JP2007065665A - デバイス製造方法、マスクおよびデバイス - Google Patents

Abstract

【課題】着色した放射線感光材料の層内に覆われた基板が、自身上に投影された放射線のパターン形成ビームを有するＣＣＤまたはＣＭＯＳイメージセンサの製造に使用する方法を提供する。
【解決手段】放射線のパターン形成ビームＰＢは、製品ダイの領域にデバイス・フィーチャーを形成するためのパターン、および他の領域にアラインメントマーク１０１のフィーチャーを形成する際に使用するパターンを含む。これは、着色したレジスト１０の下にあるアラインメントマーク１０１上での位置合わせの困難を回避する。
【選択図】図５ａ

Description

本発明は、デバイスを製造する方法、その方法で用いるマスク、および、その方法で製造されたデバイスに関するものである。

リソグラフィ装置は、所望パターンを基板（通常は、基板の目標部分）に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造で使用可能である。その場合、マスクまたはレチクルと呼ばれるパターン付与デバイスを、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンの形成に使用できる。このパターンを、基板（例えば、シリコンウェハ）上の目標部分（例えば、１つ以上のダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は、通常、基板に設けた放射線感光材料（レジスト）の層への描像を介する。一般的に、１枚の基板は、順次照射される、網目状をなして互いに隣接する複数の目標部分を含んでいる。既知のリソグラフィ装置は、パターン全体を目標部分に１回露光することによって各目標部分が照射される、所謂ステッパと、所定方向（走査方向）に投影ビームでパターンを走査し、同時に、この方向と平行方向に、または、反平行方向に基板を走査することによって、各目標部分が照射される、所謂スキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによって、パターン付与デバイスのパターンを基板に転写することもできる。

ＣＣＤおよびＣＭＯＳイメージセンサの製造では、各検出ピクセルがカラーフィルターで覆われるように、イメージセンサの表面にカラーフィルターが付与される。多くの場合、赤、緑および青色フィルターが用いられ、幾つかの用途では、青緑、赤紫、緑、および、黄色のカラーフィルターが使用される。したがって、ＣＣＤまたはＣＭＯＳイメージセンサの製造の最終段階の一つは、着色された放射線感光材料（レジスト）の層を基板に塗布し、その放射線感光材料（カラーレジストは通常、ネガ型レジストである）を照射することであり、したがってその後にレジストを現像する間、その特定の色の必要なフィルターが、望ましいピクセル上の所定の位置に留まる。一般に、図６で示すようなピクセル・グリッドを作るために、最初に緑色または赤色レジストを用い、次に、緑色または赤色のうちの他方のレジストを用い、最後に、青色レジストを用いる。図面では、青色（Ｂ）、赤色（Ｒ）および緑色（Ｇ）のフィルターが、ピクセル上の規則的パターンで配置されている。

ＣＣＤおよびＣＭＯＳイメージセンサ上にカラーフィルターを形成する最終製造段階で、マスクに対する基板の位置合わせの正確さを向上できる方法の提供が望まれる。

本発明の一特徴によると、以下のデバイス製造方法が提供される。
着色された放射線感光材料から成る第一層で覆われた基板に、パターン化された放射ビームを投影することを含み、前記パターン化されたビームのパターンは、製品ダイの領域にデバイス・フィーチャーを形成するために用いられるパターンと、その他の領域にアラインメントマーク・フィーチャーを形成するために用いられるパターンとを含むデバイス製造方法。

本発明の一特徴によると、以下の前記デバイス製造方法で用いるマスクが提供される。
基板上の１つ以上のダイ上にカラーフィルターを形成する際に用いられるパターンを放射線の投影ビームに与えるためのパターン付与構造と、前記ダイの外側領域にアラインメントマークを形成する際に用いられるパターンを前記放射線の投影ビームに与えるためのパターン付与構造とを含むマスク。

本発明の一特徴によると、本発明により製造され、前記アラインメントマークのフィーチャーを含むデバイスが提供される。

以下、添付図を見ながら、単なる例示としての本発明の具体例について説明する。図中、同じ符号は同じ部品を示す。

図１は、本発明の一例としてのリソグラフィ装置を模式的に示す。このリソグラフィ装置は、
放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射線またはＥＵＶ放射線）を調整するように構成された照明系（照明装置）ＩＬと、
パターン付与デバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ、特定のパラメータに従って正確にパターン付与デバイスの位置決めを行うように構成された第一位置決め装置ＰＭに連結を行った支持構造体（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
基板（例えば、レジスト塗布したウェハ）Ｗを支持するように構成され、かつ、特定のパラメータに従って正確に基板の位置決めを行うように構成された第二位置決め装置ＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェハテーブル）ＷＴと、
パターン付与デバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）に投影するように構成された投影系（例えば、屈折性投影レンズ系）ＰＳとを含む。

照明系は、放射線の誘導、整形または制御を行うために、屈折光学部品、反射光学部品、磁気光学部品、電磁光学部品、静電光学部品、または、その他の種類の光学部品、または、それらの組み合わせ等の各種光学部品を含むことができる。

支持構造体は、パターン付与デバイスを支持する（つまり、その重量を担持する）。これは、パターン付与デバイスの方向、リソグラフィ装置の設計、および他の条件、例えばパターン付与デバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターン付与デバイスを保持する。支持構造体は、パターン付与デバイスを保持するために、機械的クランプ技術、真空クランプ技術、静電クランプ技術、または、その他のクランプ技術を用いることができる。支持構造体は、例えばフレームまたはテーブルでよく、これは必要に応じて、固定式または可動式にできる。支持構造体は、例えば投影系に対して、パターン付与デバイスが所望位置にあることを保証できる。本明細書で用いる「レチクル」または「マスク」なる用語は、より一般的な「パターン付与デバイス」なる用途と同義と見なすことができる。

本明細書で用いる用語「パターン付与デバイス」は、基板の目標部分にパターンを形成するように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用できるデバイスを指すものとして広義に解釈すべきである。留意すべきは、放射ビームに付与されるパターンは、例えばパターンが移相シフト・フィーチャー、または、所謂アシスト・フィーチャーを含む場合、基板の目標部分における所望のパターンに正確に対応しないことがあることに留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などの目標部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。

パターン付与デバイスは透過性または反射性でよい。パターン付与デバイスの例には、マスク、プログラム可能なミラーアレイ、およびプログラム可能なＬＣＤパネルがある。マスクは、リソグラフィにおいて周知であり、これには、各種ハイブリッドマスクのみならず、バイナリマスク、レベンソンマスク、減衰位相シフトマスク等のマスク種も含まれる。プログラム可能なミラーアレイの一例は、マトリクス配列をされた小ミラー群を用いる。小ミラーの各々は、入射する放射ビームを異方向に反射するように個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリクスによって反射される放射ビームにパターンを付与する。

本明細書で用いる用語「投影系」は、例えば使用する露光放射線、または、浸漬流体の使用や真空の使用等の、その他の要因に合わせて、適宜、例えば屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気光学系、電磁気光学系および静電光学系を含む各種投影系を網羅するものとして広義に解釈すべきである。本明細書で「投影レンズ」なる用語を使用した場合、これは更に一般的な用語である「投影系」と同義であると考えてよい。

ここで示しているように、本装置は透過タイプである（例えば、透過マスクを用いる）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば、前記で言及したようなタイプのプログラム可能なミラーアレイを用いる、または反射性マスクを用いる）。

リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）、または、それ以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものである。このような複数ステージ機械では、追加のテーブルが並行使用されるか、または、１つ以上のその他のテーブルが露光で使用中に、準備作業が１つ以上のテーブルで行われる。

リソグラフィ装置は、投影系と基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水等の比較的高い屈折率を有する液体で覆う形式のものでもよい。浸漬液は、例えばマスクと投影系の間等、リソグラフィ装置のその他の空間に適用してもよい。浸漬技術は、投影系の開口数を大きくするための技術として当業界で周知である。本明細書で用いる用語「浸漬」は、基板等の構造体を液体に浸漬しなければならないという意味ではなく、露光中に投影系と基板の間に液体を配置するというだけの意味である。

図１を見ると、照明装置ＩＬが、放射線源ＳＯから放射ビームを受け取る。放射線源とリソグラフィ装置とは、例えば放射線源がエキシマレーザである場合、別体であってよい。このような場合、放射線源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な集光ミラーおよび／またはビーム拡大器などを含むビーム供給系ＢＤの助けにより、放射線源ＳＯから照明装置ＩＬへと渡される。その他の場合、例えば放射線源が水銀ランプの場合は、放射線源が装置の一体部品でもよい。放射線源ＳＯおよび照明装置ＩＬは、必要に応じてビーム供給系ＢＤとともに放射線系と呼ぶことができる。

照明装置ＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するように構成された調節装置ＡＤを含んでよい。一般的に、照明装置の瞳面における強度分布の外部および／あるいは内部放射範囲（一般的にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調節することができる。また、照明装置ＩＬは、積分器ＩＮおよびコンデンサＣＯのような他の様々な構成要素を含む。照明装置は、その断面に亘り所望する均一性と強度分布とを有するように、放射ビームの調整に使用することができる。

放射ビームＢは、支持構造体（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターン付与デバイス（例えば、マスクＭＡ）に入射し、パターン付与デバイスによってパターン形成される。放射ビームＢはマスクＭＡを通り抜けて、基板Ｗの目標部分Ｃ上にビームを集束する投影系ＰＳを通過する。第二位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量性センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴは、例えば放射ビームＢの経路における異なる目標部分Ｃに位置を合わせるために正確に運動可能である。同様に、第一位置決め装置ＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示的に図示せず）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、あるいは走査運動の間に、放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、マスクテーブルＭＴの運動は、第一位置決め装置ＰＭの部分を形成する長行程モジュール（粗動位置決め）および短行程モジュール（微動位置決め）にて行われる。同様に、基板テーブルＷＴの運動は、第二位置決め装置ＰＷの部分を形成する長行程モジュールおよび短行程モジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは短行程アクチュエータに連結されるだけであるか、あるいは固定される。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアラインメントマークＭ１、Ｍ２および基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用の目標位置を占有するが、目標部分の間の空間に配置してもよい（スクライブレーンアラインメントマークと呼ばれる）。同様に、マスクＭＡに複数のダイを設ける状況では、マスクアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。

以上で説明した装置は、以下のモードのうちの少なくとも１つで使用可能である。
１．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に保たれている。そして、放射ビームに与えたパターン全体が１回で目標部分Ｃに投影される（すなわち１回の静止露光）。次に基板テーブルＷＴがＸ方向および／あるいはＹ方向にシフトされ、異なる目標部分Ｃが照射され得る。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、１回の静止露光で描像される目標部分Ｃのサイズを制限する。
２．走査モードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期走査する一方、放射ビームに与えられたパターンを目標部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影系ＰＬの拡大（縮小）および像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズが、１回の動的露光で目標部分の（非走査方向における）幅を制限し、走査動作の長さが目標部分の（走査方向における）高さを決定する。
３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴが基本的に静止状態に維持されて、プログラム可能なパターン付与デバイスを保持し、放射ビームに与えられたパターンを目標部分Ｃに投影する間に、基板テーブルＷＴが動作するか、走査される。このモードでは、一般的にパルス状放射線源を用いて、基板テーブルＷＴを動作させるごとに、または走査中に連続する放射線パルス間に、プログラム可能なパターン付与デバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラム可能なミラーアレイなどのプログラム可能なパターン付与デバイスを使用するマスクなしリソグラフィに容易に適用することができる。

前記使用モードの組合せおよび／または変形、または全く異なる使用モードも使用することができる。

図２は、ＣＣＤまたはＣＭＯＳイメージセンサを製造する際の元となる基板Ｗを示す。一般的に酸化物である第一不活性化層２と同様に、金属酸化物層１が基板に付着している。その上には第二不活性化層３が付着しており、これは一般的にＳｉＯＮである。基板は、通常通りに処理されており（図示されていないデバイスパターンが、既に基板と金属酸化物層１との間に生成されている）、基板Ｗまたはデバイスのその後の層に通常の方法で付着またはエッチングされているアラインメントマーク上で、位置合わせが実行されている。

次に、着色した放射線感光材料１０を第一層に適用する。一般的に、この色放射線感光材料の第一層は、赤または緑であるように選択され、基板Ｗを元のアラインメントマーク上で位置合わせすることができる。アラインメントセンサが、緑または赤色の第一放射線感光材料１０を通して貫通できるからである。

しかし、リソグラフィ装置に現在のアラインメントセンサを使用した状態では、青（または青緑）色のレジストを通して基板を正確に位置合わせすることが困難なことがある。最新技術のアラインメントセンサが、アラインメント系に基づく赤色レーザを用いるからである。広帯域用途のような代替例は、波長範囲にわたって多少の信号を検出できる可能性を上げるが、これは位置合わせの不具合をもたらすことがある。

着色放射線感光材料１０の第一層を描像する間に、または着色放射線感光材料のその後の１つまたは複数の層を描像する間に、上述した困難を緩和するために、着色放射線感光材料１０の特定の領域しか照明しないようにパターン形成されたパターン形成放射ビームＰＢを、ダイ４０の領域と、ダイの間に位置するスクライブライン５０の領域との両方を照明するようにパターン形成する。したがって、パターン形成した放射ビームＰＢは、製品ダイ４０の領域にデバイスフィーチャー（つまりフィルター）を形成する際に使用するようにパターン形成される領域８０、さらに特にスクライブライン５０内にアラインメントマークのフィーチャーを形成する際に使用するようにパターン形成される領域９０を有する。

図７は、複数のダイ４０が図示された平面図で基板Ｗを示す。各ダイは、リソグラフィ処理の最後にデバイスを形成する（例えば、ＣＣＤまたはＣＭＯＳイメージセンサ）。スクライブライン５０として知られている領域で線７０に沿って基板Ｗを切断できるように、ダイ４０の間に空間を残す。この方法で、個々のデバイス４０を生産する。明白になるように、スクライブライン５０の領域は冗長空間であり、これはデバイス内で使用されず、ダイを損傷せずにダイを切断して、製品デバイスを形成できるように、ダイ４０を分離できるように提供されるだけである。したがって、この空間は試験構造などに使用することもあるが、現在は使用せず、したがって本発明で使用するために「自由」である領域がある。

図６は、ＲＧＢ、ＣＭＯＳまたはＣＣＤイメージセンサに使用する典型的パターンを示す。スクライブライン領域５０にアラインメントマーク１０１がある状態で、２つの隣接するダイ４０が図示されている。本発明は、他のタイプのパターン、他のタイプのマーク、さらに青緑、赤紫、緑および黄色のような他の色タイプに適用される。したがって、図２で示す色放射線感光材料１０の第一層が赤であると仮定して、赤色フィルターが必要な領域で赤色ピクセルの正方形領域が照明され、アラインメントマーク１０１のフィーチャーも照明されるように、図６で示したピクセルの第二列を通して断面を切り取ったと仮定することができる。これは、ネガ型レジストの場合に当てはまり、ポジ型レジストを使用する場合は、赤色フィルターまたはアラインメントマークのフィーチャーを適用しない必要がある領域を照明する。

図２では、第一放射線感光材料１０の領域も、基板Ｗのスクライブライン領域５０にてパターン９０で照明されることが分かる。パターン９０は、アラインメントマーク１０１のフィーチャーを形成する際に使用され、これはスクライブライン領域５０内に形成されるものであり、同じ材料からの色放射線感光レジスト１０内に画定され、フィルターの材料と同じ方法で処理される。

図３は、投影ビームＰＢで照明した後の状態を示し、ここでは交差ハッチング１１０として示されたデバイス４０の領域は、照射されている着色放射線感光材料の領域を表し、スクライブライン５０の交差ハッチング領域１００も、照射されている領域を表す。第一放射線感光材料１０がネガ型レジストと仮定して、現像の後に、図４で示すような状態が存在し、ここではカラーフィルター１１０の領域が、第二不活性化層３の上に突出したままであり、現像した放射線感光材料の突出領域１００もスクライブライン領域５０に存在する。窪み１２０が突起１００、１１０間に存在する。

理解されるように、図６で示したようなパターンが図４の基板Ｗ上に現像されていると、突起１１０は平面図で正方形の形態になる。突起１００は略図にすぎず、平面図では、パターンは図６のアラインメントマーク１０１に多少類似している。スクライブライン領域のパターンは、アラインメントマークのものであり、水平および垂直両方のアラインメントのフィーチャーを有してよい。つまり、２次元で位置合わせするために相互に直角であるフィーチャーを有する。ｘ方向に延在するスクライブライン領域のフィーチャーが、一方向での位置合わせに使用され、ｙ方向に延在するスクライブライン領域のフィーチャーが、他の方向の位置合わせに使用される。

図５ａは、第一着色放射線感光材料１１０を現像した後に、第二放射線感光材料２０を基板Ｗに適用する第一実施例を示す。図５ａの実施例では、粘性が低い第二放射線感光材料を使用する。この実施例では、放射線感光材料が、図５で示すように第一放射線感光材料の突起１００、１１０間に形成されたギャップ１２０に流入する。硬化した第一放射線感光材料の描像した位置合わせフィーチャー突起１００と、露光せず、現像しない第二放射線感光材料２０のそれとの反射率の差は、アラインメント系がアラインメントマーク１００、１０１を検出するための「コントラスト」を提供する。

第二の実施例が図５ｂで図示され、ここでは第二放射線感光材料は粘性が比較的高く、この場合、第二放射線感光材料２０が第一レジストの突起１００、１１０上に蓄積し、したがって残りの第一放射線感光材料の突起のパターンに、放射線感光材料の第二層が従うことが分かる。この状況で、アラインメントマークのコントラストは、第一放射線感光材料の突起１００の位置における第二放射円観光材料の段差の変化によって提供される。

この方法で、着色レジストを通して１回だけ（この場合は、第一カラーレジストを露光する前に位置合わせのために）基板を位置合わせすることが可能である。使用すべき第一カラーレジスト（つまり従来通りのアラインメントマークを最も容易に描像することができるレジスト）を慎重に選択することにより、カラーレジストを通した位置合わせに伴う困難を最小限に抑えることができる。その後の位置合わせは、レジスト１０のアラインメントマーク１０１上で実行される。

アラインメントマーク１００は、その後の全ての着色放射線感光材料を伴う処理の間、残り、その後の着色放射線感光材料の描像中はさらなるアラインメントフィーチャーを追加する必要がないが、所望に応じて追加してもよい。さらに、以上では、最初に基板Ｗに適用すべき着色放射線感光材料１０にフィーチャーを作成することに関して、この方法を説明してきたが、必ずしもそうではなく、フィーチャーは、処理経路をさらに下った他の着色放射線感光材料に作成することができる。例えば、赤色放射線感光材料を通常の方法で処理し、緑色放射線感光材料の描像中にスクライブライン領域５０にアラインメントマークのみを形成することができる。これが可能になる理由は、赤色と緑色の両方のレジストが現在のアラインメント系に特定の問題を引き起こさず、今のところ、アラインメント系が描像するために困難を引き起こすのは、青および青緑色のレジストだからである。しかし、将来のアラインメント系では、異なる色のレジストが問題を引き起こすことがあり、それに従ってレジストを配置する順序、およびレジスト内でいつアラインメントマークを最初に生成するかを選択することができる。

スクライブライン領域５０のアラインメントマークは、基板の処理が終了した後に存在し、基板Ｗから切断すると、デバイスの縁部に存在することがある。したがって、デバイスのみから、上述した方法を使用してデバイスを製造したか否かを知ることが可能であることもある。

理解されるように、デバイス４０とスクライブライン領域５０のアラインメントマークとの両方にパターンを形成するために使用するマスクは、以前のマスクが、ダイ以外の領域にアラインメントマークを形成するために使用するパターンを放射線の投影ビームに与えるパターン付与構造を有していなかったという点で、以前のマスクとは異なる。アラインメントマークを形成するパターン付与構造は、以前はより低レベルで使用されており、このようなマスクは、イメージセンサのカラーフィルターを形成するためにカラーレジストを描像するには適切でなかった。

本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置が他の多くの用途においても使用可能であることは明確に理解されるべきである。例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造に使用され得る。こうした代替的な用途の状況においては、本文にて使用した「ウェハ」または「ダイ」といった用語は、それぞれ「基板」または「目標部分」といった、一般的な用語に置き換えて使用され得ることが当業者には理解される。本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）または計測または検査ツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上およびその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指す。

以上では光学リソグラフィの状況における本発明の実施例の使用に特に言及しているが、本発明は、インプリントリソグラフィなどの他の用途においても使用可能であり、状況が許せば、光学リソグラフィに制限されないことが分かる。インプリントリソグラフィでは、パターン付与デバイスの構造が、基板上に生成されるパターンを画定する。パターン付与デバイスの構造を、基板に供給されたレジストの層に押しつけ、その後に電磁放射線、熱、圧力またはその組み合わせを適用して、レジストを硬化する。パターン付与デバイスをレジストから離し、レジストを硬化した後にパターンを残す。

本明細書では、「放射線」および「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射線（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、あるいは１２６ｎｍの波長を有する）および超紫外線（ＥＵＶ）放射線（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射線を網羅するものとして使用される。

「レンズ」という用語は、本件文脈の範囲で、屈折光学部品、反射光学部品、磁気光学部品、電磁光学部品および静電光学部品を含む各種光学部品のいずれか、または、それらの組み合わせを指す。

以上、本発明の具体例について説明したが、説明とは異なる方法でも、本発明を実施できる。例えば、本発明は、前記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、または、自身内にこのようなコンピュータプログラムを有するデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形態をとることができる。

前記説明は例示的であり、制限的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

本発明の実施例によるリソグラフィ装置を示したものである。 第一色の放射線感光材料を照射している製造ステップを断面で示したものである。 照射後の図２の基板を示したものである。 現像後の図３の基板を示したものである。 色放射線感光材料の第二層を適用した後の図４の基板を示したものである。 色放射線感光材料の第二層を代替的に適用した後の図４の基板を示したものである。 ＣＣＤまたはＣＭＯＳイメージセンサを平面図で示したものである。 複数のダイおよびスクライブラインを示した状態で、完全な基板Ｗを平面図で示したものである。

Claims (14)

1. 着色された放射線感光材料から成る第一層で覆われた基板に、パターン化された放射ビームを投影することを含み、前記パターン化されたビームのパターンは、製品ダイの領域にデバイス・フィーチャーを形成するために用いられるパターンと、その他の領域にアラインメントマーク・フィーチャーを形成するために用いられるパターンとを含むデバイス製造方法。
2. 照射した第一材料の領域が残り、照射していない第一材料の領域が除去されるか、その逆になるように、前記放射線感光材料を現像することと、第二放射線感光材料を適用することとを更に含み、放射線感光材料の前記第二層が、前記第一放射線感光材料の色とは異なる色を有する請求項１に記載されたデバイス製造方法。
3. 前記第二放射線感光材料の前記色が青色または青緑色である請求項２に記載されたデバイス製造方法。
4. 前記アラインメントマークが、２つの直交方向で位置合わせするためにほぼ直交して配向されたフィーチャーを含む請求項１に記載されたデバイス製造方法。
5. 前記アラインメントマークが、第２放射線感光材料の現像および適用後に、段差の変化のせいでコントラストを有するパターンを有する請求項１に記載されたデバイス製造方法。
6. 前記アラインメントマークが、第二放射線感光材料の現像および適用後に、現像した第一放射線感光材料であるマークの領域と第二放射線感光材料のそれとの反射率の変化のせいでコントラストを有するパターンを有する請求項１に記載されたデバイス製造方法。
7. 前記第一放射線感光材料の色が、緑色または赤色または赤紫色または黄色である請求項１に記載されたデバイス製造方法。
8. 前記他の領域が、基板のスクライブライン領域である請求項１に記載されたデバイス製造方法。
9. 現像した放射線感光材料が前記デバイスの一部を形成する請求項１に記載されたデバイス製造方法。
10. 前記デバイスがＣＭＯＳまたはＣＣＤデバイスである請求項１に記載されたデバイス製造方法。
11. 前記デバイス・フィーチャーがカラーフィルターである請求項１に記載されたデバイス製造方法。
12. 前記アラインメントマークの前記フィーチャーを使用して、リソグラフィ投影装置内で前記基板を位置合わせすることを更に含む請求項１に記載されたデバイス製造方法。
13. 前記アラインメントマークのフィーチャーを含む請求項１に記載された方法で製造したデバイス。
14. 基板上の１つ以上のダイ上にカラーフィルターを形成する際に用いられるパターンを放射線の投影ビームに与えるためのパターン付与構造と、前記ダイの外側領域にアラインメントマークを形成する際に用いられるパターンを前記放射線の投影ビームに与えるためのパターン付与構造とを含む請求項１に記載された方法で使用するマスク。

Images