始剤は、感光性有機成分に対し、0.05〜10重量%の範囲で添加され、より好ましくは、0.1〜10重量%である。重合開始剤の量が少なすぎると光感度が不良となり、光重合開始剤の量が多すぎる場合には露光部の残存率が小さくなるおそれがある。   In the present invention, one or more of these can be used. A photoinitiator is added in 0.05-10 weight% with respect to the photosensitive organic component, More preferably, it is 0.1-10 weight%. If the amount of the polymerization initiator is too small, the photosensitivity will be poor, and if the amount of the photopolymerization initiator is too large, the residual ratio of the exposed portion may be small.

光重合開始剤と共に増感剤を使用し、感度を向上させたり、反応に有効な波長範囲を拡大することができる。   A sensitizer can be used together with a photopolymerization initiator to improve sensitivity and to expand the effective wavelength range for the reaction.

増感剤の具体例としては、2,4−ジメチルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、2−イソプロピルチオキサントン、2,3−ビス(4−ジエチルアミノベンザル)シクロペンタノン、2,6−ビス(4−ジメチルアミノベンザル)シクロヘキサノン、2,6−ビス(4−ジメチルアミノベンザル)−4−メチルシクロヘキサノン、ミヒラーケトン、4,4−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4−ビス(ジメチルアミノ)カルコン、4,4−ビス(ジエチルアミノ)カルコン、p−ジメチルアミノシンナミリデンインダノン、p−ジメチルアミノベンジリデンインダノン、2−(p−ジメチルアミノフェニルビニレン)イソナフトチアゾール、1,3−ビス(4−ジメチルアミノフェニルビニレン)イソナフトチアゾール、1,3−ビス(4−ジメチルアミノベンザル)アセトン、1,3−カルボニルビス(4−ジエチルアミノベンザル)アセトン、3,3−カルボニルビス(7−ジエチルアミノクマリン)、トリエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、N−フェニル−N−エチルエタノールアミン、N−フェニルエタノールアミン、N−トリルジエタノールアミン、4−ジメチルアミノ安息香酸メチル、4−ジメチルアミノ安息香酸エチル、ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、ジエチルアミノ安息香酸イソアミル、安息香酸(2−ジメチルアミノ)エチル、4−ジメチルアミノ安息香酸(n−ブトキシ)エチル、4−ジメチルアミノ安息香酸2−エチルヘキシル、3−フェニル−5−ベンゾイルチオテトラゾール、1−フェニル−5−エトキシカルボニルチオテトラゾール等が挙げられる。   Specific examples of the sensitizer include 2,4-dimethylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, 2,3-bis (4-diethylaminobenzal) cyclopentanone, 2,6-bis ( 4-dimethylaminobenzal) cyclohexanone, 2,6-bis (4-dimethylaminobenzal) -4-methylcyclohexanone, Michler's ketone, 4,4-bis (diethylamino) benzophenone, 4,4-bis (dimethylamino) chalcone 4,4-bis (diethylamino) chalcone, p-dimethylaminocinnamylidene indanone, p-dimethylaminobenzylidene indanone, 2- (p-dimethylaminophenylvinylene) isonaphthothiazole, 1,3-bis (4 -Dimethylaminophenylvinylene) Isonaphtho Sol, 1,3-bis (4-dimethylaminobenzal) acetone, 1,3-carbonylbis (4-diethylaminobenzal) acetone, 3,3-carbonylbis (7-diethylaminocoumarin), triethanolamine, methyl Diethanolamine, triisopropanolamine, N-phenyl-N-ethylethanolamine, N-phenylethanolamine, N-tolyldiethanolamine, methyl 4-dimethylaminobenzoate, ethyl 4-dimethylaminobenzoate, isoamyl dimethylaminobenzoate, diethylamino Isoamyl benzoate, (2-dimethylamino) ethyl benzoate, ethyl 4-dimethylaminobenzoate (n-butoxy), 2-ethylhexyl 4-dimethylaminobenzoate, 3-phenyl-5-benzoylthiotetrazo Le, and a 1-phenyl-5-ethoxycarbonyl-thiotetrazole the like.

本発明ではこれらを1種または2種以上使用することができる。なお、増感剤の中には光重合開始剤としても使用できるものがある。増感剤を本発明の感光性ペーストに添加する場合、その添加量は感光性有機成分に対して通常0.05〜10重量%、より好ましくは0.1〜10重量%である。増感剤の量が少なすぎれば光感度を向上させる効果が発揮されず、増感剤の量が多すぎれば露光部の残存率が小さくなるおそれがある。   In the present invention, one or more of these can be used. Some sensitizers can also be used as photopolymerization initiators. When adding a sensitizer to the photosensitive paste of this invention, the addition amount is 0.05-10 weight% normally with respect to the photosensitive organic component, More preferably, it is 0.1-10 weight%. If the amount of the sensitizer is too small, the effect of improving the photosensitivity is not exhibited, and if the amount of the sensitizer is too large, the residual ratio of the exposed portion may be reduced.

電子放出源用ペーストは、各種成分を所定の組成になるよう調合した後、3本ローラー、ボールミル、ビーズミル等の混練機で均質に混合分散することによって作製することができる。ペースト粘度は、ガラス粉末、平均粒径が0.1〜0.8μmの範囲にある無機粒子、増粘剤、有機溶媒、可塑剤および沈殿防止剤等の添加割合によって適宜調整されるが、その範囲は2〜200Pa・sである。例えば、基板への塗布をスリットダイコーター法やスクリーン印刷法以外にスピンコート法やスプレー法で行う場合は、0.001〜5Pa・sが好ましい。   The electron emission source paste can be prepared by preparing various components so as to have a predetermined composition and then uniformly mixing and dispersing the mixture using a kneader such as a three-roller, ball mill, or bead mill. The paste viscosity is appropriately adjusted depending on the addition ratio of glass powder, inorganic particles having an average particle diameter in the range of 0.1 to 0.8 μm, thickener, organic solvent, plasticizer, suspending agent, etc. The range is 2 to 200 Pa · s. For example, when the application to the substrate is performed by a spin coating method or a spray method other than the slit die coater method or the screen printing method, 0.001 to 5 Pa · s is preferable.

以下に、本発明の感光性電子放出源用ペーストを用いたトライオード型とダイオード型のフィールドエミッション用電子放出素子の作製方法について説明する。なお、電子放出素子の作製は、その他の公知の方法を用いてもよく、後述する作製方法に限定されない。   Hereinafter, a method for producing a triode type and a diode type electron emission element for field emission using the photosensitive electron emission source paste of the present invention will be described. Note that other known methods may be used for manufacturing the electron-emitting device, and the method is not limited to the manufacturing method described later.

はじめにトライオード型電子放出素子用背面基板の作製方法を説明する。ソーダガラスやPDP用の耐熱ガラスである旭硝子(株)製のPD200等のガラス基板上にITO等の導電性膜を成膜しカソード電極を形成する。次いで、絶縁材料を印刷法により5〜15μm積層し絶縁層を作製する。次に、絶縁層上に真空蒸着法によりゲート電極層を形成する。ゲート電極層上にレジスト塗布し、露光、現像によりゲート電極および絶縁層をエッチングすることによって、エミッタホールパターンを作製する。この後、電子放出源用ペーストをスクリーン印刷またはスリットダイコーター等により塗布する。上面露光または背面露光の後に現像し、エミッタホール内に電子放出源パターンを形成し、大気中または窒素雰囲気中で400〜500℃で焼成する。最後にレーザー照射法やテープはく離法によりCNT膜の起毛処理を行う。次に、前面基板を作製する。ソーダライムガラスやPDP用の耐熱ガラスである旭硝子(株)製のPD200等のガラス基板上にITOを成膜しアノード電極を形成する。アノード電極上に赤緑青の蛍光体を印刷法により積層する。背面基板と前面基板をスペーサーガラスをはさんで貼り合わせ、容器に接続した排気管により真空排気することによりトライオード型電子放出素子を作製することができる。電子放出状態を確認するために、アノード電極に1〜5kVの電圧を供給することで、CNTから電子が放出され蛍光体発光を得ることができる。   First, a method for manufacturing a rear substrate for a triode type electron-emitting device will be described. A conductive film such as ITO is formed on a glass substrate such as PD200 manufactured by Asahi Glass Co., Ltd., which is heat-resistant glass for soda glass or PDP, to form a cathode electrode. Subsequently, an insulating material is laminated by 5 to 15 μm by a printing method. Next, a gate electrode layer is formed on the insulating layer by vacuum evaporation. An emitter hole pattern is formed by applying a resist on the gate electrode layer and etching the gate electrode and the insulating layer by exposure and development. Thereafter, the electron emission source paste is applied by screen printing or a slit die coater. Development is performed after top exposure or back exposure to form an electron emission source pattern in the emitter hole, and baking is performed at 400 to 500 ° C. in the air or in a nitrogen atmosphere. Finally, the CNT film is raised by a laser irradiation method or a tape peeling method. Next, a front substrate is produced. An anode electrode is formed by depositing ITO on a glass substrate such as soda lime glass or PD200 manufactured by Asahi Glass Co., Ltd., which is a heat-resistant glass for PDP. Red, green and blue phosphors are stacked on the anode electrode by a printing method. A triode type electron-emitting device can be manufactured by bonding the back substrate and the front substrate with a spacer glass sandwiched between them and evacuating them with an exhaust pipe connected to the container. In order to confirm the electron emission state, by supplying a voltage of 1 to 5 kV to the anode electrode, electrons are emitted from the CNT, and phosphor emission can be obtained.

ダイオード型電子放出素子用前面板を作製する場合は、カソード電極上に電子放出源用ペーストをスクリーン印刷またはスリットダイコーター等により所定のパターンで印刷後、大気中または窒素雰囲気中で400〜500℃の温度で加熱し、CNT膜を得て、CNT膜をテープはく離法やレーザー処理法により起毛処理を行う。新たにITOをスパッタしたガラス基板上に蛍光体を印刷し、アノード基板を作製し、これら2枚のガラス基板をスペーサーを挟んで貼り合わせ、容器に接続した排気管で真空排気することによりダイオード型電子放出素子を作製することができる。電子放出状態を確認するために、アノード電極に1〜5kVの電圧を供給することで、CNTから電子が放出され蛍光体発光を得ることができる。   When producing a front plate for a diode-type electron-emitting device, a paste for an electron-emitting source is printed on the cathode electrode in a predetermined pattern by screen printing or a slit die coater, and then 400 to 500 ° C. in the air or in a nitrogen atmosphere. To obtain a CNT film, and the CNT film is subjected to raising treatment by a tape peeling method or a laser processing method. A phosphor is printed on a glass substrate newly sputtered with ITO, an anode substrate is manufactured, these two glass substrates are bonded together with a spacer interposed therebetween, and then evacuated by an exhaust pipe connected to the container to form a diode type. An electron-emitting device can be manufactured. In order to confirm the electron emission state, by supplying a voltage of 1 to 5 kV to the anode electrode, electrons are emitted from the CNT, and phosphor emission can be obtained.

以下に、本発明を実施例に具体的に説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。本実施例で用いたガラス粉末の組成を表1に示した。また、各実施例および各比較例で用いた電子放出源用ペーストの組成を表2〜10に示した。   Hereinafter, the present invention will be described specifically by way of examples. However, the present invention is not limited to this. The composition of the glass powder used in this example is shown in Table 1. Moreover, the composition of the paste for electron emission sources used by each Example and each comparative example was shown to Tables 2-10.

接着性評価
本実施例、比較例を通じて次のようなCNTとカソード電極の接着性評価を行った。得られたCNT膜に剥離接着強さ0.5N/20mmのテープを貼り、180℃の角度を保ちながら速度300mm/分で引き剥がすことでCNTとカソード電極との接着性を評価した。CNTとカソード電極面との接着力が弱く、1回のテープ剥離でCNT膜ごと剥離してカソード電極面が見えてしまうものを×、カソード電極面が見えてしまう程度のCNT膜の剥離が無いものを○、同じ部分を3回のテープ剥離をしてもCNT膜が膜ごと剥離せずカソード電極面が見えないものを◎とした。
Adhesion evaluation Through the present Examples and Comparative Examples, the following adhesion evaluation of CNT and cathode electrode was performed. A tape with a peel adhesion strength of 0.5 N / 20 mm was applied to the obtained CNT film, and the adhesion between the CNT and the cathode electrode was evaluated by peeling off at a speed of 300 mm / min while maintaining an angle of 180 ° C. The adhesion between the CNT and the cathode electrode surface is weak, and the case where the cathode electrode surface can be seen by peeling the entire CNT film with a single tape peeling, there is no peeling of the CNT film to the extent that the cathode electrode surface can be seen The case was evaluated as ◯, and the case where the CNT film was not peeled off even when the tape was peeled three times and the cathode electrode surface was not visible was marked as ◎.

CNT膜の起毛処理により起毛したCNTの数の測定
接着性評価後のCNT膜が形成された基板断面を走査型電子顕微鏡((株)日立製作所S4800)により観察し、起毛したCNTの数を測定した。加速電圧1kV、3万倍の倍率で、4μm×3μmの視野内に観察される起毛したCNTの数を測定し、異なる場所で5回測定を行い、1μmあたりの平均起毛数を算出した。
Measurement of the number of CNTs raised by raising the CNT film Using a scanning electron microscope (Hitachi, Ltd. S4800), the cross-section of the substrate on which the CNT film after adhesion evaluation was formed was measured. did. The number of raised CNTs observed in a 4 μm × 3 μm field of view was measured at an acceleration voltage of 1 kV and a magnification of 30,000 times, and the measurement was performed five times at different locations to calculate the average number of raised hairs per 1 μm.

ガラス軟化点の測定
用いたガラス粉末のガラス転移温度を熱機械分析装置(セイコーインスツル(株)製、EXTER6000 TMA/SS)を用いて測定した。ガラス粒子を800℃で溶融し、直径5mm、高さ2cmの円柱状に加工して測定サンプルとした。
Measurement of glass softening point The glass transition temperature of the glass powder used was measured using a thermomechanical analyzer (manufactured by Seiko Instruments Inc., EXTER6000 TMA / SS). Glass particles were melted at 800 ° C. and processed into a cylindrical shape having a diameter of 5 mm and a height of 2 cm to obtain a measurement sample.

ガラス粉末の粒径測定
用いたガラス粉末の累積50%粒径を粒子径分布測定装置(日機装(株)製、マイクロトラック9320HRA)を用いて測定した。
Measurement of Particle Size of Glass Powder A cumulative 50% particle size of the used glass powder was measured using a particle size distribution measuring device (manufactured by Nikkiso Co., Ltd., Microtrac 9320HRA).

平均粒径が0.1〜0.8μmの範囲にある無機粒子の粒径測定
用いた無機粒子の平均粒径(μm)は、吸着ガスにNを、キャリアガスにN/He=30/70を用いる流動法BET一点法比表面積測定装置(ユアサアイオニクス(株)製、MONOSORB)により得られた比表面積(m/g)から、密度(g/cm)を用いて次式により算出した。
Measurement of the particle size of inorganic particles having an average particle size in the range of 0.1 to 0.8 μm The average particle size (μm) of the inorganic particles used is N 2 for the adsorption gas and N 2 / He = 30 for the carrier gas. From the specific surface area (m 2 / g) obtained by the flow method BET single-point method specific surface area measuring apparatus (manufactured by Yuasa Ionics Co., Ltd., MONOSORB) using / 70, the density (g / cm 3 ) is used. Calculated by

平均粒径=6/{密度・比表面積}   Average particle size = 6 / {density / specific surface area}

Figure 2007115675
Figure 2007115675

実施例1〜9
本発明の電子放出源用ペーストは以下の要領で作製した。実施例1〜4、6〜9では多層CNT(シンセンナノテクポート社製、F−MWNT−10)を用いた。実施例5では2層CNT(東レ(株)製)を用いた。なお、2層CNTは購入のほか、以下の製造方法によっても作製することができる。これらのCNTは直径3mmのジルコニアボールを用いたボールミルにより3時間粉砕して使用した。粉砕したCNTとガラス粉末、分散剤を所定量秤量後、バインダー溶液としてエチルセルロース30重量%のテルピネオール溶液を添加して3本ローラーにて混練し、電子放出源用ペーストとした。粘度調整のため、溶媒であるテルピネオールを適宜追加した。
Examples 1-9
The paste for an electron emission source of the present invention was produced as follows. In Examples 1 to 4 and 6 to 9, multilayer CNT (F-MWNT-10 manufactured by Shenzhen Nanotechport Co., Ltd.) was used. In Example 5, two-layer CNT (manufactured by Toray Industries, Inc.) was used. In addition to the purchase, the two-layer CNT can be produced by the following manufacturing method. These CNTs were used after being pulverized for 3 hours by a ball mill using zirconia balls having a diameter of 3 mm. A predetermined amount of the pulverized CNT, glass powder, and dispersant was weighed, a 30% by weight terpineol solution of ethyl cellulose was added as a binder solution, and the mixture was kneaded with three rollers to obtain an electron emission source paste. In order to adjust the viscosity, terpineol as a solvent was appropriately added.

次に、電子放出素子を作製した。ガラス基板上にITOをスパッタにより成膜しカソード電極を形成した。得られたカソード電極上に電子放出源用ペーストをスクリーン印刷により1mm角のパターンで印刷した。大気中450℃の温度で加熱し、CNT膜を得た。このCNT膜を剥離接着強さ0.5N/20mmのテープにより起毛処理した。起毛処理の際にCNTとカソード電極との接着性の評価を行った。また、新たにITOをスパッタしたガラス基板上に蛍光体を印刷し、アノード基板を作製した。これら2枚のガラス基板を200μmのギャップフィルムを挟んで貼り合わせ、真空度を10−3Paにした真空チャンバー内にセットした。アノード電極に1〜5kVの電圧を供給し、CNTから得られる電子放出による蛍光体発光を確認した。結果を表2に示す。 Next, an electron-emitting device was produced. A cathode electrode was formed by sputtering ITO on a glass substrate. An electron emission source paste was printed on the obtained cathode electrode in a 1 mm square pattern by screen printing. A CNT film was obtained by heating at 450 ° C. in the atmosphere. The CNT film was brushed with a tape having a peel adhesive strength of 0.5 N / 20 mm. Evaluation of the adhesion between the CNT and the cathode electrode was performed during the raising treatment. Moreover, the phosphor was printed on the glass substrate which newly sputtered ITO, and the anode substrate was produced. These two glass substrates were bonded to each other with a gap film of 200 μm interposed therebetween, and set in a vacuum chamber having a degree of vacuum of 10 −3 Pa. A voltage of 1 to 5 kV was supplied to the anode electrode, and phosphor emission due to electron emission obtained from CNT was confirmed. The results are shown in Table 2.

東レ(株)製2層CNTの合成
はじめに固体触媒を調整した。無水塩化第二鉄(片山化学(株)社製)0.73g、塩化コバルト六水和物(関東化学(株)社製)1.01gをイオン交換水40mlに溶かし、10.0gのチタノシリケート型ゼオライト粉末(NEケムキャット(株)社製TS−1)を加え、超音波洗浄機で30分間処理し、120℃恒温下で水を除去して、ゼオライトの表面に金属を担持した固体触媒を得た。次に、この固体触媒を内径100mm、長さ1.5mの石英管の中央部にを3.0g取り、石英管を電気炉に設置して、アルゴンを150ml/分で供給した。石英管を30回転/分で回転させながら電気炉の中心温度を850℃に加熱し、アセチレン(竹中高圧工業(株)社製)を5ml/分で180分間供給した後、アセチレンの供給を止め、温度を室温まで冷却し、固体触媒を含むCNT生成物を得た。このCNT生成物から固体触媒を取り除くことによって、使用するCNT(粉末)を得た。(株)日立製作所製透過型電子顕微鏡H7100型で生成物を観察したところ、ほとんど非晶質のカーボン質の堆積は無く、外径が15m以下の細いCNTが主成分であることがわかった。高分解能透過型電子顕微鏡で観察した結果、2層CNTの生成が確認された。
Synthesis of 2-layer CNT manufactured by Toray Industries, Inc. First, a solid catalyst was prepared. Anhydrous ferric chloride (manufactured by Katayama Chemical Co., Ltd.) 0.73 g and cobalt chloride hexahydrate (manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.) 1.01 g were dissolved in 40 ml of ion-exchanged water, and 10.0 g of titano was dissolved. Silicate type zeolite powder (TS-1 manufactured by NE Chemcat Co., Ltd.) was added, treated with an ultrasonic cleaner for 30 minutes, water was removed at a constant temperature of 120 ° C., and a solid catalyst with a metal supported on the surface of the zeolite Got. Next, 3.0 g of this solid catalyst was taken at the center of a quartz tube having an inner diameter of 100 mm and a length of 1.5 m, the quartz tube was placed in an electric furnace, and argon was supplied at 150 ml / min. The center temperature of the electric furnace is heated to 850 ° C. while rotating the quartz tube at 30 rpm, and acetylene (manufactured by Takenaka High Pressure Industry Co., Ltd.) is supplied at 5 ml / min for 180 minutes, and then the supply of acetylene is stopped. The temperature was cooled to room temperature to obtain a CNT product containing a solid catalyst. The CNT (powder) to be used was obtained by removing the solid catalyst from the CNT product. When the product was observed with a transmission electron microscope H7100 manufactured by Hitachi, Ltd., it was found that there was almost no deposition of amorphous carbonaceous material, and thin CNTs having an outer diameter of 15 m or less were the main components. As a result of observation with a high-resolution transmission electron microscope, it was confirmed that bilayer CNTs were formed.

Figure 2007115675
Figure 2007115675

実施例10〜12
本発明の電子放出源用ペーストは以下の要領で作製した。実施例10および12では多層CNT(シンセンナノテクポート社製、F−MWNT−10)を、実施例11では2層CNT(東レ(株)製)を用いた。CNTは直径3mmのジルコニアボールを用いたボールミルにより3時間粉砕して使用した。粉砕したCNTとガラス粉末、分散剤を所定量秤量後、感光性有機成分として感光性ポリマー溶液(メタクリル酸/メタクリル酸メチル/スチレン=40/40/30からなる共重合体のカルボキシル基に対して0.4当量のグリシジルメタクリレートを付加反応させたもの(重量平均分子量43000、酸価100)をテルピネオールに40重量%溶解させたもの)、感光性モノマー(テトラプロピレングリコールジメタクリレート)、光重合開始剤(IC369(2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)ブタノン−1)、チバスペシャリティーケミカルズ社製)を、各々表3に記載された量を添加して3本ローラーにて混練し、電子放出源用ペーストとした。粘度調整のため、溶媒であるテルピネオールを適宜追加した。
Examples 10-12
The paste for an electron emission source of the present invention was produced as follows. In Examples 10 and 12, multilayer CNT (manufactured by Shenzhen Nanotechport Co., Ltd., F-MWNT-10) was used, and in Example 11, two-layer CNT (manufactured by Toray Industries, Inc.) was used. The CNTs were used after being pulverized for 3 hours by a ball mill using zirconia balls having a diameter of 3 mm. After weighing a predetermined amount of the pulverized CNT, glass powder and dispersant, a photosensitive polymer solution (methacrylic acid / methyl methacrylate / styrene = 40/40/30 copolymer carboxyl group as a photosensitive organic component) A product obtained by addition reaction of 0.4 equivalent of glycidyl methacrylate (40% by weight dissolved in terpineol with a weight average molecular weight of 43,000 and an acid value of 100), a photosensitive monomer (tetrapropylene glycol dimethacrylate), a photopolymerization initiator (IC369 (2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) butanone-1), manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd.) was added in the amount shown in Table 3 for each of the three rollers. To obtain an electron emission source paste. In order to adjust the viscosity, terpineol as a solvent was appropriately added.

次に、電子放出素子を作製した。ガラス基板上にITOをスパッタにより成膜しカソード電極を形成した。得られたカソード電極上に電子放出源用ペーストをスクリーン印刷により50mm角のパターンで印刷した。次いで、ネガ型クロムマスク(20μmφ、40μmピッチ)を用いて上面から50mW/cm出力の超高圧水銀灯で紫外線露光した。そして炭酸ナトリウム1重量%水溶液をシャワーで150秒間かけることにより現像し、シャワースプレーを用いて水洗浄して光硬化していない部分を除去した。ここで得たパターンを大気中450℃の温度で加熱し、CNT膜を得た。CNT膜を剥離接着強さ0.5N/20mmのテープにより起毛処理した。起毛処理の際にCNTとカソード電極との接着性の評価を行った。また、新たにITOをスパッタしたガラス基板上に蛍光体を印刷し、アノード基板を作製した。これら2枚のガラス基板を200μmのギャップフィルムを挟んで貼り合わせ、真空度を10−3Paにした真空チャンバー内にセットした。アノード電極に1〜5kVの電圧を供給し、CNTから得られる電子放出による蛍光体発光を確認した。結果を表3に示した。 Next, an electron-emitting device was produced. A cathode electrode was formed by sputtering ITO on a glass substrate. An electron emission source paste was printed on the obtained cathode electrode in a 50 mm square pattern by screen printing. Next, UV exposure was performed with an ultrahigh pressure mercury lamp having an output of 50 mW / cm 2 from the upper surface using a negative chrome mask (20 μmφ, 40 μm pitch). Then, a 1% by weight aqueous solution of sodium carbonate was developed by applying it for 150 seconds in a shower, and was washed with water using a shower spray to remove the uncured portion. The pattern obtained here was heated in the atmosphere at a temperature of 450 ° C. to obtain a CNT film. The CNT film was brushed with a tape having a peel adhesion strength of 0.5 N / 20 mm. Evaluation of the adhesion between the CNT and the cathode electrode was performed during the raising treatment. Moreover, the phosphor was printed on the glass substrate which newly sputtered ITO, and the anode substrate was produced. These two glass substrates were bonded to each other with a gap film of 200 μm interposed therebetween, and set in a vacuum chamber having a degree of vacuum of 10 −3 Pa. A voltage of 1 to 5 kV was supplied to the anode electrode, and phosphor emission due to electron emission obtained from CNT was confirmed. The results are shown in Table 3.

Figure 2007115675
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比較例1〜4
電子放出源用ペーストは実施例1〜9と同様にして、表4に記載された組成のとおり作製した。CNTは多層CNT(シンセンナノテクポート社製、F−MWNT−10)を用いた。
Comparative Examples 1-4
The electron emission source paste was produced in the same manner as in Examples 1 to 9 and according to the composition described in Table 4. As the CNT, multilayer CNT (manufactured by Shenzhen Nanotechport Co., Ltd., F-MWNT-10) was used.

次に、電子放出素子を作製した。ガラス基板上にITOをスパッタにより成膜しカソード電極を形成した。得られたカソード電極上に電子放出源用ペーストをスクリーン印刷により1mm角のパターンで印刷した。大気中450℃の温度で加熱し、CNT膜を得た。CNT膜を剥離接着強さ0.5N/20mmのテープにより起毛処理した。起毛処理の際にCNTとカソード電極との接着性の評価を行った。結果を表4に示した。比較例1ではガラスが軟化せず、十分な接着性が得られなかった。比較例2ではガラス粉末として表1のガラス6を用いてペーストを作製しようとしたが、ガラスが不安定で結晶化してしまい、ペースト作製できなかった。比較例3ではガラス粉末の添加量が少なすぎて良好な接着性が得られなかった。比較例4ではガラス粉末の添加量が多すぎてペーストが増粘したため、良好な印刷ができず接着性評価を行うことができなかった。   Next, an electron-emitting device was produced. A cathode electrode was formed by sputtering ITO on a glass substrate. An electron emission source paste was printed on the obtained cathode electrode in a 1 mm square pattern by screen printing. A CNT film was obtained by heating at 450 ° C. in the atmosphere. The CNT film was brushed with a tape having a peel adhesion strength of 0.5 N / 20 mm. Evaluation of the adhesion between the CNT and the cathode electrode was performed during the raising treatment. The results are shown in Table 4. In Comparative Example 1, the glass was not softened and sufficient adhesion was not obtained. In Comparative Example 2, an attempt was made to produce a paste using the glass 6 of Table 1 as the glass powder, but the glass was unstable and crystallized, and the paste could not be produced. In Comparative Example 3, the amount of glass powder added was too small to obtain good adhesion. In Comparative Example 4, since the amount of glass powder added was too large and the paste was thickened, good printing could not be performed and adhesion evaluation could not be performed.

Figure 2007115675
Figure 2007115675

実施例13
本発明の電子放出源用ペーストは以下の要領で作製した。CNTは2層CNT(東レ(株)製)を用いた。CNTは直径3mmのジルコニアボールを用いたボールミルにより3時間粉砕して使用した。平均粒径が0.1〜0.8μmの無機粒子として、白色導電性酸化チタン(石原産業(株)製、ET−500W、比表面積6.9m/g、密度4.6g/cm、平均粒径0.19μm)を用いた(表5には粒子1と記載)。表5に記載の組成のとおり、粉砕したCNTとガラス粉末、粒子1、分散剤を所定量秤量後、バインダー溶液としてエチルセルロース30重量%のテルピネオール溶液を添加して3本ローラーにて混練し、電子放出源用ペーストとした。粘度調整のため、溶媒であるテルピネオールを適宜追加した。
Example 13
The paste for an electron emission source of the present invention was produced as follows. Two-layer CNT (manufactured by Toray Industries, Inc.) was used as the CNT. The CNTs were used after being pulverized for 3 hours by a ball mill using zirconia balls having a diameter of 3 mm. As inorganic particles having an average particle size of 0.1 to 0.8 μm, white conductive titanium oxide (Ishihara Sangyo Co., Ltd., ET-500W, specific surface area 6.9 m 2 / g, density 4.6 g / cm 3 , (Average particle size 0.19 μm) was used (described as particle 1 in Table 5). According to the composition shown in Table 5, after weighing a predetermined amount of pulverized CNT, glass powder, particles 1 and a dispersing agent, a 30% by weight terpineol solution of ethylcellulose as a binder solution was added and kneaded with three rollers, A paste for the emission source was obtained. In order to adjust the viscosity, terpineol as a solvent was appropriately added.

次に、電子放出素子を作製した。ガラス基板上にITOをスパッタにより成膜しカソード電極を形成した。得られたカソード電極上に電子放出源用ペーストをスクリーン印刷により1mm角のパターンで印刷した。大気中450℃の温度で加熱し、CNT膜を得た。このCNT膜を剥離接着強さ0.5N/20mmのテープにより起毛処理した。起毛処理の際にCNTとカソード電極との接着性の評価を行った。また、新たにITOをスパッタしたガラス基板上に蛍光体を印刷し、アノード基板を作製した。これら2枚のガラス基板を200μmのギャップフィルムを挟んで貼り合わせ、真空度を10−3Paにした真空チャンバー内にセットした。アノード電極に1〜5kVの電圧を供給し、CNTから得られる電子放出による蛍光体発光を確認した。結果を表5に示した。 Next, an electron-emitting device was produced. A cathode electrode was formed by sputtering ITO on a glass substrate. An electron emission source paste was printed on the obtained cathode electrode in a 1 mm square pattern by screen printing. A CNT film was obtained by heating at 450 ° C. in the atmosphere. The CNT film was brushed with a tape having a peel adhesive strength of 0.5 N / 20 mm. Evaluation of the adhesion between the CNT and the cathode electrode was performed during the raising treatment. Moreover, the phosphor was printed on the glass substrate which newly sputtered ITO, and the anode substrate was produced. These two glass substrates were bonded to each other with a gap film of 200 μm interposed therebetween, and set in a vacuum chamber having a degree of vacuum of 10 −3 Pa. A voltage of 1 to 5 kV was supplied to the anode electrode, and phosphor emission due to electron emission obtained from CNT was confirmed. The results are shown in Table 5.

実施例14〜24
実施例13と同様にして、電子放出源用ペーストを表5に記載された組成のとおり作製し、電子放出素子を作製した。平均粒径が0.1〜0.8μmの無機粒子として、白色導電性酸化チタン(石原産業(株)製、ET−500W、比表面積6.9m/g、密度4.6g/cm、平均粒径0.19μm)を用いた(表5には粒子1と記載)。結果を表5に示した。
Examples 14-24
In the same manner as in Example 13, an electron emission source paste was produced according to the composition described in Table 5, and an electron emission device was produced. As inorganic particles having an average particle size of 0.1 to 0.8 μm, white conductive titanium oxide (Ishihara Sangyo Co., Ltd., ET-500W, specific surface area 6.9 m 2 / g, density 4.6 g / cm 3 , (Average particle size 0.19 μm) was used (described as particle 1 in Table 5). The results are shown in Table 5.

Figure 2007115675
Figure 2007115675

実施例25
本発明の電子放出源用ペーストは以下の要領で作製した。CNTは2層CNT(東レ(株)製)を用いた。CNTは直径3mmのジルコニアボールを用いたボールミルにより3時間粉砕して使用した。平均粒径が0.1〜0.8μmの無機粒子として、白色導電性酸化チタン(石原産業(株)製、ET−500W、比表面積6.9m/g、密度4.6g/cm、平均粒径0.19μm)を用いた(表6には粒子1と記載)。粉砕したCNTとガラス粉末、粒子1、分散剤を所定量秤量後、感光性有機成分として感光性ポリマー溶液(メタクリル酸/メタクリル酸メチル/スチレン=40/40/30からなる共重合体のカルボキシル基に対して0.4当量のグリシジルメタクリレートを付加反応させたもの(重量平均分子量43000、酸価100)をテルピネオールに40重量%溶解させたもの)、感光性モノマー(テトラプロピレングリコールジメタクリレート)、光重合開始剤(IC369(2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)ブタノン−1)、チバスペシャリティーケミカルズ社製)を、各々表6に記載された量を添加して3本ローラーにて混練し、電子放出源用ペーストとした。粘度調整のため、溶媒であるテルピネオールを適宜追加した。
Example 25
The paste for an electron emission source of the present invention was produced as follows. Two-layer CNT (manufactured by Toray Industries, Inc.) was used as the CNT. The CNTs were used after being pulverized for 3 hours by a ball mill using zirconia balls having a diameter of 3 mm. As inorganic particles having an average particle size of 0.1 to 0.8 μm, white conductive titanium oxide (Ishihara Sangyo Co., Ltd., ET-500W, specific surface area 6.9 m 2 / g, density 4.6 g / cm 3 , An average particle size of 0.19 μm) was used (described as particle 1 in Table 6). After weighing a predetermined amount of pulverized CNT, glass powder, particles 1, and a dispersant, a photosensitive polymer solution (methacrylic acid / methyl methacrylate / styrene = 40/40/30 copolymer carboxyl group as a photosensitive organic component) 0.4 weight equivalent of glycidyl methacrylate (weight average molecular weight 43000, acid value 100) dissolved in 40% by weight of terpineol, photosensitive monomer (tetrapropylene glycol dimethacrylate), light Polymerization initiators (IC369 (2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) butanone-1), manufactured by Ciba Specialty Chemicals) were added in the amounts shown in Table 6, respectively. The mixture was kneaded with three rollers to obtain an electron emission source paste. In order to adjust the viscosity, terpineol as a solvent was appropriately added.

次に、電子放出素子を作製した。ガラス基板上にITOをスパッタにより成膜しカソード電極を形成した。得られたカソード電極上に電子放出源用ペーストをスクリーン印刷により50mm角のパターンで印刷した。次いで、ネガ型クロムマスク(20μmφ、40μmピッチ)を用いて上面から50mW/cm出力の超高圧水銀灯で紫外線露光した。そして炭酸ナトリウム1重量%水溶液をシャワーで150秒間かけることにより現像し、シャワースプレーを用いて水洗浄して光硬化していない部分を除去した。ここで得たパターンを大気中450℃の温度で加熱し、CNT膜を得た。CNT膜を剥離接着強さ0.5N/20mmのテープにより起毛処理した。起毛処理の際にCNTとカソード電極との接着性の評価を行った。また、新たにITOをスパッタしたガラス基板上に蛍光体を印刷し、アノード基板を作製した。これら2枚のガラス基板を200μmのギャップフィルムを挟んで貼り合わせ、真空度を10−3Paにした真空チャンバー内にセットした。アノード電極に1〜5kVの電圧を供給し、CNTから得られる電子放出による蛍光体発光を確認した。結果を表6に示した。 Next, an electron-emitting device was produced. A cathode electrode was formed by sputtering ITO on a glass substrate. An electron emission source paste was printed on the obtained cathode electrode in a 50 mm square pattern by screen printing. Next, UV exposure was performed with an ultrahigh pressure mercury lamp having an output of 50 mW / cm 2 from the upper surface using a negative chrome mask (20 μmφ, 40 μm pitch). Then, a 1% by weight aqueous solution of sodium carbonate was developed by applying it for 150 seconds in a shower, and was washed with water using a shower spray to remove the uncured portion. The pattern obtained here was heated in the atmosphere at a temperature of 450 ° C. to obtain a CNT film. The CNT film was brushed with a tape having a peel adhesion strength of 0.5 N / 20 mm. Evaluation of the adhesion between the CNT and the cathode electrode was performed during the raising treatment. Moreover, the phosphor was printed on the glass substrate which newly sputtered ITO, and the anode substrate was produced. These two glass substrates were bonded to each other with a gap film of 200 μm interposed therebetween, and set in a vacuum chamber having a degree of vacuum of 10 −3 Pa. A voltage of 1 to 5 kV was supplied to the anode electrode, and phosphor emission due to electron emission obtained from CNT was confirmed. The results are shown in Table 6.

実施例26〜30
実施例25と同様にして、電子放出源用ペーストを表6に記載された組成のとおり作製し、電子放出素子を作製した。結果を表6に示した。
Examples 26-30
In the same manner as in Example 25, an electron emission source paste was prepared according to the composition described in Table 6 to prepare an electron emission device. The results are shown in Table 6.

Figure 2007115675
Figure 2007115675

実施例31〜36
平均粒径が0.1〜0.8μmの無機粒子として、銀粉末(三井金属鉱業(株)製、SPQ05S、比表面積1.08m/g、密度10.5g/cm、平均粒径0.53μm)を用いた(表7には粒子2と記載)こと以外は、実施例25と同様にして、電子放出源用ペーストを表7に記載された組成のとおり作製し、電子放出素子を作製した。結果を表7に示した。
Examples 31-36
As inorganic particles having an average particle size of 0.1 to 0.8 μm, silver powder (manufactured by Mitsui Metal Mining Co., Ltd., SPQ05S, specific surface area 1.08 m 2 / g, density 10.5 g / cm 3 , average particle size 0 .53 μm) was used (described as particle 2 in Table 7), and an electron-emitting source paste was prepared according to the composition described in Table 7 in the same manner as in Example 25, and an electron-emitting device was manufactured. Produced. The results are shown in Table 7.

Figure 2007115675
Figure 2007115675

実施例37〜42
平均粒径が0.1〜0.8μmの無機粒子として、銀粉末(三井金属鉱業(株)製、350、比表面積0.8m/g、密度10.5g/cm、平均粒径0.78μm)を用いた(表8には粒子3と記載)こと以外は、実施例10〜12と同様にして、電子放出源用ペーストを表8に記載された組成のとおり作製し、電子放出素子を作製した。結果を表8に示した。
Examples 37-42
As inorganic particles having an average particle diameter of 0.1 to 0.8 μm, silver powder (manufactured by Mitsui Metal Mining Co., Ltd., 350, specific surface area 0.8 m 2 / g, density 10.5 g / cm 3 , average particle diameter 0 .78 μm) was used (indicated as Particle 3 in Table 8), and a paste for an electron emission source was prepared according to the composition described in Table 8 in the same manner as in Examples 10 to 12, and electron emission was performed. An element was produced. The results are shown in Table 8.

Figure 2007115675
Figure 2007115675

実施例43〜45
平均粒径が0.1〜0.8μmの無機粒子として、銀粉末(石原産業(株)製、ET−300W、比表面積28m/g、密度5g/cm、平均粒径0.04μm、表9には粒子4と記載)を用いたこと以外は、実施例25と同様にして、電子放出源用ペーストを表9に記載された組成のとおり作製し、電子放出素子を作製した。結果を表9に示した。
Examples 43-45
As inorganic particles having an average particle size of 0.1 to 0.8 μm, silver powder (Ishihara Sangyo Co., Ltd., ET-300W, specific surface area 28 m 2 / g, density 5 g / cm 3 , average particle size 0.04 μm, Except for using Particle 4 in Table 9), an electron emission source paste was prepared according to the composition described in Table 9 in the same manner as in Example 25 to produce an electron-emitting device. The results are shown in Table 9.

実施例46〜48
平均粒径が0.1〜0.8μmの無機粒子として、銀粉末(三井金属鉱業(株)製、SPN10J、比表面積0.52m/g、密度10.5g/cm、平均粒径1.1μm、表9には粒子5と記載)を用いたこと以外は、実施例25と同様にして、電子放出源用ペーストを表9に記載された組成のとおり作製し、電子放出素子を作製した。
Examples 46-48
As inorganic particles having an average particle size of 0.1 to 0.8 μm, silver powder (manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd., SPN10J, specific surface area 0.52 m 2 / g, density 10.5 g / cm 3 , average particle size 1 0.1 μm, described as particle 5 in Table 9), and an electron emission source paste was prepared according to the composition described in Table 9 in the same manner as in Example 25 to prepare an electron emitting device. did.

Figure 2007115675
Figure 2007115675

Claims (6)

カーボンナノチューブとガラス粉末を含む電子放出源用ペーストであって、ガラス粉末がBiを45〜86重量%含有し、カーボンナノチューブ100重量部に対し、前記ガラス粉末を200〜8000重量部含む電子放出源用ペースト。 An electron emission source paste containing carbon nanotubes and glass powder, wherein the glass powder contains 45 to 86% by weight of Bi 2 O 3 and contains 200 to 8000 parts by weight of the glass powder with respect to 100 parts by weight of the carbon nanotubes. Paste for electron emission source. ガラス粉末が45〜86重量%のBi、0.5〜8重量%のSiO、3〜25重量%のB、0〜25重量%のZnOを有する請求項1記載の電子放出源用ペースト。 Glass powder 45-86 wt% of Bi 2 O 3, 0.5~8 wt% of SiO 2, 3 to 25 wt% B 2 O 3, of claim 1 having 0-25 wt% of ZnO Paste for electron emission source. ガラスの平均粒径が2μm以下であることを特徴とする請求項1記載の電子放出源用ペースト。 The electron emission source paste according to claim 1, wherein the glass has an average particle size of 2 μm or less. 平均粒径が0.1〜0.8μmの範囲にある無機粒子をさらに含む請求項1〜3のいずれかに記載の電子放出源用ペースト。 The paste for electron emission sources according to any one of claims 1 to 3, further comprising inorganic particles having an average particle diameter in the range of 0.1 to 0.8 µm. 無機粒子が、金属、無機酸化物、ガラス軟化点が500℃より高いガラスの群から少なくとも1種類選ばれる請求項4記載の電子放出源用ペースト。 The paste for electron emission sources according to claim 4, wherein the inorganic particles are selected from the group of metals, inorganic oxides, and glass having a glass softening point higher than 500 ° C. 請求項1〜5のいずれか記載の電子放出源用ペーストを用いた電子放出素子。 An electron-emitting device using the paste for an electron-emitting source according to claim 1.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009067932A (en) * 2007-09-14 2009-04-02 Toyo Ink Mfg Co Ltd Coating composition comprising carbon nano-tube
JP2010040521A (en) * 2008-07-10 2010-02-18 Toray Ind Inc Paste for electron discharge source, electron discharge source using the same, and electron-discharging element
WO2011018958A1 (en) 2009-08-11 2011-02-17 東レ株式会社 Paste for electron emission source, and electron emission source

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11120906A (en) * 1997-10-17 1999-04-30 Toray Ind Inc Plasma display electrode, its manufacture, and plasma display
JP2003186207A (en) * 2001-12-21 2003-07-03 Toray Ind Inc Developer for photosensitive paste containing inorganic powder
JP2003331713A (en) * 2002-04-22 2003-11-21 Samsung Sdi Co Ltd Electron emitting source composition, field emission display device manufactured using electron emitting source composition, and field emission display element
JP2004504690A (en) * 2000-06-21 2004-02-12 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー Method for improving the emission state of an electron field emitter
JP2004071433A (en) * 2002-08-08 2004-03-04 Hitachi Ltd Image display device and its manufacturing device
JP2004311407A (en) * 2003-04-08 2004-11-04 Samsung Sdi Co Ltd Composite particles for electron emission and their manufacturing method, electron emitting source and its manufacturing method, composition for electron emission emitter formation, and electric field emission display device
JP2005512924A (en) * 2001-05-16 2005-05-12 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー Dielectric composition with reduced electrical resistance
JP2005149987A (en) * 2003-11-18 2005-06-09 Sumitomo Rubber Ind Ltd Front electrode for plasma display panel and manufacturing method thereof
JP2006164965A (en) * 2004-11-10 2006-06-22 Hitachi Powdered Metals Co Ltd Composition for forming electron emitting source and method of forming coating for electron emitting source

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11120906A (en) * 1997-10-17 1999-04-30 Toray Ind Inc Plasma display electrode, its manufacture, and plasma display
JP2004504690A (en) * 2000-06-21 2004-02-12 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー Method for improving the emission state of an electron field emitter
JP2005512924A (en) * 2001-05-16 2005-05-12 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー Dielectric composition with reduced electrical resistance
JP2003186207A (en) * 2001-12-21 2003-07-03 Toray Ind Inc Developer for photosensitive paste containing inorganic powder
JP2003331713A (en) * 2002-04-22 2003-11-21 Samsung Sdi Co Ltd Electron emitting source composition, field emission display device manufactured using electron emitting source composition, and field emission display element
JP2004071433A (en) * 2002-08-08 2004-03-04 Hitachi Ltd Image display device and its manufacturing device
JP2004311407A (en) * 2003-04-08 2004-11-04 Samsung Sdi Co Ltd Composite particles for electron emission and their manufacturing method, electron emitting source and its manufacturing method, composition for electron emission emitter formation, and electric field emission display device
JP2005149987A (en) * 2003-11-18 2005-06-09 Sumitomo Rubber Ind Ltd Front electrode for plasma display panel and manufacturing method thereof
JP2006164965A (en) * 2004-11-10 2006-06-22 Hitachi Powdered Metals Co Ltd Composition for forming electron emitting source and method of forming coating for electron emitting source

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009067932A (en) * 2007-09-14 2009-04-02 Toyo Ink Mfg Co Ltd Coating composition comprising carbon nano-tube
JP2010040521A (en) * 2008-07-10 2010-02-18 Toray Ind Inc Paste for electron discharge source, electron discharge source using the same, and electron-discharging element
WO2011018958A1 (en) 2009-08-11 2011-02-17 東レ株式会社 Paste for electron emission source, and electron emission source
KR20120060200A (en) 2009-08-11 2012-06-11 도레이 카부시키가이샤 Paste for electron emission source, and electron emission source
US9159519B2 (en) 2009-08-11 2015-10-13 Toray Industries, Inc. Paste for electron emission source, and electron emission source

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