JP2007093798A - フォトマスク及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】簡易に作製及び検査することができ、遮光パターンの転写形状の劣化が小さく、かつ放電による遮光パターン欠陥を防止することができるフォトマスクを提供すること。
【解決手段】本発明のフォトマスクは、透明基板に設けられている相互に独立した複数の遮光パターンと、これらの遮光パターン間を電気的に接続する接続パターンを有し、前記接続パターンは、フォトリソグラフィ工程で転写されない幅であり、かつ半透明であることを特徴とする。
【選択図】図2
【解決手段】本発明のフォトマスクは、透明基板に設けられている相互に独立した複数の遮光パターンと、これらの遮光パターン間を電気的に接続する接続パターンを有し、前記接続パターンは、フォトリソグラフィ工程で転写されない幅であり、かつ半透明であることを特徴とする。
【選択図】図2
Description
本発明は、半導体装置の製造におけるフォトリソグラフィ工程で用いるフォトマスク及びその製造方法に関する。
半導体装置の製造では、フォトマスク上のマスクパターンを、フォトリソグラフィ工程でおいて転写し、所望の素子パターンを形成する。通常これらに使用されるフォトマスクは、石英基板上に、クロム、酸化クロムなどの金属薄膜によって遮光パターンが形成されている。
フォトマスクの遮光膜が導電性を有する場合は、使用環境やマスクパターン種によっては、静電気の影響を受け、遮光膜が帯電する場合がある。独立した複数の遮光パターン間で電位差が生じると、パターンの先端や角部などの電界の集中しやすい部分間で放電が生じ、遮光パターンが溶出し、欠陥となる。このような欠陥が、半導体製品の素子パターンとして転写される場合、製品不良の原因となってしまい、問題となっていた。
この問題を解決するために、遮光パターンの間を透明導電膜で電気的に接続する技術(例えば特許文献1を参照)や、遮光パターンの間を解像限界以下の太さのダミーパターンで接続する技術(例えば特許文献2を参照)が知られている。
特開平5−265189号公報
特開2003−248294号公報
しかし、前者の技術は、透明導電膜の形成や検査が面倒であり、という問題がある。後者の技術は、遮光パターンの転写形状の劣化を引き起こすという問題があることが本発明者達によって見出された。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、簡易に作製及び検査することができ、遮光パターンの転写形状の劣化が小さく、かつ放電による遮光パターン欠陥を防止することができるフォトマスクを提供するものである。
本発明のフォトマスクは、透明基板に設けられている相互に独立した複数の遮光パターンと、これらの遮光パターン間を電気的に接続する接続パターンを有し、前記接続パターンは、フォトリソグラフィ工程で転写されない幅であり、かつ半透明であることを特徴とする。
このフォトマスクは、次の特徴を有する。
(1)複数の遮光パターンが接続パターンで電気的に接続されているので、遮光パターン間の放電を防止することができ、放電による遮光パターン欠陥を防止することができる。
(2)このフォトマスクは、透明基板上に設けられた遮光膜をパターニングすることによって、相互に独立した複数の遮光パターンと、これらの遮光パターン間を電気的に接続し、かつフォトリソグラフィ工程で転写されない幅である接続パターンとを形成し、接続パターンを薄くして半透明にする工程を備える方法によって作製することができる。従って、簡易に作製することができる。
(3)接続パターンは半透明なので、比較的容易に検査を行うことができる。
(4)接続パターンはフォトリソグラフィ工程で転写されない幅であり、かつ半透明なので、接続パターンの存在に起因する遮光パターンの転写形状の劣化を小さくすることができる。
(1)複数の遮光パターンが接続パターンで電気的に接続されているので、遮光パターン間の放電を防止することができ、放電による遮光パターン欠陥を防止することができる。
(2)このフォトマスクは、透明基板上に設けられた遮光膜をパターニングすることによって、相互に独立した複数の遮光パターンと、これらの遮光パターン間を電気的に接続し、かつフォトリソグラフィ工程で転写されない幅である接続パターンとを形成し、接続パターンを薄くして半透明にする工程を備える方法によって作製することができる。従って、簡易に作製することができる。
(3)接続パターンは半透明なので、比較的容易に検査を行うことができる。
(4)接続パターンはフォトリソグラフィ工程で転写されない幅であり、かつ半透明なので、接続パターンの存在に起因する遮光パターンの転写形状の劣化を小さくすることができる。
1.フォトマスクの構造
本発明のフォトマスクは、透明基板に設けられている相互に独立した複数の遮光パターンと、これらの遮光パターン間を電気的に接続する接続パターンを有し、前記接続パターンは、フォトリソグラフィ工程で転写されない幅であり、かつ半透明であることを特徴とする。
本発明のフォトマスクは、透明基板に設けられている相互に独立した複数の遮光パターンと、これらの遮光パターン間を電気的に接続する接続パターンを有し、前記接続パターンは、フォトリソグラフィ工程で転写されない幅であり、かつ半透明であることを特徴とする。
1−1.フォトリソグラフィ工程
本発明のフォトマスクは、フォトリソグラフィ工程でおいて、半導体基板等の上に塗布されたフォトレジストを露光するために用いられる。露光光の光源には、F2レーザー(波長:157nm)、ArFエキシマレーザー(波長:193nm)、KrFエキシマレーザー(波長:248nm)、i線(波長:365nm)等種々のものを用いることができる。使用する光源の波長に応じて、フォトマスク材料や設計条件、フォトリソグラフィの条件等を適宜決定することができる。
本発明のフォトマスクは、フォトリソグラフィ工程でおいて、半導体基板等の上に塗布されたフォトレジストを露光するために用いられる。露光光の光源には、F2レーザー(波長:157nm)、ArFエキシマレーザー(波長:193nm)、KrFエキシマレーザー(波長:248nm)、i線(波長:365nm)等種々のものを用いることができる。使用する光源の波長に応じて、フォトマスク材料や設計条件、フォトリソグラフィの条件等を適宜決定することができる。
1−2.透明基板
透明基板は、露光光に対する光透過率が高い材料を用いて形成することができる。露光光に対する透明基板の光透過率は、好ましくは85%(さらに好ましくは90%又は95%)以上である。
透明基板は、露光光に対する光透過率が高い材料を用いて形成することができる。露光光に対する透明基板の光透過率は、好ましくは85%(さらに好ましくは90%又は95%)以上である。
また、種々の露光光に対して同じ基板が使用できるように、透明基板は、F2レーザ光(波長:157nm)〜近赤外光(波長:630nm)の範囲において、高い光透過率を有することが好ましい。上記範囲における透明基板の光透過率は、好ましくは85%(さらに好ましくは90%又は95%)以上である。透明基板は、石英ガラス等で形成することができる。
1−3.遮光パターン
遮光パターンの材料及び膜厚は、露光光に対する光透過率が十分に低くなるように選択する。露光光に対する遮光パターンの光透過率は、好ましくは1%(さらに好ましくは0.5%)以下である。遮光パターンは、クロム、酸化クロム又はクロムフロライドなどで形成することができる。露光光に対する遮光パターンの光透過率を低くするためには、遮光パターンの膜厚を厚くすればいい。
遮光パターンの材料及び膜厚は、露光光に対する光透過率が十分に低くなるように選択する。露光光に対する遮光パターンの光透過率は、好ましくは1%(さらに好ましくは0.5%)以下である。遮光パターンは、クロム、酸化クロム又はクロムフロライドなどで形成することができる。露光光に対する遮光パターンの光透過率を低くするためには、遮光パターンの膜厚を厚くすればいい。
ここで、図1に、遮光パターンをクロムで形成した場合の、膜厚と光透過率との関係を示すグラフを示す。図1には、KrFエキシマレーザー又はi線についてのデータを示している。このデータは、後述のシミュレーションと同じソフトウエアを用いて取得した。
図1から明らかなように、光透過率は、膜厚が増加すると指数関数的に減少する(より具体的には、KrFエキシマレーザー:Tr=86.9e-0.071t、i線:Tr=13.1e-0.0535t、但し、Trは光透過率(%)、tは膜厚(nm))。このグラフを見ると、KrFエキシマレーザー及びi線では、それぞれ、膜厚70nm及び80nmの時に光透過率が十分に小さく(0.5%程度)なることが分かる。KrFエキシマレーザーよりも波長が短い光源を用いると、膜厚増加に対する光透過率の減少の度合いが大きくなるため、遮光に必要な膜厚はさらに小さくなると考えられる。膜厚と光透過率との関係は、遮光パターンが酸化クロム又はクロムフロライドからなる場合でも、ほぼ同様であると考えられる。従って、遮光パターンの膜厚は、好ましくは70nm(さらに好ましくは80nm又は90nm)以上である。遮光パターンの膜厚は、好ましくは200nm(さらに好ましくは150nm又は100nm)以下である。必要以上に厚くする必要がないからである。
図1から明らかなように、光透過率は、膜厚が増加すると指数関数的に減少する(より具体的には、KrFエキシマレーザー:Tr=86.9e-0.071t、i線:Tr=13.1e-0.0535t、但し、Trは光透過率(%)、tは膜厚(nm))。このグラフを見ると、KrFエキシマレーザー及びi線では、それぞれ、膜厚70nm及び80nmの時に光透過率が十分に小さく(0.5%程度)なることが分かる。KrFエキシマレーザーよりも波長が短い光源を用いると、膜厚増加に対する光透過率の減少の度合いが大きくなるため、遮光に必要な膜厚はさらに小さくなると考えられる。膜厚と光透過率との関係は、遮光パターンが酸化クロム又はクロムフロライドからなる場合でも、ほぼ同様であると考えられる。従って、遮光パターンの膜厚は、好ましくは70nm(さらに好ましくは80nm又は90nm)以上である。遮光パターンの膜厚は、好ましくは200nm(さらに好ましくは150nm又は100nm)以下である。必要以上に厚くする必要がないからである。
1−4.接続パターン
接続パターンは、半透明である。「半透明」とは、露光光に対する光透過率が、透明と遮光との間であることを意味する。従って、露光光に対する接続パターンの光透過率は、透明基板の光透過率よりも低く、遮光パターンの光透過率よりも高い。露光光に対する接続パターンの光透過率は、好ましくは5%(さらに好ましくは10%、20%、30%、40%又は50%)以上である。光透過率が高い方が、遮光パターンの転写形状劣化抑制の効果が大きいからである。露光光に対する接続パターンの光透過率は、好ましくは80%(さらに好ましくは70%又は60%)以下である。光透過率が高くなりすぎると、検査を行いにくくなるからである。接続パターンの光透過率は、接続パターンの材料又は膜厚等を変えることによって適宜調節することができる。
接続パターンは、半透明である。「半透明」とは、露光光に対する光透過率が、透明と遮光との間であることを意味する。従って、露光光に対する接続パターンの光透過率は、透明基板の光透過率よりも低く、遮光パターンの光透過率よりも高い。露光光に対する接続パターンの光透過率は、好ましくは5%(さらに好ましくは10%、20%、30%、40%又は50%)以上である。光透過率が高い方が、遮光パターンの転写形状劣化抑制の効果が大きいからである。露光光に対する接続パターンの光透過率は、好ましくは80%(さらに好ましくは70%又は60%)以下である。光透過率が高くなりすぎると、検査を行いにくくなるからである。接続パターンの光透過率は、接続パターンの材料又は膜厚等を変えることによって適宜調節することができる。
接続パターンは、遮光パターンと同じ材料で形成することが好ましい。この場合、接続パターンを作製するのが容易であり、かつその光透過率の調整が容易であるからである。この場合、単に接続パターンの膜厚を遮光パターンよりも薄くすることによって、接続パターンの光透過率を遮光パターンよりも高くすることができる。図1のグラフが示す膜厚と光透過率との関係は、接続パターンについても当てはまる。従って、上記所望の光透過率が得られるように、接続パターンの膜厚を適宜変更することができる。接続パターンの膜厚は、好ましくは60nm(さらに好ましくは50nm、40nm又は30nm)以下である。この場合、接続パターンの光透過率を遮光パターンよりも高くすることができるからである。接続パターンの膜厚は、好ましくは5nm(さらに好ましくは10nm、15nm又は20nm)以上である。この場合、接続パターンの光透過率を透明基板よりも高くすることができるからである。また、遮光パターン間の放電防止のためには、接続パターンの膜厚を大きくして導電性を高めた方がいいからである。
接続パターンの線幅は、フォトリソグラフィ工程で転写されない幅である。「転写されない幅」とは、露光及び現像後に接続パターンに対応したレジストパターンが形成されないような幅である。この幅は、使用するフォトレジストの種類、露光条件、現像条件等に影響される。例えば、接続パターンの線幅が2μmの場合であっても条件を調節することによって、接続パターンに対応した部分がレジストパターンが形成されないようにすることができる。これについては、特許文献2に詳述されている。従って、この観点から、接続パターンの線幅は、好ましくは2μm(さらに好ましくは1.5μm、1μm又は0.5μm)以下である。
また、接続パターンの線幅は、解像限界以下であることがさらに好ましい。この場合、接続パターンによる露光光の遮光の度合いが小さく、接続パターンは、フォトレジストに転写されない。解像限界は、k1×γ/NAによって定まる。k1は、プロセスファクターであり、フォトレジストの種類等によって影響を受ける値であるが、通常は0.6前後の値であるので、本発明では0.6に設定する。γは、露光光の波長である。NAは、露光投影系レンズの開口数であり、0.4〜0.8程度である。以上の点を総合的に考慮すると、接続パターンの線幅は、好ましくは露光波長以下であり、さらに好ましくは露光波長×0.9(さらに好ましくは0.8、0.7、0.6又は0.5)以下である。また、通常使用される最も短波長の露光光の波長がF2レーザーの157nmであることを考慮すると、接続パターンの線幅は、好ましくは0.15μm(さらに好ましくは0.1μm)以下である。
接続パターンの線幅は、導電性を確保するという観点から、好ましくは0.02μm(さらに好ましくは0.04μm又は0.06μm)以上であることが好ましい。
2.フォトマスクの製造方法
次に、フォトマスクの製造方法について説明する。上記フォトマスクは、この製造方法によって製造することができる。上記「フォトマスクの構造」の項で述べた内容は、その趣旨に反しない限り、ここでも当てはまる。
次に、フォトマスクの製造方法について説明する。上記フォトマスクは、この製造方法によって製造することができる。上記「フォトマスクの構造」の項で述べた内容は、その趣旨に反しない限り、ここでも当てはまる。
本発明のフォトマスクの製造方法は、透明基板上に設けられた遮光膜をパターニングすることによって、相互に独立した複数の遮光パターンと、これらの遮光パターン間を電気的に接続し、かつフォトリソグラフィ工程で転写されない幅である接続パターンとを形成し、接続パターンを薄くして半透明にする工程を備える。
2−1.遮光膜パターニング工程
この工程では、透明基板上に設けられた遮光膜をパターニングすることによって、相互に独立した複数の遮光パターンと、これらの遮光パターン間を電気的に接続し、かつフォトリソグラフィ工程で転写されない幅である接続パターンとを形成する。
この工程では、透明基板上に設けられた遮光膜をパターニングすることによって、相互に独立した複数の遮光パターンと、これらの遮光パターン間を電気的に接続し、かつフォトリソグラフィ工程で転写されない幅である接続パターンとを形成する。
遮光膜の材料・膜厚には、遮光パターンについて既に述べた材料・膜厚を採用することができる。遮光膜は、スパッタリング法や真空蒸着法等により、形成することができる。パターニングは、公知の電子ビームリソグラフィ及びエッチング技術などを用いて行うことができる。この工程により、遮光パターンと接続パターンを同時に形成する。このとき、両パターンの膜厚は、実質的に同じである。
2−2.接続パターン薄化工程
次に、接続パターンの膜厚を薄くする。薄くすることによって光透過率が上がり、接続パターンが半透明になる。接続パターンの薄化は、遮光膜のエッチングと同様の方法で行うことができる。
以上で、フォトマスクの製造が完了する。
次に、接続パターンの膜厚を薄くする。薄くすることによって光透過率が上がり、接続パターンが半透明になる。接続パターンの薄化は、遮光膜のエッチングと同様の方法で行うことができる。
以上で、フォトマスクの製造が完了する。
本実施例では、フォトマスクの設計例を示す。フォトリソグラフィ工程での露光光には、KrFエキシマレーザー(波長:248nm)を用いることとする。
1.フォトマスク
本実施例のフォトマスクを図面を用いて説明する。図2(a)、(b)は、本実施例のフォトマスクを示す。図2(a)は、平面図であり、図2(b)は、図2(a)のI−I断面図である。
本実施例のフォトマスクを図面を用いて説明する。図2(a)、(b)は、本実施例のフォトマスクを示す。図2(a)は、平面図であり、図2(b)は、図2(a)のI−I断面図である。
フォトマスク1は、相互に独立した複数の遮光パターン2と、それらの間を電気的に接続する接続パターン3とを透明基板5上に備える。
遮光パターン2及び接続パターン3は、クロムからなり、透明基板5は、石英ガラスからなる。遮光パターン2の膜厚は、70nmであり、露光光に対する光透過率は、0.5%程度である。接続パターン3の膜厚は、10nmであり、露光光に対する光透過率は、43%程度である。露光光に対する透明基板5の光透過率は、90%程度である。接続パターン3の線幅は、40nmである。解像限界よりもはるかに小さいので、フォトリソグラフィ工程でおいて、フォトレジストに転写されない。
フォトリソグラフィ工程では、フォトマスク1を、図3に示すような、露光光源7と、露光投影系レンズ8とを備える投影露光装置に組み込む。露光光源7からの露光光7aをフォトマスク1に照射して、遮光パターン2以外の部分で露光光7aを透過させる。そして、この透過させた露光光7aを露光投影系レンズ8により、1/4又は1/5のサイズに収束させた後、ウエハ9の上に設けられた均一な厚さのフォトレジスト層(図示せず)に照射し、その後、このフォトレジスト層の現像を行うことにより、ウエハ9上にフォトレジストパターンを形成することができる。
2.フォトマスクの製造方法
次に、上記フォトマスクの製造方法について説明する。図4(a)〜(e)は、フォトマスクの製造工程を示す断面図であり、各断面図は、図2(b)の断面図と同じ断面についてのものである。
次に、上記フォトマスクの製造方法について説明する。図4(a)〜(e)は、フォトマスクの製造工程を示す断面図であり、各断面図は、図2(b)の断面図と同じ断面についてのものである。
2−1.電子線照射工程
まず、図4(a)に示すように、スパッタリング法や真空蒸着法等により石英ガラスからなる透明基板5上にクロムからなる遮光膜11を70nmの厚さで形成する。次に、遮光膜11上にポジレジストである電子線レジストを塗布し、電子線レジスト層13を形成する。次に、電子線レジスト層13のうち、遮光膜11の開口部の設計位置を覆う部分に第1電子ビーム15を照射する。次に、遮光膜11の接続パターン3の設計位置を覆う部分に第2電子ビーム17を照射する。第2電子ビームは、現像工程で電子線レジスト層13の膜厚を1/2にできるように電荷量を調節して照射する。
まず、図4(a)に示すように、スパッタリング法や真空蒸着法等により石英ガラスからなる透明基板5上にクロムからなる遮光膜11を70nmの厚さで形成する。次に、遮光膜11上にポジレジストである電子線レジストを塗布し、電子線レジスト層13を形成する。次に、電子線レジスト層13のうち、遮光膜11の開口部の設計位置を覆う部分に第1電子ビーム15を照射する。次に、遮光膜11の接続パターン3の設計位置を覆う部分に第2電子ビーム17を照射する。第2電子ビームは、現像工程で電子線レジスト層13の膜厚を1/2にできるように電荷量を調節して照射する。
2−2.現像工程
次に、電子線レジスト層13の現像を行い、図4(b)に示す構造を得る。
次に、電子線レジスト層13の現像を行い、図4(b)に示す構造を得る。
2−3.遮光膜パターニング工程
次に、平行平板型反応性イオンエッチング(RIE)法等のドライエッチング法により、電子線レジスト層13をマスクとして用いて、遮光膜11のパターニングを行い、図4(c)に示す構造を得る。このとき、遮光パターン2及び接続パターン3が形成され、平面図が図2(a)のようになる。この時点では、遮光パターン2と接続パターン3の膜厚は同じである。
次に、平行平板型反応性イオンエッチング(RIE)法等のドライエッチング法により、電子線レジスト層13をマスクとして用いて、遮光膜11のパターニングを行い、図4(c)に示す構造を得る。このとき、遮光パターン2及び接続パターン3が形成され、平面図が図2(a)のようになる。この時点では、遮光パターン2と接続パターン3の膜厚は同じである。
遮光膜11のエッチングには、テトラクロロメタン(CCl4)と酸素(O2)を流量比率1:3に調整したエッチングガス、又はジクロロメタン(CH2Cl2)と酸素を流量比率1:3に調整したエッチングガスを使用できる。何れのエッチングガスも、クロムからなる遮光膜11に対するエッチング速度を大きくすることができるので、エッチングの際に、電子線レジスト層13や透明基板5等は、ダメージを受けにくい。
2−4.アッシング工程
次に、酸素ガスを用いて電子線レジスト層13のアッシングを行うことにより、電子線レジスト層13の膜厚を全体的に薄くし、接続パターン3を露出させ、図4(d)に示す構造を得る。
次に、酸素ガスを用いて電子線レジスト層13のアッシングを行うことにより、電子線レジスト層13の膜厚を全体的に薄くし、接続パターン3を露出させ、図4(d)に示す構造を得る。
2−5.接続パターン薄化工程
次に、時間を計りながら、接続パターン3をエッチングすることにより、接続パターン3を膜厚10nmになるまで薄くし、図4(e)に示す構造を得る。接続パターン3の薄化は、遮光膜11のエッチングと同様のエッチングガスを用いて行う。
次に、時間を計りながら、接続パターン3をエッチングすることにより、接続パターン3を膜厚10nmになるまで薄くし、図4(e)に示す構造を得る。接続パターン3の薄化は、遮光膜11のエッチングと同様のエッチングガスを用いて行う。
2−6.電子線レジスト層剥離工程
最後に、硫酸と過酸化水素水とが質量比3:1で混合されてなる剥離液を用いて、電子線レジスト層13を除去し、図2(b)に示す構造を得て、フォトマスクの製造を完了する。
最後に、硫酸と過酸化水素水とが質量比3:1で混合されてなる剥離液を用いて、電子線レジスト層13を除去し、図2(b)に示す構造を得て、フォトマスクの製造を完了する。
(シミュレーションによる検証)
遮光パターンの転写形状の劣化低減の効果を確認するためにシミュレーションを行った。シミュレーションには、KLA-Tencor社製のProlithというソフトウエアを用いた。シミュレーションの照明条件としては、露光光の波長を248nm、露光投影レンズの開口数(NA)を0.5、照明系のシグマ(絞り)を0.8とした。
遮光パターンの転写形状の劣化低減の効果を確認するためにシミュレーションを行った。シミュレーションには、KLA-Tencor社製のProlithというソフトウエアを用いた。シミュレーションの照明条件としては、露光光の波長を248nm、露光投影レンズの開口数(NA)を0.5、照明系のシグマ(絞り)を0.8とした。
本発明の実施例のフォトマスクのシミュレーションでは、図5に示すように、シミュレーション領域21中において、光透過率が90%の透明基板23上に、250nm幅の遮光パターン25を2つと、2つの遮光パターン25の間を接続する40nm幅の接続パターン27とを配置した。遮光パターン25及び接続パターン27の光透過率は、それぞれ、0%、50%とした。また、比較例として、接続パターン27の光透過率を0%としたものについてもシミュレーションを行った。
実施例及び比較例のフォトマスクを用いたシミュレーションでの、フォトマスクを通過した露光光の強度分布を図6(a),(b)に示す。図6(a),(b)は、それぞれ、実施例、比較例についての結果を示す。図中の「大」、「小」は、それぞれ、光強度の相対値が大きい、小さいことを示している。光強度の相対値の具体的な値は、図6(a),(b)に示している通りである。
図6(a),(b)を比較すると、図6(b)の方が、光強度が高い領域(0.59〜0.77の領域)が遮光パターン25間の領域(接続パターン27上の領域)へ大きく突出していることが分かる。このことは、実施例では接続パターン27による光強度の低下が、比較例に比べて小さいことを示している。従って、本発明によれば、接続パターン上での光強度の低下を抑制することができることが分かる。
図6(a),(b)を比較すると、図6(b)の方が、光強度が高い領域(0.59〜0.77の領域)が遮光パターン25間の領域(接続パターン27上の領域)へ大きく突出していることが分かる。このことは、実施例では接続パターン27による光強度の低下が、比較例に比べて小さいことを示している。従って、本発明によれば、接続パターン上での光強度の低下を抑制することができることが分かる。
次に、遮光パターンの転写形状(すなわち、フォトマスク上のパターンをフォトレジスト層に転写して得られるレジストパターン29の形状)についてのシミュレーション結果を図7(a),(b)に示す。図7(a),(b)は、それぞれ、実施例、比較例についての結果を示す。図7(a),(b)から明らかなように、実施例では遮光パターンの転写形状の劣化が、比較例よりも小さいことが分かる。従って、本発明によれば、遮光パターンの転写形状の劣化を低減することができることが分かる。
1:フォトマスク 2:遮光パターン 3:接続パターン 5:透明基板 7:露光光源 7a:露光光 8:露光投影系レンズ 9:ウエハ 11:遮光膜 13:電子線レジスト層 15:第1電子ビーム 17:第2電子ビーム 21:シミュレーション領域 23:透明基板 25:遮光パターン 27:接続パターン 29:レジストパターン
Claims (8)
- 透明基板に設けられている相互に独立した複数の遮光パターンと、これらの遮光パターン間を電気的に接続する接続パターンを有し、
前記接続パターンは、フォトリソグラフィ工程で転写されない幅であり、かつ半透明であることを特徴とするフォトマスク。 - 前記接続パターンは、遮光パターンと同一材料からなり、遮光パターンよりも膜厚が薄い請求項1に記載のフォトマスク。
- 前記接続パターンは、線幅が、露光光の波長以下である請求項1に記載のフォトマスク。
- 前記接続パターンは、線幅が、0.15μm以下である請求項1に記載のフォトマスク。
- 前記遮光パターンは、クロム、酸化クロム又はクロムフロライドからなる請求項1に記載のフォトマスク。
- 前記遮光パターンは、厚さが70nm〜200nmである請求項1に記載のフォトマスク。
- 前記接続パターンは、厚さが5nm〜60nmである請求項1に記載のフォトマスク。
- 透明基板上に設けられた遮光膜をパターニングすることによって、相互に独立した複数の遮光パターンと、これらの遮光パターン間を電気的に接続し、かつフォトリソグラフィ工程で転写されない幅である接続パターンとを形成し、
接続パターンを薄くして半透明にする工程を備えるフォトマスクの製造方法。
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JP2005280662A JP2007093798A (ja) | 2005-09-27 | 2005-09-27 | フォトマスク及びその製造方法 |
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