JP2007084387A - セラミックス回路基板の製造方法 - Google Patents
セラミックス回路基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007084387A JP2007084387A JP2005275605A JP2005275605A JP2007084387A JP 2007084387 A JP2007084387 A JP 2007084387A JP 2005275605 A JP2005275605 A JP 2005275605A JP 2005275605 A JP2005275605 A JP 2005275605A JP 2007084387 A JP2007084387 A JP 2007084387A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- ceramic
- circuit element
- precursor
- ink
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
【解決手段】 ガラスを含有してなるセラミックス基板2又はその前駆体基板7からなる基体3上に樹脂製の受容層9を形成する工程と、受容層9上に導電粒子と分散媒とを含有したインク10を配して回路要素前駆体11(13)を形成する工程と、受容層9及び回路要素前駆体11(13)を加熱処理し、受容層9を燃焼させて基体3上から除去すると共に、回路要素前駆体11(13)を焼結して回路要素5とする工程と、を備えたセラミックス回路基板の製造方法である。受容層9及び回路要素前駆体11(13)を加熱処理する工程では、その加熱温度を、基体3中に含まれるガラスの軟化点以上とする。
【選択図】 図3
Description
このような課題を解消してパターン精度を高めるため、基板表面に界面活性剤、水溶性樹脂、酸を含む表面処理層を形成する技術が提供されている(例えば、特許文献1参照)。
また、導電材料からなるインクとして、例えば導電成分として貴金属微粒子のみを含有したインクを用いた場合、セラミックス基板に対して十分な固着強度を確保することができないといった課題がある。これに対して、インク中にガラスや他の金属を添加したペーストのみを用いて配線を形成すると、結合材として添加した成分によって導電性が低下したり、熱処理時に合金を生成したりすることにより、配線等の回路要素の抵抗値が高くなってしまうといった新たな課題が生じてしまう。
前記受容層上に導電粒子と分散媒とを含有してなるインクを配して回路要素前駆体を形成する工程と、
前記受容層及び回路要素前駆体を加熱処理し、前記受容層を燃焼により消失させて前記基体上から除去するとともに、回路要素前駆体を焼結して回路要素とする工程と、を備え、
前記受容層及び回路要素前駆体を加熱処理する工程では、その加熱温度を、前記基体中に含まれるガラスの軟化点以上とすることを特徴としている。
また、受容層及び回路要素前駆体を加熱処理し、前記受容層を燃焼により消失させて前記基体上から除去するので、この受容層の形成材料が基体中に不純物として残存し、セラミックス基板の電気的特性が損なわれてしまうといった不都合も回避され、さらに、形成する回路要素が基体に直接接することにより、この回路要素がより良好に基体へ固着するようになる。
また、受容層及び回路要素前駆体を加熱処理する際、その加熱温度を、基体中に含まれるガラスの軟化点以上としているので、受容層が燃焼により消失した後、さらに温度を上昇させて前記ガラスの軟化点以上にまで温度を上昇させることにより、形成された回路要素が軟化したガラスによって基体上に強固に固着するようになる。
このようにすれば、セラミックス基板の焼成と回路要素の形成とを一括して行うことができ、したがって工程の簡略化を図ることができる。
このようにすれば、特にこの基体がセラミックス基板を複数積層して形成される場合に、積層される基板間に形成される内層回路の形成材料として、抵抗率が小さい銀などの貴金属を用い、この内層回路を焼成により形成すると同時に、セラミックス基板の焼成を行うことが可能になる。
銀、パラジウム、白金、金といった貴金属は、抵抗率が小さく、かつ、加熱処理によって酸化されない安定なものであるから、これらの金属粒子、すなわち導電粒子を用いることにより、低抵抗で安定な回路要素を形成することが可能になる。
このようにすれば、所望する場所に所望の量のインクを精度良く吐出し、配することができるので、微細配線などの回路要素を精度良くしかも容易に形成することができる。
セラミックス基板として例えば低温焼成ガラスセラミックス基板は、含有するガラスの軟化点が通常600℃から900℃であるので、この温度範囲にまで加熱温度を上げることにより、セラミックス基板の表層部中のガラス成分を軟化させることができる。したがって、その後硬化させることにより、基体と回路要素との間をより強固に固着することができる。
ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの樹脂の変性体は、その分子間に形成される空隙にインクの分散媒を染み込ませることができ、したがって導電粒子を受容層上に選択的に残すことができる。また、特に回路要素前駆体を回路要素に焼成する際の加熱処理によって容易に燃焼し、消失するとともに、これら樹脂が金属等の無機質を含まないことから基体上に不純物として残留することもなく、したがって加熱処理によって基体から確実に除去されるようになる。
受容層の厚さが10nm未満になると、この上に配されたインク中の分散媒を染み込ませ、かつ、導電粒子をその上に留めるといった機能が十分に発揮されなくなるおそれがあり、10μmを越えると、最終的にこれを燃焼させ、消失させる際の加熱処理の負荷が大きくなってしまい、生産性が損なわれるからである。
本発明に係るセラミックス回路基板は、各種の電子機器に用いられる電子部品となるもので、積層セラミックスコンデンサ、積層インダクター、LCフィルタ等のセラミックス電子部品の、配線パターンや電極パターン、すなわち回路要素を、セラミックス基板間及びセラミックス基板上に形成したものである。
まず、原料粉体として、平均粒径が1〜2μm程度のアルミナ(Al2O3)や酸化チタン(TiO2)等からなるセラミックス粉末と、平均粒径が1〜2μm程度のホウ珪酸ガラス等からなるガラス粉末とを用意し、これらを適宜な混合比、例えば1:1の重量比で混合する。
次いで、得られたスラリーを、ドクターブレード、リバースコーター等を用いてPETフィルム上にシート状に形成し、製品の製造条件に応じて数μm〜数百μm厚のシートに成形し、その後、ロールに巻き取る。
続いて、製品の用途に合わせて切断し、さらに所定寸法のシートに裁断する。本実施形態では、例えば1辺の長さを200mmとする正方形状に裁断する。
一方、受容層9の厚さを、10μmを越えるようにすると、最終的にこれを燃焼させて消失させる際の加熱処理の負荷が大きくなることから、生産性が損なわれてしまうとともに、コストおよび環境の観点からも不利になってしまい、5μm以下であれば、加熱処理の際の負荷も比較的小さく、コストおよび環境の点でも十分許容できる範囲となる。
次いで、これら前駆体基板7からPETフィルム8を剥がし、図2に示すようにこれらを積層することにより、積層体12を得る。このとき、積層する前駆体基板7については、上下に重ねられる前駆体基板7間で、それぞれの回路要素前駆体11が必要に応じてコネクタ6を介して接続するように配置する。
その後、前述の積層体12を基体3に形成した工程と同じ加熱処理を行うことにより、前記受容層9を燃焼により消失させて基体3上から除去するとともに、回路要素前駆体13を焼結して微細配線等からなる表層回路4とし、図1に示したセラミックス回路基板1を得る。
以下、本発明を実施例によってさらに詳しく説明する。なお、本発明が以下の実施例に限定されないのはもちろんである。
(実施例1)
セラミックス基板上に表層回路(ミアンダコイル)を以下のようにして作製した。
まず、アルミナ粒子と軟化点690℃のホウ珪酸ガラス粒子とを重量比1:1で混合し、得られた材料を880℃で焼成して、低温焼成セラミックス(LTCC)基板を形成した。
次に、このセラミックス基板の一方の表面上に、スピンコート法によって燃焼温度480℃の変性ポリエステル樹脂を塗布し、厚さ1.0μmの受容層を形成した。
次いで、平均粒子径10nmのAg粒子を含むインクを用い、これをインクジェット法で前記受容層上に吐出し、幅50μmのミアンダコイルパターンを印刷(形成)した。
その後、前記セラミックス基板に720℃で30分間の加熱処理を施した。すると、前記受容層はセラミックス基板上から消失し、このセラミックス基板上には厚さ5.0μmの配線(ミアンダコイル)が形成された。
このようにして配線が形成された基板について、その印刷領域(配線形成領域)に対して「JIS C5012」で規定されるテープ引き剥がし試験を行ったところ、金属(配線)の引き剥がれが見られず、したがって配線がセラミックス基板上に十分な強度で固着していることが確認された。
なお、得られた結果を、他の例と共に以下の「表」に記す。
実施例1と同じ材料を用い、同様のパターン印刷を行うことで、セラミックス基板上に表層回路(ミアンダコイル)を作製した。
ただし、加熱処理温度については、受容層の樹脂燃焼温度以上ではあるものの、セラミックス基板に含まれるガラスの軟化点以下の温度である、600℃とした。
このようにして配線が形成された基板について、実施例1と同様にしてテープ引き剥がし試験を行ったところ、金属(配線)が容易に引き剥がされた。したがって、形成された配線は、セラミックス基板に十分な強度で固着されていなかったことが分かった。
なお、得られた結果を、他の例と共に以下の「表」に記す。
実施例1と同様にして、セラミックス基板上に表層回路(ミアンダコイル)を作製した。
ただし、この例では、前記セラミックス基板上に、樹脂からなる受容層を塗布・形成することなく、このセラミックス基板上に直接、インクジェット法によって平均粒子径10nmのAg粒子を含むインクを吐出し、幅50μmのミアンダコイルパターンの印刷(形成)を行った。
しかしながら、このようにしてインクを吐出したところ、インクがセラミックス基板上で濡れ広がってしまって、ライン(配線パターン)を形成することができなかった。
なお、得られた結果を、他の例と共に以下の「表」に記す。
セラミックス基板上に表層回路(ミアンダコイル)を以下のようにして作製した。
まず、酸化チタン粒子と軟化点640℃のホウ珪酸ガラス粒子とを重量比1:1で混合し、得られた材料を860℃で焼成して、低温焼成セラミックス(LTCC)基板を形成した。
次に、このセラミックス基板の一方の表面上に、スピンコート法によって燃焼温度500℃の変性ウレタン樹脂を塗布し、厚さ0.8μmの受容層を形成した。
次いで、平均粒子径12nmのAu粒子を含むインクを用い、これをインクジェット法で前記受容層上に吐出し、幅50μmのミアンダコイルパターンを印刷(形成)した。
その後、前記セラミックス基板に740℃で30分間の加熱処理を施した。すると、前記受容層はセラミックス基板上から消失し、このセラミックス基板上には厚さ4.3μmの配線(ミアンダコイル)が形成された。
このようにして配線が形成された基板について、その印刷領域(配線形成領域)に対して「JIS C5012」で規定されるテープ引き剥がし試験を行ったところ、金属(配線)の引き剥がれが見られず、したがって配線がセラミックス基板上に十分な強度で固着していることが確認された。
なお、得られた結果を、他の例と共に以下の「表」に記す。
実施例2と同じ材料を用い、同様のパターン印刷を行うことで、セラミックス基板上に表層回路(ミアンダコイル)を作製した。
ただし、加熱処理温度については、受容層の樹脂燃焼温度以上ではあるものの、セラミックス基板に含まれるガラスの軟化点以下の温度である、550℃とした。
このようにして配線が形成された基板について、実施例2と同様にしてテープ引き剥がし試験を行ったところ、金属(配線)が容易に引き剥がされた。したがって、形成された配線は、セラミックス基板に十分な強度で固着されていなかったことが分かった。
なお、得られた結果を、他の例と共に以下の「表」に記す。
Claims (8)
- ガラスを含有してなるセラミックス基板又はその前駆体基板からなる基体上に樹脂製の受容層を形成する工程と、
前記受容層上に導電粒子と分散媒とを含有してなるインクを配して回路要素前駆体を形成する工程と、
前記受容層及び回路要素前駆体を加熱処理し、前記受容層を燃焼により消失させて前記基体上から除去するとともに、回路要素前駆体を焼結して回路要素とする工程と、を備え、
前記受容層及び回路要素前駆体を加熱処理する工程では、その加熱温度を、前記基体中に含まれるガラスの軟化点以上とすることを特徴とするセラミックス回路基板の製造方法。 - 前記基体がセラミックス基板の焼成前の前駆体基板からなる場合に、前記受容層及び回路要素前駆体を加熱処理する工程では、前記前駆体基板を焼成することで該基板をセラミックス基板とすることを特徴とする請求項1記載のセラミックス回路基板の製造方法。
- 前記基体がセラミックス基板からなる場合に、該セラミックス基板は900℃以下の温度で焼成されて形成された、低温焼成セラミックスであることを特徴とする請求項1記載のセラミックス回路基板の製造方法。
- 前記インクを構成する導電粒子は、銀、パラジウム、白金、金より選ばれた一種または複数種、もしくはこれらの合金からなることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のセラミックス回路基板の製造方法。
- 前記インクを配して回路要素前駆体を形成する工程では、液滴吐出法によってインクを配することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のセラミックス回路基板の製造方法。
- 前記受容層及び回路要素前駆体を加熱処理する工程では、その加熱温度を、600℃以上、900℃以下とすることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のセラミックス回路基板の製造方法。
- 前記受容層が、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、又はこれら樹脂の変性体より選ばれた一種または複数種からなることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載のセラミックス回路基板の製造方法。
- 前記受容層の厚さが10nm以上10μm以下であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載のセラミックス回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005275605A JP2007084387A (ja) | 2005-09-22 | 2005-09-22 | セラミックス回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005275605A JP2007084387A (ja) | 2005-09-22 | 2005-09-22 | セラミックス回路基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007084387A true JP2007084387A (ja) | 2007-04-05 |
Family
ID=37971766
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005275605A Withdrawn JP2007084387A (ja) | 2005-09-22 | 2005-09-22 | セラミックス回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007084387A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009138165A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Seiko Epson Corp | 導体パターン形成用インク、導体パターンおよび配線基板 |
US7988886B2 (en) | 2007-12-10 | 2011-08-02 | Seiko Epson Corporation | Conductive pattern forming ink, conductive pattern and wiring substrate |
US7988888B2 (en) | 2007-12-10 | 2011-08-02 | Seiko Epson Corporation | Conductive pattern forming ink, conductive pattern, and wiring substrate |
US8017043B2 (en) | 2007-12-10 | 2011-09-13 | Seiko Epson Corporation | Conductive pattern forming ink, conductive pattern, and wiring substrate |
US8066912B2 (en) | 2007-12-10 | 2011-11-29 | Seiko Epson Corporation | Conductive pattern forming ink, conductive pattern, and wiring substrate |
US8119036B2 (en) | 2007-12-10 | 2012-02-21 | Seiko Epson Corporation | Conductive pattern forming ink, conductive pattern, and wiring substrate |
US8119034B2 (en) | 2007-12-10 | 2012-02-21 | Seiko Epson Corporation | Conductive pattern forming ink, conductive pattern, and wiring substrate |
US8119035B2 (en) | 2007-12-10 | 2012-02-21 | Seiko Epson Corporation | Conductive pattern forming ink, conductive pattern, and wiring substrate |
US8173050B2 (en) | 2007-12-11 | 2012-05-08 | Seiko Epson Corporation | Conductive pattern formation ink, conductive pattern and wiring substrate |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000067742A (ja) * | 1998-08-17 | 2000-03-03 | Fujitsu Ltd | ガス放電パネルの隔壁形成方法 |
JP2003261397A (ja) * | 2002-03-12 | 2003-09-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セラミック基板とその製造方法、このセラミック基板を用いた電子部品の製造方法 |
JP2007084699A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Seiko Epson Corp | グリーンシート用インク及びセラミックス基板の製造方法 |
-
2005
- 2005-09-22 JP JP2005275605A patent/JP2007084387A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000067742A (ja) * | 1998-08-17 | 2000-03-03 | Fujitsu Ltd | ガス放電パネルの隔壁形成方法 |
JP2003261397A (ja) * | 2002-03-12 | 2003-09-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セラミック基板とその製造方法、このセラミック基板を用いた電子部品の製造方法 |
JP2007084699A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Seiko Epson Corp | グリーンシート用インク及びセラミックス基板の製造方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009138165A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Seiko Epson Corp | 導体パターン形成用インク、導体パターンおよび配線基板 |
US7988886B2 (en) | 2007-12-10 | 2011-08-02 | Seiko Epson Corporation | Conductive pattern forming ink, conductive pattern and wiring substrate |
US7988888B2 (en) | 2007-12-10 | 2011-08-02 | Seiko Epson Corporation | Conductive pattern forming ink, conductive pattern, and wiring substrate |
US8017043B2 (en) | 2007-12-10 | 2011-09-13 | Seiko Epson Corporation | Conductive pattern forming ink, conductive pattern, and wiring substrate |
US8066912B2 (en) | 2007-12-10 | 2011-11-29 | Seiko Epson Corporation | Conductive pattern forming ink, conductive pattern, and wiring substrate |
US8119036B2 (en) | 2007-12-10 | 2012-02-21 | Seiko Epson Corporation | Conductive pattern forming ink, conductive pattern, and wiring substrate |
US8119034B2 (en) | 2007-12-10 | 2012-02-21 | Seiko Epson Corporation | Conductive pattern forming ink, conductive pattern, and wiring substrate |
US8119035B2 (en) | 2007-12-10 | 2012-02-21 | Seiko Epson Corporation | Conductive pattern forming ink, conductive pattern, and wiring substrate |
US8173050B2 (en) | 2007-12-11 | 2012-05-08 | Seiko Epson Corporation | Conductive pattern formation ink, conductive pattern and wiring substrate |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007084387A (ja) | セラミックス回路基板の製造方法 | |
JP2007084699A (ja) | グリーンシート用インク及びセラミックス基板の製造方法 | |
JP4867841B2 (ja) | 導体パターン形成用インク | |
JP2005057140A (ja) | 多層配線基板とその製造方法 | |
JP2009108207A (ja) | 導体パターン形成用インク、導体パターンおよび配線基板 | |
JP2011146485A (ja) | 導体パターンの形成方法、配線基板および液滴吐出装置 | |
JP2011146540A (ja) | 導体パターンの形成方法、配線基板および液滴吐出装置 | |
JP2011178039A (ja) | セラミックス成形体および配線基板 | |
JP2011129787A (ja) | 導体パターン形成用インク、導体パターン、配線基板 | |
JP2012175083A (ja) | セラミックス成形体、配線基板の製造方法および配線基板 | |
KR20080048940A (ko) | 패턴 형성 방법, 액적 토출 장치 및 회로 기판 | |
JP2012169373A (ja) | 配線基板の製造方法および配線基板 | |
JP2011159836A (ja) | 配線基板の製造方法、導体パターン形成用インクセットおよび配線基板 | |
JP2011155086A (ja) | 導体パターン前駆体、導体パターン、導体パターン前駆体付基板、配線基板および配線基板の製造方法 | |
JP2011155028A (ja) | 配線基板の製造方法および配線基板 | |
JP2009120718A (ja) | 導体パターン形成用インク、導体パターンおよび配線基板 | |
JP2011159846A (ja) | セラミックス成形体および配線基板 | |
JP2011165983A (ja) | 配線基板の製造方法、導体パターン形成用インクセットおよび配線基板 | |
JP2011192812A (ja) | 配線基板 | |
JP2011192813A (ja) | 配線基板 | |
JP2011159835A (ja) | 配線基板の製造方法および配線基板 | |
JP2011129788A (ja) | 導体パターン前駆体、導体パターン、導体パターン前駆体付基板、配線基板および配線基板の製造方法 | |
JP2011171574A (ja) | 導体パターンの形成方法および液滴吐出装置 | |
JP2012151302A (ja) | 配線基板の製造方法および配線基板 | |
JP2011119552A (ja) | 配線基板の製造方法および配線基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20080116 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080117 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110524 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Effective date: 20110720 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20110721 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110812 |