JP2007073833A - Reduced pressure drying apparatus and substrate drying method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a reduced pressure drying apparatus which prevents electrification generated on a substrate and a support surface, even if the substrate is supported in face contact. <P>SOLUTION: In the reduced pressure drying apparatus, the substrate is supported in face contact on the entire surface of a lift plate over the entire back side of a product region where a treatment liquid is present, when drying the liquid on the substrate for preventing irregularities in the liquid effectively (step S4). Then, after the drying treatment, the reduced pressure state of the atmosphere in the treatment chamber is maintained, and a support pin projects from the upper surface of the lift plate. As a result, the substrate is subjected to point support while the substrate is being separated from a support surface (step S5). In this manner, when the substrate is separated from the support surface in the reduced pressure state of the atmosphere, friction hardly occurs on the substrate and the support surface, thus preventing electrification effectively. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、処理室内の雰囲気を減圧して基板上の処理液を乾燥する技術に関する。   The present invention relates to a technique for drying a processing liquid on a substrate by reducing the atmosphere in the processing chamber.

液晶用ガラス角形基板、半導体基板、フィルム液晶用フレキシブル基板、フォトマスク用基板、カラーフィルター用基板など各種基板の製造工程においては、基板の表面にレジスト液などの処理液を塗布する処理が行われ、この基板上の処理液を乾燥するために乾燥装置が使用される。この乾燥装置として、基板を保持した処理室内の雰囲気を減圧することにより、処理液の沸点を低下させ、基板上の処理液を比較的短時間に乾燥する減圧乾燥装置が知られている（例えば、特許文献１参照。）。   In the manufacturing process of various substrates such as liquid crystal glass square substrates, semiconductor substrates, film liquid crystal flexible substrates, photomask substrates, and color filter substrates, a process of applying a processing solution such as a resist solution to the surface of the substrate is performed. In order to dry the processing liquid on the substrate, a drying apparatus is used. As this drying apparatus, there is known a reduced-pressure drying apparatus that reduces the boiling point of the processing liquid by reducing the atmosphere in the processing chamber holding the substrate and dries the processing liquid on the substrate in a relatively short time (for example, , See Patent Document 1).

特開２００４−１８６４１９号公報JP 2004-186419 A

一般に減圧乾燥装置では、支持ピンで点接触して基板を支持（点支持）するようになっている。しかしながら、減圧乾燥中に基板を点支持すると、支持部分とその他の部分とで温度差が生じる。これは、減圧乾燥中には処理液の気化に伴い基板から気化熱が奪われるが、支持部分とその他の部分とで実質的な熱容量の相違が生じることや、支持部分以外の空間において気流が生じて熱を奪われることなどからである。   Generally, in a vacuum drying apparatus, a substrate is supported (point supported) by point contact with a support pin. However, if the substrate is point-supported during drying under reduced pressure, a temperature difference occurs between the support portion and other portions. This is because during the drying under reduced pressure, the heat of vaporization is taken away from the substrate as the treatment liquid evaporates, but there is a substantial difference in heat capacity between the support part and other parts, and there is an air flow in a space other than the support part. This is because it is generated and heat is taken away.

このように基板において部分的な温度差が生じると、基板上の処理液の状態に影響を与え、処理液にムラを生じさせることになる。これに対応するため、減圧乾燥中に、基板の裏側の略全面に面接触して基板を支持（面支持）することが考えられる。しかしながら、このように面支持を行った場合、支持面から基板を離間させる際に支持面と基板との摩擦に起因して帯電が生じる。この帯電量が大きくなると、基板上に形成された素子を破壊する可能性がある。   Thus, when a partial temperature difference occurs in the substrate, the state of the processing liquid on the substrate is affected, and the processing liquid is uneven. In order to cope with this, it is conceivable that the substrate is supported (surface supported) by making surface contact with substantially the entire back surface of the substrate during drying under reduced pressure. However, when surface support is performed in this way, charging occurs due to friction between the support surface and the substrate when the substrate is separated from the support surface. When this amount of charge increases, the element formed on the substrate may be destroyed.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、面接触で基板を支持した場合でも、支持面から基板を離間させる際の帯電を防止できる技術を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a technique capable of preventing charging when the substrate is separated from the support surface even when the substrate is supported by surface contact.

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、処理室内の雰囲気を減圧して基板上の処理液を乾燥する減圧乾燥装置であって、前記基板上の処理液を乾燥する際に、その裏側に支持面で面接触して前記基板を支持する支持手段と、乾燥した後の前記基板を、前記処理室内の雰囲気の減圧状態で前記支持面から離間させる離間手段と、を備えている。   In order to solve the above problems, the invention of claim 1 is a vacuum drying apparatus for drying a processing liquid on a substrate by reducing the atmosphere in the processing chamber, and when the processing liquid on the substrate is dried, Support means for supporting the substrate by surface contact with the support surface on the back side, and separation means for separating the dried substrate from the support surface in a reduced pressure atmosphere in the processing chamber.

また、請求項２の発明は、請求項１に記載の減圧乾燥装置において、前記離間手段は、前記支持面から突出して前記基板を支持する支持ピン、を備えている。   According to a second aspect of the present invention, in the vacuum drying apparatus according to the first aspect, the separating means includes a support pin that protrudes from the support surface and supports the substrate.

また、請求項３の発明は、請求項２に記載の減圧乾燥装置において、前記離間手段は、前記支持面の昇降の運動を前記支持ピンに伝達し、前記支持面の昇降に連動して前記支持面に対して前記支持ピンを出没させる連動部材、をさらに備えている。   The invention according to claim 3 is the vacuum drying apparatus according to claim 2, wherein the separating means transmits the movement of raising and lowering the support surface to the support pin, and interlocking with the raising and lowering of the support surface, An interlocking member that causes the support pin to protrude and retract with respect to the support surface is further provided.

また、請求項４の発明は、請求項２に記載の減圧乾燥装置において、前記支持ピンは、前記処理室に相対的に固定され、前記離間手段は、前記支持面を前記処理室に相対的に昇降することにより、前記支持面に対して前記支持ピンを出没させる昇降機構、をさらに備えている。   According to a fourth aspect of the present invention, in the reduced-pressure drying apparatus according to the second aspect, the support pin is fixed relatively to the processing chamber, and the separating means is configured such that the support surface is relative to the processing chamber. And an elevating mechanism that causes the support pin to protrude and retract with respect to the support surface.

また、請求項５の発明は、請求項１ないし４のいずれかに記載の減圧乾燥装置において、前記支持面は、導体物質で構成され、かつ、接地される。   According to a fifth aspect of the present invention, in the reduced pressure drying apparatus according to any one of the first to fourth aspects, the support surface is made of a conductive material and is grounded.

また、請求項６の発明は、請求項１ないし４のいずれかに記載の減圧乾燥装置において、前記支持面は、絶縁物質で構成される。   According to a sixth aspect of the present invention, in the vacuum drying apparatus according to any one of the first to fourth aspects, the support surface is made of an insulating material.

また、請求項７の発明は、基板上の処理液を乾燥する基板乾燥方法であって、支持面で面接触して前記基板を支持しつつ、雰囲気を減圧して前記基板上の処理液を乾燥する乾燥工程と、前記乾燥工程の後、前記雰囲気の減圧状態を維持しつつ、前記基板を前記支持面から離間する離間工程と、を備えている。   The invention of claim 7 is a substrate drying method for drying a processing liquid on a substrate, wherein the processing liquid on the substrate is reduced by reducing the atmosphere while supporting the substrate by surface contact with a support surface. A drying step of drying, and a separation step of separating the substrate from the support surface while maintaining a reduced pressure state of the atmosphere after the drying step.

請求項１ないし７の発明によれば、乾燥した後の基板を支持面から減圧状態で離間させるため、基板を支持面に押さえつける力が小さくなることから、支持面と基板との摩擦が無くなり、支持面から基板を離間させる際の帯電が有効に防止される。   According to the inventions of claims 1 to 7, since the substrate after drying is separated from the support surface in a reduced pressure state, the force pressing the substrate against the support surface is reduced, so that the friction between the support surface and the substrate is eliminated. Charging when separating the substrate from the support surface is effectively prevented.

また、特に請求項２の発明によれば、支持面から離間させた基板を支持ピンにより点接触で支持することから、基板の受け渡しの際に帯電が生じることが防止される。   In particular, according to the second aspect of the present invention, since the substrate separated from the support surface is supported by point contact with the support pins, it is possible to prevent charging during the delivery of the substrate.

また、特に請求項３の発明によれば、支持面の昇降に連動して支持ピンを出没させることから、支持ピンのための専用の昇降機構が必要とならず、装置構成を単純にできる。   In particular, according to the third aspect of the present invention, since the support pins are projected and retracted in conjunction with the raising and lowering of the support surface, a dedicated lifting mechanism for the support pins is not required, and the apparatus configuration can be simplified.

また、特に請求項４の発明によれば、支持ピンは固定され、支持面の昇降により支持面に対して支持ピンを出没させるため、支持ピンのための専用の昇降機構が必要とならず、装置構成を単純にできる。   Further, according to the invention of claim 4 in particular, the support pin is fixed, and the support pin is raised and lowered with respect to the support surface by raising and lowering the support surface, so that a dedicated lifting mechanism for the support pin is not required, The device configuration can be simplified.

また、特に請求項５及び６の発明によれば、接触帯電による素子破壊を防止することができる。   In particular, according to the inventions of claims 5 and 6, it is possible to prevent element destruction due to contact charging.

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

＜１．第１の実施の形態＞
図１は、第１の実施の形態に係る減圧乾燥装置１ａの概略構成を示す図である。この減圧乾燥装置１ａは、処理室２０内に基板Ｗを配置した状態で処理室２０内の雰囲気を減圧することで、基板Ｗ上に塗布されたレジスト液などの処理液を乾燥させる機能を有している。 <1. First Embodiment>
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a vacuum drying apparatus 1a according to the first embodiment. The reduced pressure drying apparatus 1a has a function of drying a processing solution such as a resist solution applied on the substrate W by reducing the atmosphere in the processing chamber 20 while the substrate W is disposed in the processing chamber 20. is doing.

減圧乾燥装置１ａは、基板Ｗを処理する処理室２０を形成するチャンバ２を備えている。チャンバ２は、分離可能なベース体２１と蓋体２２とから構成されている。ベース体２１は固定配置される一方で、蓋体２２は吊下アーム２３に接続され吊下アーム２３の駆動によりベース体２１に対して上下方向に昇降可能とされている。なお、以降の説明では特に言及しない限り、処理室２０の位置を規定する固定配置のベース体２１を基準とした相対運動として、各部材の動きを説明する。   The vacuum drying apparatus 1a includes a chamber 2 that forms a processing chamber 20 for processing the substrate W. The chamber 2 includes a separable base body 21 and a lid body 22. While the base body 21 is fixedly arranged, the lid body 22 is connected to a suspension arm 23 and can be moved up and down with respect to the base body 21 by driving the suspension arm 23. In the following description, unless otherwise specified, the movement of each member will be described as a relative movement based on a fixedly arranged base body 21 that defines the position of the processing chamber 20.

基板Ｗの搬入や搬出を行う際には、蓋体２２が上昇されてチャンバ２が開放される。一方、基板Ｗの乾燥を行う際には、蓋体２２が下降されベース体２１と接合され、チャンバ２が閉鎖される。蓋体２２とベース体２１とが接合する部分には、処理室２０の気密性を確保するために、シリコンゴムなどで構成されるオーリング２４が設けられている。   When carrying in or carrying out the substrate W, the lid 22 is raised and the chamber 2 is opened. On the other hand, when the substrate W is dried, the lid body 22 is lowered and joined to the base body 21, and the chamber 2 is closed. An O-ring 24 made of silicon rubber or the like is provided at a portion where the lid body 22 and the base body 21 are joined to ensure the airtightness of the processing chamber 20.

また、チャンバ２の内部には、基板Ｗを支持するためのリフトプレート３が略水平に設けられている。リフトプレート３は、チャンバ２の外部に設けられる昇降機構３２に固定され、上下方向に昇降可能とされている。減圧乾燥装置１ａの処理対象となる基板Ｗは、上面に処理液の層が形成されており、その裏側の下面がリフトプレート３に支持される。基板Ｗのうち端部から例えば１０ｍｍの領域は製品とならない領域（以下、「非製品領域」という。）となっており、基板Ｗの上面ではその非製品領域を除いた領域（以下、「製品領域」という。）を含む領域に処理液が形成されている。   A lift plate 3 for supporting the substrate W is provided substantially horizontally inside the chamber 2. The lift plate 3 is fixed to an elevating mechanism 32 provided outside the chamber 2 and can be moved up and down. The substrate W to be processed by the vacuum drying apparatus 1 a has a processing liquid layer formed on the upper surface, and the lower surface on the back side is supported by the lift plate 3. For example, an area of 10 mm from the end of the substrate W is a non-product area (hereinafter referred to as “non-product area”), and an area excluding the non-product area (hereinafter referred to as “product”) on the upper surface of the substrate W. A treatment liquid is formed in a region including “region”.

また、リフトプレート３には複数の貫通孔が形成され、これらの貫通孔にはそれぞれ支持ピン７が挿通される。これらの支持ピン７の上端部は、減圧乾燥装置１ａの動作状況に応じて、リフトプレート３の上面３ａから突出して基板Ｗを点接触して支持することになる。リフトプレート３の下面には、これらの支持ピン７のそれぞれに対応してリンク部材７０が設けられている。リンク部材７０は、リフトプレート３の昇降の運動を支持ピン７に伝達し、リフトプレート３の昇降に連動して支持ピン７を上面３ａから出没させる連動部材となっている。   The lift plate 3 is formed with a plurality of through holes, and the support pins 7 are inserted into the through holes, respectively. The upper end portions of these support pins 7 protrude from the upper surface 3a of the lift plate 3 and support the substrate W in point contact according to the operation state of the reduced pressure drying apparatus 1a. Link members 70 are provided on the lower surface of the lift plate 3 so as to correspond to the respective support pins 7. The link member 70 is an interlocking member that transmits the lifting and lowering motion of the lift plate 3 to the support pins 7 and causes the support pins 7 to protrude from the upper surface 3 a in conjunction with the lifting and lowering of the lift plate 3.

図２及び図３は、リンク部材７０の周辺の構成を示す拡大図である。これらの図に示すように、リンク部材７０は、支点部７１と、伸縮部７２と、回動部７３とで構成される。支点部７１は、棒状部材で構成され、長手方向が上下方向に沿うようにリフトプレート３の下面側に固設される。   2 and 3 are enlarged views showing the configuration around the link member 70. FIG. As shown in these drawings, the link member 70 includes a fulcrum part 71, an expansion / contraction part 72, and a rotation part 73. The fulcrum part 71 is composed of a rod-like member, and is fixed to the lower surface side of the lift plate 3 so that the longitudinal direction is along the vertical direction.

伸縮部７２は、上下方向に沿ってその長さを伸縮可能な部材であり、上部にピストン部７２ａ、下部にシリンダ部７２ｂを備えて構成される。シリンダ部７２ｂは円筒部材で構成され、その内部にピストン部７２ａが往復運動可能に挿通される。このピストン部７２ａとシリンダ部７２ｂとの相対位置関係を変更するにより、伸縮部７２の長さが変更される。   The expansion / contraction part 72 is a member that can extend and contract its length along the vertical direction, and is configured to include a piston part 72a in the upper part and a cylinder part 72b in the lower part. The cylinder part 72b is comprised with a cylindrical member, and the piston part 72a is penetrated by the inside so that reciprocation is possible. The length of the expansion / contraction part 72 is changed by changing the relative positional relationship between the piston part 72a and the cylinder part 72b.

ピストン部７２ａは、その上部がリフトプレート３の下面側に固設されるとともに、その周囲にはコイルバネ７２ｃが設けられている。コイルバネ７２ｃは、上部がリフトプレート３の下面に、下部がシリンダ部７２ｂの上部にそれぞれ接触して配置される。これにより、シリンダ部７２ｂは、リフトプレート３から相対的に離間する下向きに付勢される。なお、ピストン部７２ａの下端部には爪部が形成されており、ピストン部７２ａとシリンダ部７２ｂとを外れる方向（伸縮部７２を伸ばす方向）に相対移動させても、これらは外れないようになっている。   The upper portion of the piston portion 72a is fixed to the lower surface side of the lift plate 3, and a coil spring 72c is provided around the piston portion 72a. The coil spring 72c is arranged such that the upper part contacts the lower surface of the lift plate 3 and the lower part contacts the upper part of the cylinder part 72b. Thereby, the cylinder part 72b is urged downward away from the lift plate 3 relatively. A claw portion is formed at the lower end of the piston portion 72a so that the piston portion 72a and the cylinder portion 72b are not removed even if they are moved relative to each other in a direction in which the piston portion 72a and the cylinder portion 72b are removed (the direction in which the expansion / contraction portion 72 extends). It has become.

また、回動部７３は、棒状部材であり、一の端部７３ａが伸縮部７２のシリンダ部７２ｂに、他の端部７３ｂが支持ピン７の下端部に、中心部７３ｃが支点部７１に、それぞれ回転可能に支持されている。   Further, the rotating portion 73 is a rod-shaped member, one end portion 73 a being the cylinder portion 72 b of the telescopic portion 72, the other end portion 73 b being the lower end portion of the support pin 7, and the center portion 73 c being the fulcrum portion 71. , Each is rotatably supported.

図２に示すように、伸縮部７２がベース体２１と接触しない状態であれば、コイルバネ７２ｃの付勢力により伸縮部７２が最大に伸びることになる。この状態においては、シリンダ部７２ｂに接続された回動部７３の端部７３ａは、支点となる中心部７３ｃに対して相対的に低くなる。また、これとは反対側となる支持ピン７に接続された回動部７３の端部７３ｂが、支点となる中心部７３ｃに対して相対的に高くなり、支持ピン７の上端部がリフトプレート３の上面３ａから突出する状態となる。   As shown in FIG. 2, if the expansion / contraction part 72 is not in contact with the base body 21, the expansion / contraction part 72 extends to the maximum by the urging force of the coil spring 72c. In this state, the end portion 73a of the rotating portion 73 connected to the cylinder portion 72b is relatively low with respect to the central portion 73c serving as a fulcrum. Further, the end 73b of the rotating portion 73 connected to the support pin 7 on the opposite side is relatively higher than the center portion 73c serving as a fulcrum, and the upper end of the support pin 7 is the lift plate. 3 protrudes from the upper surface 3a of the plate.

この図２に示す状態からリフトプレート３が下降すると、図３に示すように、伸縮部７２の下部がベース体２１と接触する。これにより、コイルバネ７２ｃの付勢力に逆らってシリンダ部７２ｂがリフトプレート３の側に相対移動し、伸縮部７２の長さが短くなる。そして、シリンダ部７２ｂに接続された回動部７３の端部７３ａが、支点となる中心部７３ｃに対して相対的に高くなる。したがって、これとは反対側となる支持ピン７に接続された回動部７３の端部７３ｂが、支点となる中心部７３ｃに対して相対的に低くなり、支持ピン７の上端部がリフトプレート３の上面３ａから埋没する状態となる。   When the lift plate 3 is lowered from the state shown in FIG. 2, the lower portion of the extendable portion 72 comes into contact with the base body 21 as shown in FIG. 3. Thereby, the cylinder part 72b moves relatively to the lift plate 3 side against the urging force of the coil spring 72c, and the length of the telescopic part 72 is shortened. And the edge part 73a of the rotation part 73 connected to the cylinder part 72b becomes relatively high with respect to the center part 73c used as a fulcrum. Therefore, the end portion 73b of the rotating portion 73 connected to the support pin 7 on the opposite side is relatively lower than the center portion 73c serving as a fulcrum, and the upper end portion of the support pin 7 is the lift plate. 3 is buried from the upper surface 3a.

このように、リンク部材７０がベース体２１に接触するまでリフトプレート３が下降すると、その運動がリンク部材７０を介して支持ピン７に伝達され、支持ピン７がリフトプレート３の上面３ａから埋没する（図３）。また逆に、リンク部材７０がベース体２１から離間する位置までリフトプレート３が上昇すれば、その運動がリンク部材７０を介して支持ピン７に伝達され、支持ピン７がリフトプレート３の上面３ａから突出することになる（図２）。したがって、リフトプレート３が下降された状態では、基板Ｗはリフトプレート３の上面３ａに面接触して支持されるが、リフトプレート３が上昇された状態では、基板Ｗは支持ピン７に点接触で支持されて、リフトプレート３の上面３ａから離間した状態とされることになる。   As described above, when the lift plate 3 is lowered until the link member 70 comes into contact with the base body 21, the movement is transmitted to the support pin 7 through the link member 70, and the support pin 7 is buried from the upper surface 3 a of the lift plate 3. (FIG. 3). Conversely, if the lift plate 3 moves up to a position where the link member 70 is separated from the base body 21, the movement is transmitted to the support pin 7 via the link member 70, and the support pin 7 is transferred to the upper surface 3 a of the lift plate 3. It will protrude from (FIG. 2). Therefore, when the lift plate 3 is lowered, the substrate W is supported by being in surface contact with the upper surface 3a of the lift plate 3. However, when the lift plate 3 is raised, the substrate W is point-contacted with the support pins 7. And is separated from the upper surface 3 a of the lift plate 3.

図１に戻り、減圧乾燥装置１ａは、処理室２０の雰囲気を減圧するための減圧機構４０と、処理室２０に処理ガスを供給するための供給機構５０とを備えている。減圧機構４０は、吸引装置となる真空ポンプ４１と、吸引した雰囲気を導くための複数の吸引配管４とを有している。これらの複数の吸引配管４は、チャンバ２のベース体２１を貫通し、処理室２０に接続されている。チャンバ２を閉鎖した状態で真空ポンプ４１を駆動させると、処理室２０の雰囲気が吸引配管４を介して吸引され、減圧乾燥装置１ａの外部へ排気される。これにより、処理室２０の雰囲気が減圧されることになる。   Returning to FIG. 1, the reduced pressure drying apparatus 1 a includes a decompression mechanism 40 for decompressing the atmosphere of the processing chamber 20 and a supply mechanism 50 for supplying a processing gas to the processing chamber 20. The decompression mechanism 40 includes a vacuum pump 41 serving as a suction device and a plurality of suction pipes 4 for guiding the sucked atmosphere. The plurality of suction pipes 4 pass through the base body 21 of the chamber 2 and are connected to the processing chamber 20. When the vacuum pump 41 is driven with the chamber 2 closed, the atmosphere in the processing chamber 20 is sucked through the suction pipe 4 and exhausted to the outside of the vacuum drying apparatus 1a. Thereby, the atmosphere of the processing chamber 20 is decompressed.

供給機構５０は、このように減圧された処理室２０の雰囲気を大気圧に戻す機構であり、処理ガスを供給するガス供給部５１と、処理室２０に処理ガスを導くための複数の供給配管５とを有している。これら複数の供給配管５も、チャンバ２のベース体２１を貫通し、処理室２０に接続されている。処理ガスとしては窒素ガスなどの不活性ガスが採用される。   The supply mechanism 50 is a mechanism that returns the atmosphere of the processing chamber 20 thus depressurized to atmospheric pressure, and includes a gas supply unit 51 that supplies a processing gas and a plurality of supply pipes that guide the processing gas to the processing chamber 20. 5. The plurality of supply pipes 5 also pass through the base body 21 of the chamber 2 and are connected to the processing chamber 20. An inert gas such as nitrogen gas is employed as the processing gas.

また、減圧乾燥装置１ａは、装置の動作を統括的に制御するためのマイクロコンピュータなどで構成されるコントローラ６を備えている。図に示すように、減圧機構４０及び供給機構５０はコントローラ６に接続され、これらの動作はコントローラ６に制御される。また、上述した吊下アーム２３や昇降機構３２などもコントローラ６に接続されており、蓋体２２の昇降や、リフトプレート３の昇降もコントローラ６により制御されるようになっている。   Further, the reduced pressure drying apparatus 1a includes a controller 6 composed of a microcomputer or the like for comprehensively controlling the operation of the apparatus. As shown in the figure, the decompression mechanism 40 and the supply mechanism 50 are connected to the controller 6, and these operations are controlled by the controller 6. Further, the suspension arm 23 and the lifting mechanism 32 described above are also connected to the controller 6, and the lifting and lowering of the lid 22 and the lifting plate 3 are also controlled by the controller 6.

次に、以上のように構成される減圧乾燥装置１ａの動作について説明する。図４は、減圧乾燥装置１ａの動作の流れを示す図である。この動作の流れは、処理対象となる一の基板Ｗごとになされるものである。この動作の開始時点においては、基板Ｗはチャンバ２内に存在せず、蓋体２２は上昇されてチャンバ２が開放されているものとする。   Next, the operation of the vacuum drying apparatus 1a configured as described above will be described. FIG. 4 is a diagram showing a flow of operations of the vacuum drying apparatus 1a. This flow of operation is performed for each substrate W to be processed. At the start of this operation, it is assumed that the substrate W is not present in the chamber 2 and the lid 22 is raised and the chamber 2 is opened.

まず、処理対象となる一の基板Ｗがチャンバ２内に搬入される。すなわち、図５に示すように、チャンバ２外部の搬送機構たるシャトル９１が、基板Ｗの端部の非製品領域を支持しつつ開放されたチャンバ２内に進入する。この基板Ｗの製品領域を含む領域には、処理液の層が形成されている。   First, one substrate W to be processed is carried into the chamber 2. That is, as shown in FIG. 5, the shuttle 91, which is a transfer mechanism outside the chamber 2, enters the open chamber 2 while supporting the non-product region at the end of the substrate W. In the region including the product region of the substrate W, a layer of processing liquid is formed.

そして、図６に示すように、昇降機構３２の駆動により、リフトプレート３が上昇され、シャトル９１からリフトプレート３に基板Ｗが受け渡される。このとき、支持ピン７がリフトプレート３の上面３ａから突出した状態となるため、基板Ｗは支持ピン７に点接触して支持されることになる。基板Ｗがリフトプレート３に受け渡されると、シャトル９１がチャンバ２外に退出する（ステップＳ１）。   Then, as shown in FIG. 6, the lift plate 3 is lifted by driving the lifting mechanism 32, and the substrate W is transferred from the shuttle 91 to the lift plate 3. At this time, since the support pins 7 protrude from the upper surface 3 a of the lift plate 3, the substrate W is supported in point contact with the support pins 7. When the substrate W is transferred to the lift plate 3, the shuttle 91 moves out of the chamber 2 (step S1).

次に、図７に示すように、昇降機構３２の駆動により、リフトプレート３が基板Ｗの乾燥を行う位置まで下降される。このようにしてリフトプレート３が下降すると、支持ピン７がリフトプレート３の上面３ａから埋没した状態となる。このため、基板Ｗはリフトプレート３の上面３ａに面接触して支持される。この際、リフトプレート３の上面３ａが、基板Ｗのうち少なくとも処理液が存在する製品領域の裏側全体に面接触する（ステップＳ２）。   Next, as shown in FIG. 7, the lift plate 3 is lowered to a position where the substrate W is dried by driving the elevating mechanism 32. When the lift plate 3 is lowered in this way, the support pins 7 are buried from the upper surface 3 a of the lift plate 3. For this reason, the substrate W is supported in surface contact with the upper surface 3 a of the lift plate 3. At this time, the upper surface 3a of the lift plate 3 comes into surface contact with the entire back side of the product region where at least the processing liquid is present in the substrate W (step S2).

続いて、蓋体２２が下降されてベース体２１と密着され、チャンバ２が閉鎖される。これにより、減圧乾燥装置１ａは図１に示す状態となり、気密状態の処理室２０が形成される（ステップＳ３）。   Subsequently, the lid body 22 is lowered and brought into close contact with the base body 21, and the chamber 2 is closed. Thereby, the reduced pressure drying apparatus 1a is in the state shown in FIG. 1, and the process chamber 20 in an airtight state is formed (step S3).

次に、処理室２０内の雰囲気が減圧され、基板Ｗ上の処理液の乾燥処理が行われる。具体的には、真空ポンプ４１が駆動され、処理室２０内の雰囲気が吸引配管４を介して吸引される。これにより、処理室２０内の雰囲気が減圧され、この雰囲気の減圧に伴って基板Ｗ上の処理液の沸点が低下し、処理液が気化していくことになる。気化された処理液は、吸引配管４を介して減圧乾燥装置１ａの外部へ排出される。乾燥処理にあたっては、処理液の急激な気化（沸騰）を防止するために、処理室２０内の雰囲気が段階的に減圧される（ステップＳ４）。この乾燥処理中においても、基板Ｗはリフトプレート３の上面３ａに面接触して支持される。このため、基板Ｗの製品領域の裏側に空間が形成されず、また、製品領域の裏側に気流が生じることもない。   Next, the atmosphere in the processing chamber 20 is decompressed, and the processing liquid on the substrate W is dried. Specifically, the vacuum pump 41 is driven, and the atmosphere in the processing chamber 20 is sucked through the suction pipe 4. As a result, the atmosphere in the processing chamber 20 is depressurized, and the boiling point of the processing liquid on the substrate W decreases as the atmosphere is depressurized, and the processing liquid is vaporized. The vaporized processing liquid is discharged to the outside of the reduced pressure drying apparatus 1a through the suction pipe 4. In the drying process, the atmosphere in the processing chamber 20 is depressurized step by step in order to prevent rapid vaporization (boiling) of the processing liquid (step S4). Even during the drying process, the substrate W is supported in surface contact with the upper surface 3 a of the lift plate 3. For this reason, no space is formed on the back side of the product area of the substrate W, and no airflow is generated on the back side of the product area.

処理室２０内の雰囲気がほぼ真空まで減圧されると乾燥処理が終了される。そして、その処理室２０内の雰囲気の減圧状態を維持したままで、図８に示すように、リンク部材７０がベース体２１から離間する位置までリフトプレート３が僅かに上昇される。これにより、支持ピン７がリフトプレート３の上面３ａから突出するため、基板Ｗが上面３ａから離間される。つまり、乾燥後の基板Ｗが、処理室２０内の雰囲気の減圧状態で、乾燥処理を行う際に支持面となった上面３ａから引き離されることになる（ステップＳ５）。   When the atmosphere in the processing chamber 20 is reduced to almost vacuum, the drying process is finished. Then, while maintaining the reduced pressure state of the atmosphere in the processing chamber 20, the lift plate 3 is slightly raised to a position where the link member 70 is separated from the base body 21 as shown in FIG. 8. Thereby, since the support pins 7 protrude from the upper surface 3a of the lift plate 3, the substrate W is separated from the upper surface 3a. That is, the dried substrate W is pulled away from the upper surface 3a that has become the support surface when the drying process is performed in a reduced pressure atmosphere in the processing chamber 20 (step S5).

次に、供給機構５０により処理室２０に処理ガスが供給され、処理室２０の雰囲気が大気圧まで戻されるとともに（ステップＳ６）、蓋体２２が上昇され、チャンバ２が開放される（ステップＳ７）。   Next, the processing gas is supplied to the processing chamber 20 by the supply mechanism 50, the atmosphere in the processing chamber 20 is returned to atmospheric pressure (step S6), the lid 22 is raised, and the chamber 2 is opened (step S7). ).

次に、昇降機構３２の駆動により、リフトプレート３が基板Ｗの受け渡しを行う位置までさらに上昇される。この上昇中及び上昇後においても、基板Ｗは支持ピン７によってリフトプレート３の上面３ａから離間した状態で点支持される（ステップＳ８）。   Next, the lift plate 3 is further raised to a position where the substrate W is transferred by driving the elevating mechanism 32. Even during and after the ascent, the substrate W is point-supported by the support pins 7 while being separated from the upper surface 3a of the lift plate 3 (step S8).

次に、シャトル９１がチャンバ２内に進入し、リフトプレート３からシャトル９１に基板Ｗが受け渡される。さらに、リフトプレート３が下降された後、シャトル９１がチャンバ２外に退出し、基板Ｗが減圧乾燥装置１ａの外部に搬出されることになる（ステップＳ９）。   Next, the shuttle 91 enters the chamber 2, and the substrate W is transferred from the lift plate 3 to the shuttle 91. Further, after the lift plate 3 is lowered, the shuttle 91 moves out of the chamber 2 and the substrate W is carried out of the reduced pressure drying apparatus 1a (step S9).

このように第１の実施の形態の減圧乾燥装置１ａでは、基板Ｗ上の処理液を乾燥する際に、少なくとも処理液が存在する製品領域の裏側全体に、リフトプレート３の上面３ａで面接触して基板Ｗが支持（面支持）される。このため、基板Ｗの製品領域の裏側に空間が形成されないため、製品領域全体において実質的な熱容量が均一になるとともに、基板Ｗの裏側に気流が生じることもない。このため、基板Ｗの製品領域全体の温度を均一にすることができ、処理液のムラを有効に防止できる。   As described above, in the vacuum drying apparatus 1a of the first embodiment, when the processing liquid on the substrate W is dried, at least the entire back side of the product region where the processing liquid exists is in surface contact with the upper surface 3a of the lift plate 3. Thus, the substrate W is supported (surface supported). For this reason, since no space is formed on the back side of the product region of the substrate W, the substantial heat capacity is uniform throughout the product region, and no airflow is generated on the back side of the substrate W. For this reason, the temperature of the whole product area | region of the board | substrate W can be made uniform, and the nonuniformity of a process liquid can be prevented effectively.

そして、乾燥処理の後においては、処理室２０の雰囲気の減圧状態を維持しつつ、支持面たるリフトプレート３の上面３ａから基板Ｗが離間される。通常、基板Ｗと支持面とを面接触させると、基板Ｗの上面側の雰囲気による気圧と、基板Ｗと支持面との間の気圧（実質０）との気圧差により、基板Ｗを支持面に押さえつける力が生じる。このため、基板Ｗの上面側の雰囲気を減圧せずに、面接触した基板Ｗと支持面とを離間させると、基板Ｗと支持面とに摩擦が生じ、その摩擦に起因して摩擦帯電が発生する。これに対して、本実施の形態の減圧乾燥装置１ａのように、処理室２０の雰囲気の減圧状態で基板Ｗを支持面から離間させると、基板Ｗの上面側の雰囲気による圧力がなくなるため、基板Ｗと支持面とにおける摩擦の発生が防止される。このことから、支持面から基板Ｗを離間させる際の摩擦に起因した摩擦帯電を有効に防止することが可能となる。なお、基板Ｗと支持面との離間により剥離帯電も発生するが、この剥離帯電は異なる２つの物質に依存するため不変である。   After the drying process, the substrate W is separated from the upper surface 3a of the lift plate 3 serving as a support surface while maintaining the reduced pressure state of the atmosphere in the processing chamber 20. Usually, when the substrate W and the support surface are brought into surface contact, the substrate W is supported by the pressure difference between the atmospheric pressure on the upper surface side of the substrate W and the atmospheric pressure (substantially 0) between the substrate W and the support surface. There is a force to hold on. For this reason, if the substrate W and the support surface that are in surface contact are separated from each other without reducing the atmosphere on the upper surface side of the substrate W, friction occurs between the substrate W and the support surface, and frictional charging is caused by the friction. appear. On the other hand, when the substrate W is separated from the support surface in the reduced pressure state of the atmosphere of the processing chamber 20 as in the reduced pressure drying apparatus 1a of the present embodiment, the pressure due to the atmosphere on the upper surface side of the substrate W disappears. Generation of friction between the substrate W and the support surface is prevented. For this reason, it is possible to effectively prevent frictional charging caused by friction when the substrate W is separated from the support surface. Note that peeling charge is also generated due to the separation between the substrate W and the support surface, but this peeling charge is invariant because it depends on two different substances.

また、支持面から離間された基板Ｗは支持ピン７により点接触で支持され、この点支持の状態で搬送機構との間での基板Ｗの受け渡しがなされる。すなわち、基板Ｗの受け渡しにおいては、面支持状態から基板Ｗを離間させる動作が無いため、帯電が生じることはない。   Further, the substrate W separated from the support surface is supported by point contact by the support pins 7, and the substrate W is transferred to and from the transport mechanism in this point support state. That is, in the delivery of the substrate W, there is no operation for separating the substrate W from the surface support state, so that charging does not occur.

またところで、基板Ｗと支持面とに生じる帯電には、上記の摩擦帯電の他に、基板Ｗ及び支持面の材質に起因して接触のみで発生する静電気である接触帯電もある。このような接触帯電での素子破壊を防止するために、基板Ｗの支持面を構成するリフトプレート３の表面に、例えば、アフロン（登録商標）などのフッ素樹脂等で構成される絶縁物質をコーティングするようにしてもよい。これによれば、支持面が絶縁物質で構成されるため、接触帯電としての静電気が発生しても支持面に蓄積される。この支持面が接地される前に、イオナイザなどの除電装置で除電できれば、素子破壊を防止できることになる。またこれとは逆に、リフトプレート３の表面に導体物質をコーティングし、さらに、リフトプレート３を接地するようにしてもよい。導体物質は、例えば、アフロン（登録商標）などのフッ素樹脂に金属微粒子を混入したものなどを採用できる。これにれば、支持面が導体物質で構成され、かつ、接地されることから、支持面で静電気が生じたとしても、その静電気を積極的に逃がすことができる。このため、この場合も、支持面における静電気の蓄積がなくなり、素子破壊を有効に防止できる。   Incidentally, the charge generated on the substrate W and the support surface includes, in addition to the friction charge described above, contact charge that is static electricity generated only by contact due to the material of the substrate W and the support surface. In order to prevent such element destruction due to contact charging, the surface of the lift plate 3 constituting the support surface of the substrate W is coated with an insulating material made of a fluororesin such as Aflon (registered trademark), for example. You may make it do. According to this, since the support surface is made of an insulating material, even if static electricity as contact charging occurs, it is accumulated on the support surface. If the static electricity can be eliminated with a static eliminator such as an ionizer before this support surface is grounded, the element can be prevented from being destroyed. On the contrary, the surface of the lift plate 3 may be coated with a conductive material, and the lift plate 3 may be grounded. As the conductive material, for example, a material in which metal fine particles are mixed in a fluororesin such as Aflon (registered trademark) can be adopted. According to this, since the support surface is made of a conductive material and is grounded, even if static electricity is generated on the support surface, the static electricity can be actively released. For this reason, also in this case, accumulation of static electricity on the support surface is eliminated, and element destruction can be effectively prevented.

＜２．第２の実施の形態＞
次に、第２の実施の形態について説明する。図９は、第２の実施の形態の減圧乾燥装置１ｂの概略構成を示す図である。第１の実施の形態の減圧乾燥装置１ａと同一の構成には、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。第１の実施の形態では、支持ピン７をリフトプレート３の上面３ａから出没させるためにリンク部材７０が採用されていた。これに対して、第２の実施の形態の減圧乾燥装置１ｂでは、支持ピン７４を昇降させるための専用の昇降機構７５が設けられている。 <2. Second Embodiment>
Next, a second embodiment will be described. FIG. 9 is a diagram illustrating a schematic configuration of the vacuum drying apparatus 1b according to the second embodiment. The same components as those in the vacuum drying apparatus 1a of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. In the first embodiment, the link member 70 is employed to cause the support pins 7 to protrude from the upper surface 3 a of the lift plate 3. On the other hand, in the reduced pressure drying apparatus 1b of the second embodiment, a dedicated lifting mechanism 75 for lifting and lowering the support pins 74 is provided.

図９に示すように、減圧乾燥装置１ｂは、リフトプレート３及びベース体２１の双方を貫通するように複数の支持ピン７４を備えている。そして、この支持ピン７４のそれぞれに対応して専用の昇降機構７５がチャンバ２の外部に設けられており、それぞれ独立して昇降可能とされている。   As shown in FIG. 9, the vacuum drying apparatus 1 b includes a plurality of support pins 74 so as to penetrate both the lift plate 3 and the base body 21. A dedicated lifting mechanism 75 is provided outside the chamber 2 corresponding to each of the support pins 74 and can be lifted and lowered independently.

この減圧乾燥装置１ｂの動作においては、支持ピン７４は、リフトプレート３の上面３ａとの相対的な位置関係が第１の実施の形態と同様となるように、その昇降動作が制御される。したがって、この減圧乾燥装置１ｂにおいても、基板Ｗの乾燥の際には、リフトプレート３の上面３ａから支持ピン７４が埋没し、支持面たる上面３ａで面接触して基板Ｗが支持される。そして、その乾燥処理の後、減圧状態を維持しつつ、リフトプレート３の上面３ａから支持ピン７４が突出するように上昇されて、支持面から基板Ｗが離間される。このため、この第２の実施の形態においても、支持面から基板Ｗを離間させる際の帯電が防止されることになる。   In the operation of the vacuum drying apparatus 1b, the lifting and lowering operation of the support pin 74 is controlled so that the relative positional relationship with the upper surface 3a of the lift plate 3 is the same as that of the first embodiment. Therefore, also in this reduced-pressure drying apparatus 1b, when the substrate W is dried, the support pins 74 are buried from the upper surface 3a of the lift plate 3, and the substrate W is supported by being in surface contact with the upper surface 3a as the support surface. Then, after the drying process, while maintaining the reduced pressure state, the support pins 74 are raised so as to protrude from the upper surface 3a of the lift plate 3, and the substrate W is separated from the support surface. For this reason, also in the second embodiment, charging when separating the substrate W from the support surface is prevented.

ただし、この第２の実施の形態では、専用の昇降機構７５が必要であることや、これらの昇降機構７５の周辺におけるエア漏れを防止するための気密部材７６などを設ける必要があるため、第１の実施の形態と比較して装置構造が複雑となる。また、昇降機構７５に関して独自の動作制御を行う必要もある。このため、第１の実施の形態のようなリンク部材７０を設ける方が、装置構成や動作制御を単純にできる点で望ましい。   However, in the second embodiment, a dedicated lifting mechanism 75 is necessary, and an airtight member 76 for preventing air leakage around these lifting mechanisms 75 must be provided. Compared with the first embodiment, the apparatus structure is complicated. In addition, it is necessary to perform unique operation control on the lifting mechanism 75. For this reason, it is desirable to provide the link member 70 as in the first embodiment because the apparatus configuration and operation control can be simplified.

＜３．第３の実施の形態＞
次に、第３の実施の形態について説明する。図１０は、第３の実施の形態の減圧乾燥装置１ｃの概略構成を示す図である。第１の実施の形態の減圧乾燥装置１ａと同一の構成には、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。第３の実施の形態の減圧乾燥装置１ｃでは、支持ピン７７が固定配置され、リフトプレート３の上下によって、支持ピン７７の上端部をリフトプレート３の上面３ａから出没させるようになっている。 <3. Third Embodiment>
Next, a third embodiment will be described. FIG. 10 is a diagram showing a schematic configuration of a reduced pressure drying apparatus 1c according to the third embodiment. The same components as those in the vacuum drying apparatus 1a of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. In the reduced-pressure drying apparatus 1c according to the third embodiment, the support pins 77 are fixedly arranged, and the upper end portions of the support pins 77 are caused to appear and disappear from the upper surface 3a of the lift plate 3 by the upper and lower sides of the lift plate 3.

図１０に示すように、減圧乾燥装置１ｃは、リフトプレート３の貫通孔にそれぞれ支持ピン７７が挿通されており、これらの支持ピン７７はチャンバ２のベース体２１に固定されている。ベース体２１は、処理室２０の位置を規定するものであるため、支持ピン７７は処理室２０に相対的に固定されているともいえる。また、リフトプレート３は、第１の実施の形態と同様に、ベース体２１（処理室２０）に対して相対的に昇降可能となっている。   As shown in FIG. 10, in the reduced pressure drying apparatus 1 c, support pins 77 are inserted into the through holes of the lift plate 3, and these support pins 77 are fixed to the base body 21 of the chamber 2. Since the base body 21 defines the position of the processing chamber 20, it can be said that the support pins 77 are relatively fixed to the processing chamber 20. Further, the lift plate 3 can be moved up and down relatively with respect to the base body 21 (processing chamber 20), as in the first embodiment.

図１０に示す状態では、支持ピン７７の上端部はリフトプレート３の上面３ａから埋没している。そして、この状態からリフトプレート３を下降させると、図１１に示すように、支持ピン７７の上端部がリフトプレート３に対して相対的に上昇され、リフトプレート３の上面３ａから突出することになる。これにより、リフトプレート３が上昇された状態では、基板Ｗはリフトプレート３の上面３ａに面接触して支持されるが、リフトプレート３が下降された状態では、基板Ｗは支持ピン７に点接触で支持されて、リフトプレート３の上面３ａから離間した状態とされることになる。   In the state shown in FIG. 10, the upper end portion of the support pin 77 is buried from the upper surface 3 a of the lift plate 3. When the lift plate 3 is lowered from this state, as shown in FIG. 11, the upper end portion of the support pin 77 is raised relative to the lift plate 3 and protrudes from the upper surface 3 a of the lift plate 3. Become. As a result, when the lift plate 3 is raised, the substrate W is supported by being in surface contact with the upper surface 3a of the lift plate 3. However, when the lift plate 3 is lowered, the substrate W is attached to the support pins 7. It is supported by contact and is in a state of being separated from the upper surface 3 a of the lift plate 3.

この減圧乾燥装置１ｃにおいては、図１０に示す状態で、基板Ｗの乾燥処理が行われる。このため、リフトプレート３の上面３ａから支持ピン７７が埋没し、支持面たる上面３ａで面接触して基板Ｗが支持される。そして、その乾燥処理の後、減圧状態を維持しつつ、図１１に示すようにリフトプレート３が下降される。これにより、リフトプレート３の上面３ａから支持ピン７７が突出して、支持面から基板Ｗが離間される。このため、この第３の実施の形態においても、支持面から基板Ｗを離間させる際の帯電が防止されることになる。   In the vacuum drying apparatus 1c, the substrate W is dried in the state shown in FIG. For this reason, the support pins 77 are buried from the upper surface 3a of the lift plate 3, and the substrate W is supported in surface contact with the upper surface 3a serving as a support surface. Then, after the drying process, the lift plate 3 is lowered as shown in FIG. 11 while maintaining the reduced pressure state. As a result, the support pins 77 protrude from the upper surface 3a of the lift plate 3, and the substrate W is separated from the support surface. For this reason, also in the third embodiment, charging when the substrate W is separated from the support surface is prevented.

この第３の実施の形態では、支持ピン７７が固定配置され、リフトプレート３の昇降により支持面に対して支持ピン７７を出没させるため、支持ピン７７のための専用の昇降機構などが必要とならず、装置構成を非常に単純にできる。   In the third embodiment, the support pins 77 are fixedly arranged, and the support pins 77 are raised and lowered with respect to the support surface by raising and lowering the lift plate 3, so that a dedicated lifting mechanism for the support pins 77 is required. Rather, the device configuration can be greatly simplified.

＜４．第４の実施の形態＞
次に、第４の実施の形態について説明する。上記の実施の形態では、搬送機構との間で基板を受け渡す際に、一つのリフトプレートで基板が支持されていた。しかしながら、近年では、基板のサイズが大型化してきており、基板の端部の非製品領域のみの支持では基板に撓みが生じるため、基板の中央部付近の製品領域の裏側を搬送機構が支持する場合もある。このような場合では、搬送機構との間で基板を受け渡す際に、一つのリフトプレートで基板を支持することはできなくなる。第４の実施の形態の減圧乾燥装置は、このような搬送機構に対応するものである。 <4. Fourth Embodiment>
Next, a fourth embodiment will be described. In the above embodiment, the substrate is supported by one lift plate when the substrate is transferred to and from the transport mechanism. However, in recent years, the size of the substrate has been increased, and the support of only the non-product region at the end of the substrate causes the substrate to bend, so the transport mechanism supports the back side of the product region near the center of the substrate. In some cases. In such a case, the substrate cannot be supported by one lift plate when the substrate is transferred to and from the transport mechanism. The reduced pressure drying apparatus according to the fourth embodiment corresponds to such a transport mechanism.

図１２は、第４の実施の形態の減圧乾燥装置１ｄの概略構成を示す図である。第１の実施の形態の減圧乾燥装置１ａと同一の構成には、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。   FIG. 12 is a diagram illustrating a schematic configuration of a reduced-pressure drying apparatus 1d according to the fourth embodiment. The same components as those in the vacuum drying apparatus 1a of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

第４の実施の形態の減圧乾燥装置１ｄでは、第１の実施の形態の減圧乾燥装置１ａとは、基板Ｗを支持する支持面に係る構成が異なっている。より具体的には、減圧乾燥装置１ｄでは、処理液を乾燥する際に基板Ｗを支持する支持面のうち一部のみがリフトプレート３３で構成され、その他の部分は固定的に配置される固定プレート２５で構成される。   The reduced-pressure drying apparatus 1d according to the fourth embodiment is different from the reduced-pressure drying apparatus 1a according to the first embodiment in the configuration relating to the support surface that supports the substrate W. More specifically, in the reduced-pressure drying apparatus 1d, only a part of the support surface that supports the substrate W when the processing liquid is dried is constituted by the lift plate 33, and the other part is fixedly disposed. It consists of a plate 25.

図１２に示すように、減圧乾燥装置１ｄは、互いに離間して配置される２つのリフトプレート３３を備えている。これら２つのリフトプレート３３は、同一高さに略水平に配置されており、上下方向に昇降可能な同一の昇降機構３４に固定されている。したがって、昇降機構３４が駆動することにより、２つのリフトプレート３３は、略水平状態を維持しつつ同一の向きに同一の移動量だけ昇降するようになっている。   As shown in FIG. 12, the reduced pressure drying apparatus 1d includes two lift plates 33 that are spaced apart from each other. These two lift plates 33 are disposed substantially horizontally at the same height, and are fixed to the same lifting mechanism 34 that can be moved up and down. Accordingly, when the lifting mechanism 34 is driven, the two lift plates 33 are lifted and lowered by the same amount of movement in the same direction while maintaining a substantially horizontal state.

また、減圧乾燥装置１ｄは、同一高さに略水平に配置される３つの固定プレート２５を備えている。これらの固定プレート２５は、ベース体２１に対してボルトなどの結合部材を介して固定されている。なお、説明の便宜上、図中では結合部材の図示を省略している。   Moreover, the reduced pressure drying apparatus 1d includes three fixed plates 25 that are disposed substantially horizontally at the same height. These fixing plates 25 are fixed to the base body 21 via coupling members such as bolts. For convenience of explanation, the illustration of the coupling member is omitted in the drawing.

図１２においては、２つのリフトプレート３３が下端まで下降された状態を示している。このようにリフトプレート３３が下端に下降されると、これらのリフトプレート３３は固定プレート２５の相互間に配置される。そして、２つのリフトプレート３３の上面３３ａと、３つの固定プレート２５の上面２５ａとが同一高さとなり、略水平な一の面を形成する。本実施の形態では、このようにしてリフトプレート３３と固定プレート２５とで構成される面が、基板Ｗを乾燥する際の支持面として機能することになる。   FIG. 12 shows a state where the two lift plates 33 are lowered to the lower end. When the lift plates 33 are lowered to the lower end in this way, these lift plates 33 are disposed between the fixed plates 25. Then, the upper surfaces 33a of the two lift plates 33 and the upper surfaces 25a of the three fixed plates 25 have the same height and form a substantially horizontal surface. In the present embodiment, the surface constituted by the lift plate 33 and the fixed plate 25 in this manner functions as a support surface when the substrate W is dried.

また、２つのリフトプレート３３には、それぞれ貫通孔が形成され、これらの貫通孔にはそれぞれ支持ピン７が挿通される。そして、リフトプレート３３の下面には、これらの支持ピン７ごとにリンク部材７０が設けられている。このリンク部材７０の構造は、第１の実施の形態と同様である。このため、図１２に示すようにリフトプレート３３が下降された状態では、支持ピン７がリフトプレート３３の上面３３ａから埋没するが、リフトプレート３３が上昇されると、支持ピン７がリフトプレート３３の上面３３ａから突出することになる。   The two lift plates 33 are formed with through holes, and the support pins 7 are inserted into the through holes, respectively. A link member 70 is provided on the lower surface of the lift plate 33 for each of the support pins 7. The structure of the link member 70 is the same as that of the first embodiment. For this reason, as shown in FIG. 12, in the state where the lift plate 33 is lowered, the support pins 7 are buried from the upper surface 33a of the lift plate 33. However, when the lift plate 33 is raised, the support pins 7 are lifted from the lift plate 33. It protrudes from the upper surface 33a.

以下、このように構成される減圧乾燥装置１ｄの動作を説明する。この動作は、図４に示すものとほぼ同様であるため、この図４を利用して説明する。なお、本実施の形態においても、図４の動作の開始時点において、基板Ｗはチャンバ２内に存在せず、蓋体２２は上昇されてチャンバ２が開放されているものとする。   Hereinafter, the operation of the vacuum drying apparatus 1d configured as described above will be described. This operation is substantially the same as that shown in FIG. 4, and will be described with reference to FIG. Also in this embodiment, it is assumed that the substrate W does not exist in the chamber 2 at the start of the operation in FIG. 4, and the lid 22 is raised and the chamber 2 is opened.

まず、処理対象となる一の基板Ｗがチャンバ２内に搬入される。すなわち、図１３に示すように、チャンバ２外部の搬送機構たるロボットのハンド部９２が、基板Ｗを支持しつつ、図面に対する垂直方向に相当する方向から開放されたチャンバ２内に進入する。ロボットは、その３つのハンド部９２により、基板Ｗの端部の非製品領域の他、基板Ｗの中央部の製品領域の裏側も点支持している。   First, one substrate W to be processed is carried into the chamber 2. That is, as shown in FIG. 13, the robot hand portion 92, which is a transport mechanism outside the chamber 2, enters the chamber 2 opened from a direction corresponding to the direction perpendicular to the drawing while supporting the substrate W. The robot supports the back side of the product area at the center of the substrate W in addition to the non-product area at the end of the substrate W by the three hand portions 92.

次に、図１４に示すように、昇降機構３４の駆動により２つのリフトプレート３３が上昇され、ハンド部９２の相互間に進入する。このとき、支持ピン７がリフトプレート３３の上面３３ａから突出した状態となる。このため支持ピン７が、基板Ｗのハンド部９２によって支持されていない部分に点接触して基板Ｗを支持する。これにより、ハンド部９２からリフトプレート３３に基板Ｗが受け渡され、ハンド部９２は図面に対する垂直方向に相当する方向に退出する（ステップＳ１）。   Next, as shown in FIG. 14, the two lift plates 33 are lifted by driving the lifting mechanism 34 and enter between the hand portions 92. At this time, the support pin 7 protrudes from the upper surface 33 a of the lift plate 33. For this reason, the support pins 7 support the substrate W by making point contact with portions of the substrate W that are not supported by the hand portion 92. As a result, the substrate W is transferred from the hand portion 92 to the lift plate 33, and the hand portion 92 is retracted in a direction corresponding to the direction perpendicular to the drawing (step S1).

次に、昇降機構３４の駆動により、上面３３ａが固定プレート２５の上面２５ａの高さと一致するまで、２つのリフトプレート３３が下降される。このようにしてリフトプレート３３が下降すると、支持ピン７がリフトプレート３３の上面３３ａから埋没した状態となる。そして、リフトプレート３３の上面３３ａと固定プレート２５の上面２５ａとが、基板Ｗを支持する一の支持面を形成する。したがって、リフトプレート３３の下降後は、この支持面３３ａ，２５ａが基板Ｗの下面全体に面接触し、基板Ｗが略水平に支持される。   Next, the lift mechanism 34 is driven to lower the two lift plates 33 until the upper surface 33 a coincides with the height of the upper surface 25 a of the fixed plate 25. When the lift plate 33 is lowered in this way, the support pins 7 are buried from the upper surface 33 a of the lift plate 33. The upper surface 33a of the lift plate 33 and the upper surface 25a of the fixed plate 25 form one support surface that supports the substrate W. Therefore, after the lift plate 33 is lowered, the support surfaces 33a and 25a are in surface contact with the entire lower surface of the substrate W, and the substrate W is supported substantially horizontally.

続いて、蓋体２２が下降されてベース体２１と密着され、チャンバ２が閉鎖される。これにより、減圧乾燥装置１ｄは図１２に示す状態となり、気密状態の処理室２０が形成される（ステップＳ３）。次に、処理室２０内の雰囲気が減圧され、基板Ｗ上の処理液の乾燥処理が行われる。この乾燥処理中においても、基板Ｗは、支持面３３ａ，２５ａに面接触して支持される（ステップＳ４）。   Subsequently, the lid body 22 is lowered and brought into close contact with the base body 21, and the chamber 2 is closed. Thereby, the reduced pressure drying apparatus 1d is in the state shown in FIG. 12, and the process chamber 20 in an airtight state is formed (step S3). Next, the atmosphere in the processing chamber 20 is decompressed, and the processing liquid on the substrate W is dried. Even during the drying process, the substrate W is supported in surface contact with the support surfaces 33a and 25a (step S4).

乾燥処理が終了すると、処理室２０内の雰囲気の減圧状態を維持したままで、図１５に示すように、リンク部材７０がベース体２１から離間する位置までリフトプレート３３が僅かに上昇される。これにより、支持ピン７がリフトプレート３３の上面３３ａから突出するため、基板Ｗが上面３３ａから離間される（ステップＳ５）。これにより、この第４の実施の形態においても、支持面から基板Ｗを離間させる際の帯電が防止されることになる。   When the drying process is completed, the lift plate 33 is slightly raised to a position where the link member 70 is separated from the base body 21 as shown in FIG. 15 while maintaining the reduced pressure state of the atmosphere in the processing chamber 20. Thereby, since the support pin 7 protrudes from the upper surface 33a of the lift plate 33, the board | substrate W is spaced apart from the upper surface 33a (step S5). Thereby, also in the fourth embodiment, charging when the substrate W is separated from the support surface is prevented.

次に、処理室２０に処理ガスが供給され、処理室２０の雰囲気が大気圧まで戻されるとともに（ステップＳ６）、蓋体２２が上昇され、チャンバ２が開放される（ステップＳ７）。   Next, the processing gas is supplied to the processing chamber 20, the atmosphere of the processing chamber 20 is returned to atmospheric pressure (step S6), the lid 22 is raised, and the chamber 2 is opened (step S7).

次に、２つのリフトプレート３３が、基板Ｗの受け渡しを行う位置まで上昇される。この上昇中及び上昇後においても、基板Ｗは支持ピン７によってリフトプレート３３の上面３３ａから離間した状態で点支持される（ステップＳ８）。   Next, the two lift plates 33 are raised to a position where the substrate W is transferred. Even during and after the ascent, the substrate W is point supported by the support pins 7 while being separated from the upper surface 33a of the lift plate 33 (step S8).

次に、ハンド部９２がチャンバ２内に進入し、リフトプレート３３からハンド部９２に基板Ｗが受け渡される。さらに、リフトプレート３３が下降された後、ハンド部９２がチャンバ２外に退出し、基板Ｗが減圧乾燥装置１ｄの外部に搬出される（ステップＳ９）。   Next, the hand unit 92 enters the chamber 2, and the substrate W is transferred from the lift plate 33 to the hand unit 92. Further, after the lift plate 33 is lowered, the hand unit 92 is moved out of the chamber 2 and the substrate W is carried out of the reduced-pressure drying apparatus 1d (step S9).

このように第４の実施の形態においても、点支持の状態で搬送機構との間での基板Ｗの受け渡しがなされることから、基板Ｗの受け渡しにおいて帯電が生じることはない。なお、この第４の実施の形態においても、接触帯電による素子破壊を防止するため、基板Ｗの支持面を構成するリフトプレート３３及び固定プレート２５の表面に絶縁物質をコーティングするか、あるいは、導体物質をコーティングして接地するようにしてもよい。   As described above, also in the fourth embodiment, since the substrate W is transferred to and from the transport mechanism in a point-supported state, charging does not occur in the transfer of the substrate W. Also in the fourth embodiment, in order to prevent element destruction due to contact charging, the surfaces of the lift plate 33 and the fixed plate 25 constituting the support surface of the substrate W are coated with an insulating material, or the conductor The material may be coated and grounded.

＜５．他の実施の形態＞
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、この発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。 <5. Other embodiments>
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible.

第１の実施の形態では、基板Ｗの乾燥処理中において、リフトプレート３は処理液が存在する製品領域の裏側に面接触していたが、少なくとも当該製品領域の裏側全体に面接触できれば、それより広い領域に面接触してもよい。例えば、リフトプレート３が基板Ｗの裏面全面に面接触して基板Ｗを支持するようにしてもよい。   In the first embodiment, during the drying process of the substrate W, the lift plate 3 is in surface contact with the back side of the product region where the processing liquid exists. Surface contact may be made over a wider area. For example, the lift plate 3 may be in surface contact with the entire back surface of the substrate W to support the substrate W.

また、第４の実施の形態では、基板Ｗを処理する際の支持面が、基板Ｗの裏面全体に面接触して基板Ｗを支持していたが、少なくとも処理液が存在する製品領域の裏側全体に面接触すればよい。   In the fourth embodiment, the support surface when processing the substrate W is in surface contact with the entire back surface of the substrate W to support the substrate W, but at least the back side of the product region where the processing liquid exists The entire surface only needs to be in surface contact.

また、第４の実施の形態では、２つのリフトプレート３３が設けられていたが、基板Ｗのサイズ等に応じて３以上のリフトプレートを設けてもよい。   In the fourth embodiment, two lift plates 33 are provided. However, three or more lift plates may be provided according to the size of the substrate W or the like.

第１の実施の形態の減圧乾燥装置の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the reduced pressure drying apparatus of 1st Embodiment. リンク部材の周辺の構成を示す拡大図である。It is an enlarged view which shows the structure of the periphery of a link member. リンク部材の周辺の構成を示す拡大図である。It is an enlarged view which shows the structure of the periphery of a link member. 減圧乾燥装置の動作の流れを示す図である。It is a figure which shows the flow of operation | movement of a reduced pressure drying apparatus. 減圧乾燥装置の動作中の一の態様を示す図である。It is a figure which shows one aspect in operation | movement of a reduced pressure drying apparatus. 減圧乾燥装置の動作中の一の態様を示す図である。It is a figure which shows one aspect in operation | movement of a reduced pressure drying apparatus. 減圧乾燥装置の動作中の一の態様を示す図である。It is a figure which shows one aspect in operation | movement of a reduced pressure drying apparatus. 減圧乾燥装置の動作中の一の態様を示す図である。It is a figure which shows one aspect in operation | movement of a reduced pressure drying apparatus. 第２の実施の形態の減圧乾燥装置の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the reduced pressure drying apparatus of 2nd Embodiment. 第３の実施の形態の減圧乾燥装置の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the reduced pressure drying apparatus of 3rd Embodiment. 減圧乾燥装置の動作中の一の態様を示す図である。It is a figure which shows one aspect in operation | movement of a reduced pressure drying apparatus. 第４の実施の形態の減圧乾燥装置の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the reduced pressure drying apparatus of 4th Embodiment. 減圧乾燥装置の動作中の一の態様を示す図である。It is a figure which shows one aspect in operation | movement of a reduced pressure drying apparatus. 減圧乾燥装置の動作中の一の態様を示す図である。It is a figure which shows one aspect in operation | movement of a reduced pressure drying apparatus. 減圧乾燥装置の動作中の一の態様を示す図である。It is a figure which shows one aspect in operation | movement of a reduced pressure drying apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

２ チャンバ
３ リフトプレート
７ 支持ピン
２０ 処理室
２１ ベース体
２２ 蓋体
７０ リンク部材
Ｗ 基板 2 chamber 3 lift plate 7 support pin 20 processing chamber 21 base body 22 lid body 70 link member W substrate

Claims (7)

処理室内の雰囲気を減圧して基板上の処理液を乾燥する減圧乾燥装置であって、
前記基板上の処理液を乾燥する際に、その裏側に支持面で面接触して前記基板を支持する支持手段と、
乾燥した後の前記基板を、前記処理室内の雰囲気の減圧状態で前記支持面から離間させる離間手段と、
を備えることを特徴とする減圧乾燥装置。 A reduced-pressure drying apparatus that depressurizes the atmosphere in the processing chamber and dries the processing liquid on the substrate,
When drying the treatment liquid on the substrate, a support means for supporting the substrate in surface contact with a support surface on the back side;
Separation means for separating the substrate after drying from the support surface in a reduced pressure state of the atmosphere in the processing chamber;
A vacuum drying apparatus comprising: 請求項１に記載の減圧乾燥装置において、
前記離間手段は、前記支持面から突出して前記基板を支持する支持ピン、
を備えることを特徴とする減圧乾燥装置。 The vacuum drying apparatus according to claim 1,
The separation means is a support pin that protrudes from the support surface and supports the substrate,
A vacuum drying apparatus comprising: 請求項２に記載の減圧乾燥装置において、
前記離間手段は、前記支持面の昇降の運動を前記支持ピンに伝達し、前記支持面の昇降に連動して前記支持面に対して前記支持ピンを出没させる連動部材、
をさらに備えることを特徴とする減圧乾燥装置。 The reduced-pressure drying apparatus according to claim 2,
The separation means transmits an up-and-down movement of the support surface to the support pin, and interlocks with the support surface to move the support pin up and down in conjunction with the up-and-down movement of the support surface,
The vacuum drying apparatus further comprising: 請求項２に記載の減圧乾燥装置において、
前記支持ピンは、前記処理室に相対的に固定され、
前記離間手段は、前記支持面を前記処理室に相対的に昇降することにより、前記支持面に対して前記支持ピンを出没させる昇降機構、
をさらに備えることを特徴とする減圧乾燥装置。 The reduced-pressure drying apparatus according to claim 2,
The support pin is relatively fixed to the processing chamber;
The separation means is an elevating mechanism for moving the support pin up and down relative to the support surface by moving the support surface relative to the processing chamber.
The vacuum drying apparatus further comprising: 請求項１ないし４のいずれかに記載の減圧乾燥装置において、
前記支持面は、導体物質で構成され、かつ、接地されることを特徴とする減圧乾燥装置。 The vacuum drying apparatus according to any one of claims 1 to 4,
The reduced-pressure drying apparatus, wherein the support surface is made of a conductive material and is grounded. 請求項１ないし４のいずれかに記載の減圧乾燥装置において、
前記支持面は、絶縁物質で構成されることを特徴とする減圧乾燥装置。 The vacuum drying apparatus according to any one of claims 1 to 4,
The reduced pressure drying apparatus, wherein the support surface is made of an insulating material. 基板上の処理液を乾燥する基板乾燥方法であって、
支持面で面接触して前記基板を支持しつつ、雰囲気を減圧して前記基板上の処理液を乾燥する乾燥工程と、
前記乾燥工程の後、前記雰囲気の減圧状態を維持しつつ、前記基板を前記支持面から離間する離間工程と、
を備えることを特徴とする基板乾燥方法。 A substrate drying method for drying a treatment liquid on a substrate,
A drying step of drying the treatment liquid on the substrate by reducing the atmosphere while supporting the substrate in surface contact with the support surface;
A separation step of separating the substrate from the support surface while maintaining a reduced pressure state of the atmosphere after the drying step;
A substrate drying method comprising:
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