JP2007066973A - コモンモードチョークコイル - Google Patents

Abstract

【課題】 小型・低背なコモンモードチョークコイルを提供する。
【解決手段】 互いに対向配置された一対の渦巻き状のコイルが埋め込まれた積層体１０と、該積層体１０上面又は下面に形成した端子電極２１〜２４とを備えたコモンモードチョークコイル１において、前記積層体１０は、前記一対の渦巻き状コイル６１，６２が埋め込まれた第１の絶縁体層３０と、該第１の絶縁体層３０の上面及び下面に非焼結方式成膜法で形成された一対の膜状磁性体層４１，４２と、該膜状磁性体層４１，４２上に形成された一対の第２の絶縁体層５１，５２とを積層してなり、該第２の絶縁体層５１には前記端子電極２１〜２４が一部に形成された引出電極７１〜７４が埋設し、該引出電極７１〜７４は前記膜状磁性体層４１を貫通するビアホール８１〜８４を介して前記コイル６１，６２に接続している。
【選択図】 図３

Description

本発明は、高速差動伝送などの用途においてコモンモードノイズの除去などを目的として用いられるコモンモードチョークコイルに関し、特に非巻線型のコモンモードチョークコイルに関する。

コモンモードチョークコイルは巻線型と非巻線型に大別されるが、後者の非巻線型のコイルは小型化・低背化という観点から好ましいものである。従来、非巻線型のコモンモードチョークコイルの基本構造としては特許文献１に記載されたものが知られている。このコモンモードチョークコイルは、フェライトの焼結体等からなる一対の磁性体基板と、この磁性体基板に挟まれた積層体とを備えている。積層体は、絶縁体層とコイル導体層及び引出電極層とを積層したものである。絶縁体層はポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等の材料により形成されている。
特開平８−２０３７３７号公報

この種のコモンモードチョークコイルでは、低背化すなわち部品厚みの薄型化が大きな課題としてある。従来のコモンモードチョークコイルでは磁性体基板として数百μｍ厚のフェライト板を用いており、このフェライト板の厚みが部品全体の厚みの半分以上を占めている。そこで、低背化の方向性として該磁性体基板の薄型化が検討されるが、機械的強度の問題から１００μｍ以下のフェライト板の製造・実装は困難であった。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、小型・低背なコモンモードチョークコイルを提供することにある。

上記目的を達成するために、本願では、互いに対向配置された一対の渦巻き状のコイルが埋め込まれた積層体と、該積層体上面又は下面に形成した端子電極とを備えたコモンモードチョークコイルにおいて、前記積層体は、前記一対の渦巻き状コイルが埋め込まれた第１の絶縁体層と、該第１の絶縁体層の上面及び下面に非焼結方式成膜法で形成された一対の膜状磁性体層と、該膜状磁性体層上に形成された一対の第２の絶縁体層とを積層してなり、該第２の絶縁体層には前記端子電極が一部に形成された引出電極が埋設し、該引出電極は前記膜状磁性体層を貫通するビアホールを介して前記コイルに接続していることを特徴とするものを提案する。

本発明によれば、磁性体が非焼結方式成膜法により形成された極めて薄い膜状磁性体からなるので、フェライト板を用いていた従来のものと比較して大幅な小型・低背化が可能となる。なお、非焼結方式成膜法としては、フェライトメッキ，エアロゾルデポジション法，スパッタ法，レーザー蒸着法、ＣＶＤなどがあげられ、この非焼結方式成膜法で形成した膜状磁性体を使ったコモンモードチョークコイルは、フェライト焼結体を使ったそれと比較して同程度かそれ以上の性能が出せることがシミュレーションより確認されている。

また、この種の電子部品では基板実装時の信頼性も重要な課題となる。具体的には実装時の衝撃耐性が課題となる。本願発明では、比較的衝撃に弱い非焼結膜状磁性体上を第２の絶縁体層で被覆しているので、容易に信頼性を向上させることができる。なお、この第２の絶縁体層として絶縁性樹脂層を用いると、衝撃吸収率に優れ、また線膨張係数の調整を容易に行うことができるので、実装時の信頼性向上という観点から更に好適である。

以上説明したように本発明に係るコモンモードチョークコイルによれば、コモンモードインピーダンスなどの性能を維持しつつ、従来品と比較して大幅な小型・低背化を実現できる。

（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルについて図面を参照して説明する。図１はコモンモードチョークコイルの外観斜視図、図２は積層体の分解斜視図、図３は積層体の断面図である。

このコモンモードチョークコイル１は、図１に示すように、一対のコイルが埋設されされた積層体１０と、該積層体１０の上面又は下面の何れか一方に形成され、それぞれ各コイル端に接続した端子電極２１，２２，２３，２４とを備えている。端子電極２１，２２，２３，２４は、格子状に等間隔で配置されており、各端子電極２１，２２，２３，２４のピッチ間隔は集積回路等で広く用いられているものと共通である。積層体１０は、各コイルが埋設された第１の絶縁体層３０と、第１の絶縁体層３０の両面に形成された膜状の磁性体層４１，４２と、磁性体層４１，４２の外側に形成された第２の絶縁体層５１，５２とを積層した構造となっている。第２の絶縁体層５１，５２は、それぞれ磁性体層４１，４２の外側に形成された絶縁性樹脂層５３，５４と、該絶縁性樹脂層５３，５４を被覆するように形成された被覆層５５，５６を積層した構造となっている。

積層体１０の内部構造について図２の分解斜視図及び図３の断面図を参照して説明する。なお、図２はコイル及び端子電極の構造を説明するため積層体１０の層構造については図示を省略した。また、図３は端子電極２１，２３を通る線で切断した断面図である。

図２及び図３に示すように、積層体１０内には、互いに対向配置された一対の渦巻き状のコイル導体６１，６２と、コイル導体６１，６２の外周側端部又は内周側端部に接続する引出電極７１，７２，７３，７４とが埋設されている。コイル導体６１，６２は第１の絶縁体層３０に埋設されている。引出電極７１，７２，７３，７４は第２の絶縁体層５１に埋設されている。より具体的には、引出電極７１，７２，７３，７４は、絶縁性樹脂層５３と被覆層５５の境界に形成されている。各引出電極７１，７２，７３，７４の一方の端部には、前記端子電極２１，２２，２３，２４が形成されている。この端子電極２１，２２，２３，２４は、前記被覆層５５を貫通して形成されている。引出電極７１，７２の他方の端部は、コイル導体６１，６２の外周側端部と厚み方向に重なる位置まで延びており、絶縁性樹脂層５３，磁性体層４１，第１の絶縁体層３０を貫通するビア８１，８２によりコイル導体６１，６２の外周側端部と電気的に接続されている。一方、引出電極７３，７４の他方の端部は、コイル導体６１，６２の内周側端部と厚み方向に重なる位置まで延びており、絶縁性樹脂層５３，磁性体層４１，第１の絶縁体層３０を貫通するビア８３，８４によりコイル導体６１，６２の内周側端部と電気的に接続されている。

コイル導体６１，６２、引出電極７１〜７４の材料としては、導電性に優れた金属、例えばＡｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｌ或いはこれらの合金などが用いられる。端子電極２１〜２４の材料としては、半田（ペースト，ボール，鉛フリー半田等）、無電解ニッケル／金メッキなどを用いることができる。

第１の絶縁体層３０及び絶縁性樹脂層５３，５４としては、プリント配線板や薄膜プロセスの層間絶縁層として用いられる基材と同じものが用いられ、これらで一般的に用いられるベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）ポリイミド，エポキシ，ポリエステルなどの有機樹脂を材料とする。また、第１の絶縁体層３０及び絶縁性樹脂層５３，５４の線膨張係数は、実装先の基板の線膨張係数と近い値が好ましく、具体的には１０〜８０ｐｐｍが好ましい。被膜層５５，５６としては、具体的には、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の有機樹脂、特にソルダーマスク、ソルダーレジスト、カバーレイフィルム等で用いられるエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等が望ましい。

磁性体層４１，４２は、透磁率１５以上を有する磁性体材料からなり、フェライトメッキ、エアロゾルディポジション法、スパッタ法，レーザー蒸着法、ＣＶＤなどの非焼結方式成膜法により形成された強磁性膜である。磁性体層４１，４２の厚みは、数十μｍ以下（７５μｍ未満）である。

本発明の磁性体層の厚さは、７５μｍ未満であることが推奨され、好ましくは１０〜７５μｍ未満、より好ましくは２０μｍ〜５０μｍである。なお、磁性体層が薄すぎると磁気飽和を起こしやすくなり、所望の特性を得られない場合がある。一方、磁性体層が厚すぎると低背化が困難となり、コスト高にもつながるおそれがある。

次に、このコモンモードチョークコイルの製造方法について図４及び図５を参照して説明する。なお、図面に参照されていない番号を引用している箇所については、他の図面の同一の参照符号の部分を示し、その説明は省略する。

まず、従来からプリント配線板の製造において採用されているビルドアップ法を用いて第１の絶縁体層３０に相当する部分を製造する。具体的には、図４に示すように、第１の絶縁体層３０のうちコイル導体６１，６２の間に介在する部分となる基台１０１の両面に、メッキ，エッチング，印刷，インクジェット法などによりコイル導体パターン１０２を形成する（図４（ａ））。

次に、第１の絶縁体層３０の他の部分に相当する樹脂層１０３を基台１０１の両面に形成する（図４（ｂ））。この樹脂層１０３は銅張積層板（ＲＣＣ）やドライフィルム状の絶縁材料の場合には熱真空ラミネートや静水圧プレス法などで成膜し、液状の絶縁材料の場合はスピンコート法で成膜する。特に熱真空ラミネートを用いると膜厚バラツキを抑える点で好適である。樹脂層１０３の材料としては各種有機樹脂が用いられるが、樹脂としては熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂のどちらであってもよい。

熱硬化性樹脂の例としては、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビニルエステル樹脂、ポリイミド樹脂（ＰＩ）、ポリフェニレンエーテルオキサイド樹脂（ＰＰＯ）、ビスマレイミドトリアジンシアネートエステル樹脂、フマレート樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリビニルベンジルエーテル樹脂などが挙げられる。また熱可塑性樹脂の例としては、超低密度ポリエチレン樹脂（ＶＬＤＰＥ）、低密度ポリエチレン樹脂（ＬＤＰＥ）、線状低密度ポリエチレン樹脂（ＬＬＤＰＥ）、中密度ポリエチレン樹脂（ＭＤＰＥ）、高密度ポリエチレン樹脂（ＨＤＰＥ）、ポリプロピレン樹脂（ＰＰ）、ポリブテン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、エチレン・ビニルアルコール共重合体、ポリアクリロニトリル、ポリアミド樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、アイソタクチックポリスチレン樹脂、液晶ポリマーなどが挙げられる。特に、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂（ＰＩ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）は、低誘電率で且つ低誘電正接であること、及び、耐薬品性に優れており且つ低吸水率であるため高信頼性を確保することができる点で好ましい。

なお、熱可塑性樹脂を用いる場合、ラミネートによるより内側の絶縁層厚変動を防ぐため基台となる絶縁樹脂層よりもより外側の絶縁樹脂層の可塑温度が低いことが重要である。

次に、樹脂層１０３の両面に、フェライトメッキ、エアロゾルディポジション法、スパッタ法、レーザー蒸着法、ＣＶＤなどの非焼結方式成膜法によってフェライト膜からなる磁性体層１０４を厚み数十μｍ以下で形成する（図４（ｃ））。次に、磁性体層１０４の表面に、絶縁性樹脂層５３，５４に相当する樹脂層１０５を前述と同様の手法・材料で形成する（図４（ｄ））。次に、ビア８１，８２，８３，８４を形成するために貫通孔を形成し、さらに引出電極パターン１０６を形成する（図４（ｅ））。次に、絶縁性樹脂層５３，５４及び引出電極パターン１０６を被覆するように、さらに被覆層５５，５６に相当する樹脂層１０７を形成する（図５（ｆ））。次に、この樹脂層１０７に、端子電極の形成位置に前記引出電極パターン１０６が露出するよう、貫通孔１０８を形成する（図５（ｇ））。樹脂層１０７及び貫通孔１０８の形成工程では、従来周知の感光性ソルダレジスト法を用いる。次に、この貫通孔１０８に、従来周知のフォトリソグラフ法を用いて端子電極１０９を形成する（図５（ｈ））。次に、この積層体を単位部品毎にカットすることで積層体１０が得られる（図５（ｉ））。最後に、端子電極の表面にメッキ膜や、さらに必要に応じてボールバンプを形成することで、コモンモードチョークコイル１が得られる。

本実施の形態に係るコモンモードチョークコイル１によれば、フェライトメッキ、エアロゾルデポジション法、スパッタ法、レーザー蒸着法、ＣＶＤなどの非焼結方式成膜法により数十μｍ以下の厚みに形成したので、小型・低背なものとなる。また、コモンモードチョークコイル１の上下面は磁性体層４１，４２を被覆するように絶縁性の樹脂層５３，５４が形成されているので、耐衝撃性に優れているとともに、樹脂層５３，５４の線膨張係数を１０〜８０ｐｐｍとすることで基板実装時の信頼性が向上する。

また、本実施の形態では、一対のコイル導体６１，６２の間に介在する部位を基台として、磁性体層４１，４２方向にビルドアップ法により第１の絶縁体層３０を形成したので、一対のコイル導体６１、６２の間隔を高精度に安定させることができる。このコイル間隔はコモンモードチョークコイルの特性に大きく影響するので、特性の安定性という観点から好適である。

（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルについて図面を参照して説明する。図６はコモンモードチョークコイルの断面図である。

本実施の形態に係るコモンモードチョークコイル２が第１の実施の形態と異なる点は、第１の実施の形態では磁路が開放された開磁路型となっているのに対して、本実施の形態では磁路が閉じた閉磁路型となっている点にある。すなわち、積層体１０における層構造が第１の実施の形態と相違する。コイル導体６１，６２や引出電極７１〜７４などの電極構造については第１の実施の形態と同様である。

積層体１０は、図６に示すように、第１の実施の形態と同様の材料からなる絶縁体層３５内に、コイル導体６１，６２や引出電極７１〜７４やビア８１〜８４を埋設した構造となっている。磁性体層４１，４２は、第１の実施の形態と同様に、コイル導体６１，６２の形成層と引出電極７１〜７４の形成層の間に配置されている。ただし、第１の実施の形態とは異なり、磁性体層４１，４２が、コイル導体６１，６２の内周の内側において第２の磁性体９１によって接続され、コイル導体６１，６２の外周の外側において第３の磁性体９２によって接続した構造となっている。この磁性体層４１と、前記第２の磁性体９１及び第３の磁性体９２は一体となって、積層面と交差する方向に面状に形成されている。コイル導体６１，６２の引出電極７１〜７４を接続するビアホール８１〜８４は磁性体層４１を貫通している。また、磁性体層４１，４２は積層体１０の側面までは延びておらず、前記第３の磁性体９２の端部まで形成された構造となっている。すなわち、磁性体層４１，４２、第２の磁性体９１，第３の磁性体９２により閉磁路が形成される。

次に、このコモンモードチョークコイル２の製造方法について図７及び図８を参照して説明する。

まず、第１の実施の形態における図４（ａ）〜（ｂ）と同様の手法・手順で、コイル導体が埋設された積層体２０１を得る（図７（ａ））。次に、この積層体２０１に、前述の第２の磁性体９１を成膜するための貫通孔２０２をコイルの内側に形成するとともに、第３の磁性体９２を成膜するための貫通孔２０３をコイルの内側に形成する（図７（ｂ））。この貫通孔２０２，２０３は内部の電極パターンを切断しないようレーザー、サンドブラスト、化学エッチングなどの方法で形成する。

一方、前記磁性体層４２を被覆する絶縁樹脂層５４に相当する絶縁シート２０４を用意し、この絶縁シート２０４に上述のフェライトメッキ、エアロゾルデポジション法、スパッタ法、レーザー蒸着法、ＣＶＤなどの非焼結方式成膜法により磁性体膜２０５を形成し、この絶縁シート２０４を前記積層体２０１に貼り合わせる（図７（ｃ），（ｄ））。

次に、前記貫通孔２０２及び２０３の内面に、前記と同様にフェライトメッキ、エアロゾルデポジション法、スパッタ法、レーザー蒸着法、ＣＶＤなどの非焼結方式成膜法により磁性体膜２０６を一体に形成する（図８（ｅ））。そして、磁性体膜２０６の上面に樹脂層２０７を形成する（図８（ｆ））。このとき、貫通孔２０３内にも樹脂が充填される。以降は、第１の実施の形態と同様に、引出電極２０８の形成（図８（ｇ））、被覆層２０９の形成（図８（ｈ））、端子電極の形成（図示省略）、切断（図示省略）、メッキ処理等（図示省略）を行うことにより、コモンモードチョークコイル２が得られる。

次に、本実施の形態に係るコモンモードチョークコイル５の他の製造方法について図９及び図１０を参照して説明する。

まず、第１の実施の形態と同様に、磁性体層４１，４２の間の層についてビルドアップ法などにより作成して積層体２１１を得て、この積層体２１１の一方の面に上述の非焼結方式成膜法により磁性体膜２１２を形成する（図９（ａ））。次に、この積層体２１１に、前述の第２の磁性体９１を成膜するための貫通孔２１３をコイルの外側に形成するとともに、第３の磁性体９２を成膜するための貫通孔２１４をコイルの内側に形成する（図９（ｂ））。この貫通孔２１３，２１４は内部の電極パターンを切断しないようレーザー、サンドブラスト、化学エッチングなどの方法で形成する。

次に、前記磁性体層４２を被覆する絶縁樹脂層５４に相当する絶縁シート２１５を用意し、この絶縁シート２１５を積層体２１１に貼り合わせる（図９（ｃ），（ｄ））。次に、前記貫通孔２１３及び貫通孔２１４の内面並びに貫通孔２１３の底面に磁性体膜２１６を前記非焼結方式成膜法により一体に形成する（図９（ｅ））。以降は、図７及び図８を参照して説明した方法及び第１の実施の形態と同様に、磁性体膜２１６の上面に樹脂層を形成し、引出電極を形成し、被覆層を形成し、端子電極を形成し、積層体を切断し、短資電極のメッキ処理等（いずれも図示省略）を行うことにより、コモンモードチョークコイル２が得られる。

本実施の形態に係るコモンモードチョークコイル２によれば、積層体１０内において磁路が閉じた構造となるので、コモンモードインピーダンスが向上したものとなる。他の作用・効果については第１の実施の形態と同様である。

（第３の実施の形態）
本発明の第３の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルについて図面を参照して説明する。図１０はコモンモードチョークコイルの外観斜視図、図１１はコモンモードチョークコイルの断面図である。

本実施の形態に係るコモンモードチョークコイル３が第１の実施の形態と異なる点は、第１の実施の形態では一対のコイルを内蔵した２回路４端子のコモンモードチョークコイルであったのに対して、本実施の形態では二対のコイルを内蔵した４回路８端子のアレイ型コモンモードチョークコイルとした点にある。なお、図１０及び図１１においては、各系統を表すために参照符号の末尾に「ａ」「ｂ」という符号を付している。

このコモンモードチョークコイル３は、図１０及び図１１に示すように、第１の実施の形態と同様に、積層体１０の上面又は下面の何れか一方に、それぞれ各コイル端に接続した端子電極２１ａ〜２４ａ，２１ｂ〜２４ｂが形成されている。端子電極２１ａ〜２４ａ，２１ｂ〜２４ｂは、格子状に等間隔に配置されており、各端子電極２１ａ〜２４ａ，２１ｂ〜２４ｂのピッチ間隔は集積回路等で広く用いられているものと共通である。積層体１０は、第１の実施の形態と同様に、第１の絶縁体層３０、第１の絶縁体層３０の両面に形成された磁性体層４１，４２、磁性体層４１，４２の表面に形成された第２の絶縁体層５１，５２とを積層した構造となっている。第２の絶縁体層５１，５２は、第１の実施の形態と同様に、それぞれ磁性体層４１，４２の外側に形成された絶縁性樹脂層５３，５４と、該絶縁性樹脂層５３，５４を被覆するように形成された被覆層５５，５６を積層した構造となっている。

積層体１０内のコイル及び引出電極の構造は第１の実施の形態にかかるコイル及び引出電極を二系統分並設した構造となっている。本実施の形態の特徴的な点は、図１１に示すように、磁性体層４１，４２が各系統毎に分離されている点にある。すなわち、磁性体層４１ａ，４２ａの間に第１の系統に係るコイル導体６１ａ，６２ａが配置されており、磁性体層４１ｂ，４２ｂの間に第２の系統に係るコイル導体６１ｂ，６２ｂが配置されている。他の構成・材質・製造方法等は第１の実施の形態と同様である。

本実施の形態に係るコモンモードチョークコイルによれば、磁性体層４１，４２が各系統毎に分離されているので、系統間での磁気的結合を低減させることができる。これにより、系統間でのクロストークを低減させることができる。他の作用・効果については第１の実施の形態と同様である。なお、本実施の形態は第１の実施の形態の変形例として説明したが、第２の実施の形態のコモンモードチョークコイルに対しても同様の構成を採用することができる。

（第４の実施の形態）
本発明の第４の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルについて図面を参照して説明する。図１２はコモンモードチョークコイルの断面図、図１３は積層体の分解斜視図である。

本実施の形態に係るコモンモードチョークコイル４が第２の実施の形態と異なる点は、図１２及び図１３に示すように、積層体１０の両面に端子電極を設けている点にある。具体的には、積層体１０の一方の面には、第２の実施の形態と同様に端子電極２１〜２４が形成されており、他方の面には積層体１０を挟んで前記端子電極２１〜２４と対向する位置に端子電極２５〜２８が形成されている。

第２の絶縁体層５２には、第２の絶縁体層５１内に埋設されている引出電極７１〜７４と同様の引出電極７５〜７８が埋設されている。より具体的には、各引出電極７５〜７８は、絶縁性樹脂層５４と被覆層５６の境界に形成されている。また、各引出電極７５〜７８は、第２の絶縁体層５１に形成された引出電極７１〜７４と対称な位置・形状で形成されている。引出電極７５〜７８の一方の端部には、前記端子電極２５〜２８が形成されている。引出電極７５〜７８の他方の端部は、ビア８５〜８８を介してコイル導体６１，６２の端部に接続している。このような構成により、対向する端子電極２１と２５，２２と２６，２３と２７，２４と２８は、それぞれ導通接続する。他の構成・材質・製造方法等は第２の実施の形態と同様である。

本実施の形態によれば、積層体１０の両面に端子電極２１〜２８が形成されているので、実装の自由度が向上する。具体的には、部品の上下がないのでバルクフィーダ実装が可能となり、テーピング実装と比較して実装コストの低減、実装後の不要テープの処理の削減が可能となる。また、本コモンモードチョークコイルを部品内蔵基板に埋め込む場合など３次元実装を行う場合は、上面又は下面の端子電極を任意に選ぶことができる。この結果、従来の非巻線型コモンモードチョークコイルと比較して配線ピッチを広げることなく、且つ、第２の実施の形態のものと比較して配線をより短く引き回すことが可能となる。他の作用・効果については第２の実施の形態と同様である。なお、本実施の形態は第２の実施の形態の変形例として説明したが、第１又は第３の実施の形態のコモンモードチョークコイルに対しても同様の構成を採用することができる。

（第５の実施の形態）
本発明の第５の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルについて図面を参照して説明する。図１４はコモンモードチョークコイルの断面図、図１５は積層体の分解斜視図である。

本実施の形態に係るコモンモードチョークコイル５が第２の実施の形態と異なる点は、図１４及び図１５に示すように、入力側の端子電極と出力側の端子電極とを積層体１０の異なる面に設けている点にある。具体的には、積層体１０の一方の面には、端子電極２１，２２が形成されており、他方の面には端子電極２３，２４が形成されている。

第２の絶縁体層５１には、コイル導体６１，６２の内周側端部と接続する引出電極７３，７４が埋設されている。より具体的には、各引出電極７３，７４は、絶縁性樹脂層５３と被覆層５５の境界に形成されている。引出電極７３，７４の一方の端部には、前記端子電極２３、２４が形成されている。引出電極７３，７４の他方の端部は、ビア８３，８４を介してコイル導体６１，６２の内周側端部に接続している。

一方、第２の絶縁体層５２には、コイル導体６１，６２の外周側端部と接続する引出電極７１，７２が埋設されている。より具体的には、各引出電極７１，７２は、絶縁性樹脂層５４と被覆層５６の境界に形成されている。引出電極７１，７２の一方の端部には、前記端子電極２１、２２が形成されている。引出電極７１，７２の他方の端部は、ビア８１，８２を介してコイル導体６１，６２の外周側端部に接続している。他の構成・材質・製造方法等は第２の実施の形態と同様である。

なお、以上のような構成は、第４の実施の形態に係るコモンモードチョークコイル４から、端子電極２１，２２，２７，２８、引出電極７１，７２，７７，７８、ビア８１，８２，８７，８８を取り除いたものに相当する。

本実施の形態によれば、入力用端子電極と出力用端子電極が積層体１０の異なる面に形成されているので、実装の自由度が向上する。具体的には、本コモンモードチョークコイルを部品内蔵基板に埋め込む場合など３次元実装を行う場合、その回路構成によっては、配線ピッチを広げることなく、且つ、第２の実施の形態のものと比較して配線をより短く引き回すことが可能となる。またこの場合、第４の実施の形態では利用していない端子電極，引出電極，ビアによりノイズが生じるおそれがあるが、本実施の形態では利用していない端子電極，引出電極，ビアは存在しないので、前述のノイズ発生による信号劣化を防止できる。他の作用・効果については第２の実施の形態と同様である。なお、本実施の形態は第２の実施の形態の変形例として説明したが、第１又は第３の実施の形態のコモンモードチョークコイルに対しても同様の構成を採用することができる。

（第６の実施の形態）
本発明の第６の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルについて図面を参照して説明する。図１６はコモンモードチョークコイルの断面図、図１７は積層体の分解斜視図である。

本実施の形態に係るコモンモードチョークコイル６が第２の実施の形態と異なる点は、一対のコイルをそれぞれ多層に亘って形成した点にある。本実施の形態では、図１５及び図１６に示すように、それぞれ異なる層に一方のコイルに係るコイル導体６１及び６３が形成されている。他方のコイルに係るコイル導体６２は、第２の実施の形態と同様に、前記コイル導体６１と対向配置されている。また、コイル導体６２と異なる層にはコイル導体６４が形成されている。ここで、一方のコイルに係るコイル導体６１，６３と、他方のコイルに係るコイル導体６２，６３とは交互に積層している。

一方のコイル導体６１及び６３の内周側端部はビア３０１により互いに接続している。コイル導体６１の外周側端部は、ビア８３及び引出電極７３を介して端子電極２３と接続している。また、コイル導体６３の外周側端部は、ビア８１及び引出電極７１を介して端子電極２１と接続している。

他方のコイル導体６２及び６４の内周側端部はビア３０２により互いに接続している。コイル導体６２の外周側端部は、ビア８４及び引出電極７４を介して端子電極２４と接続している。また、コイル導体６４の外周側端部は、ビア８２及び引出電極７２を介して端子電極２２と接続している。他の構成・材質・製造方法等は第２の実施の形態と同様である。

本実施の形態に係るコモンモードチョークコイル６によれば、第２の実施の形態と比較して、同じ実装面積中で各コイルの巻回数を多くすることができるので、コモンモードインピーダンスの向上という観点から好適である。他の作用・効果については第２の実施の形態と同様である。なお、本実施の形態は第２の実施の形態の変形例として説明したが、第１又は第３乃至第５の実施の形態のコモンモードチョークコイルに対しても同様の構成を採用することができる。

なお、本実施の形態では、一方のコイルに係るコイル導体６１，６３と、他方のコイルに係るコイル導体６２，６３とは交互に積層しているが、一方のコイルに係るコイル導体６１，６３、他方のコイルに係るコイル導体６２，６３の順に積層するようにしてもよい。もっとも、シミュレーションの結果、交互に積層したものの方がノーマルインピーダンスの低下を図れたので、この観点からは交互に積層した方が好適である。

以上、本発明の実施の形態について説明したが本発明はこれに限定されるものではない。例えば、上記実施の形態では一対のコイルを内蔵した２回路４端子や４回路８端子のコモンモードチョークコイルについて説明したが、３回路６端子のコモンモードチョークコイルにも本発明を適用することができる。また、上記第６の実施の形態では、一つのコイルを２層にわたって形成したが３層以上に亘って形成するようにしてもよい。

第１の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの外観斜視図 第１の実施の形態に係る積層体の構造を説明する分解斜視図 第１の実施の形態に係る積層体の断面図 第１の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの製造方法を説明する図 第１の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの製造方法を説明する図 第２の実施の形態に係る積層体の断面図 第２の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの製造方法を説明する図 第２の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの製造方法を説明する図 第２の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの他の例に係る製造方法を説明する図 第３の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの外観斜視図 第３の実施の形態に係る積層体の断面図 第４の実施の形態に係る積層体の断面図 第４の実施の形態に係る積層体の構造を説明する分解斜視図 第５の実施の形態に係る積層体の断面図 第５の実施の形態に係る積層体の構造を説明する分解斜視図 第６の実施の形態に係る積層体の断面図 第６の実施の形態に係る積層体の構造を説明する分解斜視図

符号の説明

１，２，３，４，５，６…コモンモードチョークコイル、１０…積層体、２１〜２８…端子電極、３０，３５，５１，５２…絶縁体層、５３，５４…絶縁性樹脂層、５５，５６…被膜層、４１，４２…磁性体層、６１〜６４…コイル導体、７１〜７８…引出電極、８１〜８８，３０１，３０２…ビア、９１…第２の磁性体、９２…第３の磁性体。

Claims (7)

1. 互いに対向配置された一対の渦巻き状のコイルが埋め込まれた積層体と、該積層体上面又は下面に形成した端子電極とを備えたコモンモードチョークコイルにおいて、
   前記積層体は、前記一対の渦巻き状コイルが埋め込まれた第１の絶縁体層と、該第１の絶縁体層の上面及び下面に非焼結方式成膜法で形成された一対の膜状磁性体層と、該膜状磁性体層上に形成された一対の第２の絶縁体層とを積層してなり、
   該第２の絶縁体層には前記端子電極が一部に形成された引出電極が埋設し、
   該引出電極は前記膜状磁性体層を貫通するビアホールを介して前記コイルに接続している
   ことを特徴とするコモンモードチョークコイル。
2. 前記一対の膜状磁性体層は、コイルの内周の内側において第１の絶縁体層と交差する面に形成された第２の膜状磁性体により互いに接続されている
   ことを特徴とする請求項１記載のコモンモードチョークコイル。
3. 前記一対の膜状磁性体層は、コイルの外周の外側において第１の絶縁体層と交差する面に形成された第３の膜状磁性体により互いに接続されている
   ことを特徴とする請求項１又は２の何れか１項記載のコモンモードチョークコイル。
4. 前記第２の絶縁体層は、膜状磁性体層上に形成された絶縁性樹脂層と、前記端子電極のみが露出するよう絶縁性樹脂層及び引出電極を被覆した被覆層とを積層してなる
   ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項記載のコモンモードチョークコイル。
5. 複数対のコイルを備えるとともに、前記膜状磁性体層は各コイル対に対応して分離形成されている
   ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項記載のコモンモードチョークコイル。
6. 前記膜状磁性体層の厚みは７５μｍ未満である
   ことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項記載のコモンモードチョークコイル。
7. 前記絶縁性樹脂層の線膨張係数は１０ｐｐｍ以上８０ｐｐｍ以下である
   ことを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項記載のコモンモードチョークコイル。
   

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