JP2007085833A - Anisotropically conductive connector for wafer inspection, its manufacturing method, probe card for wafer inspection, and wafer inspection device - Google Patents

Anisotropically conductive connector for wafer inspection, its manufacturing method, probe card for wafer inspection, and wafer inspection device Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an anisotropically conductive connector for surely achieving a satisfactory state of electrical connection to a wafer even if the pitch is extremely small between electrodes under inspection on the wafer which is an inspecting object with its contact members kept from being soon uncoupled, and to provide its manufacturing method, a probe card, and a wafer inspection device. <P>SOLUTION: This anisotropically conductive connector is obtained by: forming a material layer for a conductive elastomer containing conductive particles showing magnetism on a frame plate disposed on a support body; disposing a plurality of metallic masks showing magnetism on its surface, then thereto applying a magnetic field in a thickness direction while performing its hardening treatment thereby forming a conductive elastomer layer; laser-machining this to form a plurality of conductive parts for connection; piling up first and second intermediates, the first intermediate being obtained by forming a material layer for an insulation part between the conductive parts while the second intermediate being obtained by forming the plurality of contact members on a metal film to form material layer for an insulation part between them; and hardening-treating these material layers for insulation parts. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、ウエハに形成された複数の集積回路の電気的検査をウエハの状態で行うために用いられるウエハ検査用異方導電性コネクターおよびその製造方法、このウエハ検査用異方導電性コネクターを具えたウエハ検査用プローブカード並びにウエハ検査装置に関する。   The present invention relates to an anisotropic conductive connector for wafer inspection used for conducting electrical inspection of a plurality of integrated circuits formed on a wafer in a wafer state, a method for manufacturing the same, and an anisotropic conductive connector for wafer inspection. The present invention relates to a wafer inspection probe card and a wafer inspection apparatus.

一般に、半導体集積回路装置の製造工程においては、例えばシリコンよりなるウエハに多数の集積回路を形成し、その後、これらの集積回路の各々について、基礎的な電気特性を検査することによって、欠陥を有する集積回路を選別するプローブ試験が行われる。次いで、このウエハを切断することによって半導体チップが形成され、この半導体チップが適宜のパッケージ内に収納されて封止される。更に、パッケージ化された半導体集積回路装置の各々について、高温環境下において電気特性を検査することによって、潜在的欠陥を有する半導体集積回路装置を選別するバーンイン試験が行われる。
このようなプローブ試験またはバーンイン試験などの集積回路の電気的検査においては、検査対象物における被検査電極の各々をテスターに電気的に接続するためにプローブカードが用いられている。このようなプローブカードとしては、被検査電極のパターンに対応するパターンに従って検査電極が形成された検査用回路基板と、この検査用回路基板上に配置された異方導電性エラストマーシートと、この異方導電性エラストマーシート上に配置されたシート状プローブとよりなるものが知られている。 In general, in the manufacturing process of a semiconductor integrated circuit device, a large number of integrated circuits are formed on a wafer made of, for example, silicon, and then each of these integrated circuits has a defect by inspecting basic electrical characteristics. A probe test is performed to select the integrated circuit. Next, the semiconductor chip is formed by cutting the wafer, and the semiconductor chip is housed in an appropriate package and sealed. Further, each packaged semiconductor integrated circuit device is subjected to a burn-in test for selecting a semiconductor integrated circuit device having a potential defect by inspecting electrical characteristics in a high temperature environment.
In such an electrical inspection of an integrated circuit such as a probe test or a burn-in test, a probe card is used to electrically connect each of the electrodes to be inspected in the inspection object to a tester. Such a probe card includes an inspection circuit board on which inspection electrodes are formed according to a pattern corresponding to the pattern of the electrode to be inspected, an anisotropic conductive elastomer sheet disposed on the inspection circuit board, There are known ones comprising a sheet-like probe disposed on a directionally conductive elastomer sheet.

かかるプローブカードにおける異方導電性エラストマーシートとしては、従来、種々の構造のものが知られており、例えば特許文献１等には、金属粒子をエラストマー中に均一に分散して得られる異方導電性エラストマーシート（以下、これを「分散型異方導電性エラストマーシート」という。）が開示され、また、特許文献２等には、導電性磁性体粒子をエラストマー中に不均一に分布させることにより、厚み方向に伸びる多数の導電部と、これらを相互に絶縁する絶縁部とが形成されてなる異方導電性エラストマーシート（以下、これを「偏在型異方導電性エラストマーシート」という。）が開示され、更に、特許文献３等には、導電部の表面と絶縁部との間に段差が形成された偏在型異方導電性エラストマーシートが開示されている。
これらの異方導電性エラストマーシートの中で、偏在型異方導電性エラストマーシートは、検査すべき集積回路の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って導電部が形成されているため、分散型異方導電性エラストマーシートに比較して、被検査電極の配列ピッチすなわち隣接する被検査電極の中心間距離が小さい集積回路などに対しても電極間の電気的接続を高い信頼性で達成することができる点で、有利である。従って、被検査電極のピッチが小さい半導体集積回路装置のプローブ試験またはバーンイン試験においては、偏在型異方導電性エラストマーシートが用いられている。 As the anisotropic conductive elastomer sheet in such a probe card, those having various structures are conventionally known. For example, Patent Document 1 discloses an anisotropic conductive sheet obtained by uniformly dispersing metal particles in an elastomer. A conductive elastomer sheet (hereinafter referred to as “dispersed anisotropic conductive elastomer sheet”) is disclosed, and Patent Document 2 and the like disclose that non-uniform distribution of conductive magnetic particles in the elastomer. An anisotropic conductive elastomer sheet (hereinafter referred to as an “unevenly anisotropic anisotropic conductive elastomer sheet”) in which a large number of conductive portions extending in the thickness direction and insulating portions that insulate them from each other is formed. Further, Patent Document 3 and the like disclose an unevenly distributed anisotropic conductive elastomer sheet in which a step is formed between the surface of the conductive portion and the insulating portion.
Among these anisotropically conductive elastomer sheets, the unevenly distributed anisotropically conductive elastomer sheet has a conductive portion formed according to a pattern corresponding to the pattern of the electrode to be inspected of the integrated circuit to be inspected. Compared with a conductive elastomer sheet, it is possible to achieve electrical connection between electrodes with high reliability even for an integrated circuit or the like in which the arrangement pitch of the electrodes to be inspected, that is, the distance between the centers of adjacent electrodes to be inspected is small. This is advantageous. Therefore, an unevenly distributed anisotropic conductive elastomer sheet is used in a probe test or burn-in test of a semiconductor integrated circuit device in which the pitch of electrodes to be inspected is small.

而して、ウエハに形成された集積回路に対して行われるプローブ試験においては、従来、多数の集積回路のうち例えば１６個または３２個の集積回路が形成された複数のエリアにウエハを分割し、このエリアに形成された全ての集積回路について一括してプローブ試験を行い、順次、その他のエリアに形成された集積回路についてプローブ試験を行う方法が採用されている。そして、近年、検査効率を向上させ、検査コストの低減化を図るために、ウエハに形成された多数の集積回路のうち例えば６４個若しくは１２４個または全部の集積回路について一括してプローブ試験を行うことが要請されている。
一方、バーンイン試験においては、検査対象である集積回路装置は微小なものであってその取扱いが不便なものであるため、多数の集積回路装置の電気的検査を個別的に行うためには，長い時間を要し、これにより、検査コストが相当に高いものとなる。このような理由から、ウエハ上に形成された多数の集積回路について、それらのバーンイン試験をウエハの状態で一括して行うＷＬＢＩ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｂｅｌ Ｂｕｒｎ−ｉｎ）試験が提案されている。 Thus, in a probe test performed on an integrated circuit formed on a wafer, conventionally, the wafer is divided into a plurality of areas in which, for example, 16 or 32 integrated circuits are formed among many integrated circuits. A method is adopted in which a probe test is collectively performed on all integrated circuits formed in this area, and a probe test is sequentially performed on integrated circuits formed in other areas. In recent years, in order to improve the inspection efficiency and reduce the inspection cost, for example, 64, 124, or all of the integrated circuits are collectively subjected to a probe test among a large number of integrated circuits formed on the wafer. It is requested.
On the other hand, in the burn-in test, the integrated circuit device to be inspected is very small and inconvenient to handle. Therefore, it is long to perform electrical inspection of many integrated circuit devices individually. Time is required, which leads to a considerably high inspection cost. For these reasons, a WLBI (Wafer Level Burn-in) test has been proposed in which a burn-in test of a large number of integrated circuits formed on a wafer is performed in a wafer state.

しかしながら、検査対象であるウエハが、例えば直径が８インチ以上の大型のものであって、その被検査電極の数が例えば５０００以上、特に１００００以上のものである場合には、各集積回路における被検査電極のピッチが極めて小さいものであるため、プローブ試験またはＷＬＢＩ試験に偏在型異方導電性エラストマーシートを用いると、以下のような問題がある。
（１）直径が例えば８インチ（約２０ｃｍ）のウエハを検査するためには、偏在型異方導電性エラストマーシートとして、その直径が８インチ程度のものを用いることが必要となる。然るに、このような偏在型異方導電性エラストマーシートは、全体の面積が相当に大きいものであるが、各導電部は微細で、当該偏在型異方導電性エラストマーシート表面に占める導電部表面の面積の割合が小さいものであるため、当該偏在型異方導電性エラストマーシートを確実に製造することは極めて困難である。従って、異方導電性エラストマーシートの製造においては、歩留りが極端に低下する結果、異方導電性エラストマーシートの製造コストが増大し、延いては検査コストが増大する。
（２）偏在型異方導電性エラストマーシートにおいては、検査用回路基板および検査対象であるウエハとの電気的接続作業において、それらに対して特定の位置関係をもって保持固定することが必要である。然るに、異方導電性エラストマーシートは柔軟で容易に変形しやすいものであって、その取扱い性が低いものであるるため、検査対象であるウエハの被検査電極に対する電気的接続を行う際に、偏在型異方導電性エラストマーシートの位置合わせおよび保持固定が極めて困難である。
（３）ウエハを構成する材料例えばシリコンの線熱膨張係数は３．３×１０-6／Ｋ程度であり、一方、異方導電性エラストマーシートを構成する材料例えばシリコーンゴムの線熱膨張係数は２．２×１０-4／Ｋ程度である。従って、例えば２５℃において、それぞれ直径が２０ｃｍのウエハおよび異方導電性エラストマーシートの各々を、２０℃から１２０℃までに加熱した場合には、理論上、ウエハの直径の変化は０．００６６ｃｍにすぎないが、異方導電性エラストマーシートの直径の変化は０．４４ｃｍに達する。このように、検査対象である集積回路装置を構成する材料（例えばシリコン）と偏在型異方導電性エラストマーシートを構成する材料（例えばシリコーンゴム）との間で、熱膨張率が大きく異なるため、バーンイン試験においては、一旦はウエハと偏在型異方導電性エラストマーシートとの所要の位置合わせおよび保持固定が実現された場合であっても、温度変化による熱履歴を受けると、偏在型異方導電性エラストマーシートの導電部とウエハの被検査電極との間に位置ずれが生じる結果、電気的接続状態が変化して安定な接続状態を維持することが困難である。 However, if the wafer to be inspected is a large one having a diameter of, for example, 8 inches or more and the number of electrodes to be inspected is, for example, 5000 or more, particularly 10,000 or more, the wafer to be inspected in each integrated circuit. Since the pitch of the inspection electrodes is extremely small, there are the following problems when using an unevenly distributed anisotropic conductive elastomer sheet in the probe test or the WLBI test.
(1) In order to inspect a wafer having a diameter of, for example, 8 inches (about 20 cm), it is necessary to use an unevenly distributed anisotropic conductive elastomer sheet having a diameter of about 8 inches. However, such an unevenly anisotropic anisotropic conductive elastomer sheet has a considerably large area as a whole, but each conductive part is fine, and the surface of the conductive part occupying the unevenly anisotropic anisotropic conductive elastomer sheet surface. Since the area ratio is small, it is extremely difficult to reliably manufacture the uneven distribution type anisotropic conductive elastomer sheet. Therefore, in the production of the anisotropic conductive elastomer sheet, the production yield of the anisotropic conductive elastomer sheet increases as a result of the extremely low yield, which in turn increases the inspection cost.
(2) The unevenly distributed anisotropic conductive elastomer sheet needs to be held and fixed with a specific positional relationship with the circuit board for inspection and the wafer to be inspected. However, since the anisotropic conductive elastomer sheet is flexible and easily deformed and has low handleability, when performing electrical connection to the inspection target electrode of the wafer to be inspected, It is extremely difficult to align and hold and fix the uneven distribution type anisotropic conductive elastomer sheet.
(3) The linear thermal expansion coefficient of the material constituting the wafer, such as silicon, is about 3.3 × 10 −6 / K, while the material constituting the anisotropic conductive elastomer sheet, such as silicone rubber, is It is about 2.2 × 10 −4 / K. Therefore, for example, at 25 ° C., when each of the wafer having a diameter of 20 cm and the anisotropic conductive elastomer sheet is heated from 20 ° C. to 120 ° C., the change in the diameter of the wafer is theoretically 0.0066 cm. However, the change in the diameter of the anisotropically conductive elastomer sheet reaches 0.44 cm. Thus, the coefficient of thermal expansion differs greatly between the material (for example, silicon) constituting the integrated circuit device to be inspected and the material (for example, silicone rubber) constituting the unevenly distributed anisotropic conductive elastomer sheet, In the burn-in test, even if the required alignment and holding / fixing of the wafer and the anisotropically anisotropic conductive elastomer sheet have been realized once, if the thermal history due to temperature change is received, As a result of displacement between the conductive portion of the conductive elastomer sheet and the electrode to be inspected on the wafer, it is difficult to maintain a stable connection state by changing the electrical connection state.

上記の問題を解決するため、検査対象であるウエハにおける集積回路の被検査電極が形成された電極領域に対応して複数の開口が形成されたフレーム板と、このフレーム板の開口の各々を塞ぐよう配置された複数の弾性異方導電膜とよりなる異方導電性コネクターが提案されている（例えば特許文献４参照。）。
このような異方導電性コネクターによれば、以下のような効果が得られる。
（１）フレーム板に形成された開口の各々は、検査対象であるウエハにおける集積回路の電極領域に対応する寸法であり、従って、当該開口の各々に配置される弾性異方導電膜は、サイズの小さいものでよいため、個々の弾性異方導電膜の形成が容易である。
（２）弾性異方導電膜の各々がフレーム板に支持されているため、変形しにくくて取扱いやすく、また、予めフレーム板に位置決め用マーク（例えば孔）を形成することにより、集積回路装置の電気的接続作業において、当該集積回路装置に対する位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができる。
（３）サイズの小さい弾性異方導電膜は、熱履歴を受けた場合でも、熱膨張の絶対量が少ないため、弾性異方導電膜の熱膨張がフレーム板によって規制され、しかも、異方導電性コネクター全体の熱膨張は、フレーム板を構成する材料の熱膨張に依存するので、フレーム板を構成する材料として熱膨張率の小さいものを用いることにより、温度変化による熱履歴を受けた場合にも、当該異方導電性コネクターにおける導電部とウエハにおける被検査電極との位置ずれが防止される結果、良好な電気的接続状態が安定に維持される。 In order to solve the above-described problem, a frame plate having a plurality of openings formed corresponding to electrode regions where electrodes to be inspected of an integrated circuit are formed on a wafer to be inspected, and each of the openings of the frame plate are closed. An anisotropic conductive connector comprising a plurality of elastic anisotropic conductive films arranged in this manner has been proposed (see, for example, Patent Document 4).
According to such an anisotropic conductive connector, the following effects can be obtained.
(1) Each of the openings formed in the frame plate has a size corresponding to the electrode region of the integrated circuit in the wafer to be inspected. Therefore, the elastic anisotropic conductive film disposed in each of the openings has a size. Therefore, it is easy to form individual elastic anisotropic conductive films.
(2) Since each of the elastic anisotropic conductive films is supported by the frame plate, the elastic anisotropic conductive film is not easily deformed and easy to handle. Also, by forming a positioning mark (for example, a hole) in the frame plate in advance, In the electrical connection operation, alignment and holding / fixing with respect to the integrated circuit device can be easily performed.
(3) Since the elastic anisotropic conductive film having a small size has a small absolute amount of thermal expansion even when subjected to a thermal history, the thermal expansion of the elastic anisotropic conductive film is restricted by the frame plate, and the anisotropic conductive film The thermal expansion of the entire connector depends on the thermal expansion of the material that makes up the frame plate. However, as a result of preventing the displacement between the conductive portion of the anisotropic conductive connector and the electrode to be inspected on the wafer, a good electrical connection state is stably maintained.

そして、このような異方導電性コネクターは、以下のようにして製造される。
図３８に示すような上型８０およびこれと対となる下型８５よりなる弾性異方導電膜成形用の金型を用意する。この金型における上型８０および下型８５の各々は、基板８１，８６上に、成形すべき異方導電性エラストマーシートの導電部のパターンに対応するパターンに従って配置された複数の強磁性体層８２，８７と、これらの強磁性体層８２，８７が形成された個所以外の個所に配置された非磁性体層８３，８８とが設けられており、強磁性体層８２，８７および非磁性体層８３，８８により、成形面が形成されている。そして、上型８０および下型８５は、対応する強磁性体層８２，８７が互いに対向するよう配置されている。
このような金型内に、図３９に示すように、検査対象であるウエハにおける電極領域に対応して開口９１が形成されたフレーム板９０を位置合わせして配置すると共に、硬化処理によって弾性高分子物質となる高分子物質形成材料中に磁性を示す導電性粒子Ｐが分散されてなる成形材料層９５Ａを、フレーム板９０の各開口９１を塞ぐようを形成する。ここで、成形材料層９５Ａに含有されている導電性粒子Ｐは、当該成形材料層９５Ａ中に分散された状態である。 And such an anisotropically conductive connector is manufactured as follows.
A mold for forming an elastic anisotropic conductive film comprising an upper mold 80 and a lower mold 85 paired therewith as shown in FIG. 38 is prepared. Each of the upper mold 80 and the lower mold 85 in the mold includes a plurality of ferromagnetic layers arranged on the substrates 81 and 86 according to a pattern corresponding to the pattern of the conductive portion of the anisotropic conductive elastomer sheet to be molded. 82 and 87, and nonmagnetic layers 83 and 88 arranged at locations other than the locations where these ferromagnetic layers 82 and 87 are formed, and the ferromagnetic layers 82 and 87 and the nonmagnetic layers are provided. The body layers 83 and 88 form a molding surface. The upper mold 80 and the lower mold 85 are arranged so that the corresponding ferromagnetic layers 82 and 87 face each other.
In such a mold, as shown in FIG. 39, a frame plate 90 in which an opening 91 is formed corresponding to an electrode region in a wafer to be inspected is aligned and disposed, and a high elasticity is obtained by a curing process. A molding material layer 95A in which conductive particles P exhibiting magnetism are dispersed in a polymer substance-forming material that is a molecular substance is formed so as to close each opening 91 of the frame plate 90. Here, the conductive particles P contained in the molding material layer 95A are in a state of being dispersed in the molding material layer 95A.

そして、上型８０の上面およひ下型８５の下面に例えば一対の電磁石を配置してこれを作動させることにより、成形材料層９５Ａには、上型８０の強磁性体層８２とこれに対応する下型８５の強磁性体層８７との間の部分すなわち導電部となる部分において、それ以外の部分より大きい強度の磁場が当該成形材料層９５Ａの厚み方向に作用される。その結果、成形材料層９５Ａ中に分散されている導電性粒子Ｐは、図４０に示すように、当該成形材料層９５Ａにおける大きい強度の磁場が作用されている部分、すなわち上型８０の強磁性体層８２とこれに対応する下型８５の強磁性体層８７との間の部分に集合し、更には厚み方向に並ぶよう配向する。そして、この状態で、成形材料層９５Ａの硬化処理を行うことにより、導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有された複数の導電部９６と、これらの導電部９６を相互に絶縁する絶縁部９７とよりなる弾性異方導電膜９５が、その周縁部がフレーム板９０の開口縁部に支持された状態で成形され、以て異方導電性コネクターが製造される。   Then, for example, a pair of electromagnets are arranged on the upper surface of the upper die 80 and the lower surface of the lower die 85 and are operated, so that the molding material layer 95A has the ferromagnetic layer 82 of the upper die 80 and the same. In a portion between the corresponding lower die 85 and the ferromagnetic layer 87, that is, a portion serving as a conductive portion, a magnetic field having a stronger intensity than the other portions is applied in the thickness direction of the molding material layer 95A. As a result, the conductive particles P dispersed in the molding material layer 95A are, as shown in FIG. 40, a portion of the molding material layer 95A to which a high-intensity magnetic field is applied, that is, the ferromagnetic material of the upper mold 80. They are gathered at a portion between the body layer 82 and the corresponding ferromagnetic layer 87 of the lower mold 85, and are further aligned in the thickness direction. In this state, by performing a curing process on the molding material layer 95A, a plurality of conductive portions 96 contained in a state in which the conductive particles P are aligned so as to be aligned in the thickness direction, and these conductive portions 96 are mutually connected. An elastic anisotropic conductive film 95 composed of an insulating portion 97 to be insulated is molded in a state where the peripheral edge portion is supported by the opening edge portion of the frame plate 90, whereby an anisotropic conductive connector is manufactured.

しかしながら、このような製造方法においては、以下のような問題がある。
被検査電極が小さいピッチで高密度に配置されたウエハについて電気的検査を行う場合には、導電部のピッチが小さくて高密度に配置された異方導電性コネクターを用いることが必要である。而して、このような異方導電性コネクターの製造においては、当然のことながら強磁性体層８２，８７が極めて小さいピッチで配置された上型８０および下型８５を用いることが必要である。
然るに、このような上型８０および下型８５を用い、上述のようにして弾性異方導電膜９５を形成する場合には、上型８０および下型８５の各々において、互いに隣接する強磁性体層８２，８７の間の離間距離が小さいため、図４１に示すように、上型８０における或る強磁性体層８２ａからこれに対応する下型８５の強磁性体層８７ａに向かう方向（矢印Ｘで示す）のみならず、例えば上型８０の強磁性体層８２ａからこれに対応する下型８５の強磁性体層８７ａに隣接する強磁性体層８７ｂに向かう方向（矢印Ｙで示す）或いは上型８０の強磁性体層８２ｂから下型８５の強磁性体層８７ａにも磁場が作用することとなる。そのため、成形材料層９５Ａにおいて、導電性粒子Ｐを、上型８０の強磁性体層８２ａとこれに対応する下型８５の強磁性体層８７ａとの間に位置する部分に集合させることが困難となり、上型８０の強磁性体層８２ａと下型８５の強磁性体層８７ｂとの間に位置する部分にも導電性粒子が集合してしまい、また、導電性粒子Ｐを成形材料層９５Ａの厚み方向に十分に配向させることが困難となり、その結果、所期の導電部および絶縁部を有する異方導電性コネクターが得られない。 However, such a manufacturing method has the following problems.
When electrical inspection is performed on a wafer in which electrodes to be inspected are arranged at a high density with a small pitch, it is necessary to use anisotropic conductive connectors in which the pitch of the conductive portions is small and arranged at a high density. Thus, in manufacturing such an anisotropic conductive connector, it is naturally necessary to use the upper mold 80 and the lower mold 85 in which the ferromagnetic layers 82 and 87 are arranged at a very small pitch. .
However, when such an upper die 80 and lower die 85 are used to form the elastic anisotropic conductive film 95 as described above, the ferromagnetic materials adjacent to each other in each of the upper die 80 and the lower die 85. Since the separation distance between the layers 82 and 87 is small, as shown in FIG. 41, the direction from the certain ferromagnetic layer 82a in the upper mold 80 toward the corresponding ferromagnetic layer 87a in the lower mold 85 (arrow) X), for example, a direction from the ferromagnetic layer 82a of the upper mold 80 toward the ferromagnetic layer 87b adjacent to the corresponding ferromagnetic layer 87a of the lower mold 85 (indicated by an arrow Y) or A magnetic field also acts from the ferromagnetic layer 82b of the upper mold 80 to the ferromagnetic layer 87a of the lower mold 85. Therefore, in the molding material layer 95A, it is difficult to gather the conductive particles P in a portion located between the ferromagnetic layer 82a of the upper mold 80 and the corresponding ferromagnetic layer 87a of the lower mold 85. Thus, the conductive particles also gather at a portion located between the ferromagnetic layer 82a of the upper mold 80 and the ferromagnetic layer 87b of the lower mold 85, and the conductive particles P are transferred to the molding material layer 95A. As a result, it is difficult to obtain an anisotropic conductive connector having a desired conductive portion and insulating portion.

また、上記のプローカードにおいては、以下のような問題がある。
プローブカードを構成するためには、検査用回路基板、異方導電性コネクターおよびシート状プローブの３つの部品が必要であるため、全体の構造が複雑であり、しかも、これらの部品を組み立てる際には、異方導電性コネクターの位置合わせおよびシート状プローブの位置合わせが必要であるため、組み立て作業が極めて煩雑である。
また、シート状プローブは、例えばポリイミドよりなる絶縁性シートに電極構造体が配置されてなるものであるため、温度変化による熱履歴を受けると、絶縁性シートの熱膨張によって被検査電極に対する位置ずれが生じる結果、電気的接続状態が変化して安定な接続状態を維持することが困難である。
このような問題を解決する手段としては、シート状プローブを配置することに代えて、異方導電性コネクターにおける弾性異方導電膜の接続用導電部上に、金属よりなる接点部材を一体的に形成することが考えられる。このような接点部材は、例えば弾性異方導電膜における接続用導電部以外の部分の表面にレジスト層を形成したうえで、当該接続用導電部の表面に対してスパッタ処理または無電解メッキ処理を施すことにより、形成することができる。然るに、このような異方導電性コネクターにおいては、弾性異方導電膜を構成する弾性高分子物質と接点部材を構成する金属との接着性が低いため、異方導電性コネクターを繰り返して使用した場合には、早期に接点部材が接続用導電部の表面から剥離して離脱し、従って、長い使用寿命が得られない、という問題がある。 Further, the above-mentioned pro card has the following problems.
In order to construct a probe card, the test circuit board, the anisotropic conductive connector, and the sheet-like probe require three parts, so the overall structure is complicated, and when assembling these parts, Since the alignment of the anisotropic conductive connector and the alignment of the sheet-like probe are necessary, the assembly work is extremely complicated.
In addition, since the electrode probe is disposed on an insulating sheet made of, for example, polyimide, the sheet-like probe is displaced from the electrode to be inspected due to the thermal expansion of the insulating sheet when subjected to a thermal history due to a temperature change. As a result, it is difficult to maintain a stable connection state by changing the electrical connection state.
As a means for solving such a problem, instead of arranging a sheet-like probe, a contact member made of metal is integrally formed on the conductive portion for connection of the elastic anisotropic conductive film in the anisotropic conductive connector. It is conceivable to form. Such a contact member is formed, for example, by forming a resist layer on the surface of the elastic anisotropic conductive film other than the connection conductive portion, and then subjecting the surface of the connection conductive portion to sputtering or electroless plating. By applying, it can be formed. However, in such an anisotropic conductive connector, since the adhesiveness between the elastic polymer material constituting the elastic anisotropic conductive film and the metal constituting the contact member is low, the anisotropic conductive connector is repeatedly used. In such a case, there is a problem that the contact member peels off from the surface of the connecting conductive portion at an early stage, and therefore, a long service life cannot be obtained.

特開昭５１−９３３９３号公報JP 51-93393 A 特開昭５３−１４７７７２号公報Japanese Patent Laid-Open No. 53-147772 特開昭６１−２５０９０６号公報JP-A-61-250906 特開２００２−３３４７３２号公報JP 2002-334732 A

本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その目的は、検査対象であるウエハにおける被検査電極のピッチが極めて小さいものであっても、ウエハに対する良好な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、接点部材が接続用導電部から早期に離脱することがなくて長い使用寿命が得られるウエハ検査用異方導電性コネクターおよびその製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、検査対象であるウエハにおける被検査電極のピッチが極めて小さいものであっても、ウエハに対する良好な電気的接続状態を確実に達成することができるウエハ検査用プローブカードおよびウエハ検査装置を提供することにある。 The present invention has been made on the basis of the above circumstances, and its purpose is to achieve good electrical connection to a wafer even when the pitch of electrodes to be inspected on the wafer to be inspected is extremely small. To provide an anisotropic conductive connector for wafer inspection and a method for manufacturing the same, which can reliably achieve the state, and the contact member does not detach from the conductive portion for connection at an early stage, and a long service life is obtained. It is in.
Another object of the present invention is to provide a wafer inspection probe card capable of reliably achieving a good electrical connection state to a wafer even when the pitch of electrodes to be inspected on the wafer to be inspected is extremely small. A wafer inspection apparatus is provided.

本発明のウエハ検査用異方導電性コネクターの製造方法は、検査対象であるウエハに形成された全てのまたは一部の集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応して複数の開口が形成されたフレーム板と、前記電極領域における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置された弾性高分子物質中に磁性を示す導電性粒子が含有されてなる複数の接続用導電部およびこれらを相互に絶縁する弾性高分子物質よりなる絶縁部を有し、前記フレーム板にその開口を塞ぐよう配置されて支持された複数の弾性異方導電膜と、これらの弾性異方導電膜における各接続用導電部上に配置された金属よりなる複数の接点部材とを具えてなるウエハ検査用異方導電性コネクターを製造する方法であって、
支持体上に配置されたフレーム板に、硬化されて弾性高分子物質となる液状の高分子物質形成材料中に磁性を示す導電性粒子が含有されてなる複数の導電性エラストマー用材料層を当該フレーム板の開口の各々を塞ぐよう形成し、これらの導電性エラストマー用材料層の表面に、前記被検査電極のパターンに対応する特定のパターンに従って磁性を示す金属マスクを配置し、この状態で、当該導電性エラストマー用材料層に対して、その厚み方向に磁場を作用させると共に、当該導電性エラストマー用材料層の各々を硬化処理することにより、複数の導電性エラストマー層を形成し、これらの導電性エラストマー層をレーザー加工して前記金属マスクが配置された部分の周辺部分を除去することにより、前記支持体上にに配置されたフレーム板の各開口内に前記特定のパターンに従って配置された複数の接続用導電部を形成し、前記支持体上における接続用導電部の間に、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質形成材料よりなる絶縁部用材料層を形成することにより、第１の中間体を製造する工程と、
金属膜上に、前記接続用導電部に対応するパターンに従って配置された複数の接点部材を形成し、これらの接点部材の間に、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質形成材料よりなる絶縁部用材料層を形成することにより、第２の中間体を製造する工程と、
前記第１の中間体と前記第２の中間体とを、接続用導電部の各々にこれに対応する接点部材の各々が対接するよう積重し、この状態で、第１の中間体および第２の中間体の各々の絶縁部用材料層を硬化処理することにより絶縁部を形成する工程と
を有することを特徴とする。 The method for manufacturing an anisotropic conductive connector for wafer inspection according to the present invention includes a plurality of openings corresponding to electrode regions in which electrodes to be inspected are arranged in all or a part of integrated circuits formed on a wafer to be inspected. A plurality of connecting conductive parts each including conductive particles exhibiting magnetism in an elastic polymer material arranged according to a pattern corresponding to the pattern of the electrode to be inspected in the electrode region, and A plurality of elastic anisotropic conductive films arranged and supported by the frame plate so as to close the openings, and each of the elastic anisotropic conductive films. A method of manufacturing an anisotropic conductive connector for wafer inspection, comprising a plurality of contact members made of metal disposed on a conductive part for connection,
A plurality of conductive elastomer material layers in which conductive particles exhibiting magnetism are contained in a liquid polymer substance forming material that is cured to become an elastic polymer substance are provided on a frame plate disposed on a support. Each of the openings of the frame plate is formed to be closed, and a metal mask showing magnetism is arranged on the surface of the conductive elastomer material layer according to a specific pattern corresponding to the pattern of the electrode to be inspected. A magnetic field is applied to the conductive elastomer material layer in the thickness direction, and each of the conductive elastomer material layers is cured to form a plurality of conductive elastomer layers. A frame disposed on the support by removing a peripheral portion of the portion where the metal mask is disposed by laser processing the functional elastomer layer Forming a plurality of connecting conductive portions arranged in the respective openings according to the specific pattern, and being cured between the connecting conductive portions on the support to become an elastic polymer material Forming a first intermediate by forming an insulating material layer comprising:
A plurality of contact members arranged according to a pattern corresponding to the conductive portion for connection are formed on the metal film, and a polymer material forming material that is cured and becomes an elastic polymer material between the contact members. Forming a second intermediate by forming an insulating material layer;
The first intermediate body and the second intermediate body are stacked so that each of the contact members corresponding to each of the connecting conductive portions is in contact with each other, and in this state, the first intermediate body and the second intermediate body And a step of forming an insulating part by curing the insulating part material layer of each of the two intermediates.

本発明のウエハ検査用異方導電性コネクターの製造方法においては、レーザー加工は、炭酸ガスレーザーまたは紫外線レーザーによるものであることが好ましい。   In the method for producing an anisotropic conductive connector for wafer inspection according to the present invention, the laser processing is preferably performed by a carbon dioxide laser or an ultraviolet laser.

本発明のウエハ検査用異方導電性コネクターは、上記の製造方法によって得られることを特徴とする。   The anisotropic conductive connector for wafer inspection according to the present invention is obtained by the above manufacturing method.

本発明のウエハ検査用プローブカードは、検査対象であるウエハに形成された全てのまたは一部の集積回路における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って複数の検査用電極が表面に形成された検査用回路基板と、この検査用回路基板の表面上に配置された、上記のウエハ検査用異方導電性コネクターとを具えてなることを特徴とする。   The probe card for wafer inspection according to the present invention is an inspection in which a plurality of inspection electrodes are formed on the surface according to a pattern corresponding to the pattern of the electrode to be inspected in all or some of the integrated circuits formed on the wafer to be inspected. And a wafer inspection anisotropic conductive connector disposed on the surface of the inspection circuit board.

本発明のウエハ検査装置は、ウエハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をウエハの状態で行うウエハ検査装置であって、
上記のウエハ検査用プローブカードを具えてなることを特徴とする。 The wafer inspection apparatus of the present invention is a wafer inspection apparatus that performs electrical inspection of a plurality of integrated circuits formed on a wafer in the state of the wafer,
It comprises the probe card for wafer inspection described above.

本発明のウエハ検査用異方導電性コネクターの製造方法によれば、導電性エラストマー用材料層上に、検査対象であるウエハにおける被検査電極のパターンに対応する特定のパターンに従って磁性を示す金属マスクを配置した状態で、当該導電性エラスマー用材料層の厚み方向に磁場を作用させると共に当該導電性エラストマー用材料層を硬化処理することにより、得られる導電性エラストマー層は、金属マスクが配置された部分における導電性粒子が密となり、それ以外の部分における導電性粒子が疎となる。そのため、金属マスクを介して導電性エラストマー層をレーザー加工することにより、当該導電性エラストマー層における金属マスクが配置されていない部分を容易に除去することができるので、所期の形態の接続用導電部を特定のパターンに従って確実に形成することができる。そして、特定のパターンに従って配置された複数の接続用導電部を形成したうえで、これらの接続用導電部の間に絶縁部用材料層を形成して硬化処理することにより絶縁部を形成するため、導電性粒子が全く存在しない絶縁部を確実に得ることができる。
しかも、複数の接続用導電部の間に絶縁部用材料層が形成されてなる第１の中間体と、複数の接点部材の間に絶縁部用材料層が形成されてなる第２の中間体とを積重し、当該絶縁部用材料層を硬化処理することにより、得られる異方導電性コネクターにおいては、接点部材は絶縁部に埋め込まれた状態で固定される。
従って、このような方法によって得られる本発明のウエハ検査用異方導電性コネクターによれば、検査対象であるウエハにおける被検査電極のピッチが極めて小さいものであっても、ウエハに対する良好な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、接点部材が接続用導電部から早期に離脱することがなくて長い使用寿命が得られる。
また、弾性異方導電膜における接続用導電部上には、接点部材が配置されているため、ウエハの検査を行う際に、シート状プローブを用いることが不要となるので、簡単な構造のプローブカードを得ることができると共に、シート状プローブの位置ずれによる接続不良を回避することができる。 According to the method for manufacturing an anisotropic conductive connector for wafer inspection of the present invention, a metal mask showing magnetism on a conductive elastomer material layer according to a specific pattern corresponding to a pattern of an electrode to be inspected on a wafer to be inspected The conductive elastomer layer obtained by applying a magnetic field in the thickness direction of the conductive elastomer material layer and curing the conductive elastomer material layer with the metal mask disposed thereon The conductive particles in the part are dense, and the conductive particles in the other part are sparse. Therefore, by laser processing the conductive elastomer layer through the metal mask, the portion of the conductive elastomer layer where the metal mask is not disposed can be easily removed. The part can be reliably formed according to a specific pattern. And, after forming a plurality of conductive portions for connection arranged according to a specific pattern, forming an insulating portion material layer between these conductive portions for connection and performing a curing process to form an insulating portion Thus, it is possible to reliably obtain an insulating part in which no conductive particles are present.
And the 1st intermediate body in which the insulating part material layer is formed between several conductive parts for connection, and the 2nd intermediate body in which the insulating part material layer is formed between several contact members In the anisotropic conductive connector obtained, the contact member is fixed in a state of being embedded in the insulating portion.
Therefore, according to the anisotropic conductive connector for wafer inspection of the present invention obtained by such a method, even if the pitch of the electrodes to be inspected in the wafer to be inspected is extremely small, good electrical conductivity with respect to the wafer is obtained. The connected state can be reliably achieved, and the contact member is not detached from the connecting conductive portion at an early stage, and a long service life can be obtained.
In addition, since a contact member is arranged on the connecting conductive portion of the elastic anisotropic conductive film, it is not necessary to use a sheet-like probe when inspecting the wafer. A card can be obtained, and a connection failure due to a positional deviation of the sheet-like probe can be avoided.

本発明のウエハ検査用プローブカードおよびウエハ検査装置によれば、上記のウエハ検査用異方導電性コネクターを具えてなるため、検査対象であるウエハにおける被検査電極のピッチが極めて小さいものであっても、ウエハに対する良好な電気的接続状態を確実に達成することができる。   According to the wafer inspection probe card and the wafer inspection apparatus of the present invention, since the anisotropic conductive connector for wafer inspection is provided, the pitch of the electrodes to be inspected on the wafer to be inspected is extremely small. However, it is possible to reliably achieve a good electrical connection to the wafer.

以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。
〔異方導電性コネクター〕
図１は、本発明に係る第１の例のウエハ検査用異方導電性コネクターを示す平面図、図２は、図１に示すウエハ検査用異方導電性コネクターの一部を拡大して示す平面図、図３は、図１に示すウエハ検査用異方導電性コネクターの一部を拡大して示す説明用断面図である。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail.
[Anisotropic conductive connector]
1 is a plan view showing an anisotropic conductive connector for wafer inspection of a first example according to the present invention, and FIG. 2 is an enlarged view of a portion of the anisotropic conductive connector for wafer inspection shown in FIG. FIG. 3 is a plan view illustrating an enlarged part of the anisotropic conductive connector for wafer inspection shown in FIG.

第１の例のウエハ検査用異方導電性コネクター（以下、単に「異方導電性コネクター」ともいう。）２０は、例えば複数の集積回路が形成されたウエハについて当該集積回路の各々の電気的検査をウエハの状態で行うために用いられるものであって、複数の開口２２（破線で示す）が形成されたフレーム板２１を有する。このフレーム板２１の開口２２は、検査対象であるウエハに形成された全ての集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応して形成されている。このフレーム板２１には、厚み方向に導電性を有する複数の弾性異方導電膜２３が、それぞれ一の開口２２を塞ぐよう配置されて当該開口縁部に支持されている。
弾性異方導電膜２３の各々においては、図２に示すように、厚み方向（図２において紙面と垂直な方向）に伸びる複数の接続用導電部２４が、フレーム板２１の開口２２内に位置するよう配置され、隣接する接続用導電部２４の間には、これらを相互に絶縁する絶縁部２５が接続用導電部２４に一体的に接着した状態で形成されている。接続用導電部２４の各々は、検査対象であるウエハに形成された集積回路における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置され、当該ウエハの検査において、その被検査電極に電気的に接続されるものである。
弾性異方導電膜２３における接続用導電部２４は、図３に示すように、弾性高分子物質中に磁性を示す導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されて構成されている。これに対して、絶縁部２５は、導電性粒子Ｐが全く含有されていない弾性高分子物質よりなるものである。接続用導電部２４を構成する弾性高分子物質と絶縁部２５を構成する弾性高分子物質とは、互いに異なる種類のものであっても同じ種類のものであってもよい。
弾性異方導電膜２３における接続用導電部２４の各々の表面には、金属よりなる平板状の接点部材２７が配置されている。これらの接点部材２７の各々は、絶縁部２５に埋め込まれ、当該接点部材２７の側面が絶縁部２５に一体的に接着した状態で設けられている。 また、図示の例では、接点部材２７および絶縁部２５における接点部材２７の周辺部分が表面から突出した状態とされており、これにより、接点部材２７を小さい加圧力で加圧した場合でも、接続用導電部２４が確実に厚み方向に圧縮するよう変形する結果、高い導電性が得られる。 The anisotropic conductive connector for wafer inspection (hereinafter also simply referred to as “anisotropic conductive connector”) 20 of the first example is an electrical circuit for each of the integrated circuits on a wafer on which a plurality of integrated circuits are formed, for example. The frame plate 21 is used to perform inspection in the state of a wafer and has a plurality of openings 22 (shown by broken lines). The opening 22 of the frame plate 21 is formed corresponding to the electrode region where the electrodes to be inspected are arranged in all the integrated circuits formed on the wafer to be inspected. A plurality of elastic anisotropic conductive films 23 having conductivity in the thickness direction are arranged on the frame plate 21 so as to close one opening 22 and supported by the opening edge.
In each of the elastic anisotropic conductive films 23, as shown in FIG. 2, a plurality of connecting conductive portions 24 extending in the thickness direction (direction perpendicular to the paper surface in FIG. 2) are located in the openings 22 of the frame plate 21. Between the adjacent connecting conductive portions 24, an insulating portion 25 that insulates them from each other is formed in a state of being integrally bonded to the connecting conductive portion 24. Each of the connecting conductive portions 24 is arranged according to a pattern corresponding to the pattern of the electrode to be inspected in the integrated circuit formed on the wafer to be inspected, and is electrically connected to the electrode to be inspected in the inspection of the wafer. Is.
As shown in FIG. 3, the connecting conductive portion 24 in the elastic anisotropic conductive film 23 is densely contained in the elastic polymer material in a state in which the conductive particles P exhibiting magnetism are aligned in the thickness direction. Has been. In contrast, the insulating portion 25 is made of an elastic polymer material that does not contain the conductive particles P at all. The elastic polymer material constituting the connecting conductive portion 24 and the elastic polymer material constituting the insulating portion 25 may be of different types or the same type.
A flat contact member 27 made of metal is disposed on each surface of the connecting conductive portion 24 in the elastic anisotropic conductive film 23. Each of these contact members 27 is embedded in the insulating portion 25 and is provided in a state where the side surface of the contact member 27 is integrally bonded to the insulating portion 25. Further, in the illustrated example, the contact member 27 and the peripheral portion of the contact member 27 in the insulating portion 25 are protruded from the surface, so that even when the contact member 27 is pressurized with a small pressurizing force, the connection is achieved. As a result of the deformation so that the conductive portion 24 is reliably compressed in the thickness direction, high conductivity is obtained.

フレーム板２１の厚みは、その材質によって異なるが、２５〜６００μｍであることが好ましく、より好ましくは４０〜４００μｍである。
この厚みが２５μｍ未満である場合には、異方導電性コネクター２０を使用する際に必要な強度が得られず、耐久性が低いものとなりやすく、また、当該フレーム板２１の形状が維持される程度の剛性が得られず、異方導電性コネクター２０の取扱い性が低いものとなる。一方、厚みが６００μｍを超える場合には、開口２２に形成される弾性異方導電膜２３は、その厚みが過大なものとなって、接続用導電部２４における良好な導電性を得ることが困難となることがある。
フレーム板２１の開口２２における面方向の形状および寸法は、検査対象であるウエハの被検査電極の寸法、ピッチおよびパターンに応じて設計される。 Although the thickness of the frame board 21 changes with materials, it is preferable that it is 25-600 micrometers, More preferably, it is 40-400 micrometers.
When this thickness is less than 25 μm, the strength required when using the anisotropic conductive connector 20 is not obtained, the durability tends to be low, and the shape of the frame plate 21 is maintained. A degree of rigidity cannot be obtained, and the handleability of the anisotropic conductive connector 20 is low. On the other hand, when the thickness exceeds 600 μm, the elastic anisotropic conductive film 23 formed in the opening 22 becomes excessively thick and it is difficult to obtain good conductivity in the connecting conductive portion 24. It may become.
The shape and size in the surface direction of the opening 22 of the frame plate 21 are designed according to the size, pitch, and pattern of the electrodes to be inspected on the wafer to be inspected.

フレーム板２１を構成する材料としては、当該フレーム板２１が容易に変形せず、その形状が安定に維持される程度の剛性を有するものであれば特に限定されず、例えば、金属材料、セラミックス材料、樹脂材料などの種々の材料を用いることができ、フレーム板２１を例えば金属材料により構成する場合には、当該フレーム板２１の表面に絶縁性被膜が形成されていてもよい。
フレーム板２１を構成する金属材料の具体例としては、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト、マグネシウム、マンガン、モリブデン、インジウム、鉛、パラジウム、チタン、タングステン、アルミニウム、金、白金、銀などの金属またはこれらを２種以上組み合わせた合金若しくは合金鋼などが挙げられる。
フレーム板２１を構成する樹脂材料の具体例としては、液晶ポリマー、ポリイミド樹脂などが挙げられる。
また、フレーム板２１を構成する材料としては、線熱膨張係数が３×１０-5／Ｋ以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは−１×１０-7〜１×１０-5／Ｋ、特に好ましくは１×１０-6〜８×１０-6／Ｋである。
このような材料の具体例としては、インバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、スーパーインバー、コバール、４２合金などの磁性金属の合金または合金鋼などが挙げられる。 The material constituting the frame plate 21 is not particularly limited as long as the frame plate 21 is not easily deformed and has a rigidity that allows the shape to be stably maintained. For example, a metal material, a ceramic material Various materials such as a resin material can be used. When the frame plate 21 is made of, for example, a metal material, an insulating coating may be formed on the surface of the frame plate 21.
Specific examples of the metal material constituting the frame plate 21 include metals such as iron, copper, nickel, chromium, cobalt, magnesium, manganese, molybdenum, indium, lead, palladium, titanium, tungsten, aluminum, gold, platinum, and silver. Or the alloy or alloy steel which combined 2 or more types of these is mentioned.
Specific examples of the resin material constituting the frame plate 21 include a liquid crystal polymer and a polyimide resin.
Moreover, as a material which comprises the frame board 21, it is preferable to use a thing with a linear thermal expansion coefficient of 3 * 10 < -5 > / K or less, More preferably, it is -1 * 10 < -7 > -1 * 10 < -5 > / K. Particularly preferably, it is 1 × 10 −6 to 8 × 10 −6 / K.
Specific examples of such materials include Invar type alloys such as Invar, Elinvar type alloys such as Elinvar, magnetic metal alloys such as Super Invar, Kovar, and 42 alloy, or alloy steel.

弾性異方導電膜２３の全厚（図示の例では接続用導電部２４における厚み）は、５０〜２０００μｍであることが好ましく、より好ましくは７０〜１０００μｍ、特に好ましくは８０〜５００μｍである。この厚みが５０μｍ以上であれば、十分な強度を有する弾性異方導電膜２３が確実に得られる。一方、この厚みが２０００μｍ以下であれば、所要の導電性特性を有する接続用導電部２４が確実に得られる。   The total thickness of the elastic anisotropic conductive film 23 (thickness in the connecting conductive portion 24 in the illustrated example) is preferably 50 to 2000 μm, more preferably 70 to 1000 μm, and particularly preferably 80 to 500 μm. If this thickness is 50 μm or more, the elastic anisotropic conductive film 23 having sufficient strength can be obtained reliably. On the other hand, if the thickness is 2000 μm or less, the connecting conductive portion 24 having the required conductive characteristics can be obtained reliably.

弾性異方導電膜２３における接続用導電部２４および絶縁部２５を形成する弾性高分子物質としては、架橋構造を有する耐熱性の高分子物質が好ましい。かかる架橋高分子物質を得るために用いることができる硬化性の高分子物質形成材料としては、種々のものを用いることができるが、液状シリコーンゴムが好ましい。
液状シリコーンゴムは、付加型のものであっても縮合型のものであってもよいが、付加型液状シリコーンゴムが好ましい。この付加型液状シリコーンゴムは、ビニル基とＳｉ−Ｈ結合との反応によって硬化するものであって、ビニル基およびＳｉ−Ｈ結合の両方を含有するポリシロキサンからなる一液型（一成分型）のものと、ビニル基を含有するポリシロキサンおよびＳｉ−Ｈ結合を含有するポリシロキサンからなる二液型（二成分型）のものがあるが、本発明においては、二液型の付加型液状シリコーンゴムを用いることが好ましい。 As the elastic polymer material forming the connection conductive portion 24 and the insulating portion 25 in the elastic anisotropic conductive film 23, a heat-resistant polymer material having a crosslinked structure is preferable. Various materials can be used as the curable polymer material-forming material that can be used to obtain such a crosslinked polymer material, but liquid silicone rubber is preferred.
The liquid silicone rubber may be an addition type or a condensation type, but an addition type liquid silicone rubber is preferred. This addition-type liquid silicone rubber is cured by a reaction between a vinyl group and a Si—H bond, and is a one-pack type (one-component type) made of polysiloxane containing both a vinyl group and a Si—H bond. And a two-component type (two-component type) composed of a polysiloxane containing a vinyl group and a polysiloxane containing a Si-H bond. In the present invention, a two-component addition-type liquid silicone is used. It is preferable to use rubber.

付加型液状シリコーンゴムとしては、その２３℃における粘度が１００〜１，２５０Ｐａ・ｓのものを用いることが好ましく、さらに好ましくは１５０〜８００Ｐａ・ｓ、特に好ましくは２５０〜５００Ｐａ・ｓのものである。この粘度が１００Ｐａ・ｓ未満である場合には、後述する接続用導電部２４を得るための導電性エラストマー用材料において、当該付加型液状シリコーンゴム中における導電性粒子の沈降が生じやすく、良好な保存安定性が得られず、また、後述する導電性エラストマー用材料層に平行磁場を作用させたときに、導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向せず、均一な状態で導電性粒子の連鎖を形成することが困難となることがある。一方、この粘度が１，２５０Ｐａ・ｓを超える場合には、得られる導電性エラストマー用材料が粘度の高いものとなるため、導電性エラストマー用材料層に平行磁場を作用させても、導電性粒子が十分に移動せず、そのため、導電性粒子を厚み方向に並ぶよう配向させることが困難となることがある。
このような付加型液状シリコーンゴムの粘度は、Ｂ型粘度計によって測定することができる。 As the addition type liquid silicone rubber, those having a viscosity at 23 ° C. of 100 to 1,250 Pa · s are preferably used, more preferably 150 to 800 Pa · s, and particularly preferably 250 to 500 Pa · s. . In the case where the viscosity is less than 100 Pa · s, in the conductive elastomer material for obtaining the connecting conductive portion 24 described later, the sedimentation of the conductive particles in the addition-type liquid silicone rubber is likely to occur, which is favorable. Storage stability is not obtained, and when a parallel magnetic field is applied to the conductive elastomer material layer described later, the conductive particles are not aligned so as to be aligned in the thickness direction, and the conductive particles are chained in a uniform state. May be difficult to form. On the other hand, when the viscosity exceeds 1,250 Pa · s, the resulting conductive elastomer material has a high viscosity. Therefore, even if a parallel magnetic field is applied to the conductive elastomer material layer, the conductive particles May not move sufficiently, and it may be difficult to orient the conductive particles so that they are aligned in the thickness direction.
The viscosity of such an addition type liquid silicone rubber can be measured by a B type viscometer.

弾性異方導電膜２３を液状シリコーンゴムの硬化物（以下、「シリコーンゴム硬化物」という。）によって形成する場合において、当該シリコーンゴム硬化物は、その１５０℃における圧縮永久歪みが１０％以下であることが好ましく、より好ましくは８％以下、さらに好ましくは６％以下である。この圧縮永久歪みが１０％を超える場合には、得られる異方導電性コネクター２０を多数回にわたって繰り返し使用したとき或いは高温環境下において繰り返し使用したときには、接続用導電部２４に永久歪みが発生しやすく、これにより、接続用導電部２４における導電性粒子の連鎖に乱れが生じる結果、所要の導電性を維持することが困難となる。
ここで、シリコーンゴム硬化物の圧縮永久歪みは、ＪＩＳ Ｋ ６２４９に準拠した方法によって測定することができる。 When the elastic anisotropic conductive film 23 is formed of a cured liquid silicone rubber (hereinafter referred to as “silicone rubber cured product”), the cured silicone rubber has a compression set at 150 ° C. of 10% or less. Preferably, it is 8% or less, more preferably 6% or less. When this compression set exceeds 10%, when the anisotropically conductive connector 20 obtained is repeatedly used many times or when it is repeatedly used in a high temperature environment, the connection conductive portion 24 is permanently set. As a result, disorder of the chain of conductive particles in the connecting conductive portion 24 occurs, and it becomes difficult to maintain the required conductivity.
Here, the compression set of the cured silicone rubber can be measured by a method based on JIS K 6249.

また、弾性異方導電膜２３を形成するシリコーンゴム硬化物は、その２３℃におけるデュロメーターＡ硬度が１０〜６０のものであることが好ましく、さらに好ましくは１５〜６０、特に好ましくは２０〜６０のものである。このデュロメーターＡ硬度が１０未満である場合には、加圧されたときに、接続用導電部２４を相互に絶縁する絶縁部２５が過度に歪みやすく、接続用導電部２４間の所要の絶縁性を維持することが困難となることがある。一方、このデュロメーターＡ硬度が６０を超える場合には、接続用導電部２４に適正な歪みを与えるために相当に大きい荷重による加圧力が必要となるため、例えば検査対象であるウエハに大きな変形や破壊が生じやすくなる。
また、シリコーンゴム硬化物として、デュロメーターＡ硬度が上記の範囲外のものを用いる場合には、得られる異方導電性コネクター２０を多数回にわたって繰り返し使用したときには、接続用導電部２４に永久歪みが発生しやすく、これにより、接続用導電部２４における導電性粒子の連鎖に乱れが生じる結果、所要の導電性を維持することが困難となる。
更に、異方導電性コネクター２０を高温環境下における試験例えばＷＬＢＩ試験に用いる場合には、弾性異方導電膜２３を形成するシリコーンゴム硬化物は、その２３℃におけるデュロメーターＡ硬度が２５〜４０のものであることが好ましい。
シリコーンゴム硬化物として、デュロメーターＡ硬度が上記の範囲外のものを用いる場合には、得られる異方導電性コネクター２０を高温度環境下における試験に繰り返し使用したときには、接続用導電部２４に永久歪みが発生しやすく、これにより、接続用導電部２４における導電性粒子の連鎖に乱れが生じる結果、所要の導電性を維持することが困難となる。
ここで、シリコーンゴム硬化物のデュロメーターＡ硬度は、ＪＩＳ Ｋ ６２４９に準拠した方法によって測定することができる。 The cured silicone rubber forming the elastic anisotropic conductive film 23 preferably has a durometer A hardness at 23 ° C. of 10 to 60, more preferably 15 to 60, and particularly preferably 20 to 60. Is. When the durometer A hardness is less than 10, the insulating portions 25 that insulate the connecting conductive portions 24 from each other when pressed are excessively distorted, and required insulation between the connecting conductive portions 24 is obtained. May be difficult to maintain. On the other hand, when the durometer A hardness exceeds 60, a pressing force with a considerably large load is required to give an appropriate distortion to the connecting conductive portion 24. Destruction is likely to occur.
Further, when a silicone rubber cured product having a durometer A hardness outside the above range is used, when the anisotropically conductive connector 20 obtained is repeatedly used many times, the connecting conductive portion 24 is permanently set. As a result, the chain of conductive particles in the connecting conductive portion 24 is disturbed, and it becomes difficult to maintain the required conductivity.
Further, when the anisotropic conductive connector 20 is used in a test under a high temperature environment, for example, a WLBI test, the cured silicone rubber forming the elastic anisotropic conductive film 23 has a durometer A hardness of 25 to 40 at 23 ° C. It is preferable.
When a cured silicone rubber having a durometer A hardness outside the above range is used, when the anisotropically conductive connector 20 obtained is repeatedly used in a test under a high temperature environment, the conductive part 24 for connection is permanently attached. Distortion is likely to occur, and as a result, the chain of conductive particles in the connecting conductive portion 24 is disturbed, so that it becomes difficult to maintain the required conductivity.
Here, the durometer A hardness of the cured silicone rubber can be measured by a method based on JIS K 6249.

また、弾性異方導電膜２３を形成するシリコーンゴム硬化物は、その２３℃における引き裂き強度が８ｋＮ／ｍ以上のものであることが好ましく、さらに好ましくは１０ｋＮ／ｍ以上、より好ましくは１５ｋＮ／ｍ以上、特に好ましくは２０ｋＮ／ｍ以上のものである。この引き裂き強度が８ｋＮ／ｍ未満である場合には、弾性異方導電膜２３に過度の歪みが与えられたときに、耐久性の低下を起こしやすい。
ここで、シリコーンゴム硬化物の引き裂き強度は、ＪＩＳ Ｋ ６２４９に準拠した方法によって測定することができる。 The cured silicone rubber forming the elastic anisotropic conductive film 23 preferably has a tear strength at 23 ° C. of 8 kN / m or more, more preferably 10 kN / m or more, more preferably 15 kN / m. As described above, it is particularly preferably 20 kN / m or more. When the tear strength is less than 8 kN / m, the durability tends to be lowered when the elastic anisotropic conductive film 23 is excessively strained.
Here, the tear strength of the cured silicone rubber can be measured by a method based on JIS K 6249.

このような特性を有する付加型液状シリコーンゴムとしては、信越化学工業株式会社製の液状シリコーンゴム「ＫＥ２０００」シリーズ、「ＫＥ１９５０」シリーズとして市販されているものを用いることができる。   As the addition-type liquid silicone rubber having such properties, those commercially available as liquid silicone rubbers “KE2000” series and “KE1950” series manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. can be used.

本発明においては、付加型液状シリコーンゴムを硬化させるために適宜の硬化触媒を用いることができる。このような硬化触媒としては、白金系のものを用いることができ、その具体例としては、塩化白金酸およびその塩、白金−不飽和基含有シロキサンコンプレックス、ビニルシロキサンと白金とのコンプレックス、白金と１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサンとのコンプレックス、トリオルガノホスフィンあるいはホスファイトと白金とのコンプレックス、アセチルアセテート白金キレート、環状ジエンと白金とのコンプレックスなどの公知のものが挙げられる。
硬化触媒の使用量は、硬化触媒の種類、その他の硬化処理条件を考慮して適宜選択されるが、通常、付加型液状シリコーンゴム１００重量部に対して３〜１５重量部である。 In the present invention, an appropriate curing catalyst can be used to cure the addition type liquid silicone rubber. As such a curing catalyst, a platinum-based catalyst can be used. Specific examples thereof include chloroplatinic acid and salts thereof, platinum-unsaturated siloxane complex, vinylsiloxane-platinum complex, platinum and Examples include known complexes such as 1,3-divinyltetramethyldisiloxane complex, triorganophosphine or phosphite and platinum complex, acetyl acetate platinum chelate, and cyclic diene and platinum complex.
The amount of the curing catalyst used is appropriately selected in consideration of the type of the curing catalyst and other curing conditions, but is usually 3 to 15 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the addition type liquid silicone rubber.

また、付加型液状シリコーンゴム中には、付加型液状シリコーンゴムのチクソトロピー性の向上、粘度調整、導電性粒子の分散安定性の向上、或いは高い強度を有する基材を得ることなどを目的として、必要に応じて、通常のシリカ粉、コロイダルシリカ、エアロゲルシリカ、アルミナなどの無機充填材を含有させることができる。
このような無機充填材の使用量は、特に限定されるものではないが、多量に使用すると、磁場による導電性粒子の配向を十分に達成することができなくなるため、好ましくない。 Further, in the addition type liquid silicone rubber, for the purpose of improving the thixotropy of the addition type liquid silicone rubber, adjusting the viscosity, improving the dispersion stability of the conductive particles, or obtaining a substrate having high strength, etc. As needed, inorganic fillers, such as normal silica powder, colloidal silica, airgel silica, and alumina, can be contained.
The amount of such inorganic filler used is not particularly limited, but if it is used in a large amount, it is not preferable because the orientation of the conductive particles by the magnetic field cannot be sufficiently achieved.

弾性異方導電膜２３における接続用導電部２４に含有される導電性粒子Ｐとしては、磁性を示す芯粒子（以下、「磁性芯粒子」ともいう。）の表面に高導電性金属が被覆されてなるものを用いることが好ましい。   As the conductive particles P contained in the connecting conductive portion 24 in the elastic anisotropic conductive film 23, the surface of the core particles showing magnetism (hereinafter also referred to as “magnetic core particles”) is coated with a highly conductive metal. Is preferably used.

導電性粒子Ｐを得るための磁性芯粒子は、その数平均粒子径が３〜４０μｍのものであることが好ましい。
ここで、磁性芯粒子の数平均粒子径は、レーザー回折散乱法によって測定されたものをいう。
上記数平均粒子径が３μｍ以上であれば、加圧変形が容易で、抵抗値が低くて接続信頼性の高い接続用導電部２４が得られやすい。一方、上記数平均粒子径が４０μｍ以下であれば、微細な接続用導電部２４を容易に形成することができ、また、得られる接続用導電部２４は、安定な導電性を有するものとなりやすい。 The magnetic core particles for obtaining the conductive particles P preferably have a number average particle diameter of 3 to 40 μm.
Here, the number average particle diameter of the magnetic core particles refers to that measured by a laser diffraction scattering method.
When the number average particle diameter is 3 μm or more, it is easy to obtain a conductive portion for connection 24 that is easily deformed under pressure, has a low resistance value, and high connection reliability. On the other hand, when the number average particle diameter is 40 μm or less, the fine connecting conductive portion 24 can be easily formed, and the obtained connecting conductive portion 24 tends to have stable conductivity. .

また、磁性芯粒子は、そのＢＥＴ比表面積が１０〜５００ｍ2 ／ｋｇであることが好ましく、より好ましくは２０〜５００ｍ2 ／ｋｇ、特に好ましくは５０〜４００ｍ2 ／ｋｇである。
このＢＥＴ比表面積が１０ｍ2 ／ｋｇ以上であれば、当該磁性芯粒子はメッキ可能な領域が十分に大きいものであるため、当該磁性芯粒子に所要の量のメッキを確実に行うことができ、従って、導電性の大きい導電性粒子Ｐを得ることができると共に、当該導電性粒子Ｐ間において、接触面積が十分に大きいため、安定で高い導電性が得られる。一方、このＢＥＴ比表面積が５００ｍ2 ／ｋｇ以下であれば、当該磁性芯粒子が脆弱なものとならず、物理的な応力が加わった際に破壊することが少なく、安定で高い導電性が保持される。 The magnetic core particles preferably have a BET specific surface area of 10 to 500 m 2 / kg, more preferably 20 to 500 m 2 / kg, particularly preferably 50 to 400 m 2 / kg.
If the BET specific surface area is 10 m 2 / kg or more, the magnetic core particles have a sufficiently large area that can be plated, so that the magnetic core particles can be reliably plated with a required amount, Accordingly, the conductive particles P having high conductivity can be obtained, and the contact area between the conductive particles P is sufficiently large, so that stable and high conductivity can be obtained. On the other hand, if the BET specific surface area is 500 m 2 / kg or less, the magnetic core particles will not be brittle, and will not break when subjected to physical stress, maintaining stable and high conductivity. Is done.

また、磁性芯粒子は、その粒子径の変動係数が５０％以下のものであることが好ましく、より好ましくは４０％以下、更に好ましくは３０％以下、特に好ましくは２０％以下のものである。
ここで、粒子径の変動係数は、式：（σ／Ｄｎ）×１００（但し、σは、粒子径の標準偏差の値を示し、Ｄｎは、粒子の数平均粒子径を示す。）によって求められるものである。
上記粒子径の変動係数が５０％以下であれば、粒子径の均一性が大きいため、導電性のバラツキの小さい接続用導電部２４を形成することかできる。 The magnetic core particles preferably have a particle diameter variation coefficient of 50% or less, more preferably 40% or less, still more preferably 30% or less, and particularly preferably 20% or less.
Here, the variation coefficient of the particle diameter is obtained by the formula: (σ / Dn) × 100 (where σ represents a standard deviation value of the particle diameter, and Dn represents the number average particle diameter of the particles). It is
If the variation coefficient of the particle diameter is 50% or less, the uniformity of the particle diameter is large, so that the connection conductive portion 24 with small variation in conductivity can be formed.

磁性芯粒子を構成する材料としては、鉄、ニッケル、コバルト、これらの金属を銅、樹脂によってコーティングしたものなどを用いことができるが、その飽和磁化が０．１Ｗｂ／ｍ2 以上のものを好ましく用いることができ、より好ましくは０．３Ｗｂ／ｍ2 以上、特に好ましくは０．５Ｗｂ／ｍ2 以上のものであり、具体的には、鉄、ニッケル、コバルトまたはそれらの合金などが挙げられる。
この飽和磁化が０．１Ｗｂ／ｍ2 以上であれば、後述する方法によって、当該弾性異方導電膜２３を形成するための導電性エラストマー用材料層中において導電性粒子Ｐを容易に移動させることができ、これにより、当該導電性エラストマー用材料層における接続用導電部となる部分に、導電性粒子Ｐを確実に移動させて導電性粒子Ｐの連鎖を形成することができる。 As the material constituting the magnetic core particles, iron, nickel, cobalt, those metals coated with copper or resin, and the like can be used, but those having a saturation magnetization of 0.1 Wb / m 2 or more are preferable. More preferably, it is 0.3 Wb / m 2 or more, particularly preferably 0.5 Wb / m 2 or more, and specific examples include iron, nickel, cobalt, and alloys thereof.
If the saturation magnetization is 0.1 Wb / m 2 or more, the conductive particles P can be easily moved in the conductive elastomer material layer for forming the elastic anisotropic conductive film 23 by a method described later. As a result, the conductive particles P can be reliably moved to the conductive conductive parts for connection in the conductive elastomer material layer to form a chain of conductive particles P.

接続用導電部２４を得るために用いられる導電性粒子Ｐは、上記の磁性芯粒子の表面に高導電性金属が被覆されてなるものである。
ここで、「高導電性金属」とは、０℃における導電率が５×１０6 Ω-1ｍ-1以上のものをいう。
このような高導電性金属としては、金、銀、ロジウム、白金、クロムなどを用いることができ、これらの中では、化学的に安定でかつ高い導電率を有する点で金を用いるが好ましい。 The conductive particles P used for obtaining the connection conductive portion 24 are obtained by coating the surface of the magnetic core particles with a highly conductive metal.
Here, “highly conductive metal” refers to a metal having an electrical conductivity at 0 ° C. of 5 × 10 6 Ω −1 m −1 or more.
As such a highly conductive metal, gold, silver, rhodium, platinum, chromium, or the like can be used. Among these, gold is preferably used because it is chemically stable and has high conductivity.

導電性粒子Ｐは、芯粒子に対する高導電性金属の割合〔（高導電性金属の質量／芯粒子の質量）×１００〕が１５質量％以上とされ、好ましくは２５〜３５質量％とされる。
高導電性金属の割合が１５質量％未満である場合には、得られる異方導電性コネクター２０を高温環境下に繰り返し使用したとき、当該導電性粒子Ｐの導電性が著しく低下する結果、所要の導電性を維持することができない。 In the conductive particles P, the ratio of the highly conductive metal to the core particles [(mass of high conductive metal / mass of core particles) × 100] is 15% by mass or more, preferably 25 to 35% by mass. .
When the ratio of the highly conductive metal is less than 15% by mass, when the anisotropically conductive connector 20 obtained is repeatedly used in a high temperature environment, the conductivity of the conductive particles P is significantly reduced. It is not possible to maintain the conductivity.

また、導電性粒子Ｐは、下記の式（１）によって算出される、高導電性金属による被覆層の厚みｔが５０ｎｍ以上のものとされ、好ましくは１００〜２００ｎｍのものとされる。
式（１） ｔ＝〔１／（Ｓｗ・ρ）〕×〔Ｎ／（１−Ｎ）〕
〔但し、ｔは高導電性金属による被覆層の厚み（ｍ）、Ｓｗは芯粒子のＢＥＴ比表面積（ｍ2 ／ｋｇ）、ρは高導電性金属の比重（ｋｇ／ｍ3 ）、Ｎは（高導電性金属の重量／導電性粒子全体の重量）の値を示す。〕 The conductive particles P have a coating layer thickness t of 50 nm or more, preferably 100 to 200 nm, calculated from the following formula (1).
Formula (1) t = [1 / (Sw · ρ)] × [N / (1-N)]
[Where t is the thickness (m) of the coating layer made of a highly conductive metal, Sw is the BET specific surface area (m 2 / kg) of the core particle, ρ is the specific gravity (kg / m 3 ) of the highly conductive metal, and N is The value of (weight of highly conductive metal / weight of conductive particles as a whole) is shown. ]

上記の数式は、次のようにして導かれたものである。
（ｉ）磁性芯粒子の重量をＭｐ（ｋｇ）とすると、磁性芯粒子の表面積Ｓ（ｍ2 ）は、
Ｓ＝Ｓｗ・Ｍｐ ………式（２）
によって求められる。
（ii）高導電性金属による被覆層の重量をｍ（ｋｇ）とすると、当該被覆層の体積Ｖ（ｍ3 ）は、
Ｖ＝ｍ／ρ ………式（３）
によって求められる。
（iii)ここで、被覆層の厚みが導電性粒子の表面全体にわたって均一なものであると仮定すると、ｔ＝Ｖ／Ｓであり、これに上記式（２）および式（３）を代入すると、被覆層の厚みｔは、
ｔ＝（ｍ／ρ）／（Ｓｗ・Ｍｐ）＝ｍ／（Ｓｗ・ρ・Ｍｐ） ………式（４）
によって求められる。
（iv）また、Ｎは、導電性粒子全体の質量に対する被覆層の質量の比であるから、このＮの値は、
Ｎ＝ｍ／（Ｍｐ＋ｍ） ………式（５）
によって求められる。
（ｖ）この式（５）の右辺における分子・分母をＭｐで割ると、
Ｎ＝（ｍ／Ｍｐ）／（１＋ｍ／Ｍｐ）となり、両辺に（１＋ｍ／Ｍｐ）をかけると、
Ｎ（１＋ｍ／Ｍｐ）＝ｍ／Ｍｐ、更には、
Ｎ＋Ｎ（ｍ／Ｍｐ）＝ｍ／Ｍｐとなり、Ｎ（ｍ／Ｍｐ）を右辺に移行すると、
Ｎ＝ｍ／Ｍｐ−Ｎ（ｍ／Ｍｐ）＝（ｍ／Ｍｐ）（１−Ｎ）となり、両辺を（１−Ｎ）で割ると、 Ｎ／（１−Ｎ）＝ｍ／Ｍｐとなり、
従って、磁性芯粒子の重量Ｍｐは、
Ｍｐ＝ｍ／〔Ｎ／（１−Ｎ）〕＝ｍ（１−Ｎ）／Ｎ ………式（６）
によって求められる。
（vi）そして、式（４）に式（６）を代入すると、
ｔ＝１／〔Ｓｗ・ρ・（１−Ｎ）／Ｎ〕
＝〔１／（Ｓｗ・ρ）〕×〔Ｎ／（１−Ｎ）〕
が導かれる。 The above mathematical formula is derived as follows.
(I) When the weight of the magnetic core particles is Mp (kg), the surface area S (m 2 ) of the magnetic core particles is
S = Sw · Mp ......... Formula (2)
Sought by.
(Ii) When the weight of the coating layer made of a highly conductive metal is m (kg), the volume V (m 3 ) of the coating layer is
V = m / ρ ... Formula (3)
Sought by.
(Iii) Here, assuming that the thickness of the coating layer is uniform over the entire surface of the conductive particles, t = V / S, and substituting the above formulas (2) and (3) into this, The thickness t of the coating layer is
t = (m / ρ) / (Sw · Mp) = m / (Sw · ρ · Mp) Equation (4)
Sought by.
(Iv) Since N is the ratio of the mass of the coating layer to the mass of the entire conductive particle, the value of N is
N = m / (Mp + m) (5)
Sought by.
(V) Dividing the numerator and denominator on the right side of this equation (5) by Mp,
N = (m / Mp) / (1 + m / Mp). When (1 + m / Mp) is applied to both sides,
N (1 + m / Mp) = m / Mp,
N + N (m / Mp) = m / Mp, and when N (m / Mp) is shifted to the right side,
N = m / Mp−N (m / Mp) = (m / Mp) (1-N), and dividing both sides by (1-N) yields N / (1-N) = m / Mp,
Therefore, the weight Mp of the magnetic core particle is
Mp = m / [N / (1-N)] = m (1-N) / N Expression (6)
Sought by.
(Vi) Then, when substituting equation (6) into equation (4),
t = 1 / [Sw · ρ · (1-N) / N]
= [1 / (Sw · ρ)] × [N / (1-N)]
Is guided.

この被覆層の厚みｔが５０ｎｍ以上であれば、当該異方導電性コネクター２０を高温環境下に繰り返し使用した場合において、磁性芯粒子を構成する強磁性体が被覆層を構成する高導電性金属中に移行しても、当該導電性粒子Ｐの表面には、高導電性金属が高い割合で存在するので、当該導電性粒子Ｐの導電性が著しく低下することがなく、所期の導電性が維持される。   If the thickness t of the coating layer is 50 nm or more, when the anisotropic conductive connector 20 is repeatedly used in a high temperature environment, the ferromagnetic material constituting the magnetic core particles constitutes the highly conductive metal constituting the coating layer. Even when the inside of the conductive particles P is transferred to the surface, a high proportion of highly conductive metal is present on the surface of the conductive particles P, so that the conductivity of the conductive particles P is not significantly reduced, and the desired conductivity is achieved. Is maintained.

また、導電性粒子Ｐの数平均粒子径は、３〜４０μｍであることが好ましく、より好ましくは６〜２５μｍである。
このような導電性粒子Ｐを用いることにより、得られる弾性異方導電膜２３は、加圧変形が容易なものとなり、また、当該弾性異方導電膜２３における接続用導電部２４において導電性粒子Ｐ間に十分な電気的接触が得られる。
また、導電性粒子Ｐの形状は、特に限定されるものではないが、高分子物質形成材料中に容易に分散させることができる点で、球状のもの、星形状のものあるいはこれらが凝集した２次粒子による塊状のものであることが好ましい。 Moreover, it is preferable that the number average particle diameter of the electroconductive particle P is 3-40 micrometers, More preferably, it is 6-25 micrometers.
By using such conductive particles P, the obtained elastic anisotropic conductive film 23 can be easily deformed under pressure, and the conductive particles in the conductive portion 24 for connection in the elastic anisotropic conductive film 23 can be obtained. Sufficient electrical contact between P is obtained.
Further, the shape of the conductive particles P is not particularly limited, but spherical particles, star-shaped particles, or agglomerated particles 2 can be easily dispersed in the polymer substance-forming material. It is preferable that it is a lump with secondary particles.

このような導電性粒子Ｐは、例えは以下の方法によって得ることができる。
先ず、強磁性体材料を常法により粒子化し或いは市販の強磁性体粒子を用意し、この粒子に対して分級処理を行うことにより、所要の粒子径を有する磁性芯粒子を調製する。
ここで、粒子の分級処理は、例えば空気分級装置、音波ふるい装置などの分級装置によって行うことができる。
また、分級処理の具体的な条件は、目的とする磁性芯粒子の数平均粒子径、分級装置の種類などに応じて適宜設定される。
次いで、磁性芯粒子の表面を酸によって処理し、更に、例えば純水によって洗浄することにより、磁性芯粒子の表面に存在する汚れ、異物、酸化膜などの不純物を除去し、その後、当該磁性芯粒子の表面に高導電性金属を被覆することによって、導電性粒子が得られる。
ここで、磁性芯粒子の表面を処理するために用いられる酸としては、塩酸などを挙げることができる。
高導電性金属を磁性芯粒子の表面に被覆する方法としては、無電解メッキ法、置換メッキ法等を用いることができるが、これらの方法に限定されるものではない。 Such conductive particles P can be obtained by the following method, for example.
First, magnetic core particles having a required particle diameter are prepared by making a ferromagnetic material into particles by a conventional method or preparing commercially available ferromagnetic particles and classifying the particles.
Here, the particle classification process can be performed by a classification device such as an air classification device or a sonic sieving device.
Specific conditions for the classification treatment are appropriately set according to the number average particle diameter of the target magnetic core particles, the type of the classification device, and the like.
Next, the surface of the magnetic core particle is treated with an acid, and further, for example, washed with pure water to remove impurities such as dirt, foreign matter, and oxide film present on the surface of the magnetic core particle. Conductive particles are obtained by coating the surface of the particles with a highly conductive metal.
Here, hydrochloric acid etc. can be mentioned as an acid used in order to process the surface of a magnetic core particle.
As a method for coating the surface of the magnetic core particles with the highly conductive metal, an electroless plating method, a displacement plating method, or the like can be used, but the method is not limited to these methods.

無電解メッキ法または置換メッキ法によって導電性粒子を製造する方法について説明すると、先ず、メッキ液中に、酸処理および洗浄処理された磁性芯粒子を添加してスラリーを調製し、このスラリーを攪拌しながら当該磁性芯粒子の無電解メッキまたは置換メッキを行う。次いで、スラリー中の粒子をメッキ液から分離し、その後、当該粒子を例えば純水によって洗浄処理することにより、磁性芯粒子の表面に高導電性金属が被覆されてなる導電性粒子が得られる。
また、磁性芯粒子の表面に下地メッキを行って下地メッキ層を形成した後、当該下地メッキ層の表面に高導電性金属よりなるメッキ層を形成してもよい。下地メッキ層およびその表面に形成されるメッキ層を形成する方法は、特に限定されないが、無電解メッキ法により、磁性芯粒子の表面に下地メッキ層を形成し、その後、置換メッキ法により、下地メッキ層の表面に高導電性金属よりなるメッキ層を形成することが好ましい。
無電解メッキまたは置換メッキに用いられるメッキ液としては、特に限定されるものではなく、種々の市販のものを用いることができる。 The method of producing conductive particles by the electroless plating method or the displacement plating method will be described. First, a slurry is prepared by adding acid-treated and washed magnetic core particles to the plating solution, and the slurry is stirred. Then, electroless plating or displacement plating of the magnetic core particles is performed. Next, the particles in the slurry are separated from the plating solution, and then the particles are washed with pure water, for example, to obtain conductive particles in which the surface of the magnetic core particles is coated with a highly conductive metal.
In addition, after a base plating layer is formed on the surface of the magnetic core particles to form a base plating layer, a plating layer made of a highly conductive metal may be formed on the surface of the base plating layer. The method of forming the base plating layer and the plating layer formed on the surface thereof is not particularly limited, but the base plating layer is formed on the surface of the magnetic core particles by the electroless plating method, and then the base plating layer is formed by the displacement plating method. It is preferable to form a plating layer made of a highly conductive metal on the surface of the plating layer.
The plating solution used for electroless plating or displacement plating is not particularly limited, and various commercially available products can be used.

また、磁性芯粒子の表面に高導電性金属を被覆する際に、粒子が凝集することにより、粒子径の大きい導電性粒子が発生することがあるため、必要に応じて、導電性粒子の分級処理を行うことが好ましく、これにより、所期の粒子径を有する導電性粒子が確実に得られる。
導電性粒子の分級処理を行うための分級装置としては、前述の磁性芯粒子を調製するための分級処理に用いられる分級装置として例示したものを挙げることができる。 Also, when the surface of the magnetic core particles is coated with a highly conductive metal, the particles may agglomerate to generate conductive particles having a large particle diameter. It is preferable to carry out the treatment, which ensures that conductive particles having the intended particle size are obtained.
Examples of the classification device for performing the classification treatment of the conductive particles include those exemplified as the classification device used in the classification treatment for preparing the above-described magnetic core particles.

接続用導電部２４における導電性粒子Ｐの含有割合は、体積分率で１０〜６０％、好ましくは１５〜５０％となる割合で用いられることが好ましい。この割合が１０％未満の場合には、十分に電気抵抗値の小さい接続用導電部２４が得られないことがある。一方、この割合が６０％を超える場合には、得られる接続用導電部２４は脆弱なものとなりやすく、接続用導電部２４として必要な弾性が得られないことがある。   The content ratio of the conductive particles P in the connecting conductive portion 24 is preferably 10 to 60%, preferably 15 to 50% in terms of volume fraction. When this ratio is less than 10%, the connection conductive portion 24 having a sufficiently small electric resistance value may not be obtained. On the other hand, if this ratio exceeds 60%, the obtained connecting conductive portion 24 is likely to be fragile, and the elasticity necessary for the connecting conductive portion 24 may not be obtained.

接点部材２７を構成する材料としては、種々の金属材料を用いることができ、その具体例としては、ニッケル、コバルト、銅、金、銀、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、白金、タングステン、クロムまたはこれらの合金などが挙げられる。
また、接点部材２７は２層以上の異なる金属層から構成されていてもよい。２層以上の異なる金属層によって接点部材２７を構成する場合においても、各々の金属層は上記金属または合金から構成することができる。
また、接点部材２７の厚みは、１〜１００μｍであることが好ましく、より好ましくは５〜４０μｍである。この厚みが過小である場合には、当該接点部材２７には十分な強度が得られないことがある。一方、この厚みが過大である場合には、弾性異方導電膜２３における接続用導電部２４を圧縮変形するために大きな加圧力が必要となることがあり、好ましくない。 As the material constituting the contact member 27, various metal materials can be used. Specific examples thereof include nickel, cobalt, copper, gold, silver, palladium, rhodium, ruthenium, iridium, platinum, tungsten, chromium, or These alloys are mentioned.
The contact member 27 may be composed of two or more different metal layers. Even when the contact member 27 is formed of two or more different metal layers, each of the metal layers can be formed of the above metal or alloy.
Moreover, it is preferable that the thickness of the contact member 27 is 1-100 micrometers, More preferably, it is 5-40 micrometers. If this thickness is too small, the contact member 27 may not have sufficient strength. On the other hand, if this thickness is excessive, a large pressure may be required to compressively deform the connecting conductive portion 24 in the elastic anisotropic conductive film 23, which is not preferable.

本発明において、上記の異方導電性コネクター２０は、
支持体上に配置されたフレーム板２１に、硬化されて弾性高分子物質となる液状の高分子物質形成材料中に磁性を示す導電性粒子が含有されてなる複数の導電性エラストマー用材料層を当該フレーム板２１の開口２２の各々を塞ぐよう形成し、これらの導電性エラストマー用材料層の表面に、前記被検査電極のパターンに対応する特定のパターンに従って磁性を示す金属マスクを配置し、この状態で、当該導電性エラストマー用材料層に対して、その厚み方向に磁場を作用させると共に、当該導電性エラストマー用材料層の各々を硬化処理することにより、複数の導電性エラストマー層を形成し、これらの導電性エラストマー層をレーザー加工して前記接点部材が配置された部分の周辺部分を除去することにより、前記支持体上にに配置されたフレーム板２１の各開口２２内に前記特定のパターンに従って配置された複数の接続用導電部２４を形成し、前記支持体上における接続用導電部２４の間に、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質形成材料よりなる絶縁部用材料層を形成することにより、第１の中間体を製造する工程（ａ）と、
金属膜上に、前記接続用導電部２４に対応するパターンに従って配置された複数の接点部材２７を形成し、これらの接点部材２７の間に、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質形成材料よりなる絶縁部用材料層を形成することにより、第２の中間体を製造する工程（ｂ）と、
前記第１の中間体と前記第２の中間体とを、接続用導電部２４の各々にこれに対応する接点部材２７の各々が対接するよう積重し、この状態で、第１の中間体および第２の中間体の各々の絶縁部用材料層を硬化処理することにより絶縁部を形成する工程（ｃ）と
を経由して製造することができる。
以下、異方導電性コネクター２０の製造方法を具体的に説明する。 In the present invention, the anisotropic conductive connector 20 is
A plurality of conductive elastomer material layers in which conductive particles exhibiting magnetism are contained in a liquid polymer substance-forming material that is cured to become an elastic polymer substance are provided on the frame plate 21 disposed on the support. Each of the openings 22 of the frame plate 21 is formed to be closed, and a metal mask showing magnetism is arranged on the surface of the conductive elastomer material layer according to a specific pattern corresponding to the pattern of the electrode to be inspected. In the state, a magnetic field is applied to the conductive elastomer material layer in the thickness direction, and each of the conductive elastomer material layers is cured to form a plurality of conductive elastomer layers. These conductive elastomer layers are laser-processed to remove the peripheral portion of the portion where the contact member is disposed, thereby being disposed on the support. A plurality of connecting conductive portions 24 arranged in accordance with the specific pattern are formed in each opening 22 of the frame plate 21, and are cured between the connecting conductive portions 24 on the support to be elastic polymer material and A step (a) of producing a first intermediate by forming a material layer for an insulating part made of a polymeric substance forming material,
On the metal film, a plurality of contact members 27 arranged according to a pattern corresponding to the connecting conductive portion 24 is formed, and a polymer material is formed between the contact members 27 to be cured and become an elastic polymer material. A step (b) of producing a second intermediate by forming an insulating material layer made of a material;
The first intermediate body and the second intermediate body are stacked on each of the connecting conductive portions 24 so that the contact members 27 corresponding thereto are in contact with each other, and in this state, the first intermediate body And the step (c) of forming the insulating part by curing the insulating part material layer of each of the second intermediates.
Hereinafter, a method for manufacturing the anisotropic conductive connector 20 will be specifically described.

《フレーム板の作製》
検査対象であるウエハに形成された全ての集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応して開口２２が形成されたフレーム板２１を作製する。ここで、フレーム板２１の開口２２を形成する方法としては、当該フレーム板２１を構成する材料に応じて適宜選択され、例えばエッチング法などを利用することができる。 <Production of frame plate>
A frame plate 21 in which an opening 22 is formed corresponding to an electrode region in which electrodes to be inspected in all integrated circuits formed on a wafer to be inspected is manufactured. Here, the method of forming the opening 22 of the frame plate 21 is appropriately selected according to the material constituting the frame plate 21, and for example, an etching method or the like can be used.

《工程ａ》
先ず、特定のパターンに従って配置された複数の金属マスクを有する金属マスク複合体を製造する。
具体的に説明すると、図４に示すように、金属箔２８Ｆ上に、フォトリソグラフィーの手法により、検査対象であるウエハにおける被検査電極のパターンに対応する特定のパターンに従って開口２８Ｋが形成されたレジスト層２８Ｒを形成する。その後、金属箔２８Ｆにおけるレジスト層２８Ｒの開口２８Ｋを介して露出した部分の表面に、磁性を示す金属によるメッキ処理を施すことにより、図５に示すように、レジスト層２８Ｒの開口２８Ｋの各々に金属マスク２８Ｍを形成する。これにより、金属箔２８Ｆ上に特定のパターンに従って金属マスク２８Ｍが形成されてなる金属マスク複合体２８Ｃが得られる。 << Step a >>
First, a metal mask composite having a plurality of metal masks arranged according to a specific pattern is manufactured.
Specifically, as shown in FIG. 4, a resist in which openings 28K are formed on a metal foil 28F according to a specific pattern corresponding to the pattern of an electrode to be inspected on a wafer to be inspected by a photolithography technique. Layer 28R is formed. Thereafter, the surface of the portion of the metal foil 28F exposed through the opening 28K of the resist layer 28R is plated with a metal exhibiting magnetism, whereby each of the openings 28K of the resist layer 28R is subjected to plating as shown in FIG. A metal mask 28M is formed. Thereby, the metal mask composite 28C in which the metal mask 28M is formed according to the specific pattern on the metal foil 28F is obtained.

以上において、金属箔２８Ｆを構成する材料としては、銅、ニッケルなどを用いることができる。また、金属箔２８Ｆは、樹脂フィルム上に積層されたものであってもよい。
金属箔２８Ｆの厚みは、０．０５〜２μｍであることが好ましく、より好ましくは０．１〜１μｍである。この厚みが過小である場合には、均一な薄層が形成されず、メッキ電極として不適なものとなることがある。一方、この厚みが過大である場合には、例えばエッチングによって除去することが困難となることがある。
レジスト層２８Ｒの厚みは、形成すべき金属マスク２８Ｍの厚みに応じて設定される。 金属マスク２８Ｍを構成する材料としては、後述する導電性エラストマー層の形成において、磁場の作用により導電性粒子を偏在させることができる点で、磁性を示すものが用いられ、その具体例としては、ニッケル、コバルトまたはこれらの合金などが挙げられる。
金属マスク２８Ｍの厚みは、１〜１００μｍであることが好ましく、より好ましくは５〜４０μｍである。 In the above, copper, nickel, etc. can be used as a material constituting the metal foil 28F. The metal foil 28F may be laminated on a resin film.
The thickness of the metal foil 28F is preferably 0.05 to 2 μm, more preferably 0.1 to 1 μm. When this thickness is too small, a uniform thin layer is not formed, which may be inappropriate as a plating electrode. On the other hand, if this thickness is excessive, it may be difficult to remove by, for example, etching.
The thickness of the resist layer 28R is set according to the thickness of the metal mask 28M to be formed. As a material constituting the metal mask 28M, a material exhibiting magnetism is used in that the conductive particles can be unevenly distributed by the action of a magnetic field in the formation of a conductive elastomer layer to be described later. Examples thereof include nickel, cobalt, and alloys thereof.
The thickness of the metal mask 28M is preferably 1 to 100 μm, more preferably 5 to 40 μm.

次いで、図６に示すように、例えば板状の支持体３０の表面に、フレーム板２１を配置すると共に、このフレーム板２１に、硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる液状の高分子物質形成材料中に磁性を示す導電性粒子が含有されてなる導電性エラストマー用材料を塗布することにより、複数の導電性エラストマー用材料層２４Ａを当該フレーム板２１の開口の各々を塞ぐよう形成する。そして、図７に示すように、この導電性エラストマー用材料層２４Ａ上に、金属マスク複合体２８Ｃをその金属マスク２８Ｍの各々が当該導電性エラストマー用材料層２４Ａの表面に接するよう配置する。これにより、導電性エラストマー用材料層２４Ａ上には、検査対象であるウエハにおける被検査電極のパターンに対応する特定のパターンに従って金属マスク２８Ｍが配置された状態となる。ここで、導電性エラストマー用材料層２４Ａ中においては、磁性を示す導電性粒子Ｐが分散された状態で含有されている。
次いで、導電性エラストマー用材料層２４Ａに対し、金属マスク２８Ｍを介して当該導電性エラストマー用材料層２４Ａの厚み方向に磁場を作用させる。これにより、金属マスク２８Ｍが磁性を示す金属により形成されているため、導電性エラストマー用材料層２４Ａにおける金属マスク２８Ｍが配置された部分には、それ以外の部分より大きい強度の磁場が形成される。その結果、導電性エラストマー用材料層２４Ａ中に分散されていた導電性粒子Ｐは、図８に示すように、金属マスク２８Ｍが配置された部分に集合し、更に当該導電性エラストマー用材料層２４Ａの厚み方向に並ぶよう配向する。そして、導電性エラストマー用材料層２４Ａに対する磁場の作用を継続しながら、或いは磁場の作用を停止した後、導電性エラストマー用材料層２４Ａの硬化処理を行うことにより、図９に示すように、弾性高分子物質中に導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されてなる導電性エラストマー層２４Ｂが、支持体３０上に支持された状態で形成される。 Next, as shown in FIG. 6, for example, a frame plate 21 is disposed on the surface of a plate-like support 30, and a liquid polymer that is cured on the frame plate 21 and becomes an insulating elastic polymer material. A plurality of conductive elastomer material layers 24 </ b> A are formed so as to block each of the openings of the frame plate 21 by applying a conductive elastomer material in which conductive particles exhibiting magnetism are contained in the substance forming material. . Then, as shown in FIG. 7, the metal mask composite 28C is disposed on the conductive elastomer material layer 24A so that each of the metal masks 28M is in contact with the surface of the conductive elastomer material layer 24A. Thus, the metal mask 28M is arranged on the conductive elastomer material layer 24A in accordance with a specific pattern corresponding to the pattern of the electrode to be inspected on the wafer to be inspected. Here, in the conductive elastomer material layer 24A, the conductive particles P exhibiting magnetism are contained in a dispersed state.
Next, a magnetic field is applied to the conductive elastomer material layer 24A through the metal mask 28M in the thickness direction of the conductive elastomer material layer 24A. Thereby, since the metal mask 28M is formed of a metal exhibiting magnetism, a magnetic field having a stronger intensity than that of the other portions is formed in the portion where the metal mask 28M is disposed in the conductive elastomer material layer 24A. . As a result, as shown in FIG. 8, the conductive particles P dispersed in the conductive elastomer material layer 24A gather at the portion where the metal mask 28M is disposed, and further, the conductive elastomer material layer 24A. Are aligned in the thickness direction. Then, while continuing the action of the magnetic field on the conductive elastomer material layer 24A, or after stopping the action of the magnetic field, the conductive elastomer material layer 24A is subjected to curing treatment, as shown in FIG. A conductive elastomer layer 24 </ b> B that is contained in a polymer material in a state in which the conductive particles P are aligned in the thickness direction is formed on the support 30.

以上において、支持体３０を構成する材料としては、金属、セラミックス、樹脂およびこれらの複合材などを用いることができる。
導電性エラストマー用材料を塗布する方法としては、スクリーン印刷などの印刷法、ロール塗布法、ブレード塗布法などを利用することができる。
導電性エラストマー用材料層２４Ａの厚みは、形成すべき接続用導電部２４の厚みに応じて設定される。
導電性エラストマー用材料層２４Ａに磁場を作用させる手段としては、電磁石、永久磁石などを用いることができる。
導電性エラストマー用材料層２４Ａに作用させる磁場の強度は、０．２〜２．５テスラとなる大きさが好ましい。
導電性エラストマー用材料層２４Ａの硬化処理は、通常、加熱処理によって行われる。具体的な加熱温度および加熱時間は、導電性エラストマー用材料層２４Ａを構成する高分子物質形成材料の種類、導電性粒子の移動に要する時間などを考慮して適宜設定される。 In the above, as a material which comprises the support body 30, a metal, ceramics, resin, these composite materials, etc. can be used.
As a method for applying the conductive elastomer material, a printing method such as screen printing, a roll coating method, a blade coating method, or the like can be used.
The thickness of the conductive elastomer material layer 24A is set according to the thickness of the connecting conductive portion 24 to be formed.
As means for applying a magnetic field to the conductive elastomer material layer 24A, an electromagnet, a permanent magnet, or the like can be used.
The strength of the magnetic field applied to the conductive elastomer material layer 24A is preferably 0.2 to 2.5 Tesla.
The curing process of the conductive elastomer material layer 24A is usually performed by a heating process. The specific heating temperature and heating time are appropriately set in consideration of the type of polymer substance forming material constituting the conductive elastomer material layer 24A, the time required to move the conductive particles, and the like.

次いで、導電性エラストマー層２４Ｂ上に配置された金属マスク複合体２８Ｃにおける金属箔２８Ｆに対して、エッチング処理を施して除去することにより、図１０に示すように、金属マスク２８Ｍおよびレジスト層２８Ｒを露出させる。そして、導電性エラストマー層２６Ｂおよびレジスト層２８Ｒに対してレーザー加工を施すことにより、レジスト層２８Ｒおよび導電性エラストマー層２４Ｂにおける金属マスク２８Ｍが配置された部分の周辺部分が除去され、その結果、図１１に示すように、特定のパターンに従って配置された複数の接続用導電部２４がフレーム板２１の各開口２２内に支持体３０上に支持された状態で形成される。その後、金属マスク２８Ｍおよび異方導電性エラストマー層２４Ｂの残部の表面に残存する残存するレジスト層２８Ｒを除去する。
ここで、レーザー加工は、炭酸ガスレーザーまたは紫外線レーザーによるものが好ましく、これにより、目的とする形態の接続用導電部２４を確実に形成することができる。 Next, the metal foil 28F in the metal mask composite 28C disposed on the conductive elastomer layer 24B is removed by etching to remove the metal mask 28M and the resist layer 28R as shown in FIG. Expose. Then, by applying laser processing to the conductive elastomer layer 26B and the resist layer 28R, the peripheral portions of the portions where the metal mask 28M is disposed in the resist layer 28R and the conductive elastomer layer 24B are removed. As shown in FIG. 11, a plurality of connecting conductive portions 24 arranged according to a specific pattern are formed in a state of being supported on a support 30 in each opening 22 of the frame plate 21. Thereafter, the remaining resist layer 28R remaining on the remaining surfaces of the metal mask 28M and the anisotropic conductive elastomer layer 24B is removed.
Here, the laser processing is preferably performed by a carbon dioxide laser or an ultraviolet laser, whereby the connection conductive portion 24 having a desired form can be reliably formed.

そして、支持体３０における導電性エラストマー層２４Ｂが除去された領域すなわち接続用導電部２４の間の領域に、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質形成材料よりなる絶縁部用材料を供給することにより、図１２に示すように、支持体３０上に支持された複数の接続用導電部２４の間に絶縁部用材料層２５Ａを形成し、以て、支持体３０上に複数の接続用導電部２４および絶縁部用材料層２５Ａが形成されてなる第１の中間体２０Ａが製造される。   Then, an insulating material made of a polymer material forming material that is cured and becomes an elastic polymer material is supplied to the region of the support 30 where the conductive elastomer layer 24B is removed, that is, the region between the connecting conductive portions 24. Thus, as shown in FIG. 12, an insulating material layer 25 </ b> A is formed between the plurality of connection conductive portions 24 supported on the support 30, and thus a plurality of connections are formed on the support 30. The first intermediate body 20A in which the conductive portion 24 and the insulating portion material layer 25A are formed is manufactured.

《工程ｂ》
先ず、図１３に示すように、金属膜２９Ｆ上に、フォトリソグラフィーの手法により、形成すべき接続用導電部２４のパターンに対応するパターンに従って開口２９Ｋが形成されたレジスト層２９Ｒを形成する。次いで、金属膜２９Ｆにおけるレジスト層２９Ｒの開口２９Ｋを介して露出した部分の表面に、磁性を示す金属によるメッキ処理を施すことにより、図１４に示すように、レジスト層２９Ｒの開口２９Ｋの各々に接点部材２７を形成する。その後、金属箔２９Ｆからレジスト層２９Ｒを除去することにより、図１５に示すように、金属膜２９Ｆ上に特定のパターンに対応するパターンに従って接点部材２７が形成されてなる接点部材複合体２７Ｃが得られる。
以上において、金属膜２９Ｆを構成する材料としては、銅、ニッケルなどを用いることができる。また、金属膜２９Ｆは、樹脂フィルム上に積層されたものであってもよい。
金属膜２９Ｆの厚みは、０．０５〜２μｍであることが好ましく、より好ましくは０．１〜１μｍである。この厚みが過小である場合には、均一な薄層が形成されず、メッキ電極として不適なものとなることがある。一方、この厚みが過大である場合には、例えばエッチングによって除去することが困難となることがある。
レジスト層２９Ｒの厚みは、形成すべき接点部材２７の厚みに応じて設定される。 << Process b >>
First, as shown in FIG. 13, a resist layer 29R having openings 29K formed in accordance with a pattern corresponding to the pattern of the connecting conductive portion 24 to be formed is formed on the metal film 29F by a photolithography technique. Next, the surface of the portion of the metal film 29F exposed through the opening 29K of the resist layer 29R is plated with a metal exhibiting magnetism, so that each of the openings 29K of the resist layer 29R is formed as shown in FIG. A contact member 27 is formed. Thereafter, by removing the resist layer 29R from the metal foil 29F, as shown in FIG. 15, a contact member composite 27C in which the contact member 27 is formed according to the pattern corresponding to the specific pattern on the metal film 29F is obtained. It is done.
In the above, copper, nickel, or the like can be used as a material constituting the metal film 29F. The metal film 29F may be laminated on a resin film.
The thickness of the metal film 29F is preferably 0.05 to 2 μm, more preferably 0.1 to 1 μm. When this thickness is too small, a uniform thin layer is not formed, which may be inappropriate as a plating electrode. On the other hand, if this thickness is excessive, it may be difficult to remove by, for example, etching.
The thickness of the resist layer 29R is set according to the thickness of the contact member 27 to be formed.

そして、金属膜２９Ｆ上における接点部材２７が形成された領域以外の領域に、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質形成材料よりなる絶縁部用材料を供給することにより、図１６に示すように、金属膜２９Ｆ上に形成された複数の接点部材２７の間に絶縁部用材料層２５Ｂを形成し、以て、金属膜２９Ｆ上に複数の接点部材２７および絶縁部用材料層２５Ｂが形成されてなる第２の中間体２０Ｂが製造される。   Then, by supplying a material for an insulating portion made of a polymer material forming material which is cured and becomes an elastic polymer material to a region other than the region where the contact member 27 is formed on the metal film 29F, as shown in FIG. As described above, the insulating part material layer 25B is formed between the plurality of contact members 27 formed on the metal film 29F, and thus the plurality of contact members 27 and the insulating part material layer 25B are formed on the metal film 29F. The formed second intermediate 20B is manufactured.

《工程ｃ》
図１７に示すように、上記工程ａにおいて製造した第１の中間体２０Ａと、上記工程ｂにおいて製造した第２の中間体２０Ｂとを、当該第１の中間体２０Ａにおける接続用導電部２４の各々にこれに対応する第２の中間体２０Ｂにおける接点部材２７の各々が対接するよう積重し、更に加圧することにより、接続用導電部２４の各々を厚み方向に圧縮した状態に変形させる。その後、この状態で、第１の中間体２０Ａにおける絶縁部用材料層２５Ａおよび第２の中間体２０Ｂにおける絶縁部用材料層２５Ｂの各々を硬化処理することにより、図１８に示すように、隣接する接続用導電部２４の間にこれらを相互に絶縁する絶縁部２５が、接続用導電部２４および接点部材２７の各々に一体的に接着した状態で形成され、以て弾性異方導電膜２３が形成される。
そして、支持体３０および金属膜２９Ｆを除去することにより、圧縮された接続用導電部２４の各々が元の形態に復元する結果、接続用導電部２４、接点部材２７および絶縁部２５における接点部材２７の周辺部分が突出した状態となり、以て、図１〜図３に示す構成の異方導電性コネクター２０が得られる。
以上において、絶縁部用材料層２５Ａおよび絶縁部用材料層２５Ｂの硬化処理は、通常、加熱処理によって行われる。具体的な加熱温度および加熱時間は、絶縁部用材料層２５Ａおよび絶縁部用材料層２５Ｂを構成する高分子物質形成材料の種類などを考慮して適宜設定される。 << Process c >>
As shown in FIG. 17, the first intermediate 20A manufactured in the step a and the second intermediate 20B manufactured in the step b are connected to the conductive portion 24 for connection in the first intermediate 20A. Each of the contact members 27 in the second intermediate body 20B corresponding thereto is stacked so as to be in contact with each other, and further pressurized, thereby deforming each of the connecting conductive portions 24 into a compressed state in the thickness direction. Thereafter, in this state, each of the insulating material layer 25A in the first intermediate 20A and the insulating material layer 25B in the second intermediate 20B is subjected to curing treatment, as shown in FIG. An insulating portion 25 that insulates the connecting conductive portions 24 from each other is formed in a state of being integrally bonded to each of the connecting conductive portion 24 and the contact member 27, and thus the elastic anisotropic conductive film 23. Is formed.
Then, by removing the support 30 and the metal film 29F, each of the compressed connection conductive portions 24 is restored to the original form, and as a result, the contact members in the connection conductive portion 24, the contact member 27, and the insulating portion 25 are restored. Thus, the anisotropic conductive connector 20 having the configuration shown in FIGS. 1 to 3 is obtained.
In the above, the curing process of the insulating part material layer 25A and the insulating part material layer 25B is usually performed by heat treatment. The specific heating temperature and heating time are appropriately set in consideration of the type of polymer substance forming material constituting the insulating part material layer 25A and the insulating part material layer 25B.

上記の製造方法によれば、導電性エラストマー用材料層２４Ａ上に、検査対象であるウエハにおける被検査電極のパターンに対応する特定のパターンに従って磁性を示す金属マスク２８Ｍを配置した状態で、当該導電性エラスマー用材料層２４Ａの厚み方向に磁場を作用させると共に当該導電性エラストマー用材料層２４Ａを硬化処理することにより、得られる導電性エラストマー層２４Ｂは、金属マスク２８Ｍが配置された部分における導電性粒子Ｐが密となり、それ以外の部分における導電性粒子Ｐが疎となる。そのため、金属マスク２８Ｍを介して導電性エラストマー層２４Ｂをレーザー加工することにより、当該導電性エラストマー層２４Ｂにおける金属マスク２８Ｍが配置されていない部分を容易に除去することができるので、所期の形態の接続用導電部を特定のパターンに従って確実に形成することができる。そして、特定のパターンに従って配置された複数の接続用導電部２４を形成したうえで、これらの接続用導電部２４の間に絶縁部用材料層２５Ａを形成して硬化処理することにより絶縁部２５を形成するため、導電性粒子Ｐが全く存在しない絶縁部２５を確実に得ることができる。
しかも、複数の接続用導電部２４の間に絶縁部用材料層２５Ａが形成されてなる第１の中間体２０Ａと、複数の接点部材２７の間に絶縁部用材料層２５Ｂが形成されてなる第２の中間体２０Ｂとを積重し、当該絶縁部用材料層２５Ａ，２５Ｂを硬化処理することにより、得られる異方導電性コネクター２０においては、接点部材２７は絶縁部２５に埋め込まれた状態で固定される。
従って、このような方法によって得られる異方導電性コネクター２０によれば、検査対象であるウエハにおける被検査電極のピッチが極めて小さいものであっても、ウエハに対する良好な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、接点部材２７が接続用導電部２４から早期に離脱することがなくて長い使用寿命が得られる。
また、弾性異方導電膜２３における接続用導電部２４上には、接点部材２７が配置されているため、ウエハの検査を行う際に、シート状プローブを用いることが不要となるので、簡単な構造のプローブカードを得ることができると共に、シート状プローブの位置ずれによる接続不良を回避することができる。 According to the above manufacturing method, in the state where the metal mask 28M showing magnetism is arranged on the conductive elastomer material layer 24A according to the specific pattern corresponding to the pattern of the electrode to be inspected on the wafer to be inspected, By applying a magnetic field in the thickness direction of the conductive elastomer material layer 24A and curing the conductive elastomer material layer 24A, the conductive elastomer layer 24B obtained is conductive at the portion where the metal mask 28M is disposed. The particles P become dense and the conductive particles P in other parts become sparse. Therefore, by performing laser processing on the conductive elastomer layer 24B through the metal mask 28M, a portion where the metal mask 28M is not disposed in the conductive elastomer layer 24B can be easily removed. The conductive portion for connection can be reliably formed according to a specific pattern. And after forming the some conductive part 24 for a connection arrange | positioned according to a specific pattern, the insulating part 25 is formed by forming 25 A of insulating part material layers between these conductive parts 24 for a connection, and hardening-processing. Therefore, it is possible to reliably obtain the insulating portion 25 in which the conductive particles P are not present at all.
In addition, an insulating material layer 25 </ b> B is formed between the first intermediate body 20 </ b> A in which the insulating material layer 25 </ b> A is formed between the plurality of connecting conductive parts 24 and the contact members 27. In the anisotropic conductive connector 20 obtained by stacking the second intermediate 20B and curing the insulating material layers 25A and 25B, the contact member 27 is embedded in the insulating part 25. Fixed in state.
Therefore, according to the anisotropic conductive connector 20 obtained by such a method, even if the pitch of the electrodes to be inspected on the wafer to be inspected is extremely small, a good electrical connection state to the wafer can be ensured. In addition, the contact member 27 does not detach from the connecting conductive portion 24 at an early stage, and a long service life can be obtained.
In addition, since the contact member 27 is disposed on the connection conductive portion 24 in the elastic anisotropic conductive film 23, it is not necessary to use a sheet-like probe when inspecting the wafer. A probe card having a structure can be obtained, and a connection failure due to a positional deviation of the sheet-like probe can be avoided.

また、弾性異方導電膜２３の各々がフレーム板２１の開口縁部に支持されているため、変形しにくくて取扱いやすく、検査対象であるウエハとの電気的接続作業において、当該ウエハに対する位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができる。
また、面積の小さい弾性異方導電膜２３は、熱履歴を受けた場合でも、当該弾性異方導電膜２３の面方向における熱膨張の絶対量が少ないため、弾性異方導電膜２３の面方向における熱膨張がフレーム板２１によって確実に規制される。しかも、異方導電性コネクター２０全体の熱膨張は、フレーム板２１を構成する材料の熱膨張に依存するので、フレーム板２１を構成する材料として熱膨張率の小さいものを用いることにより、温度変化による熱履歴を受けた場合にも、当該異方導電性コネクター２０における接続用導電部２４とウエハにおける被検査電極との位置ずれが防止される結果、良好な電気的接続状態が安定に維持される。 In addition, since each of the elastic anisotropic conductive films 23 is supported by the opening edge of the frame plate 21, it is difficult to be deformed and is easy to handle, and in electrical connection work with the wafer to be inspected, alignment with the wafer is performed. In addition, the holding and fixing can be easily performed.
In addition, even when the elastic anisotropic conductive film 23 having a small area has a thermal history, the absolute amount of thermal expansion in the surface direction of the elastic anisotropic conductive film 23 is small. The thermal expansion in is reliably regulated by the frame plate 21. In addition, since the thermal expansion of the anisotropic conductive connector 20 as a whole depends on the thermal expansion of the material constituting the frame plate 21, the temperature change can be achieved by using a material having a low thermal expansion coefficient as the material constituting the frame plate 21. Even when a thermal history is received, the displacement between the conductive portion for connection 24 in the anisotropic conductive connector 20 and the electrode to be inspected on the wafer is prevented, so that a good electrical connection state is stably maintained. The

図１９は、本発明に係る第２の例の異方導電性コネクターを示す平面図である。
この第２の例の異方導電性コネクター２０は、それぞれ厚み方向に貫通して伸びる複数の開口２２が形成された矩形の板状のフレーム板２１を有する。このフレーム板２１の開口２２は、検査対象であるウエハに形成された集積回路のうち例えば３２個（８個×４個）の集積回路における被検査電極が形成された電極領域のパターンに対応して形成されている。フレーム板２１には、厚み方向に導電性を有する複数の弾性異方導電膜２３が、それぞれ一の開口２２を塞ぐよう、当該フレーム板２１の開口縁部に支持された状態で配置されている。第２の例の異方導電性コネクター２０におけるその他の構成は、第１の例の異方導電性コネクター２０と同様である。
また、第２の例の異方導電性コネクター２０は、第１の例の異方導電性コネクター２０と同様にして製造することができる。
そして、第２の例の異方導電性コネクター２０によれば、第１の例の異方導電性コネクター２０と同様の効果が得られる。 FIG. 19 is a plan view showing the anisotropic conductive connector of the second example according to the present invention.
The anisotropic conductive connector 20 of the second example includes a rectangular plate-like frame plate 21 in which a plurality of openings 22 extending through the thickness direction are formed. The openings 22 of the frame plate 21 correspond to the pattern of the electrode region in which the electrodes to be inspected are formed in, for example, 32 (8 × 4) integrated circuits among the integrated circuits formed on the wafer to be inspected. Is formed. A plurality of elastic anisotropic conductive films 23 having conductivity in the thickness direction are arranged on the frame plate 21 so as to be supported by the opening edge portions of the frame plate 21 so as to block the one opening 22. . Other configurations of the anisotropic conductive connector 20 of the second example are the same as those of the anisotropic conductive connector 20 of the first example.
The anisotropic conductive connector 20 of the second example can be manufactured in the same manner as the anisotropic conductive connector 20 of the first example.
Then, according to the anisotropic conductive connector 20 of the second example, the same effect as the anisotropic conductive connector 20 of the first example can be obtained.

〈ウエハ検査用プローブカード〉
図２０は、本発明に係るウエハ検査用プローブカード（以下、単に「プローブカード」という。）の第１の例における構成を示す説明用断面図であり、図２１は、第１の例のプローブカードの要部の構成を示す説明用断面図である。
この第１の例のプローブカード１０は、例えば複数の集積回路が形成されたウエハについて当該集積回路の各々のバーンイン試験をウエハの状態で一括して行うために用いられるものであって、検査用回路基板１１と、この検査用回路基板１１の一面（図２０および図２１において上面）に配置された、図１に示す第１の例の異方導電性コネクター２０とにより構成されている。 <Probe card for wafer inspection>
FIG. 20 is a cross-sectional view illustrating the configuration of a first example of a wafer inspection probe card (hereinafter simply referred to as “probe card”) according to the present invention, and FIG. 21 is a diagram illustrating the probe of the first example. It is sectional drawing for description which shows the structure of the principal part of a card | curd.
The probe card 10 of the first example is used for performing a burn-in test of each of the integrated circuits in a batch on a wafer on which a plurality of integrated circuits are formed. The circuit board 11 and the anisotropic conductive connector 20 of the first example shown in FIG. 1 are arranged on one surface (the upper surface in FIGS. 20 and 21) of the circuit board 11 for inspection.

検査用回路基板１１は、図２２にも示すように、円板状の第１の基板素子１２を有し、この第１の基板素子１２の表面（図２０および図２１において上面）における中央部には、正八角形の板状の第２の基板素子１５が配置され、この第２の基板素子１５は、第１の基板素子１２の表面に固定されたホルダー１４に保持されている。また、第１の基板素子１２の裏面における中央部には、補強部材１７が設けられている。
第１の基板素子１２の表面における中央部には、複数の接続用電極（図示省略）が適宜のパターンに従って形成されている。一方、第１の基板素子１２の裏面における周縁部には、図２３に示すように、複数のリード電極１３が当該第１の基板素子１２の周方向に沿って並ぶよう配置されたリード電極部１３Ｒが形成されている。リード電極１３のパターンは、後述するウエハ検査装置におけるコントローラーの入試出力端子のパターンに対応するパターンである。そして、リード電極１３の各々は内部配線（図示省略）を介して接続用電極に電気的に接続されている。
第２の基板素子１５の表面（図２０および図２１において上面）には、複数の検査用電極１６が、検査対象であるウエハに形成された全ての集積回路における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置された検査用電極部１６Ｒが形成されている。一方、第２の基板素子１５の裏面には、複数の端子電極（図示省略）が適宜のパターンに従って配置されており、端子電極の各々は内部配線（図示省略）を介して検査用電極１６に電気的に接続されている。
そして、第１の基板素子１２の接続用電極と第２の基板素子１５の端子電極とは適宜の手段によって電気的に接続されている。 As shown in FIG. 22, the inspection circuit board 11 has a disk-shaped first substrate element 12, and a central portion on the surface of the first substrate element 12 (upper surface in FIGS. 20 and 21). Are arranged in a regular octagonal plate-like second substrate element 15, and the second substrate element 15 is held by a holder 14 fixed to the surface of the first substrate element 12. In addition, a reinforcing member 17 is provided at the center of the back surface of the first substrate element 12.
A plurality of connection electrodes (not shown) are formed in an appropriate pattern at the center of the surface of the first substrate element 12. On the other hand, as shown in FIG. 23, a lead electrode portion in which a plurality of lead electrodes 13 are arranged along the circumferential direction of the first substrate element 12 at the peripheral edge portion on the back surface of the first substrate element 12. 13R is formed. The pattern of the lead electrode 13 is a pattern corresponding to an input / output terminal pattern of a controller in a wafer inspection apparatus described later. Each of the lead electrodes 13 is electrically connected to a connection electrode via an internal wiring (not shown).
On the surface of the second substrate element 15 (the upper surface in FIGS. 20 and 21), a plurality of inspection electrodes 16 correspond to the patterns of the electrodes to be inspected in all the integrated circuits formed on the wafer to be inspected. Inspection electrode portions 16R arranged in accordance with the pattern are formed. On the other hand, a plurality of terminal electrodes (not shown) are arranged on the back surface of the second substrate element 15 according to an appropriate pattern, and each of the terminal electrodes is connected to the inspection electrode 16 via an internal wiring (not shown). Electrically connected.
The connection electrode of the first substrate element 12 and the terminal electrode of the second substrate element 15 are electrically connected by appropriate means.

検査用回路基板１１における第１の基板素子１２を構成する基板材料としては、従来公知の種々の材料を用いることができ、その具体例としては、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型フェノール樹脂、ガラス繊維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型ビスマレイミドトリアジン樹脂等の複合樹脂基板材料などが挙げられる。
検査用回路基板１１における第２の基板素子１５を構成する材料としては、線熱膨張係数が３×１０-5／Ｋ以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは１×１０-7〜１×１０-5／Ｋ、特に好ましくは１×１０-6〜６×１０-6／Ｋである。このような基板材料の具体例としては、パイレックス（登録商標）ガラス、石英ガラス、アルミナ、ベリリア、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素等よりなる無機系基板材料、４２合金、コバール、インバー等の鉄−ニッケル合金鋼よりなる金属板をコア材としてエポキシ樹脂またはポリイミド樹脂等の樹脂を積層した積層基板材料などが挙げられる。 As the substrate material constituting the first substrate element 12 in the circuit board 11 for inspection, conventionally known various materials can be used. Specific examples thereof include glass fiber reinforced epoxy resin and glass fiber reinforced phenol. Examples thereof include composite resin substrate materials such as resin, glass fiber reinforced polyimide resin, and glass fiber reinforced bismaleimide triazine resin.
As a material constituting the second substrate element 15 in the circuit board 11 for inspection, a material having a linear thermal expansion coefficient of 3 × 10 −5 / K or less is preferably used, and more preferably 1 × 10 −7 to 1 × 10 −5 / K, particularly preferably 1 × 10 −6 to 6 × 10 −6 / K. Specific examples of such substrate materials include inorganic substrate materials made of Pyrex (registered trademark) glass, quartz glass, alumina, beryllia, silicon carbide, aluminum nitride, boron nitride, etc., iron such as 42 alloy, Kovar, and Invar. -The laminated board material etc. which laminated | stacked resin, such as an epoxy resin or a polyimide resin, using the metal plate which consists of nickel alloy steel as a core material are mentioned.

ホルダー１４は、第２の基板素子１５の外形に適合する正八角形状の開口１４Ｋを有し、この開口１４Ｋ内に第２の基板素子１５が収容されている。また、ホルダー１４の外縁は円形である。   The holder 14 has a regular octagonal opening 14 </ b> K that matches the outer shape of the second substrate element 15, and the second substrate element 15 is accommodated in the opening 14 </ b> K. The outer edge of the holder 14 is circular.

このような第１の例のプローブカード１０によれば、図１に示す異方導電性コネクター２０を有するため、検査対象であるウエハにおける被検査電極のピッチが微小で高密度に配置されている場合であっても、当該被検査電極の各々に対して所要の電気的接続を確実に達成することができ、また、温度変化による熱履歴を受けた場合にも、良好な電気的接続状態が安定に維持される。従って、ウエハのバーンイン試験において、ウエハに対する良好な電気的接続状態を安定に維持することができる。   According to the probe card 10 of the first example as described above, since the anisotropic conductive connector 20 shown in FIG. 1 is provided, the pitch of the electrodes to be inspected on the wafer to be inspected is very small and densely arranged. Even in such a case, the required electrical connection can be reliably achieved for each of the electrodes to be inspected, and even when a thermal history due to a temperature change is received, a good electrical connection state is obtained. Maintains stability. Therefore, it is possible to stably maintain a good electrical connection state to the wafer in the wafer burn-in test.

図２４は、本発明に係るプローブカードの第２の例における構成を示す説明用断面図であり、図２５は、第２の例のプローブカードの要部の構成を示す説明用断面図である。
この第２の例のプローブカード１０は、例えば複数の集積回路が形成されたウエハについて当該集積回路の各々のプローブ試験をウエハの状態で行うために用いられるものであって、検査用回路基板１１と、この検査用回路基板１１の一面（図２４および図２５において上面）に配置された、図１９に示す第２の例の異方導電性コネクター２０とにより構成されている。
第２の例のプローブカード１０の検査用回路基板１１においては、図２６に示すように、第２の基板素子１５の表面に、検査対象であるウエハに形成された集積回路のうち例えは３２個（８個×４個）の集積回路における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って複数の検査用電極１６が配置された検査用電極部１６Ｒが形成されている。検査用回路基板１１におけるその他の構成は、第１の例のプローブカード１０における検査用回路基板１１と基本的に同様である。 FIG. 24 is an explanatory cross-sectional view showing the configuration of the second example of the probe card according to the present invention, and FIG. 25 is an explanatory cross-sectional view showing the configuration of the main part of the probe card of the second example. .
The probe card 10 of the second example is used for performing a probe test of each integrated circuit in a wafer state on a wafer on which a plurality of integrated circuits are formed, for example. And the anisotropic conductive connector 20 of the second example shown in FIG. 19 arranged on one surface (the upper surface in FIGS. 24 and 25) of the circuit board 11 for inspection.
In the inspection circuit board 11 of the probe card 10 of the second example, as shown in FIG. 26, for example, 32 of the integrated circuits formed on the wafer to be inspected on the surface of the second substrate element 15. An inspection electrode portion 16R in which a plurality of inspection electrodes 16 are arranged according to a pattern corresponding to the pattern of the electrodes to be inspected in the eight (8 × 4) integrated circuits is formed. Other configurations of the inspection circuit board 11 are basically the same as those of the inspection circuit board 11 in the probe card 10 of the first example.

このような第２の例のプローブカード１０によれば、図１９に示す異方導電性コネクター２０を有するため、検査対象であるウエハにおける被検査電極のピッチが微小で高密度に配置されている場合であっても、当該被検査電極の各々に対して所要の電気的接続を確実に達成することができ、また、温度変化による熱履歴を受けた場合にも、良好な電気的接続状態が安定に維持される。従って、ウエハのプローブ試験において、ウエハに対する良好な電気的接続状態を安定に維持することができる。   According to the probe card 10 of the second example as described above, since the anisotropic conductive connector 20 shown in FIG. 19 is provided, the pitch of the electrodes to be inspected on the wafer to be inspected is very small and densely arranged. Even in such a case, the required electrical connection can be reliably achieved for each of the electrodes to be inspected, and even when a thermal history due to a temperature change is received, a good electrical connection state is obtained. Maintains stability. Therefore, it is possible to stably maintain a good electrical connection state to the wafer in the wafer probe test.

〔ウエハ検査装置〕
図２７は、本発明に係るウエハ検査装置の第１の例における構成の概略を示す説明用断面図であり、図２８は、第１の例のウエハ検査装置の要部を拡大して示す説明用断面図である。この第１のウエハ検査装置は、ウエハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路のバーンイン試験をウエハの状態で一括して行うためのものである。
第１の例のウエハ検査装置は、検査対象であるウエハ６の温度制御、ウエハ６の検査を行うための電源供給、信号の入出力制御およびウエハ６からの出力信号を検出して当該ウエハ６における集積回路の良否の判定を行うためのコントローラー２を有する。図２９に示すように、コントローラー２は、その下面に、多数の入出力端子３が円周方向に沿って配置された入出力端子部３Ｒを有する。
コントローラー２の下方には、第１の例のプローブカード１０が、その検査用回路基板１１のリード電極１３の各々が、当該コントローラー２の入出力端子３に対向するよう、適宜の保持手段によって保持された状態で配置されている。
コントローラー２の入出力端子部３Ｒとプローブカード１０における検査用回路基板１１のリード電極部１３Ｒとの間には、コネクター４が配置され、当該コネクター４によって、検査用回路基板１１のリード電極１３の各々がコントローラー２の入出力端子３の各々に電気的に接続されている。図示の例のコネクター４は、長さ方向に弾性的に圧縮可能な複数の導電ピン４Ａと、これらの導電ピン４Ａを支持する支持部材４Ｂとにより構成され、導電ピン４Ａは、コントローラー２の入出力端子３と第１の基板素子１２に形成されたリード電極１３との間に位置するよう配列されている。
プローブカード１０の下方には、検査対象であるウエハ６が載置されるウエハ載置台５が設けられている。 [Wafer inspection equipment]
FIG. 27 is an explanatory sectional view showing an outline of the configuration of the first example of the wafer inspection apparatus according to the present invention, and FIG. 28 is an enlarged view showing the main part of the wafer inspection apparatus of the first example. FIG. The first wafer inspection apparatus is for collectively performing a burn-in test of each integrated circuit in a wafer state for each of a plurality of integrated circuits formed on the wafer.
The wafer inspection apparatus of the first example detects the temperature of the wafer 6 to be inspected, power supply for inspecting the wafer 6, input / output control of signals, and output signals from the wafer 6 to detect the wafer 6 Has a controller 2 for determining whether the integrated circuit is good or bad. As shown in FIG. 29, the controller 2 has an input / output terminal portion 3R on the lower surface of which a large number of input / output terminals 3 are arranged along the circumferential direction.
Below the controller 2, the probe card 10 of the first example is held by appropriate holding means so that each lead electrode 13 of the circuit board 11 for inspection faces the input / output terminal 3 of the controller 2. It is arranged in the state.
A connector 4 is disposed between the input / output terminal portion 3R of the controller 2 and the lead electrode portion 13R of the inspection circuit board 11 in the probe card 10, and the connector 4 allows the lead electrode 13 of the inspection circuit board 11 to be connected. Each is electrically connected to each of the input / output terminals 3 of the controller 2. The connector 4 in the illustrated example includes a plurality of conductive pins 4A that can be elastically compressed in the length direction, and a support member 4B that supports these conductive pins 4A. They are arranged so as to be positioned between the output terminals 3 and the lead electrodes 13 formed on the first substrate element 12.
Below the probe card 10, a wafer mounting table 5 on which a wafer 6 to be inspected is mounted is provided.

このようなウエハ検査装置においては、ウエハ載置台５上に検査対象であるウエハ６が載置され、次いで、プローブカード１０が下方に加圧されることにより、その異方導電性コネクター２０における接点部材２７の各々が、ウエハ６の被検査電極７の各々に接触し、更に、当該接点部材２７の各々によって、ウエハ６の被検査電極７の各々が加圧される。この状態においては、異方導電性コネクター２０の弾性異方導電膜２３における接続用導電部２４の各々は、検査用回路基板１１の検査用電極１６と接点部材２７とによって挟圧されて厚み方向に圧縮されており、これにより、当該接続用導電部２４にはその厚み方向に導電路が形成され、その結果、ウエハ６の被検査電極７と検査用回路基板１１の検査用電極１６との電気的接続が達成される。その後、ウエハ載置台５を介してウエハ６が所定の温度に加熱され、この状態で、当該ウエハ６における複数の集積回路の各々について所要の電気的検査が実行される。   In such a wafer inspection apparatus, the wafer 6 to be inspected is placed on the wafer mounting table 5, and then the probe card 10 is pressed downward, whereby the contact point in the anisotropic conductive connector 20 is obtained. Each of the members 27 contacts each of the electrodes 7 to be inspected on the wafer 6, and each of the electrodes 7 to be inspected of the wafer 6 is pressurized by each of the contact members 27. In this state, each of the connecting conductive portions 24 in the elastic anisotropic conductive film 23 of the anisotropic conductive connector 20 is sandwiched between the test electrode 16 and the contact member 27 of the test circuit board 11 and is thus in the thickness direction. As a result, a conductive path is formed in the connecting conductive portion 24 in the thickness direction. As a result, the inspection electrode 7 of the wafer 6 and the inspection electrode 16 of the inspection circuit board 11 are connected to each other. An electrical connection is achieved. Thereafter, the wafer 6 is heated to a predetermined temperature via the wafer mounting table 5, and in this state, a required electrical inspection is performed on each of the plurality of integrated circuits on the wafer 6.

このような第１の例のウエハ検査装置によれば、第１の例のプローブカード１０を介して、検査対象であるウエハ６の被検査電極７に対する電気的接続が達成されるため、ウエハに対する良好な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、ウエハに対する良好な電気的接続状態を安定に維持することができ、従って、ウエハのバーンイン試験において、当該ウエハに対する所要の電気的検査を確実に実行することができる。   According to such a wafer inspection apparatus of the first example, electrical connection to the inspection target electrode 7 of the wafer 6 to be inspected is achieved via the probe card 10 of the first example. A good electrical connection state can be reliably achieved, and a good electrical connection state to the wafer can be stably maintained. Therefore, in the wafer burn-in test, the required electrical inspection for the wafer is performed. Can be executed reliably.

図３０は、本発明に係るウエハ検査装置の第２の例における構成の概略を示す説明用断面図であり、このウエハ検査装置は、ウエハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路のプローブ試験をウエハの状態で行うためのものである。
この第２の例のウエハ検査装置は、第１の例のプローブカード１０の代わりに第２の例のプローブカード１０を用いたこと以外は、第１の例のウエハ検査装置と基本的に同様の構成である。
この第２の例のウエハ検査装置においては、ウエハ６に形成された全ての集積回路の中から選択された例えば３２個の集積回路の被検査電極７に、プローブカード１０を電気的に接続して検査を行い、その後、他の集積回路の中から選択された複数の集積回路の被検査電極７に、プローブカード１０を電気的に接続して検査を行う工程を繰り返すことにより、ウエハ６に形成された全ての集積回路のプローブ試験が行われる。
このような第２の例のウエハ検査装置によれば、第２の例のプローブカード１０を介して、検査対象であるウエハ６の被検査電極７に対する電気的接続が達成されるため、ウエハに対する良好な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、ウエハに対する良好な電気的接続状態を安定に維持することができ、従って、ウエハのプローブ試験において、当該ウエハに対する所要の電気的検査を確実に実行することができる。 FIG. 30 is a cross-sectional view for explaining the outline of the configuration of the second example of the wafer inspection apparatus according to the present invention. This wafer inspection apparatus is configured to integrate each of a plurality of integrated circuits formed on the wafer. This is for performing a probe test of a circuit in a wafer state.
The wafer inspection apparatus of the second example is basically the same as the wafer inspection apparatus of the first example except that the probe card 10 of the second example is used instead of the probe card 10 of the first example. It is the composition.
In the wafer inspection apparatus of the second example, the probe card 10 is electrically connected to the inspected electrodes 7 of, for example, 32 integrated circuits selected from all the integrated circuits formed on the wafer 6. After that, the process of conducting the inspection by electrically connecting the probe card 10 to the electrodes 7 to be inspected of the plurality of integrated circuits selected from the other integrated circuits is repeated on the wafer 6. All the integrated circuits formed are probed.
According to the wafer inspection apparatus of the second example as described above, the electrical connection to the inspection target electrode 7 of the wafer 6 to be inspected is achieved via the probe card 10 of the second example. A good electrical connection state can be reliably achieved, and a good electrical connection state to the wafer can be stably maintained. Therefore, in the wafer probe test, the required electrical inspection for the wafer can be performed. Can be executed reliably.

本発明は、上記の実施の形態に限定されず、以下のように、種々の変更を加えることが可能である。
（１）異方導電性コネクター２０においては、接点部材２７および絶縁部２５における接点部材２７の周辺部分が表面から突出した状態とされることは必須のことではなく、接点部材２７を含む表面全体が平坦なものであってもよい。
（２）異方導電性コネクター２０における弾性異方導電膜２３には、被検査電極のパターンに対応するパターンに従って形成された接続用導電部２４の他に、被検査電極に電気的に接続されない非接続用の導電部が形成されていてもよい。
（３）ウエハ検査装置におけるコントローラー２と検査用回路基板１１を電気的に接続するコネクター４は、図２９に示すものに限定されず、種々の構造のものを用いることにができる。 The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made as follows.
(1) In the anisotropic conductive connector 20, it is not essential that the contact member 27 and the peripheral portion of the contact member 27 in the insulating portion 25 protrude from the surface. The entire surface including the contact member 27 is not necessarily required. May be flat.
(2) The elastic anisotropic conductive film 23 in the anisotropic conductive connector 20 is not electrically connected to the electrode to be inspected in addition to the connection conductive portion 24 formed according to the pattern corresponding to the pattern of the electrode to be inspected. A conductive portion for non-connection may be formed.
(3) The connector 4 for electrically connecting the controller 2 and the inspection circuit board 11 in the wafer inspection apparatus is not limited to the one shown in FIG. 29, and various structures can be used.

（４）異方導電性コネクター２０の製造方法における工程（ａ）においては、接続用導電部形成用の支持体として、形成すべき接続用導電部２４のパターンに対応するパターンに従って強磁性体部分が配置されてなるものを用いることができる。このような支持体の一例における構成を図３１に示す。この支持体３１は、導電性エラストマー用材料層が形成される表面を形成する金属膜３２を有し、この金属膜３２の裏面には、形成すべき接続用導電部２４のパターンに対応するパターンに従って強磁性体部分３３が配置され、それ以外の領域には非磁性体部分３４が配置されている。
金属膜３２を構成する材料としては、ニッケル、金、銅などを用いることができる。
強磁性体部分３３を構成する材料としては、ニッケル、コバルトまたはこれらの合金などを用いることができる。
非磁性体部分３４を構成する材料としては、フォトレジストを用いることができる。
このような支持体３１は、図３２に示すように、金属膜３２上に、形成すべき強磁性体部分３３のパターンに従って開口３４Ｋが形成された非磁性体部分３４をフォトレジストによって形成し、その後、金属膜３２における非磁性体部分３４の開口３４Ｋを介して露出した部分の表面に、メッキ処理を施すことにより、製造することができる。 (4) In step (a) in the method of manufacturing the anisotropic conductive connector 20, the ferromagnetic portion is used as a support for forming the connecting conductive portion according to the pattern corresponding to the pattern of the connecting conductive portion 24 to be formed. Can be used. A configuration of an example of such a support is shown in FIG. The support 31 has a metal film 32 that forms the surface on which the conductive elastomer material layer is formed. On the back surface of the metal film 32, a pattern corresponding to the pattern of the connecting conductive portion 24 to be formed. Accordingly, the ferromagnetic portion 33 is disposed, and the non-magnetic portion 34 is disposed in the other region.
As a material constituting the metal film 32, nickel, gold, copper, or the like can be used.
As a material constituting the ferromagnetic portion 33, nickel, cobalt, or an alloy thereof can be used.
A photoresist can be used as a material constituting the nonmagnetic portion 34.
As shown in FIG. 32, such a support 31 is formed by forming a non-magnetic part 34 having an opening 34 </ b> K on a metal film 32 according to the pattern of the ferromagnetic part 33 to be formed using a photoresist, Thereafter, the surface of the portion exposed through the opening 34K of the nonmagnetic portion 34 in the metal film 32 can be manufactured by plating.

このような支持体３１においては、以下のようにして接続用導電部２４が形成される。 先ず、図３３に示すように、支持体３１における金属膜３２の表面に、フレーム板２１を配置すると共に、このフレーネ板２１に導電性エラストマー材料を塗布することにより、当該フレーム板２１の開口２２を塞ぐよう導電性エラストマー用材料層２４Ａを形成し、この導電性エラストマー材料層２４Ａ上に、金属マスク複合体２８Ｃをその金属マスク２８Ｍの各々が当該導電性エラストマー材料層２４Ａに接するよう配置する。次いで、導電性エラストマー用材料層２４Ａに対し、金属マスク２８Ｍおよび支持体３１の強磁性体部分３３を介して当該導電性エラストマー用材料層２４Ａの厚み方向に磁場を作用させ、これにより、導電性エラストマー用材料層２４Ａにおける金属マスク２８Ｍと支持体３１の強磁性体部分３３との間に位置する部分には、それ以外の部分より大きい強度の磁場が形成される。その結果、導電性エラストマー用材料層２４Ａ中に分散されていた導電性粒子Ｐは、図３４に示すように、金属マスク２８Ｍと支持体３１の強磁性体部分３３との間に位置する部分に集合し、更に当該導電性エラストマー用材料層２４Ａの厚み方向に並ぶよう配向する。そして、導電性エラストマー用材料層２４Ａに対する磁場の作用を継続しながら、或いは磁場の作用を停止した後、導電性エラストマー用材料層２４Ａの硬化処理を行うことにより、図３５に示すように、弾性高分子物質中に導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されてなる導電性エラストマー層２４Ｂが、支持体３１上に支持された状態で形成される。
その後、導電性エラストマー層２４Ｂ上に配置された金属マスク複合体２８Ｃにおける金属箔２８Ｆに対して、エッチング処理を施して除去することにより、図３６に示すように、金属マスク２８Ｍおよびレジスト層２８Ｒを露出させる。そして、導電性エラストマー層２４Ｂおよびレジスト層２８Ｒに対してレーザー加工を施すことにより、レジスト層２８Ｒおよび導電性エラストマー層２４Ｂにおける金属マスク２８Ｍが配置された部分の周辺部分が除去され、その結果、図３７に示すように、特定のパターンに従って配置された複数の接続用導電部２４が支持体３１上に支持された状態で形成される。 In such a support 31, the connection conductive portion 24 is formed as follows. First, as shown in FIG. 33, the frame plate 21 is disposed on the surface of the metal film 32 in the support 31, and a conductive elastomer material is applied to the framee plate 21, thereby opening 22 of the frame plate 21. A conductive elastomer material layer 24A is formed so as to close the metal mask, and a metal mask composite 28C is disposed on the conductive elastomer material layer 24A so that each of the metal masks 28M is in contact with the conductive elastomer material layer 24A. Next, a magnetic field is applied to the conductive elastomer material layer 24A via the metal mask 28M and the ferromagnetic portion 33 of the support 31 in the thickness direction of the conductive elastomer material layer 24A. In the elastomer material layer 24 </ b> A, a magnetic field having a higher strength than that of the other portion is formed in a portion located between the metal mask 28 </ b> M and the ferromagnetic portion 33 of the support 31. As a result, the conductive particles P dispersed in the conductive elastomer material layer 24A are formed in a portion located between the metal mask 28M and the ferromagnetic portion 33 of the support 31, as shown in FIG. They are assembled and further oriented so as to be aligned in the thickness direction of the conductive elastomer material layer 24A. Then, while continuing the action of the magnetic field on the conductive elastomer material layer 24A, or after stopping the action of the magnetic field, the conductive elastomer material layer 24A is cured, as shown in FIG. A conductive elastomer layer 24 </ b> B is formed in a state where the conductive particles P are contained in the polymer material in an aligned state in the thickness direction so as to be supported on the support 31.
Thereafter, the metal foil 28F in the metal mask composite 28C disposed on the conductive elastomer layer 24B is removed by etching, thereby removing the metal mask 28M and the resist layer 28R as shown in FIG. Expose. Then, by applying laser processing to the conductive elastomer layer 24B and the resist layer 28R, the peripheral portions of the portions where the metal mask 28M is disposed in the resist layer 28R and the conductive elastomer layer 24B are removed. As shown in 37, a plurality of connecting conductive portions 24 arranged according to a specific pattern are formed on a support 31 in a supported state.

このような支持体３１を用いる方法によれば、導電性エラストマー材料層２４Ａに対し、金属マスク２８Ｍが配置された部分に、それ以外の部分より一層高い強度の磁場を作用させることができるので、得られる導電性エラストマー層２４Ｂは、金属マスク２８Ｍが配置された部分における導電性粒子Ｐが一層密となり、それ以外の部分における導電性粒子Ｐが一層疎となる。そのため、導電性エラストマー層２４の厚みが相当に大きいものであっても、導電性エラストマー層２４Ｂをレーザー加工することにより、所期の形態の接続用導電部２４を形成することができる。   According to such a method using the support 31, a magnetic field having a higher strength can be applied to the portion where the metal mask 28 </ b> M is disposed on the conductive elastomer material layer 24 </ b> A than the other portions. In the obtained conductive elastomer layer 24B, the conductive particles P in the portion where the metal mask 28M is disposed become denser, and the conductive particles P in the other portions become more sparse. Therefore, even if the thickness of the conductive elastomer layer 24 is considerably large, it is possible to form the connection conductive portion 24 in the desired form by laser processing the conductive elastomer layer 24B.

本発明に係る第１の例のウエハ検査用異方導電性コネクターを示す平面図である。It is a top view which shows the anisotropic conductive connector for wafer inspection of the 1st example which concerns on this invention. 第１の例のウエハ検査用異方導電性コネクターの一部を拡大して示す平面図である。It is a top view which expands and shows a part of anisotropic conductive connector for wafer inspection of the 1st example. 第１の例のウエハ検査用異方導電性コネクターの一部を拡大して示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which expands and shows a part of anisotropic conductive connector for wafer inspection of the 1st example. 金属箔上に特定のパターンに従って形成された複数の開口を有するレジスト層が形成された状態を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the state in which the resist layer which has the some opening formed according to the specific pattern on the metal foil was formed. レジスト層の各開口内に金属マスクが形成されて金属マスク複合体が形成された状態を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the state in which the metal mask was formed in each opening of a resist layer, and the metal mask composite_body | complex was formed. 支持体上に、フレーム板が配置されると共に導電性エラストマー用材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the state by which the frame board was arrange | positioned on the support body and the conductive elastomer material layer was formed. 導電性エラストマー用材料層の表面に金属マスク複合体が配置された状態を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the state by which the metal mask composite body has been arrange | positioned on the surface of the material layer for conductive elastomers. 導電性エラストマー用材料層にその厚み方向に磁場が作用された状態を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the state by which the magnetic field was acted on the thickness direction of the conductive elastomer material layer. 支持体上に導電性エラストマー層が形成された状態を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the state in which the conductive elastomer layer was formed on the support body. 金属マスク複合体の金属箔が除去された状態を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the state from which the metal foil of the metal mask composite was removed. 支持体上に特定のパターンに従って複数の接続用導電部が形成された状態を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the state by which the several electroconductive part for a connection was formed according to the specific pattern on the support body. 第１の中間体の構成を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the structure of a 1st intermediate body. 金属膜上に特定のパターンに従って形成された複数の開口を有するレジスト層が形成された状態を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the state in which the resist layer which has the some opening formed according to the specific pattern on the metal film was formed. レジスト層の各開口内に接点部材が形成された状態を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the state in which the contact member was formed in each opening of a resist layer. 接点部材複合体の構成を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the structure of a contact member composite_body | complex. 第２の中間体の構成を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the structure of a 2nd intermediate body. 第１の中間体と第２の中間体とが積重された状態を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the state in which the 1st intermediate body and the 2nd intermediate body were piled up. 隣接する接続用導電部間に絶縁部が形成された状態を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the state in which the insulating part was formed between the adjacent conductive parts for a connection. 本発明に係る第２の例のウエハ検査用異方導電性コネクターを示す平面図である。It is a top view which shows the anisotropic conductive connector for wafer inspection of the 2nd example which concerns on this invention. 本発明に係るプローブカードの第１の例の構成を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the structure of the 1st example of the probe card based on this invention. 第１の例のプローブカードの要部の構成を拡大して示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which expands and shows the structure of the principal part of the probe card of a 1st example. 第１の例のプローブカードにおける検査用回路基板を示す平面図である。It is a top view which shows the circuit board for a test | inspection in the probe card of a 1st example. 検査用回路基板におけるリード電極部を拡大して示す説明図である。It is explanatory drawing which expands and shows the lead electrode part in the circuit board for a test | inspection. 本発明に係るプローブカードの第２の例の構成を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the structure of the 2nd example of the probe card based on this invention. 第２の例のプローブカードの要部の構成を拡大して示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which expands and shows the structure of the principal part of the probe card of a 2nd example. 第２の例のプローブカードにおける検査用回路基板を示す平面図である。It is a top view which shows the circuit board for a test | inspection in the probe card of a 2nd example. 本発明に係るウエハ検査装置の第１の例の構成を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the structure of the 1st example of the wafer inspection apparatus which concerns on this invention. 第１の例のウエハ検査装置の要部の構成を拡大して示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which expands and shows the structure of the principal part of the wafer inspection apparatus of a 1st example. 第１の例のウエハ検査装置におけるコネクターを拡大して示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which expands and shows the connector in the wafer inspection apparatus of the 1st example. 本発明に係るウエハ検査装置の第２の例の構成を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the structure of the 2nd example of the wafer inspection apparatus which concerns on this invention. 支持体の他の例における構成を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the structure in the other example of a support body. 金属膜上に非磁性体部分が形成された状態を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the state by which the non-magnetic-material part was formed on the metal film. 図３１に示す支持体上に形成された導電性エラストマー用材料層の表面に金属マスク複合体が配置された状態を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the state by which the metal mask composite body has been arrange | positioned on the surface of the material layer for conductive elastomers formed on the support body shown in FIG. 導電性エラストマー用材料層にその厚み方向に磁場が作用された状態を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the state by which the magnetic field was acted on the thickness direction of the conductive elastomer material layer. 図３１に示す支持体上に導電性エラストマー層が形成された状態を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the state by which the conductive elastomer layer was formed on the support body shown in FIG. 金属マスク複合体の金属箔が除去された状態を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the state from which the metal foil of the metal mask composite was removed. 図３１に示す支持体上に特定のパターンに従って複数の導電路形成部が形成された状態を示す説明用断面図である。FIG. 32 is an explanatory sectional view showing a state in which a plurality of conductive path forming portions are formed according to a specific pattern on the support shown in FIG. 31. 従来の異方導電性コネクターを製造するための金型の構成を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the structure of the metal mold | die for manufacturing the conventional anisotropically conductive connector. 従来の異方導電性コネクターを製造する工程において、金型内にフレーム板が配置されると共に、成形材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。In the process of manufacturing the conventional anisotropically conductive connector, it is sectional drawing for description which shows the state by which the frame board was arrange | positioned in a metal mold | die and the molding material layer was formed. 成形材料層の厚み方向に磁場が作用された状態を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the state by which the magnetic field was acted on the thickness direction of the molding material layer. 従来の異方導電性コネクターの製造方法において、成形材料層に作用される磁場の方向を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the direction of the magnetic field acted on a molding material layer in the manufacturing method of the conventional anisotropically conductive connector.

符号の説明Explanation of symbols

２ コントローラー
３ 入出力端子
３Ｒ 入出力端子部
４ コネクター
４Ａ 導電ピン
４Ｂ 支持部材
５ ウエハ載置台
６ ウエハ
７ 被検査電極
１０ プローブカード
１１ 検査用回路基板
１２ 第１の基板素子
１３ リード電極
１３Ｒ リード電極部
１４ ホルダー
１４Ｋ 開口
１５ 第２の基板素子
１６ 検査用電極
１６Ｒ 検査用電極部
１７ 補強部材
２０ 異方導電性コネクター
２０Ａ 第１の中間体
２０Ｂ 第２の中間体
２１ フレーム板
２２ 開口
２３ 弾性異方導電膜
２４ 接続用導電部
２４Ａ 導電性エラストマー用材料層
２４Ｂ 導電性エラストマー層
２５ 絶縁部
２５Ａ，２５Ｂ 絶縁部用材料層
２７ 接点部材
２７Ｃ 接点部材複合体
２８Ｃ 金属マスク複合体
２８Ｆ 金属箔
２８Ｍ 金属マスク
２８Ｒ レジスト層
２８Ｋ 開口
２９Ｆ 金属膜
２９Ｒ レジスト層
２９Ｋ 開口
３０，３１ 支持体
３２ 金属膜
３３ 強磁性体部分
３４ 非磁性体部分
３４Ｋ 開口
８０ 上型
８１ 基板
８２，８２ａ，８２ｂ 強磁性体層
８３ 非磁性体層
８５ 下型
８６ 基板
８７ ８７ａ，８７ｂ 強磁性体層
８８ 非磁性体層
９０ フレーム板
９１ 開口
９５ 弾性異方導電膜
９５Ａ 成形材料層
９６ 導電部
９７ 絶縁部
Ｐ 導電性粒子
2 Controller 3 Input / output terminal 3R Input / output terminal section 4 Connector 4A Conductive pin 4B Support member 5 Wafer mounting table 6 Wafer 7 Electrode 10 Probe card 11 Inspection circuit board 12 First substrate element 13 Lead electrode 13R Lead electrode section 14 holder 14K opening 15 second substrate element 16 inspection electrode 16R inspection electrode portion 17 reinforcing member 20 anisotropic conductive connector 20A first intermediate body 20B second intermediate body 21 frame plate 22 opening 23 elastic anisotropic conduction Membrane 24 Connecting conductive portion 24A Conductive elastomer material layer 24B Conductive elastomer layer 25 Insulating portions 25A, 25B Insulating portion material layer 27 Contact member 27C Contact member composite 28C Metal mask composite 28F Metal foil 28M Metal mask 28R Resist layer
28K opening 29F metal film 29R resist layer 29K opening 30, 31 support 32 metal film 33 ferromagnetic portion 34 nonmagnetic portion 34K opening 80 upper mold 81 substrate 82, 82a, 82b ferromagnetic layer 83 nonmagnetic layer 85 Lower mold 86 Substrate 87 87a, 87b Ferromagnetic layer 88 Nonmagnetic layer 90 Frame plate 91 Opening 95 Elastic anisotropic conductive film 95A Molding material layer 96 Conductive part 97 Insulating part P Conductive particle

Claims (5)

検査対象であるウエハに形成された全てのまたは一部の集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応して複数の開口が形成されたフレーム板と、前記電極領域における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置された弾性高分子物質中に磁性を示す導電性粒子が含有されてなる複数の接続用導電部およびこれらを相互に絶縁する弾性高分子物質よりなる絶縁部を有し、前記フレーム板にその開口を塞ぐよう配置されて支持された複数の弾性異方導電膜と、これらの弾性異方導電膜における各接続用導電部上に配置された金属よりなる複数の接点部材とを具えてなるウエハ検査用異方導電性コネクターを製造する方法であって、
支持体上に配置されたフレーム板に、硬化されて弾性高分子物質となる液状の高分子物質形成材料中に磁性を示す導電性粒子が含有されてなる複数の導電性エラストマー用材料層を当該フレーム板の開口の各々を塞ぐよう形成し、これらの導電性エラストマー用材料層の表面に、前記被検査電極のパターンに対応する特定のパターンに従って磁性を示す金属マスクを配置し、この状態で、当該導電性エラストマー用材料層に対して、その厚み方向に磁場を作用させると共に、当該導電性エラストマー用材料層の各々を硬化処理することにより、複数の導電性エラストマー層を形成し、これらの導電性エラストマー層をレーザー加工して前記金属マスクが配置された部分の周辺部分を除去することにより、前記支持体上にに配置されたフレーム板の各開口内に前記特定のパターンに従って配置された複数の接続用導電部を形成し、前記支持体上における接続用導電部の間に、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質形成材料よりなる絶縁部用材料層を形成することにより、第１の中間体を製造する工程と、
金属膜上に、前記接続用導電部に対応するパターンに従って配置された複数の接点部材を形成し、これらの接点部材の間に、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質形成材料よりなる絶縁部用材料層を形成することにより、第２の中間体を製造する工程と、
前記第１の中間体と前記第２の中間体とを、接続用導電部の各々にこれに対応する接点部材の各々が対接するよう積重し、この状態で、第１の中間体および第２の中間体の各々の絶縁部用材料層を硬化処理することにより絶縁部を形成する工程と
を有することを特徴とするウエハ検査用異方導電性コネクターの製造方法。 A frame plate in which a plurality of openings are formed corresponding to electrode regions in which electrodes to be inspected are arranged in all or part of integrated circuits formed on a wafer to be inspected, and the electrodes to be inspected in the electrode regions A plurality of connecting conductive portions each including conductive particles exhibiting magnetism in an elastic polymer material arranged according to a pattern corresponding to the pattern, and an insulating portion made of an elastic polymer material that insulates them from each other A plurality of elastic anisotropic conductive films arranged and supported by the frame plate so as to close the openings, and a plurality of contact members made of metal arranged on each connection conductive portion in these elastic anisotropic conductive films A method of manufacturing an anisotropic conductive connector for wafer inspection comprising:
A plurality of conductive elastomer material layers in which conductive particles exhibiting magnetism are contained in a liquid polymer substance forming material that is cured to become an elastic polymer substance are provided on a frame plate disposed on a support. Each of the openings of the frame plate is formed to be closed, and a metal mask showing magnetism is arranged on the surface of the conductive elastomer material layer according to a specific pattern corresponding to the pattern of the electrode to be inspected. A magnetic field is applied to the conductive elastomer material layer in the thickness direction, and each of the conductive elastomer material layers is cured to form a plurality of conductive elastomer layers. A frame disposed on the support by removing a peripheral portion of the portion where the metal mask is disposed by laser processing the functional elastomer layer Forming a plurality of connecting conductive portions arranged in the respective openings according to the specific pattern, and being cured between the connecting conductive portions on the support to become an elastic polymer material Forming a first intermediate by forming an insulating material layer comprising:
A plurality of contact members arranged according to a pattern corresponding to the conductive portion for connection are formed on the metal film, and a polymer material forming material that is cured and becomes an elastic polymer material between the contact members. Forming a second intermediate by forming an insulating material layer;
The first intermediate body and the second intermediate body are stacked so that each of the contact members corresponding to each of the connecting conductive portions is in contact with each other, and in this state, the first intermediate body and the second intermediate body A method of manufacturing an anisotropic conductive connector for wafer inspection, comprising: forming an insulating portion by curing a material layer for each insulating portion of the intermediate of 2. レーザー加工は、炭酸ガスレーザーまたは紫外線レーザーによるものであることを特徴とする請求項１に記載のウエハ検査用異方導電性コネクターの製造方法。   2. The method for producing an anisotropic conductive connector for wafer inspection according to claim 1, wherein the laser processing is performed by a carbon dioxide laser or an ultraviolet laser. 請求項１または請求項２に記載の製造方法によって得られることを特徴とするウエハ検査用異方導電性コネクター。   An anisotropic conductive connector for wafer inspection, which is obtained by the manufacturing method according to claim 1. 検査対象であるウエハに形成された全てのまたは一部の集積回路における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って複数の検査用電極が表面に形成された検査用回路基板と、この検査用回路基板の表面上に配置された、請求項３に記載のウエハ検査用異方導電性コネクターとを具えてなることを特徴とするウエハ検査用プローブカード。   An inspection circuit board having a plurality of inspection electrodes formed on the surface according to a pattern corresponding to the pattern of the electrodes to be inspected in all or some of the integrated circuits formed on the wafer to be inspected, and the inspection circuit board A wafer inspection probe card comprising the anisotropic conductive connector for wafer inspection according to claim 3, which is disposed on the surface of the wafer inspection device. ウエハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をウエハの状態で行うウエハ検査装置であって、
請求項４に記載のウエハ検査用プローブカードを具えてなることを特徴とするウエハ検査装置。
A wafer inspection apparatus that performs electrical inspection of a plurality of integrated circuits formed on a wafer in a wafer state,
A wafer inspection apparatus comprising the probe card for wafer inspection according to claim 4.
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Effective date: 20081202