JP2007067257A - 発光素子 - Google Patents
発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007067257A JP2007067257A JP2005253157A JP2005253157A JP2007067257A JP 2007067257 A JP2007067257 A JP 2007067257A JP 2005253157 A JP2005253157 A JP 2005253157A JP 2005253157 A JP2005253157 A JP 2005253157A JP 2007067257 A JP2007067257 A JP 2007067257A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- light
- layer
- gallium nitride
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】 発光素子は、n型層400c、窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層400a及びp型層400bが積層された半導体層400を有し、p型層400b上に形成されたp側電極401と、p型層400bの一部をn型層400cまで除去してなるn型層400cの露出部に形成されたn側電極403とが設けられ、実装用基板にフリップチップ実装方式で実装されるとともに、半導体層400のn型層400c側の主面から光が外部に放射される発光素子において、半導体層400はn型層400c側の主面からn型層400cの内部にかけて縦断面形状が楔状の凹部405が形成されている。
【選択図】 図4
Description
400a:発光層
400b:p型窒化ガリウム系化合物半導体層
400c:n型窒化ガリウム系化合物半導体層
401:p側電極
403:n側電極
405:凹部
406:支持体
Claims (5)
- n型窒化ガリウム系化合物半導体層、窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層及びp型窒化ガリウム系化合物半導体層を含むとともにこの順でこれらの層が積層されている半導体層を有し、前記p型窒化ガリウム系化合物半導体層上に形成されたp側電極と、前記p型窒化ガリウム系化合物半導体層の一部を前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層まで除去してなる前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層の露出部に形成されたn側電極とが設けられており、前記p側電極及び前記n側電極が実装用基板の配線導体にフリップチップ実装方式で電気的に接続されるとともに、前記半導体層の前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層側の主面から光が外部に放射される発光素子において、前記半導体層は、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層側の主面から前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層の内部にかけて縦断面形状が楔状の凹部が形成されていることを特徴とする発光素子。
- 前記凹部は前記発光層の近傍にまで達していることを特徴とする請求項1記載の発光素子。
- 前記p側電極及び前記n側電極は反射性電極であることを特徴とする請求項1または2記載の発光素子。
- 前記半導体層は、透明基板上にエピタキシャル成長されて成ることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか記載の発光素子。
- 前記半導体層は、それをエピタキシャル成長させた基板が除去されているとともに、該基板よりも透明な支持体上に支持されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか記載の発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005253157A JP2007067257A (ja) | 2005-09-01 | 2005-09-01 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005253157A JP2007067257A (ja) | 2005-09-01 | 2005-09-01 | 発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007067257A true JP2007067257A (ja) | 2007-03-15 |
Family
ID=37929078
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005253157A Pending JP2007067257A (ja) | 2005-09-01 | 2005-09-01 | 発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007067257A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010062274A (ja) * | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
WO2010047483A2 (ko) * | 2008-10-24 | 2010-04-29 | 주식회사 에피밸리 | 3족 질화물 반도체 발광소자 |
WO2015172733A1 (en) * | 2014-05-15 | 2015-11-19 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Gallium nitride flip-chip light emitting diode |
JP2017017110A (ja) * | 2015-06-29 | 2017-01-19 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 | 深紫外光を放射する半導体発光素子、該半導体発光素子を備える発光モジュール、及び該半導体発光素子の製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06302857A (ja) * | 1993-03-19 | 1994-10-28 | Hewlett Packard Co <Hp> | 発光ダイオードの製造方法 |
JP2001024222A (ja) * | 1999-07-06 | 2001-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2004087930A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
JP2004356230A (ja) * | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2005005679A (ja) * | 2003-04-15 | 2005-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2005039284A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子とそれを用いた発光装置 |
-
2005
- 2005-09-01 JP JP2005253157A patent/JP2007067257A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06302857A (ja) * | 1993-03-19 | 1994-10-28 | Hewlett Packard Co <Hp> | 発光ダイオードの製造方法 |
JP2001024222A (ja) * | 1999-07-06 | 2001-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2004087930A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
JP2005005679A (ja) * | 2003-04-15 | 2005-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2004356230A (ja) * | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2005039284A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子とそれを用いた発光装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010062274A (ja) * | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
WO2010047483A2 (ko) * | 2008-10-24 | 2010-04-29 | 주식회사 에피밸리 | 3족 질화물 반도체 발광소자 |
WO2010047483A3 (ko) * | 2008-10-24 | 2010-08-05 | 주식회사 에피밸리 | 3족 질화물 반도체 발광소자 |
WO2015172733A1 (en) * | 2014-05-15 | 2015-11-19 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Gallium nitride flip-chip light emitting diode |
US9966519B2 (en) | 2014-05-15 | 2018-05-08 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Gallium nitride flip-chip light emitting diode |
JP2017017110A (ja) * | 2015-06-29 | 2017-01-19 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 | 深紫外光を放射する半導体発光素子、該半導体発光素子を備える発光モジュール、及び該半導体発光素子の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9142729B2 (en) | Light emitting element | |
JP4976849B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP5953155B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
US10177281B2 (en) | Light-emitting diode | |
US11404606B2 (en) | Semiconductor light-emitting element | |
US20070102692A1 (en) | Semiconductor light emitting device | |
TWI613837B (zh) | 半導體發光裝置 | |
JP5377725B1 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2008192690A (ja) | 半導体発光素子 | |
US20070290221A1 (en) | Light emitting diode and manufacturing method of the same | |
JP4849866B2 (ja) | 照明装置 | |
JP4873930B2 (ja) | 反射電極及びそれを備える化合物半導体の発光素子 | |
US20100289047A1 (en) | Light Emitting Element and Illumination Device | |
US10461223B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2006128202A (ja) | 発光素子およびそれを用いた照明装置 | |
JP2007067257A (ja) | 発光素子 | |
TW201637241A (zh) | 半導體發光元件、發光裝置及半導體發光元件之製造方法 | |
TWI628808B (zh) | 發光元件 | |
JP2005302803A (ja) | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP5865870B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP6208979B2 (ja) | 半導体発光素子アレイ | |
KR20170088663A (ko) | 자외선 발광 소자 | |
JP5247417B2 (ja) | 発光素子およびそれを具備する発光素子アレイ | |
JP2007250714A (ja) | 発光素子 | |
JP2007173569A (ja) | 発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080314 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100817 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100824 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101025 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110802 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110915 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120522 |