JP2007048885A - Frame for dicing of semiconductor wafer - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a frame for dicing a semiconductor wafer that maintains the strength of the frame and is light and can improve workability and conveniences, and can cope with an increase in the amount of information on the semiconductor wafer and a machining process thereof, or the like. <P>SOLUTION: The frame for dicing the semiconductor wafer comprises the hollow frame 1 for storing a 12-inch semiconductor wafer drawn in a pattern; and a dicing layer 20 for viscously holding the semiconductor wafer affixed and stored on the back of the frame 1, the frame 1 is subjected to injection molding to a thickness of 2-3 mm by a forming material at least made of resin, a bending elastic modulus in ASTM D790 of the frame 1 is set to a range of 25 to 50 GPa, and flexural strength in ASTM D790 is set to a range of 150 to 600 MPa. The frame 1 is subjected to injection molding by using a forming material, such as polyphenylene sulfide, thus reducing weight and improving workability and conveniences. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体ウェーハのダイシング作業やエキスパンド作業等に使用される半導体ウェーハのダイシング用フレームに関するものである。   The present invention relates to a semiconductor wafer dicing frame used for semiconductor wafer dicing and expanding operations.

従来における半導体ウェーハのダイシング用フレームは、図４ないし図６に示すように、口径３００ｍｍ（１２インチ）の半導体ウェーハＷを収容するフレーム１Ａを備え、このフレーム１Ａに、半導体ウェーハＷを保持するダイシングフィルム２１が貼着されることにより構成されている（特許文献１参照）。   As shown in FIGS. 4 to 6, a conventional dicing frame for a semiconductor wafer includes a frame 1A for housing a semiconductor wafer W having a diameter of 300 mm (12 inches), and the dicing for holding the semiconductor wafer W on the frame 1A. It is comprised by sticking the film 21 (refer patent document 1).

フレーム１Ａは、例えばＳＵＳ等を使用して中空に形成され、表面の一部に、半導体ウェーハＷやその加工工程に関する情報管理用のバーコード４が貼着されており、２５枚一組で図示しない半導体ウェーハ用の収納容器に整列収納される。また、ダイシングフィルム２１は、例えば５０〜２００μｍの厚さでフィルム化された軟質塩化ビニル樹脂を備え、この柔軟な軟質塩化ビニル樹脂の表面に、アクリル系の粘着剤が１０〜５０μｍの厚さに塗布されており、フレーム１Ａの裏面に剥離可能に貼着されてその中空部を閉塞する。   The frame 1A is formed hollow using, for example, SUS or the like, and a barcode 4 for managing information on the semiconductor wafer W and its processing process is attached to a part of the surface, and a set of 25 sheets is illustrated. Aligned and stored in a storage container for semiconductor wafers. The dicing film 21 includes a soft vinyl chloride resin formed into a film with a thickness of, for example, 50 to 200 μm, and an acrylic adhesive has a thickness of 10 to 50 μm on the surface of the soft soft vinyl chloride resin. It is apply | coated and it sticks on the back surface of the flame | frame 1A so that peeling is possible, and the hollow part is obstruct | occluded.

このような構成の半導体ウェーハのダイシング用フレームは、ダイシングフィルム２１上に粘着保持した半導体ウェーハＷがダイヤモンドブレード３０により複数のダイ（チップ）Ｄにダイシング（図４参照）され、粘着剤が残存等しないようダイシングフィルム２１を含む全体がＵＶ照射され、エキスパンド装置３１上に上方から圧接されてダイシングフィルム２１が径方向に延伸される（図５、図６参照）とともに、複数のダイＤが相互に接触しないようその間隔が拡大され、その後、半導体ウェーハＷからダイＤが個々にピックアップして移送され、パッケージの組立や基板の実装等の作業が行なわれる。
特開２０００‐３３１９６２号公報 In the semiconductor wafer dicing frame having such a configuration, the semiconductor wafer W adhered and held on the dicing film 21 is diced into a plurality of dies (chips) D by the diamond blade 30 (see FIG. 4), and the adhesive remains. The entire dicing film 21 including the dicing film 21 is irradiated with UV, pressed onto the expander 31 from above and stretched in the radial direction (see FIGS. 5 and 6), and a plurality of dies D are mutually connected. The distance between the semiconductor wafers W is increased so that they do not come into contact with each other. Thereafter, the dies D are individually picked up and transferred from the semiconductor wafer W, and operations such as package assembly and substrate mounting are performed.
JP 2000-319662 A

従来における半導体ウェーハのダイシング用フレームは、以上のようにフレーム１ＡがＳＵＳ製なので、強度に優れるものの、重量がある（例えば約３００ｇ）ので、作業性や利便性に欠けるという問題がある。このような問題を解消するには、フレーム１Ａの材料として樹脂を選択すれば良いが、そうすると、フレーム１Ａの強度低下を招くばかりでなく、フレーム１Ａが３．７ｍｍ以上の厚さとなり、そのままでは既存の機器や装置に到底使用することができないという大きな問題が新たに生じることとなる。   A conventional dicing frame for a semiconductor wafer has a problem in that workability and convenience are lacking because the frame 1A is made of SUS as described above, and has high strength but is heavy (for example, about 300 g). To solve such a problem, it is sufficient to select a resin as the material of the frame 1A. However, if this is done, not only will the strength of the frame 1A decrease, but the thickness of the frame 1A will be 3.7 mm or more. There will be a new major problem that it cannot be used for existing equipment and devices.

また近年、半導体ウェーハＷが８インチ（口径２００ｍｍ）から１２インチにインチアップして管理すべき情報量が増大してきているが、従来においては、情報量に乏しいバーコード４が単に貼着されるに止まるので、情報量の増大に対応することができないという問題がある。この問題の解消には、バーコード４の代わりにＲＦＩＤシステムのＲＦタグを使用すれば良いが、フレーム１Ａが金属製の場合には、ＲＦタグの通信特性にフレーム１Ａが悪影響を及ぼし、渦電流の発生等により無線通信に支障を来たすおそれが少なくない。   In recent years, the amount of information to be managed by increasing the semiconductor wafer W from 8 inches (diameter 200 mm) to 12 inches has been increasing, but conventionally, a bar code 4 having a small amount of information is simply pasted. Since it stops, there is a problem that it cannot cope with an increase in the amount of information. To solve this problem, the RF tag of the RFID system may be used instead of the barcode 4, but when the frame 1A is made of metal, the frame 1A has an adverse effect on the communication characteristics of the RF tag, and eddy currents. There is a high risk that wireless communication will be hindered due to the occurrence of wireless communication.

本発明は上記に鑑みなされたもので、フレームの強度を維持しつつ軽量性、作業性、利便性を向上させることができ、半導体ウェーハやその加工工程等に関する情報量の増大に対応することのできる半導体ウェーハのダイシング用フレームを提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of the above, and can improve the lightness, workability, and convenience while maintaining the strength of the frame, and can cope with the increase in the amount of information on the semiconductor wafer and its processing steps. An object of the present invention is to provide a dicing frame for a semiconductor wafer.

本発明においては上記課題を解決するため、半導体ウェーハを収容する中空のフレームと、このフレームに取り付けられ、収容された半導体ウェーハを粘着保持する可撓性のダイシング層とを備えたものであって、
フレームを少なくとも樹脂からなる成形材料により２〜３ｍｍの厚さに成形し、このフレームのＡＳＴＭ Ｄ７９０における曲げ弾性率を２０ＧＰａ以上とするとともに、ＡＳＴＭ Ｄ７９０における曲げ強度を１５０ＭＰａ以上としたことを特徴としている。 In order to solve the above-described problems, the present invention includes a hollow frame that accommodates a semiconductor wafer and a flexible dicing layer that is attached to the frame and holds the accommodated semiconductor wafer in an adhesive manner. ,
The frame is molded to a thickness of 2 to 3 mm from a molding material made of at least resin, and the flexural modulus of the frame according to ASTM D790 is set to 20 GPa or more, and the bending strength according to ASTM D790 is set to 150 MPa or more. .

なお、成形材料を、ポリフェニレンスルフィド、カーボンファイバー、及び炭酸カルシウムのうち、少なくともポリフェニレンスルフィドとカーボンファイバーとが混合された材料とすることができる。
また、成形材料を、ポリフェニレンスルフィドとポリアミドから選択された少なくとも１種の樹脂、及びホウ酸アルミニウムウィスカーが混合された材料とすることができる。
さらに、フレームに、ＲＦＩＤシステムのＲＦタグを取り付けることが好ましい。 The molding material can be a material in which at least polyphenylene sulfide and carbon fiber are mixed among polyphenylene sulfide, carbon fiber, and calcium carbonate.
Further, the molding material can be a material in which at least one resin selected from polyphenylene sulfide and polyamide and aluminum borate whiskers are mixed.
Furthermore, it is preferable to attach an RF tag of the RFID system to the frame.

ここで、特許請求の範囲における半導体ウェーハは、口径３００ｍｍタイプが主ではあるが、特に限定されるものではなく、口径２００ｍｍタイプや口径４５０ｍｍタイプ等でも良い。また、半導体ウェーハには、Ｓｉウェーハ、ＧａＰウェーハの種類があるが、いずれでも良い。可撓性のダイシング層には、半導体ウェーハを粘着保持する透明、不透明、半透明のフィルムやシートが含まれる。このダイシング層には、ポリオレフィン系フィルムを含有すると良い。   Here, the semiconductor wafer in the claims is mainly a 300 mm diameter type, but is not particularly limited, and may be a 200 mm diameter type or a 450 mm diameter type. Moreover, although there exist a kind of Si wafer and a GaP wafer in a semiconductor wafer, any may be sufficient. The flexible dicing layer includes transparent, opaque, and translucent films and sheets that hold and hold a semiconductor wafer. The dicing layer may contain a polyolefin film.

成形材料は、ポリフェニレンスルフィド、カーボンファイバー、及び炭酸カルシウムが混練された材料でも良いし、ナイロン系の樹脂にカーボンファイバー又はグラスファイバーが混練された材料でも良い。ＡＳＴＭとは、アメリカ材料試験協会が設定発行している工業規格をいう。さらに、ＲＦＩＤシステムとは、（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）は、移動体識別装置とも、リモートＩＤともいい、移動体と共に移動するＲＦＩＤと、このＲＦＩＤと無線通信を行なうアンテナ及びリーダ／ライタ等とを備えた無線通信システムをいう。   The molding material may be a material in which polyphenylene sulfide, carbon fiber, and calcium carbonate are kneaded, or may be a material in which carbon fiber or glass fiber is kneaded in a nylon resin. ASTM refers to an industry standard set and issued by the American Society for Testing Materials. Further, the RFID system (Radio Frequency Identification) is also referred to as a mobile object identification device or a remote ID, and includes an RFID that moves together with the mobile object, an antenna that performs wireless communication with the RFID, a reader / writer, and the like. A wireless communication system.

本発明によれば、フレームの強度を維持しつつ軽量性、作業性、利便性を向上させることができるという効果がある。
また、成形材料を、少なくともポリフェニレンスルフィドとカーボンファイバーとが混練された材料とすれば、ポリフェニレンスルフィドが優れた流動性や寸法安定性等を示し、カーボンファイバーが強度や剛性を確保する。この効果は、成形材料を、ポリフェニレンスルフィドとポリアミドから選択された少なくとも１種の樹脂、及びホウ酸アルミニウムウィスカーが混合された材料とした場合も同様である。 According to the present invention, there is an effect that lightness, workability, and convenience can be improved while maintaining the strength of the frame.
If the molding material is a material in which at least polyphenylene sulfide and carbon fiber are kneaded, polyphenylene sulfide exhibits excellent fluidity and dimensional stability, and the carbon fiber ensures strength and rigidity. This effect is the same when the molding material is a material in which at least one resin selected from polyphenylene sulfide and polyamide and aluminum borate whiskers are mixed.

また、樹脂製のフレームに、ＲＦＩＤシステムのＲＦタグを取り付け、情報量の増大や情報の書き換えの容易化等を図るので、半導体ウェーハやその加工工程等に関する情報量の増大に比較的容易に対応することができる。   In addition, since the RFID tag of the RFID system is attached to the resin frame to increase the amount of information and to facilitate the rewriting of information, it is relatively easy to cope with the increase in the amount of information related to semiconductor wafers and processing processes. can do.

以下、図面を参照して本発明の好ましい実施の形態を説明すると、本実施形態における半導体ウェーハのダイシング用フレームは、図１や図２に示すように、パターン描画された１２インチの半導体ウェーハＷを隙間をおいて収容包囲する中空のフレーム１と、このフレーム１に貼着されて収容包囲された半導体ウェーハＷを着脱自在に粘着保持する可撓性のダイシング層２０とを備えている。   Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. A dicing frame for a semiconductor wafer in this embodiment is a 12-inch semiconductor wafer W patterned as shown in FIGS. And a flexible dicing layer 20 that detachably adheres and holds the semiconductor wafer W that is attached to the frame 1 and is enclosed and enclosed.

フレーム１は、図２に示すように、所定の成形材料により１２インチの半導体ウェーハＷよりも大きい厚さ２〜３ｍｍの略リング形に射出成形され、内周面が断面略く字形、略三角形、あるいは傾斜形成されており、外周面の前後左右がそれぞれ直線的に切り欠かれるとともに、外周面の前部には、位置決め用の一対のノッチ２が左右に並べて切り欠かれる。   As shown in FIG. 2, the frame 1 is injection-molded into a substantially ring shape having a thickness of 2 to 3 mm larger than a 12-inch semiconductor wafer W with a predetermined molding material, and the inner peripheral surface is substantially rectangular in cross section and substantially triangular. Alternatively, the front, rear, left and right of the outer peripheral surface are linearly cut out, and a pair of positioning notches 2 are cut out side by side at the front of the outer peripheral surface.

所定の成形材料としては、例えば流動性、寸法安定性、低磨耗性、精密成形に優れるポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、強度や剛性を確保するカーボンファイバー、及び炭酸カルシウムが混合混練された材料があげられる。また、ポリフェニレンスルフィドとポリアミドから選択された少なくとも１種の樹脂、及び強度や耐薬品性等に優れるホウ酸アルミニウムウィスカーが混合された材料があげられる。   The predetermined molding material includes, for example, a material obtained by mixing and kneading polyphenylene sulfide (PPS) excellent in fluidity, dimensional stability, low wear and precision molding, carbon fiber ensuring strength and rigidity, and calcium carbonate. . In addition, a material in which at least one resin selected from polyphenylene sulfide and polyamide and aluminum borate whisker excellent in strength, chemical resistance, and the like are mixed can be given.

フレーム１の表面後部には図２に示すように、左右横方向に伸びる収納穴３が一体的に凹み成形され、この収納穴３内に、ＲＦＩＤシステム１０のＲＦタグ１１が装着される。ＲＦＩＤシステム１０は、図１に示すように、電波により内部メモリがアクセスされ、フレーム１と共に移動するＲＦタグ１１と、このＲＦタグ１１との間で電波や電力を送受信するアンテナユニット１２と、ＲＦタグ１１との交信を制御するリーダ／ライタ１３と、このリーダ／ライタ１３を制御するコンピュータ１４とを備えて構成される。   As shown in FIG. 2, a housing hole 3 extending in the horizontal direction is integrally formed in the rear portion of the front surface of the frame 1, and the RF tag 11 of the RFID system 10 is mounted in the housing hole 3. As shown in FIG. 1, the RFID system 10 includes an RF tag 11 that moves with the frame 1 when an internal memory is accessed by radio waves, an antenna unit 12 that transmits and receives radio waves and power between the RF tag 11, and an RF A reader / writer 13 that controls communication with the tag 11 and a computer 14 that controls the reader / writer 13 are provided.

アンテナユニット１２とリーダ／ライタ１３とは、別々に構成されるが、必要に応じて一体化される。また、リーダ／ライタ１３の制御に特に支障を来たさなければ、コンピュータ１４の代わりに各種のコントローラが使用される。   The antenna unit 12 and the reader / writer 13 are configured separately, but are integrated as necessary. In addition, various controllers are used in place of the computer 14 as long as the reader / writer 13 is not particularly affected by the control.

このようなフレーム１は、工業規格ＡＳＴＭ Ｄ７９０における曲げ弾性率が２５〜５０ＧＰａ、好ましくは２５〜４０ＧＰａの範囲内とされ、かつＡＳＴＭ Ｄ７９０における曲げ強度が１５０〜６００ＭＰａ、好ましくは１５０〜４００ＭＰａの範囲内とされる。これは、フレーム１の曲げ弾性率や曲げ強度が上記範囲から外れた場合には、フレーム１の強度が低下したり、フレーム１が容易に破損してしまうからである。   Such a frame 1 has a flexural modulus of 25 to 50 GPa, preferably 25 to 40 GPa in the industry standard ASTM D790, and a flexural strength of 150 to 600 MPa, preferably 150 to 400 MPa in ASTM D790. It is said. This is because when the bending elastic modulus and bending strength of the frame 1 are out of the above ranges, the strength of the frame 1 is reduced or the frame 1 is easily damaged.

ダイシング層２０は、例えば粘着剤がダイＤに付着するのを規制するエチレン酢酸ビニル（ＥＶＡ）等からなるポリオレフィン系フィルムと、このポリオレフィン系フィルムの表面に塗布されて半導体ウェーハＷを粘着するアクリル系の粘着剤とを備えた薄い平面円板形に形成され、フレーム１の裏面の被接着領域に接着されてその中空部を閉塞する。フレーム１の裏面の被接着領域は、そのままでも良いが、略スパイク状の凸凹に粗してダイシング層２０との接着強度を向上させることもできる。その他の部分については、従来例と同様であるので説明を省略する。   The dicing layer 20 includes, for example, a polyolefin film made of ethylene vinyl acetate (EVA) or the like that restricts the adhesive from adhering to the die D, and an acrylic film that is applied to the surface of the polyolefin film and adheres to the semiconductor wafer W. It is formed in a thin flat disk shape having a pressure sensitive adhesive, and is adhered to the adherend region on the back surface of the frame 1 to close the hollow portion. The area to be bonded on the back surface of the frame 1 may be left as it is, but may be roughened into a substantially spike-like unevenness to improve the bonding strength with the dicing layer 20. The other parts are the same as those in the conventional example, and thus the description thereof is omitted.

上記によれば、金属の代わりにポリフェニレンスルフィド等の成形材料を使用してフレーム１を射出成形するので、軽量化を図ることができ、これを通じて作業性や利便性を著しく向上させることができる。また、フレーム１の材料変更と共に、曲げ弾性率を２５〜５０ＧＰａの範囲内とし、かつ曲げ強度を１５０〜６００ＭＰａの範囲内とするので、例え樹脂を使用してもフレーム１の強度低下を招くことが全くなく、しかも、フレーム１を３ｍｍ以下と薄くして既存の機器や装置をそのまま利用することができる。また、樹脂を使用しても、フレーム１の破損、曲がり、割れ等を抑制することができるので、ＥＶＡ系のダイシング層２０を用いても、フレーム１とダイシング層２０とが分離することがない。   According to the above, since the frame 1 is injection-molded using a molding material such as polyphenylene sulfide instead of metal, the weight can be reduced, and the workability and convenience can be significantly improved through this. Moreover, since the bending elastic modulus is set in the range of 25 to 50 GPa and the bending strength is set in the range of 150 to 600 MPa along with the material change of the frame 1, even if resin is used, the strength of the frame 1 is reduced. In addition, the frame 1 can be made as thin as 3 mm or less, and existing equipment and devices can be used as they are. Even if resin is used, the frame 1 can be prevented from being broken, bent, cracked, etc., so even if the EVA-based dicing layer 20 is used, the frame 1 and the dicing layer 20 are not separated. .

この点について詳しく説明すると、ＥＶＡ系のダイシング層２０は、軟質塩化ビニル樹脂と異なり、ダイＤに粘着剤が付着するのを抑制したり、生産性を向上させるが、引張り時の伸び率が小さいので、ダイＤとダイＤとの間隔を十分に広げるためには、エキスパンド装置３１に上方から強く圧接される必要がある。この点、フレーム１の強度が低い場合には図３に示すように、フレーム１が変形してダイシング層２０が外れたり、剥離することがあるが、本実施形態によれば、強度が低下しない樹脂製のフレーム１を使用するので、フレーム１とダイシング層２０との分離、剥離等を有効に防止することができる。   Explaining this point in detail, the EVA-based dicing layer 20 is different from the soft vinyl chloride resin in that it prevents the adhesive from adhering to the die D and improves the productivity, but has a low elongation at the time of tension. Therefore, in order to sufficiently widen the space between the die D and the die D, it is necessary to strongly press against the expanding device 31 from above. In this regard, when the strength of the frame 1 is low, as shown in FIG. 3, the frame 1 may be deformed and the dicing layer 20 may be detached or peeled off. However, according to the present embodiment, the strength is not lowered. Since the resin frame 1 is used, it is possible to effectively prevent separation, peeling, and the like between the frame 1 and the dicing layer 20.

また、フレーム１を金属製ではなく樹脂製とするので、ＲＦＩＤシステム１０のＲＦタグ１１を使用しても、ＲＦタグ１１の通信特性にフレーム１が悪影響を及ぼすことがなく、無線通信に誤作動等の支障を来たすおそれをきわめて有効に排除することが可能になる。また、フレーム１に、ＲＦＩＤシステム１０のＲＦタグ１１を一体的に装着するので、情報システムの簡素化を図ることができ、しかも、情報の問い合わせが不要なので、レスポンスが非常に早くなるとともに、情報を分散処理できるので、システムの拡張や変更に柔軟に対応することが可能になる。   In addition, since the frame 1 is made of resin instead of metal, even if the RF tag 11 of the RFID system 10 is used, the frame 1 does not adversely affect the communication characteristics of the RF tag 11 and malfunctions in wireless communication. It is possible to eliminate the possibility of causing trouble such as the above effectively. In addition, since the RF tag 11 of the RFID system 10 is integrally attached to the frame 1, the information system can be simplified, and since an inquiry of information is unnecessary, the response becomes very fast and the information Can be distributed, so that it is possible to flexibly cope with system expansion and changes.

また、汚れやすい印刷物であるバーコード（最大情報量 数１０ケタ）４と異なり、情報の遠隔読み取りや電力伝送が可能になる他、情報量の増大（最大情報量 数１０００ケタ）、情報の書き換えの容易化、耐汚染性の向上を図ることが可能になる。さらに、フレーム１が金属製の場合には、フレーム１にＲＦタグ１１用の収納穴３を後から時間をかけて切削加工せざるを得ないが、フレーム１が樹脂製の場合には、フレーム１の成形時に収納穴３を簡単に一体形成することができるので、生産性の著しい向上が大いに期待できる。   Unlike barcodes (maximum information amount of 10 digits) 4, which is easily printed, information can be read remotely and power can be transmitted, and the amount of information can be increased (maximum information amount of 1000 digits) and information can be rewritten. It is possible to facilitate the improvement of the contamination resistance. Furthermore, when the frame 1 is made of metal, the housing hole 3 for the RF tag 11 must be cut over the frame 1 over time. However, when the frame 1 is made of resin, Since the storage hole 3 can be easily integrally formed at the time of molding 1, significant improvement in productivity can be greatly expected.

なお、上記実施形態ではフレーム１の表面後部に収納穴３を凹み成形したが、何らこれに限定されるものではない。例えば、フレーム１の側部の少なくとも一部分に、収納穴３を成形しても良い。また、フレーム１の表裏面のいずれかに収納穴３を凹み成形することなく、ＲＦタグ１１を直接取り付けても良い。また、ＲＦＩＤシステム１０には、交信距離の短い電磁結合方式、電磁誘導方式、交信距離の長い電波方式等があるが、いずれでも良い。さらに、ＲＦタグ１１には、ラベル形、円筒形、カード形、箱形等があるが、いずれでも良い。   In the above embodiment, the housing hole 3 is formed in the rear of the front surface of the frame 1, but the present invention is not limited to this. For example, the storage hole 3 may be formed in at least a part of the side portion of the frame 1. Further, the RF tag 11 may be directly attached without recessing the storage hole 3 on either the front or back surface of the frame 1. The RFID system 10 includes an electromagnetic coupling method with a short communication distance, an electromagnetic induction method, a radio wave method with a long communication distance, and the like. Further, the RF tag 11 includes a label shape, a cylindrical shape, a card shape, a box shape, and the like, and any of them may be used.

以下、本発明に係る半導体ウェーハのダイシング用フレームの実施例を比較例と共に説明する。
実施例１
先ず、所定の成形材料を使用して図２に示すフレームを射出成形機により射出成形した。所定の成形材料としては、ポリフェニレンスルフィド１００重量部、カーボンファイバー１００重量部、及び炭酸カルシウム２００重量部を混練混合した材料を使用した。フレームは外径４００ｍｍ、内径３５０ｍｍ、厚さ２．５ｍｍの大きさであり、フレームの重量は約１２０ｇであった。 Embodiments of a semiconductor wafer dicing frame according to the present invention will be described below together with comparative examples.
Example 1
First, a frame shown in FIG. 2 was injection molded by an injection molding machine using a predetermined molding material. As the predetermined molding material, a material obtained by kneading and mixing 100 parts by weight of polyphenylene sulfide, 100 parts by weight of carbon fiber, and 200 parts by weight of calcium carbonate was used. The frame had an outer diameter of 400 mm, an inner diameter of 350 mm, and a thickness of 2.5 mm, and the weight of the frame was about 120 g.

また、混練混合した上記材料をダンベル状に射出成形して曲げ弾性率と曲げ強度を測定したところ、ＡＳＴＭ Ｄ７９０における曲げ弾性率は３０ＧＰａ、ＡＳＴＭ Ｄ７９０における曲げ強度は２１０ＭＰａであった。   Further, when the above kneaded and mixed materials were injection-molded into a dumbbell shape and the flexural modulus and flexural strength were measured, the flexural modulus in ASTM D790 was 30 GPa and the flexural strength in ASTM D790 was 210 MPa.

次いで、射出成形したフレームの裏面にダイシング層を貼着し、フレームの表面後部に凹み成形した収納穴に、ＲＦＩＤシステムの周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦタグ〔大日本印刷株式会社製 商品名：ＡＣＣＵＷＡＶＥ〕を貼着した。ダイシング層としては、リンテック株式会社製のダイシングフィルム〔商品名：アドウィルＤ〕を使用した。   Next, a dicing layer is attached to the back surface of the injection-molded frame, and an RFID tag with a frequency of 13.56 MHz of the RFID system (trade name: ACCUWAVE, manufactured by Dai Nippon Printing Co., Ltd.) is formed in the recess hole formed in the rear surface of the frame. Affixed. As the dicing layer, a dicing film [trade name: Adwill D] manufactured by Lintec Corporation was used.

こうしてフレームにダイシング層を貼着したら、このダイシング層の表面に予め１４０μｍにバックグラインドされた半導体ウェーハを貼り合わせ、この半導体ウェーハをダイシング機〔株式会社ディスコ製 商品名：ＤＡＤ３８１〕により個片化するとともに、ダイシング用フレーム全体にダイボンダ〔ＮＥＣマシナリー株式会社製〕によりＵＶ光を照射して８ｍｍエキスパンドし、ダイとダイとの間隔を１５０μｍとした。   When the dicing layer is thus attached to the frame, a semiconductor wafer that has been back-ground to 140 μm in advance is bonded to the surface of the dicing layer, and the semiconductor wafer is separated into pieces by a dicing machine (trade name: DAD381 manufactured by DISCO Corporation) At the same time, the entire dicing frame was irradiated with UV light by a die bonder (manufactured by NEC Machinery Co., Ltd.) to expand 8 mm, and the distance between the die was set to 150 μm.

この際、ダイシング用フレームを観察したが、撓み等の変形は見られず、ダイシング層にも外れや剥離を確認しなかった。また、２ｍｍの通信距離においてフレームのＲＦタグに情報を書き込んだり、書き込んだ情報を読み出す作業をしたが、特に支障を来たさなかった。   At this time, the dicing frame was observed, but deformation such as bending was not observed, and no separation or peeling was confirmed in the dicing layer. In addition, although information was written to the RF tag of the frame at a communication distance of 2 mm and the written information was read, there was no particular problem.

実施例２
先ず、所定の成形材料を使用して図２に示すフレームを射出成形機により射出成形した。所定の成形材料としては、ポリアミド〔ＭＸＤ６ナイロン〕１００重量部とホウ酸アルミニウムウィスカー１８５重量部を混練混合した材料を使用した。フレームは外径４００ｍｍ、内径３５０ｍｍ、厚さ２．５ｍｍの大きさであり、フレームの重量は約１２０ｇであった。 Example 2
First, a frame shown in FIG. 2 was injection molded by an injection molding machine using a predetermined molding material. As the predetermined molding material, a material obtained by kneading and mixing 100 parts by weight of polyamide [MXD6 nylon] and 185 parts by weight of aluminum borate whiskers was used. The frame had an outer diameter of 400 mm, an inner diameter of 350 mm, and a thickness of 2.5 mm, and the weight of the frame was about 120 g.

また、混練混合した上記材料をダンベル状に射出成形して曲げ弾性率と曲げ強度を測定したところ、ＡＳＴＭ Ｄ７９０における曲げ弾性率は４０ＧＰａ、ＡＳＴＭ Ｄ７９０における曲げ強度は３７０ＭＰａであった。   Further, when the above kneaded and mixed materials were injection molded into a dumbbell shape and the flexural modulus and flexural strength were measured, the flexural modulus in ASTM D790 was 40 GPa and the flexural strength in ASTM D790 was 370 MPa.

射出成形したフレームの裏面にダイシング層を貼着し、フレームに凹み成形した収納穴に、ＲＦＩＤシステムのＲＦタグを貼着した。ダイシング層としては、古河電工株式会社製のダイシングフィルム〔商品名：ＵＣ〕を使用した。その他の部分については、実施例１と同様とした。   A dicing layer was attached to the back surface of the injection-molded frame, and an RF tag for the RFID system was attached to a storage hole formed in a recess in the frame. A dicing film [trade name: UC] manufactured by Furukawa Electric Co., Ltd. was used as the dicing layer. The other parts were the same as in Example 1.

ダイシング用フレームを観察したが、撓み等の変形は見られず、ダイシング層にも外れや剥離を確認しなかった。また、２０ｍｍの通信距離においてフレームのＲＦタグに情報を書き込んだり、書き込んだ情報を読み出す作業をしたが、特に支障を来たさなかった。   Although the dicing frame was observed, deformation such as bending was not observed, and the dicing layer was not detached or peeled off. Also, information was written to the RF tag of the frame at a communication distance of 20 mm, and the written information was read out, but there was no particular problem.

比較例
先ず、厚さ１．５ｍｍのステンレス板からフレームを切り出して形成した。このフレームは外径４００ｍｍ、内径３５０ｍｍの大きさであり、フレームの重量は約３００ｇであった。 Comparative Example First, a frame was cut out from a stainless steel plate having a thickness of 1.5 mm. This frame had an outer diameter of 400 mm and an inner diameter of 350 mm, and the weight of the frame was about 300 g.

次いで、フレームの裏面にダイシング層を貼着し、フレームの表面後部に切削加工した収納穴に、ＲＦＩＤシステムの周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦタグ〔大日本印刷株式会社製 商品名：ＡＣＣＵＷＡＶＥ〕を貼着した。ダイシング層としては、リンテック株式会社製のダイシングフィルム〔商品名：アドウィルＤ〕を使用した。   Next, a dicing layer is attached to the back surface of the frame, and an RFID tag with a frequency of 13.56 MHz of RFID system (trade name: ACCUWAVE, manufactured by Dai Nippon Printing Co., Ltd.) is attached to the storage hole cut in the rear surface of the frame. did. As the dicing layer, a dicing film [trade name: Adwill D] manufactured by Lintec Corporation was used.

フレームにダイシング層を貼着したら、このダイシング層の表面に予め１４０μｍにバックグラインドされた半導体ウェーハを貼り合わせ、この半導体ウェーハをダイシング機〔株式会社ディスコ製 商品名：ＤＡＤ３８１〕により個片化するとともに、ダイシング用フレーム全体にダイボンダ〔ＮＥＣマシナリー株式会社製〕によりＵＶ光を照射して８ｍｍエキスパンドし、ダイとダイとの間隔を１５０μｍとした。   Once the dicing layer is attached to the frame, a semiconductor wafer that has been back-ground to 140 μm in advance is attached to the surface of the dicing layer, and the semiconductor wafer is separated into pieces by a dicing machine (trade name: DAD381 manufactured by DISCO Corporation). The entire dicing frame was irradiated with UV light by a die bonder (manufactured by NEC Machinery Co., Ltd.) to expand 8 mm, and the distance between the die was set to 150 μm.

ダイシング用フレームを観察したが、撓み等の変形は見られず、ダイシング層にも外れや剥離を確認しなかった。これに対し、２ｍｍの通信距離においてフレームのＲＦタグに情報を書き込んだり、書き込んだ情報を読み出す作業をしたところ、読み取りに支障を来たすことがあった。   Although the dicing frame was observed, deformation such as bending was not observed, and the dicing layer was not detached or peeled off. On the other hand, when information was written to the RF tag of the frame at a communication distance of 2 mm or an operation of reading the written information was performed, there was a case where the reading was hindered.

本発明に係る半導体ウェーハのダイシング用フレームの実施形態を示す全体斜視説明図である。It is a whole perspective explanatory view showing an embodiment of a semiconductor wafer dicing frame concerning the present invention. 本発明に係る半導体ウェーハのダイシング用フレームの実施形態を示す平面説明図である。It is a plane explanatory view showing an embodiment of a frame for dicing of a semiconductor wafer concerning the present invention. 本発明に係る半導体ウェーハのダイシング用フレームの実施形態におけるエキスパンド装置にセットした際の問題点を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the problem at the time of setting to the expansion apparatus in embodiment of the dicing frame of the semiconductor wafer concerning this invention. 従来における半導体ウェーハのダイシング用フレームのダイシング作業時の状態を示す斜視説明図である。It is perspective explanatory drawing which shows the state at the time of the dicing operation | work of the dicing frame of the conventional semiconductor wafer. 従来における半導体ウェーハのダイシング用フレームをエキスパンド装置にセットする状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state which sets the frame for dicing of the conventional semiconductor wafer to an expanding apparatus. 従来における半導体ウェーハのダイシング用フレームをエキスパンド装置にセットした状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state which set the frame for dicing of the conventional semiconductor wafer to the expand apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

１ フレーム
１Ａ フレーム
２ ノッチ
３ 収納穴
４ バーコード
１０ ＲＦＩＤシステム
１１ ＲＦタグ
１２ アンテナユニット
１３ リーダ／ライタ
１４ コンピュータ
２０ ダイシング層
２１ ダイシングフィルム
３０ ダイヤモンドブレード
３１ エキスパンド装置
Ｄ ダイ
Ｗ 半導体ウェーハ 1 Frame 1A Frame 2 Notch 3 Storage hole 4 Bar code 10 RFID system 11 RF tag 12 Antenna unit 13 Reader / writer 14 Computer 20 Dicing layer 21 Dicing film 30 Diamond blade 31 Expanding device D Die W Semiconductor wafer

Claims (4)

半導体ウェーハを収容する中空のフレームと、このフレームに取り付けられ、収容された半導体ウェーハを粘着保持する可撓性のダイシング層とを備えた半導体ウェーハのダイシング用フレームであって、
フレームを少なくとも樹脂からなる成形材料により２〜３ｍｍの厚さに成形し、このフレームのＡＳＴＭ Ｄ７９０における曲げ弾性率を２０ＧＰａ以上とするとともに、ＡＳＴＭ Ｄ７９０における曲げ強度を１５０ＭＰａ以上としたことを特徴とする半導体ウェーハのダイシング用フレーム。 A dicing frame for a semiconductor wafer comprising a hollow frame for accommodating a semiconductor wafer, and a flexible dicing layer attached to the frame and adhesively holding the accommodated semiconductor wafer,
The frame is molded to a thickness of 2 to 3 mm from a molding material made of at least resin, and the flexural modulus of the frame according to ASTM D790 is set to 20 GPa or more, and the bending strength according to ASTM D790 is set to 150 MPa or more. Frame for semiconductor wafer dicing. 成形材料を、ポリフェニレンスルフィド、カーボンファイバー、及び炭酸カルシウムのうち、少なくともポリフェニレンスルフィドとカーボンファイバーとが混合された材料とした請求項１記載の半導体ウェーハのダイシング用フレーム。   2. The frame for dicing a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the molding material is a material in which at least polyphenylene sulfide and carbon fiber are mixed among polyphenylene sulfide, carbon fiber, and calcium carbonate. 成形材料を、ポリフェニレンスルフィドとポリアミドから選択された少なくとも１種の樹脂、及びホウ酸アルミニウムウィスカーが混合された材料とした請求項１記載の半導体ウェーハのダイシング用フレーム。   2. The frame for dicing a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the molding material is a material in which at least one resin selected from polyphenylene sulfide and polyamide and aluminum borate whiskers are mixed. フレームに、ＲＦＩＤシステムのＲＦタグを取り付けた請求項１、２、又は３記載の半導体ウェーハのダイシング用フレーム。   4. A frame for dicing a semiconductor wafer according to claim 1, wherein an RF tag of an RFID system is attached to the frame.
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