JP2007081224A

JP2007081224A - Exposure device

Info

Publication number: JP2007081224A
Application number: JP2005268689A
Authority: JP
Inventors: Shinya Mochizuki; 伸也望月
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2005-09-15
Filing date: 2005-09-15
Publication date: 2007-03-29
Anticipated expiration: 2025-09-15
Also published as: JP4908807B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent deformation of a chamber and vibration of a vibrating pump from being transported to an exposure optical system supported by a body structure within the chamber by a partition wall for partitioning a chamber inside space into a plurality of spaces. <P>SOLUTION: A sheet-like seal member is disposed between a partition wall supported on a chamber inside wall and a member supporting an exposure optical system, thereby partitioning two spaces. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、一般には、露光装置に係り、特に、半導体ウエハ用の単結晶基板、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用のガラス基板などのデバイスを製造する際に使用される露光装置に関する。本発明は、特に、露光光として紫外線光や極端紫外線（ＥＵＶ：ｅｘｔｒｅｍｅｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を利用する露光装置に好適である。 The present invention generally relates to an exposure apparatus, and more particularly to an exposure apparatus used when manufacturing devices such as a single crystal substrate for a semiconductor wafer and a glass substrate for a liquid crystal display (LCD). The present invention is particularly suitable for an exposure apparatus that uses ultraviolet light or extreme ultraviolet (EUV) light as exposure light.

フォトリソグラフィー技術を用いて半導体メモリや論理回路などの微細な半導体素子を製造する際に、レチクルに描画された回路パターンを投影光学系によってウエハ等に投影して回路パターンを転写する縮小投影露光装置が従来から使用されている。 A reduction projection exposure apparatus for transferring a circuit pattern by projecting a circuit pattern drawn on a reticle onto a wafer or the like by a projection optical system when manufacturing a fine semiconductor element such as a semiconductor memory or a logic circuit by using a photolithography technique. Has been used in the past.

縮小投影露光装置で転写できる最小の寸法（解像度）は、露光に用いる光の波長に比例し、投影光学系の開口数（ＮＡ）に反比例する。従って、波長を短くすればするほど、解像度はよくなる。このため、近年の半導体素子への微細化の要求に伴い露光光の短波長化が進められている。紫外線光として、超高圧水銀ランプ（ｉ線（波長約３６５ｎｍ））、ＫｒＦエキシマレーザー（波長約２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長約１９３ｎｍ）などが挙げられる。 The minimum dimension (resolution) that can be transferred by the reduction projection exposure apparatus is proportional to the wavelength of light used for exposure and inversely proportional to the numerical aperture (NA) of the projection optical system. Therefore, the shorter the wavelength, the better the resolution. For this reason, with the recent demand for miniaturization of semiconductor elements, the wavelength of exposure light has been shortened. Examples of the ultraviolet light include an ultrahigh pressure mercury lamp (i-line (wavelength: about 365 nm)), a KrF excimer laser (wavelength: about 248 nm), an ArF excimer laser (wavelength: about 193 nm), and the like.

しかし、半導体素子は急速に微細化しており、紫外線光を用いたリソグラフィーでは限界がある。そこで、０．１μｍ以下の非常に微細な回路パターンを効率よく転写するために、紫外線光よりも更に波長が短い、波長１０ｎｍ乃至１５ｎｍ程度の極端紫外線光を用いた縮小投影露光装置（以下、「ＥＵＶ露光装置」と称する。）が開発されている。 However, semiconductor elements are rapidly miniaturized, and there is a limit in lithography using ultraviolet light. Therefore, in order to efficiently transfer a very fine circuit pattern of 0.1 μm or less, a reduction projection exposure apparatus (hereinafter referred to as “hereinafter referred to as“ UV light ”) using extreme ultraviolet light having a wavelength shorter than ultraviolet light and having a wavelength of about 10 nm to 15 nm. "EUV exposure apparatus") has been developed.

ＥＵＶ光の波長領域では、物質による光の吸収が非常に大きくなるので、可視光や紫外線光で用いられるような光の屈折を利用した屈折型光学系（レンズを用いた光学系）は、レンズ等の光学素子に対するＥＵＶ光の透過率が悪く、実用的ではない。そこで、光の反射を利用した反射型光学系が用いられる。また、レチクルもミラーの上に吸収体によって転写すべきパターンを形成した反射型レチクルが用いられる。 In the wavelength region of EUV light, the absorption of light by a substance becomes very large. Therefore, a refraction type optical system (optical system using a lens) utilizing refraction of light as used in visible light or ultraviolet light is a lens. The transmittance of EUV light to such optical elements is poor and is not practical. Therefore, a reflective optical system using light reflection is used. Further, a reflective reticle in which a pattern to be transferred by an absorber is formed on a mirror is also used as the reticle.

また、ＥＵＶ光は、気体によっても強く吸収される。例えば、１０Ｐａの空気で満たされた空間を波長１３ｎｍのＥＵＶ光が１ｍ伝播した場合、約５０％のＥＵＶ光が吸収されてしまう。気体によるＥＵＶ光の吸収を回避するためには、ＥＵＶ光が伝播する空間を少なくとも１０^−１Ｐａ以下、好ましくは、１０^−３Ｐａ以下の圧力に維持する必要がある。 EUV light is also strongly absorbed by gas. For example, when EUV light having a wavelength of 13 nm propagates 1 m through a space filled with 10 Pa of air, about 50% of EUV light is absorbed. In order to avoid the absorption of EUV light by the gas, it is necessary to maintain the space in which the EUV light propagates at a pressure of at least 10 ⁻¹ Pa or less, preferably 10 ⁻³ Pa or less.

更に、ＥＵＶ光が照射される光学部材（例えば、ミラーやレチクル）が配置された空間に炭化水素などの炭素を含む分子が残留していた場合、光照射によって光学部材の表面に炭素が次第に付着し、かかる炭素がＥＵＶ光を吸収するために反射率が低下してしまう。光学部材の表面への炭素付着を防止するためには、ＥＵＶ光が照射される光学部材が配置された空間を少なくとも１０^−４Ｐａ以下、好ましくは、１０^−６Ｐａ以下の圧力に維持する必要がある。 Furthermore, when molecules containing carbon such as hydrocarbons remain in a space where an optical member (for example, a mirror or a reticle) irradiated with EUV light is disposed, the carbon gradually adheres to the surface of the optical member by light irradiation. In addition, since the carbon absorbs EUV light, the reflectance is lowered. In order to prevent carbon adhesion to the surface of the optical member, it is necessary to maintain the space in which the optical member irradiated with EUV light is disposed at a pressure of at least 10 ⁻⁴ Pa or less, preferably 10 ⁻⁶ Pa or less. There is.

これらのことを考慮した露光装置は、多数提案されている（例えば、特許文献１及び２参照。）。
特開平２００５−１０１４９２号公報特開平７−２６３３２２号公報 Many exposure apparatuses that take these into consideration have been proposed (see, for example, Patent Documents 1 and 2).
Japanese Patent Laid-Open No. 2005-101492 JP-A-7-263322

しかしながら、露光装置においては、感光剤であるレジストが塗布されたウエハを露光装置外部から搬入し、レチクルの回路パターンを転写して搬出するという動作を繰り返す。ウエハステージは、走査露光を行うための移動機構やウエハを搬送する搬送機構などの駆動機構を有し、表面積が非常に大きくなることと、これらの部品から発生するアウトガスにより高真空化が極めて困難である。 However, the exposure apparatus repeats the operation of carrying in a wafer coated with a resist, which is a photosensitive agent, from the outside of the exposure apparatus, transferring the circuit pattern of the reticle, and carrying it out. The wafer stage has a drive mechanism such as a moving mechanism for scanning exposure and a transport mechanism for transporting the wafer, and it is extremely difficult to achieve a high vacuum due to the extremely large surface area and outgas generated from these components. It is.

更に、ウエハに塗布されたレジストは、露光前に加熱ベーキングされてはいるものの有機物であるために、真空中に搬入するとレジストから構成している有機物やその分解された物質である炭素化合物などが気化してしまう。このようなガスは、真空に維持されている装置内に拡散することになる。また、ウエハは大気中から露光装置内に搬入されるため、ウエハの搬入に伴いウエハに付着している水分を含む空気成分を短時間でなくすことは難しく、真空中において徐々に脱離する。これらウエハやレジストからのアウトガスによって、高真空状態に維持することが非常に困難となる。 Furthermore, since the resist applied to the wafer is an organic substance that is heated and baked before exposure, the organic substance that is formed from the resist and the carbon compound that is decomposed by the resist are brought into the vacuum. It will vaporize. Such gas will diffuse into the device maintained in a vacuum. Further, since the wafer is carried into the exposure apparatus from the atmosphere, it is difficult to remove the air component containing moisture adhering to the wafer as the wafer is carried in in a short time and is gradually desorbed in vacuum. The outgas from these wafers and resists makes it very difficult to maintain a high vacuum state.

炭素を含む分子や水分が露光装置内、特に、反射ミラー配置された空間に拡散することを防止するためにウエハ及びウエハステージの空間と反射ミラーが配置された空間を隔壁により隔離する。各空間を差動排気することで露光光学系のある空間を高真空に維持することができるが、真空チャンバーの変形及び振動が隔壁を伝達し、反射ミラーを振動させ、露光性能が悪化する問題があった。 In order to prevent the molecules and moisture containing carbon from diffusing into the exposure apparatus, particularly the space where the reflecting mirror is arranged, the space of the wafer and the wafer stage is separated from the space where the reflecting mirror is arranged. By evacuating each space differentially, the space with the exposure optical system can be maintained at a high vacuum, but the deformation and vibration of the vacuum chamber transmit the partition wall, causing the reflecting mirror to vibrate, resulting in a deterioration in exposure performance. was there.

そこで、本発明は、ミラーやレチクルが配置された空間を隔離する為の隔壁が真空チャンバーの変形及び振動を吸収し、露光光学系への影響を低減させ、安定した露光を行うことができる露光装置を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention provides an exposure in which a partition for isolating a space in which a mirror and a reticle are arranged absorbs deformation and vibration of the vacuum chamber, reduces the influence on the exposure optical system, and can perform stable exposure. An object is to provide an apparatus.

本発明は、チャンバと、前記チャンバ内部を真空排気する排気手段とを備える装置であって、前記チャンバは複数の空間を備え、前記複数の空間の少なくとも１つは、前記チャンバ内壁に支持された第１の隔壁と、前記第１の隔壁と隙間を介して配置された第２の隔壁と、前記隙間をシールするためのシート状のシール部材とによって隔離されることを特徴としている。 The present invention is an apparatus comprising a chamber and exhaust means for evacuating the interior of the chamber, wherein the chamber comprises a plurality of spaces, and at least one of the plurality of spaces is supported by the inner wall of the chamber. It is characterized by being isolated by a first partition, a second partition disposed via a gap with the first partition, and a sheet-like sealing member for sealing the gap.

本発明によれば、ミラーやレチクルが配置された空間を隔離する為の隔壁が真空チャンバーの変形及び振動を吸収し、露光光学系への影響を低減させ、安定した露光を行うことができる。 According to the present invention, the partition for isolating the space in which the mirror and the reticle are arranged absorbs the deformation and vibration of the vacuum chamber, reduces the influence on the exposure optical system, and can perform stable exposure.

以下、添付図面を参照して、本発明の一側面としての露光装置について説明する。なお、各図において、同一の部材については、同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。ここで、図１は、本発明の露光装置１００の例示的一形態を示す概略構成図である。 Hereinafter, an exposure apparatus according to one aspect of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, in each figure, about the same member, the same reference number is attached | subjected and the overlapping description is abbreviate | omitted. Here, FIG. 1 is a schematic block diagram showing an exemplary embodiment of the exposure apparatus 100 of the present invention.

本発明の露光装置１００は、露光用の照明光としてＥＵＶ光（例えば、波長１３．４ｎｍ）を用いている。また、ステップ・アンド・スキャン方式やステップ・アンド・リピート方式でレチクル１２０に形成された回路パターンを被処理体１４０に露光するＥＵＶ露光装置である。かかる露光装置は、サブミクロンやクオーターミクロン（例えば、０．１μｍ）以下のリソグラフィー工程に好適であり、以下、本実施形態ではステップ・アンド・スキャン方式の露光装置（「スキャナー」とも呼ばれる。）を例に説明する。ここで、「ステップ・アンド・スキャン方式」とは、レチクルに対してウエハを連続的にスキャン（走査）してレチクルパターンをウエハに露光すると共に、１ショットの露光終了後ウエハをステップ移動して、次の露光領域に移動する露光方法である。「ステップ・アンド・リピート方式」は、ウエハの一括露光ごとにウエハをステップ移動して次の露光領域に移動する露光方法である。 The exposure apparatus 100 of the present invention uses EUV light (for example, a wavelength of 13.4 nm) as exposure illumination light. Further, the EUV exposure apparatus exposes the object 140 to be processed with a circuit pattern formed on the reticle 120 by a step-and-scan method or a step-and-repeat method. Such an exposure apparatus is suitable for a lithography process of submicron or quarter micron (for example, 0.1 μm) or less, and hereinafter, a step-and-scan type exposure apparatus (also referred to as “scanner”) is used in the present embodiment. Explained as an example. Here, the “step-and-scan method” means that the wafer is continuously scanned (scanned) with respect to the reticle to expose the reticle pattern onto the wafer, and the wafer is stepped after the exposure of one shot is completed. The exposure method moves to the next exposure area. The “step-and-repeat method” is an exposure method in which the wafer is stepped and moved to the next exposure region for every batch exposure of the wafer.

図１を参照するに、露光装置１００は、回路パターンが形成されたレチクル１２０を照明する照明装置１１０と、レチクル１２０を載置するレチクルステージ１２５とを有する。さらに、照明されたレチクルパターンから生じる回折光を被処理体１４０に投影する投影光学系１３０と、被処理体１４０を載置するウエハステージ１４５と、アライメント検出機構１５０と、フォーカス位置検出機構１６０とを有する。 Referring to FIG. 1, exposure apparatus 100 includes an illumination device 110 that illuminates reticle 120 on which a circuit pattern is formed, and a reticle stage 125 on which reticle 120 is placed. Further, a projection optical system 130 that projects diffracted light generated from the illuminated reticle pattern onto the object 140 to be processed, a wafer stage 145 on which the object 140 is mounted, an alignment detection mechanism 150, and a focus position detection mechanism 160, Have

ＥＵＶ光は、大気に対する透過率が低く、残留ガス（高分子有機ガス）及びアウトガスなどの成分との反応によりコンタミを生成してしまう。そのため、露光装置１００は、後述するチャンバー２００に収納され、少なくとも、ＥＵＶ光が通る光路中（即ち、光学系全体）は真空雰囲気となっている。 EUV light has a low transmittance with respect to the atmosphere, and generates contamination due to reaction with components such as residual gas (polymer organic gas) and outgas. For this reason, the exposure apparatus 100 is housed in a chamber 200 described later, and at least in the optical path through which EUV light passes (that is, the entire optical system) is in a vacuum atmosphere.

照明装置１１０は、投影光学系１３０の円弧状の視野に対する円弧状のＥＵＶ光（例えば、波長１３．４ｎｍ）によりレチクル１２０を照明する照明装置であって、ＥＵＶ光源部１１２と、照明光学系１１４とを有する。 The illumination device 110 is an illumination device that illuminates the reticle 120 with arc-shaped EUV light (for example, a wavelength of 13.4 nm) with respect to the arc-shaped field of the projection optical system 130, and includes an EUV light source unit 112 and an illumination optical system 114. And have.

ＥＵＶ光源部１１２は、例えば、レーザープラズマ光源を使用する。レーザープラズマ光源は、ターゲット供給装置１１２ａから供給され真空中に置かれたターゲット材に、励起用パルスレーザー１１２ｂから集光レンズ１１２ｃを介して高強度のパルスレーザー光を照射し、高温のプラズマ１１２ｄを発生させる。そして、プラズマ１１２ｄから放射される波長１３．４ｎｍ程度のＥＵＶ光を利用するものである。ターゲット供給装置１１２ａが供給するターゲット材としては、金属膜、不活性ガス、液滴などが用いられる。放射されるＥＵＶ光の平均強度を高くするためには、パルスレーザー１１２ｂの繰り返し周波数は高い方がよく、通常数ｋＨｚの繰り返し周波数で運転される。あるいは、ＥＵＶ光源部１１２は、放電プラズマ光源を用いることもできる。但し、ＥＵＶ光源部１１２は、これらに限定するものではなく、当業界で周知のいかなる技術も適用可能である。 The EUV light source unit 112 uses, for example, a laser plasma light source. The laser plasma light source irradiates a target material supplied from the target supply device 112a in a vacuum with high-intensity pulse laser light from the excitation pulse laser 112b through the condenser lens 112c, and generates high-temperature plasma 112d. generate. Then, EUV light having a wavelength of about 13.4 nm emitted from the plasma 112d is used. As a target material supplied by the target supply device 112a, a metal film, an inert gas, a droplet, or the like is used. In order to increase the average intensity of the emitted EUV light, the pulse laser 112b preferably has a high repetition frequency and is usually operated at a repetition frequency of several kHz. Alternatively, the EUV light source unit 112 can use a discharge plasma light source. However, the EUV light source unit 112 is not limited to these, and any technique known in the art can be applied.

照明光学系１１４は、集光ミラー１１４ａ、オプティカルインテグレーター１１４ｂから構成される。集光ミラー１１４ａは、レーザープラズマ光源からほぼ等方的に放射されるＥＵＶ光を集める役割を果たす。オプティカルインテグレーター１１４ｂは、レチクル１２０を均一に所定の開口数で照明する役割を有する。また、照明光学系１１４は、レチクル１２０と光学的に共役な位置に、レチクル１２０の照明領域を円弧状に限定するためのアパーチャ１１４ｃが設けられている。 The illumination optical system 114 includes a condensing mirror 114a and an optical integrator 114b. The condensing mirror 114a plays a role of collecting EUV light emitted approximately isotropically from the laser plasma light source. The optical integrator 114b has a role of uniformly illuminating the reticle 120 with a predetermined numerical aperture. In addition, the illumination optical system 114 is provided with an aperture 114 c for limiting the illumination area of the reticle 120 to an arc shape at a position optically conjugate with the reticle 120.

レチクル１２０は、反射型レチクルで、ミラーの上に転写されるべき回路パターン（又は像）が形成され、レチクルステージ１２５に支持及び駆動される。レチクル１２０から発せられた回折光は、投影光学系１３０で反射されて被処理体１４０上に投影される。レチクル１２０と被処理体１４０とは、光学的に共役の関係に配置される。露光装置１００は、スキャナーであるため、レチクル１２０と被処理体１４０を縮小倍率比の速度比でスキャンすることによりレチクル１２０のパターンを被処理体１４０上に転写する。なお、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置（「ステッパー」と呼ばれる）の場合は、レチクル１２０と被処理体１４０を静止させた状態で露光が行われる。 The reticle 120 is a reflective reticle, on which a circuit pattern (or image) to be transferred is formed on a mirror, and is supported and driven by a reticle stage 125. Diffracted light emitted from the reticle 120 is reflected by the projection optical system 130 and projected onto the object 140. The reticle 120 and the object to be processed 140 are arranged in an optically conjugate relationship. Since the exposure apparatus 100 is a scanner, the pattern of the reticle 120 is transferred onto the target object 140 by scanning the reticle 120 and the target object 140 at a speed ratio of the reduction ratio. In the case of a step-and-repeat type exposure apparatus (referred to as a “stepper”), exposure is performed with the reticle 120 and the object to be processed 140 being stationary.

レチクルステージ１２５は、レチクルチャック１２５ａを介してレチクル１２０を支持し、図示しない移動機構に接続されている。レチクルステージ１２５は、当業界周知のいかなる構造をも適用することができる。レチクルチャック１２５ａは、静電吸着力によってレチクル１２０を吸着する。図示しない移動機構は、リニアモーターなどで構成され、少なくともＸ方向にマスクステージ１２５を駆動することでレチクル１２０を移動することができる。露光装置１００は、レチクル１２０と被処理体１４０を同期した状態でスキャンする。ここで、レチクル１２０又は被処理体１４０面内でスキャン方向をＸ、それに垂直な方向をＹ、レチクル１２０又は被処理体１４０面内に垂直な方向をＺとする。 The reticle stage 125 supports the reticle 120 via a reticle chuck 125a, and is connected to a moving mechanism (not shown). Any structure known in the art can be applied to reticle stage 125. The reticle chuck 125a attracts the reticle 120 by electrostatic attraction force. A moving mechanism (not shown) is configured by a linear motor or the like, and can move the reticle 120 by driving the mask stage 125 at least in the X direction. The exposure apparatus 100 scans the reticle 120 and the workpiece 140 in a synchronized state. Here, it is assumed that the scan direction in the surface of the reticle 120 or the object to be processed 140 is X, the direction perpendicular thereto is Y, and the direction perpendicular to the surface of the reticle 120 or the object to be processed 140 is Z.

投影光学系１３０は、複数の反射ミラー１３０ａを用いて、レチクル１２０面上のパターンを像面である被処理体１４０上に縮小投影する。ＥＵＶ露光装置を構成するミラーとしては、斜入射全反射ミラーと多層膜ミラーとがある。ＥＵＶ光の波長領域では、屈折率の実部は１より僅かに小さいので、入射角を大きくし、反射面すれすれにＥＵＶ光を入射させれば全反射となる。かかる性質を利用したものが斜入射全反射ミラーである。通常、反射面からの角度が数度乃至１０数度以内（入射角度７０数度乃至９０度未満）の斜入射で８０％以上の高い反射率を得ることができる。しかし、斜入射全反射ミラーは、入射角の制限により光学設計上の自由度が小さく、投影光学系１３０に用いることは難しい。多層膜ミラーは、光学定数（屈折率）の異なる２種類の薄膜を交互に積層して形成され、垂直入射に近い入射角度で使用することができる。多層膜ミラーは、薄膜の材料や積層数を適切に設定することにより、７０％程度の反射率を得ることができる。例えば、精密に研磨されたガラス基板の表面に厚さ２ｎｍのモリブデン（Ｓｏ）層と厚さ５ｎｍのシリコン（Ｓｉ）層を交互に２０層対積層したＭｏ／Ｓｉ多層膜（膜周期７ｎｍ）ミラーは、波長１３．４ｎｍ付近の波長域に対して６７．５％の反射率を示す。このような多層膜ミラーにＥＵＶ光が入射すると、特定の波長のＥＵＶ光が反射される。多層膜ミラーの膜周期をｄ、ＥＵＶ光の波長をλ、入射角をθとすると、近似的には以下の数式１で示されるブラッグの式の関係を満足するような波長λを中心とした狭いバンド幅のＥＵＶ光だけが効率よく反射される。このときのバンド幅は、０．６ｎｍ乃至１ｎｍ程度である。
２ｘｄｘｓｉｎθ＝λ ・・・（数１） The projection optical system 130 uses the plurality of reflection mirrors 130a to reduce and project the pattern on the reticle 120 onto the object 140 to be processed, which is the image plane. As the mirrors constituting the EUV exposure apparatus, there are an oblique incidence total reflection mirror and a multilayer mirror. In the EUV light wavelength region, since the real part of the refractive index is slightly smaller than 1, if the incident angle is increased and the EUV light is incident on the reflection surface, total reflection occurs. A grazing incidence total reflection mirror utilizes this property. Usually, a high reflectivity of 80% or more can be obtained at an oblique incidence with an angle from the reflection surface within a few degrees to a few dozen degrees (incidence angle 70 degrees to less than 90 degrees). However, the oblique incidence total reflection mirror has a small degree of freedom in optical design due to the limitation of the incident angle, and is difficult to use for the projection optical system 130. The multilayer mirror is formed by alternately stacking two types of thin films having different optical constants (refractive indexes), and can be used at an incident angle close to normal incidence. The multilayer mirror can obtain a reflectance of about 70% by appropriately setting the material of the thin film and the number of stacked layers. For example, a Mo / Si multilayer (film period: 7 nm) mirror in which 20 pairs of molybdenum (So) layers having a thickness of 2 nm and silicon (Si) layers having a thickness of 5 nm are alternately stacked on the surface of a precisely polished glass substrate. Shows a reflectance of 67.5% with respect to the wavelength region near the wavelength of 13.4 nm. When EUV light is incident on such a multilayer mirror, EUV light having a specific wavelength is reflected. Assuming that the film period of the multilayer mirror is d, the wavelength of the EUV light is λ, and the incident angle is θ, the wavelength λ approximately satisfies the relationship of the Bragg equation expressed by the following Equation 1. Only narrow bandwidth EUV light is efficiently reflected. The bandwidth at this time is about 0.6 nm to 1 nm.
2xdxsin θ = λ (Expression 1)

投影光学系１３０は、本実施形態では、複数の反射ミラー１３０ａとして多層膜ミラーを用いている。反射ミラー１３０ａを多層膜ミラーとしても可視光のミラーに比べて光りの損失が大きいので、反射ミラー１３０ａの枚数は最小限に抑えることが必要であり、４枚乃至６枚程度で構成することが好ましい。少ない枚数のミラーで広い露光領域を実現するには、光軸から一定の距離だけ離れた細い円弧状の領域（リングフィールド）だけを用いて、レチクル１２０と被処理体１４０を同時に走査して広い面積を転写する。反射ミラー１３０ａの反射面の形状は、凸面又は凹面の球面又は非球面であり、投影光学系１３０は、０．１乃至０．２程度の開口数（ＮＡ）を有する。 In the present embodiment, the projection optical system 130 uses multilayer mirrors as the plurality of reflection mirrors 130a. Even if the reflection mirror 130a is a multilayer mirror, the loss of light is larger than that of a visible light mirror. Therefore, it is necessary to minimize the number of reflection mirrors 130a, and the number of reflection mirrors 130a may be about 4 to 6. preferable. In order to realize a wide exposure area with a small number of mirrors, the reticle 120 and the object to be processed 140 are simultaneously scanned and widened using only a thin arc-shaped area (ring field) separated from the optical axis by a certain distance. Transfer the area. The shape of the reflecting surface of the reflecting mirror 130a is a convex or concave spherical or aspherical surface, and the projection optical system 130 has a numerical aperture (NA) of about 0.1 to 0.2.

被処理体１４０は、本実施形態ではウエハであるが、液晶基板その他の被処理体を広く含む。被処理体１４０には、フォトレジストが塗布されている。 The object to be processed 140 is a wafer in this embodiment, but widely includes liquid crystal substrates and other objects to be processed. A photoresist is applied to the object 140 to be processed.

ウエハステージ１４５は、ウエハチャック１４５ａによって被処理体１４０を支持する。ウエハステージ１４５は、例えば、リニアモーターを利用してＸＹＺ方向に被処理体１４０を移動する。また、ウエハステージ１４５の位置とレチクルステージ１２５の位置は、例えば、レーザー干渉計などにより監視され、両者は一定の速度比率で駆動される。ウエハチャック１４５ａは、粗動ステージ、微動ステージなどから構成され、２つの電極を有する双極型の静電チャックである。 The wafer stage 145 supports the object 140 by the wafer chuck 145a. The wafer stage 145 moves the workpiece 140 in the XYZ directions using, for example, a linear motor. Further, the position of the wafer stage 145 and the position of the reticle stage 125 are monitored by a laser interferometer, for example, and both are driven at a constant speed ratio. The wafer chuck 145a is a bipolar electrostatic chuck that includes a coarse movement stage, a fine movement stage, and the like and has two electrodes.

アライメント検出機構１５０は、レチクル１２０の位置と投影光学系１３０の光軸との位置関係、及び、被処理体１４０の位置と投影光学系１３０の光軸との位置関係を計測する。そして、レチクル１２０の投影像が被処理体１４０の所定の位置に一致するようにレチクルステージ１２５及びウエハステージ１４５の位置と角度を設定する。 The alignment detection mechanism 150 measures the positional relationship between the position of the reticle 120 and the optical axis of the projection optical system 130 and the positional relationship between the position of the object 140 and the optical axis of the projection optical system 130. Then, the positions and angles of the reticle stage 125 and the wafer stage 145 are set so that the projected image of the reticle 120 coincides with a predetermined position of the workpiece 140.

フォーカス位置検出機構１６０は、被処理体１４０面でＺ方向のフォーカス位置を計測し、ウエハステージ１４５の位置及び角度を制御することによって、露光中、常時、被処理体１４０面を投影光学系１３０による結像位置に保つ。 The focus position detection mechanism 160 measures the focus position in the Z direction on the surface of the object 140 to be processed, and controls the position and angle of the wafer stage 145 so that the surface of the object 140 is always projected during the exposure. Keep the imaging position by.

以下、露光装置１００の最も特徴的なチャンバー２００について説明する。チャンバー２００は、連続する複数の分室を有し、かかる分室に露光装置１００の構成要素（例えば、照明光学系１１０、レチクルステージ１２５、投影光学系１３０、ウエハステージ１４５など）を分割して収納する。 Hereinafter, the most characteristic chamber 200 of the exposure apparatus 100 will be described. The chamber 200 has a plurality of continuous compartments, and the components of the exposure apparatus 100 (for example, the illumination optical system 110, the reticle stage 125, the projection optical system 130, the wafer stage 145, etc.) are divided and stored in the compartments. .

図１において、チャンバー２００はウエハステージ１４５が配置された空間と投影光学系１３０が配置された空間とを隔離するための隔壁２１０を支持する。また、チャンバー２００は投影光学系１３０が配置された空間とレチクルステージ１４５が配置された空間とを隔離するための隔壁２２０を支持する。また、チャンバー２００はレチクルステージが配置された空間と照明光学系が配置された空間とを隔離するための隔壁２３０を支持する。 In FIG. 1, the chamber 200 supports a partition wall 210 for isolating the space where the wafer stage 145 is disposed and the space where the projection optical system 130 is disposed. The chamber 200 also supports a partition wall 220 for isolating the space in which the projection optical system 130 is disposed from the space in which the reticle stage 145 is disposed. The chamber 200 also supports a partition wall 230 for isolating the space in which the reticle stage is disposed from the space in which the illumination optical system is disposed.

２１２は投影光学系１３０を経たＥＵＶ光が通過するための開口部である。２２０は投影光学系１３０とレチクルステージ１４５が配置された空間を隔離する隔壁、２２２はレチクル１２０で反射されたＥＵＶ光が通過するための開口部である。２３２はレチクル１２０を照明するＥＵＶ光が通過するための開口部である。２４２はＥＵＶ光をＥＵＶ光源部１１２側から照明光学系１１４側に通過させる開口部である。 Reference numeral 212 denotes an opening through which EUV light having passed through the projection optical system 130 passes. Reference numeral 220 denotes a partition that separates the space in which the projection optical system 130 and the reticle stage 145 are arranged, and 222 denotes an opening through which EUV light reflected by the reticle 120 passes. Reference numeral 232 denotes an opening through which EUV light that illuminates the reticle 120 passes. An opening 242 allows the EUV light to pass from the EUV light source 112 side to the illumination optical system 114 side.

ＷＳＳはウエハステージ空間、ＰＯＳは投影光学系空間、ＲＳＳはレチクルステージ空間、ＩＯＳは照明光学系空間、ＬＳＳは光源空間を示している。各空間は真空排気手段２５２、２６２、２７２、２８２、２９２によって真空排気可能となっている。また、気体供給手段も備える。 WSS is a wafer stage space, POS is a projection optical system space, RSS is a reticle stage space, IOS is an illumination optical system space, and LSS is a light source space. Each space can be evacuated by evacuation means 252, 262, 272, 282, 292. Moreover, a gas supply means is also provided.

前述したようにＥＵＶ光は、残留ガス（高分子有機ガス）やアウトガスの成分との反応により反射ミラー表面にコンタミネーションを生成してしまう。このため本実施例においては、アウトガスの放出量が多いウエハステージ空間とコンタミネーションの付着が問題となる光学系エリアを隔離して排気している。本実施例においては、投影光学系空間の真空度が最も高く、次いで照明光学系空間、レチクルステージ空間の真空度が高く、ウエハステージ空間の真空度が最も低くなるように真空排気される。このように排気することで光学系へのコンタミネーションの付着を最小限に抑えることができ、露光性能を低下させない。前記排気システムは各空間の圧力を検知する不図示の真空計と各空間の圧力を制御可能な排気制御システムを装備している。また、前記各空間は不図示の連通管で各空間を同圧に維持しながら真空排気を行うことが可能である。 As described above, EUV light generates contamination on the surface of the reflecting mirror due to reaction with residual gas (polymer organic gas) and outgas components. For this reason, in this embodiment, the wafer stage space where the amount of outgas released is large and the optical system area where contamination is a problem are isolated and exhausted. In this embodiment, the vacuum is evacuated so that the degree of vacuum in the projection optical system space is the highest, the degree of vacuum in the illumination optical system space and the reticle stage space is next high, and the degree of vacuum in the wafer stage space is the lowest. By exhausting in this way, the adhesion of contamination to the optical system can be minimized, and the exposure performance is not deteriorated. The exhaust system includes a vacuum gauge (not shown) that detects the pressure in each space and an exhaust control system that can control the pressure in each space. Further, each space can be evacuated while maintaining the space at the same pressure by a communication pipe (not shown).

図２は本発明の第１の実施例に係るシール部材の配置形態を模式的にあらわした図である。図２において隔壁２１０より上部は図１のＰＯＳ、隔壁２１０より下部は図１のＷＳＳに相当する空間である。 FIG. 2 is a diagram schematically showing the arrangement of the sealing members according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 2, the space above the partition 210 is a space corresponding to POS in FIG. 1, and the space below the partition 210 is a space corresponding to WSS in FIG.

チャンバー２００の内壁の壁面に取付けられた隔壁２１０と反射ミラーを支持する内部構造体１３０ｂ部の間に隙間部４１０を設ける。隙間部は内部構造体１３０ｂに設けられた隔壁と、隔壁２１０との間に設けられてもよく、本実施例では内部構造体が隔壁を兼ねている。隙間部は真空排気時にチャンバー外側（大気側）からチャンバー中心方向に発生するチャンバー変形により、隔壁と内部構造体が接触しない方向に設ける。本実施例ではこの隙間部の寸法を５ｍｍとしているがチャンバーの変形量やシール部材の材質等の条件により適当な寸法の隙間部を意図的に設ける。本実施例による露光装置においては隙間部によって真空排気時に発生するチャンバー外壁の変形により隔壁が内部構造体に外力を伝えない。このため本体構造体をチャンバーから独立して位置制御、振動制御することが可能となり、露光性能を低下させることがない。 A gap portion 410 is provided between the partition wall 210 attached to the wall surface of the inner wall of the chamber 200 and the internal structure 130b that supports the reflection mirror. The gap may be provided between the partition wall provided in the internal structure 130b and the partition wall 210. In this embodiment, the internal structure also serves as the partition wall. The gap is provided in a direction in which the partition wall and the internal structure do not come into contact with each other due to the deformation of the chamber that occurs from the outside of the chamber (atmosphere side) toward the center of the chamber during evacuation. In this embodiment, the size of the gap is 5 mm, but a gap having an appropriate size is intentionally provided depending on conditions such as the amount of deformation of the chamber and the material of the seal member. In the exposure apparatus according to the present embodiment, the partition wall does not transmit an external force to the internal structure due to the deformation of the outer wall of the chamber that occurs during vacuum evacuation due to the gap. Therefore, it is possible to control the position and vibration of the main body structure independently from the chamber, and the exposure performance is not deteriorated.

隔離される２つの空間の流路となる隙間部を極力小さくすることで、気体のコンダクタンスを小さくすることができ、ＰＯＳ空間へのアウトガス流入をわずかに減らすことは出来るが、これだけでは流入ガス封止効果はほとんど期待できないことは明らかである。 By reducing the gap between the two spaces to be isolated as much as possible, the gas conductance can be reduced and the outgas flow into the POS space can be slightly reduced. It is clear that almost no stopping effect can be expected.

本実施例では前記隙間部を封止可能なシート状のシール部材を隔壁上面に取付け、内部構造体の上面にシート状のシール部材が接触することで封止する。シート状のシール部材が湾曲して前記シール面に接触しているため、シール面にはシール部材の曲げ反力が接触力として作用するため、この接触力を超える圧力がシール部材に発生するまでは、２つの空間を確実に隔離することができる。このため、ＷＳＳ空間の残留ガスやアウトガスがＰＯＳ空間に流入することはない。シール部材及び内部構造体上面のシール面は精度よく加工されていることが望ましい。シート状のシール部材３１の固定方法は隔壁上面にネジ、板バネ、ロウ付け等、取付け面に隙間なく取付けられる方法であればどのような方法であってもよい。また、本実施例ではシール部材は隔壁側に取付けたが、チャンバー内部の部材に取付けてもよい。 In this embodiment, a sheet-like seal member capable of sealing the gap is attached to the upper surface of the partition wall, and the sheet-like seal member is brought into contact with the upper surface of the internal structure for sealing. Since the sheet-like seal member is curved and is in contact with the seal surface, the bending reaction force of the seal member acts as a contact force on the seal surface. Therefore, until pressure exceeding the contact force is generated in the seal member. Can reliably isolate the two spaces. For this reason, residual gas and outgas in the WSS space do not flow into the POS space. It is desirable that the sealing member and the sealing surface on the upper surface of the internal structure are processed with high accuracy. The sheet-like seal member 31 may be fixed by any method as long as it can be attached to the attachment surface without a gap, such as screws, leaf springs, or brazing. In this embodiment, the seal member is attached to the partition wall side, but may be attached to a member inside the chamber.

シート状のシール部材は、各空間の差圧を許容値以下に維持できる接触力でチャンバー内壁に支持された隔壁あるいはチャンバー内部の部材に接触し、チャンバー内を少なくとも２つ以上の空間に隔離して真空排気する。薄膜状のシール部材の接触力を各空間の差圧に応じて調整することで、２つの空間の間に生じる圧力差に対して所望のガス流入封止効果をもたせることができる。 The sheet-like seal member contacts the partition wall supported on the inner wall of the chamber or a member inside the chamber with a contact force that can maintain the differential pressure in each space below an allowable value, and isolates the interior of the chamber into at least two spaces. And evacuate. By adjusting the contact force of the thin-film seal member according to the differential pressure in each space, a desired gas inflow sealing effect can be given to the pressure difference generated between the two spaces.

シート状のシール部材は、前記チャンバー内壁に支持された隔壁あるいは前記チャンバー内部の部材に接触するように配置される。チャンバーが変形する方向と同方向の前記シール部材の接触幅はチャンバー変形量より十分大きな接触幅であり、チャンバー内を少なくとも２つ以上の空間に隔離して真空排気する。 The sheet-like seal member is disposed so as to contact a partition wall supported by the inner wall of the chamber or a member inside the chamber. The contact width of the seal member in the same direction as the direction of deformation of the chamber is sufficiently larger than the deformation amount of the chamber, and the chamber is separated into at least two spaces and evacuated.

接触面積を十分大きくすることで真空チャンバーの変形による隔壁の位置変化が発生しても、接触面積がわずかに小さくなるだけとなる。これにより、シール部材の接触部からのリークが発生しないようにすることができ、２つの空間の間に生じる圧力差に対して所望のガス流入封止効果をもたせることができる。 By sufficiently increasing the contact area, even if the position of the partition wall changes due to the deformation of the vacuum chamber, the contact area is only slightly reduced. Thereby, the leak from the contact part of a sealing member can be prevented, and the desired gas inflow sealing effect can be given with respect to the pressure difference which arises between two spaces.

シール部材は内部構造体上面の形状に合わせて複数配置され、シール部材とシール部材の継ぎ目は、継ぎ目からのリークが最小となる様に直線部３１ｂで張り合わされている。シール部材の間の継ぎ目部３１０ｂが０．１ｍｍ以下、好ましくは０．０５ｍｍ程度以下となるように精度よく配置されている。 A plurality of seal members are arranged in accordance with the shape of the upper surface of the internal structure, and the seam between the seal member and the seal member is bonded to the straight portion 31b so that leakage from the seam is minimized. The seam portion 310b between the seal members is arranged with high accuracy so that it is 0.1 mm or less, preferably about 0.05 mm or less.

本実施例による隙間部のシール方法を用いて、円環状の隙間部をシールする場合にはシール部材の長さを短くし、多数のシール部材を円環状隙間部に配置することで前記隙間部を隔離することが可能となる。 In the case of sealing the annular gap using the gap gap sealing method according to the present embodiment, the length of the seal member is shortened, and a large number of seal members are arranged in the annular gap. Can be isolated.

シール部材は真空中における気体放出速度が少ない部材であることが望ましい。シール部材は樹脂であってもよく、気体放出速度の観点ではフッ素系の樹脂であることが好ましい。気体放出速度が小さくなるようにメッキ処理された樹脂であってもよい。シール部材は、チャンバー内部の部材の形状に応じて複数に分割して配置されている。薄い金属シートは本実施例では板厚０．５ｍｍ以下のバネ性を有する金属シートである。さらに好ましくは０．１ｍｍ以下のバネ定数の小さな金属薄膜を使用することが望ましい。シール部材がガラスやセラミックスである場合は板厚を非常に薄くすることでバネ性を得ることができる。このような部材を使用することで本発明によるシール部材は、高真空チャンバー内において差圧が１０００Ｐａ程度以下の差動排気を行う場合には十分なシール性を発揮することができる。さらに、シート状の金属のため安価に製作できる点で優れている。 The seal member is desirably a member having a low gas release rate in vacuum. The seal member may be a resin, and is preferably a fluorine-based resin from the viewpoint of the gas release rate. It may be a resin plated so as to reduce the gas release rate. The seal member is divided into a plurality of parts according to the shape of the member inside the chamber. In this embodiment, the thin metal sheet is a metal sheet having a spring property with a plate thickness of 0.5 mm or less. More preferably, it is desirable to use a metal thin film having a small spring constant of 0.1 mm or less. When the sealing member is made of glass or ceramics, the spring property can be obtained by making the plate thickness very thin. By using such a member, the sealing member according to the present invention can exhibit sufficient sealing performance when performing differential evacuation with a differential pressure of about 1000 Pa or less in a high vacuum chamber. Furthermore, the sheet-like metal is excellent in that it can be manufactured at low cost.

シート状のシール部材は柔軟性が高い為、排気ポンプが取付けられたチャンバーからの振動伝達を減衰させることができる。さらに真空排気によるチャンバー変形により前記隔壁と内部構造体の相対位置が変化しても、薄膜のバネ性、柔軟性により位置変化に追従することができる。これにより、前記第２〜第４の空間を確実に封止することができるため、チャンバーの振動及び変形が露光性能を低下させることがない。 Since the sheet-like seal member is highly flexible, vibration transmission from the chamber to which the exhaust pump is attached can be attenuated. Furthermore, even if the relative position of the partition and the internal structure changes due to chamber deformation caused by vacuum evacuation, the change in position can be followed by the spring property and flexibility of the thin film. Thereby, since the second to fourth spaces can be reliably sealed, the vibration and deformation of the chamber do not deteriorate the exposure performance.

本発明における第１の実施例ではチャンバー内の真空空間を隔離する場合に必要な隔壁がチャンバーの変形及び有振動ポンプから露光光学系への振動伝達を大幅に低減でき、露光性能の悪化を低減できる。 In the first embodiment of the present invention, the partition required for isolating the vacuum space in the chamber can greatly reduce deformation of the chamber and vibration transmission from the vibration pump to the exposure optical system, thereby reducing deterioration of exposure performance. it can.

（第２の実施例）
図３は、第２の実施例に係る本発明の露光装置１００の例示的一形態を示す概略構成図である。本実施例によるシール部材の配置形態はシール面が同一平面上にない場合に適用可能であり、多様な形状の部材同士のシール可能である点が第一の実施例よりも優れている。さらに、本実施例によるシール部材の配置形態は、二つの空間の差圧が大きくなった場合、シール部材を破損することなく圧力の高い空間から圧力の低い空間へ圧力を逃がすことができる点においても第１の実施例よりも優れている。 (Second embodiment)
FIG. 3 is a schematic block diagram showing an exemplary form of the exposure apparatus 100 of the present invention according to the second embodiment. The arrangement of the seal member according to this embodiment is applicable when the seal surfaces are not on the same plane, and is superior to the first embodiment in that various shapes of members can be sealed. Furthermore, the arrangement of the seal member according to the present embodiment is such that when the differential pressure between the two spaces increases, the pressure can be released from the high pressure space to the low pressure space without damaging the seal member. Is also superior to the first embodiment.

図４は本発明の第２の実施例に係るシール部材の配置形態を模式的にあらわした図である。図４において隔壁２１０より上部は図３のＰＯＳ、隔壁２１０より下部は図３のＷＳＳに相当する空間である。 FIG. 4 is a diagram schematically showing the arrangement of the sealing members according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 4, the space above the partition 210 is a space corresponding to POS in FIG. 3, and the space below the partition 210 is a space corresponding to WSS in FIG.

図５は第４図の部分断面図（Ａ−Ａ矢視）であり、シール部材が互いに隙間なく配置されている状態を示している。 FIG. 5 is a partial cross-sectional view (AA arrow view) of FIG. 4 and shows a state in which the seal members are arranged with no gap therebetween.

本実施例によるシール部材はチャンバー内壁に取付けられた隔壁と四角形の内部構造体の間に設けられた隙間部４１０において形成される。４枚のシート状シール部材によって封止される。板状部材の第１の側面とこれに対向する内部部材の側面、板状部材の第２の側面とこれに対向する内部部材の側面、板状部材の第３の側面とこれに対向する内部部材の側面、板状部材の第４の側面とこれに対向する内部部材の側面を封止する。 The seal member according to the present embodiment is formed in a gap portion 410 provided between a partition wall attached to the inner wall of the chamber and a rectangular internal structure. It is sealed by four sheet-like sealing members. The first side surface of the plate-like member and the side surface of the internal member facing this, the second side surface of the plate-like member and the side surface of the internal member facing this, the third side surface of the plate-like member and the interior facing this The side surface of the member, the fourth side surface of the plate-like member, and the side surface of the internal member facing this are sealed.

図４において、第１及び第３側面部の隙間を封止するシール部材は隔壁２１０の上面に取付けられ、湾曲させられて前記隙間部に差込まれることにより、前記シール部材は対向する板状部材の第１及び第３の側面に接触し、前記隙間部をシールする。 In FIG. 4, the sealing member that seals the gap between the first and third side portions is attached to the upper surface of the partition wall 210, is curved, and is inserted into the gap portion so that the sealing member faces the plate shape. The first and third side surfaces of the member are contacted to seal the gap.

また、第２及び第４の側面部の隙間を封止するシール部材は板状部材の下面に取付けられ、板状部材の第２及び第４の側面に対向する隔壁の側面に接触し、前記隙間部をシールする。前記シート状のシール部材はいずれも湾曲されて前記隙間部に差込まれることにより、前記シール部材は対向する側面に接触し、前記隙間部をシールする。シート状のシール部材が湾曲して前記シール面に接触しているため、シール面にはシール部材の曲げ反力が接触力として作用する点は第１の実施例と同様である。 Further, the seal member for sealing the gap between the second and fourth side surface portions is attached to the lower surface of the plate-like member, and contacts the side surface of the partition wall facing the second and fourth side surfaces of the plate-like member, Seal the gap. All the sheet-like sealing members are curved and inserted into the gap portion, so that the sealing member comes into contact with opposite side surfaces and seals the gap portion. Since the sheet-like seal member is curved and is in contact with the seal surface, the bending reaction force of the seal member acts as a contact force on the seal surface as in the first embodiment.

さらに、本実施例によるシール部材とシール部材の継ぎ目部３１０ｂは、シール部材の側面部がこの側面部に対向するシール部材のシール面が接触するため、継ぎ目部３１０ｂにおいても隙間なく隙間部４１０をシールすることができる。 Furthermore, since the seal member and the joint portion 310b of the seal member according to the present embodiment are in contact with the seal surface of the seal member that faces the side surface portion of the seal member, the gap portion 410 is formed without a gap even in the joint portion 310b. Can be sealed.

さらに本実施例においては前述した通り、隣接するシール部材の取付け方向３５０が異なる為、二つの空間の差圧が大きくなった場合でもシール部材を破損することなく圧力の高い空間から圧力の低い空間へ圧力を逃がすことができる。これにより、シール部材は排気ポンプ等の故障により２空間の差圧が１０００Ｐａ以上になっても破損することがない。 Further, in this embodiment, as described above, since the mounting directions 350 of the adjacent seal members are different, even if the differential pressure between the two spaces increases, the space from a high pressure to a low pressure space is not damaged without damaging the seal member. Can relieve pressure. Thus, the seal member is not damaged even if the differential pressure in the two spaces becomes 1000 Pa or more due to a failure of the exhaust pump or the like.

本実施例による隙間部のシール方法は、本実施例によるシール部材の配置形態はシール面が同一平面上にない場合に適用可能であるため、本実施例以外の形状に対しても適用可能である。例えば真空チャンバー内に設けられた開口サイズが異なる排気ダクト同士を差し込んだ状態にできる隙間部に対して、本実施例のシール部材の配置形態を適用することができる。チャンバー変形、ダクトの取付け誤差、およびチャンバーからの振動絶縁することが可能であり、隙間部のシール方法として応用範囲が非常に広い。 The sealing method of the gap portion according to the present embodiment can be applied to the shape other than the present embodiment because the arrangement form of the seal member according to the present embodiment can be applied when the sealing surface is not on the same plane. is there. For example, the arrangement form of the seal member of the present embodiment can be applied to a gap portion provided in the vacuum chamber in which exhaust ducts having different opening sizes can be inserted. It is possible to insulate chamber deformation, duct mounting error, and vibration from the chamber, and the application range is very wide as a method for sealing gaps.

以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、本発明は、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ２レーザー、電子ビームなどを光源とする露光装置にも適用することができる。 The preferred embodiments of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to these embodiments, and various modifications and changes can be made within the scope of the gist. For example, the present invention can also be applied to an exposure apparatus using an ArF excimer laser, F2 laser, electron beam or the like as a light source.

次に、図６及び図７を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図６は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。 Next, an embodiment of a device manufacturing method using the above-described exposure apparatus will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a flowchart for explaining how to fabricate devices (ie, semiconductor chips such as IC and LSI, LCDs, CCDs, and the like). Here, a semiconductor chip manufacturing method will be described as an example.

ステップＳ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップＳ２（マスク製作）では設計した回路パターンに基づいてマスクを製作する。ステップＳ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップＳ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、マスクとウエハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。ステップＳ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップＳ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップＳ６（検査）では、ステップＳ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷（ステップＳ７）される。 In step S1 (circuit design), a semiconductor device circuit is designed. In step S2 (mask production), a mask is produced based on the designed circuit pattern. In step S3 (wafer manufacture), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step S4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by using the mask and the wafer by the above-described exposure apparatus using the lithography technique. Step S5 (assembly) is called a post-process, and is a process for forming a semiconductor chip using the wafer produced in step S4, and an assembly process such as an assembly process (dicing, bonding), a packaging process (chip encapsulation), or the like. including. In step S6 (inspection), the semiconductor device manufactured in step S5 undergoes inspections such as an operation confirmation test and a durability test. Through these steps, the semiconductor device is completed and shipped (step S7).

図７は、ステップ４の上はプロセスの詳細なフローチャートである。ステップＳ１１（酸化）では、ウエハの表面を酸化させる。ステップＳ１２（ＣＶＤ）では、ウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１４（イオン打ち込み）では、ウエハにイオンを打ち込む。ステップＳ１５（レジスト処理）では、ウエハに感光剤を塗布する。ステップＳ１６（露光）では、露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに露光する。ステップＳ１７（現像）では、露光したウエハを現像する。ステップＳ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップＳ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。 FIG. 7 is a detailed flowchart of the process above Step 4. In step S11 (oxidation), the surface of the wafer is oxidized. In step S12 (CVD), an insulating film is formed on the surface of the wafer. In step S14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. In step S15 (resist process), a photosensitive agent is applied to the wafer. In step S16 (exposure), the circuit pattern of the mask is exposed on the wafer by the exposure apparatus. In step S17 (development), the exposed wafer is developed. In step S18 (etching), portions other than the developed resist image are removed. In step S19 (resist stripping), the resist that has become unnecessary after the etching is removed. By repeatedly performing these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.

本発明の一側面としての露光装置の例示的一形態を示す概略構成図である。1 is a schematic block diagram showing an exemplary embodiment of an exposure apparatus as one aspect of the present invention. 本発明の第１の実施例に係るシール部材の配置形態を模式的にあらわした図である。It is the figure which represented typically the arrangement | positioning form of the sealing member which concerns on 1st Example of this invention. 本発明の第２の実施例に係る露光装置の例示的一形態を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the exemplary form of the exposure apparatus which concerns on the 2nd Example of this invention. 本発明の第２の実施例に係るシール部材の配置形態を模式的にあらわした図である。It is the figure which represented typically the arrangement | positioning form of the sealing member which concerns on the 2nd Example of this invention. 第４図の部分断面図（Ａ−Ａ矢視）である。It is a fragmentary sectional view (AA arrow) of FIG. 上に説明したシステムを使用して半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）を製作する例示てきなプロセスをあらわした図である。It is a figure showing the exemplary process which manufactures a semiconductor device (Semiconductor chip, such as IC and LSI, LCD, CCD, etc.) using the system demonstrated above. 図６のステップ４ウエハプロセスの詳細なフローチャートの例である。It is an example of the detailed flowchart of the step 4 wafer process of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１００露光装置
１１０照明装置
１１２ＥＵＶ光源部
１１２ａターゲット供給装置
１１２ｂ励起用パルスレーザー
１１２ｃ集光レンズ
１１４照明光学系
１１４ａ集光ミラー
１１４ｂオプティカルインテグレーター
１１４ｃアパーチャ
１１４ｄベース
１１５防振ダンパー
１１６ネジ
１２０レチクル
１２５レチクルステージ
１２５ａレチクルチャック
１３０投影光学系
１３０ａ反射ミラー
１３０ｂ内部構造体
１４０被処理体
１４５ウエハステージ
１５０アライメント検出機構
１６０フォーカス位置検出機構
２００チャンバー
２１０乃至２４０隔壁
２１２乃至２４２開口部
２５２乃至２９２排気部
３１０乃至３４０シール部材
ＷＳＳウエハステージ空間
ＰＯＳ投影光学系空間
ＲＳＳレチクルステージ空間
ＩＯＳ照明光学系空間
ＬＳＳ光源空間
ＥＯＳ露光光学系空間
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Exposure apparatus 110 Illumination apparatus 112 EUV light source part 112a Target supply apparatus 112b Excitation pulse laser 112c Condensing lens 114 Illumination optical system 114a Condensing mirror 114b Optical integrator 114c Aperture 114d Base 115 Anti-vibration damper 116 Screw 120 Reticle 125 Reticle stage 125a Reticle chuck 130 Projection optical system 130a Reflection mirror 130b Internal structure 140 Object to be processed 145 Wafer stage 150 Alignment detection mechanism 160 Focus position detection mechanism 200 Chamber 210 to 240 Bulkhead 212 to 242 Opening 252 to 292 Exhaust part 310 to 340 Seal member WSS Wafer stage space POS Projection optical system space RSS Reticle stage space OS illumination optical system space LSS source space EOS exposure optical system space

Claims

チャンバと、前記チャンバ内部を真空排気する排気手段とを備える装置であって、
前記チャンバは複数の空間を備え、
前記複数の空間の少なくとも１つは、前記チャンバ内壁に支持された第１の隔壁と、前記第１の隔壁と隙間を介して配置された第２の隔壁と、前記隙間をシールするためのシート状のシール部材とによって隔離されることを特徴とする装置。 An apparatus comprising a chamber and exhaust means for evacuating the chamber interior,
The chamber comprises a plurality of spaces;
At least one of the plurality of spaces includes a first partition wall supported by the inner wall of the chamber, a second partition wall disposed through the first partition wall and a gap, and a sheet for sealing the gap. Characterized in that it is isolated by a shaped sealing member.

前記第２の隔壁は、チャンバ内に配置された部材を支持する支持部材に設けられることを特徴とする請求項１に記載の装置。 The apparatus according to claim 1, wherein the second partition wall is provided on a support member that supports a member disposed in the chamber.

レチクルステージに設置されたレチクルを照明光学系を用いて照明し、ウエハステージに設置されたウエハに前記レチクルのパターンを投影光学系を介して投影露光する露光装置において、
前記露光装置は内部を真空排気可能なチャンバを備え、
前記チャンバは前記レチクルステージ、前記照明光学系、前記ウエハステージ、前記投影光学系のそれぞれを配置する複数の空間を有し、
前記複数の空間の少なくとも１つは、前記チャンバ内壁に支持された第１の隔壁と、前記第１の隔壁と隙間を介して配置された第２の隔壁と、前記隙間をシールするためのシート状のシール部材とによって隔離されることを特徴とする露光装置。 In an exposure apparatus that illuminates a reticle placed on a reticle stage using an illumination optical system, and projects and exposes the reticle pattern onto a wafer placed on a wafer stage via a projection optical system.
The exposure apparatus includes a chamber capable of evacuating the inside,
The chamber has a plurality of spaces for arranging the reticle stage, the illumination optical system, the wafer stage, and the projection optical system,
At least one of the plurality of spaces includes a first partition wall supported by the inner wall of the chamber, a second partition wall disposed through the first partition wall and a gap, and a sheet for sealing the gap. An exposure apparatus, wherein the exposure apparatus is isolated by a seal member having a shape.

前記第２の隔壁は前記レチクルステージ、前記照明光学系、前記ウエハステージ、前記投影光学系の少なくともいずれかを支持するための支持部材に設けられることを特徴とする請求項３に記載の露光装置。 4. The exposure apparatus according to claim 3, wherein the second partition wall is provided on a support member for supporting at least one of the reticle stage, the illumination optical system, the wafer stage, and the projection optical system. .

前記シール部材は樹脂または金属からなり、柔軟性を有することを特徴とする請求項３または４に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 3, wherein the seal member is made of resin or metal and has flexibility.

前記シール部材は複数のシール部材を備えることを特徴とする請求項３〜５の少なくともいずれかに記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 3, wherein the seal member includes a plurality of seal members.

前記シール部材の一端は、前記第１または第２の隔壁の上面または下面に固定され、
前記シール部材の他端が他方の隔壁の側面に接触することによって前記隙間をシールすることを特徴とする請求項３〜６の少なくともいずれかに記載の露光装置。 One end of the seal member is fixed to an upper surface or a lower surface of the first or second partition wall,
The exposure apparatus according to claim 3, wherein the gap is sealed by contacting the other end of the seal member with a side surface of the other partition wall.

デバイス製造方法であって、
請求項３〜７の少なくともいずれかに記載の露光装置を用いて基板にパターンを露光する工程と、
前記基板を現像する工程と、
を備えることを特徴とするデバイス製造方法。
A device manufacturing method comprising:
A step of exposing a pattern to the substrate using the exposure apparatus according to claim 3;
Developing the substrate;
A device manufacturing method comprising: