JP2007062291A - Method for manufacturing liquid droplet discharging head, liquid droplet discharging head and liquid droplet discharging device - Google Patents

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JP2007062291A JP2005254180A JP2005254180A JP2007062291A JP 2007062291 A JP2007062291 A JP 2007062291A JP 2005254180 A JP2005254180 A JP 2005254180A JP 2005254180 A JP2005254180 A JP 2005254180A JP 2007062291 A JP2007062291 A JP 2007062291A
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Koichiro Komizo
公一郎 小溝
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a liquid droplet discharging head which can reduce or prevent the difference in an etching rate of a flat matrix from occurring, and a highly reliable liquid droplet discharging head and a liquid droplet discharging device. <P>SOLUTION: The liquid droplet discharging head (an inkjet recording head) 1 comprises a base 10 with a discharging liquid storage space 12 and a discharging liquid supply space 13, an oscillating plate 58, a drive (piezoelectric) element 300 and a nozzle plate 320 joined with one surface of the base 10. For the base 10, the flat matrix having a thin film and the drive element 300 installed through the thin film, is prepared. And then the matrix is dry-etched using a mask which has a first opening part corresponding to a region which forms each discharging liquid storage space 12 and a second opening part formed along the edge of a region which forms the discharging liquid supply space 13 and also has the average width of the first opening part side of the second opening part being almost equal to the average width of the first opening part. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、液滴吐出ヘッドの製造方法、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing a droplet discharge head, a droplet discharge head, and a droplet discharge apparatus.

基板にエッチングを施すことにより所定の形状を形成する方法として、近年、電子デバイスの小型化、低消費電力化および高性能化等に伴って、ドライエッチング法が注目されている。
このドライエッチング法では、平板状の母材上に、所定パターンのレジスト層を形成し、このレジスト層をマスクとして用いて、この母材をエッチング(加工)することにより所定のパターンが形成された基板を得ることが行われている。
As a method for forming a predetermined shape by etching a substrate, in recent years, a dry etching method has attracted attention as electronic devices are reduced in size, reduced in power consumption, and improved in performance.
In this dry etching method, a resist layer having a predetermined pattern is formed on a flat base material, and the base material is etched (processed) using the resist layer as a mask to form a predetermined pattern. Getting the substrate is done.

このようなドライエッチング法が、液滴吐出ヘッドが備える吐出液貯留空間(インク室)および吐出液供給空間(リザーバ)の形成に適用されるが、通常、これらの吐出液貯留空間および吐出液供給空間は、1つの母材をエッチングすることにより同時に形成される。
ここで、吐出液貯留空間の幅が吐出液供給空間の幅と比較して細幅となっていることから、これらを形成する領域に対応して開口部を有するレジスト層を母材上に形成すると、これらの開口部の幅も同様に、吐出液貯留空間を形成する領域に対応する第1の開口部の方が吐出液供給空間を形成する領域に対応する第2の開口部よりも細幅となっている。
Such a dry etching method is applied to the formation of a discharge liquid storage space (ink chamber) and a discharge liquid supply space (reservoir) provided in the droplet discharge head. Usually, these discharge liquid storage space and discharge liquid supply are used. The space is simultaneously formed by etching one base material.
Here, since the width of the discharge liquid storage space is narrower than the width of the discharge liquid supply space, a resist layer having an opening corresponding to the region for forming these is formed on the base material. Then, similarly, the width of these openings is narrower in the first opening corresponding to the region forming the discharge liquid storage space than in the second opening corresponding to the region forming the discharge liquid supply space. It is wide.

このような状態で母材に対してドライエッチングを施すと、それぞれの開口部から露出する部分がその厚さ方向に対してエッチング(除去)されるが、第1の開口部の幅と第2の開口部の幅とが異なることに起因して、第2の開口部における母材のエッチングレートが第1の開口部における母材のエッチングレートよりも速くなる現象(マイクロローディング効果)が生じる。   When dry etching is performed on the base material in such a state, portions exposed from the respective openings are etched (removed) in the thickness direction, but the width of the first opening and the second Due to the difference in the width of the opening, a phenomenon (microloading effect) occurs in which the etching rate of the base material in the second opening is faster than the etching rate of the base material in the first opening.

このようなマイクロローディング効果が生じる原因としては、エッチャントの平均自由工程の距離の差あるいはプラズマ密度の不均一化によるイオンと電子の拡散の差が考えられているが、この現象に起因して以下のような問題がある。
すなわち、第1の開口部に対応する吐出液貯留空間が形成されるまでエッチングを行うと、第2の開口部に対応する吐出液供給空間においてオーバーエッチング(厚さ方向に対して垂直方向へのエッチング)が生じることから、矩形断面を形成することができず、形成される吐出液貯留空間および吐出液供給空間の寸法精度が期待するほどのものが得られないという問題がある。さらには、前記母材のレジスト層が設けられている面と反対側の面に設けられた薄膜が、吐出液供給空間を形成する領域に対応する領域で突き破られるという問題がある。
Possible causes of such microloading effects include the difference in the mean free path of the etchant or the difference in ion and electron diffusion due to nonuniform plasma density. There is a problem like this.
That is, when etching is performed until a discharge liquid storage space corresponding to the first opening is formed, overetching (in a direction perpendicular to the thickness direction) in the discharge liquid supply space corresponding to the second opening is performed. Etching) occurs, so that there is a problem that a rectangular cross section cannot be formed, and a dimensional accuracy of the formed discharge liquid storage space and discharge liquid supply space cannot be obtained. Furthermore, there is a problem that the thin film provided on the surface opposite to the surface on which the resist layer of the base material is provided is pierced in a region corresponding to a region forming the discharge liquid supply space.

そこで、このマイクロローディング効果が生じるのを防止することを目的に、例えば、前記母材のドライエッチングを施す面とは反対側の面からヘリウムのような冷却ガスにより母材を冷却することが行われているが、このような方法を用いた場合においても、母材を均一に冷却することができず、十分な効果が得られていないのが実情である(例えば、特許文献1参照。)。   Therefore, for the purpose of preventing the microloading effect from occurring, for example, the base material is cooled with a cooling gas such as helium from the surface opposite to the surface on which the base material is dry-etched. However, even when such a method is used, the base material cannot be uniformly cooled, and a sufficient effect is not obtained (see, for example, Patent Document 1). .

特開平6−37067号公報JP-A-6-37067

本発明の目的は、マイクロローディング効果により、平板状の母材のエッチングレートに差が生じることを低減または防止することができる液滴吐出ヘッドの製造方法、信頼性の高い液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a droplet discharge head capable of reducing or preventing a difference in etching rate of a flat base material due to a microloading effect, a highly reliable droplet discharge head, and a liquid To provide a droplet discharge device.

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の液滴吐出ヘッドの製造方法は、吐出液を貯留する複数の細幅の吐出液貯留空間と、該各吐出液貯留空間に連通し前記各吐出液貯留空間に前記吐出液を供給する吐出液供給空間とが形成された基板と、前記各吐出液貯留空間を覆うように前記基板の一方の面に接触して設けられた振動板と、該振動板の前記基板と反対側の面に前記各吐出液貯留空間に対応して設けられ、液滴を吐出するための複数の駆動素子と、前記吐出液を液滴として吐出するノズル孔が複数形成され、該各ノズル孔が前記各吐出液貯留空間に対応するように、前記基板の他方の面に接合されたノズルプレートとを備える液滴吐出ヘッドの製造方法であって、
一方の面に薄膜が設けられ、該薄膜を介して前記駆動素子が設けられた平板状の母材を用意する第1の工程と、
前記母材の他方の面に、前記各吐出液貯留空間を形成する領域に対応する第1の開口部と、前記吐出液供給空間を形成する領域の縁部に沿って設けられた第2の開口部とを備え、前記第2の開口部の前記第1の開口部側の平均幅が、前記第1の開口部の平均幅とほぼ等しいマスクを形成する第2の工程と、
前記母材に対して前記マスクを介して前記ドライエッチングを施すことにより、前記第1の開口部および前記第2の開口部から露出する前記母材を前記薄膜に到達するまで除去して凹部を形成する第3の工程と、
前記吐出液供給空間を形成する領域に残存する前記母材と前記薄膜とを除去することにより前記振動板および前記基板を得る第4の工程と、
前記ノズルプレートを、前記基板の前記振動板と反対側の面に接合する第5の工程とを有することを特徴とする。
これにより、第1の開口部と、第2の開口部の第1の開口部側との間でマイクロローディング効果が生じるのを確実に防止して、第1の開口部と第2の開口部とが連通する位置に対応する母材のエッチングレートに差が生じることを的確に低減または防止することができる。
Such an object is achieved by the present invention described below.
The method for manufacturing a droplet discharge head according to the present invention supplies a plurality of narrow discharge liquid storage spaces for storing discharge liquid, and supplies the discharge liquid to the discharge liquid storage spaces in communication with the discharge liquid storage spaces. A substrate on which a discharge liquid supply space is formed; a diaphragm provided in contact with one surface of the substrate so as to cover each discharge liquid storage space; and a surface of the vibration plate opposite to the substrate A plurality of drive elements for discharging droplets and a plurality of nozzle holes for discharging the discharge liquid as droplets, each nozzle hole being formed in each of the discharge liquid storage spaces. A method for manufacturing a droplet discharge head comprising a nozzle plate bonded to the other surface of the substrate so as to correspond to a discharge liquid storage space,
A first step of preparing a flat base material provided with a thin film on one surface and the driving element provided through the thin film;
A second opening provided on the other surface of the base material along a first opening corresponding to a region forming each discharge liquid storage space and an edge of a region forming the discharge liquid supply space. A second step of forming a mask comprising: an opening, wherein an average width of the second opening on the first opening side is approximately equal to an average width of the first opening;
By subjecting the base material to the dry etching through the mask, the base material exposed from the first opening and the second opening is removed until reaching the thin film, thereby forming a recess. A third step of forming;
A fourth step of obtaining the diaphragm and the substrate by removing the base material and the thin film remaining in a region forming the discharge liquid supply space;
And a fifth step of bonding the nozzle plate to a surface of the substrate opposite to the vibration plate.
This reliably prevents the microloading effect from occurring between the first opening and the first opening side of the second opening, and the first opening and the second opening. It is possible to accurately reduce or prevent the difference in the etching rate of the base material corresponding to the position where the and are communicated.

本発明の液滴吐出ヘッドの製造方法では、前記吐出液供給空間は、平面視において、前記第1の開口部側の第1の辺と、該第1の辺に対向する第2の辺とを有する形状をなしており、
前記マスクは、前記第2の開口部の前記第1の辺に沿った部分の平均幅が、前記第1の開口部の平均幅とほぼ等しくなっていることが好ましい。
これにより、第1の開口部と、第2の開口部の第1の辺に沿った部分とでマイクロローディング効果が生じるのを確実に防止して、第1の開口部と第2の開口部とが連通する位置に対応する母材のエッチングレートに差が生じることを的確に低減または防止することができる。
In the method for manufacturing a droplet discharge head of the present invention, the discharge liquid supply space includes a first side on the first opening side and a second side facing the first side in plan view. Has a shape having
In the mask, it is preferable that an average width of a portion along the first side of the second opening is substantially equal to an average width of the first opening.
This reliably prevents the microloading effect from occurring in the first opening and the portion along the first side of the second opening, and the first opening and the second opening. It is possible to accurately reduce or prevent the difference in the etching rate of the base material corresponding to the position where the and are communicated.

本発明の液滴吐出ヘッドの製造方法では、前記マスクは、さらに、前記第2の開口部の前記第2の辺に沿った部分の平均幅が、前記第1の開口部の平均幅とほぼ等しくなっていることが好ましい。
これにより、第1の開口部と、第2の開口部の第1の辺に沿った部分および第2の辺に沿った部分とでマイクロローディング効果が発生するのを確実に防止して、これらの開口部に対応する位置の母材のエッチングレートに差が生じることを的確に低減または防止することができる。
In the method of manufacturing a droplet discharge head according to the aspect of the invention, the mask further has an average width of a portion along the second side of the second opening substantially equal to an average width of the first opening. Preferably they are equal.
This reliably prevents the microloading effect from occurring in the first opening, the portion along the first side of the second opening, and the portion along the second side. It is possible to accurately reduce or prevent the difference in the etching rate of the base material at the position corresponding to the opening of the.

本発明の液滴吐出ヘッドの製造方法では、前記マスクは、前記第2の開口部の全体の平均幅と、前記第1の開口部の平均幅とがほぼ等しくなっていることが好ましい。
これにより、第1の開口部と、第2の開口部の全体とでマイクロローディング効果が発生するのを確実に防止して、これらの開口部に対応する位置の母材のエッチングレートに差が生じることを的確に低減または防止することができる。
In the method of manufacturing a droplet discharge head according to the aspect of the invention, it is preferable that the average width of the second opening is substantially equal to the average width of the first opening in the mask.
This reliably prevents the microloading effect from occurring in the first opening and the entire second opening, and there is a difference in the etching rate of the base material at positions corresponding to these openings. It is possible to accurately reduce or prevent the occurrence.

本発明の液滴吐出ヘッドの製造方法では、前記薄膜は、前記第3の工程において、前記ドライエッチングによるエッチングを停止させるエッチングストップ層として機能することが好ましい。
これにより、ドライエッチングによる母材のエッチングを確実に停止させることができる。
In the method for manufacturing a droplet discharge head of the present invention, it is preferable that the thin film functions as an etching stop layer for stopping the etching by the dry etching in the third step.
Thereby, the etching of the base material by dry etching can be stopped reliably.

本発明の液滴吐出ヘッドの製造方法では、前記薄膜は、前記吐出液供給空間が形成される領域において1層で構成され、それ以外の領域において積層体で構成されている部分を含んでいることが好ましい。
これにより、薄膜を、その各領域に応じて、目的とする機能を選択的に発揮し得るものとすることができる。
In the method for manufacturing a droplet discharge head according to the present invention, the thin film includes a single layer in a region where the discharge liquid supply space is formed and includes a layered structure in the other region. It is preferable.
Thereby, a thin film can be made to exhibit the target function selectively according to each area | region.

本発明の液滴吐出ヘッドの製造方法では、前記母材は、主としてSiで構成され、前記薄膜は、主としてSiO、および、Siよりもエッチングレートが遅い金属材料のうちの少なくとも1種で構成されることが好ましい。
これにより、得られる薄膜が、エッチングを停止させるエッチングストップ層としての機能を確実に発揮するものとなる。
本発明の液滴吐出ヘッドの製造方法では、前記金属材料は、Au、Ti、W、Ni、Cr、Fe、PtおよびAlのうちの少なくとも1種であることが好ましい。
これにより、エッチングストップ層としての機能を薄膜により確実に発揮させることができる。
本発明の液滴吐出ヘッドの製造方法では、前記薄膜の厚さは、300〜1000nmであることが好ましい。
これにより、ドライエッチングを施す際に、薄膜が損傷するのを的確に防止または抑制して、母材のエッチングを確実に停止することができる。
In the method for manufacturing a droplet discharge head according to the present invention, the base material is mainly composed of Si, and the thin film is mainly composed of at least one of SiO 2 and a metal material having a slower etching rate than Si. It is preferred that
Thereby, the obtained thin film reliably exhibits the function as an etching stop layer for stopping etching.
In the method for manufacturing a droplet discharge head according to the present invention, the metal material is preferably at least one of Au, Ti, W, Ni, Cr, Fe, Pt and Al.
Thereby, the function as an etching stop layer can be reliably exhibited by the thin film.
In the method for manufacturing a droplet discharge head according to the present invention, the thickness of the thin film is preferably 300 to 1000 nm.
Thereby, when performing dry etching, it can prevent or suppress that a thin film is damaged correctly, and can stop etching of a base material reliably.

本発明の液滴吐出ヘッドの製造方法では、前記母材の前記一方の面には、前記各駆動素子を収納する駆動素子収納空間と、前記吐出液供給空間に前記吐出液を供給する吐出液供給路とが形成された吐出液供給路基板が、前記吐出液供給路が前記母材の前記吐出液貯留空間を形成する領域に対応するように、接合されており、
前記第4の工程において、前記母材と前記薄膜を除去することにより、前記吐出液貯留空間と前記吐出液供給路とを連通させることが好ましい。
In the droplet discharge head manufacturing method of the present invention, the one surface of the base material has a drive element storage space for storing the drive elements and a discharge liquid for supplying the discharge liquid to the discharge liquid supply space. The discharge liquid supply path substrate in which the supply path is formed is joined so that the discharge liquid supply path corresponds to a region that forms the discharge liquid storage space of the base material,
In the fourth step, it is preferable that the discharge liquid storage space and the discharge liquid supply path are communicated by removing the base material and the thin film.

本発明の液滴吐出ヘッドの製造方法では、前記第3の工程に先立って、前記吐出液供給路内に前記薄膜と接触するように充填物を充填する工程を有し、
前記第3の工程において、前記充填物の存在により前記吐出液供給空間が形成される領域に存在する前記薄膜の損傷を防止または低減することが好ましい。
これにより、前記薄膜を隔壁として確実に残存させることができるとともに、前記母材を均一に冷却することができる。
In the method for manufacturing a droplet discharge head according to the present invention, prior to the third step, the method includes a step of filling the discharge liquid supply path with a filler so as to be in contact with the thin film,
In the third step, it is preferable to prevent or reduce damage to the thin film existing in a region where the discharge liquid supply space is formed due to the presence of the filler.
Accordingly, the thin film can be reliably left as a partition, and the base material can be uniformly cooled.

本発明の液滴吐出ヘッドの製造方法では、前記第4の工程に先立って、前記凹部の内面に撥液処理を施すことが好ましい。
前記薄膜が残存していることにより、前記撥液処理が吐出液供給路に施されるのを確実に防止して、前記凹部の内面に撥液処理を施すことができる。
本発明の液滴吐出ヘッドの製造方法では、前記撥液処理により撥液膜を形成することが好ましい。
これにより、比較的容易に、前記凹部の内面に対して選択的に撥液処理を施すことができる。
In the method for manufacturing a droplet discharge head according to the present invention, it is preferable that a liquid repellent treatment is performed on the inner surface of the concave portion prior to the fourth step.
Since the thin film remains, the liquid repellent treatment can be reliably prevented from being applied to the discharge liquid supply path, and the liquid repellent treatment can be performed on the inner surface of the recess.
In the method for manufacturing a droplet discharge head of the present invention, it is preferable to form a liquid repellent film by the liquid repellent treatment.
Thereby, the liquid repellent treatment can be selectively performed on the inner surface of the recess relatively easily.

本発明の液滴吐出ヘッドは、本発明の液滴吐出ヘッドの製造方法により製造されたことを特徴とする。
これにより、信頼性の高い液滴吐出ヘッドが得られる。
本発明の液滴吐出装置は、本発明の液滴吐出ヘッドを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い液滴吐出装置が得られる。
The droplet discharge head of the present invention is manufactured by the method for manufacturing a droplet discharge head of the present invention.
Thereby, a highly reliable droplet discharge head can be obtained.
The liquid droplet ejection apparatus of the present invention includes the liquid droplet ejection head of the present invention.
Thereby, a highly reliable droplet discharge device can be obtained.

以下、本発明の液滴吐出ヘッドの製造方法、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
<インクジェット式記録ヘッド>
まず、本発明の液滴吐出ヘッドをインクジェット式記録ヘッドに適用した場合の実施形態について説明する。
Hereinafter, a method for manufacturing a droplet discharge head, a droplet discharge head, and a droplet discharge apparatus according to the present invention will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.
<Inkjet recording head>
First, an embodiment in which the droplet discharge head of the present invention is applied to an ink jet recording head will be described.

図1は、本発明の液滴吐出ヘッドをインクジェット式記録ヘッドに適用した場合の実施形態を示す分解斜視図であり、図2は、図1に示すインクジェット式記録ヘッドの平面図および断面図である。図3は、図1に示すインクジェット式記録ヘッドを備えるインクジェットプリンタの実施形態を示す概略図である。
図1に示すインクジェット式記録ヘッド1(以下、単に「ヘッド1」という。)は、図3に示すようなインクジェットプリンタ(本発明の液滴吐出装置)2に搭載されている。
図3に示すインクジェットプリンタ2は、装置本体22を備えており、上部後方に記録用紙Pを設置するトレイ221と、下部前方に記録用紙Pを排出する排紙口222と、上部面に操作パネル27とが設けられている。
FIG. 1 is an exploded perspective view showing an embodiment when the droplet discharge head of the present invention is applied to an ink jet recording head, and FIG. 2 is a plan view and a cross-sectional view of the ink jet recording head shown in FIG. is there. FIG. 3 is a schematic view showing an embodiment of an ink jet printer including the ink jet recording head shown in FIG.
An ink jet recording head 1 (hereinafter, simply referred to as “head 1”) shown in FIG. 1 is mounted on an ink jet printer (droplet discharge device of the present invention) 2 as shown in FIG.
The ink jet printer 2 shown in FIG. 3 includes an apparatus main body 22, a tray 221 in which the recording paper P is placed at the upper rear, a paper discharge port 222 for discharging the recording paper P in the lower front, and an operation panel on the upper surface. 27 are provided.

操作パネル27は、例えば、液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ、LEDランプ等で構成され、エラーメッセージ等を表示する表示部(図示せず)と、各種スイッチ等で構成される操作部(図示せず)とを備えている。
また、装置本体22の内部には、主に、往復動するヘッドユニット23を備える印刷装置(印刷手段)24と、記録用紙Pを1枚ずつ印刷装置24に送り込む給紙装置(給紙手段)25と、印刷装置24および給紙装置25を制御する制御部(制御手段)26とを有している。
The operation panel 27 is composed of, for example, a liquid crystal display, an organic EL display, an LED lamp, and the like. And.
Further, inside the apparatus main body 22, a printing apparatus (printing means) 24 mainly including a reciprocating head unit 23 and a paper feeding apparatus (paper feeding means) for feeding the recording paper P to the printing apparatus 24 one by one. 25 and a control unit (control means) 26 for controlling the printing device 24 and the paper feeding device 25.

制御部26の制御により、給紙装置25は、記録用紙Pを一枚ずつ間欠送りする。この記録用紙Pは、ヘッドユニット23の下部近傍を通過する。このとき、ヘッドユニット23が記録用紙Pの送り方向とほぼ直交する方向に往復移動して、記録用紙Pへの印刷が行なわれる。すなわち、ヘッドユニット23の往復動と記録用紙Pの間欠送りとが、印刷における主走査および副走査となって、インクジェット方式の印刷が行なわれる。   Under the control of the control unit 26, the paper feeding device 25 intermittently feeds the recording paper P one by one. The recording paper P passes near the lower part of the head unit 23. At this time, the head unit 23 reciprocates in a direction substantially perpendicular to the feeding direction of the recording paper P, and printing on the recording paper P is performed. That is, the reciprocating motion of the head unit 23 and the intermittent feeding of the recording paper P become the main scanning and sub-scanning in printing, and ink jet printing is performed.

印刷装置24は、ヘッドユニット23と、ヘッドユニット23の駆動源となるキャリッジモータ241と、キャリッジモータ241の回転を受けて、ヘッドユニット23を往復動させる往復動機構242とを備えている。
ヘッドユニット23は、その下部に、多数のノズル孔321を備えるヘッド1と、ヘッド1にインクを供給するインクカートリッジ231と、ヘッド1およびインクカートリッジ231を搭載したキャリッジ232とを有している。
なお、インクカートリッジ231として、イエロー、シアン、マゼンタ、ブラック(黒)の4色のインクを充填したものを用いることにより、フルカラー印刷が可能となる。
The printing apparatus 24 includes a head unit 23, a carriage motor 241 serving as a drive source for the head unit 23, and a reciprocating mechanism 242 that reciprocates the head unit 23 in response to the rotation of the carriage motor 241.
The head unit 23 includes a head 1 having a large number of nozzle holes 321, an ink cartridge 231 that supplies ink to the head 1, and a carriage 232 on which the head 1 and the ink cartridge 231 are mounted.
Note that full-color printing is possible by using an ink cartridge 231 that is filled with ink of four colors of yellow, cyan, magenta, and black (black).

往復動機構242は、その両端をフレーム(図示せず)に支持されたキャリッジガイド軸243と、キャリッジガイド軸243と平行に延在するタイミングベルト244とを有している。
キャリッジ232は、キャリッジガイド軸243に往復動自在に支持されるとともに、タイミングベルト244の一部に固定されている。
キャリッジモータ241の作動により、プーリを介してタイミングベルト244を正逆走行させると、キャリッジガイド軸243に案内されて、ヘッドユニット23が往復動する。そして、この往復動の際に、ヘッド1から適宜インクが吐出され、記録用紙Pへの印刷が行われる。
The reciprocating mechanism 242 includes a carriage guide shaft 243 supported at both ends by a frame (not shown), and a timing belt 244 extending in parallel with the carriage guide shaft 243.
The carriage 232 is supported by the carriage guide shaft 243 so as to be reciprocally movable, and is fixed to a part of the timing belt 244.
When the timing belt 244 travels forward and backward through the pulley by the operation of the carriage motor 241, the head unit 23 reciprocates as guided by the carriage guide shaft 243. During this reciprocation, ink is appropriately discharged from the head 1 and printing on the recording paper P is performed.

給紙装置25は、その駆動源となる給紙モータ251と、給紙モータ251の作動により回転する給紙ローラ252とを有している。
給紙ローラ252は、記録用紙Pの送り経路(記録用紙P)を挟んで上下に対向する従動ローラ252aと駆動ローラ252bとで構成され、駆動ローラ252bは給紙モータ251に連結されている。これにより、給紙ローラ252は、トレイ221に設置した多数枚の記録用紙Pを、印刷装置24に向かって1枚ずつ送り込めるようになっている。なお、トレイ221に代えて、記録用紙Pを収容する給紙カセットを着脱自在に装着し得るような構成であってもよい。
The sheet feeding device 25 includes a sheet feeding motor 251 serving as a driving source thereof, and a sheet feeding roller 252 that rotates by the operation of the sheet feeding motor 251.
The paper feed roller 252 includes a driven roller 252a and a drive roller 252b that are vertically opposed to each other with a feeding path (recording paper P) of the recording paper P interposed therebetween. The drive roller 252b is connected to the paper feed motor 251. As a result, the paper feed roller 252 can feed a large number of recording sheets P set on the tray 221 one by one toward the printing device 24. Instead of the tray 221, a configuration in which a paper feed cassette that stores the recording paper P can be detachably mounted may be employed.

制御部26は、例えばパーソナルコンピュータやディジタルカメラ等のホストコンピュータから入力された印刷データに基づいて、印刷装置24や給紙装置25等を制御することにより印刷を行うものである。
制御部26は、いずれも図示しないが、主に、各部を制御する制御プログラム等を記憶するメモリ、印刷装置24(キャリッジモータ241)を駆動する駆動回路、給紙装置25(給紙モータ251)を駆動する駆動回路、および、ホストコンピュータからの印刷データを入手する通信回路と、これらに電気的に接続され、各部での各種制御を行うCPUとを備えている。
また、CPUには、例えば、インクカートリッジ231のインク残量、ヘッドユニット23の位置等を検出可能な各種センサ等が、それぞれ電気的に接続されている。
制御部26は、通信回路を介して、印刷データを入手してメモリに格納する。CPUは、この印刷データを処理して、この処理データおよび各種センサからの入力データに基づいて、各駆動回路に駆動信号を出力する。この駆動信号により印刷装置24および給紙装置25は、それぞれ作動する。これにより、記録用紙Pに印刷が行われる。
The control unit 26 performs printing by controlling the printing device 24, the paper feeding device 25, and the like based on print data input from a host computer such as a personal computer or a digital camera.
Although not shown, the control unit 26 mainly includes a memory that stores a control program for controlling each unit, a drive circuit that drives the printing device 24 (carriage motor 241), and a paper feeding device 25 (paper feeding motor 251). Drive circuit, a communication circuit for obtaining print data from a host computer, and a CPU that is electrically connected to these and performs various controls in each unit.
Further, for example, various sensors capable of detecting the remaining ink amount of the ink cartridge 231, the position of the head unit 23, and the like are electrically connected to the CPU.
The control unit 26 obtains print data via the communication circuit and stores it in the memory. The CPU processes the print data and outputs a drive signal to each drive circuit based on the process data and input data from various sensors. The printing device 24 and the paper feeding device 25 are operated by this drive signal. As a result, printing is performed on the recording paper P.

以下、ヘッド1について、図1および図2を参照しつつ詳述する。
図1および図2に示すように、ヘッド1は、ノズルプレート320と、吐出液貯留空間形成基板10と、振動板58と、振動板58上に設けられた圧電素子300と、吐出液供給路形成基板30と、吐出液供給路形成基板30上に設けられた駆動IC120とを備えている。なお、このヘッド1は、ピエゾジェット式ヘッドを構成する。
Hereinafter, the head 1 will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2.
As shown in FIGS. 1 and 2, the head 1 includes a nozzle plate 320, a discharge liquid storage space forming substrate 10, a vibration plate 58, a piezoelectric element 300 provided on the vibration plate 58, and a discharge liquid supply path. A formation substrate 30 and a drive IC 120 provided on the discharge liquid supply path formation substrate 30 are provided. The head 1 constitutes a piezo jet head.

本実施形態では、基板10は、面方位(110)のシリコン単結晶基板で構成されているが、面方位(100)のシリコン単結晶基板で構成されていてもよい。
また、その双方の面には、予め熱酸化により形成された二酸化シリコンで構成される厚さ1〜2μm程度の二酸化シリコン膜52(弾性膜50および酸化膜51)が設けられている。
基板10には、インクを貯留する複数の吐出液貯留空間12と、各吐出液貯留空間12に連通し、各吐出液貯留空間12にインクを供給する吐出液供給空間13とが形成されている。
In the present embodiment, the substrate 10 is composed of a silicon single crystal substrate having a plane orientation (110), but may be composed of a silicon single crystal substrate having a plane orientation (100).
Further, on both surfaces, a silicon dioxide film 52 (elastic film 50 and oxide film 51) having a thickness of about 1 to 2 μm and made of silicon dioxide previously formed by thermal oxidation is provided.
The substrate 10 is formed with a plurality of discharge liquid storage spaces 12 for storing ink, and discharge liquid supply spaces 13 that communicate with the discharge liquid storage spaces 12 and supply ink to the discharge liquid storage spaces 12. .

図1および図2に示すように、各吐出液貯留空間12および吐出液供給空間13は、それぞれ、平面視において、ほぼ長方形状をなし、各吐出液貯留空間12の幅(短辺)は、吐出液供給空間13の幅(短辺)より細幅となっている。
また、各吐出液貯留空間12は、吐出液供給空間13に対して、ほぼ垂直をなすように配置されており、各吐出液貯留空間12および吐出液供給空間13は、平面視において全体として、櫛状をなしている。
なお、吐出液供給空間13は、平面視において、本実施形態のように長方形状のものの他、例えば、台形状、三角形状または俵形状(カプセル形状)のものであってもよい。
As shown in FIGS. 1 and 2, each discharge liquid storage space 12 and the discharge liquid supply space 13 are substantially rectangular in a plan view, and the width (short side) of each discharge liquid storage space 12 is The discharge liquid supply space 13 is narrower than the width (short side).
In addition, each discharge liquid storage space 12 is arranged so as to be substantially perpendicular to the discharge liquid supply space 13, and each discharge liquid storage space 12 and the discharge liquid supply space 13 are as a whole in plan view. It has a comb shape.
In addition, the ejection liquid supply space 13 may have a trapezoidal shape, a triangular shape, or a bowl shape (capsule shape) in addition to a rectangular shape as in the present embodiment in a plan view.

また、吐出液供給空間13は、後述する吐出液供給路形成基板30に設けられた吐出液供給路31と連通して複数の吐出液貯留空間12にインクを供給する共通のインク室として機能するリザーバ100の一部を構成する。
また、吐出液貯留空間12と吐出液供給空間13との内面および酸化膜51上には、撥液膜57が設けられている。これにより、吐出液貯留空間12、吐出液供給空間13および酸化膜51がインクに晒されるのを防止して、基板10のインクによる変質・劣化を好適に防止または抑制することができる。
The discharge liquid supply space 13 communicates with a discharge liquid supply path 31 provided in a discharge liquid supply path forming substrate 30 described later and functions as a common ink chamber that supplies ink to the plurality of discharge liquid storage spaces 12. A part of the reservoir 100 is configured.
A liquid repellent film 57 is provided on the inner surfaces of the discharge liquid storage space 12 and the discharge liquid supply space 13 and on the oxide film 51. Thereby, it is possible to prevent the discharge liquid storage space 12, the discharge liquid supply space 13, and the oxide film 51 from being exposed to ink, and to appropriately prevent or suppress the deterioration and deterioration of the substrate 10 due to the ink.

このような撥液膜57の構成材料としては、例えば、撥液性を示す官能基を有するカップリング剤や、撥液性の樹脂材料等が挙げられる。
カップリング剤としては、例えば、シラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、ジルコニウム系カップリング剤、有機リン酸系カップリング剤、シリルパーオキサイド系カップリング剤等を用いることができる。
撥液性を示す官能基としては、例えば、フルオロアルキル基、アルキル基、ビニル基、エポキシ基、スチリル基、メタクリロキシ基等が挙げられる。
Examples of the constituent material of the liquid repellent film 57 include a coupling agent having a liquid repellent functional group, a liquid repellent resin material, and the like.
As the coupling agent, for example, a silane coupling agent, a titanium coupling agent, an aluminum coupling agent, a zirconium coupling agent, an organic phosphate coupling agent, a silyl peroxide coupling agent, or the like is used. be able to.
Examples of the functional group exhibiting liquid repellency include a fluoroalkyl group, an alkyl group, a vinyl group, an epoxy group, a styryl group, and a methacryloxy group.

カップリング剤の具体例としては、例えば、トリデカフルオロ−1,1,2,2テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−1,1,2,2テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−1,1,2,2テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン等が挙げられる。   Specific examples of the coupling agent include, for example, tridecafluoro-1,1,2,2 tetrahydrooctyltriethoxysilane, tridecafluoro-1,1,2,2 tetrahydrooctyltrimethoxysilane, and tridecafluoro-1 , 1,2,2 tetrahydrooctyltrichlorosilane, octadecyltrimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane and the like.

一方、撥液性の樹脂材料としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体(PFA)、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体(ETFE)、パーフルオロエチレン−プロペン共重合体(FEP)、エチレン−クロロトリフルオロエチレン共重合体(ECTFE)のようなフッ素系樹脂等が挙げられる。   On the other hand, examples of liquid repellent resin materials include polytetrafluoroethylene (PTFE), tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer (PFA), ethylene-tetrafluoroethylene copolymer (ETFE), and perfluoro. Examples thereof include fluorine-based resins such as ethylene-propene copolymer (FEP) and ethylene-chlorotrifluoroethylene copolymer (ECTFE).

また、基板10の振動板58と反対側の面には、絶縁膜51および撥液膜57を介して、各吐出液貯留空間12に対応するようにノズル孔321がそれぞれ形成(穿設)されたノズルプレート320が接着剤や熱溶着フィルム等により固着(貼着)されている。
なお、ノズルプレート320は、その厚さが例えば、0.01〜1mm程度で、線膨張係数が300℃以下で、例えば2.5〜4.5[×10-6/℃]程度であるガラスセラミックス、シリコン単結晶基板または不錆鋼等で構成されている。
In addition, nozzle holes 321 are formed (perforated) on the surface of the substrate 10 opposite to the vibration plate 58 so as to correspond to the respective discharge liquid storage spaces 12 via the insulating film 51 and the liquid repellent film 57. The nozzle plate 320 is fixed (attached) with an adhesive, a heat welding film, or the like.
The nozzle plate 320 has a thickness of, for example, about 0.01 to 1 mm and a linear expansion coefficient of 300 ° C. or less, for example, about 2.5 to 4.5 [× 10 −6 / ° C.]. It is made of ceramics, silicon single crystal substrate or non-rust steel.

一方、このような基板10のノズルプレート320と反対側の面には、上述したように、厚さが例えば1.0μm程度の弾性膜50が設けられている。
また、この弾性膜50上には、厚さが例えば、0.4μm程度の絶縁体膜55が形成されている。
さらに、この絶縁体膜55上には、厚さが例えば、0.2μm程度の下電極膜60と、厚さが例えば、1.0μm程度の圧電体層70と、厚さが例えば、0.05μm程度の上電極膜80とが、この順で積層されて、液滴の吐出を制御する圧電素子(駆動素子)300を構成している。
すなわち、圧電素子300は、下電極膜60、圧電体層70および上電極膜80を含む部分をいう。
On the other hand, the elastic film 50 having a thickness of, for example, about 1.0 μm is provided on the surface of the substrate 10 opposite to the nozzle plate 320 as described above.
On the elastic film 50, an insulator film 55 having a thickness of about 0.4 μm, for example, is formed.
Further, on the insulator film 55, a lower electrode film 60 having a thickness of, for example, about 0.2 μm, a piezoelectric layer 70 having a thickness of, for example, about 1.0 μm, and a thickness of, for example, about 0.1 μm. The upper electrode film 80 of about 05 μm is laminated in this order to form a piezoelectric element (driving element) 300 that controls the discharge of droplets.
That is, the piezoelectric element 300 refers to a portion including the lower electrode film 60, the piezoelectric layer 70, and the upper electrode film 80.

本実施形態では、下電極膜60が圧電素子300の共通電極として形成され、上電極膜80が圧電素子300の個別電極として、圧電体層70とともに、各吐出液貯留空間12に対応する位置にパターニング(形成)されている。
なお、上電極膜80および圧電体層70により構成され、両電極への電圧の印加により圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部という。また、圧電素子300と当該圧電素子300の駆動により変位が生じる振動板58とを合わせて圧電アクチュエータという。
In the present embodiment, the lower electrode film 60 is formed as a common electrode of the piezoelectric element 300, and the upper electrode film 80 is formed as an individual electrode of the piezoelectric element 300 at a position corresponding to each discharge liquid storage space 12 together with the piezoelectric layer 70. Patterned (formed).
A portion that is constituted by the upper electrode film 80 and the piezoelectric layer 70 and in which piezoelectric distortion is generated by applying a voltage to both electrodes is referred to as a piezoelectric active portion. The piezoelectric element 300 and the diaphragm 58 that is displaced by driving the piezoelectric element 300 are collectively referred to as a piezoelectric actuator.

一般的には、下電極膜60および上電極膜80のうちいずれか一方の電極が共通電極として構成され、他方の電極および圧電体層70が各吐出液貯留空間12にパターニングして構成されていればよく、駆動回路や配線の都合で下電極膜60と上電極膜80との構成が逆になっていてもよい。いずれの場合においても、各吐出液貯留空間12に対応して圧電体能動部が形成されることになる。
また、本実施形態では、弾性膜50および絶縁体膜55により振動板58が構成されている。なお、この絶縁体膜55上に形成された下電極膜60も振動板としての役割を果たす。
In general, one of the lower electrode film 60 and the upper electrode film 80 is configured as a common electrode, and the other electrode and the piezoelectric layer 70 are configured by patterning each discharge liquid storage space 12. The configuration of the lower electrode film 60 and the upper electrode film 80 may be reversed for convenience of the drive circuit and wiring. In any case, a piezoelectric active part is formed corresponding to each discharge liquid storage space 12.
In this embodiment, the elastic film 50 and the insulator film 55 constitute a diaphragm 58. The lower electrode film 60 formed on the insulator film 55 also serves as a diaphragm.

下電極膜60は、吐出液貯留空間12の長手方向に対して、吐出液貯留空間12に対向する領域の内側でパターニングされ、かつ、複数の吐出液貯留空間12に対応する領域において、連続的に設けられている。
また、下電極膜60は、吐出液貯留空間12の列の外側の領域で基板10の端部近傍まで延設されている。そして、その先端部が後述する駆動IC120から延設された接続配線130を接続する接続部60aを構成している。
The lower electrode film 60 is patterned inside the region facing the discharge liquid storage space 12 with respect to the longitudinal direction of the discharge liquid storage space 12 and is continuously formed in the region corresponding to the plurality of discharge liquid storage spaces 12. Is provided.
Further, the lower electrode film 60 extends to the vicinity of the end of the substrate 10 in a region outside the row of the discharge liquid storage space 12. And the front-end | tip part comprises the connection part 60a which connects the connection wiring 130 extended from the drive IC120 mentioned later.

圧電体層70および上電極膜80は、基本的には吐出液貯留空間12に対向する領域内に設けられているが、吐出液貯留空間12の長手方向では、吐出液貯留空間12に対向する領域よりも外側まで延設されており、下電極膜60のノズル孔321側の端面が圧電体層70により覆われている。
また、上電極膜80のノズル孔321側の端部近傍には、リード電極90が接続されている。このリード電極90は、基板10の端部近傍まで延設されており、その先端部が、下電極膜60の接続部60aと同様に、接続配線130を接続する接続部90aを構成している。
また、基板10の圧電素子300が設けられている面側と、リザーバ100の一部を構成する吐出液供給路31を備えるリザーバ形成基板30とは、例えば、エポキシ系の接着剤のような接合部材35aで構成される接着剤層35を介して接着(固着)されている。
The piezoelectric layer 70 and the upper electrode film 80 are basically provided in a region facing the discharge liquid storage space 12, but face the discharge liquid storage space 12 in the longitudinal direction of the discharge liquid storage space 12. The end surface of the lower electrode film 60 on the nozzle hole 321 side is covered with the piezoelectric layer 70.
A lead electrode 90 is connected to the vicinity of the end of the upper electrode film 80 on the nozzle hole 321 side. The lead electrode 90 extends to the vicinity of the end portion of the substrate 10, and the tip portion of the lead electrode 90 constitutes a connection portion 90 a for connecting the connection wiring 130, similarly to the connection portion 60 a of the lower electrode film 60. .
Further, the surface side of the substrate 10 on which the piezoelectric element 300 is provided and the reservoir forming substrate 30 including the discharge liquid supply path 31 that constitutes a part of the reservoir 100 are joined together by, for example, an epoxy adhesive. It is bonded (fixed) through an adhesive layer 35 composed of the member 35a.

本実施形態では、吐出液供給路31は、リザーバ形成基板30の厚さ方向に貫通するとともに、吐出液貯留空間12の幅方向に亘って形成されており、前述のように基板10の吐出液供給空間13と連通されて各吐出液貯留空間12のリザーバ100を構成している。
なお、本実施形態では、基板10とリザーバ形成基板30とを接着剤層35により接着する場合について説明したが、このような場合に限定されず、密着性を有する金属等によりこれらの基板同士を接合(金属接合)するようにしてもよい。
In the present embodiment, the discharge liquid supply path 31 penetrates in the thickness direction of the reservoir forming substrate 30 and is formed across the width direction of the discharge liquid storage space 12, and the discharge liquid of the substrate 10 as described above. The reservoir 100 of each discharge liquid storage space 12 is configured to communicate with the supply space 13.
In the present embodiment, the case where the substrate 10 and the reservoir forming substrate 30 are bonded by the adhesive layer 35 has been described. However, the present invention is not limited to such a case, and these substrates are bonded to each other by a metal having adhesiveness. You may make it join (metal joining).

また、吐出液供給空間13と吐出液供給路31とを連通する貫通部110の吐出液供給路31側の開口周縁部と、リザーバ形成基板30の吐出液供給路31の開口周縁部とが接着剤層35によって接着されている。
なお、この貫通部110は、それぞれ、吐出液供給空間13に対向する領域の弾性膜50、絶縁体膜55および下電極膜60を厚さ方向に貫通することで設けられている。
In addition, the opening peripheral portion on the discharge liquid supply path 31 side of the penetrating portion 110 that connects the discharge liquid supply space 13 and the discharge liquid supply path 31 and the opening peripheral portion of the discharge liquid supply path 31 of the reservoir forming substrate 30 are bonded. Bonded by the agent layer 35.
The penetrating portion 110 is provided by penetrating through the elastic film 50, the insulator film 55, and the lower electrode film 60 in the region facing the discharge liquid supply space 13, respectively.

すなわち、貫通部110は、弾性膜50を貫通することで設けられた第1の貫通孔111と、絶縁体膜55を貫通することで設けられた第2の貫通孔112と、下電極膜60を貫通することで設けられた第3の貫通孔113とで構成されている。
そして、吐出液供給路31内のインクは、貫通部110を介して吐出液供給空間13に供給されるようになっている。
また、リザーバ形成基板30の圧電素子300に対向する領域には、圧電素子300の振動を阻害しない程度の空間が確保可能な圧電素子収納部32が設けられている。
That is, the through portion 110 includes the first through hole 111 provided by penetrating the elastic film 50, the second through hole 112 provided by penetrating the insulator film 55, and the lower electrode film 60. And a third through-hole 113 provided by penetrating through.
The ink in the discharge liquid supply path 31 is supplied to the discharge liquid supply space 13 through the through portion 110.
In addition, in a region facing the piezoelectric element 300 of the reservoir forming substrate 30, a piezoelectric element storage portion 32 that can secure a space that does not inhibit the vibration of the piezoelectric element 300 is provided.

圧電素子300は、この圧電素子収納部32内に設けられているため、外部環境の影響を殆ど受けない状態で保護されている。
なお、このようなリザーバ形成基板30の構成材料としては、例えば、ガラス、セラミックス材料、金属、樹脂等が挙げられ、これらの中でも、基板10の熱膨張率とほぼ同一の材料で構成されているのが好ましく、基板10と同一材料すなわち本実施形態ではシリコン単結晶で構成されているのがより好ましい。
Since the piezoelectric element 300 is provided in the piezoelectric element housing portion 32, the piezoelectric element 300 is protected in a state where it is hardly affected by the external environment.
Examples of the constituent material of the reservoir forming substrate 30 include glass, a ceramic material, a metal, a resin, and the like. Among these, the constituent material is substantially the same as the thermal expansion coefficient of the substrate 10. It is preferable that the same material as that of the substrate 10, that is, a silicon single crystal in this embodiment is more preferable.

また、下電極膜60の接続部60aおよびリード電極90の接続部90aは、圧電素子収納部32の外側に設けられている。そして、これら接続部60aおよび接続部90aに、リザーバ形成基板30上に実装された駆動IC120から延設される接続配線130の一端が接続されている。
さらに、リザーバ形成基板30上には、封止膜41および固定板42で構成されるコンプライアンス基板40が接合されている。
Further, the connection portion 60 a of the lower electrode film 60 and the connection portion 90 a of the lead electrode 90 are provided outside the piezoelectric element storage portion 32. One end of a connection wiring 130 extending from the drive IC 120 mounted on the reservoir forming substrate 30 is connected to the connection portion 60a and the connection portion 90a.
Further, a compliance substrate 40 including a sealing film 41 and a fixing plate 42 is bonded onto the reservoir forming substrate 30.

封止膜41は、厚さが例えば、6μm程度のポリフェニレンサルファイド(PPS)フィルムのような剛性が低く可撓性を有する材料で構成され、この封止膜41によって吐出液供給路31の吐出液供給空間13と連通するのと反対側の面が封止されている。
また、固定板42は、厚さが例えば、30μm程度のステンレス鋼(SUS)のような金属等の硬質の材料で構成されている。この固定板42のリザーバ100に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部43となっているため、リザーバ100が可撓性を有する封止膜41のみで封止されている。
The sealing film 41 is made of a material having low rigidity and flexibility, such as a polyphenylene sulfide (PPS) film having a thickness of about 6 μm, for example, and the sealing film 41 discharges the discharge liquid in the discharge liquid supply path 31. The surface opposite to the communication with the supply space 13 is sealed.
The fixing plate 42 is made of a hard material such as a metal such as stainless steel (SUS) having a thickness of about 30 μm, for example. Since the region of the fixing plate 42 that faces the reservoir 100 is an opening 43 that is completely removed in the thickness direction, the reservoir 100 is sealed only with a flexible sealing film 41. .

このようなヘッド1では、図示しない外部吐出液供給手段からインクを取り込み、リザーバ100からノズル孔321に至るまで内部をインクで満たした後、駆動IC120からの記録信号により、各吐出液貯留空間12に対応するそれぞれの下電極膜60と上電極膜80との間に電圧を印加する。これにより、弾性膜50、絶縁体膜55、下電極膜60および圧電体層70にたわみが生じ、すなわち、振動板58にたわみが生じることにより、各吐出液貯留空間12内の圧力が瞬間的に高まり、その結果、ノズル孔321からインク滴が吐出する。   In such a head 1, after taking ink from an external discharge liquid supply means (not shown) and filling the interior from the reservoir 100 to the nozzle hole 321 with ink, each discharge liquid storage space 12 is recorded by a recording signal from the drive IC 120. A voltage is applied between the lower electrode film 60 and the upper electrode film 80 corresponding to. As a result, the elastic film 50, the insulator film 55, the lower electrode film 60, and the piezoelectric layer 70 are deflected, that is, the diaphragm 58 is deflected, whereby the pressure in each discharge liquid storage space 12 is instantaneously generated. As a result, ink droplets are ejected from the nozzle holes 321.

1回のインクの吐出が終了すると、駆動IC120は、下電極膜60と上電極膜80との間への電圧の印加を停止する。これにより、圧電素子300は、ほぼ元の形状に戻り、吐出液貯留空間12の容積が増大する。なお、このとき、インクには、インクカートリッジ231からノズル孔321へ向かう圧力(正方向への圧力)が作用している。このため、空気がノズル孔321から吐出液貯留空間12へ入り込むことが防止され、インクの吐出量に見合った量のインクがインクカートリッジ231(リザーバ100)から吐出液貯留空間12へ供給される。   When the ejection of one ink is completed, the driving IC 120 stops applying the voltage between the lower electrode film 60 and the upper electrode film 80. Thereby, the piezoelectric element 300 returns almost to its original shape, and the volume of the discharge liquid storage space 12 increases. At this time, pressure (pressure in the positive direction) from the ink cartridge 231 toward the nozzle hole 321 is applied to the ink. Therefore, air is prevented from entering the discharge liquid storage space 12 from the nozzle hole 321, and an amount of ink corresponding to the ink discharge amount is supplied from the ink cartridge 231 (reservoir 100) to the discharge liquid storage space 12.

このようにして、ヘッド1において、印刷させたい位置の圧電素子300に、駆動ICを介して電圧を印加すること、すなわち、吐出信号を順次入力することにより、任意の(所望の)文字や図形等を印刷することができる。
なお、ヘッド1は、前述したような構成のものに限らず、例えば、駆動素子として圧電素子300に代えてヒータを備え、このヒータでインクを加熱して沸騰させ、それによって生じた圧力によりインクを液滴としてノズル孔321から吐出するように構成されたもの等であってもよい。
In this way, by applying a voltage to the piezoelectric element 300 at the position to be printed in the head 1 via the driving IC, that is, by sequentially inputting the ejection signal, any desired (desired) character or figure Etc. can be printed.
The head 1 is not limited to the one having the above-described configuration. For example, the head 1 includes a heater instead of the piezoelectric element 300 as a driving element, and the ink is heated to boil by the heater, and the ink is generated by the pressure generated thereby. Or the like may be discharged from the nozzle hole 321 as a droplet.

このようなヘッド1は、例えば、次のようにして製造することができる。以下、ヘッド1の製造方法(本発明の液滴吐出ヘッドの製造方法)について説明する。
図4〜図9は、それぞれ、図1および図2に示すインクジェット記録式ヘッドの製造方法を説明するための図である。なお、図4〜図6、図8および図9は、縦断面図であり、図7は、平面図である。また、以下の説明では、図4〜図6、図8および図9中の上側を「上」、下側を「下」という。
なお、本実施形態では、平板状の母材10’として、ドライエッチング可能な、面方位(110)のシリコン単結晶基板を用いることとするが、面方位(100)のシリコン単結晶基板を用いるようにしてもよい
Such a head 1 can be manufactured as follows, for example. Hereinafter, a method for manufacturing the head 1 (a method for manufacturing the droplet discharge head of the present invention) will be described.
4 to 9 are diagrams for explaining a method of manufacturing the ink jet recording head shown in FIGS. 1 and 2, respectively. 4 to 6, 8, and 9 are longitudinal sectional views, and FIG. 7 is a plan view. In the following description, the upper side in FIGS. 4 to 6, 8, and 9 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
In this embodiment, a silicon single crystal substrate having a plane orientation (110) that can be dry-etched is used as the flat base material 10 ′. However, a silicon single crystal substrate having a plane orientation (100) is used. You may do

[1] まず、図4(a)に示すように、平板状の母材10’を拡散炉で熱酸化することにより、母材10’の表面に弾性膜50および酸化膜51を構成する二酸化シリコン膜52を形成する。
母材10’の表面を熱酸化する際の雰囲気の温度は、800〜1500℃程度であるのが好ましく、1000〜1200℃程度であるのがより好ましい。
[1] First, as shown in FIG. 4A, a flat base material 10 ′ is thermally oxidized in a diffusion furnace to form an elastic film 50 and an oxide film 51 on the surface of the base material 10 ′. A silicon film 52 is formed.
The temperature of the atmosphere when thermally oxidizing the surface of the base material 10 ′ is preferably about 800 to 1500 ° C., and more preferably about 1000 to 1200 ° C.

[2] 次に、図4(b)に示すように、弾性膜50(二酸化シリコン膜52)上に、例えば、ジルコニウム(Zr)層を形成した後、拡散炉で熱酸化することにより酸化ジルコニウム(ZrO)で構成される絶縁体膜55を形成する。
ジルコニウム層を熱酸化する際の雰囲気の温度は、500〜1200℃程度であるのが好ましく、600〜900℃程度であるのがより好ましい。
[2] Next, as shown in FIG. 4B, for example, a zirconium (Zr) layer is formed on the elastic film 50 (silicon dioxide film 52), and then thermally oxidized in a diffusion furnace to form zirconium oxide. An insulator film 55 made of (ZrO 2 ) is formed.
The temperature of the atmosphere when thermally oxidizing the zirconium layer is preferably about 500 to 1200 ° C., more preferably about 600 to 900 ° C.

[3] 次に、図4(c)に示すように、絶縁体膜55上に、例えば、白金およびイリジウムのような金属材料をこの順で積層して積層体を形成する。
その後、この積層体を所定の形状にパターニングすることにより下電極膜60を形成する。
これらの金属材料の積層には、それぞれ、例えば、プラズマCVD、熱CVD、レーザーCVDのような化学蒸着法(CVD)、真空蒸着、スパッタリング(低温スパッタリング)、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、MOD法等を用いることができる。
[3] Next, as illustrated in FIG. 4C, a metal body such as platinum and iridium is stacked in this order on the insulator film 55 to form a stacked body.
Thereafter, the lower electrode film 60 is formed by patterning the laminated body into a predetermined shape.
For the lamination of these metal materials, for example, chemical vapor deposition (CVD) such as plasma CVD, thermal CVD, and laser CVD, vacuum deposition, sputtering (low temperature sputtering), dry plating methods such as ion plating, electrolysis, etc. Wet plating methods such as plating and electroless plating, thermal spraying methods, sol-gel methods, MOD methods, and the like can be used.

また、前記積層体のパターニングには、例えば、ドライエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウエットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、この下電極膜60の形成の際に、基板10の吐出液供給空間13が形成される領域と対向(接触)する部分の積層体を除去して第3の貫通孔113を形成しておく。
In addition, for the patterning of the laminate, for example, one or two of physical etching methods such as dry etching, reactive ion etching, beam etching, and optically assisted etching, and chemical etching methods such as wet etching are used. A combination of the above can be used.
When the lower electrode film 60 is formed, the third through-hole 113 is formed by removing the layered portion of the substrate 10 facing (contacting) the region where the discharge liquid supply space 13 is formed. deep.

[4] 次に、図4(d)に示すように、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)等で構成される第1の金属層70’と、例えば、イリジウム等で構成される第2の金属層80’とを母材10’の一方の面側の全面に順次積層する。
そして、図4(e)に示すように、積層された第1の金属層70’および第2の金属層80’を、後工程[8]で形成される各吐出液貯留空間12の位置に対応するようにパターニングして圧電体層70および上電極膜80を形成して、圧電素子300を得る。
なお、第1の金属層70’および第2の金属層80’の形成、および、第1の金属層70’および第2の金属層80’のパターニングには、前記工程[3]の積層体のパターニングで説明したのと同様の方法を用いることができる。
[4] Next, as shown in FIG. 4D, for example, a first metal layer 70 ′ made of lead zirconate titanate (PZT) or the like, and a second metal made of iridium or the like, for example. The metal layer 80 ′ is sequentially laminated on the entire surface on one surface side of the base material 10 ′.
And as shown in FIG.4 (e), laminated | stacked 1st metal layer 70 'and 2nd metal layer 80' are set in the position of each discharge liquid storage space 12 formed in post process [8]. The piezoelectric element 300 is obtained by patterning so as to form the piezoelectric layer 70 and the upper electrode film 80.
The formation of the first metal layer 70 ′ and the second metal layer 80 ′ and the patterning of the first metal layer 70 ′ and the second metal layer 80 ′ include the laminate of the above step [3]. A method similar to that described in the patterning can be used.

[5] 次に、貫通孔110を形成する。
具体的には、図5(a)に示すように、まず、吐出液供給空間13が形成される領域に対向する部分、すなわち、第3の貫通孔113内に形成された絶縁体膜55および弾性膜50を除去して第2の貫通孔112および第3の貫通孔113を形成する。
これにより、第1〜第3の貫通孔111,112,113で構成される貫通部110が形成される。
なお、絶縁体膜55および弾性膜50の除去には、前記工程[3]の積層体のパターニングで説明したのと同様の方法を用いることができる。
[5] Next, the through hole 110 is formed.
Specifically, as shown in FIG. 5A, first, a portion facing the region where the discharge liquid supply space 13 is formed, that is, the insulator film 55 formed in the third through hole 113 and The elastic film 50 is removed to form the second through hole 112 and the third through hole 113.
Thereby, the penetration part 110 comprised by the 1st-3rd through-holes 111,112,113 is formed.
For removing the insulator film 55 and the elastic film 50, the same method as described in the patterning of the laminate in the step [3] can be used.

[6] 次に、リード電極90および金属層95を形成する。
具体的には、図5(b)に示すように、母材10’の一方の面側のほぼ全面に亘って、例えば、チタンタングステン(TiW)やニッケルクロム(NiCr)のような密着性を有する金属(合金)で構成される密着膜91を形成し、この密着膜91上のほぼ全面に、例えば、金(Au)等で構成される金属膜92を形成する。
そして、図5(c)に示すように、密着膜91および金属膜92を、各圧電素子300に対応するようにパターニングしてリード電極90を形成するとともに、貫通部110内にも残存させて金属層95を形成する。
リード電極90をかかる構成のものとすることにより、リード電極90は、圧電素子300および絶縁体膜55に対して優れた密着性を発揮するとともに、優れた導電性を有するものとなる。
[6] Next, the lead electrode 90 and the metal layer 95 are formed.
Specifically, as shown in FIG. 5B, for example, adhesion such as titanium tungsten (TiW) or nickel chrome (NiCr) is provided over almost the entire surface of one surface of the base material 10 ′. An adhesion film 91 made of a metal (alloy) is formed, and a metal film 92 made of, for example, gold (Au) is formed on almost the entire surface of the adhesion film 91.
Then, as shown in FIG. 5C, the adhesion film 91 and the metal film 92 are patterned so as to correspond to the respective piezoelectric elements 300 to form the lead electrodes 90, and are also left in the through portions 110. A metal layer 95 is formed.
By adopting the lead electrode 90 having such a configuration, the lead electrode 90 exhibits excellent adhesion to the piezoelectric element 300 and the insulator film 55 and has excellent conductivity.

また、金属層95をかかる構成のものとすることにより、後工程[8]において、母材10’にドライエッチングを施す際に、母材10’のエッチングレートよりも金属層95のエッチングレートを確実に遅くすることができる。その結果、金属層95は、ドライエッチングを施す際のエッチングストップ層としての機能を確実に発揮し得るものとなる。
なお、密着膜91および金属膜92の形成、および、リード電極90および金属層95のパターニングには、前記工程[3]の金属材料の積層、および、積層体のパターニングで説明したのと同様の方法を用いることができる。
なお、リード電極90および金属層95は、上述したような密着膜91と金属膜92とで構成される積層体の他、密着膜91および金属膜92の構成材料のうちの1種または2種以上で構成される単層体であってもよい。
In addition, when the metal layer 95 is configured as described above, when the base material 10 ′ is dry-etched in the post-process [8], the etching rate of the metal layer 95 is set higher than the etching rate of the base material 10 ′. It can certainly be slow. As a result, the metal layer 95 can reliably exhibit the function as an etching stop layer when dry etching is performed.
The formation of the adhesion film 91 and the metal film 92 and the patterning of the lead electrode 90 and the metal layer 95 are the same as those described in the layering of the metal material and the patterning of the layered body in the step [3]. The method can be used.
In addition, the lead electrode 90 and the metal layer 95 are one or two of the constituent materials of the adhesion film 91 and the metal film 92 in addition to the laminate composed of the adhesion film 91 and the metal film 92 as described above. It may be a single layer composed of the above.

[7] 次に、図6(a)に示すように、母材10’の圧電素子300側の面とリザーバ形成基板30とを、圧電素子300が圧電素子収納部32に収納され、かつ、吐出液供給空間13が形成される領域と吐出液供給路31とが対応するように、接着剤層35を介して接合させる。
なお、本実施形態では、母材10’の弾性膜50側の面に設けられている弾性膜50、絶縁体膜55および金属層95により薄膜39が構成され、弾性膜50、絶縁体膜55、リード電極90、接着剤層35、金属層95、リザーバ形成基板30および圧電素子300により、構造体36が構成されている。
以上のような工程[1]〜工程[7]を経て、薄膜39を介して駆動素子300が設けられた母材10’を得ることができる(第1の工程)。
[7] Next, as shown in FIG. 6A, the surface of the base material 10 ′ on the piezoelectric element 300 side and the reservoir forming substrate 30 are accommodated in the piezoelectric element accommodating portion 32, and It joins via the adhesive layer 35 so that the area | region in which the discharge liquid supply space 13 is formed, and the discharge liquid supply path 31 correspond.
In the present embodiment, the thin film 39 is constituted by the elastic film 50, the insulator film 55 and the metal layer 95 provided on the surface of the base material 10 ′ on the elastic film 50 side, and the elastic film 50 and the insulator film 55 are formed. The lead electrode 90, the adhesive layer 35, the metal layer 95, the reservoir forming substrate 30 and the piezoelectric element 300 constitute a structure 36.
Through the steps [1] to [7] as described above, the base material 10 ′ provided with the drive element 300 can be obtained through the thin film 39 (first step).

[8] 次に、ドライエッチング法を用いて、母材10’に、吐出液貯留空間12および吐出液供給空間13を形成(加工)して、基板10を得る。
本発明の液滴吐出ヘッドの製造方法では、この母材10’の加工(エッチング)する方法に特徴を有する。以下、母材10’を加工して基板10を得る方法について詳述する。
なお、以下では、吐出液貯留空間12と、吐出液供給空間13とを総称して、「吐出液流路」ということもある。
[8] Next, the substrate 10 is obtained by forming (processing) the discharge liquid storage space 12 and the discharge liquid supply space 13 in the base material 10 ′ using a dry etching method.
The method for manufacturing a droplet discharge head according to the present invention is characterized by a method of processing (etching) the base material 10 ′. Hereinafter, a method of obtaining the substrate 10 by processing the base material 10 ′ will be described in detail.
Hereinafter, the discharge liquid storage space 12 and the discharge liquid supply space 13 may be collectively referred to as a “discharge liquid flow path”.

[8−1] まず、図6(b)に示すように、複数の構造体36同士の間の空間37に、充填物38を充填する。
なお、充填物38は、本実施形態のように、空間37および構造体36を覆うように充填されていてもよいし、空間37の一部(吐出液供給路31)に充填されていてもよい。
ここで、充填物38は、後工程[8−3]において、母材10’に冷却ガスで冷却しつつドライエッチングを施す際に、吐出液供給空間13が形成される領域に存在する薄膜39すなわち金属層95が損傷するのを防止または低減する機能を有するとともに、母材10’に温度ムラが生じるのを低減または防止する機能を有する。
[8-1] First, as shown in FIG. 6B, a filling material 38 is filled into a space 37 between a plurality of structures 36.
The filling material 38 may be filled so as to cover the space 37 and the structure 36 as in the present embodiment, or may be filled in a part of the space 37 (discharge liquid supply path 31). Good.
Here, in the post-process [8-3], the filling 38 is a thin film 39 present in a region where the discharge liquid supply space 13 is formed when dry etching is performed on the base material 10 ′ while being cooled with a cooling gas. That is, it has a function of preventing or reducing damage to the metal layer 95 and a function of reducing or preventing occurrence of temperature unevenness in the base material 10 ′.

この充填物38としては、例えば、樹脂材料、金属材料、無機半導体材料および無機絶縁材料等を含有するものが挙げられ、これらの中でも、樹脂材料を主成分とするものが好ましい。樹脂材料は、充填物の空間37中への充填および後工程[8−4]における空間37からの除去を比較的容易に行えるものであることから、充填物38の主材料として好適に用いることができる。   Examples of the filler 38 include those containing a resin material, a metal material, an inorganic semiconductor material, an inorganic insulating material, and the like. Among these, those containing a resin material as a main component are preferable. Since the resin material can be relatively easily filled into the space 37 and removed from the space 37 in the post-process [8-4], it is preferably used as the main material of the filler 38. Can do.

以下では、充填物38として、樹脂材料を主成分とするものを用いる場合を代表に説明する。
充填物38の充填は、例えば、樹脂材料を含む溶液または分散液を空間37に塗布(供給)した後、溶媒または分散媒を除去することにより行うことができる。
樹脂材料を含む溶液または分散液を塗布する方法としては、例えば、インクジェット法、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、マイクロコンタクトプリンティング法のような各種塗布法が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
Below, the case where the thing which has a resin material as a main component is used as the filler 38 is demonstrated as a representative.
The filling of the filling material 38 can be performed, for example, by applying (supplying) a solution or dispersion containing a resin material to the space 37 and then removing the solvent or dispersion medium.
Examples of methods for applying a solution or dispersion containing a resin material include an inkjet method, a spin coating method, a casting method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a roll coating method, a wire bar coating method, and a dip. Various coating methods such as a coating method, a spray coating method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, and a microcontact printing method can be used, and one or more of these can be used in combination. .

樹脂材料を溶液または分散媒を調製する際に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン(MEK)、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン(MIBK)、メチルイソプロピルケトン(MIPK)、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール(DEG)、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、1,2−ジメトキシエタン(DME)、1,4−ジオキサン、テトラヒドロフラン(THF)、テトラヒドロピラン(THP)、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル(ジグリム)、ジエチレングリコールエチルエーテル(カルビトール)等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)、N,N−ジメチルアセトアミド(DMA)等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド(DMSO)、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。   As a solvent or dispersion medium used when preparing a solution or dispersion medium of the resin material, for example, an inorganic solvent such as nitric acid, sulfuric acid, ammonia, hydrogen peroxide, water, carbon disulfide, carbon tetrachloride, ethylene carbonate, Ketone solvents such as methyl ethyl ketone (MEK), acetone, diethyl ketone, methyl isobutyl ketone (MIBK), methyl isopropyl ketone (MIPK), cyclohexanone, alcohols such as methanol, ethanol, isopropanol, ethylene glycol, diethylene glycol (DEG), glycerin Solvent, diethyl ether, diisopropyl ether, 1,2-dimethoxyethane (DME), 1,4-dioxane, tetrahydrofuran (THF), tetrahydropyran (THP), anisole, diethylene glycol dimethyl Ether solvents such as ether (diglyme), diethylene glycol ethyl ether (carbitol), cellosolv solvents such as methyl cellosolve, ethyl cellosolve, phenyl cellosolve, aliphatic hydrocarbon solvents such as hexane, pentane, heptane, cyclohexane, toluene, Aromatic hydrocarbon solvents such as xylene and benzene, aromatic heterocyclic solvents such as pyridine, pyrazine, furan, pyrrole, thiophene and methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide (DMF), N, N-dimethylacetamide Amide solvents such as (DMA), halogen compound solvents such as dichloromethane, chloroform, 1,2-dichloroethane, ester solvents such as ethyl acetate, methyl acetate, ethyl formate, dimethyl sulfoxide (DMSO), sulfolane, etc. Various organic solvents such as yellow compound solvents, nitrile solvents such as acetonitrile, propionitrile, acrylonitrile, organic acid solvents such as formic acid, acetic acid, trichloroacetic acid, trifluoroacetic acid, or mixed solvents containing these Can be mentioned.

樹脂材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、ポリパラキシリレン、ベンゾシクロブテン、ポリビニルフェノール、ノボラック樹脂のような芳香族系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)のようなフッ素系樹脂、ポリメチルメタクリレート(PMMA)のようなアクリル系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブテンのようなポリオレフィン系樹脂、ポリアミド系樹脂等が挙げられる他、ネガ型およびポジ型のレジスト材料が挙げられる。   Examples of the resin material include polyimide resins, polyparaxylylene, benzocyclobutene, polyvinylphenol, aromatic resins such as novolac resins, fluorine resins such as polytetrafluoroethylene (PTFE), and polymethyl methacrylate. Examples thereof include acrylic resins such as (PMMA), polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, polyisobutylene, and polybutene, polyamide resins, and negative and positive resist materials.

ネガ型のレジスト材料としては、ロジン−重クロム酸塩、ポリビニルアルコール(PVA)−重クロム酸塩、セラック−重クロム酸塩、カゼイン−重クロム酸塩、PVA−ジアゾ、アクリル系フォトレジスト等のような水溶性フォトレジスト、ポリケイ皮酸ビニル、環化ゴム−アジド、ポリビニルシンナミリデンアセタート、ポリケイ皮酸β−ビニロキシエチルエステル等のような油溶性フォトレジスト等が挙げられる。
また、ポジ型のレジスト材料としては、o−ナフトキノンジアジド等のような油溶性フォトレジスト等が挙げられる。
Negative resist materials include rosin-bichromate, polyvinyl alcohol (PVA) -bichromate, shellac-bichromate, casein-bichromate, PVA-diazo, acrylic photoresist, etc. Such water-soluble photoresists, polycinnamate vinyl, cyclized rubber-azide, polyvinyl cinnamylidene acetate, polycinnamic acid β-vinyloxyethyl ester and the like oil-soluble photoresist.
Examples of the positive resist material include oil-soluble photoresists such as o-naphthoquinonediazide.

また、このような樹脂材料には、金属粒子が含まれていてもよい。これにより、充填物38の熱伝導率を向上させることができることから、充填物38への金属粒子の充填量およびその種類を適宜設定することにより、充填物38の熱伝導性を比較的容易に制御することができる。すなわち、充填物38の熱容量と構造体36の熱容量との差が小さくなるように比較的容易に制御することができる。   Further, such resin material may contain metal particles. As a result, the thermal conductivity of the filler 38 can be improved, so that the thermal conductivity of the filler 38 can be made relatively easy by appropriately setting the amount and type of metal particles filled in the filler 38. Can be controlled. That is, it can be controlled relatively easily so that the difference between the heat capacity of the filler 38 and the heat capacity of the structure 36 is reduced.

金属粒子としては、特に限定されないが、例えば、Al、Zn、Sn、Li、Be、Na、Mg、K、Ca、Sr、Cr、Mn、Co、Ni、Ga、Hf、Ta、In、Ti、Cu、Ag、Au、Fe、Pt等の元素(原子)のうちの少なくとも1種を含むものが挙げられる。
金属粒子の粒径は、その平均粒径が5〜200nm程度であるのが好ましく、10〜50nm程度であるのがより好ましい。これにより、金属粒子を樹脂材料中に分散させて、充填物38の熱伝導率の向上を確実に図ることができる。
Although it does not specifically limit as a metal particle, For example, Al, Zn, Sn, Li, Be, Na, Mg, K, Ca, Sr, Cr, Mn, Co, Ni, Ga, Hf, Ta, In, Ti, The thing containing at least 1 sort (s) of elements (atoms), such as Cu, Ag, Au, Fe, and Pt, is mentioned.
The average particle size of the metal particles is preferably about 5 to 200 nm, more preferably about 10 to 50 nm. Thereby, the metal particles can be dispersed in the resin material, and the thermal conductivity of the filler 38 can be reliably improved.

また、このような樹脂材料は、導電性を有するものを用いるのが好ましい。これにより、後工程[8−3]において、構造体36が設けられた母材10’をチャンバ内に設置する際に、静電チャック等により静電力を利用して母材10’と非接触な状態で、チャンバ内に固定することができるという利点が得られる。
このような導電性を有する樹脂材料としては、前述したような樹脂材料に金属粒子を添加したものの他、例えば、金属アンミン錯体、金属シアノ錯体、金属ハロゲノ錯体のような金属錯体や、ポリチオフェン系化合物、カルバゾール系化合物、アリールアミン系化合物、トリアゾール系化合物のような導電性有機材料を添加したもの等が挙げられる。
Moreover, it is preferable to use what has electroconductivity as such a resin material. Thereby, in the post-process [8-3], when the base material 10 ′ provided with the structure 36 is installed in the chamber, the electrostatic force is used by the electrostatic chuck or the like to make no contact with the base material 10 ′. In this state, the advantage that it can be fixed in the chamber is obtained.
Examples of such conductive resin materials include those obtained by adding metal particles to the resin material as described above, for example, metal complexes such as metal ammine complexes, metal cyano complexes, metal halogeno complexes, and polythiophene compounds. , Carbazole-based compounds, arylamine-based compounds, and triazole-based compounds added with conductive organic materials.

なお、上述したように、空間37に充填物38が充填されるが、その充填量および熱伝導率は、後工程[8−3]において母材10’の下側から冷却ガスにより冷却する際に、母材10’の各領域において、母材10’から冷却ガスへと伝達される熱量が等しくなるように、すなわち、充填物38の熱容量と構造体36の熱容量との差が小さくなるように設定(調整)すればよい。
換言すれば、熱伝導率が比較的低い場合には、充填量を少なく設定すればよく、熱伝導率が比較的高い場合には、充填量を多く設定すればよい。これにより、母材10’を均一に冷却することができる。
なお、薄膜39の構成材料等によっては、空間37に充填物38を充填する本工程[8−1]を省略してもよい。
As described above, the space 37 is filled with the filling material 38. The filling amount and the thermal conductivity of the space 37 are determined when cooling with the cooling gas from the lower side of the base material 10 ′ in the post-process [8-3]. In addition, in each region of the base material 10 ′, the amount of heat transferred from the base material 10 ′ to the cooling gas is equal, that is, the difference between the heat capacity of the filler 38 and the heat capacity of the structure 36 is reduced. (Adjustment)
In other words, when the thermal conductivity is relatively low, the filling amount may be set small, and when the thermal conductivity is relatively high, the filling amount may be set large. Thereby, base material 10 'can be cooled uniformly.
Depending on the constituent material of the thin film 39 and the like, this step [8-1] for filling the space 37 with the filler 38 may be omitted.

[8−2] 次に、図6(c)および図7に示すように、酸化膜51上に、各吐出液貯留空間12を形成する領域に対応する第1の開口部561と、吐出液供給空間13を形成する領域の縁部に沿って設けられた第2の開口部562を備え、第1の開口部561の平均幅と、第2の開口部562の全体の平均幅とがほぼ等しいレジスト層(マスク)56を形成する(第2の工程)。   [8-2] Next, as shown in FIG. 6C and FIG. 7, a first opening 561 corresponding to a region where each discharge liquid storage space 12 is formed on the oxide film 51, and the discharge liquid. A second opening 562 provided along the edge of the region forming the supply space 13 is provided, and the average width of the first opening 561 and the overall average width of the second opening 562 are approximately An equal resist layer (mask) 56 is formed (second step).

レジスト層56は、例えば、フォトリソグラフィー法等により得ることができる。
具体的には、酸化膜51上に、レジスト材料を塗布(供給)した後、第1の開口部および第2の開口部の形状に対応したフォトマスクを介してこのレジスト材料を、i線、紫外線および電子線等により露光・現像することにより得ることができる。
レジスト材料およびレジスト材料を塗布する方法としては、前記工程[8−1]で説明したレジスト材料、および、樹脂材料を含む溶液または分散液を塗布する方法と同様のものを用いることができる。
The resist layer 56 can be obtained by, for example, a photolithography method.
Specifically, after a resist material is applied (supplied) onto the oxide film 51, the resist material is i-lined through a photomask corresponding to the shapes of the first opening and the second opening. It can be obtained by exposure and development with ultraviolet rays and electron beams.
As the resist material and the method for applying the resist material, the same method as the method for applying the resist material and the solution or dispersion containing the resin material described in the step [8-1] can be used.

なお、レジスト層56は、本実施形態のようなレジスト材料を主材料として構成されるものの他、例えば、レジスト層56の下に金属層(下層)が設けられた積層体であってもよい。
これにより、次工程[8−3]において、この積層体をマスクとして用いて、ドライエッチング法により吐出液流路を形成する際に、母材10’をエッチング(加工)するのにしたがって、積層体もエッチングされるのをより好適に防止または抑制して、より寸法精度の優れた吐出液流路を形成することができる。
The resist layer 56 may be a stacked body in which a metal layer (lower layer) is provided below the resist layer 56 in addition to the resist material 56 as a main material, as in the present embodiment.
Thus, in the next step [8-3], when the discharge liquid flow path is formed by the dry etching method using the stacked body as a mask, the base material 10 ′ is etched (processed) as the base material 10 ′ is etched (processed). It is possible to more suitably prevent or suppress the body from being etched, and to form a discharge liquid flow path with higher dimensional accuracy.

このような金属層としては、例えば、Al、Cu、Fe、NiおよびCrのうちの少なくとも1種を主材料とするものが挙げられる。
なお、金属層は、酸化膜51上のほぼ全面に金属膜を形成し、さらにこの金属膜上に前述したような方法でレジスト層56を形成した後、レジスト層56をマスクとして用いて、ウエットエッチング法により、この金属膜をレジスト層56と同様の形状にエッチングすることにより得ることができる。
Examples of such a metal layer include a layer mainly composed of at least one of Al, Cu, Fe, Ni, and Cr.
The metal layer is formed by forming a metal film on almost the entire surface of the oxide film 51, forming a resist layer 56 on the metal film by the method described above, and then using the resist layer 56 as a mask. This metal film can be obtained by etching into the same shape as the resist layer 56 by an etching method.

なお、ウエットエッチング法に用いるエッチング液としては、例えば、NaOH、KOHのようなアルカリ金属水酸化物の水溶液、Mg(OH)のようなアルカリ土類金属水酸化物の水溶液、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの水溶液、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)、N,N−ジメチルアセトアミド(DMA)等のアミド系有機溶媒等が挙げられ、これらを単独または混合して用いることができる。 Examples of the etchant used in the wet etching method include an aqueous solution of an alkali metal hydroxide such as NaOH and KOH, an aqueous solution of an alkaline earth metal hydroxide such as Mg (OH) 2 , and tetramethylammonium hydro Examples include aqueous solutions of oxides, amide-based organic solvents such as N, N-dimethylformamide (DMF), N, N-dimethylacetamide (DMA), and the like. These can be used alone or in combination.

[8−3] 次に、図8(a)に示すように、母材10’の下側すなわち充填物38の下側から冷却ガスを吹き付けて母材10’を冷却しつつ、母材10’に対してレジスト層56を介してドライエッチングを施すことにより、レジスト層56の第1の開口部561および第2の開口部562から露出する母材10’を薄膜39に到達するまで除去して、第1の開口部561および第2の開口部562の形状に対応した凹部を形成する(第3の工程)。   [8-3] Next, as shown in FIG. 8A, the base material 10 ′ is cooled while spraying the cooling gas from the lower side of the base material 10 ′, that is, the lower side of the filler 38, to cool the base material 10 ′. ′ Is removed through the resist layer 56 to remove the base material 10 ′ exposed from the first opening 561 and the second opening 562 of the resist layer 56 until reaching the thin film 39. Thus, recesses corresponding to the shapes of the first opening 561 and the second opening 562 are formed (third step).

ドライエッチング法は、チャンバと、チャンバ内にプラズマ発生用ガスを導入するための第1の導入バルブと、母材10’を冷却するための冷却ガスを導入するための第2の導入バルブと、チャンバ内に対向するように設けられた一対の電極と、一方の電極側に設けられた母材10’を設置するための設置台とを備えたドライエッチング装置を用いて行うものである。   The dry etching method includes a chamber, a first introduction valve for introducing a plasma generating gas into the chamber, a second introduction valve for introducing a cooling gas for cooling the base material 10 ', This is performed using a dry etching apparatus provided with a pair of electrodes provided so as to face each other in the chamber and an installation base for installing a base material 10 ′ provided on one electrode side.

すなわち、ドライエッチング法は、一方の電極と構造体36とが対向するように母材10’を、この電極側に設けられた設置台にセットし、チャンバ内を減圧する。そして、第2の導入バルブから導入した冷却ガスを母材10’の下側に吹き付け、かつ、第1の導入バルブから導入したプラズマ発生用ガスを一対の電極間に供給した状態で、この電極間に高周波電圧を印加するものである。これにより、電極間の間でプラズマが発生し、これにより生じたイオンや電子が第1の開口部561および第2の開口部562から露出する母材10’の上面に衝突することとなる。その結果、母材10’の構成材料が叩き出されて、第1の開口部561および第2の開口部562から露出する母材10’が薄膜39に到達するまで除去されることとなる。その結果、第1の開口部561および第2の開口部562の形状に対応した凹部が形成される。
ここで、第2の開口部562は、図6(c)および図7に示すように、吐出液供給空間13を形成する領域の縁部に沿って設けられるが、第1の開口部561側の連通部562aと、この連通部562aに対向する対向部562bと、これら連通部562aと対向部562bとを連結する連結部562cとで構成されている。
That is, in the dry etching method, the base material 10 ′ is set on an installation table provided on the electrode side so that one electrode and the structure 36 face each other, and the inside of the chamber is decompressed. Then, the cooling gas introduced from the second introduction valve is sprayed on the lower side of the base material 10 ′, and the plasma generating gas introduced from the first introduction valve is supplied between the pair of electrodes. A high frequency voltage is applied between them. As a result, plasma is generated between the electrodes, and ions and electrons generated thereby collide with the upper surface of the base material 10 ′ exposed from the first opening 561 and the second opening 562. As a result, the constituent material of the base material 10 ′ is knocked out and the base material 10 ′ exposed from the first opening 561 and the second opening 562 is removed until it reaches the thin film 39. As a result, recesses corresponding to the shapes of the first opening 561 and the second opening 562 are formed.
Here, as shown in FIG. 6C and FIG. 7, the second opening 562 is provided along the edge of the region where the discharge liquid supply space 13 is formed, but on the first opening 561 side. The communication portion 562a, a facing portion 562b facing the communication portion 562a, and a connecting portion 562c connecting the communication portion 562a and the facing portion 562b.

このような第2の開口部562において、連通部(第1の辺に沿った部分)562aの平均幅W2が、第1の開口部561の平均幅W1とほぼ等しくなっているのが好ましい。これにより、形成される各吐出液貯留空間12と吐出液供給空間13とが連通する領域においてほぼ均一な速さで母材10’を除去することができることから、この領域においてマイクロローディング効果が発生するのを確実に防止してオーバーエッチングが生じるのを確実に防止することができる。その結果、吐出液供給空間13から各吐出液貯留空間12へインクを供給する際に、これらが連通する領域における乱流の発生が確実に防止される。これにより、吐出液供給空間13から吐出液貯留空間12へのインクの供給を円滑に行うことができる。   In such a second opening 562, it is preferable that the average width W2 of the communication portion (portion along the first side) 562a is substantially equal to the average width W1 of the first opening 561. As a result, the base material 10 ′ can be removed at a substantially uniform speed in a region where each discharge liquid storage space 12 and the discharge liquid supply space 13 communicate with each other, so that a microloading effect occurs in this region. Therefore, it is possible to reliably prevent over-etching by preventing the occurrence of over-etching. As a result, when ink is supplied from the discharge liquid supply space 13 to each discharge liquid storage space 12, the occurrence of turbulent flow in the region where these communicate with each other is reliably prevented. Thereby, the ink can be smoothly supplied from the discharge liquid supply space 13 to the discharge liquid storage space 12.

また、第2の開口部562において、連通部(第1の辺に沿った部分)562aの平均幅W2が、第1の開口部561の平均幅W1とほぼ等しくなっているのに加えて、対向部(第2の辺に沿った部分)562bの平均幅W3も、第1の開口部561の平均幅W1とほぼ等しくなっているのがより好ましい。これにより、対向部562bにおいても第1の開口部561および連結部562cとほぼ均一な速さで母材10’を除去することができることから、吐出液貯留空間12と反対側の側壁においてもオーバーエッチングが生じるのを確実に防止することができる。その結果、吐出液供給空間13の吐出液貯留空間12と反対側の側壁においても乱流が生じるのが防止されることから、吐出液供給空間13から各吐出液貯留空間12へのインクの供給がより円滑に行われることとなる。   In addition, in the second opening 562, in addition to the average width W2 of the communication portion (portion along the first side) 562a being substantially equal to the average width W1 of the first opening 561, More preferably, the average width W3 of the facing portion (portion along the second side) 562b is substantially equal to the average width W1 of the first opening 561. As a result, the base material 10 ′ can be removed at a substantially uniform speed in the facing portion 562 b as well as in the first opening portion 561 and the connecting portion 562 c, and therefore, the side wall on the side opposite to the discharge liquid storage space 12 is overloaded. Etching can be surely prevented. As a result, since turbulent flow is prevented from occurring on the side wall of the discharge liquid supply space 13 opposite to the discharge liquid storage space 12, ink is supplied from the discharge liquid supply space 13 to each discharge liquid storage space 12. Will be performed more smoothly.

さらに、本実施形態で示したように、第2の開口部562の全体の平均幅、すなわち、連通部562aの平均幅W2、対向部562bの平均幅W3および連結部562cの平均幅W4が、それぞれ、第1の開口部561の平均幅W1とほぼ等しくなっているが特に好ましい。これにより、第1の開口部561と第2の開口部562との全体に亘ってほぼ均一な速さで母材10’を除去することができる。これにより、吐出液供給空間13の側壁にオーバーエッチングが生じるのを確実に防止することができる。その結果、吐出液供給空間13において、乱流が生じるのが防止されることから、吐出液供給空間13から吐出液貯留空間12へのインクの供給をさらに円滑に行うことができる。   Furthermore, as shown in the present embodiment, the average width of the entire second opening 562, that is, the average width W2 of the communication portion 562a, the average width W3 of the facing portion 562b, and the average width W4 of the connecting portion 562c are as follows. Each of the first openings 561 is particularly preferably equal to the average width W1 of the first opening 561. Accordingly, the base material 10 ′ can be removed at a substantially uniform speed over the entire first opening 561 and second opening 562. Thereby, it is possible to reliably prevent over-etching on the side wall of the discharge liquid supply space 13. As a result, since turbulent flow is prevented from occurring in the discharge liquid supply space 13, ink can be supplied more smoothly from the discharge liquid supply space 13 to the discharge liquid storage space 12.

換言すれば、マスクが備える開口部同士の幅が異なることに起因して生じるマイクロローディング効果の発生をより確実に防止または抑制することができる。その結果、第1の開口部561および第2の開口部562で開口する領域において、薄膜39を均一に露出させることができる。これにより、寸法精度に優れた凹部を形成することができる。さらには、第2の開口部562に対応する領域に存在する薄膜39の一部すなわち金属層95が損傷するのを好適に防止または低減することができる。   In other words, it is possible to more reliably prevent or suppress the occurrence of the microloading effect caused by the difference between the widths of the openings provided in the mask. As a result, the thin film 39 can be uniformly exposed in the region opened by the first opening 561 and the second opening 562. Thereby, the recessed part excellent in dimensional accuracy can be formed. Furthermore, it is possible to suitably prevent or reduce damage to a part of the thin film 39 existing in the region corresponding to the second opening 562, that is, the metal layer 95.

さらに、本実施形態では、空間37および構造体36を覆うように充填物38が充填されていることから、母材10’を均一な温度に冷却することができる。その結果、母材10’のエッチングレートがより均一なものとなることから、第2の開口部562の平均幅を第1の開口部561の平均幅とほぼ等しくすることにより得られる効果がより顕著に発揮されることとなる。また、金属層95に接触するように充填物38が充填されていることから、たとえ、第1の開口部561と第2の開口部562とにおけるエッチングレートに差が生じたとしても、金属層95の損傷をより的確に防止または低減することができる。
なお、薄膜39は、ドライエッチングによるエッチングを停止させるエッチングストップ層として機能するものである。母材10’の下側の面に、薄膜39を設けることにより、母材10’のエッチングを確実に停止させることができる。
Furthermore, in this embodiment, since the filling material 38 is filled so as to cover the space 37 and the structure 36, the base material 10 ′ can be cooled to a uniform temperature. As a result, since the etching rate of the base material 10 ′ becomes more uniform, the effect obtained by making the average width of the second openings 562 substantially equal to the average width of the first openings 561 is more effective. It will be demonstrated remarkably. In addition, since the filler 38 is filled so as to come into contact with the metal layer 95, even if a difference occurs in the etching rate between the first opening 561 and the second opening 562, the metal layer 95 damage can be prevented or reduced more accurately.
The thin film 39 functions as an etching stop layer that stops etching by dry etching. By providing the thin film 39 on the lower surface of the base material 10 ′, the etching of the base material 10 ′ can be stopped reliably.

この薄膜39は、ドライエッチングによるエッチングレートが母材10’の構成材料(Si)よりも遅い材料で構成される単層のものであればよいが、本実施形態のように、吐出液供給空間13が形成される領域において1層(金属層95)で構成され、それ以外の領域において積層体(弾性膜50および絶縁体膜55)で構成されている部分を含んでいるのが好ましい。これにより、1層で構成される部分を特にエッチングレートが遅い材料で構成させることができ、積層体で構成される部分を振動板としての機能を発揮し得るもので構成させることができる。すなわち、薄膜39を、その各領域に応じて、目的とする機能を選択的に発揮し得るものとすることができる。   The thin film 39 may be a single layer made of a material whose etching rate by dry etching is slower than that of the constituent material (Si) of the base material 10 ′. However, as in this embodiment, the discharge liquid supply space It is preferable to include a portion formed of one layer (metal layer 95) in a region where 13 is formed and a layered body (elastic film 50 and insulator film 55) in other regions. Thereby, the part comprised by one layer can be comprised with a material with especially slow etching rate, and the part comprised by a laminated body can be comprised with what can exhibit the function as a diaphragm. That is, the thin film 39 can selectively exhibit a target function according to each region.

このような薄膜39の構成材料としては、上述した金属層95の構成材料であるAu、Ti、W、Ni、Crや、弾性膜50の構成材料であるSiOの他、例えば、Siよりもエッチングレートが遅い金属材料を用いることができる。このような金属材料を薄膜39の主材料として構成される場合においても、エッチングを停止させるエッチングストップ層としての機能を薄膜39に確実に発揮させることができる。
Siよりもエッチングレートが遅い金属材料としては、Au、Ti、W、Ni、Cr、Fe、PtおよびAl等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。これにより、エッチングを停止させるエッチングストップ層としての機能を薄膜39により確実に発揮させることができる。
薄膜39の厚さは、300〜1000nm程度であるのが好ましい。これにより、ドライエッチングを施す際に、薄膜39が損傷するのを的確に防止または抑制して、母材10’のエッチングを確実に停止することができる。
Examples of the constituent material of the thin film 39 include Au, Ti, W, Ni, Cr, which are constituent materials of the metal layer 95, and SiO 2 which is a constituent material of the elastic film 50. A metal material having a slow etching rate can be used. Even when such a metal material is configured as the main material of the thin film 39, the thin film 39 can reliably function as an etching stop layer for stopping etching.
Examples of the metal material having a slower etching rate than Si include Au, Ti, W, Ni, Cr, Fe, Pt, and Al, and one or more of these can be used in combination. Thereby, the function as an etching stop layer for stopping etching can be surely exhibited by the thin film 39.
The thickness of the thin film 39 is preferably about 300 to 1000 nm. Thereby, when performing dry etching, damage to the thin film 39 can be prevented or suppressed accurately, and etching of the base material 10 ′ can be stopped reliably.

プラズマ発生用ガスとしては、例えば、フッ素系ガス、塩素および臭素のうちの少なくとも1種を含有するハロゲン系ガス等が挙げられるが、本実施形態のように流路形成母材10’がシリコン単結晶で構成される場合には、SF、C、CBrF、CF/O、Cl、SF/N/Ar、BCl/Cl/Arガスを用いるのが好ましく、特に、SFおよびCガスのうちのいずれかを単独で、またはこれらの混合ガスを用いるのが好ましい。 Examples of the plasma generating gas include a fluorine-based gas, a halogen-based gas containing at least one of chlorine and bromine, and the like. When composed of crystals, it is preferable to use SF 6 , C 4 F 8 , CBrF 3 , CF 4 / O 2 , Cl 2 , SF 6 / N 2 / Ar, BCl 2 / Cl 2 / Ar gas. In particular, it is preferable to use any one of SF 6 and C 4 F 8 gases alone or a mixed gas thereof.

冷却ガスとしては、冷却効率に優れ、プラズマの発生に影響を与えないようなものであればよく、特に限定されるものではないが、例えば、ヘリウム、アルゴン、窒素のような不活性ガス等が挙げられ、これらの中でも、ヘリウムを主成分とするのが好ましい。ヘリウムは、特に冷却効果に優れるものであることから冷却ガスとして好適に用いられる。
また、冷却ガスの温度は、−20〜30℃程度であるのが好ましく、−10〜20℃程度であるのがより好ましい。これにより、母材10’を冷却して適切な温度を維持することができるようになる。
The cooling gas is not particularly limited as long as it has excellent cooling efficiency and does not affect the generation of plasma. For example, an inert gas such as helium, argon, nitrogen, etc. Among these, helium is preferred as the main component. Helium is preferably used as a cooling gas because it has a particularly excellent cooling effect.
Moreover, it is preferable that the temperature of a cooling gas is about -20-30 degreeC, and it is more preferable that it is about -10-20 degreeC. Thereby, it becomes possible to cool the base material 10 'and maintain an appropriate temperature.

なお、本実施形態では、充填物38に冷却ガスを直接吹き付ける場合について説明したが、このような場合に限定されず、例えば、図8(a)に示すように母材10’に冷却ガスを吹き付ける際に、保護基板を充填物38に接触(接合)させた状態で冷却するようにしてもよい。これにより、母材10’を設置台に設置する際に、充填物38が傷つけられるのを防止することができる。
なお、このような保護基板の接合は、前記工程[8−1]の後に、前述したような接合部材35aを介した状態で充填物38と保護基板とを接触させることにより行うことができる。
In the present embodiment, the case where the cooling gas is blown directly onto the filler 38 has been described. However, the present invention is not limited to such a case. For example, as shown in FIG. When spraying, the protective substrate may be cooled while being in contact (bonded) with the filler 38. Thereby, it is possible to prevent the filler 38 from being damaged when the base material 10 ′ is installed on the installation table.
In addition, joining of such a protective substrate can be performed by making the filler 38 and a protective substrate contact in the state via the joining member 35a as mentioned above after the said process [8-1].

このような保護基板は、特に限定されないが、例えば、金属材料を主材料として構成されているのが好ましい。これにより、金属材料が熱伝導率の高い材料であることから、保護基板から冷却ガスへと熱量の伝達がより円滑に行われて、母材10’をより効率よく冷却することができる。
このような金属材料としては、特に限定されないが、前記工程[8−1]で説明した金属粒子の構成材料と同様のものが挙げられる。
Although such a protective substrate is not particularly limited, for example, it is preferable that the protective substrate is composed mainly of a metal material. Thereby, since the metal material is a material having high thermal conductivity, the amount of heat is more smoothly transferred from the protective substrate to the cooling gas, and the base material 10 ′ can be cooled more efficiently.
Although it does not specifically limit as such a metal material, The thing similar to the constituent material of the metal particle demonstrated by the said process [8-1] is mentioned.

[8−4] 次に、レジスト層56および充填物38を同時または個別に除去する。
なお、レジスト層56の構成材料、および、充填物38の構成材料として、それぞれ、前述したようなもののうち、ほぼ同様の化学的性質を有するものや、同一のものを選択した場合には、レジスト層56および充填物38を同時に除去することができる。
このようなレジスト層56および充填物38の除去は、例えば、大気圧または減圧下において酸素プラズマやオゾン蒸気に晒すこと、または、これらのものを溶解し得るアセトン、アルキルベンゼンスルホン酸のようなレジスト剥離液に浸漬することにより、レジスト層56および充填物38の全てまたはその一部を液状化することにより行うことができる。
[8-4] Next, the resist layer 56 and the filler 38 are removed simultaneously or individually.
In addition, as the constituent material of the resist layer 56 and the constituent material of the filler 38, among those described above, those having substantially the same chemical properties or the same ones are selected. Layer 56 and fill 38 can be removed simultaneously.
Such removal of the resist layer 56 and the filling 38 is performed by, for example, exposing the resist layer to oxygen plasma or ozone vapor under atmospheric pressure or reduced pressure, or stripping the resist such as acetone or alkylbenzene sulfonic acid that can dissolve them. By immersing in the liquid, all or part of the resist layer 56 and the filler 38 can be liquefied.

[8−5] 次に、図9(a)に示すように、凹部が形成された母材10’に撥液処理を施すことにより、撥液膜57を形成する。
この撥液膜57は、例えば、凹部が形成された母材10’のほぼ全面に液状の撥液膜形成用材料を供給した後、必要に応じて、乾燥すること等により形成することができる。
また、撥液膜形成用材料には、撥液膜57の構成材料および/またはその前駆体を溶媒または分散媒に混合して調製した溶液または分散液を用いることができる。
[8-5] Next, as shown in FIG. 9A, a liquid repellent film 57 is formed by performing a liquid repellent treatment on the base material 10 ′ having the recesses.
The liquid repellent film 57 can be formed, for example, by supplying a liquid repellent film forming material to almost the entire surface of the base material 10 ′ where the recesses are formed, and then drying it if necessary. .
As the liquid repellent film forming material, a solution or dispersion prepared by mixing the constituent material of the liquid repellent film 57 and / or its precursor in a solvent or dispersion medium can be used.

また、溶媒または分散媒としては、前記工程[8−1]で説明したのと同様のものを用いることができる。
なお、本実施形態のように撥液処理を施すことにより撥液膜57を形成する場合の他、例えば、フッ素イオン等の撥液性を付与し得るイオンを母材10’に注入(打ち込む)するようにしてもよい。
Moreover, as a solvent or a dispersion medium, the thing similar to what was demonstrated by the said process [8-1] can be used.
In addition to forming the liquid repellent film 57 by performing a liquid repellent treatment as in this embodiment, for example, ions capable of imparting liquid repellency such as fluorine ions are implanted (implanted) into the base material 10 ′. You may make it do.

また、撥液処理を凹部が形成された母材10’のほぼ全面に施すことなく、例えば、凹部の内面に選択的に施すようにしてもよい。かかる構成とする場合には、凹部の内面に撥液膜を形成するようにするのが好ましい。これにより、比較的容易に、凹部の内面に撥液性を付与することができる。
なお、ヘッド1に吐出させるインクの種類等によっては、母材10’に撥液膜57を形成する本工程[8−5]を省略してもよい。
Further, for example, the liquid repellent treatment may be selectively performed on the inner surface of the concave portion without being performed on almost the entire surface of the base material 10 ′ where the concave portion is formed. In the case of such a configuration, it is preferable to form a liquid repellent film on the inner surface of the recess. Thereby, liquid repellency can be provided to the inner surface of a recessed part comparatively easily.
Note that this step [8-5] of forming the liquid repellent film 57 on the base material 10 ′ may be omitted depending on the type of ink ejected to the head 1 and the like.

[8−6] 次に、図9(b)に示すように、吐出液供給空間13形成する領域に残存する母材10’と、薄膜39すなわち金属層95とを除去することにより、吐出液供給空間13を形成して基板10を得る(第4の工程)。
これにより、貫通部110を介して吐出液供給空間13と吐出液供給路31とが連通されることとなり、リザーバ100が形成される。
なお、母材10’のおよび薄膜39の除去には、前記工程[3]の積層体のパターニングで説明したのと同様の方法を用いることができる。
[8-6] Next, as shown in FIG. 9B, the base material 10 ′ remaining in the region where the discharge liquid supply space 13 is formed and the thin film 39, that is, the metal layer 95, are removed. The supply space 13 is formed to obtain the substrate 10 (fourth step).
As a result, the discharge liquid supply space 13 and the discharge liquid supply path 31 are communicated with each other through the penetrating portion 110, and the reservoir 100 is formed.
For removing the base material 10 ′ and the thin film 39, the same method as described in the patterning of the laminate in the step [3] can be used.

[9] 次に、酸化膜51を介して、インクを液滴として吐出するノズル孔321が複数設けられたノズルプレート320を基板10の他方の面側に接合する(第5の工程)。
[10] 次に、リザーバ形成基板30上に駆動IC120を実装すると共に、コンプライアンス基板40を接合する。さらに、駆動IC120と下電極膜60およびリード電極90の接続部60a,90aとの間を、ワイヤボンディングすることにより接続配線130を形成する。
以上のような工程を経て、ヘッド1が製造される。
[9] Next, the nozzle plate 320 provided with a plurality of nozzle holes 321 for discharging ink as droplets is bonded to the other surface side of the substrate 10 through the oxide film 51 (fifth step).
[10] Next, the drive IC 120 is mounted on the reservoir forming substrate 30 and the compliance substrate 40 is bonded. Further, the connection wiring 130 is formed by wire bonding between the drive IC 120 and the connection portions 60 a and 90 a of the lower electrode film 60 and the lead electrode 90.
The head 1 is manufactured through the steps as described above.

なお、このようなヘッド1は、上述したような製造方法により1つずつ形成されるものであってもよいし、ウェハ上に、同時に多数形成した後、分割することにより得られるものであってもよい。
また、本実施形態では、圧電素子300を備える母材10’にリザーバ形成基板30を接合した後に、母材10’にドライエッチングを施して基板10を得る場合について説明したが、このような場合に限定されず、例えば、ドライエッチングにより基板10を形成(加工)する工程と、リザーバ形成基板30を接合する工程との順序を逆にして行うようにしてもよい。なお、本発明の液滴吐出ヘッドの製造方法は、本実施形態のように、母材10’にリザーバ形成基板30を接合した後に、母材10’にドライエッチングを施して基板10を得る場合に適用するのが好ましい。これにより、前記工程[8−3]において、薄膜39が損傷するのを防止または低減することができることから、前記工程[8−5]において、母材10’に形成された凹部に撥液処理を施す際に、この薄膜39が隔壁となり吐出液供給路31に撥液処理が施されるのを確実に防止することができる。
以上、本発明の液滴吐出ヘッドの製造方法、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
また、本発明の液滴吐出ヘッドの製造方法は、任意の目的の工程が1または2以上追加されていてもよい。
Such heads 1 may be formed one by one by the above-described manufacturing method, or may be obtained by forming a large number of wafers at the same time and then dividing them. Also good.
Further, in the present embodiment, the case where the substrate 10 is obtained by performing dry etching on the base material 10 ′ after bonding the reservoir forming substrate 30 to the base material 10 ′ including the piezoelectric element 300 has been described. For example, the step of forming (processing) the substrate 10 by dry etching and the step of bonding the reservoir forming substrate 30 may be reversed. In the method for manufacturing a droplet discharge head according to the present invention, the substrate 10 is obtained by performing dry etching on the base material 10 ′ after bonding the reservoir forming substrate 30 to the base material 10 ′ as in the present embodiment. It is preferable to apply to. Accordingly, the thin film 39 can be prevented or reduced from being damaged in the step [8-3]. Therefore, in the step [8-5], the liquid repellent treatment is performed on the concave portion formed in the base material 10 ′. When performing the above, it is possible to reliably prevent the thin film 39 from becoming a partition wall and subjecting the discharge liquid supply path 31 to the liquid repellent treatment.
The method for manufacturing a droplet discharge head, the droplet discharge head, and the droplet discharge apparatus according to the present invention have been described based on the illustrated embodiments, but the present invention is not limited to these.
In addition, in the method for manufacturing a droplet discharge head of the present invention, one or two or more steps for an arbitrary purpose may be added.

インクジェット式記録ヘッドの実施形態を示す分解斜視図である。It is an exploded perspective view showing an embodiment of an ink jet recording head. インクジェット式記録ヘッドの実施形態を示す平面図および断面図である。1A and 1B are a plan view and a cross-sectional view showing an embodiment of an ink jet recording head. インクジェットプリンタの実施形態を示す概略図である。It is the schematic which shows embodiment of an inkjet printer. インクジェット記録式ヘッドの製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of an inkjet recording-type head. インクジェット記録式ヘッドの製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of an inkjet recording-type head. インクジェット記録式ヘッドの製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of an inkjet recording-type head. インクジェット記録式ヘッドの製造方法を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating the manufacturing method of an inkjet recording type head. インクジェット記録式ヘッドの製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of an inkjet recording-type head. インクジェット記録式ヘッドの製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of an inkjet recording-type head.

符号の説明Explanation of symbols

1……インクジェット式記録ヘッド 10’……母材 10……基板 12……吐出液貯留空間 13……吐出液供給空間 320……ノズルプレート 321……ノズル孔 30……リザーバ形成基板 31……吐出液供給路 32……圧電素子収納部 35……接着剤層 35a……接合部材 36……構造体 37……空間 38……充填物 39……薄膜 40……コンプライアンス基板 41……封止膜 42……固定板 43……開口部 50……弾性膜 51……酸化膜 52……二酸化シリコン膜 55……絶縁体膜 56……レジスト層 58……振動板 561……第1の開口部 562……第2の開口部 562a……連通部 562b……対向部 562c……連結部 57……撥液膜 60……下電極膜 60a、90a……接続部 70……圧電体層 70’……第1の金属層 80……上電極膜 80’……第2の金属層 90……リード電極 91……密着膜 92……金属膜 95……金属層 100……リザーバ 110……貫通部 111……第1の貫通孔 112……第2の貫通孔 113……第3の貫通孔 120……駆動IC 130……接続配線 300……圧電素子 2……インクジェットプリンタ 22……装置本体 221……トレイ 222……排紙口 23……ヘッドユニット 231……インクカートリッジ 232……キャリッジ 24……印刷装置 241……キャリッジモータ 242……往復動機構 243……キャリッジガイド軸 244……タイミングベルト 25……給紙装置 251……給紙モータ 252……給紙ローラ 252a……従動ローラ 252b……駆動ローラ 26……制御部 27……操作パネル P……記録用紙   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Inkjet recording head 10 '... Base material 10 ... Substrate 12 ... Discharge liquid storage space 13 ... Discharge liquid supply space 320 ... Nozzle plate 321 ... Nozzle hole 30 ... Reservoir formation substrate 31 ... Discharge liquid supply path 32 …… Piezoelectric element storage portion 35 …… Adhesive layer 35a …… Joint member 36 …… Structure 37 …… Space 38 …… Filling material 39 …… Thin film 40 …… Compliance substrate 41 …… Sealing Film 42 …… Fixing plate 43 …… Opening portion 50 …… Elastic film 51 …… Oxide film 52 …… Silicon dioxide film 55 …… Insulator film 56 …… Resist layer 58 …… Vibration plate 561 …… First opening Part 562 …… Second opening 562a …… Communication part 562b …… Opposing part 562c …… Connecting part 57 …… Liquid repellent film 60 …… Lower electrode films 60a, 90a …… Connecting part 7 …… piezoelectric layer 70 ′ …… first metal layer 80 …… upper electrode film 80 ′ …… second metal layer 90 …… lead electrode 91 …… adhesion film 92 …… metal film 95 …… metal layer 100 …… Reservoir 110 …… Through portion 111 …… First through hole 112 …… Second through hole 113 …… Third through hole 120 …… Drive IC 130 …… Connection wiring 300 …… Piezoelectric element 2 …… Inkjet printer 22 ...... Device body 221 ...... Tray 222 ...... Discharge port 23 ...... Head unit 231 ...... Ink cartridge 232 ...... Carriage 24 ...... Printing device 241 ...... Carriage motor 242 ...... Reciprocating mechanism 243 ...... Carriage guide shaft 244 ... Timing belt 25 ... Paper feed device 251 ... Paper feed motor 252 ... Paper feed roller 252a ... Driven low 252b ...... driving roller 26 ...... controller 27 ...... operation panel P ...... recording paper

Claims (15)

吐出液を貯留する複数の細幅の吐出液貯留空間と、該各吐出液貯留空間に連通し前記各吐出液貯留空間に前記吐出液を供給する吐出液供給空間とが形成された基板と、前記各吐出液貯留空間を覆うように前記基板の一方の面に接触して設けられた振動板と、該振動板の前記基板と反対側の面に前記各吐出液貯留空間に対応して設けられ、液滴を吐出するための複数の駆動素子と、前記吐出液を液滴として吐出するノズル孔が複数形成され、該各ノズル孔が前記各吐出液貯留空間に対応するように、前記基板の他方の面に接合されたノズルプレートとを備える液滴吐出ヘッドの製造方法であって、
一方の面に薄膜が設けられ、該薄膜を介して前記駆動素子が設けられた平板状の母材を用意する第1の工程と、
前記母材の他方の面に、前記各吐出液貯留空間を形成する領域に対応する第1の開口部と、前記吐出液供給空間を形成する領域の縁部に沿って設けられた第2の開口部とを備え、前記第2の開口部の前記第1の開口部側の平均幅が、前記第1の開口部の平均幅とほぼ等しいマスクを形成する第2の工程と、
前記母材に対して前記マスクを介して前記ドライエッチングを施すことにより、前記第1の開口部および前記第2の開口部から露出する前記母材を前記薄膜に到達するまで除去して凹部を形成する第3の工程と、
前記吐出液供給空間を形成する領域に残存する前記母材と前記薄膜とを除去することにより前記振動板および前記基板を得る第4の工程と、
前記ノズルプレートを、前記基板の前記振動板と反対側の面に接合する第5の工程とを有することを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。
A substrate having a plurality of narrow discharge liquid storage spaces for storing the discharge liquid, and a discharge liquid supply space that communicates with each of the discharge liquid storage spaces and supplies the discharge liquid to each of the discharge liquid storage spaces; A diaphragm provided in contact with one surface of the substrate so as to cover each discharge liquid storage space, and provided on the surface of the vibration plate opposite to the substrate corresponding to each discharge liquid storage space A plurality of drive elements for discharging droplets and a plurality of nozzle holes for discharging the discharge liquid as droplets, and the nozzle holes correspond to the discharge liquid storage spaces. A liquid droplet ejection head comprising a nozzle plate joined to the other surface of
A first step of preparing a flat base material provided with a thin film on one surface and the driving element provided through the thin film;
A second opening provided on the other surface of the base material along a first opening corresponding to a region forming each discharge liquid storage space and an edge of a region forming the discharge liquid supply space. A second step of forming a mask comprising: an opening, wherein an average width of the second opening on the first opening side is approximately equal to an average width of the first opening;
By subjecting the base material to the dry etching through the mask, the base material exposed from the first opening and the second opening is removed until reaching the thin film, thereby forming a recess. A third step of forming;
A fourth step of obtaining the diaphragm and the substrate by removing the base material and the thin film remaining in a region forming the discharge liquid supply space;
And a fifth step of bonding the nozzle plate to a surface of the substrate opposite to the vibration plate.
前記吐出液供給空間は、平面視において、前記第1の開口部側の第1の辺と、該第1の辺に対向する第2の辺とを有する形状をなしており、
前記マスクは、前記第2の開口部の前記第1の辺に沿った部分の平均幅が、前記第1の開口部の平均幅とほぼ等しくなっている請求項1に記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
The discharge liquid supply space has a shape having a first side on the first opening side and a second side facing the first side in plan view,
2. The droplet discharge head according to claim 1, wherein an average width of a portion of the mask along the first side of the second opening is substantially equal to an average width of the first opening. Manufacturing method.
前記マスクは、さらに、前記第2の開口部の前記第2の辺に沿った部分の平均幅が、前記第1の開口部の平均幅とほぼ等しくなっている請求項2に記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。   3. The droplet according to claim 2, wherein the mask further has an average width of a portion along the second side of the second opening substantially equal to an average width of the first opening. Manufacturing method of the discharge head. 前記マスクは、前記第2の開口部の全体の平均幅と、前記第1の開口部の平均幅とがほぼ等しくなっている請求項1ないし3のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。   4. The liquid droplet ejection head according to claim 1, wherein an average width of the entire second opening and the average width of the first opening of the mask are substantially equal. 5. Method. 前記薄膜は、前記第3の工程において、前記ドライエッチングによるエッチングを停止させるエッチングストップ層として機能する請求項1ないし4のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。   5. The method of manufacturing a droplet discharge head according to claim 1, wherein the thin film functions as an etching stop layer that stops etching by the dry etching in the third step. 前記薄膜は、前記吐出液供給空間が形成される領域において1層で構成され、それ以外の領域において積層体で構成されている部分を含んでいる請求項1ないし5のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。   6. The liquid according to claim 1, wherein the thin film includes a single layer in a region where the discharge liquid supply space is formed, and includes a portion formed of a laminated body in the other region. A method for manufacturing a droplet discharge head. 前記母材は、主としてSiで構成され、前記薄膜は、主としてSiO、および、Siよりもエッチングレートが遅い金属材料のうちの少なくとも1種で構成される請求項1ないし6のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。 The base material is mainly made of Si, and the thin film is mainly made of at least one of SiO 2 and a metal material whose etching rate is slower than that of Si. Manufacturing method of a liquid droplet discharge head. 前記金属材料は、Au、Ti、W、Ni、Cr、Fe、PtおよびAlのうちの少なくとも1種である請求項7に記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。   The method of manufacturing a droplet discharge head according to claim 7, wherein the metal material is at least one of Au, Ti, W, Ni, Cr, Fe, Pt, and Al. 前記薄膜の厚さは、300〜1000nmである請求項1ないし8のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。   The method of manufacturing a droplet discharge head according to claim 1, wherein the thin film has a thickness of 300 to 1000 nm. 前記母材の前記一方の面には、前記各駆動素子を収納する駆動素子収納空間と、前記吐出液供給空間に前記吐出液を供給する吐出液供給路とが形成された吐出液供給路基板が、前記吐出液供給路が前記母材の前記吐出液貯留空間を形成する領域に対応するように、接合されており、
前記第4の工程において、前記母材と前記薄膜を除去することにより、前記吐出液貯留空間と前記吐出液供給路とを連通させる請求項1ないし9のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
A discharge liquid supply path substrate in which a drive element storage space for storing the drive elements and a discharge liquid supply path for supplying the discharge liquid to the discharge liquid supply space are formed on the one surface of the base material. However, the discharge liquid supply path is joined so as to correspond to a region forming the discharge liquid storage space of the base material,
10. The droplet discharge head according to claim 1, wherein, in the fourth step, the discharge liquid storage space and the discharge liquid supply path are communicated with each other by removing the base material and the thin film. Production method.
前記第3の工程に先立って、前記吐出液供給路内に前記薄膜と接触するように充填物を充填する工程を有し、
前記第3の工程において、前記充填物の存在により前記吐出液供給空間が形成される領域に存在する前記薄膜の損傷を防止または低減する請求項10に記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
Prior to the third step, filling the discharge liquid supply path with a filler so as to contact the thin film;
The method of manufacturing a droplet discharge head according to claim 10, wherein in the third step, damage to the thin film existing in a region where the discharge liquid supply space is formed due to the presence of the filler is prevented or reduced.
前記第4の工程に先立って、前記凹部の内面に撥液処理を施す請求項10または11に記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。   12. The method of manufacturing a droplet discharge head according to claim 10, wherein a liquid repellent treatment is performed on the inner surface of the concave portion prior to the fourth step. 前記撥液処理により撥液膜を形成する請求項12に記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。   The method for manufacturing a droplet discharge head according to claim 12, wherein a liquid repellent film is formed by the liquid repellent treatment. 請求項1ないし13のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法により製造されたことを特徴とする液滴吐出ヘッド。   A droplet discharge head manufactured by the method for manufacturing a droplet discharge head according to claim 1. 請求項14に記載の液滴吐出ヘッドを備えることを特徴とする液滴吐出装置。   A droplet discharge apparatus comprising the droplet discharge head according to claim 14.
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