JP2007088501A - 接着部材 - Google Patents
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- 0 C*OC(c(cc1C(O2)=O)ccc1C2=O)=O Chemical compound C*OC(c(cc1C(O2)=O)ccc1C2=O)=O 0.000 description 2
- CUJHKSKSNJSXAL-UHFFFAOYSA-N C=[O]=C(c(c1c2)ccc2C(OI)=O)OC1=O Chemical compound C=[O]=C(c(c1c2)ccc2C(OI)=O)OC1=O CUJHKSKSNJSXAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WONSNAWCCUUEST-UHFFFAOYSA-N CC(NC(NC(N)=O)=O)=O Chemical compound CC(NC(NC(N)=O)=O)=O WONSNAWCCUUEST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GIWQSPITLQVMSG-UHFFFAOYSA-N Cc1ncc[n]1C Chemical compound Cc1ncc[n]1C GIWQSPITLQVMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】接着剤層2を有する接着部材1であって、総厚みが150μm以上であるチップ積層型のチップサイズパッケージ用の接着部材1であり、スタックドCSPにおいては2段目の半導体チップ9を積層する際に1段目の半導体チップ7のワイヤー8に接触することのない適切な間隔が確保されている。
【選択図】図2
Description
本発明においては、このような構造の半導体パッケージをセイムダイCSP(same-die Chip Size Package、same-die CSP)と称することとする。セイムダイCSPにおいても従来のスタックドCSPと同様、下段の半導体チップと上段の半導体チップとを接着剤によって接着する必要があるが、従来の接着剤をセイムダイCSP構造用途に適用しようとすると下記のような問題点があった。
で表されるシロキサン系ジアミンなどが挙げられ、中でも上記一般式(3)で表されるジアミンが、接着剤組成物に加熱硬化後の低応力性及び低温接着性を付与できる点で好ましい。これらのジアミンは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
エポキシ樹脂としてクレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量220、東都化成株式会社製のYDCN−703を使用)60重量部、硬化剤としてフェノ−ルキシレングリコ−ルジメチルエ−テル縮合物(三井化学株式会社製XLC−LLを使用)40重量部に、シクロヘキサノン3000重量部を加え、攪拌混合したワニスに、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(日本ユニカ−株式会社製のNUC A−189を使用)1重量部、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン(日本ユニカー株式会社製のNCU A−1160を使用)1重量部及び、シリカフィラー(日本アエロジル株式会社製のR972V)10体積%を混合攪拌し、ビーズミル分散処理を行ったのちエポキシ基含有アクリール系共重合体(帝国化学産業株式会社製HTR−860−P3を使用)を250重量部、硬化促進剤として1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール(四国化成株式会社製 キュアゾ−ル2PZ−CNを使用)を0.5重量部加えて攪拌混合し、この接着剤の組成物ワニスを得た。このワニスを用い、キャリアフィルムとして厚さ50μmの離形処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、135℃で5分間乾燥して膜厚が50μmのBステージ状態の塗膜を形成し、キャリアフィルムを備えた接着剤層を作製した。
例1に用いた接着剤の組成物ワニスを、キャリアフィルムとして厚さ50μmの離形処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、150℃で5分間乾燥して膜厚が75μmのBステージ状態の塗膜を形成し、キャリアフィルムを備えた接着剤層を作製し、コア材にユーピレックス50SPA(ポリイミド樹脂、宇部興産株式会社製/厚み50μm品)を用い、得られた接着剤層を圧力0.5MPa、温度85℃の条件で基材両面に熱ラミネートを行って厚み200μm(接着剤層/コア材/接着剤層=75μm/50μm/75μm)の接着部材を得た。
温度計、攪拌機、塩化カルシウム管を備えた500mlの四つ口フラスコに、2,2−ビス(4−アミノフェノキシフェニル)プロパン32.8g(0.08モル) 、3,3′,5,5′−テトラメチル−4,4′−ジアミノジフェニルメーターン5.08g(0.02モル) 及びジメチルアセトアミド100gをとり、攪拌した。ジアミンの溶解後、フラスコを氷浴中で冷却しながら、1,10−(デカメチレン)ビス(トリメリテート二無水物)41.8g(0.08モル) 及びベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物6.44g(0.02モル) を少量ずつ添加した。添加終了後、氷浴中で3時間、更に室温で4時間反応させた後、無水酢酸25.5g(0.25モル) 及びピリジン19.8g(0.25モル) を添加し、2時間室温で攪拌した。その反応液を水中に注ぎ、沈澱したポリマーを濾過により採り、乾燥してポリイミド樹脂を得た。
例1に用いた接着剤の組成物ワニスを、キャリアフィルムとして厚さ50μmの離形処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、150℃で5分間乾燥して膜厚が75μmのBステージ状態の塗膜を形成し、キャリアフィルムを備えた接着剤層を作製した。
エポキシ樹脂としてビスフェノ−ルA型エポキシ樹脂(エポキシ当量175、東都化成株式会社製のYD−8125を使用)10重量部、クレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量220、東都化成株式会社製のYDCN−703を使用)30重量部、硬化剤としてフェノ−ルノボラック樹脂(大日本インキ化学工業株式会社製LF2882を使用)30重量部にシクロヘキサノンを加え、攪拌混合したワニスに、エポキシ基含有アクリール系共重合体(帝国化学産業株式会社製HTR−860−P3を使用)150重量部、硬化促進剤として1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール(四国化成株式会社製 キュアゾ−ル2PZ−CNを使用)0.5重量部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(日本ユニカ−株式会社製のNUC A−189を使用)1重量部、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン(日本ユニカ−株式会社製のNCU A−1160を使用)1重量部加えて攪拌混合し、この接着剤の組成物ワニスを得た。この接着剤の組成物ワニスを、キャリアフィルムとして厚さ50μmの離形処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、135℃で5分間乾燥して膜厚が50μmのBステージ状態の塗膜を形成し、キャリアフィルムを備えた接着剤層を作製した。
例1に用いた接着剤の組成物ワニスを、キャリアフィルムとして厚さ50μmの離形処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、135℃で5分間乾燥して膜厚が50μmのBステージ状態の塗膜を形成し、キャリアフィルムを備えた厚み50μmの接着部材(コア材なしの単層型接着部材)を作製した。
例1に用いた接着剤の組成物ワニスを、キャリアフィルムとして厚さ50μmの離形処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、135℃で5分間乾燥して膜厚が50μmのBステージ状態の塗膜を形成し、キャリアフィルムを備えた接着剤層を作製した。
例1に用いた接着剤の組成物ワニスを、キャリアフィルムとして厚さ50μmの離形処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、150℃で5分間乾燥して膜厚が75μmのBステージ状態の塗膜を形成し、キャリアフィルムを備えた接着剤層を作製し、コア材にユーピレックス25SGA(ポリイミド樹脂、宇部興産株式会社製/厚み25μm品)を用い、得られた接着剤層を圧力0.5MPa、温度85℃の条件で基材両面に熱ラミネートを行って厚み175μm(接着剤層/コア材/接着剤層=75μm/25μm/75μm)の接着部材を得た。
2 接着剤層
3 コア材
4 接着剤保護層
5 半導体搭載用配線基板
6 半導体用接着剤
7 一段目の半導体チップ
8 ワイヤー
9 二段目の半導体チップ
10 ワイヤー
11 チップ
12 封止材
13 はんだボ−ル
14 配線部分
Claims (10)
- 接着剤層を有する接着部材であって、総厚みが150μm以上であるチップ積層型のチップサイズパッケージ用の接着部材。
- さらに、接着剤保護層を有してなる請求項1に記載の接着部材。
- 動的粘弾性測定装置を用いて測定した場合の接着剤層の貯蔵弾性率が200℃条件下で1MPa以上である請求項1または請求項2に記載の接着部材。
- 接着剤層が熱硬化性樹脂を含有してなる請求項1〜3のいずれかに記載の接着部材。
- 熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である請求項4に記載の接着部材。
- 熱硬化性樹脂がエポキシ基含有アクリール系共重合体を含む請求項4または請求項5に記載の接着部材。
- 接着剤層が熱可塑性樹脂を含有してなる請求項1〜6のいずれかに記載の接着部材。
- 熱可塑性樹脂のTgが200℃以下である請求項7に記載の接着部材。
- 熱可塑性樹脂がポリイミド樹脂を含む請求項7又は8に記載の接着部材。
- 接着剤層がフィラー成分を含有してなる請求項1〜9に記載の接着部材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006306770A JP2007088501A (ja) | 2001-06-29 | 2006-11-13 | 接着部材 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001199637 | 2001-06-29 | ||
JP2006306770A JP2007088501A (ja) | 2001-06-29 | 2006-11-13 | 接着部材 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002187588A Division JP2003100953A (ja) | 2001-06-29 | 2002-06-27 | 接着部材 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009231427A Division JP2010045382A (ja) | 2001-06-29 | 2009-10-05 | 接着部材 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007088501A true JP2007088501A (ja) | 2007-04-05 |
Family
ID=37975091
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006306770A Pending JP2007088501A (ja) | 2001-06-29 | 2006-11-13 | 接着部材 |
Country Status (1)
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20100514 |