JP2007080758A

JP2007080758A - Plasma display panel and its manufacturing method

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Publication number: JP2007080758A
Application number: JP2005269611A
Authority: JP
Inventors: Junko Asayama; 純子朝山; Hirofumi Yamakita; 裕文山北
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2005-09-16
Filing date: 2005-09-16
Publication date: 2007-03-29

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma display panel capable of enhancing electric field strength of a bus electrode and preventing dielectric breakdown of a dielectric layer, and efficiently and simply manufacturable at a low cost, and its manufacturing method. SOLUTION: In this plasma display panel, two substrates are disposed face to face with a space held between them. The plasma display panel is composed of a pair of display electrodes disposed by being extended on the space side main surface on one substrate, and the dielectric layer formed so as to cover the pair of display electrodes. In the pair of display electrodes, two beltlike electrodes are provided side by side with a space kept from each other, and a recessed part is formed along the beltlike electrodes on the display side substrate. In this beltlike electrode, a metal material is filled in the recessed part of the substrate, and the metal material is formed in a projected shape on the space side of the beltlike electrode. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

この発明は、プラズマディスプレイパネル及びその製造方法に関するものであり、特に表示電極およびその形成方法に関する。 The present invention relates to a plasma display panel and a method for manufacturing the same, and more particularly to a display electrode and a method for forming the same.

薄型表示装置の一つとしてプラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」と記す。）があり、特に大型化、寿命特性の面から面放電型ＰＤＰが脚光を浴びている。一般的な前面基板の断面図を図６に示すと、面放電型ＰＤＰは、一般に、前面基板と背面基板とで放電空間を挟んでなる構造となっている。前面基板には、ガラス基板６１上に透明電極とバス電極とからなる表示電極対６２と、誘電体層６３と、保護層６４とが順次形成されており、背面基板には、ガラス基板６６上にデータ６９と、誘電体層６７とがこの順で形成され、この誘電体層の上に蛍光体層６８Ｒ、６８Ｇ、６８Ｂと隔壁６７が形成されている。 One of the thin display devices is a plasma display panel (hereinafter referred to as “PDP”), and the surface discharge type PDP is in the spotlight especially from the viewpoint of size increase and life characteristics. FIG. 6 is a cross-sectional view of a general front substrate. Generally, a surface discharge type PDP has a structure in which a discharge space is sandwiched between a front substrate and a back substrate. On the front substrate, a display electrode pair 62 composed of a transparent electrode and a bus electrode, a dielectric layer 63, and a protective layer 64 are sequentially formed on a glass substrate 61, and on the glass substrate 66, a rear substrate. The data 69 and the dielectric layer 67 are formed in this order, and the phosphor layers 68R, 68G, and 68B and the barrier ribs 67 are formed on the dielectric layer.

このようなＰＤＰの消費電力を低減し、面放電時の放電効率を高めるには、前面基板を構成する誘電体層の表面の電界強度を高めれば良いことが知られており、その手段として誘電体層の厚みを薄くすれば良いことも理解されている。 In order to reduce the power consumption of such a PDP and increase the discharge efficiency during surface discharge, it is known that the electric field strength on the surface of the dielectric layer constituting the front substrate should be increased. It is also understood that the thickness of the body layer may be reduced.

一方、高精細化を実現するためには、表示電極対の幅を狭くし開口率を上げると共に、表示電極の低抵抗を維持することが重要である。 On the other hand, in order to achieve high definition, it is important to narrow the width of the display electrode pair to increase the aperture ratio and to maintain the low resistance of the display electrode.

これらの問題を解決するために表示側のガラス基板６１の表面に対して透明電極６２ａと、その透明電極６２ａ上にその導電性を補う（低抵抗化）のための細幅の金属バス電極６２ｂとして電気的特性とガラス基板及び誘電体層などとの密着にすぐれたクロム（Ｃｒ）−銅（Ｃｕ）−クロム（Ｃｒ）の三層構造の金属膜、または銀（Ａｇ）等の金属膜をスパッタリング工程、または真空蒸着工程とフォトリソグラフィ工程等により重ねて形成されている。 In order to solve these problems, a transparent electrode 62a is formed on the surface of the glass substrate 61 on the display side, and a narrow metal bus electrode 62b is provided on the transparent electrode 62a to supplement the conductivity (reduction in resistance). As a metal film of a three-layer structure of chromium (Cr) -copper (Cu) -chromium (Cr), or a metal film of silver (Ag), etc., which has excellent electrical characteristics and adhesion to a glass substrate and a dielectric layer It is formed by being overlapped by a sputtering process or a vacuum deposition process and a photolithography process.

しかしながら、厚い金属バス電極のエッジ部で薄い誘電体や保護膜の被覆性が悪くなり絶縁破壊が多数する。 However, the coverage of the thin dielectric or protective film is deteriorated at the edge of the thick metal bus electrode, resulting in a large number of dielectric breakdowns.

そこで、図７に示す構造が提案されている。絶縁破壊を防止しつつ誘電体層表面７４の電界強度を高めるため、前記ガラス基板７１の内面にフォトエッチング工程により前記各放電電極対の幅が狭い金属バス電極７３のパターンと厚さに相当する凹部７２を形成し、その凹部７２にＡｇ等の金属ペーストを用いたスクリーン印刷法やレジストマスク等を用いたスパッタ法とリフトオフ法等によって溝を設けＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒの三層構造の金属材料を埋め込んで金属バス電極を形成した方法がある。特に、ガラス面を飛び出さない高さにバス電極形成して平坦化することで誘電体の被覆性を向上させる発明がなされている（特許文献１参照）。
特開２００１−１４３６１０号公報 Therefore, a structure shown in FIG. 7 has been proposed. In order to increase the electric field strength of the dielectric layer surface 74 while preventing dielectric breakdown, it corresponds to the pattern and thickness of the metal bus electrode 73 in which the width of each discharge electrode pair is narrow on the inner surface of the glass substrate 71 by a photoetching process. The recess 72 is formed, and a groove is provided in the recess 72 by a screen printing method using a metal paste such as Ag, a sputtering method using a resist mask or the like, a lift-off method, or the like, and a Cr-Cu-Cr three-layer metal material There is a method in which a metal bus electrode is formed by embedding metal. In particular, an invention has been made to improve the covering property of a dielectric by forming a bus electrode at a height that does not protrude from the glass surface and flattening it (see Patent Document 1).
JP 2001-143610 A

しかしながら、上記のような構造においても、溝部上に形成した透明性電極（ＩＴＯ）やＣｒ等の金属電極が溝のエッジ部で断線が発生し、放電効率が低下して発光が弱まり輝度が激減した。また、溝部上に形成した誘電体層及びＭｇＯにおいても被覆性が悪くなるため絶縁耐性が弱くなる。 However, even in the structure as described above, a transparent electrode (ITO) or a metal electrode such as Cr formed on the groove part is broken at the edge part of the groove, the discharge efficiency is lowered, the light emission is weakened, and the luminance is drastically reduced. did. Further, the dielectric layer formed on the groove and MgO also have poor coverage, resulting in poor insulation resistance.

透明性電極形成しない構造において、ガラス基板に設けられた凹部幅はバス電極の幅に相当するため、幅が狭くならばなるほどバス電極の表面積が狭くなるため電界強度が弱くなり蛍光体の発光が低下して輝度が激減する。 In a structure in which a transparent electrode is not formed, the width of the recess provided in the glass substrate corresponds to the width of the bus electrode. Therefore, the narrower the width, the smaller the surface area of the bus electrode. Decreases and brightness decreases drastically.

また、バス電極の低抵抗を維持して溝幅を狭くするため凹部をより深く形成しなければならない。このような深い溝形成はサンドブラスト法やフォトリソ法の手法では限界があり、歩留まりが悪くなる。 Further, the recesses must be formed deeper in order to maintain the low resistance of the bus electrode and narrow the groove width. Such deep groove formation is limited by the sand blasting method or the photolithographic method, resulting in poor yield.

また、凹部の幅方向の断面形状において、凹部底部が平坦な形状であると、金属ペースト（金属等を含んだ電極材料）をスクリーン印刷、ティスペンサー等で溝に充填し、ペースト内の溶剤を除去する加熱工程後、バス電極表面形状が凹んでしまう。このため、バス電極の断面積が減り、抵抗が高くなるともに、バス電極の表面積が減るため、電界強度が弱くなる。 Moreover, in the cross-sectional shape of the width direction of a recessed part, when a recessed part bottom part is flat shape, a metal paste (electrode material containing a metal etc.) is filled into a groove | channel by screen printing, a tip spencer, etc., and the solvent in paste is removed. After the heating step to be removed, the surface shape of the bus electrode is recessed. For this reason, the cross-sectional area of the bus electrode is reduced, the resistance is increased, and the surface area of the bus electrode is reduced, so that the electric field strength is weakened.

本発明は、上記従来の問題点に鑑み、放電空間の電界強度を高め高精細セルにおいても高輝度でかつ歩留まりが向上し簡易に低コストで製造することのできるＰＤＰとその製造方法を提供することを目的とする。 In view of the above-described conventional problems, the present invention provides a PDP that can increase the electric field strength in the discharge space and can be manufactured easily and at low cost with high brightness and high yield even in a high-definition cell, and a manufacturing method thereof. For the purpose.

上記目的を達成するため、本発明では、空間を挟んで２枚の基板が対向配置され、一方の基板において空間側主面に延伸して配設された表示電極対と、表示電極対を覆って形成された誘電体層を備えたプラズマディスプレイパネルであって、表示電極対は、２本の帯状電極が互いに間隙をあけて並設されてなり、帯状電極は，前記一方の基板上に形成された凹部に配設されてなり，帯状電極の一部は前記一方の基板から前記空間側に凸状に突出して形成されてなる構成とした。 In order to achieve the above object, in the present invention, two substrates are arranged opposite to each other with a space interposed therebetween, and a display electrode pair disposed on one of the substrates so as to extend to the space-side main surface, and the display electrode pair are covered. A display panel having a dielectric layer formed in the above-described manner, wherein the display electrode pair is formed by arranging two strip electrodes in parallel with a gap between each other, and the strip electrodes are formed on the one substrate. The strip-shaped electrode is partly formed so as to protrude from the one substrate to the space side.

誘電体層は、略均一な厚みで前記表示電極を覆う構成とした。 The dielectric layer was configured to cover the display electrode with a substantially uniform thickness.

帯状電極の凸部の幅は、基板の凹部の幅より幅広に形成されてなる構成とした。 The width of the convex portion of the strip electrode is configured to be wider than the width of the concave portion of the substrate.

前記帯状電極の凸部は、円弧状の断面形状を有することとした。 The convex part of the strip electrode has an arcuate cross-sectional shape.

前記帯状電極の，前記基板から前記空間側に凸状に突出して形成されてなる凸部は、前記基板の表面との接触角が８０度以下であることした。 The convex part formed by projecting from the substrate to the space side of the strip electrode has a contact angle with the surface of the substrate of 80 degrees or less.

前記帯状電極の凹部は、円弧状の断面形状を有することとした。 The concave portion of the belt-like electrode has an arcuate cross-sectional shape.

前記帯状電極は、前記凹部の曲率半径Ｒ１、前記凸部の曲率半径Ｒ２とするとき、Ｒ１＜Ｒ２の断面形状を有することとした。 The strip electrode has a cross-sectional shape of R1 <R2 when the curvature radius R1 of the concave portion and the curvature radius R2 of the convex portion are set.

前記帯状電極は、６０μｍ以下の幅を有することとした。 The strip electrode has a width of 60 μm or less.

前記表示電極対は、３０μｍ以上１５０μｍ以下の電極間距離を有することとした。 The display electrode pair has an inter-electrode distance of 30 μm or more and 150 μm or less.

前記帯状電極は金属を主成分として含む構成とした。 The strip electrode includes a metal as a main component.

また、本願のプラズマディスプレイの製造方法は、基板上に凹部を形成するステップと、前記基板の凹部に金属材料を充填して、凸形状を有する帯状電極対を延伸形成するステップと、前記帯状電極を覆う誘電体層を形成するステップを含み、前記帯状電極対を延伸形成するステップは、金属材料を主成分とする導電ペースト材を前記基板の凹部に略円弧状に塗布した後、乾燥工程を行うステップを含むこととした。 The plasma display manufacturing method of the present application includes a step of forming a concave portion on a substrate, a step of filling a concave portion of the substrate with a metal material, and extending a band-shaped electrode pair having a convex shape, and the band-shaped electrode. A step of extending the band-shaped electrode pair by applying a conductive paste material mainly composed of a metal material to the concave portion of the substrate in a substantially arc shape, and then performing a drying process. The steps to be performed were included.

前記帯状電極を延伸形成するステップは、前記凹部に前記導電ペーストを充填するサブプロセスと、略円弧状に形成するサブプロセスを含むことした。 The step of extending and forming the belt-like electrode includes a sub-process for filling the concave portion with the conductive paste and a sub-process for forming a substantially arc shape.

前記帯状電極を形成するステップは、ディスペンサ法により導電ペーストを塗布することとした。 In the step of forming the strip electrode, a conductive paste was applied by a dispenser method.

本発明は上記した構成により，放電空間の電界強度を高め高精細セルにおいても，放電空間の電界強度を高め高精細セルにおいても高輝度で，絶縁耐性の低下を防止する。簡易に低コストで歩留まり良く製造することのできる製造方法を提供する。 With the above-described configuration, the present invention increases the electric field strength in the discharge space and increases the electric field strength in the discharge space and increases the electric field strength in the high-definition cell, thereby preventing a reduction in insulation resistance. Provided is a manufacturing method that can be easily manufactured at low cost and with high yield.

以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１について、図１及び図２を参照して説明する。 (Embodiment 1)
Hereinafter, Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIG. 1 and FIG.

＜ＰＤＰの構成＞以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。 <Configuration of PDP> Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

＜ＰＤＰの構成＞
図１は、本実施の形態における前面板のＰＤＰの概略構成図である。また、図２は本実施例の前面板を用いて作製したＰＤＰの断面図である。本実施例では図１のように、表示面側のガラス基板１、１１にフォトエッチング工程等によって凹部２、１２がある。この電極凹部２，１２の表面に、ストライプ状の一対のスキャン電極７、１７とサステイン電極６、１６（一対でバス電極３、１３）が埋め込まれ、スキャン電極７、１７とサステイン電極６、１６は，放電空間側９、１９に凸状にガラス基板１から一部が突出して金属材料が形成されてなり、ガラス基板１、１１の凹部２、１２にＡｇ等の金属材料、粘着剤、有機溶剤等を含んだペーストをスクリーン印刷、ディスペンサ等の塗布方法を用いて形成できる。例えば、バス電極３、１３の各々の幅４０μｍ、凹部２、１２の深さ４０μｍ、バス電極３、１３の頂部から底部までの厚さ６０μｍ、バス電極３、１３間の距離８０μｍに設定すればよい。 <Configuration of PDP>
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of the PDP of the front plate in the present embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view of a PDP produced using the front plate of this example. In this embodiment, as shown in FIG. 1, the glass substrates 1 and 11 on the display surface side have recesses 2 and 12 by a photoetching process or the like. A pair of stripe-shaped scan electrodes 7 and 17 and sustain electrodes 6 and 16 (a pair of bus electrodes 3 and 13) are embedded in the surfaces of the electrode recesses 2 and 12, and the scan electrodes 7 and 17 and the sustain electrodes 6 and 16 are embedded. Is formed by protruding a part from the glass substrate 1 in a convex shape on the discharge space sides 9 and 19, and forming a metal material such as Ag in the recesses 2 and 12 of the glass substrates 1 and 11, an adhesive, and an organic material. A paste containing a solvent or the like can be formed using an application method such as screen printing or a dispenser. For example, if the width of each of the bus electrodes 3 and 13 is 40 μm, the depth of the recesses 2 and 12 is 40 μm, the thickness from the top to the bottom of the bus electrodes 3 and 13 is 60 μm, and the distance between the bus electrodes 3 and 13 is 80 μm. Good.

誘電体層４、１４は、例えば、プラズマＣＶＤで形成した比誘電率を３．５〜４．５程度であるシリコン酸化膜を用いると、薄くかつ厚みを均一に形成される。誘電体層５、１５は、対を成す表示電極間の静電容量や絶縁耐圧を考慮して、その厚みを、３〜２０μｍとするのが望ましい。上記のとおり、誘電体層４、１４がバス電極３、１３を被膜するように、かつ薄く形成されているので、誘電体層４、１４は、バス電極３、１３からなる表示電極対の表面の起伏に沿った形状、つまり略同形状となる。 For example, when a silicon oxide film having a relative dielectric constant of about 3.5 to 4.5 formed by plasma CVD is used, the dielectric layers 4 and 14 are formed thin and uniform in thickness. The dielectric layers 5 and 15 desirably have a thickness of 3 to 20 μm in consideration of the capacitance between the paired display electrodes and the withstand voltage. As described above, since the dielectric layers 4 and 14 are formed thinly so as to cover the bus electrodes 3 and 13, the dielectric layers 4 and 14 are the surfaces of the display electrode pair including the bus electrodes 3 and 13. The shape along the undulation, that is, substantially the same shape.

図９（ａ）は、ガラス基板表面とバス電極の凸部との接触角θを示す図である。バス電極３、１３は、接触角θが大きすぎると、基板との接触部で誘電体層が均一に形成できないため絶縁破壊が発生するため、接触角θは８０゜以下に設定することが好ましい。 FIG. 9A is a diagram showing a contact angle θ between the glass substrate surface and the convex portion of the bus electrode. If the contact angle θ of the bus electrodes 3 and 13 is too large, the dielectric layer cannot be formed uniformly at the contact portion with the substrate and dielectric breakdown occurs. Therefore, the contact angle θ is preferably set to 80 ° or less. .

＜＜本実施例におけるＰＤＰの効果＞＞
上記のように構成された前面基板を採用したＰＤＰにおいては、バス電極が放電空間側に凸状で金属材料が形成されているため、バス電極が平坦に形成されている構成よりも、電極表面積が広くなり電界強度が高くなるため、発光効率が向上する。また、凹部に電極材料が充填されているため、バス電極の断面積がより大きくなるため、低抵抗を維持して幅狭の電極を形成することができる。図９（ｂ）に示すように、バス電極の設計はバス電極の幅ｗ１は６０μｍ以下で、表示電極対の電極間距離ｗ２は３０μｍ以上１５０μｍ以下であれば、幅狭で低抵抗のバス電極が得られる。 << Effect of PDP in this embodiment >>
In the PDP employing the front substrate configured as described above, the bus electrode is convex on the discharge space side and the metal material is formed, so that the electrode surface area is larger than the configuration in which the bus electrode is formed flat. Becomes wider and the electric field strength becomes higher, so that the light emission efficiency is improved. In addition, since the recess is filled with the electrode material, the cross-sectional area of the bus electrode becomes larger, so that a narrow electrode can be formed while maintaining low resistance. As shown in FIG. 9B, the bus electrode is designed to have a narrow and low resistance if the width w1 of the bus electrode is 60 μm or less and the distance w2 between the electrodes of the display electrode pair is 30 μm or more and 150 μm or less. Is obtained.

バス電極の凸部が円弧状で形成されていることによって、誘電体層の厚みが薄い膜で形成された場合であっても、誘電体層が均一な膜厚で形成できるため、絶縁耐圧が保たれ、歩留まりが向上した。特に、バス電極の凹部の曲率半径Ｒ１、凸部の曲率半径Ｒ２とするとき、Ｒ１＜Ｒ２の断面形状に設定することで、バス電極の表面形状が滑らかになり、絶縁耐圧性は更に上がる。 Since the convex portions of the bus electrode are formed in an arc shape, the dielectric layer can be formed with a uniform thickness even when the dielectric layer is formed with a thin film thickness. Retained and yield improved. In particular, when the radius of curvature R1 of the concave portion of the bus electrode and the radius of curvature R2 of the convex portion are set, the surface shape of the bus electrode becomes smooth and the withstand voltage is further increased by setting the cross-sectional shape of R1 <R2.

また、基板凹部の形状が該円弧状であるため、金属ペーストを塗布した後の乾燥工程後も、バス電極の表面形状が凸形状を有するため、バス電極表面積を広く電界強度が高くなる。 In addition, since the shape of the concave portion of the substrate is the arc shape, the surface shape of the bus electrode has a convex shape even after the drying step after applying the metal paste, so that the surface area of the bus electrode is wide and the electric field strength is increased.

かかる構成によって、高コストな透明性電極を形成する必要がないため、工程数が減ると同時に安価に形成できる。 With this configuration, it is not necessary to form a high-cost transparent electrode, so that the number of steps can be reduced and at the same time inexpensive.

次に、実施例１における製造方法について述べる。 Next, the manufacturing method in Example 1 is described.

＜製造方法＞
図３は、本発明の工程を示す図である。図３（ｂ）はガラス基板、図３（ｂ）は溝を形成すること工程、（ｃ）は溝に金属ペーストを形成する工程、（ｄ）は誘電体を形成する工程、（ｅ）はＭｇＯ保護膜を形成する工程である。 <Manufacturing method>
FIG. 3 is a diagram showing a process of the present invention. 3B is a glass substrate, FIG. 3B is a step of forming a groove, (c) is a step of forming a metal paste in the groove, (d) is a step of forming a dielectric, and (e) is a step of forming a dielectric. This is a step of forming a MgO protective film.

（１）溝形成方法
図３（ｂ）で示すように、凹部３２の形成には、例えばサンドブラスト法においては、前面板３６となるガラス基板３１を洗浄したのち、感光性被覆層を厚さ４０μｍのネガドライフィルムレジストをラミネートして形成する。このドライフィルムにフォトマスクを用いて開口幅４０μｍのパターンを形成する。次に、基板上面からサンドブラス法によって基板に例えば、５μｍ径の金属のビーズを噴射して当てる。ドライフィルムレジストの開口部にビーズが当たりガラス基板に溝が形成されたのち、ドライフィルムレジストを取り除く。例えば、Ａｇ等の金属材料を埋め込む場合溝深さは、２０〜６０ｍがよい。また、凹部１の形成には、フォトリソグラフィーを用いてガラスに溝幅のフォトレジストパターンを形成して、例えばフッ酸溶液に浸してエッチングしても、同様に得られる。 (1) Groove Forming Method As shown in FIG. 3B, for forming the recess 32, for example, in the sand blast method, the glass substrate 31 to be the front plate 36 is washed, and then the photosensitive coating layer has a thickness of 40 μm. The negative dry film resist is laminated. A pattern with an opening width of 40 μm is formed on this dry film using a photomask. Next, metal beads having a diameter of, for example, 5 μm are sprayed and applied to the substrate from the upper surface of the substrate by the sandblast method. After the beads hit the opening of the dry film resist to form grooves in the glass substrate, the dry film resist is removed. For example, when embedding a metal material such as Ag, the groove depth is preferably 20 to 60 m. The recess 1 can be formed in the same manner by forming a photoresist pattern having a groove width on glass using photolithography and immersing it in a hydrofluoric acid solution for etching.

ガラス基板の凹部２を円弧状に形成するためには、サンドブラスト法の場合、ビーズの径を１０μｍ程度大きくするか、またはビーズの噴射圧力を上げることで凹部底の周辺が残るように削れるため実現可能である。フォトリソグラフィーの場合、フッ酸濃度を高く設定し腐食速度を上げると凹部２の中央部から腐食が進み周辺の腐食が遅いため、凹部２中央は深く、凹部２周辺が浅い傾斜を持った形状が得られる。例えば、フッ酸溶液は弗化水素酸を水で希釈２％〜３％でよい。 In order to form the concave portion 2 of the glass substrate in an arc shape, in the case of the sand blast method, it is realized because the diameter of the bead is increased by about 10 μm or the bead spray pressure is increased so that the periphery of the concave portion bottom can be left. Is possible. In the case of photolithography, if the concentration of hydrofluoric acid is set high and the corrosion rate is increased, the corrosion progresses from the center of the recess 2 and the surrounding corrosion is slow, so that the center of the recess 2 is deep and the periphery of the recess 2 has a shallow slope. can get. For example, the hydrofluoric acid solution may be diluted 2% to 3% with hydrofluoric acid.

（２）バス電極形成方法
図３（ｂ）のバス電極形成方法について図４を用いて説明する。図４（ａ）のように溝４２完成後、バス電極４３を、ストライプ状にかつ断面において該円弧状をなすように形成する。図４（ｂ）に示すように、例えば、ディスペンサ４５を用いて導電性ペースト４４として銀ペーストを透明電極の上に細幅で塗布すると、凹部４２を充填しかつ塗布された銀ペーストは断面が該円弧状になる。断面が該円弧状となるのは、銀ペーストに表面張力があるためである。適切な表面張力を利用するためには、ペースト粘度、溶媒等の成分比率を変えることで、ある程度、自由に設定することができる。図４（ｃ）に示すように、塗布された銀ペーストを加熱・乾燥することによって収縮するが、バス電極の凸部が円弧状で形成できる。 (2) Bus Electrode Formation Method The bus electrode formation method of FIG. 3B will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 4A, after the groove 42 is completed, the bus electrode 43 is formed in a stripe shape so as to form the arc shape in the cross section. As shown in FIG. 4B, for example, when a silver paste is applied as a conductive paste 44 in a thin width on a transparent electrode using a dispenser 45, the concave portion 42 is filled and the applied silver paste has a cross section. It becomes the arc shape. The reason why the cross section is the arc shape is that the silver paste has surface tension. In order to use an appropriate surface tension, it can be freely set to some extent by changing the ratio of components such as paste viscosity and solvent. As shown in FIG. 4C, the applied silver paste shrinks by heating and drying, but the convex portion of the bus electrode can be formed in an arc shape.

本実施の形態において用いるディスペンサは、一般的によく知られており、例えば特許２６７１３６１号公報に記載されたものを使用した。テーブル上に凹部２が形成されたガラス基板１を載置し、テーブルを移動させ、銀ペーストを塗布する始端位置の上方にディスペンサ先端を対向配置する。 The dispenser used in the present embodiment is generally well known, and for example, the one described in Japanese Patent No. 2671361 is used. The glass substrate 1 in which the concave portion 2 is formed is placed on the table, the table is moved, and the tip of the dispenser is disposed above the starting end position where the silver paste is applied.

そして、位置センサによりガラス基板１の表面とディスペンサ先端との相対位置を検出しながらディスペンサ先端を下降せしめて、ディスペンサ先端とガラス基板１の表面との間に所定のギャップが設けられるようにディスペンサ先端の高さ方向の位置決めを行う。このギャップは、ディスペンサ先端とテーブルとの相対移動速度、銀ペーストの粘度、形成すべき描画パターンの断面寸法等によって適宜設定されるが、通常は数１０μｍ程度である。ガラス基板１から溝部にかけてディスペンサ先端から銀粒子を主成分とする銀ペーストを吐出させながら、ディスペンサ先端を所定の移動速度にて形成すべき描画パターンに沿って相対移動させると、所定の描画パターンで銀ペーストを塗布することができる。その際にディスペンサ先端とガラス基板１１１の表面との間のギャップが多少変化しても、銀ペーストの吐出量は一定であるため、高精度の描画パターンを形成できる。 Then, the position of the dispenser tip is lowered while detecting the relative position between the surface of the glass substrate 1 and the tip of the dispenser by the position sensor, so that a predetermined gap is provided between the tip of the dispenser and the surface of the glass substrate 1. Position in the height direction. The gap is appropriately set depending on the relative movement speed between the tip of the dispenser and the table, the viscosity of the silver paste, the cross-sectional dimension of the drawing pattern to be formed, and is usually about several tens of μm. While the silver paste mainly composed of silver particles is discharged from the tip of the dispenser from the glass substrate 1 to the groove, the tip of the dispenser is relatively moved along the drawing pattern to be formed at a predetermined moving speed. Silver paste can be applied. At that time, even if the gap between the tip of the dispenser and the surface of the glass substrate 111 changes somewhat, the discharge amount of the silver paste is constant, so that a highly accurate drawing pattern can be formed.

なお、ディスペンサにて銀ペーストを塗布する場合、銀ペーストの粘度は１０Ｐａ・ｓ以上１０００Ｐａ・ｓ以下であることが望ましい。銀ペーストの粘度範囲を上記のように規定したのは、銀ペーストとして１０Ｐａ・ｓ以上の比較的粘度の高いものを用いると、基板表面の材質が異なっても、形成されたバス電極のテーパー角が大きく変化することはないが、粘度が１０Ｐａ・ｓ未満である場合、焼成後の厚みが十分でなく、配線抵抗が高くなるという不都合が生じるため好ましくない。また、粘度が１０００Ｐａ・ｓより大きい場合は、ディスペンサのノズルが詰まるという不具合が生じるため好ましくない。 In addition, when apply | coating a silver paste with a dispenser, it is desirable that the viscosity of a silver paste is 10 Pa.s or more and 1000 Pa.s or less. The reason why the viscosity range of the silver paste is defined as described above is that when a silver paste having a relatively high viscosity of 10 Pa · s or more is used, the taper angle of the formed bus electrode is different even if the material of the substrate surface is different. However, when the viscosity is less than 10 Pa · s, it is not preferable because the thickness after firing is not sufficient and the wiring resistance becomes high. On the other hand, when the viscosity is higher than 1000 Pa · s, there is a problem that the nozzle of the dispenser is clogged, which is not preferable.

（３）誘電体層の形成方法
図３（ｃ）に示すように、バス電極３３を硬化した後、ガラス基板３１及びバス電極３３を覆うように誘電体層３４を形成する。例えば、比誘電率が３．５〜４．５程度のシリコン酸化膜を３〜２０μｍの範囲形成すればよい。例えば、被覆性の高いプラズマＣＶＤ装置を用いて形成する。これによって、バス電極に沿って誘電体層を形成することができる。プラズマＣＶＤ装置は一般的なものを用いるので、その構成についての説明を省略する。以下、プラズマＣＶＤ装置を用いてシリコン酸化膜を誘電体層として形成する工程について説明する。真空容器内に設けられた下部電極上にＰＤＰ材料として用いるガラス基板を載置し、ガス供給装置から上部電極下部に設けられたシャワーヘッドを通じて例えばＴＥＯＳ、Ｈｅ、Ｏ₂ガスを原料ガスとして供給しつつ、ポンプで真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に保ちながら、上部電極に上部電極用高周波電源より例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給し、下部電極に下部電極用高周波電源より例えば１ＭＨｚの高周波電力を供給することにより、原料ガスをプラズマ化させて、その反応性を高め、ガラス基板３１上にシリコン酸化膜を誘電体層として形成する。 (3) Dielectric Layer Forming Method As shown in FIG. 3C, after the bus electrode 33 is cured, the dielectric layer 34 is formed so as to cover the glass substrate 31 and the bus electrode 33. For example, a silicon oxide film having a relative dielectric constant of about 3.5 to 4.5 may be formed in a range of 3 to 20 μm. For example, it is formed using a plasma CVD apparatus with high coverage. Thereby, a dielectric layer can be formed along the bus electrode. Since a general plasma CVD apparatus is used, a description of its configuration is omitted. Hereinafter, a process of forming a silicon oxide film as a dielectric layer using a plasma CVD apparatus will be described. A glass substrate used as a PDP material is placed on the lower electrode provided in the vacuum vessel, and, for example, TEOS, He, O ₂ gas is supplied as a source gas from a gas supply device through a shower head provided at the lower part of the upper electrode. While the vacuum vessel is evacuated with a pump, the high frequency power of, for example, 13.56 MHz is supplied to the upper electrode from the high frequency power supply for the upper electrode while the vacuum vessel is maintained at a predetermined pressure, and the lower electrode is supplied with the high frequency power for the lower electrode For example, by supplying a high-frequency power of 1 MHz, the raw material gas is turned into plasma to increase its reactivity, and a silicon oxide film is formed on the glass substrate 31 as a dielectric layer.

プラズマＣＶＤ法によれば、表示電極の表面形状に沿って、均一的な厚みでシリコン酸化膜が形成される。当該シリコン酸化膜の表面形状は、表示電極の表面形状と略同形状となるので、本願発明には好適である。 According to the plasma CVD method, a silicon oxide film is formed with a uniform thickness along the surface shape of the display electrode. Since the surface shape of the silicon oxide film is substantially the same as the surface shape of the display electrode, it is suitable for the present invention.

（４）保護層の形成工程
図３（ｄ）に示すように、誘電体層３４を形成した後、酸化マグネシウム薄膜を保護層３５として、スパッタ法、電子ビーム蒸着法などを用いて誘電体層３４の上に形成すると、上記誘電体層３５の表面に沿って均一な厚みの保護層３５が形成される。保護層３５の厚みは、パネル動作中に保護層３５が受けるダメージとパネルの寿命、形成時間（コスト）などを考慮して決定されるが、概ね０．３〜２μｍの範囲である。また、段差の寸法は概ね４．９μｍである。 (4) Step of forming protective layer As shown in FIG. 3 (d), after forming the dielectric layer 34, the dielectric layer is formed using a magnesium oxide thin film as the protective layer 35 by sputtering, electron beam evaporation or the like. When formed on 34, a protective layer 35 having a uniform thickness is formed along the surface of the dielectric layer 35. The thickness of the protective layer 35 is determined in consideration of the damage received by the protective layer 35 during the operation of the panel, the lifetime of the panel, the formation time (cost), etc., but is generally in the range of 0.3 to 2 μm. The dimension of the step is approximately 4.9 μm.

（５）封着工程（図２を参照）
上記のように前面基板２１を形成した後、この前面基板２６と、別に形成した背面基板とを放電空間を挟んで対向させたうえで貼り合わせ、真空排気した後に、この放電空間に放電ガス（例えばＮｅとＸｅの混合ガス）を封じ込めてＰＤＰを作製する。背面基板には、ストライプ状の隔壁構造を有するものを用いてもよいが、井桁状の隔壁構造を有するものを用いてもよい。井桁状の隔壁構造を有する背面基板を用いる場合、縦隔壁と横隔壁との高さが等しい井桁隔壁構造のものを用いても、前面基板側に段差が生じた状態となっているため、前面基板と当該隔壁頂部との間に必ず隙間が生じた状態となり、上記真空排気工程を良好に行うことができる。 (5) Sealing process (see Fig. 2)
After the front substrate 21 is formed as described above, the front substrate 26 and the separately formed rear substrate are opposed to each other with the discharge space interposed therebetween, bonded together, and evacuated, and then the discharge gas ( For example, a mixed gas of Ne and Xe) is contained to produce a PDP. As the back substrate, a substrate having a stripe-shaped partition structure may be used, but a substrate having a cross-shaped partition structure may be used. When using a rear substrate with a grid-like partition structure, a step is generated on the front substrate side even when a vertical partition and a horizontal partition with the same height are used. A gap is always generated between the substrate and the top of the partition wall, so that the evacuation process can be performed satisfactorily.

＜＜本実施例におけるＰＤＰの製造方法の効果＞＞
上記のように形成した前面基板を採用したＰＤＰにおいては、ディスペンサ方式でペーストを塗布するため、ペーストの表面張力によってバス電極に円弧状に形成できる持たせることができ、溝に隙間なく十分な高さをもって電極材料を充填できる。また、凹部の底辺が丸みを帯びているため、ペーストを凹部に充填した後乾燥・加熱しても、バス電極表面の中央部が沈むことがなく丸みを帯びた形状で保たれる。 << Effects of PDP Manufacturing Method in this Example >>
In the PDP employing the front substrate formed as described above, since the paste is applied by the dispenser method, the bus electrode can be formed in an arc shape by the surface tension of the paste, and the groove has a sufficient height without a gap. Thus, the electrode material can be filled. Further, since the bottom of the recess is rounded, even if the paste is filled in the recess and then dried and heated, the central portion of the bus electrode surface does not sink and is maintained in a rounded shape.

以上のような製造方法によって、バス電極の基板の凹部に金属材料が充填されてかつ放電空間側に凸状に金属材料が形成できるので、バス電極表面積が広くなり放電空間での電界強度が高くなりより輝度が高くなる。また、誘電体層が均一に形成できるため絶縁耐圧が向上し歩留まりが高いＰＤＰが得られる。 By the manufacturing method as described above, the concave portion of the bus electrode substrate is filled with the metal material, and the metal material can be formed in a convex shape on the discharge space side. The brightness becomes higher. In addition, since the dielectric layer can be formed uniformly, a PDP with improved breakdown voltage and high yield can be obtained.

（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態２について、図５を参照して説明する。バス電極製造工程以外は、実施の形態１と同様のため省略する。 (Embodiment 2)
The second embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. Other than the bus electrode manufacturing process is the same as that of the first embodiment, and is therefore omitted.

図５（ａ）は、実施の形態１と同様の方法で、底部が丸みを帯びた凹部５２をガラス基板５１に設ける。図５（ｂ）に示すように、導電ペーストを凹部からあふれ出さない程度に塗布する。この時のディスペンサ法やスクリーン印刷法を用いればよい。図５（ｃ）のように、更にディスペンサ法を用いて導電ペーストを基板の凹部より幅広に塗布する。その後乾燥及び加熱することにより図５（ｄ）のように、バス電極の表面形状が円弧状で形成できる。 5A, a glass substrate 51 is provided with a recess 52 having a round bottom at the same method as in the first embodiment. As shown in FIG. 5B, the conductive paste is applied so as not to overflow from the recess. A dispenser method or a screen printing method at this time may be used. As shown in FIG. 5C, the conductive paste is applied wider than the concave portion of the substrate by using a dispenser method. Thereafter, the surface shape of the bus electrode can be formed in an arc shape as shown in FIG. 5D by drying and heating.

導電ペーストは塗布後、乾燥・加熱工程を経ることによって中央部が沈みやすく、塗布後が変形してしまう。実施の形態２の製造方法によれば、ぺースト塗布工程が基板の凹部５１を充填する工程と、更に充填された電極材料の上にペーストを円弧状に塗布する２段階のステップとすることで、導電ペーストの塗布を一回で塗布するよりバス電極表面の頂部を高く設定できる。このため、バス電極の表面形状が広くなり放電強度が高く、誘電体層の絶縁破壊を防止できるため良好な放電特性が得られる。 The conductive paste is likely to sink after passing through a drying / heating process, and the conductive paste is deformed after application. According to the manufacturing method of the second embodiment, the paste application step is a step of filling the recess 51 of the substrate and a step of applying the paste in a circular arc shape on the filled electrode material. The top of the bus electrode surface can be set higher than when the conductive paste is applied at once. For this reason, the surface shape of the bus electrode is widened, the discharge intensity is high, and the dielectric breakdown of the dielectric layer can be prevented, so that good discharge characteristics can be obtained.

本願発明は、優れた特性を有するＰＤＰとその製造方法であり、テレビやコンピュータ等の画像表示に用いられるディスプレイ及びその製造方法に利用できる。 The present invention is a PDP having excellent characteristics and a manufacturing method thereof, and can be used for a display used for image display of a television or a computer and a manufacturing method thereof.

実施の形態１におけるＰＤＰの前面板の概略断面図Schematic sectional view of the front plate of the PDP in the first embodiment 実施の形態１におけるＰＤＰの概略断面図Schematic cross-sectional view of PDP in the first embodiment 実施の形態１における前面板の製造方法の概略断面図Schematic cross-sectional view of the method for manufacturing the front plate in the first embodiment 実施の形態１におけるバス電極の製造方法の概略断面図Schematic sectional view of a method for manufacturing a bus electrode in the first embodiment 実施の形態２におけるバス電極の製造方法の概略断面図Schematic sectional view of a method for manufacturing a bus electrode in the second embodiment 従来のＰＤＰを示す概略断面図Schematic sectional view showing a conventional PDP 従来のＰＤＰの前面基板を示す概略断面図Schematic sectional view showing a front substrate of a conventional PDP 従来のＰＤＰの前面基板の溝構造を示す概略断面図Schematic sectional view showing the groove structure of the front substrate of a conventional PDP バス電極の接触及びディメンジョンを説明する図The figure explaining the contact and dimension of a bus electrode

符号の説明Explanation of symbols

１，１１，３１，４１，５１，６１，７１，８１ガラス基板
２，１２，３２，４２，５２，７２，８２凹部
３，１３，３３，４３，５３，６２，７３，８３バス電極
４，１４，３４，６３，８４誘電体層
５，１５，３５，６４保護層
６，１６，３６スキャン電極
７，１７，３７サステイン電極
８，１８前面板
９，１９放電空間
１０，２０表示側
２１，６６ガラス基板（背面板）
２２，６９データ電極
２３，６７隔壁
２４，６８蛍光体
２５背面板
６３，７４透明導電性電極
４４導電性ペースト
４５ディスペンサーの先 1, 11, 31, 41, 51, 61, 71, 81 Glass substrate 2, 12, 32, 42, 52, 72, 82 Recess 3, 13, 33, 43, 53, 62, 73, 83 Bus electrode 4, 14, 34, 63, 84 Dielectric layer 5, 15, 35, 64 Protective layer 6, 16, 36 Scan electrode 7, 17, 37 Sustain electrode 8, 18 Front plate 9, 19 Discharge space 10, 20 Display side 21, 66 Glass substrate (back plate)
22, 69 Data electrode 23, 67 Bulkhead 24, 68 Phosphor 25 Back plate 63, 74 Transparent conductive electrode 44 Conductive paste 45 Tip of dispenser

Claims

空間を挟んで２枚の基板が対向配置され、一方の基板において前記空間側主面に延伸して配設された表示電極対と、前記表示電極対を覆って形成された誘電体層を備えたプラズマディスプレイパネルであって、
前記表示電極対は、２本の帯状電極が互いに間隙をあけて並設されてなり、
前記帯状電極は，前記一方の基板上に形成された凹部に配設されてなり，
前記帯状電極の一部は前記一方の基板から前記空間側に凸状に突出して形成されてなるプラズマディスプレイパネル。 Two substrates are arranged opposite to each other with a space interposed therebetween, and a display electrode pair is provided extending on the main surface of the space on one substrate, and a dielectric layer formed to cover the display electrode pair. A plasma display panel,
The display electrode pair includes two strip electrodes arranged in parallel with a gap between each other,
The belt-like electrode is disposed in a recess formed on the one substrate,
A plasma display panel in which a part of the belt-like electrode is formed to protrude from the one substrate to the space side.

前記誘電体層は、略均一な厚みで前記表示電極対を覆う請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。 The plasma display panel according to claim 1, wherein the dielectric layer covers the display electrode pair with a substantially uniform thickness.

前記帯状電極の，前記基板から前記空間側に凸状に突出して形成されてなる凸部の幅は、前記基板の凹部の幅より幅広に形成されてなる請求項１及び２に記載のプラズマディスプレイパネル。 3. The plasma display according to claim 1, wherein a width of a convex portion formed by projecting from the substrate to the space side of the belt-like electrode is wider than a width of a concave portion of the substrate. panel.

前記帯状電極の凸部は、円弧状の断面形状を有する請求項１から３に記載のプラズマディスプレイパネル。 The plasma display panel according to claim 1, wherein the convex portion of the strip electrode has an arcuate cross-sectional shape.

前記帯状電極の凸部は、前記基板の表面との接触角が８０度以下である請求項１から４のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。 5. The plasma display panel according to claim 1, wherein the convex portion of the strip electrode has a contact angle of 80 degrees or less with the surface of the substrate.

前記帯状電極の凹部は、円弧状の断面形状を有する請求項１及び請求項５のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。 The plasma display panel according to claim 1, wherein the concave portion of the belt-like electrode has an arcuate cross-sectional shape.

前記帯状電極は、前記凹部の曲率半径Ｒ１、前記凸部の曲率半径Ｒ２とするとき、Ｒ１＜Ｒ２の断面形状を有する請求項１から６のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。 7. The plasma display panel according to claim 1, wherein the strip electrode has a cross-sectional shape of R 1 <R 2 when the curvature radius R 1 of the concave portion and the curvature radius R 2 of the convex portion are set.

前記帯状電極は、６０μｍ以下の幅を有する請求項１から請求項７のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。 The plasma display panel according to claim 1, wherein the strip electrode has a width of 60 μm or less.

前記表示電極対は、３０μｍ以上１５０μｍ以下の電極間距離を有する請求項１から請求項８のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。 The plasma display panel according to claim 1, wherein the display electrode pair has an interelectrode distance of 30 μm or more and 150 μm or less.

前記帯状電極は金属を主成分として含む請求項１から９の何れかに記載のプラズマディスプレイパネル。 The plasma display panel according to claim 1, wherein the strip electrode includes a metal as a main component.

基板上に凹部を形成するステップと、前記基板の凹部に金属材料を充填して、凸形状を有する帯状電極対を延伸形成するステップと、前記帯状電極を覆う誘電体層を形成するステップを含み、
前記帯状電極対を延伸形成するステップは、金属材料を主成分とする導電ペースト材を前記基板の凹部に略円弧状に塗布した後、乾燥工程を行うステップを含むプラズマディスプレイパネルの製造方法。 Forming a concave portion on the substrate, filling the concave portion of the substrate with a metal material, extending a strip-shaped electrode pair having a convex shape, and forming a dielectric layer covering the strip-shaped electrode. ,
The step of extending the band-shaped electrode pair includes a step of applying a conductive paste material mainly composed of a metal material to the concave portion of the substrate in a substantially arc shape and then performing a drying process.

前記帯状電極を延伸形成するステップは、前記凹部に前記導電ペーストを充填するサブプロセスと、略円弧状に形成するサブプロセスを含む請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 12. The method of manufacturing a plasma display panel according to claim 11, wherein the step of extending and forming the strip electrode includes a sub-process for filling the concave portion with the conductive paste and a sub-process for forming the recess in a substantially arc shape.

前記帯状電極を形成するステップは、ディスペンサ法により導電ペーストを塗布する請求項１１又は１２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 The method for manufacturing a plasma display panel according to claim 11, wherein the step of forming the strip-shaped electrode comprises applying a conductive paste by a dispenser method.