JP2007109744A - Substrate cleaning liquid - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電子回路パターン製造時において、基板をエッチング、アッシング処理等した際に発生する残渣を洗浄する際に用いる基板洗浄液に関する。特に、電子回路パターン製造時において埋め込み材を使用した場合に、この埋め込み材を選択的に除去することができる基板洗浄液に関する。 The present invention relates to a substrate cleaning solution used for cleaning residues generated when an electronic circuit pattern is manufactured by etching or ashing the substrate. In particular, the present invention relates to a substrate cleaning liquid that can selectively remove an embedding material when the embedding material is used in manufacturing an electronic circuit pattern.
半導体ウエハ上の集積回路（ＩＣ）、大規模集積回路（ＬＳＩ）、液晶表示板（ＬＣＤ）等は、一般的にフォトリソグラフィー技術を用いて、基板上に微細な電子回路パターンを形成して製造されている。具体的には、酸化ケイ素等の絶縁膜、Ａｌ、ＡｌＣｕ、ＡｌＳｉＣｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、ＴｉＮ等の金属膜、またはスピンオングラス（ＳＯＧ）等の低誘電層間絶縁膜（いわゆるＬｏｗ−ｋ材からなる膜）が形成された基板ウエハ上に、レジストを塗布し、所望のパターンを形成したマスクを通じて露光し、現像することで、所望の部位にレジストパターンを形成させ、次いでこのレジストパターン上から上記絶縁膜、金属膜、または低誘電層間絶縁膜に対してエッチング、アッシング処理を行い、その後レジストパターンを除去して製造されている。 Integrated circuits (ICs), large-scale integrated circuits (LSIs), liquid crystal display panels (LCDs), etc. on semiconductor wafers are generally manufactured by forming fine electronic circuit patterns on a substrate using photolithography technology. Has been. Specifically, an insulating film such as silicon oxide, a metal film such as Al, AlCu, AlSiCu, Cu, Ti, and TiN, or a low dielectric interlayer insulating film such as spin-on-glass (SOG) (a film made of a so-called Low-k material) The resist film is applied onto the substrate wafer on which the resist pattern is formed, exposed through a mask on which a desired pattern is formed, and developed to form a resist pattern at a desired site, and then the insulating film is formed on the resist pattern. The metal film or the low dielectric interlayer insulating film is manufactured by etching and ashing, and then removing the resist pattern.
上記の低誘電層間絶縁膜を形成しているＬｏｗ−ｋ材とは、低誘電率の絶縁材料であり、これを使用することにより、層間絶縁膜の誘電率を低くすることができる。そして、配線間の容量は、層間絶縁膜の誘電率に比例することから、Ｌｏｗ−ｋ材を使用することによって、配線容量が低減され、ＬＳＩの高速動作の障害となるクロストーク（配線間に生じる相互干渉効果）を低減することができる。 The low-k material forming the low dielectric interlayer insulating film is an insulating material having a low dielectric constant. By using this, the dielectric constant of the interlayer insulating film can be lowered. Since the capacitance between the wirings is proportional to the dielectric constant of the interlayer insulating film, the use of a low-k material reduces the wiring capacitance and causes crosstalk (inter-wiring between the wirings) that hinders high-speed operation of the LSI. The resulting mutual interference effect) can be reduced.
また、近年、半導体素子の高集積化とチップサイズの縮小化に伴い、配線回路の微細化および多層化が進む中、半導体素子においては、用いる金属膜の抵抗と配線容量に起因する配線遅延などが問題視されている。そして、このような問題を解決するために、配線材料として、従来用いられているアルミニウムから、より配線抵抗の少ない、たとえば銅のような金属を用いる方向へと移行している。 In recent years, with the progress of miniaturization and multilayering of wiring circuits due to the high integration of semiconductor elements and the reduction of chip size, in semiconductor elements, wiring delay due to the resistance and wiring capacitance of the metal film used. Is regarded as a problem. And in order to solve such a problem, it has shifted from the conventionally used aluminum as a wiring material to the direction of using a metal having a lower wiring resistance, such as copper.
そして、銅を配線材料として用いた場合は、絶縁膜の溝に銅を埋め込んで配線を形成するダマシン法、あるいはＶｉａホールの形成と配線になる溝の形成とを連続的に行い、銅の埋め込みも同時に行うデュアルダマシン法が行われている。そして、ダマシン法およびデュアルダマシン法において、パターン転写処理が繰り返される際に、形成したＶｉａホールあるいは配線溝を一時的に埋める埋め込み材が使用されている。 When copper is used as a wiring material, a damascene method in which copper is embedded in a groove of an insulating film to form a wiring, or a via hole and a groove to be a wiring are continuously formed to embed copper. The dual damascene method is also performed at the same time. In the damascene method and the dual damascene method, a filling material that temporarily fills the formed via hole or wiring groove when the pattern transfer process is repeated is used.
この埋め込み材は、レジストパターンを形成するために一時的に付与されるもので、最終的に除去する必要がある。よって、エッチングおよびアッシング処理後に、配線溝の底部等に埋め込み材が残存している場合は、この埋め込み材を洗浄液によって除去する必要がある。そして、この洗浄液は、基板を形成している材料である、酸化ケイ素あるいはＬｏｗ−ｋ材等を腐食しないことが必要である。 This embedding material is temporarily applied to form a resist pattern and needs to be finally removed. Therefore, if the filling material remains at the bottom of the wiring groove after the etching and ashing processing, it is necessary to remove the filling material with a cleaning liquid. And this cleaning liquid needs not to corrode the silicon oxide or low-k material etc. which are the materials which form the board | substrate.
また、埋め込み材を埋め込んだ後で、前工程をやり直す必要がある場合、この埋め込んだ埋め込み材を除去して、元の状態に戻すことが要求される場合がある。この場合、酸化ケイ素、Ｌｏｗ−ｋ材等を腐食しないで、埋め込み材のみを除去することができる洗浄液が必要とされていた。 Further, when it is necessary to redo the previous process after embedding the embedding material, it may be required to remove the embedded embedding material and restore the original state. In this case, there has been a need for a cleaning solution that can remove only the embedded material without corroding silicon oxide, Low-k material, or the like.
配線基板の加工において使用されている、レジスト残渣等を剥離するための剥離液としては、特許文献１に、フッ化水素酸の塩、水溶性有機溶媒、所定のメルカプト基含有防食剤、および水を含有するフォトレジスト用剥離液が記載されている。
しかし、上記した埋め込み材は有機シロキサン系ポリマーから形成されており、Ｌｏｗ−ｋ材とほぼ同一の組成を有している。よって、特許文献１に記載の剥離液によって、埋め込み材を除去しようとした場合においては、同時にＬｏｗ−ｋ材の腐食を進行させてしまうという問題があった。 However, the above-described filling material is made of an organosiloxane polymer and has almost the same composition as the low-k material. Therefore, when the embedding material is to be removed by the stripping solution described in Patent Document 1, there is a problem that the corrosion of the Low-k material is caused to proceed at the same time.
そこで、本発明は、Ｌｏｗ−ｋ材等の基板材料を腐食させずに、埋め込み材を選択的に除去することができる基板洗浄液を提供することを課題とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a substrate cleaning liquid that can selectively remove a filling material without corroding a substrate material such as a low-k material.
本発明者らは、上記課題に鑑み、鋭意研究を続けた結果、フッ化物塩の濃度を調整した基板洗浄液を用いることによって、Ｌｏｗ−ｋ材等の基板材料の腐食を抑えつつ、相対的に埋め込み材の除去性を向上させることができることを見出し、以下の発明を完成させた。 As a result of continuing intensive research in view of the above problems, the inventors of the present invention have relatively reduced the corrosion of a substrate material such as a low-k material by using a substrate cleaning liquid in which the concentration of fluoride salt is adjusted. The inventors have found that the removability of the embedding material can be improved, and have completed the following invention.
第一の本発明は、フッ化物塩および水を含有する基板洗浄液であって、このフッ化物塩の含有量が、基板洗浄液全体を１００質量％として、１０質量％以上５０質量％以下である、基板洗浄液である。 1st this invention is the board | substrate washing | cleaning liquid containing fluoride salt and water, Comprising: Content of this fluoride salt is 10 to 50 mass% by making the whole board | substrate washing | cleaning liquid into 100 mass%. It is a substrate cleaning solution.
上記の基板洗浄液において、フッ化物塩は、フッ化アンモニウムであることが好ましい。 In the above substrate cleaning solution, the fluoride salt is preferably ammonium fluoride.
上記の基板洗浄液において、基板洗浄液全体を１００質量％として、０．０００１〜０．０１質量％の水溶性高分子をさらに含んでいることが好ましい。 In the above substrate cleaning solution, it is preferable that the substrate cleaning solution further includes 0.0001 to 0.01% by mass of a water-soluble polymer based on 100% by mass.
上記の基板洗浄液において、基板洗浄液全体を１００質量％として、１０質量％以下の有機溶剤をさらに含んでいることが好ましい。 In the above substrate cleaning liquid, it is preferable that the total amount of the substrate cleaning liquid is 100% by mass and further contains 10% by mass or less of an organic solvent.
第二の本発明は、低誘電層間絶縁膜と埋め込み材とを有する基板を、上記第一の本発明の基板洗浄液に接触させて、この基板から埋め込み材を選択的に除去する基板の洗浄方法である。 According to a second aspect of the present invention, there is provided a substrate cleaning method in which a substrate having a low dielectric interlayer insulating film and a filling material is brought into contact with the substrate cleaning liquid of the first aspect of the invention, and the filling material is selectively removed from the substrate. It is.
第三の本発明は、低誘電層間絶縁膜を有する基板上にレジストパターンを形成し、エッチングおよびアッシング処理により、レジストパターンを転写する第一工程、このレジストパターンに埋め込み材を埋め込んで、基板上を平滑にする第二工程、第一工程を繰り返して、別のレジストパターンを転写する第三工程、並びに、基板と上記の第一の本発明の基板洗浄液とを接触させて、基板から埋め込み材の残渣を除去する第四工程、を有する基板の製造方法である。 The third aspect of the present invention is a first step in which a resist pattern is formed on a substrate having a low dielectric interlayer insulating film, and the resist pattern is transferred by etching and ashing treatment. The second step of smoothing, the third step of repeating the first step to transfer another resist pattern, and bringing the substrate into contact with the substrate cleaning liquid of the first aspect of the present invention, the filling material from the substrate And a fourth step of removing the residue.
本発明の基板洗浄液によれば、フッ化物塩の濃度を一定範囲に調整することによって、Ｌｏｗ−ｋ材等の基板材料の腐食を抑えつつ、相対的に埋め込み材の除去性を向上させることができる。 According to the substrate cleaning liquid of the present invention, by adjusting the concentration of the fluoride salt within a certain range, it is possible to relatively improve the removability of the embedded material while suppressing the corrosion of the substrate material such as the low-k material. it can.
以下、本発明の基板洗浄液について、より詳しく説明する。
本発明の基板洗浄液は、フッ化物塩、および水を含有する。また、本発明の基板洗浄液は、必要に応じて、さらに、水溶性高分子、有機溶剤、界面活性剤、金属防食剤、金属酸化物除去剤、ｐＨ調整剤等を含んでいてもよい。
Hereinafter, the substrate cleaning liquid of the present invention will be described in more detail.
The substrate cleaning liquid of the present invention contains a fluoride salt and water. In addition, the substrate cleaning liquid of the present invention may further contain a water-soluble polymer, an organic solvent, a surfactant, a metal anticorrosive, a metal oxide remover, a pH adjuster, and the like as necessary.
＜フッ化物塩＞
フッ化物塩としては、フッ化アンモニウム塩、あるいはメチルアミンフッ化水素塩、エチルアミンフッ化水素塩、プロピルアミンフッ化水素塩、メチルエタノールアミンフッ化水素塩、ジメチルエタノールアミンフッ化水素塩などのアルキルアミンフッ化水素塩等が好ましく用いられる。これらの化合物は、１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
<Fluoride salt>
Fluoride salts include ammonium fluoride, alkylamines such as methylamine hydrogen fluoride, ethylamine hydrogen fluoride, propylamine hydrogen fluoride, methylethanolamine hydrogen fluoride, dimethylethanolamine hydrogen fluoride, etc. Amine hydrofluoride is preferably used. These compounds may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.
本発明においては、これらのフッ化物塩の中でも洗浄効果が高いという理由から、フッ化アンモニウム塩を用いることが好ましい。なお、フッ化アンモニウム塩は、そのカチオン種であるアンモニウムイオンの窒素原子に結合する４個の水素原子のうちの一部または全部が置換されていてもよく、アンモニウム塩を構成する置換基としては、特に制限されるものではないが、メチル基、エチル基、プロピル基などの炭素数１〜３の低級アルキル基またはフェニル基などのアリール基などが好ましく挙げられる。 In the present invention, among these fluoride salts, ammonium fluoride salts are preferably used because of their high cleaning effect. In addition, in the ammonium fluoride salt, a part or all of the four hydrogen atoms bonded to the nitrogen atom of the ammonium ion that is the cation species may be substituted. Although not particularly limited, preferred examples include lower alkyl groups having 1 to 3 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group and a propyl group, and aryl groups such as a phenyl group.
本発明において好ましく用いられるフッ化アンモニウム塩としては、フッ化アンモニウム；フッ化モノメチルアンモニウム、フッ化モノエチルアンモニウム、フッ化モノフェニルアンモニウムなどのフッ化第１級アンモニウム塩；フッ化ジメチルアンモニウム、フッ化ジエチルアンモニウム、フッ化ジフェニルアンモニウムなどのフッ化第２級アンモニウム塩；フッ化トリメチルアンモニウム、フッ化トリエチルアンモニウム、フッ化トリフェニルアンモニウムなどのフッ化第３級アンモニウム塩；フッ化テトラメチルアンモニウム、フッ化テトラエチルアンモニウム、フッ化テトラプロピルアンモニウム、フッ化トリメチルエチルアンモニウム、フッ化トリエチルメチルアンモニウム、フッ化ジメチルジエチルアンモニウム、フッ化ジメチルジプロピルアンモニウム、フッ化テトラフェニルアンモニウム、フッ化トリメチルフェニルアンモニウムなどのフッ化第４級アンモニウム塩などが挙げられる。これらの中でも洗浄効果が特に優れるという理由から、フッ化アンモニウム｛（ＮＨ４）＋Ｆ−｝を用いることがもっとも好ましい。 Examples of ammonium fluoride salts preferably used in the present invention include ammonium fluoride; primary ammonium salts such as monomethylammonium fluoride, monoethylammonium fluoride, monophenylammonium fluoride; dimethylammonium fluoride, and fluoride. Secondary ammonium salts such as diethylammonium and diphenylammonium fluoride; tertiary ammonium salts such as trimethylammonium fluoride, triethylammonium fluoride and triphenylammonium fluoride; tetramethylammonium fluoride and fluoride Tetraethylammonium, tetrapropylammonium fluoride, trimethylethylammonium fluoride, triethylmethylammonium fluoride, dimethyldiethylammonium fluoride, dimethyl fluoride Dipropyl ammonium fluoride tetraphenyl ammonium, fluoride quaternary ammonium salt such as fluoride trimethylphenyl ammonium. Among these, ammonium fluoride {(NH 4 ) + F − } is most preferably used because the cleaning effect is particularly excellent.
上記のフッ化物塩の含有量は、基板洗浄液全体の質量を１００質量％として、下限が１０質量％以上であることが好ましく、１５質量％以上であることがより好ましい。また、上限は、特に限定されないが、フッ化物塩の腐食性を制御し易いことから、５０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以下であることがより好ましい。 The content of the fluoride salt is preferably 10% by mass or more, more preferably 15% by mass or more, with the total mass of the substrate cleaning liquid being 100% by mass. Moreover, although an upper limit is not specifically limited, Since it is easy to control the corrosivity of fluoride salt, it is preferable that it is 50 mass% or less, and it is more preferable that it is 40 mass% or less.
従来の基板洗浄液においては、フッ化物塩の含有量は１質量％程度と低い値に抑えられていた。有機シロキサン系ポリマーからなる埋め込み材を除去する際には、このような低い濃度では長時間の処理が必要であったが、この場合には基板材料の腐食性も高くなっていた。またｐＨを酸側に調整して、除去性を高くする方法があるが、この場合には、Ｌｏｗ−ｋ材などの基板材料の腐食も大きくなるといった問題を生じ、埋め込み材を選択的に除去することができなかった。 In the conventional substrate cleaning liquid, the content of the fluoride salt is suppressed to a low value of about 1% by mass. When removing the embedding material composed of the organosiloxane polymer, a long time treatment was required at such a low concentration, but in this case, the corrosiveness of the substrate material was also high. In addition, there is a method of adjusting the pH to the acid side to increase the removability, but in this case, there arises a problem that the corrosion of the substrate material such as the low-k material is increased, and the embedding material is selectively removed. I couldn't.
このような状況の中、本願発明者らは、基板洗浄液中のフッ化物塩の濃度を上げていくと、上記の所定の濃度領域において、フッ化物塩による埋め込み材の除去性の上昇率が、フッ化物塩によるＬｏｗ−ｋ材の腐食性の上昇率を上回り、フッ化物塩による埋め込み材の除去性が相対的に上昇することを見出した。つまり、本願発明は、基板洗浄液による洗浄時間を所定の短時間に制御して、上記の相対的に上昇したフッ化物塩による埋め込み材の除去性を利用して、埋め込み材を選択的に除去するものである。なお、フッ化物塩の含有量が、上記の範囲を超えて少なすぎると、フッ化物塩による埋め込み材の除去性が相対的に上昇する効果が得られにくくなる。一方、フッ化物塩の含有量が、上記の範囲を超えて多すぎると、フッ化物塩の腐食性を制御するのが難しくなる。 Under such circumstances, the inventors of the present application increase the concentration of the fluoride salt in the substrate cleaning solution, and in the predetermined concentration region, the rate of increase in the removability of the embedded material by the fluoride salt is It has been found that the rate of increase in the corrosivity of the Low-k material by the fluoride salt exceeds the rate of increase in the corrosivity of the Low-k material, and the removability of the embedded material by the fluoride salt increases relatively. That is, the present invention controls the cleaning time with the substrate cleaning liquid to a predetermined short time, and selectively removes the embedding material using the above-described relatively improved fluoride salt removability of the embedding material. Is. If the content of the fluoride salt is too small beyond the above range, it is difficult to obtain the effect of relatively increasing the removability of the embedding material by the fluoride salt. On the other hand, when the content of the fluoride salt is too much beyond the above range, it becomes difficult to control the corrosiveness of the fluoride salt.
＜水＞
また、本発明の基板洗浄液は、残渣を溶解したり分散させたりして被洗浄物である基板から除去するために水を必須成分として含有する。当該水としては洗浄時における汚染を防止するため、超純水を用いることが特に好ましい。なお、超純水は、半導体製造に通常用いられる超純水を意味し、Ｎａイオン、Ｋイオンなどの金属カチオンの総計含有量が５ｐｐｂ以下であり、かつハロゲンイオンの総含有量が５ｐｐｂ以下である水を意味する。
<Water>
Further, the substrate cleaning liquid of the present invention contains water as an essential component in order to remove the residue from the substrate to be cleaned by dissolving or dispersing the residue. As the water, it is particularly preferable to use ultrapure water in order to prevent contamination during cleaning. Ultrapure water means ultrapure water that is usually used in semiconductor manufacturing, and the total content of metal cations such as Na ions and K ions is 5 ppb or less, and the total content of halogen ions is 5 ppb or less. It means a certain water.
また、本発明の基板洗浄液には、有機溶剤が含有されていてもよい。有機溶剤を加える場合の、その含有量は、基板洗浄液全体の質量を基準（１００質量％）として、１０質量％以下とすることが好ましく、５質量％以下とすることがより好ましい。所定量の有機溶剤を加えることによって、フッ化物塩によるＬｏｗ−ｋ材の腐食性に対する、フッ化物塩による埋め込み材の除去性を相対的に上昇させる効果を向上させることができる。また、有機溶剤の含有量が上記の範囲を超えて多すぎると、フッ化物塩の洗浄効果が妨げられ、埋め込み材およびアッシング残渣等の除去性が劣る場合がある。 The substrate cleaning liquid of the present invention may contain an organic solvent. When the organic solvent is added, the content thereof is preferably 10% by mass or less, more preferably 5% by mass or less, based on the mass of the entire substrate cleaning liquid (100% by mass). By adding a predetermined amount of the organic solvent, it is possible to improve the effect of relatively increasing the removability of the embedding material by the fluoride salt with respect to the corrosivity of the Low-k material by the fluoride salt. Moreover, when there is too much content of an organic solvent beyond said range, the washing | cleaning effect of a fluoride salt will be prevented and removability of an embedding material, an ashing residue, etc. may be inferior.
有機溶剤としては、水溶性でありかつ極性の高いものを用いることが好ましい。このような有機溶剤としては、ジメチスルホキシドなどのスルホキシド類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド類；Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどのラクタム類；ジオキサンなどのエーテル類；イソプロピルアルコールなどのアルコール類；ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルなどのグリコールエーテル類などを挙げることができる。なお、上記有機溶剤を用いる際は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。 As the organic solvent, it is preferable to use a water-soluble and highly polar solvent. Examples of such organic solvents include sulfoxides such as dimethyl sulfoxide; amides such as N, N-dimethylformamide, N-methylformamide, and N, N-dimethylacetamide; lactams such as N-methyl-2-pyrrolidone; Examples include ethers such as dioxane; alcohols such as isopropyl alcohol; glycol ethers such as dipropylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, and diethylene glycol monoethyl ether. In addition, when using the said organic solvent, it may be used individually by 1 type and may be used in combination of 2 or more type.
本発明の基板洗浄液中の水の含有量は特に限定されないが、本発明の基板洗浄液に含まれる、フッ化物塩、および、必要によって含有されていてもよい、有機溶媒、以下において説明する水溶性高分子、界面活性剤、金属防食剤、金属酸化物除去剤、ｐＨ調整剤等以外の成分であるため、４０〜９０質量％とすることが好ましい。 The content of water in the substrate cleaning liquid of the present invention is not particularly limited, but is a fluoride salt contained in the substrate cleaning liquid of the present invention, and an organic solvent which may be contained as necessary, water-soluble described below Since it is components other than a polymer, a surfactant, a metal anticorrosive, a metal oxide remover, a pH adjuster and the like, it is preferably 40 to 90% by mass.
＜水溶性高分子＞
本発明の基板洗浄液は、水溶性高分子を含有していてもよい。本発明において用いられる水溶性高分子とは、親水基が分子中に統計的に均一に分布して存在する合成または天然の高分子物質である。具体的には合成高分子としてはポリビニルピロリドン、ポリエチレンイミン、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキサイド、ポリビニルエーテル、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロースが挙げられ、天然に存在するものにはポリリン酸、アミロース、多糖類、ゼラチンなどが挙げられる。これらの水溶性高分子のうちで好ましいのは、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンイミン、ポリアクリル酸である。
<Water-soluble polymer>
The substrate cleaning liquid of the present invention may contain a water-soluble polymer. The water-soluble polymer used in the present invention is a synthetic or natural polymer substance in which hydrophilic groups are present in a statistically uniform distribution in the molecule. Specific examples of the synthetic polymer include polyvinylpyrrolidone, polyethyleneimine, polyethylene glycol, polypropylene glycol, polyvinyl alcohol, polyethylene oxide, polyvinyl ether, polyacrylic acid, polyacrylamide, methylcellulose, ethylcellulose, and hydroxyethylcellulose. Examples of such materials include polyphosphoric acid, amylose, polysaccharides, and gelatin. Among these water-soluble polymers, polyvinyl pyrrolidone, polyethyleneimine, and polyacrylic acid are preferable.
これらの水溶性高分子の分子量は、３，０００以上、好ましくは１０，０００以上のものである。分子量が３，０００よりも小さい場合には、防食の効果が弱くなる傾向がある。また、分子量があまりに大きい場合には、一般に水に対する溶解度が小さくなったり、または溶液の粘度が増し、防食ムラを生じたりする可能性があるので、５００，０００以下のものがよい。特に好適には１０，０００〜１００，０００の範囲である。 These water-soluble polymers have a molecular weight of 3,000 or more, preferably 10,000 or more. When the molecular weight is smaller than 3,000, the anticorrosive effect tends to be weakened. In addition, when the molecular weight is too large, the solubility in water is generally decreased, or the viscosity of the solution is increased and corrosion prevention unevenness may occur. It is particularly preferably in the range of 10,000 to 100,000.
本発明における水溶性高分子は、分子中に存在する親水基によって、下地を構成する金属あるいは低誘電層間絶縁膜を形成するＬｏｗ−ｋ材と電気的に、あるいは配位結合等の親和力によって吸着して、その表面に保護被膜を形成し、防食の効果を発揮するものと考えられる。このため、水溶性高分子は、これらの下地金属あるいはＬｏｗ−ｋ材の表面に単分子層を形成するにたる量以上用いるのが好ましい。しかしながらあまりに多量に用いた場合には、溶液の粘度が増し、かえって残渣が十分に除去されないことがある。そこで、水溶性高分子の洗浄液中での濃度は、０．０００１〜０．０１質量％、好ましくは、０．０００５〜０．００５質量％の範囲で用いるのが好ましい。 The water-soluble polymer in the present invention is adsorbed by a hydrophilic group present in the molecule, electrically with a low-k material forming a metal or a low dielectric interlayer insulating film, or with an affinity such as a coordinate bond. Thus, it is considered that a protective film is formed on the surface and exhibits the anticorrosion effect. For this reason, it is preferable to use the water-soluble polymer in an amount equal to or larger than the amount required to form a monomolecular layer on the surface of these base metals or low-k materials. However, when it is used in an excessive amount, the viscosity of the solution increases and the residue may not be removed sufficiently. Therefore, the concentration of the water-soluble polymer in the cleaning solution is preferably 0.0001 to 0.01% by mass, and preferably 0.0005 to 0.005% by mass.
＜その他の成分＞
本発明の基板洗浄液は、その他の成分として、界面活性剤および金属防食剤、金属酸化物除去剤、ｐＨ調整剤を含んでいてもよい。界面活性剤は、表面張力を低下させて、基板との濡れ性を向上させる目的で添加される。界面活性剤の種類については特に限定されないが、界面活性剤としては、剥離洗浄液に対しての溶解度からイオン性の界面活性剤を用いることが好ましい。このような界面活性剤としては、たとえば、カチオン系界面活性剤ではモノアルキルアミンとその塩、アルキルトリメチルアミンとその塩、ジアルキルジメチルアミンとその塩、イミダゾリニウムとその塩、アルキルベンジルジメチル四級アンモニウムとその塩、ベンジルピリジニウムとその塩、ベンジルトリアルキルアンモニウムとその塩、アルキルピリジニウムとその塩、ポリオキシエチレンアルキルベンジルアンモニウムとその塩、２−ヒドロキシ−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリアルキルエタナミニウムハイドロオキサイドとその塩、２−ヒドロキシ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−アルキル）エタナミニウムハイドロオキサイドとその塩等が挙げられ、アニオン系界面活性剤ではドデシルベンゼンスルホン酸およびその塩等が挙げられる。
<Other ingredients>
The substrate cleaning liquid of the present invention may contain a surfactant, a metal anticorrosive, a metal oxide remover, and a pH adjuster as other components. The surfactant is added for the purpose of reducing the surface tension and improving the wettability with the substrate. The type of the surfactant is not particularly limited, but it is preferable to use an ionic surfactant as the surfactant because of its solubility in the peeling cleaning liquid. Examples of such surfactants include monoalkylamines and salts thereof, alkyltrimethylamine and salts thereof, dialkyldimethylamine and salts thereof, imidazolinium and salts thereof, and alkylbenzyldimethyl quaternary ammonium. And its salt, benzylpyridinium and its salt, benzyltrialkylammonium and its salt, alkylpyridinium and its salt, polyoxyethylene alkylbenzylammonium and its salt, 2-hydroxy-N, N, N-trialkylethanaminium hydroxide And a salt thereof, 2-hydroxy- (N, N-dimethyl-N-alkyl) ethanaminium hydroxide and a salt thereof, and anionic surfactants include dodecylbenzenesulfonic acid and a salt thereof.
また、金属防食剤、金属酸化物除去剤としては、たとえば、システイン、Ｎ−アセチルシステイン、ペニシラミン、チオ乳酸、チオグリセロール、１−メルカプト−２−プロパノールなどが挙げられる。 Examples of the metal anticorrosive and metal oxide remover include cysteine, N-acetylcysteine, penicillamine, thiolactic acid, thioglycerol, 1-mercapto-2-propanol, and the like.
また、ｐＨ調整剤としては、たとえば、炭酸アンモニウム、酢酸アンモニウム、モノエタノールアミン、トリエタノールアミン等が挙げられる。 Examples of the pH adjuster include ammonium carbonate, ammonium acetate, monoethanolamine, triethanolamine and the like.
＜基板洗浄液の調整方法＞
本発明の基板洗浄液の調製方法は特に限定されず、たとえば所定量の各成分を混合することにより調製することができる。このとき、温度および撹拌条件など特に制限はない。ただし、本発明の基板洗浄液は、洗浄による基板の汚染を極力少なくするため、該洗浄液中に含まれる各種金属イオンの含有量およびパーティクルの含有量は極力少ないことが好ましい。たとえば各種金属イオン含有量は、それぞれ５０ｐｐｂ以下、より好ましくは１０ｐｐｂ以下に管理され、パーティクルについても好ましくは０．５ミクロン以下の粒子が１ｍｌ中に５０個以内となるように、さらに好ましくは０．３ミクロン以下の粒子が１ｍｌ中に５０個以内となるように管理することが望ましい。したがって、本発明の基板洗浄液を調製するに際しては、金属イオンおよびパーティクルが混入しないような条件下で行われることが好ましい。また、調製後においては、パーティクルを除去する目的でフィルターを通過させるなどの処理を行うことが好ましい。
<Method for adjusting substrate cleaning solution>
The method for preparing the substrate cleaning liquid of the present invention is not particularly limited, and for example, it can be prepared by mixing a predetermined amount of each component. At this time, there are no particular restrictions such as temperature and stirring conditions. However, since the substrate cleaning liquid of the present invention minimizes contamination of the substrate due to cleaning, the content of various metal ions and the content of particles contained in the cleaning liquid are preferably as low as possible. For example, the content of various metal ions is controlled to 50 ppb or less, more preferably 10 ppb or less, and the particles are preferably 0.5 micron or less so that the number of particles is 50 or less in 1 ml. It is desirable to manage such that particles of 3 microns or less are within 50 in 1 ml. Therefore, the substrate cleaning solution of the present invention is preferably prepared under conditions that do not allow metal ions and particles to enter. Further, after the preparation, it is preferable to perform a treatment such as passing through a filter for the purpose of removing particles.
＜基板の洗浄方法＞
本発明の基板洗浄液は、電子回路パターン製造時において、埋め込み材を使用した場合において、この埋め込み材を選択的に除去することができる洗浄液として使用される。
<Washing method of substrate>
The substrate cleaning liquid of the present invention is used as a cleaning liquid that can selectively remove the embedded material when an embedded material is used during the manufacture of an electronic circuit pattern.
（埋め込み材の選択的除去）
埋め込み材は、銅を配線材料として用いた場合における電子回路パターンの製造方法である、ダマシン法あるいはデュアルダマシン法において使用される。これらの方法においては、酸化ケイ素等の絶縁膜、Ｃｕ等の金属膜、Ｌｏｗ−ｋ材からなる低誘電層間絶縁膜が形成された基板ウエハ上に、レジストパターンを形成して、エッチングおよびアッシング処理により、Ｖｉａホールおよび／または配線溝が形成され、そして、このＶｉａホールあるいは配線溝が埋め込み材によって一時的に埋められ、そして、レジストによるパターニング、エッチングおよびアッシング処理が繰り返される。
(Selective removal of embedding material)
The filling material is used in a damascene method or a dual damascene method, which is a method for manufacturing an electronic circuit pattern when copper is used as a wiring material. In these methods, a resist pattern is formed on a substrate wafer on which an insulating film such as silicon oxide, a metal film such as Cu, and a low dielectric interlayer insulating film made of a low-k material is formed, and etching and ashing processes are performed. As a result, a via hole and / or a wiring groove is formed, and the via hole or the wiring groove is temporarily filled with a filling material, and patterning, etching, and ashing processes using a resist are repeated.
埋め込み材は、最終的には除去する必要があり、エッチングおよびアッシング処理の後において、配線溝の底部等に埋め込み材が残存している場合は、本発明の基板洗浄液を使用することによって、埋め込み材が選択的に除去される。 The embedding material must be finally removed. If the embedding material remains at the bottom of the wiring trench after the etching and ashing processing, the embedding material is buried by using the substrate cleaning liquid of the present invention. Material is selectively removed.
上記したように、埋め込み材と基板材料であるＬｏｗ−ｋ材とは、ほぼ同一の組成を有しているが、本発明の基板洗浄液は、所定の濃度のフッ化アンモニウムを有する構成とすることによって、Ｌｏｗ−ｋ材を腐食せずに、埋め込み材を選択的に除去することができる。 As described above, the embedding material and the low-k material as the substrate material have substantially the same composition, but the substrate cleaning liquid of the present invention is configured to have a predetermined concentration of ammonium fluoride. Thus, the embedded material can be selectively removed without corroding the Low-k material.
本発明において使用するレジストとしては、特に限定されず、電子回路パターンの製造に用いられるｇ線用、ｉ線用、ＫｒＦエキシマ光線用、ＡｒＦエキシマ光線用、Ｆ２エキシマ光線用、Ｘ線用、電子線用のレジストなどのノボラック系樹脂、ポリヒドロキシスチレン系樹脂またはポリメタクリル酸系樹脂などからなる公知のレジストが挙げられる。 The resist used in the present invention is not particularly limited, and for g-line, i-line, KrF excimer ray, ArF excimer ray, F 2 excimer ray, X-ray, Examples of the resist include a novolac resin such as an electron beam resist, a polyhydroxystyrene resin, a polymethacrylic acid resin, and the like.
また、本発明の基板洗浄液は、上記した埋め込み材以外に、レジストやレジスト由来の残渣等を除去するのに使用することもできる。レジスト由来の残渣としては、基板ウエハ上に形成されたレジストパターンにエッチングまたはイオン注入などの処理を行った後に残存するレジストおよび現像残渣、またはこのウエハ上に形成されたレジストパターンをアッシング処理した後に残存するレジスト残渣が挙げられる。 Further, the substrate cleaning liquid of the present invention can be used to remove a resist, a residue derived from the resist, and the like in addition to the above-described filling material. Residues derived from the resist include resist and development residues remaining after etching or ion implantation is performed on the resist pattern formed on the substrate wafer, or after ashing the resist pattern formed on the wafer. Residual resist residues may be mentioned.
アッシング処理としては、通常の酸素ラジカルを発生させてレジストを灰化させる方法、または、Ｌｏｗ−ｋ材の変質を抑えるためにアッシングガスに酸素を用いないでレジストを除去する公知の方法が制限なく適用できる。たとえば、バッチ式でも枚葉処理式でもよく、さらにオゾンアッシング方式、ＵＶオゾンアッシング方式などが制限なく適用できる。 As the ashing treatment, there is no limitation on a method of generating a normal oxygen radical to ash the resist, or a known method of removing the resist without using oxygen as an ashing gas in order to suppress deterioration of the low-k material. Applicable. For example, a batch type or a single wafer processing type may be used, and an ozone ashing method, a UV ozone ashing method, or the like can be applied without limitation.
エッチング処理としては、ウエットエッチングおよびドライエッチングのどちらでも構わないが、通常はドライエッチッグした後の残渣を除去する際に用いられる。ドライエッチングとしてはプラズマエッチング、リアクティブイオンエッチングなどがあるが制限なく適用できる。 The etching process may be either wet etching or dry etching, but is usually used for removing residues after dry etching. Examples of dry etching include plasma etching and reactive ion etching, but can be applied without limitation.
また、洗浄対象となる基板ウエハは、特に制限されるものではなく、表面にＳｉＯ２層などの絶縁膜層、ＳＯＧなどの低誘電層間絶縁膜材料、Ａｌ、ＡｌＣｕ、ＡｌＳｉＣｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、ＴｉＮなどの配線が形成されたシリコンウエハ、ガラスなど、一般的に用いられている基板が制限なく用いることができる。本発明の洗浄液を用いることによるメリット、埋め込み材を使用するダマシン法およびデュアルダマシン法において埋め込み材を選択的に除去することができるという観点から、本発明の洗浄液は銅配線パターンを有する基板に対して特に好ましく用いられる。 Further, the substrate wafer to be cleaned is not particularly limited, and an insulating film layer such as SiO 2 layer, a low dielectric interlayer insulating film material such as SOG, Al, AlCu, AlSiCu, Cu, Ti, TiN on the surface. A generally used substrate such as a silicon wafer or glass on which wiring such as is formed can be used without limitation. From the viewpoint of the advantage of using the cleaning liquid of the present invention and the ability to selectively remove the embedded material in the damascene method and the dual damascene method using the embedded material, the cleaning liquid of the present invention is suitable for a substrate having a copper wiring pattern. And particularly preferably used.
なお、上記の銅配線パターンを有する基板は、銅配線パターンが表面に形成された基板だけでなく、表面に銅配線パターンが露出していない基板、たとえば銅配線パターンの上部にストッパー膜などが残存する基板も含まれる。 In addition, the board | substrate which has said copper wiring pattern not only a board | substrate with which the copper wiring pattern was formed on the surface, but a board | substrate with which the copper wiring pattern is not exposed on the surface, for example, a stopper film | membrane etc. remain on the copper wiring pattern A substrate to be included is also included.
銅配線パターンを形成するＣｕダマシンプロセスにおいては、銅配線パターンの上部にストッパー膜を残したままダマシン構造を形成し、最後にストッパー膜をエッチングすることが多い。そのため、一般的に、ダマシン構造を形成する際に用いられる洗浄液と、ストッパー膜をエッチングした後に用いられる洗浄液は、同じ洗浄液を用いる。本発明の基板洗浄液は、ダマシン構造を形成する際においても、ストッパー膜をエッチングした後においても、使用することができる。 In a Cu damascene process for forming a copper wiring pattern, a damascene structure is often formed with the stopper film remaining on the copper wiring pattern, and finally the stopper film is etched. Therefore, in general, the same cleaning liquid is used as the cleaning liquid used when forming the damascene structure and the cleaning liquid used after etching the stopper film. The substrate cleaning liquid of the present invention can be used both when forming a damascene structure and after etching a stopper film.
また、埋め込み材を埋め込んだ後で、前工程をやり直す必要がある場合がある。その場合、この埋め込み材を除去して、元の状態に戻す必要がある。本発明の基板洗浄液は、このような場合においても、Ｌｏｗ−ｋ材等を腐食させずに、埋め込み材を選択的に除去することができる。 Further, it may be necessary to redo the previous process after embedding the embedding material. In that case, it is necessary to remove this embedding material and return to the original state. Even in such a case, the substrate cleaning liquid of the present invention can selectively remove the embedded material without corroding the Low-k material or the like.
上記した、埋め込み材の選択的除去において、本発明の基板洗浄液を用いた洗浄方法は、従来の洗浄液を用いた洗浄方法と特に変わる点はなく、たとえば被洗浄物を洗浄液に浸漬したり、その処理表面（レジストまたは残渣等が付着している面）に洗浄液をスプレーしたりすることにより行うことができる。その際、洗浄液の温度は特に制限されるものではないが、通常は１０〜８０℃、好ましくは２０〜６０℃の範囲である。また洗浄時間は、用いる装置、洗浄温度、残渣の種類または量などによって大きく変化するが、通常２．０秒〜３０分程度、好ましくは４０秒〜２０分である。 In the selective removal of the burying material described above, the cleaning method using the substrate cleaning liquid of the present invention is not particularly different from the conventional cleaning method using the cleaning liquid. For example, the object to be cleaned is immersed in the cleaning liquid. The treatment can be performed by spraying a cleaning liquid on the surface to be treated (the surface on which a resist or a residue is attached). At that time, the temperature of the cleaning liquid is not particularly limited, but is usually in the range of 10 to 80 ° C, preferably 20 to 60 ° C. The washing time varies greatly depending on the apparatus used, the washing temperature, the type or amount of residue, etc., but is usually about 2.0 seconds to 30 minutes, preferably 40 seconds to 20 minutes.
一般に洗浄液は加温して用いた方が残渣に対する除去能力は向上するが、一方で、下地の腐食も大きくなるため、許容できる洗浄時間は短くなる傾向がある。したがって、被洗浄物の種類に応じて、洗浄性（残渣除去性）、防食性、操作性を勘案して好適な温度を適宜設定すればよい。なお、使用後の洗浄液はポンプなどで循環し、必要によりフィルタレーションして、可能な限り繰り返し用いてもよく、また、有効成分のみを再生して用いてもよい。 In general, when the cleaning liquid is heated and used, the removal ability with respect to the residue is improved, but on the other hand, the corrosion of the base also increases, so that the allowable cleaning time tends to be shortened. Therefore, a suitable temperature may be appropriately set in consideration of the cleaning property (residue removing property), anticorrosion property, and operability depending on the type of the object to be cleaned. The used cleaning solution may be circulated by a pump or the like, filtered as necessary, and used repeatedly as much as possible, or only the active ingredient may be regenerated and used.
以下に実施を示して、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施により何ら制限されるものではない。 The present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the present invention is not limited to these examples.
実施例１〜１１および比較例１〜５
表１および表２に示した組成を有する洗浄液を調製し、以下の評価を行った。
＜埋め込み材の除去性の評価＞
シリコンウエハ上にＣＶＤタイプのＬｏｗ−ｋ膜Ａを成膜し、さらにその上にｐ−ＳｉＯ２を成膜し、その上に市販のポジ型レジスト組成物を塗布、乾燥してレジスト膜を形成した。このレジスト層にマスクを介してパターンを露光し、現像後、これをマスクとしてｐ−ＳｉＯ２、Ｌｏｗ−ｋ膜をエッチングして除去した後、レジストパターンにプラズマアッシング処理を行うことによりＶｉａホールを生成した。その後、埋め込み材である有機シロキサン系ポリマーを塗布して、Ｖｉａホール内を埋め込み平坦化させた。
Examples 1-11 and Comparative Examples 1-5
Cleaning liquids having the compositions shown in Table 1 and Table 2 were prepared and evaluated as follows.
<Evaluation of removability of embedded material>
A CVD-type Low-k film A is formed on a silicon wafer, p-SiO 2 is further formed thereon, and a commercially available positive resist composition is applied and dried to form a resist film. did. The resist layer is exposed to a pattern through a mask, and after development, the p-SiO 2 and Low-k films are removed by etching using the resist layer as a mask, and then a via hole is formed by performing a plasma ashing process on the resist pattern. Generated. Thereafter, an organosiloxane polymer as a filling material was applied to fill and flatten the via hole.
液温３０℃に保持した実施例１〜１１および比較例１〜５の洗浄液中に、このウエハを５分間浸漬した後、超純水で洗浄し、さらに乾燥を行った。処理後のウエハのＦＥ−ＳＥＭ（電界放射型走査電子顕微鏡）観察により、塗布した有機シロキサン系ポリマーの除去性を確認し、またＶｉａホールの腐食の様子を確認した。これら判断基準は以下の通りである。得られた結果を表１および表２に示す。 The wafer was immersed in the cleaning liquids of Examples 1 to 11 and Comparative Examples 1 to 5 maintained at a liquid temperature of 30 ° C. for 5 minutes, washed with ultrapure water, and further dried. The FE-SEM (Field Emission Scanning Electron Microscope) observation of the processed wafer was used to confirm the removability of the applied organosiloxane polymer and to confirm the corrosion of the Via hole. These criteria are as follows. The obtained results are shown in Tables 1 and 2.
（１）Ｌｏｗ−ｋＡ腐食の様子
○：腐食なし
×：腐食有り
(1) Low-kA corrosion state ○: No corrosion ×: Corrosion present
（２）ｐ−ＳｉＯ２腐食の様子
○：腐食なし
×：腐食有り
(2) p-SiO 2 corrosion ○: No corrosion ×: Corrosion
（３）有機シロキサン系ポリマーの除去性
○：完全に除去
×：除去不完全
(3) Removability of organosiloxane polymer ○: Completely removed ×: Incomplete removal
上記の表１〜２中において、「ＤＭＡｃ」は、ジメチルアセトアミドであり、「ＤＭＳＯ」は、ジメチルスルホキシドであり、「ＮＭＰ」は、Ｎ−メチルピロリドンである。「Ｌｏｗ−ｋ膜Ａ」は、ＣＶＤタイプＬｏｗ−ｋ膜であり、「ｐ−ＳｉＯ２」は、プラズマＳｉＯ２である。「ＰＶＰ」は、水溶性高分子であるポリビニルピロリドンである。 In Tables 1 and 2 above, “DMAc” is dimethylacetamide, “DMSO” is dimethylsulfoxide, and “NMP” is N-methylpyrrolidone. “Low-k film A” is a CVD type Low-k film, and “p-SiO 2 ” is plasma SiO 2 . “PVP” is polyvinylpyrrolidone which is a water-soluble polymer.
「ＲＯＢ−０５００１」は、２−ヒドロキシ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−ラウリル）エタナミニウムハイドロオキサイドの２２％水溶液（日本乳化剤社製の界面活性剤）であり、「ニューコール７１４Ｆ」は、ポリオキシエチレン多環フェニルエーテル（日本乳化剤社製の界面活性剤）である。なお、表１〜２中における「％」は、洗浄液全体の質量を基準（１００質量％）とした質量％である。 “ROB-05001” is a 22% aqueous solution of 2-hydroxy- (N, N-dimethyl-N-lauryl) etanaminium hydroxide (surfactant manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.), and “Newcol 714F” Polyoxyethylene polycyclic phenyl ether (surfactant manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.). In Tables 1 and 2, “%” is mass% based on the mass of the entire cleaning liquid (100 mass%).
＜評価結果＞
本発明の基板洗浄液（実施例１〜１１）は、Ｌｏｗ−ｋ膜Ａおよびｐ−ＳｉＯ２を腐食せずに、埋め込み材である有機シロキサン系ポリマーを除去することができた。
<Evaluation results>
Substrate cleaning solution of the present invention (Examples 1 to 11) is a Low-k film A and p-SiO 2 without corrosion, it was possible to remove the organic siloxane polymer is a burying material.
これに対して、比較例１〜５の基板洗浄液は、いずれも、フッ化アンモニウム塩の濃度が低く、洗浄性が劣っているため、有機シロキサン系ポリマーの除去性が劣っていた。 On the other hand, since all the substrate cleaning liquids of Comparative Examples 1 to 5 had a low concentration of ammonium fluoride salt and poor cleaning properties, the organosiloxane polymer removability was poor.
以上、現時点において、もっとも、実践的であり、かつ、好ましいと思われる実施形態に関連して本発明を説明したが、本発明は、本願明細書中に開示された実施形態に限定されるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う基板洗浄液、基板の洗浄方法および基板の製造方法もまた本発明の技術的範囲に包含されるものとして理解されなければならない。 While the present invention has been described in connection with embodiments that are presently the most practical and preferred, the present invention is not limited to the embodiments disclosed herein. However, the invention can be changed as appropriate without departing from the spirit or concept of the invention that can be read from the claims and the entire specification, and the substrate cleaning solution, the substrate cleaning method, and the substrate manufacturing method that involve such changes are also included in the present invention. Should be understood as being included in the technical scope of
Claims (6)
このフッ化物塩の含有量が、基板洗浄液全体を１００質量％として、１０質量％以上５０質量％以下である、基板洗浄液。 A substrate cleaning solution containing a fluoride salt and water,
The substrate cleaning liquid, wherein the content of the fluoride salt is 10% by mass or more and 50% by mass or less, based on 100% by mass of the entire substrate cleaning liquid.
このレジストパターンに埋め込み材を埋め込んで、基板上を平滑にする第二工程、
前記第一工程を繰り返して、別のレジストパターンを転写する第三工程、
並びに、前記基板と請求項１〜４のいずれかに記載の基板洗浄液とを接触させて、前記基板から前記埋め込み材の残渣を除去する第四工程、を有する基板の製造方法。
Forming a resist pattern on a substrate having a low dielectric interlayer insulating film, and transferring the resist pattern by etching and ashing;
A second step of embedding an embedding material in this resist pattern and smoothing the substrate,
A third step of repeating the first step to transfer another resist pattern;
And the manufacturing method of the board | substrate which has the 4th process of making the said board | substrate and the board | substrate washing | cleaning liquid in any one of Claims 1-4 contact, and removing the residue of the said embedding material from the said board | substrate.
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