JP2007067287A - Method for stripping resist and resist separating device - Google Patents

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<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for stripping resist and a resist stripping device which are capable of preventing a resist cured layer from being deposited again on the surface of a substrate. <P>SOLUTION: A wafer W is held horizontally by a spin chuck 1, and SPM (sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture) is supplied from an SPM nozzle 2 to the surface of the wafer W while the wafer W is rotated at 100 rpm. Thereafter, the rotational speed of the wafer W is increased from 100 to 500 rpm. The SPM is supplied from the SPM nozzle 2 to the surface of the wafer W while the wafer W is rotated at 500 rpm. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

この発明は、基板の表面からレジストを剥離するためのレジスト剥離方法およびレジスト剥離装置に関する。   The present invention relates to a resist stripping method and a resist stripping apparatus for stripping a resist from a surface of a substrate.

半導体装置の製造工程には、たとえば、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面にリン、砒素、硼素などの不純物（イオン）を局所的に注入する工程が含まれる。この工程では、不所望な部分に対するイオン注入を防止するため、ウエハの表面に感光性樹脂からなるレジストがパターン形成されて、イオン注入を所望しない部分がレジストによってマスクされる。ウエハの表面上にパターン形成されたレジストは、イオン注入の後は不要になるから、イオン注入後には、そのウエハの表面上の不要となったレジストを剥離するためのレジスト剥離処理が行われる。   The manufacturing process of a semiconductor device includes, for example, a step of locally implanting impurities (ions) such as phosphorus, arsenic, and boron into the surface of a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as “wafer”). In this step, in order to prevent ion implantation into an undesired portion, a resist made of a photosensitive resin is patterned on the surface of the wafer, and a portion where ion implantation is not desired is masked by the resist. Since the resist patterned on the surface of the wafer becomes unnecessary after the ion implantation, after the ion implantation, a resist stripping process for stripping the resist that is no longer necessary on the surface of the wafer is performed.

レジスト剥離処理は、たとえば、ウエハをその中心に直交する回転軸線まわりに一定の回転速度で回転させつつ、そのウエハの表面の中央部に、硫酸と過酸化水素水との混合液であるＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水）を供給することにより達成される。ウエハの回転速度は、約５００ｒｐｍであり、ウエハの表面に供給されるＳＰＭは、ウエハの回転による遠心力を受け、ウエハの表面上を中央部から周縁に向けて流れる。これによって、ウエハの表面全域にＳＰＭが速やかに行き渡り、そのＳＰＭのレジスト剥離能力（ＳＰＭに含まれるペルオキソ一硫酸（Ｈ２ＳＯ５）の強酸化力）によって、ウエハの表面に形成されているレジストが剥離される。
特開昭６１−１２９８２９号公報 In the resist stripping process, for example, while rotating the wafer around a rotation axis orthogonal to the center thereof at a constant rotational speed, the SPM (SPM, which is a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution, is formed at the center of the wafer surface. This is achieved by supplying sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture. The rotation speed of the wafer is about 500 rpm, and the SPM supplied to the surface of the wafer receives a centrifugal force due to the rotation of the wafer and flows on the surface of the wafer from the center toward the periphery. As a result, the SPM quickly spreads over the entire surface of the wafer, and the resist formed on the surface of the wafer by the resist stripping ability of the SPM (the strong oxidizing power of peroxomonosulfuric acid (H 2 SO 5 ) contained in the SPM). Is peeled off.
JP-A 61-1229829

イオン注入後のレジストの表面には、レジストの変質（硬化）によるレジスト硬化層が形成されている。そのため、ウエハの表面にＳＰＭが供給されると、レジスト硬化層がＳＰＭの液中に浮き上がる。このとき、ウエハが約５００ｒｐｍで回転されていると、そのレジスト硬化層を液中に含むＳＰＭが、ウエハの周縁から飛散して、ウエハの周囲に設けられている部材（たとえば、ウエハを挟持するための挟持部材など）に当たって跳ね返ることがある。そして、その跳ね返ったＳＰＭがウエハ上に着地し、そのＳＰＭに含まれるレジスト硬化層がウエハの表面に再付着することがあった。   On the surface of the resist after ion implantation, a resist cured layer is formed by alteration (curing) of the resist. For this reason, when SPM is supplied to the surface of the wafer, the resist hardened layer floats in the SPM liquid. At this time, if the wafer is rotated at about 500 rpm, the SPM containing the resist hardened layer in the liquid scatters from the periphery of the wafer and holds the member (for example, the wafer) provided around the wafer. For example, a pinching member for rebounding. Then, the bounced SPM may land on the wafer, and the cured resist layer included in the SPM may reattach to the surface of the wafer.

そこで、この発明の目的は、基板の表面に対するレジスト硬化層の再付着を防止することができるレジスト剥離方法およびレジスト剥離装置を提供することである。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a resist stripping method and a resist stripping apparatus that can prevent re-adhesion of a cured resist layer to the surface of a substrate.

上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）の表面からレジストを剥離する方法であって、基板をその表面に交差する回転軸線まわりに第１回転速度で回転させつつ、その基板の表面にレジスト剥離液を供給する第１レジスト剥離液供給工程（Ｓ２；Ｔ２；Ｅ２）と、前記第１レジスト剥離液供給工程後、基板を前記回転軸線まわりに前記第１回転速度よりも高速な第２回転速度で回転させつつ、その基板の表面に前記レジスト剥離液を供給する第２レジスト剥離液供給工程（Ｓ４；Ｔ４；Ｅ５）とを含むことを特徴としている。   The invention according to claim 1 for achieving the above object is a method for stripping a resist from a surface of a substrate (W), wherein the substrate is rotated at a first rotational speed around a rotation axis intersecting the surface. However, after the first resist stripping solution supplying step (S2; T2; E2) for supplying a resist stripping solution to the surface of the substrate and the first resist stripping solution supplying step, the substrate is rotated about the rotation axis in the first rotation. And a second resist stripping solution supplying step (S4; T4; E5) for supplying the resist stripping solution to the surface of the substrate while rotating at a second rotational speed higher than the speed.

なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
レジストの表面にレジスト硬化層が形成されている場合、基板の表面にレジスト剥離液が供給されると、レジスト硬化層は、そのレジスト剥離液の供給開始後の初期の段階で、レジストから剥離して、基板の表面上のレジスト剥離液の液中に浮き上がる。そこで、この発明では、第１回転速度で回転している基板の表面にレジスト剥離液を供給する第１レジスト剥離液供給工程の後、基板の回転速度が第１回転速度から第２回転速度に上げられて、第２回転速度で回転している基板の表面にレジスト剥離液を供給する第２レジスト剥離液供給工程が行われる。 In addition, the alphanumeric characters in parentheses represent corresponding components in the embodiments described later. The same applies hereinafter.
When the resist cured layer is formed on the surface of the resist, when the resist stripping solution is supplied to the surface of the substrate, the resist cured layer is stripped from the resist at an initial stage after the supply of the resist stripping solution is started. Floating in the resist stripping solution on the surface of the substrate. Therefore, in the present invention, after the first resist stripping solution supplying step for supplying the resist stripping solution to the surface of the substrate rotating at the first rotational speed, the rotational speed of the substrate is changed from the first rotational speed to the second rotational speed. A second resist stripping solution supplying step is performed in which the resist stripping solution is supplied to the surface of the substrate that is raised and rotated at the second rotational speed.

これにより、レジスト硬化層は、第１レジスト剥離液供給工程中に、レジストから剥離して、基板の表面上のレジスト剥離液の液中に浮き上がる。第１回転速度が低速（たとえば、１０〜２００ｒｐｍ）であれば、基板の表面上のレジスト剥離液は、基板の周縁に向けて緩やかに流れ、その周縁から流下するように排除される。そのため、第１レジスト剥離液供給工程では、レジスト硬化層を液中に含むレジスト剥離液が、基板の周囲に設けられている部材（たとえば、基板を挟持するための挟持部材（７）、基板の周囲を取り囲むカップ（４）など）に当たって跳ね返るおそれがない。また、レジスト剥離液が基板の表面上を緩やかに流れることによって、基板の表面上にレジスト剥離液の比較的厚い液膜が形成された状態となるので、たとえレジスト剥離液の跳ね返りが生じ、その跳ね返ったレジスト剥離液が基板上に着地しても、比較的厚い液膜によって、そのレジスト剥離液に含まれるレジスト硬化層が基板の表面に到達することが妨げられる。よって、基板の表面に対するレジスト硬化層の再付着を防止することができる。   Thereby, the resist hardened layer is peeled off from the resist during the first resist stripping solution supplying step and floated in the resist stripping solution on the surface of the substrate. When the first rotation speed is low (for example, 10 to 200 rpm), the resist stripping solution on the surface of the substrate gently flows toward the periphery of the substrate and is excluded so as to flow down from the periphery. Therefore, in the first resist stripping solution supplying step, a resist stripping solution containing a resist hardened layer in the solution is a member provided around the substrate (for example, a sandwiching member (7) for sandwiching the substrate, There is no risk of bouncing back by hitting a cup (4) surrounding the surroundings. Further, since the resist stripping solution gently flows on the surface of the substrate, a relatively thick liquid film of the resist stripping solution is formed on the surface of the substrate. Even if the resist stripping solution bounces back on the substrate, the relatively thick liquid film prevents the cured resist layer contained in the resist stripping solution from reaching the surface of the substrate. Therefore, re-adhesion of the resist cured layer to the surface of the substrate can be prevented.

また、第２レジスト剥離液供給工程では、基板が第１回転速度よりも高速な第２回転速度で回転されるので、基板の表面上のレジスト剥離液に大きな遠心力が作用し、基板の表面上をレジスト剥離液が大きな流速で流れることによって、レジスト硬化層が剥離されることにより露出したレジスト（変質していないレジスト）を速やかに剥離することができる。このとき、基板の周縁から飛散するレジスト剥離液の跳ね返りが生じても、そのレジスト剥離液の液中にレジスト硬化層は含まれていないので、基板の表面に対するレジスト硬化層の再付着の問題は発生しない。   In the second resist stripping solution supplying step, the substrate is rotated at a second rotational speed that is higher than the first rotational speed, so that a large centrifugal force acts on the resist stripping solution on the surface of the substrate, and the surface of the substrate By allowing the resist stripping solution to flow at a high flow rate, the resist exposed by stripping the resist cured layer (resist that has not deteriorated) can be stripped quickly. At this time, even if the resist stripping solution splashed from the periphery of the substrate bounces, the resist stripping solution does not contain the resist cured layer, so the problem of reattachment of the resist cured layer to the surface of the substrate is Does not occur.

なお、請求項２に記載のように、前記第１レジスト剥離液供給工程、前記第１レジスト剥離液供給工程から前記第２レジスト剥離液供給工程に移行するまでの間に、基板の回転速度を前記第１回転速度から前記第２回転速度に上昇させる速度上昇工程（Ｓ３；Ｅ４）、および前記第２レジスト剥離液供給工程を通じて、基板の表面に前記レジスト剥離液を供給するようにしてもよいし、請求項３に記載のように、前記第１レジスト剥離液供給工程から前記第２レジスト剥離液供給工程に移行するまでの間に、基板の回転速度を前記第１回転速度から前記第２回転速度に上昇させる速度上昇工程（Ｔ３）では、基板の表面に対する前記レジスト剥離液の供給を停止させるようにしてもよい。   In addition, as described in claim 2, the rotation speed of the substrate is changed between the first resist stripping solution supply step and the first resist stripping solution supply step to the second resist stripping solution supply step. The resist stripping solution may be supplied to the surface of the substrate through the speed increasing step (S3; E4) for increasing the first rotational speed to the second rotational speed and the second resist stripping solution supplying step. As described in claim 3, during the period from the first resist stripping solution supply step to the second resist stripping solution supply step, the substrate rotation speed is changed from the first rotation speed to the second rotation speed. In the speed increasing step (T3) for increasing the rotational speed, the supply of the resist stripping solution to the surface of the substrate may be stopped.

また、請求項４に記載のように、前記第１レジスト剥離液供給工程から前記第２レジスト剥離液供給工程に移行するまでの間に、基板の表面に対するレジスト剥離液の供給を停止させた状態で、基板を前記第１回転速度で回転させる反応促進工程（Ｅ３）をさらに含んでいてもよい。
請求項５記載の発明は、請求項１ないし４のいずれかに記載のレジスト剥離方法において、前記レジスト剥離液は、濃硫酸を含むことを特徴としている。 In addition, as described in claim 4, the supply of the resist stripping solution to the surface of the substrate is stopped during the period from the first resist stripping solution supplying step to the second resist stripping solution supplying step. Thus, a reaction promoting step (E3) of rotating the substrate at the first rotation speed may be further included.
According to a fifth aspect of the present invention, in the resist stripping method according to any one of the first to fourth aspects, the resist stripping solution contains concentrated sulfuric acid.

濃硫酸は、弱電改質であり、電離度が低い。そのため、レジスト剥離液が濃硫酸を含む場合、その濃硫酸を含むレジスト剥離液が基板の表面に接液（着地）した時点で帯電し、基板の表面に帯電によるダメージ（たとえば、ゲート絶縁膜として用いられる酸化膜の破壊など）を与えるおそれがある。そして、レジスト剥離液の供給開始時における基板の回転速度が大きいほど、レジスト剥離液と基板の表面との間に生じる摩擦が大きくなるため、レジスト剥離液の帯電量が多くなる。そこで、レジスト剥離液に濃硫酸が含まれる場合には、とくに、請求項２に記載のように、第１レジスト剥離液供給工程、速度上昇工程および第２レジスト剥離液供給工程を通じて、基板の表面にレジスト剥離液を供給することにより、レジスト剥離液の帯電を抑制することができ、レジスト剥離液の帯電によるダメージが基板の表面に与えられるのを防止することができる。   Concentrated sulfuric acid is a weak electric reforming and has a low degree of ionization. Therefore, when the resist stripping solution contains concentrated sulfuric acid, it is charged when the resist stripping solution containing concentrated sulfuric acid comes into contact (landing) with the surface of the substrate, and the surface of the substrate is damaged by charging (for example, as a gate insulating film). There is a risk of destruction of the oxide film used). As the rotation speed of the substrate at the start of the supply of the resist stripping solution increases, the friction generated between the resist stripping solution and the surface of the substrate increases, and the amount of charge of the resist stripping solution increases. Therefore, when concentrated sulfuric acid is contained in the resist stripping solution, the surface of the substrate is formed through the first resist stripping solution supplying step, the speed increasing step, and the second resist stripping solution supplying step, as described in claim 2. By supplying the resist stripping solution to the substrate, charging of the resist stripping solution can be suppressed, and damage due to charging of the resist stripping solution can be prevented from being applied to the surface of the substrate.

請求項６記載の発明は、請求項１ないし５のいずれかに記載のレジスト剥離方法において、前記第１回転速度は、１０ｒｐｍ以上かつ２００ｒｐｍ以下の範囲内に設定されることを特徴としている。
第１回転速度が１０ｒｐｍ以上かつ２００ｒｐｍ以下の範囲内で設定されていれば、第１レジスト剥離液供給工程において、レジスト硬化層を液中に含むレジスト剥離液の跳ね返りを効果的に防止することができ、基板の表面に対するレジスト硬化層の再付着を効果的に防止することができる。 According to a sixth aspect of the present invention, in the resist stripping method according to any one of the first to fifth aspects, the first rotation speed is set within a range of 10 rpm or more and 200 rpm or less.
If the first rotation speed is set within the range of 10 rpm or more and 200 rpm or less, it is possible to effectively prevent the resist stripping solution containing the resist hardened layer from bouncing back in the first resist stripping solution supplying step. And re-adhesion of the cured resist layer to the surface of the substrate can be effectively prevented.

なお、前記第１回転速度は、３０ｒｐｍ以上１００ｒｐｍ以下の範囲内で設定されていることがより好ましく、このような範囲内に設定される場合、基板の表面上からレジスト剥離液とともにレジスト硬化層を効率よく排除することができながら、レジスト硬化層を液中に含むレジスト剥離液の跳ね返りを確実に防止することができる。そのため、基板の表面に対するレジスト硬化層の再付着を確実に防止することができる。   The first rotation speed is more preferably set within a range of 30 rpm or more and 100 rpm or less. When the first rotation speed is set within such a range, the resist hardened layer is applied together with the resist stripping solution from the surface of the substrate. While being able to eliminate efficiently, the resist stripping solution containing the resist cured layer in the solution can be reliably prevented from rebounding. Therefore, it is possible to reliably prevent the resist cured layer from reattaching to the surface of the substrate.

請求項７記載の発明は、基板（Ｗ）の表面からレジストを剥離する装置であって、基板をその表面に交差する回転軸線まわりに回転させる基板回転手段（１）と、前記基板回転手段によって回転されている基板の表面にレジスト剥離液を供給するためのレジスト剥離液供給手段（２）と、前記基板回転手段および前記レジスト剥離液供給手段を制御して、所定の第１時間にわたって、第１回転速度で回転している基板の表面にレジスト剥離液を供給させた後、基板の回転速度を前記第１回転速度よりも高速な第２回転速度に上昇させ、所定の第２時間にわたって、前記第２回転速度で回転している基板の表面にレジスト剥離液を供給させる制御手段（１２）とを含むことを特徴としている。   The invention according to claim 7 is an apparatus for peeling the resist from the surface of the substrate (W), the substrate rotating means (1) for rotating the substrate around a rotation axis intersecting the surface, and the substrate rotating means. A resist stripping solution supplying means (2) for supplying a resist stripping solution to the surface of the rotating substrate, and the substrate rotating means and the resist stripping solution supplying means are controlled for a predetermined first time. After supplying the resist stripping solution to the surface of the substrate rotating at one rotation speed, the rotation speed of the substrate is increased to a second rotation speed higher than the first rotation speed, and over a predetermined second time, And control means (12) for supplying a resist stripping solution to the surface of the substrate rotating at the second rotational speed.

この構成により、第１回転速度で回転している基板の表面にレジスト剥離液を供給する第１レジスト剥離液供給工程の後、基板の回転速度を第１回転速度から第２回転速度に上げて、第２回転速度で回転している基板の表面にレジスト剥離液を供給する第２レジスト剥離液供給工程を実行することができる。そのため、請求項１記載の発明の場合と同様に、基板の表面に対するレジスト硬化層の再付着を防止することができる。   With this configuration, after the first resist stripping solution supplying step for supplying the resist stripping solution to the surface of the substrate rotating at the first rotational speed, the substrate rotational speed is increased from the first rotational speed to the second rotational speed. A second resist stripping solution supplying step for supplying the resist stripping solution to the surface of the substrate rotating at the second rotational speed can be performed. Therefore, as in the case of the invention described in claim 1, it is possible to prevent the resist cured layer from reattaching to the surface of the substrate.

なお、請求項８に記載のように、前記制御手段は、基板の回転速度を前記第１回転速度から前記第２回転速度に上昇させる間、基板に対するレジスト剥離液の供給を継続させてもよいし、請求項９に記載のように、前記制御手段は、基板の回転速度を前記第１回転速度から前記第２回転速度に上昇させる間、基板に対するレジスト剥離液の供給を停止させてもよい。   In addition, as described in claim 8, the control unit may continue supplying the resist stripping solution to the substrate while increasing the rotation speed of the substrate from the first rotation speed to the second rotation speed. The controller may stop the supply of the resist stripping solution to the substrate while increasing the rotation speed of the substrate from the first rotation speed to the second rotation speed. .

基板の回転速度が第１回転速度から第２回転速度に上昇する間、基板に対するレジスト剥離液の供給を継続させることによって、レジスト剥離液の帯電を抑制することができ、レジスト剥離液の帯電によるダメージが基板の表面に与えられるのを防止することができる。   While the rotation speed of the substrate is increased from the first rotation speed to the second rotation speed, the supply of the resist stripping solution to the substrate is continued to suppress the charging of the resist stripping solution. Damage to the surface of the substrate can be prevented.

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係るレジスト剥離装置の構成を示す図解図である。このレジスト剥離装置は、基板の一例であるウエハＷの表面からレジスト（たとえば、ＫｒＦレジスト）を剥離するための枚葉式の装置であり、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック１と、スピンチャック１に保持されて回転されているウエハＷの表面にレジスト剥離液としてのＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水）を供給するためのＳＰＭノズル２と、スピンチャック１に保持されて回転されているウエハＷの表面にＤＩＷ（deionized water：脱イオン化された純水）を供給するためのＤＩＷノズル３と、ウエハＷから流下または飛散するＳＰＭやＤＩＷなどを受け取るためのカップ４とを備えている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is an illustrative view showing a configuration of a resist stripping apparatus according to an embodiment of the present invention. This resist stripping apparatus is a single-wafer type apparatus for stripping a resist (for example, KrF resist) from the surface of a wafer W as an example of a substrate, and a spin for holding and rotating the wafer W substantially horizontally. An SPM nozzle 2 for supplying SPM (sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture) as a resist stripping solution to the surface of the chuck 1 and the wafer W held and rotated by the spin chuck 1; A DIW nozzle 3 for supplying DIW (deionized water) to the surface of the wafer W held and rotated by the spin chuck 1 and SPM, DIW, etc. flowing down or scattered from the wafer W are provided. And a cup 4 for receiving.

スピンチャック１は、モータ５と、このモータ５の回転駆動力によって鉛直軸線まわりに回転される円盤状のスピンベース６と、スピンベース６の周縁部の複数箇所にほぼ等角度間隔で設けられ、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で挟持するための複数個の挟持部材７とを備えている。これにより、スピンチャック１は、複数個の挟持部材７によってウエハＷを挟持した状態で、モータ５の回転駆動力によってスピンベース６を回転させることにより、そのウエハＷを、ほぼ水平な姿勢を保った状態で、スピンベース６とともに鉛直軸線まわりに回転させることができる。   The spin chuck 1 is provided at substantially equiangular intervals at a motor 5, a disk-shaped spin base 6 that is rotated around the vertical axis by the rotational driving force of the motor 5, and a plurality of locations on the peripheral edge of the spin base 6. And a plurality of clamping members 7 for clamping the wafer W in a substantially horizontal posture. As a result, the spin chuck 1 keeps the wafer W in a substantially horizontal posture by rotating the spin base 6 with the rotational driving force of the motor 5 while the wafer W is held by the plurality of holding members 7. In this state, it can be rotated around the vertical axis together with the spin base 6.

なお、スピンチャック１としては、このような構成のものに限らず、たとえば、ウエハＷの裏面（非デバイス面）を真空吸着することにより、ウエハＷを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な軸線まわりに回転することにより、その保持したウエハＷを回転させることができる真空吸着式のバキュームチャックが採用されてもよい。
ＳＰＭノズル２は、たとえば、ＳＰＭを連続流の状態で吐出するストレートノズルからなる。ＳＰＭノズル２には、ＳＰＭ供給管８が接続されており、このＳＰＭ供給管８からＳＰＭが供給されるようになっている。ＳＰＭ供給管８には、ウエハＷの表面のレジストを良好に剥離可能な約１００℃以上の高温に昇温されたＳＰＭが供給されるようになっている。このような高温のＳＰＭは、たとえば、ＳＰＭ供給管８に接続されたミキシングバルブ（図示せず）に濃硫酸（濃度が９６％以上の硫酸）と過酸化水素水とを供給し、それらをミキシングバルブで混合させることにより作成されて、ＳＰＭ供給管８に供給される。また、ＳＰＭ供給管８の途中部には、ＳＰＭノズル２へのＳＰＭの供給を制御するためのＳＰＭバルブ９が介装されている。 The spin chuck 1 is not limited to such a configuration. For example, the back surface (non-device surface) of the wafer W is vacuum-sucked to hold the wafer W in a horizontal posture, and in that state. A vacuum chuck of a vacuum suction type that can rotate the wafer W held by rotating around a vertical axis may be employed.
The SPM nozzle 2 is composed of, for example, a straight nozzle that discharges SPM in a continuous flow state. An SPM supply pipe 8 is connected to the SPM nozzle 2, and SPM is supplied from the SPM supply pipe 8. The SPM supply pipe 8 is supplied with SPM that has been heated to a high temperature of about 100 ° C. or higher so that the resist on the surface of the wafer W can be favorably removed. Such high-temperature SPM supplies, for example, concentrated sulfuric acid (sulfuric acid having a concentration of 96% or more) and hydrogen peroxide solution to a mixing valve (not shown) connected to the SPM supply pipe 8 and mixes them. It is created by mixing with a valve and supplied to the SPM supply pipe 8. An SPM valve 9 for controlling the supply of SPM to the SPM nozzle 2 is interposed in the middle of the SPM supply pipe 8.

ＤＩＷノズル３には、ＤＩＷ供給管１０が接続されており、ＤＩＷ供給源からのＤＩＷがＤＩＷ供給管１０を通して供給されるようになっている。ＤＩＷ供給管１０の途中部には、ＤＩＷノズル３へのＤＩＷの供給を制御するためのＤＩＷバルブ１１が介装されている。
また、このレジスト剥離装置には、マイクロコンピュータを含む制御部１２が備えられている。制御部１２は、ウエハＷの表面からレジストを剥離するレジスト剥離処理のために、予め定められたプログラムに従って、モータ５の駆動を制御し、また、ＳＰＭバルブ９およびＤＩＷバルブ１１の開閉を制御する。 A DIW supply pipe 10 is connected to the DIW nozzle 3 so that DIW from a DIW supply source is supplied through the DIW supply pipe 10. A DIW valve 11 for controlling the supply of DIW to the DIW nozzle 3 is interposed in the middle of the DIW supply pipe 10.
The resist stripping apparatus is provided with a control unit 12 including a microcomputer. The controller 12 controls the driving of the motor 5 and controls the opening and closing of the SPM valve 9 and the DIW valve 11 according to a predetermined program for the resist stripping process for stripping the resist from the surface of the wafer W. .

図２は、図１に示すレジスト剥離装置におけるレジスト剥離処理を説明するための図である。レジスト剥離処理に際しては、搬送ロボット（図示せず）によって、ウエハＷがレジスト剥離装置に搬入されてくる。ウエハＷがイオン注入後の不要になったレジストを有するものである場合、そのレジストの表面には、イオン注入時のレジストの変質によるレジスト硬化層が形成されている。   FIG. 2 is a view for explaining a resist stripping process in the resist stripping apparatus shown in FIG. In the resist stripping process, the wafer W is carried into the resist stripping device by a transfer robot (not shown). When the wafer W has a resist that is no longer necessary after ion implantation, a hardened resist layer is formed on the surface of the resist due to alteration of the resist during ion implantation.

搬送ロボットからスピンチャック１にウエハＷが受け渡されると、まず、モータ５が駆動されて、ウエハＷの回転が開始され、ウエハＷの回転速度が１００ｒｐｍまで立ち上げられる（ステップＳ１）。
ウエハＷの回転速度が１００ｒｐｍに立ち上げられると、次に、ＳＰＭバルブ９が開かれて、ＳＰＭノズル２からウエハＷの表面の中央部にＳＰＭが供給される。ＳＰＭの供給開始から第１所定時間（たとえば、３０〜６０ｓｅｃの範囲内で設定される時間）が経過するまで、ウエハＷの回転速度が１００ｒｐｍに保持された状態で、そのウエハＷの表面へのＳＰＭの供給が続けられる（ステップＳ２）。ウエハＷの表面上に供給されたＳＰＭは、ウエハＷの低速回転による弱い遠心力を受けて、ウエハＷの表面上を中央部から周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの表面上にＳＰＭが拡がり、ウエハＷの表面上にＳＰＭの比較的厚い液膜が形成された状態となる。また、ウエハＷの表面上のレジストにＳＰＭが浸透し、そのレジストの表面のレジスト硬化層は、ＳＰＭによって膨潤し、レジストの表面から剥離（リフトオフ）されていく。 When the wafer W is transferred from the transfer robot to the spin chuck 1, first, the motor 5 is driven to start the rotation of the wafer W, and the rotation speed of the wafer W is raised to 100 rpm (step S1).
When the rotation speed of the wafer W is raised to 100 rpm, the SPM valve 9 is then opened, and SPM is supplied from the SPM nozzle 2 to the center of the surface of the wafer W. Until the first predetermined time (for example, a time set within a range of 30 to 60 sec) elapses from the start of the supply of SPM, the rotation speed of the wafer W is maintained at 100 rpm and the surface of the wafer W is moved to the surface. The supply of SPM is continued (step S2). The SPM supplied on the surface of the wafer W receives a weak centrifugal force due to the low-speed rotation of the wafer W and flows on the surface of the wafer W from the central portion toward the periphery. As a result, the SPM spreads on the surface of the wafer W, and a relatively thick liquid film of SPM is formed on the surface of the wafer W. Further, SPM permeates into the resist on the surface of the wafer W, and the resist hardened layer on the surface of the resist is swollen by SPM and peeled off (lifted off) from the resist surface.

ＳＰＭの供給開始から第１所定時間が経過すると、ウエハＷの回転速度が１００ｒｐｍから５００ｒｐｍに上げられる（ステップＳ３）。ウエハＷの回転速度の上昇中も、ウエハＷの表面に対するＳＰＭの供給は続けられている。
ウエハＷの回転速度が５００ｒｐｍに達すると、その後、第２所定時間（たとえば、６０〜１２０ｓｅｃの範囲内で設定される時間）が経過するまで、ウエハＷの回転速度が５００ｒｐｍに保持され、その状態で、ウエハＷの表面へのＳＰＭの供給が続けられる（ステップＳ４）。これにより、ウエハＷの表面上を流れるＳＰＭの流速が大きくなり、レジスト硬化層が剥離されることにより露出したレジスト（変質していないレジスト）が、ＳＰＭに含まれるペルオキソ一硫酸（Ｈ２ＳＯ５）の強酸化力によって、ウエハＷの表面から速やかに剥離されていく。 When the first predetermined time has elapsed from the start of SPM supply, the rotation speed of the wafer W is increased from 100 rpm to 500 rpm (step S3). Even while the rotation speed of the wafer W is increasing, the supply of SPM to the surface of the wafer W is continued.
When the rotation speed of the wafer W reaches 500 rpm, thereafter, the rotation speed of the wafer W is maintained at 500 rpm until a second predetermined time (for example, a time set within a range of 60 to 120 seconds) elapses. Thus, the supply of SPM to the surface of the wafer W is continued (step S4). As a result, the flow rate of the SPM flowing over the surface of the wafer W increases, and the resist exposed by peeling off the resist hardened layer (resist that has not deteriorated) is peroxomonosulfuric acid (H 2 SO 5 ) contained in the SPM. ) Is rapidly peeled off from the surface of the wafer W.

ウエハＷの回転速度が５００ｒｐｍに達してから第２所定時間が経過すると、ＳＰＭバルブ９が閉じられて、ＳＰＭノズル２からウエハＷへのＳＰＭの供給が停止される（ステップＳ５）。そして、ウエハＷの回転速度が５００ｒｐｍから１０００ｒｐｍに上げられる（ステップＳ６）。
ウエハＷの回転速度が１０００ｒｐｍに達すると、ＤＩＷバルブ１１が開かれて、ＤＩＷノズル３からウエハＷの表面の中央部にＤＩＷが供給される（ステップＳ７）。ウエハＷの表面上に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面上を中央部から周縁に向けて流れる。これによって、ウエハＷの表面全域にＤＩＷが行き渡り、ウエハＷの表面上のＳＰＭがＤＩＷによって洗い流される。このウエハＷの表面に対するＤＩＷの供給は、第３所定時間（たとえば、３０〜９０ｓｅｃの範囲内で設定される時間）にわたって続けられる。また、ウエハＷの表面にＤＩＷが供給されている間、ウエハＷの回転速度は１０００ｒｐｍに保持される。 When the second predetermined time elapses after the rotation speed of the wafer W reaches 500 rpm, the SPM valve 9 is closed, and the supply of SPM from the SPM nozzle 2 to the wafer W is stopped (step S5). Then, the rotation speed of the wafer W is increased from 500 rpm to 1000 rpm (step S6).
When the rotation speed of the wafer W reaches 1000 rpm, the DIW valve 11 is opened, and DIW is supplied from the DIW nozzle 3 to the center of the surface of the wafer W (step S7). The DIW supplied onto the surface of the wafer W receives a centrifugal force due to the rotation of the wafer W and flows on the surface of the wafer W from the central portion toward the periphery. As a result, the DIW spreads over the entire surface of the wafer W, and the SPM on the surface of the wafer W is washed away by the DIW. The supply of DIW to the surface of the wafer W is continued for a third predetermined time (for example, a time set within a range of 30 to 90 sec). Further, while DIW is supplied to the surface of the wafer W, the rotation speed of the wafer W is maintained at 1000 rpm.

ＤＩＷバルブ１１が開かれてから第３所定時間が経過すると、ＤＩＷバルブ１１が閉じられて、そのウエハＷの表面に対するＤＩＷの供給が停止される（ステップＳ８）。その後は、ウエハＷの回転速度が１０００ｒｐｍから３０００ｒｐｍに上げられて（ステップＳ９）、その３０００ｒｐｍでウエハＷが回転している状態が、第４所定時間（たとえば、１５〜３０ｓｅｃの範囲内で設定される時間）にわたって維持される（ステップＳ１０）。これにより、ウエハＷの表面に付着しているＤＩＷを遠心力で振り切って、ウエハＷを乾燥（スピンドライ）させることができる。第４所定時間が経過すると、モータ５の駆動が停止されて、ウエハＷの回転が止められた後、搬送ロボットにより、処理後のウエハＷが搬出されていく。   When the third predetermined time elapses after the DIW valve 11 is opened, the DIW valve 11 is closed and the supply of DIW to the surface of the wafer W is stopped (step S8). Thereafter, the rotation speed of the wafer W is increased from 1000 rpm to 3000 rpm (step S9), and the state where the wafer W is rotating at 3000 rpm is set within a fourth predetermined time (for example, within a range of 15 to 30 sec). (Step S10). Thereby, DIW adhering to the surface of the wafer W can be shaken off by centrifugal force, and the wafer W can be dried (spin dry). When the fourth predetermined time has elapsed, the driving of the motor 5 is stopped and the rotation of the wafer W is stopped, and then the processed wafer W is unloaded by the transfer robot.

以上のように、レジスト剥離処理では、１００ｒｐｍで回転しているウエハＷの表面に対するＳＰＭの供給が第１所定時間にわたって続けられた後、ウエハＷの回転速度が１００ｒｐｍから５００ｒｐｍに上げられて、その５００ｒｐｍで回転しているウエハＷの表面にＳＰＭが供給される。
これにより、レジストの表面にレジスト硬化層が形成されている場合に、そのレジスト硬化層は、ウエハＷの回転速度が１００ｒｐｍに保持されている間に、ウエハＷの表面上のＳＰＭによって膨潤し、レジストの表面から剥離（リフトオフ）される。このとき、ウエハＷの回転速度が１００ｒｐｍに保持されているので、ウエハＷの表面上のＳＰＭは、ウエハＷの周縁に向けて緩やかに流れ、その周縁から流下するように排除される。そのため、レジスト硬化層を液中に含むＳＰＭが、ウエハＷの周囲に設けられている挟持部材７やカップ４などに当たって跳ね返るおそれがない。また、ＳＰＭがウエハＷの表面上を緩やかに流れることによって、ウエハＷの表面上にＳＰＭの比較的厚い液膜が形成された状態となるので、たとえＳＰＭの跳ね返りが生じ、その跳ね返ったＳＰＭがウエハＷ上に着地しても、比較的厚い液膜によって、その着地したＳＰＭの液中に含まれるレジスト硬化層がウエハＷの表面に到達することが妨げられる。よって、ウエハＷの表面に対するレジスト硬化層の再付着を防止することができる。 As described above, in the resist stripping process, after the supply of SPM to the surface of the wafer W rotating at 100 rpm is continued for the first predetermined time, the rotation speed of the wafer W is increased from 100 rpm to 500 rpm. SPM is supplied to the surface of the wafer W rotating at 500 rpm.
Thereby, when the resist cured layer is formed on the surface of the resist, the resist cured layer is swollen by SPM on the surface of the wafer W while the rotation speed of the wafer W is maintained at 100 rpm, The resist is peeled off (lifted off) from the surface of the resist. At this time, since the rotation speed of the wafer W is held at 100 rpm, the SPM on the surface of the wafer W is gently flown toward the periphery of the wafer W and excluded so as to flow down from the periphery. For this reason, there is no possibility that the SPM including the resist hardened layer in the liquid hits the holding member 7 or the cup 4 provided around the wafer W and rebounds. In addition, since the SPM gently flows on the surface of the wafer W, a relatively thick liquid film of SPM is formed on the surface of the wafer W. Therefore, even if the SPM rebounds, Even when landing on the wafer W, the relatively thick liquid film prevents the cured resist layer contained in the liquid of the landing SPM from reaching the surface of the wafer W. Therefore, re-adhesion of the resist cured layer to the surface of the wafer W can be prevented.

また、ウエハＷの回転速度が５００ｒｐｍに上げられた後は、ウエハＷの表面上のＳＰＭに大きな遠心力が作用し、ウエハＷの表面上をＳＰＭが大きな流速で流れることによって、レジスト硬化層が剥離されることにより露出したレジストを速やかに剥離することができる。このとき、ウエハＷの周縁から飛散するＳＰＭの跳ね返りが生じても、そのＳＰＭの液中にレジスト硬化層は含まれていないので、ウエハＷの表面に対するレジスト硬化層の再付着の問題は発生しない。   Further, after the rotational speed of the wafer W is increased to 500 rpm, a large centrifugal force acts on the SPM on the surface of the wafer W, and the SPM flows at a high flow rate on the surface of the wafer W, so that the resist cured layer is formed. The resist exposed by peeling can be quickly peeled off. At this time, even if the SPM splashing from the peripheral edge of the wafer W occurs, the resist cured layer is not included in the liquid of the SPM, so that the problem of reattachment of the resist cured layer to the surface of the wafer W does not occur. .

さらに、ウエハＷの回転速度が１００ｒｐｍから５００ｒｐｍに上昇する間も、ウエハＷの表面に対するＳＰＭの供給が続けられるので、ＳＰＭの帯電を抑制することができ、ＳＰＭの帯電によるダメージがウエハＷの表面に与えられるのを防止することができる。すなわち、ＳＰＭに含まれる濃硫酸は、弱電改質であり、電離度が低い。そのため、ＳＰＭがウエハＷの表面に着地（接液）した時点で帯電し、ウエハＷの表面に帯電によるダメージ（たとえば、ゲート絶縁膜として用いられる酸化膜の破壊など）を与えるおそれがある。そして、ＳＰＭの供給開始時におけるウエハＷの回転速度が大きいほど、ＳＰＭとウエハＷの表面との間に生じる摩擦が大きくなるため、ＳＰＭの帯電量が多くなる。そこで、ウエハＷの回転速度が１００ｒｐｍから５００ｒｐｍに上昇する間も、ウエハＷの表面に対するＳＰＭの供給が続けられることにより、ＳＰＭの帯電を抑制することができ、ＳＰＭの帯電によるダメージがウエハＷの表面に与えられるのを防止することができる。   Further, since the supply of SPM to the surface of the wafer W is continued while the rotation speed of the wafer W is increased from 100 rpm to 500 rpm, charging of the SPM can be suppressed, and damage due to charging of the SPM is caused by damage to the surface of the wafer W. Can be prevented. That is, concentrated sulfuric acid contained in SPM is weakly electric reforming and has a low degree of ionization. For this reason, the SPM is charged at the time of landing (wetted) on the surface of the wafer W, and there is a risk of causing damage (for example, destruction of an oxide film used as a gate insulating film) to the surface of the wafer W. As the rotational speed of the wafer W at the start of SPM supply increases, the friction generated between the SPM and the surface of the wafer W increases, and the amount of charge of the SPM increases. Therefore, even when the rotation speed of the wafer W is increased from 100 rpm to 500 rpm, the supply of SPM to the surface of the wafer W can be continued, so that the charging of the SPM can be suppressed. It can be prevented from being applied to the surface.

なお、図３のステップＴ３に示すように、ウエハＷの回転速度が１００ｒｐｍから５００ｒｐｍに上昇する間、ウエハＷの表面に対するＳＰＭの供給が停止されてもよい。すなわち、ウエハＷの回転速度が１００ｒｐｍに立ち上げられて（ステップＴ１）、その１００ｒｐｍで回転しているウエハＷに対するＳＰＭの供給が第１所定時間にわたって続けられた後（ステップＴ２）、ウエハＷに対するＳＰＭの供給が停止されて、ウエハＷの回転速度が１００ｒｐｍから５００ｒｐｍに上げられてもよい（ステップＴ３）。図３のステップＴ４〜Ｔ１０で行われる制御については、それぞれ上述したステップＳ４〜Ｓ１０で行われる制御と同様であるから、その説明を省略する。   As shown in step T3 of FIG. 3, the supply of SPM to the surface of the wafer W may be stopped while the rotation speed of the wafer W is increased from 100 rpm to 500 rpm. That is, after the rotation speed of the wafer W is raised to 100 rpm (step T1) and the supply of SPM to the wafer W rotating at 100 rpm is continued for a first predetermined time (step T2), The supply of SPM may be stopped, and the rotation speed of the wafer W may be increased from 100 rpm to 500 rpm (step T3). Since the control performed in steps T4 to T10 in FIG. 3 is the same as the control performed in steps S4 to S10 described above, description thereof will be omitted.

図４は、図２のレジスト剥離処理に代えて実行可能な他のレジスト剥離処理を説明するための図である。このレジスト剥離処理では、搬送ロボットからスピンチャック１にウエハＷが受け渡されると、まず、モータ５が駆動されて、ウエハＷの回転が開始され、ウエハＷの回転速度が１０ｒｐｍまで立ち上げられる（ステップＥ１）。
ウエハＷの回転速度が１０ｒｐｍに立ち上げられると、次に、ＳＰＭバルブ９が開かれて、ＳＰＭノズル２からウエハＷの表面の中央部にＳＰＭが供給される。このＳＰＭの供給は、たとえば、その供給開始から２０秒間（ｓｅｃ）が経過するまで続けられる。この間、ウエハＷの回転速度は、１０ｒｐｍに保持されている。ＳＰＭの供給が停止された後は、たとえば、ウエハＷの回転速度が１０ｒｐｍに維持された状態が６０秒間継続される（ステップＥ３）。 FIG. 4 is a diagram for explaining another resist stripping process that can be performed instead of the resist stripping process of FIG. 2. In this resist stripping process, when the wafer W is delivered from the transfer robot to the spin chuck 1, first, the motor 5 is driven to start the rotation of the wafer W, and the rotation speed of the wafer W is raised to 10 rpm ( Step E1).
When the rotation speed of the wafer W is raised to 10 rpm, the SPM valve 9 is then opened, and SPM is supplied from the SPM nozzle 2 to the center of the surface of the wafer W. The supply of SPM is continued until, for example, 20 seconds (sec) have elapsed from the start of the supply. During this time, the rotation speed of the wafer W is maintained at 10 rpm. After the supply of SPM is stopped, for example, the state where the rotation speed of the wafer W is maintained at 10 rpm is continued for 60 seconds (step E3).

ウエハＷの表面上に供給されたＳＰＭは、ウエハＷの低速回転による弱い遠心力を受けて、ウエハＷの表面上を中央部から周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの表面上にＳＰＭが拡がり、ウエハＷの表面上にＳＰＭの比較的厚い液膜が形成された状態となる。そして、ＳＰＭの供給が停止されている間に、ウエハＷの表面上のレジストにＳＰＭが浸透し、そのレジストの表面のレジスト硬化層は、ＳＰＭによって膨潤し、レジストの表面から剥離（リフトオフ）されていく。   The SPM supplied on the surface of the wafer W receives a weak centrifugal force due to the low-speed rotation of the wafer W and flows on the surface of the wafer W from the central portion toward the periphery. As a result, the SPM spreads on the surface of the wafer W, and a relatively thick liquid film of SPM is formed on the surface of the wafer W. While the supply of SPM is stopped, SPM penetrates into the resist on the surface of the wafer W, and the resist hardened layer on the surface of the resist is swollen by SPM and peeled off (lifted off) from the resist surface. To go.

ＳＰＭの供給停止から６０秒間が経過すると、ＳＰＭバルブ９が再び開かれて、ＳＰＭの供給が再開されるとともに、ウエハＷの回転速度が１０ｒｐｍから５００ｒｐｍに上げられる（ステップＥ４）。
ウエハＷの回転速度が５００ｒｐｍに達すると、その後、たとえば、６０秒間が経過するまで、ウエハＷの回転速度が５００ｒｐｍに保持され、その状態で、ウエハＷの表面へのＳＰＭの供給が続けられる（ステップＥ５）。これにより、ウエハＷの表面上を流れるＳＰＭの流速が大きくなり、変質していないレジストが、ＳＰＭに含まれるペルオキソ一硫酸の強酸化力によって、ウエハＷの表面から速やかに剥離されていく。 When 60 seconds elapse after the SPM supply is stopped, the SPM valve 9 is opened again, the SPM supply is resumed, and the rotation speed of the wafer W is increased from 10 rpm to 500 rpm (step E4).
When the rotation speed of the wafer W reaches 500 rpm, for example, the rotation speed of the wafer W is maintained at 500 rpm until 60 seconds elapses, and in this state, the supply of SPM to the surface of the wafer W is continued ( Step E5). As a result, the flow rate of the SPM flowing on the surface of the wafer W is increased, and the unmodified resist is quickly peeled off from the surface of the wafer W by the strong oxidizing power of peroxomonosulfuric acid contained in the SPM.

ウエハＷの回転速度が５００ｒｐｍに達してから６０秒間が経過すると、ＳＰＭの供給が継続されたまま、ウエハＷの回転速度が５００ｒｐｍから１０ｒｐｍに下げられる（ステップＥ６）。そして、ウエハＷが１０ｒｐｍの回転速度で回転されている状態で、たとえば、そのウエハＷに対するＳＰＭの供給が１０秒間にわたって続けられると（ステップＥ７）、ＳＰＭバルブ９が閉じられて、ＳＰＭノズル２からウエハＷへのＳＰＭの供給が停止される。そして、ＳＰＭの供給が停止された状態で、たとえば、ウエハＷが１０ｒｐｍの回転速度で６０秒間回転し続けられる（ステップＥ８）。これにより、ウエハＷの表面上の変質していないレジストとＳＰＭとを十分に反応させることができ、レジストを良好に剥離することができる。   When 60 seconds elapse after the rotation speed of the wafer W reaches 500 rpm, the rotation speed of the wafer W is decreased from 500 rpm to 10 rpm while the supply of SPM is continued (step E6). Then, for example, when the supply of SPM to the wafer W is continued for 10 seconds with the wafer W being rotated at a rotation speed of 10 rpm (step E7), the SPM valve 9 is closed and the SPM nozzle 2 The supply of SPM to the wafer W is stopped. Then, with the supply of SPM stopped, for example, the wafer W continues to rotate for 60 seconds at a rotation speed of 10 rpm (step E8). As a result, the unmodified resist on the surface of the wafer W can be sufficiently reacted with the SPM, and the resist can be peeled off satisfactorily.

その後は、ＤＩＷバルブ１１が開かれて、ＤＩＷノズル３からウエハＷの表面の中央部へのＤＩＷの供給が開始されるとともに、ウエハＷの回転速度が１０ｒｐｍから１０００ｒｐｍに上げられる（ステップＥ９）。そして、ウエハＷの回転速度が１０００ｒｐｍに達した後、ウエハＷの回転速度が１０００ｒｐｍに維持された状態で、たとえば、ウエハＷに対するＤＩＷの供給が、３０〜９０ｓｅｃの範囲内で設定される所定時間にわたって続けられる（ステップＥ１０）。ウエハＷの表面上に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面上を中央部から周縁に向けて流れる。これによって、ウエハＷの表面全域にＤＩＷが行き渡り、ウエハＷの表面上のＳＰＭがＤＩＷによって洗い流される。   Thereafter, the DIW valve 11 is opened, and supply of DIW from the DIW nozzle 3 to the center of the surface of the wafer W is started, and the rotation speed of the wafer W is increased from 10 rpm to 1000 rpm (step E9). Then, after the rotational speed of the wafer W reaches 1000 rpm, for example, a predetermined time in which the supply of DIW to the wafer W is set within a range of 30 to 90 sec while the rotational speed of the wafer W is maintained at 1000 rpm. (Step E10). The DIW supplied onto the surface of the wafer W receives a centrifugal force due to the rotation of the wafer W and flows on the surface of the wafer W from the central portion toward the periphery. As a result, the DIW spreads over the entire surface of the wafer W, and the SPM on the surface of the wafer W is washed away by the DIW.

ウエハＷの回転速度が１０００ｒｐｍに維持された状態でのＤＩＷの供給が所定時間続けられると、ＤＩＷバルブ１１が閉じられて、そのウエハＷの表面に対するＤＩＷの供給が停止される（ステップＥ１１）。その後は、ウエハＷの回転速度が１０００ｒｐｍから３０００ｒｐｍに上げられて（ステップＥ１２）、その３０００ｒｐｍでウエハＷが回転している状態が、たとえば、１５〜３０ｓｅｃの範囲内で設定される所定時間にわたって維持される（ステップＥ１３）。これにより、ウエハＷの表面に付着しているＤＩＷを遠心力で振り切って、ウエハＷを乾燥（スピンドライ）させることができる。その後は、モータ５の駆動が停止されて、ウエハＷの回転が止められた後、搬送ロボットにより、処理後のウエハＷが搬出されていく。   If the DIW supply is continued for a predetermined time while the rotation speed of the wafer W is maintained at 1000 rpm, the DIW valve 11 is closed and the supply of DIW to the surface of the wafer W is stopped (step E11). Thereafter, the rotation speed of the wafer W is increased from 1000 rpm to 3000 rpm (step E12), and the state where the wafer W is rotating at 3000 rpm is maintained for a predetermined time set within a range of 15 to 30 seconds, for example. (Step E13). Thereby, DIW adhering to the surface of the wafer W can be shaken off by centrifugal force, and the wafer W can be dried (spin dry). Thereafter, the driving of the motor 5 is stopped and the rotation of the wafer W is stopped, and then the processed wafer W is unloaded by the transfer robot.

このような処理によっても、図２に示すレジスト剥離処理の場合と同様な効果を達成することができる。
なお、ステップＥ７およびステップＥ８は、省略されて、ステップＥ６に引き続いて、ステップＥ９が直ちに行われてもよい。すなわち、ウエハＷの回転速度が５００ｒｐｍから１０ｒｐｍに下げられた後、ウエハＷの表面に対するＤＩＷの供給が開始されるとともに、ウエハＷの回転速度が１０ｒｐｍから１０００ｒｐｍに上げられてもよい。 Such a process can also achieve the same effect as the resist stripping process shown in FIG.
Note that steps E7 and E8 may be omitted, and step E9 may be performed immediately following step E6. That is, after the rotation speed of the wafer W is lowered from 500 rpm to 10 rpm, the supply of DIW to the surface of the wafer W may be started and the rotation speed of the wafer W may be increased from 10 rpm to 1000 rpm.

以上、この発明のいくつかの実施形態を説明したが、この発明はさらに他の形態で実施することもできる。たとえば、上記の各実施形態で示された各数値は、単なる一例であり、適宜変更されるとよい。たとえば、図２のステップＳ２および図３のステップＴ２におけるウエハＷの回転速度は、１００ｒｐｍに限らず、遠心力の働きによりウエハＷから排除されるＳＰＭの跳ね返りを生じないような速度であればよく、１０ｒｐｍ以上かつ２００ｒｐｍ以下の範囲内に設定されることが好ましい。このような範囲内で設定されていれば、レジスト硬化層を液中に含むＳＰＭの跳ね返りを効果的に防止することができ、ウエハＷの表面に対するレジスト硬化層の再付着を効果的に防止することができる。さらに、３０ｒｐｍ以上１００ｒｐｍ以下の範囲内で設定されていることがより好ましく、このような範囲内に設定される場合、ウエハＷの表面上からＳＰＭとともにレジスト硬化層を効率よく排除することができながら、レジスト硬化層を液中に含むＳＰＭの跳ね返りを確実に防止することができる。そのため、ウエハＷの表面に対するレジスト硬化層の再付着を確実に防止することができる。さらには、図２のステップＳ２および図３のステップＴ２において、ウエハＷの表面に対してＳＰＭを供給しながら、ウエハＷの回転速度を、１０ｒｐｍ以上かつ２００ｒｐｍ以下の範囲内で設定される初期回転速度から、その範囲内で設定される最終回転速度まで段階的に上昇させてもよい。   As mentioned above, although several embodiment of this invention was described, this invention can also be implemented with another form. For example, the numerical values shown in the above embodiments are merely examples, and may be changed as appropriate. For example, the rotation speed of the wafer W in step S2 in FIG. 2 and step T2 in FIG. 3 is not limited to 100 rpm, and may be any speed that does not cause the SPM to be repelled from the wafer W due to the centrifugal force. It is preferably set within a range of 10 rpm or more and 200 rpm or less. If it is set within such a range, it is possible to effectively prevent the SPM including the resist cured layer in the liquid from rebounding, and effectively prevent the resist cured layer from reattaching to the surface of the wafer W. be able to. Further, it is more preferably set within the range of 30 rpm or more and 100 rpm or less, and when it is set within such a range, the resist cured layer can be efficiently removed together with the SPM from the surface of the wafer W. Further, it is possible to reliably prevent the SPM that includes the resist hardened layer in the liquid from rebounding. Therefore, it is possible to reliably prevent the resist cured layer from reattaching to the surface of the wafer W. Further, in step S2 in FIG. 2 and step T2 in FIG. 3, while the SPM is supplied to the surface of the wafer W, the initial rotation that sets the rotation speed of the wafer W within a range of 10 rpm or more and 200 rpm or less. The speed may be increased stepwise from the speed to the final rotational speed set within that range.

さらにまた、図２のステップＳ４、図３のステップＴ４および図４のステップＥ５におけるウエハＷの回転速度は、５００ｒｐｍに限らず、それぞれ図２のステップＳ２、図３のステップＴ２および図４のステップＥ２におけるウエハＷの回転速度よりも高速であればよく、たとえば、２００ｒｐｍ以上かつ１０００ｒｐｍ以下の範囲内に設定されるとよい。また、図２のステップＳ４および図３のステップＴ４において、ウエハＷの表面に対してＳＰＭを供給しながら、ウエハＷの回転速度を、２００ｒｐｍ以上かつ１０００ｒｐｍ以下の範囲内で設定される初期回転速度から、その範囲内で設定される最終回転速度まで段階的に上昇させてもよい。   Furthermore, the rotational speed of the wafer W in step S4 in FIG. 2, step T4 in FIG. 3, and step E5 in FIG. 4 is not limited to 500 rpm, but step S2 in FIG. 2, step T2 in FIG. 3, and step in FIG. The speed may be higher than the rotation speed of the wafer W at E2, and may be set within a range of 200 rpm to 1000 rpm, for example. Further, in step S4 of FIG. 2 and step T4 of FIG. 3, while supplying SPM to the surface of the wafer W, the rotation speed of the wafer W is set within a range of 200 rpm to 1000 rpm. To a final rotational speed set within the range.

また、図２のステップＳ７、図３のステップＴ７および図４のステップＥ１０（ウエハＷに対するＤＩＷ供給時）におけるウエハＷの回転速度は、１０００ｒｐｍに限らず、たとえば、３００ｒｐｍ以上かつ１０００ｒｐｍ以下の範囲内に設定されるとよい。
さらに、図２のステップＳ１０、図３のステップＴ１０および図４のステップＥ１３（スピンドライ時）におけるウエハＷの回転速度は、たとえば、２５００ｒｐｍ以上かつ５０００ｒｐｍ以下の範囲内に設定されるとよい。 Further, the rotation speed of the wafer W in step S7 in FIG. 2, step T7 in FIG. 3, and step E10 in FIG. 4 (during DIW supply to the wafer W) is not limited to 1000 rpm, but is, for example, within a range of 300 rpm to 1000 rpm. It is good to set to.
Furthermore, the rotational speed of the wafer W in step S10 in FIG. 2, step T10 in FIG. 3, and step E13 in FIG. 4 (during spin dry) may be set within a range of 2500 rpm to 5000 rpm, for example.

また、ＳＰＭノズル２は、ウエハＷの表面におけるＳＰＭの供給位置を変更できるスキャンノズルであってもよい。すなわち、スピンチャック１の上方に、ほぼ水平な面内で揺動可能なアームを設け、そのアームにＳＰＭノズル２を取り付けて、ＳＰＭノズル２からウエハＷの表面へのＳＰＭの供給時に、アームを所定角度範囲内で揺動させることにより、ウエハＷの表面上におけるＳＰＭの供給位置をスキャン（移動）させてもよい。   The SPM nozzle 2 may be a scan nozzle that can change the SPM supply position on the surface of the wafer W. That is, an arm capable of swinging in a substantially horizontal plane is provided above the spin chuck 1, and the SPM nozzle 2 is attached to the arm, and the arm is moved when the SPM is supplied from the SPM nozzle 2 to the surface of the wafer W. The SPM supply position on the surface of the wafer W may be scanned (moved) by swinging within a predetermined angle range.

また、レジスト剥離液として、ＳＰＭを例示したが、ＳＰＭの他に、濃硫酸や有機溶剤などを例示することができる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。 Moreover, although SPM was illustrated as a resist stripping solution, concentrated sulfuric acid, an organic solvent, etc. can be illustrated other than SPM.
In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.

この発明の一実施形態に係るレジスト剥離装置の構成を示す図解図である。It is an illustration figure which shows the structure of the resist peeling apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 図１に示すレジスト剥離装置におけるレジスト剥離処理を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the resist peeling process in the resist peeling apparatus shown in FIG. この発明の他の実施形態に係るレジスト剥離処理を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the resist peeling process which concerns on other embodiment of this invention. この発明のさらに他の実施形態に係るレジスト剥離処理を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the resist peeling process which concerns on further another embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１ スピンチャック
２ ＳＰＭノズル
１２ 制御部
Ｗ ウエハ 1 Spin chuck 2 SPM nozzle 12 Controller W Wafer

Claims (9)

基板の表面からレジストを剥離する方法であって、
基板をその表面に交差する回転軸線まわりに第１回転速度で回転させつつ、その基板の表面にレジスト剥離液を供給する第１レジスト剥離液供給工程と、
前記第１レジスト剥離液供給工程後、基板を前記回転軸線まわりに前記第１回転速度よりも高速な第２回転速度で回転させつつ、その基板の表面に前記レジスト剥離液を供給する第２レジスト剥離液供給工程とを含むことを特徴とする、レジスト剥離方法。 A method of peeling a resist from a surface of a substrate,
A first resist stripping solution supplying step of supplying a resist stripping solution to the surface of the substrate while rotating the substrate around a rotation axis intersecting the surface at a first rotational speed;
After the first resist stripping solution supplying step, the second resist for supplying the resist stripping solution to the surface of the substrate while rotating the substrate around the rotation axis at a second rotational speed higher than the first rotational speed. And a stripping solution supply step. 前記第１レジスト剥離液供給工程から前記第２レジスト剥離液供給工程に移行するまでの間に、基板の回転速度を前記第１回転速度から前記第２回転速度に上昇させる速度上昇工程をさらに含み、
前記第１レジスト剥離液供給工程、前記速度上昇工程および前記第２レジスト剥離液供給工程を通じて、基板の表面に前記レジスト剥離液を供給することを特徴とする、請求項１記載のレジスト剥離方法。 It further includes a speed increasing step of increasing the rotation speed of the substrate from the first rotation speed to the second rotation speed during the period from the first resist stripping liquid supply process to the second resist stripping liquid supply process. ,
The resist stripping method according to claim 1, wherein the resist stripping solution is supplied to the surface of the substrate through the first resist stripping solution supplying step, the speed increasing step, and the second resist stripping solution supplying step. 前記第１レジスト剥離液供給工程から前記第２レジスト剥離液供給工程に移行するまでの間に、基板の回転速度を前記第１回転速度から前記第２回転速度に上昇させる速度上昇工程をさらに含み、
前記速度上昇工程中は、基板の表面に対する前記レジスト剥離液の供給を停止させることを特徴とする、請求項１記載のレジスト剥離方法。 It further includes a speed increasing step of increasing the rotation speed of the substrate from the first rotation speed to the second rotation speed during the period from the first resist stripping liquid supply process to the second resist stripping liquid supply process. ,
The resist stripping method according to claim 1, wherein during the speed increasing step, the supply of the resist stripping solution to the surface of the substrate is stopped. 前記第１レジスト剥離液供給工程から前記第２レジスト剥離液供給工程に移行するまでの間に、基板の表面に対するレジスト剥離液の供給を停止させた状態で、基板を前記第１回転速度で回転させる反応促進工程をさらに含むことを特徴とする、請求項１記載のレジスト剥離方法。   The substrate is rotated at the first rotation speed while the supply of the resist stripping solution to the surface of the substrate is stopped during the period from the first resist stripping solution supply step to the second resist stripping solution supply step. The resist stripping method according to claim 1, further comprising a reaction promoting step. 前記レジスト剥離液は、濃硫酸を含むことを特徴とする、請求項１ないし４のいずれかに記載のレジスト剥離方法。   The resist stripping method according to claim 1, wherein the resist stripping solution contains concentrated sulfuric acid. 前記第１回転速度は、１０ｒｐｍ以上かつ２００ｒｐｍ以下の範囲内に設定されることを特徴とする、請求項１ないし５のいずれかに記載のレジスト剥離方法。   6. The resist stripping method according to claim 1, wherein the first rotation speed is set within a range of 10 rpm or more and 200 rpm or less. 基板の表面からレジストを剥離する装置であって、
基板をその表面に交差する回転軸線まわりに回転させる基板回転手段と、
前記基板回転手段によって回転されている基板の表面にレジスト剥離液を供給するためのレジスト剥離液供給手段と、
前記基板回転手段および前記レジスト剥離液供給手段を制御して、所定の第１時間にわたって、第１回転速度で回転している基板の表面にレジスト剥離液を供給させた後、基板の回転速度を前記第１回転速度よりも高速な第２回転速度に上昇させ、所定の第２時間にわたって、前記第２回転速度で回転している基板の表面にレジスト剥離液を供給させる制御手段とを含むことを特徴とする、レジスト剥離装置。 An apparatus for peeling a resist from the surface of a substrate,
Substrate rotating means for rotating the substrate around a rotation axis intersecting the surface thereof;
A resist remover supplying means for supplying a resist remover to the surface of the substrate rotated by the substrate rotating means;
The substrate rotating means and the resist stripping solution supplying means are controlled so that the resist stripping solution is supplied to the surface of the substrate rotating at the first rotational speed for a predetermined first time, and then the rotational speed of the substrate is set. Control means for increasing the second rotation speed higher than the first rotation speed and supplying a resist stripping solution to the surface of the substrate rotating at the second rotation speed for a predetermined second time. A resist stripping apparatus. 前記制御手段は、基板の回転速度を前記第１回転速度から前記第２回転速度に上昇させる間、基板に対するレジスト剥離液の供給を継続させることを特徴とする、請求項７記載のレジスト剥離装置。   8. The resist stripping apparatus according to claim 7, wherein the control means continues supplying the resist stripping solution to the substrate while increasing the rotational speed of the substrate from the first rotational speed to the second rotational speed. . 前記制御手段は、基板の回転速度を前記第１回転速度から前記第２回転速度に上昇させる間、基板に対するレジスト剥離液の供給を停止させることを特徴とする、請求項７記載のレジスト剥離装置。   8. The resist stripping apparatus according to claim 7, wherein the control means stops the supply of the resist stripping solution to the substrate while increasing the rotational speed of the substrate from the first rotational speed to the second rotational speed. .
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