JP2007048885A - Frame for dicing of semiconductor wafer - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体ウェーハのダイシング作業やエキスパンド作業等に使用される半導体ウェーハのダイシング用フレームに関するものである。 The present invention relates to a semiconductor wafer dicing frame used for semiconductor wafer dicing and expanding operations.
従来における半導体ウェーハのダイシング用フレームは、図4ないし図6に示すように、口径300mm(12インチ)の半導体ウェーハWを収容するフレーム1Aを備え、このフレーム1Aに、半導体ウェーハWを保持するダイシングフィルム21が貼着されることにより構成されている(特許文献1参照)。
As shown in FIGS. 4 to 6, a conventional dicing frame for a semiconductor wafer includes a
フレーム1Aは、例えばSUS等を使用して中空に形成され、表面の一部に、半導体ウェーハWやその加工工程に関する情報管理用のバーコード4が貼着されており、25枚一組で図示しない半導体ウェーハ用の収納容器に整列収納される。また、ダイシングフィルム21は、例えば50〜200μmの厚さでフィルム化された軟質塩化ビニル樹脂を備え、この柔軟な軟質塩化ビニル樹脂の表面に、アクリル系の粘着剤が10〜50μmの厚さに塗布されており、フレーム1Aの裏面に剥離可能に貼着されてその中空部を閉塞する。
The
このような構成の半導体ウェーハのダイシング用フレームは、ダイシングフィルム21上に粘着保持した半導体ウェーハWがダイヤモンドブレード30により複数のダイ(チップ)Dにダイシング(図4参照)され、粘着剤が残存等しないようダイシングフィルム21を含む全体がUV照射され、エキスパンド装置31上に上方から圧接されてダイシングフィルム21が径方向に延伸される(図5、図6参照)とともに、複数のダイDが相互に接触しないようその間隔が拡大され、その後、半導体ウェーハWからダイDが個々にピックアップして移送され、パッケージの組立や基板の実装等の作業が行なわれる。
従来における半導体ウェーハのダイシング用フレームは、以上のようにフレーム1AがSUS製なので、強度に優れるものの、重量がある(例えば約300g)ので、作業性や利便性に欠けるという問題がある。このような問題を解消するには、フレーム1Aの材料として樹脂を選択すれば良いが、そうすると、フレーム1Aの強度低下を招くばかりでなく、フレーム1Aが3.7mm以上の厚さとなり、そのままでは既存の機器や装置に到底使用することができないという大きな問題が新たに生じることとなる。
A conventional dicing frame for a semiconductor wafer has a problem in that workability and convenience are lacking because the
また近年、半導体ウェーハWが8インチ(口径200mm)から12インチにインチアップして管理すべき情報量が増大してきているが、従来においては、情報量に乏しいバーコード4が単に貼着されるに止まるので、情報量の増大に対応することができないという問題がある。この問題の解消には、バーコード4の代わりにRFIDシステムのRFタグを使用すれば良いが、フレーム1Aが金属製の場合には、RFタグの通信特性にフレーム1Aが悪影響を及ぼし、渦電流の発生等により無線通信に支障を来たすおそれが少なくない。
In recent years, the amount of information to be managed by increasing the semiconductor wafer W from 8 inches (diameter 200 mm) to 12 inches has been increasing, but conventionally, a
本発明は上記に鑑みなされたもので、フレームの強度を維持しつつ軽量性、作業性、利便性を向上させることができ、半導体ウェーハやその加工工程等に関する情報量の増大に対応することのできる半導体ウェーハのダイシング用フレームを提供することを目的としている。 The present invention has been made in view of the above, and can improve the lightness, workability, and convenience while maintaining the strength of the frame, and can cope with the increase in the amount of information on the semiconductor wafer and its processing steps. An object of the present invention is to provide a dicing frame for a semiconductor wafer.
本発明においては上記課題を解決するため、半導体ウェーハを収容する中空のフレームと、このフレームに取り付けられ、収容された半導体ウェーハを粘着保持する可撓性のダイシング層とを備えたものであって、
フレームを少なくとも樹脂からなる成形材料により2〜3mmの厚さに成形し、このフレームのASTM D790における曲げ弾性率を20GPa以上とするとともに、ASTM D790における曲げ強度を150MPa以上としたことを特徴としている。
In order to solve the above-described problems, the present invention includes a hollow frame that accommodates a semiconductor wafer and a flexible dicing layer that is attached to the frame and holds the accommodated semiconductor wafer in an adhesive manner. ,
The frame is molded to a thickness of 2 to 3 mm from a molding material made of at least resin, and the flexural modulus of the frame according to ASTM D790 is set to 20 GPa or more, and the bending strength according to ASTM D790 is set to 150 MPa or more. .
なお、成形材料を、ポリフェニレンスルフィド、カーボンファイバー、及び炭酸カルシウムのうち、少なくともポリフェニレンスルフィドとカーボンファイバーとが混合された材料とすることができる。
また、成形材料を、ポリフェニレンスルフィドとポリアミドから選択された少なくとも1種の樹脂、及びホウ酸アルミニウムウィスカーが混合された材料とすることができる。
さらに、フレームに、RFIDシステムのRFタグを取り付けることが好ましい。
The molding material can be a material in which at least polyphenylene sulfide and carbon fiber are mixed among polyphenylene sulfide, carbon fiber, and calcium carbonate.
Further, the molding material can be a material in which at least one resin selected from polyphenylene sulfide and polyamide and aluminum borate whiskers are mixed.
Furthermore, it is preferable to attach an RF tag of the RFID system to the frame.
ここで、特許請求の範囲における半導体ウェーハは、口径300mmタイプが主ではあるが、特に限定されるものではなく、口径200mmタイプや口径450mmタイプ等でも良い。また、半導体ウェーハには、Siウェーハ、GaPウェーハの種類があるが、いずれでも良い。可撓性のダイシング層には、半導体ウェーハを粘着保持する透明、不透明、半透明のフィルムやシートが含まれる。このダイシング層には、ポリオレフィン系フィルムを含有すると良い。 Here, the semiconductor wafer in the claims is mainly a 300 mm diameter type, but is not particularly limited, and may be a 200 mm diameter type or a 450 mm diameter type. Moreover, although there exist a kind of Si wafer and a GaP wafer in a semiconductor wafer, any may be sufficient. The flexible dicing layer includes transparent, opaque, and translucent films and sheets that hold and hold a semiconductor wafer. The dicing layer may contain a polyolefin film.
成形材料は、ポリフェニレンスルフィド、カーボンファイバー、及び炭酸カルシウムが混練された材料でも良いし、ナイロン系の樹脂にカーボンファイバー又はグラスファイバーが混練された材料でも良い。ASTMとは、アメリカ材料試験協会が設定発行している工業規格をいう。さらに、RFIDシステムとは、(Radio Frequency Identification)は、移動体識別装置とも、リモートIDともいい、移動体と共に移動するRFIDと、このRFIDと無線通信を行なうアンテナ及びリーダ/ライタ等とを備えた無線通信システムをいう。 The molding material may be a material in which polyphenylene sulfide, carbon fiber, and calcium carbonate are kneaded, or may be a material in which carbon fiber or glass fiber is kneaded in a nylon resin. ASTM refers to an industry standard set and issued by the American Society for Testing Materials. Further, the RFID system (Radio Frequency Identification) is also referred to as a mobile object identification device or a remote ID, and includes an RFID that moves together with the mobile object, an antenna that performs wireless communication with the RFID, a reader / writer, and the like. A wireless communication system.
本発明によれば、フレームの強度を維持しつつ軽量性、作業性、利便性を向上させることができるという効果がある。
また、成形材料を、少なくともポリフェニレンスルフィドとカーボンファイバーとが混練された材料とすれば、ポリフェニレンスルフィドが優れた流動性や寸法安定性等を示し、カーボンファイバーが強度や剛性を確保する。この効果は、成形材料を、ポリフェニレンスルフィドとポリアミドから選択された少なくとも1種の樹脂、及びホウ酸アルミニウムウィスカーが混合された材料とした場合も同様である。
According to the present invention, there is an effect that lightness, workability, and convenience can be improved while maintaining the strength of the frame.
If the molding material is a material in which at least polyphenylene sulfide and carbon fiber are kneaded, polyphenylene sulfide exhibits excellent fluidity and dimensional stability, and the carbon fiber ensures strength and rigidity. This effect is the same when the molding material is a material in which at least one resin selected from polyphenylene sulfide and polyamide and aluminum borate whiskers are mixed.
また、樹脂製のフレームに、RFIDシステムのRFタグを取り付け、情報量の増大や情報の書き換えの容易化等を図るので、半導体ウェーハやその加工工程等に関する情報量の増大に比較的容易に対応することができる。 In addition, since the RFID tag of the RFID system is attached to the resin frame to increase the amount of information and to facilitate the rewriting of information, it is relatively easy to cope with the increase in the amount of information related to semiconductor wafers and processing processes. can do.
以下、図面を参照して本発明の好ましい実施の形態を説明すると、本実施形態における半導体ウェーハのダイシング用フレームは、図1や図2に示すように、パターン描画された12インチの半導体ウェーハWを隙間をおいて収容包囲する中空のフレーム1と、このフレーム1に貼着されて収容包囲された半導体ウェーハWを着脱自在に粘着保持する可撓性のダイシング層20とを備えている。
Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. A dicing frame for a semiconductor wafer in this embodiment is a 12-inch semiconductor wafer W patterned as shown in FIGS. And a
フレーム1は、図2に示すように、所定の成形材料により12インチの半導体ウェーハWよりも大きい厚さ2〜3mmの略リング形に射出成形され、内周面が断面略く字形、略三角形、あるいは傾斜形成されており、外周面の前後左右がそれぞれ直線的に切り欠かれるとともに、外周面の前部には、位置決め用の一対のノッチ2が左右に並べて切り欠かれる。
As shown in FIG. 2, the frame 1 is injection-molded into a substantially ring shape having a thickness of 2 to 3 mm larger than a 12-inch semiconductor wafer W with a predetermined molding material, and the inner peripheral surface is substantially rectangular in cross section and substantially triangular. Alternatively, the front, rear, left and right of the outer peripheral surface are linearly cut out, and a pair of positioning
所定の成形材料としては、例えば流動性、寸法安定性、低磨耗性、精密成形に優れるポリフェニレンスルフィド(PPS)、強度や剛性を確保するカーボンファイバー、及び炭酸カルシウムが混合混練された材料があげられる。また、ポリフェニレンスルフィドとポリアミドから選択された少なくとも1種の樹脂、及び強度や耐薬品性等に優れるホウ酸アルミニウムウィスカーが混合された材料があげられる。 The predetermined molding material includes, for example, a material obtained by mixing and kneading polyphenylene sulfide (PPS) excellent in fluidity, dimensional stability, low wear and precision molding, carbon fiber ensuring strength and rigidity, and calcium carbonate. . In addition, a material in which at least one resin selected from polyphenylene sulfide and polyamide and aluminum borate whisker excellent in strength, chemical resistance, and the like are mixed can be given.
フレーム1の表面後部には図2に示すように、左右横方向に伸びる収納穴3が一体的に凹み成形され、この収納穴3内に、RFIDシステム10のRFタグ11が装着される。RFIDシステム10は、図1に示すように、電波により内部メモリがアクセスされ、フレーム1と共に移動するRFタグ11と、このRFタグ11との間で電波や電力を送受信するアンテナユニット12と、RFタグ11との交信を制御するリーダ/ライタ13と、このリーダ/ライタ13を制御するコンピュータ14とを備えて構成される。
As shown in FIG. 2, a
アンテナユニット12とリーダ/ライタ13とは、別々に構成されるが、必要に応じて一体化される。また、リーダ/ライタ13の制御に特に支障を来たさなければ、コンピュータ14の代わりに各種のコントローラが使用される。
The
このようなフレーム1は、工業規格ASTM D790における曲げ弾性率が25〜50GPa、好ましくは25〜40GPaの範囲内とされ、かつASTM D790における曲げ強度が150〜600MPa、好ましくは150〜400MPaの範囲内とされる。これは、フレーム1の曲げ弾性率や曲げ強度が上記範囲から外れた場合には、フレーム1の強度が低下したり、フレーム1が容易に破損してしまうからである。 Such a frame 1 has a flexural modulus of 25 to 50 GPa, preferably 25 to 40 GPa in the industry standard ASTM D790, and a flexural strength of 150 to 600 MPa, preferably 150 to 400 MPa in ASTM D790. It is said. This is because when the bending elastic modulus and bending strength of the frame 1 are out of the above ranges, the strength of the frame 1 is reduced or the frame 1 is easily damaged.
ダイシング層20は、例えば粘着剤がダイDに付着するのを規制するエチレン酢酸ビニル(EVA)等からなるポリオレフィン系フィルムと、このポリオレフィン系フィルムの表面に塗布されて半導体ウェーハWを粘着するアクリル系の粘着剤とを備えた薄い平面円板形に形成され、フレーム1の裏面の被接着領域に接着されてその中空部を閉塞する。フレーム1の裏面の被接着領域は、そのままでも良いが、略スパイク状の凸凹に粗してダイシング層20との接着強度を向上させることもできる。その他の部分については、従来例と同様であるので説明を省略する。
The
上記によれば、金属の代わりにポリフェニレンスルフィド等の成形材料を使用してフレーム1を射出成形するので、軽量化を図ることができ、これを通じて作業性や利便性を著しく向上させることができる。また、フレーム1の材料変更と共に、曲げ弾性率を25〜50GPaの範囲内とし、かつ曲げ強度を150〜600MPaの範囲内とするので、例え樹脂を使用してもフレーム1の強度低下を招くことが全くなく、しかも、フレーム1を3mm以下と薄くして既存の機器や装置をそのまま利用することができる。また、樹脂を使用しても、フレーム1の破損、曲がり、割れ等を抑制することができるので、EVA系のダイシング層20を用いても、フレーム1とダイシング層20とが分離することがない。
According to the above, since the frame 1 is injection-molded using a molding material such as polyphenylene sulfide instead of metal, the weight can be reduced, and the workability and convenience can be significantly improved through this. Moreover, since the bending elastic modulus is set in the range of 25 to 50 GPa and the bending strength is set in the range of 150 to 600 MPa along with the material change of the frame 1, even if resin is used, the strength of the frame 1 is reduced. In addition, the frame 1 can be made as thin as 3 mm or less, and existing equipment and devices can be used as they are. Even if resin is used, the frame 1 can be prevented from being broken, bent, cracked, etc., so even if the EVA-based
この点について詳しく説明すると、EVA系のダイシング層20は、軟質塩化ビニル樹脂と異なり、ダイDに粘着剤が付着するのを抑制したり、生産性を向上させるが、引張り時の伸び率が小さいので、ダイDとダイDとの間隔を十分に広げるためには、エキスパンド装置31に上方から強く圧接される必要がある。この点、フレーム1の強度が低い場合には図3に示すように、フレーム1が変形してダイシング層20が外れたり、剥離することがあるが、本実施形態によれば、強度が低下しない樹脂製のフレーム1を使用するので、フレーム1とダイシング層20との分離、剥離等を有効に防止することができる。
Explaining this point in detail, the EVA-based
また、フレーム1を金属製ではなく樹脂製とするので、RFIDシステム10のRFタグ11を使用しても、RFタグ11の通信特性にフレーム1が悪影響を及ぼすことがなく、無線通信に誤作動等の支障を来たすおそれをきわめて有効に排除することが可能になる。また、フレーム1に、RFIDシステム10のRFタグ11を一体的に装着するので、情報システムの簡素化を図ることができ、しかも、情報の問い合わせが不要なので、レスポンスが非常に早くなるとともに、情報を分散処理できるので、システムの拡張や変更に柔軟に対応することが可能になる。
In addition, since the frame 1 is made of resin instead of metal, even if the
また、汚れやすい印刷物であるバーコード(最大情報量 数10ケタ)4と異なり、情報の遠隔読み取りや電力伝送が可能になる他、情報量の増大(最大情報量 数1000ケタ)、情報の書き換えの容易化、耐汚染性の向上を図ることが可能になる。さらに、フレーム1が金属製の場合には、フレーム1にRFタグ11用の収納穴3を後から時間をかけて切削加工せざるを得ないが、フレーム1が樹脂製の場合には、フレーム1の成形時に収納穴3を簡単に一体形成することができるので、生産性の著しい向上が大いに期待できる。
Unlike barcodes (maximum information amount of 10 digits) 4, which is easily printed, information can be read remotely and power can be transmitted, and the amount of information can be increased (maximum information amount of 1000 digits) and information can be rewritten. It is possible to facilitate the improvement of the contamination resistance. Furthermore, when the frame 1 is made of metal, the
なお、上記実施形態ではフレーム1の表面後部に収納穴3を凹み成形したが、何らこれに限定されるものではない。例えば、フレーム1の側部の少なくとも一部分に、収納穴3を成形しても良い。また、フレーム1の表裏面のいずれかに収納穴3を凹み成形することなく、RFタグ11を直接取り付けても良い。また、RFIDシステム10には、交信距離の短い電磁結合方式、電磁誘導方式、交信距離の長い電波方式等があるが、いずれでも良い。さらに、RFタグ11には、ラベル形、円筒形、カード形、箱形等があるが、いずれでも良い。
In the above embodiment, the
以下、本発明に係る半導体ウェーハのダイシング用フレームの実施例を比較例と共に説明する。
実施例1
先ず、所定の成形材料を使用して図2に示すフレームを射出成形機により射出成形した。所定の成形材料としては、ポリフェニレンスルフィド100重量部、カーボンファイバー100重量部、及び炭酸カルシウム200重量部を混練混合した材料を使用した。フレームは外径400mm、内径350mm、厚さ2.5mmの大きさであり、フレームの重量は約120gであった。
Embodiments of a semiconductor wafer dicing frame according to the present invention will be described below together with comparative examples.
Example 1
First, a frame shown in FIG. 2 was injection molded by an injection molding machine using a predetermined molding material. As the predetermined molding material, a material obtained by kneading and mixing 100 parts by weight of polyphenylene sulfide, 100 parts by weight of carbon fiber, and 200 parts by weight of calcium carbonate was used. The frame had an outer diameter of 400 mm, an inner diameter of 350 mm, and a thickness of 2.5 mm, and the weight of the frame was about 120 g.
また、混練混合した上記材料をダンベル状に射出成形して曲げ弾性率と曲げ強度を測定したところ、ASTM D790における曲げ弾性率は30GPa、ASTM D790における曲げ強度は210MPaであった。 Further, when the above kneaded and mixed materials were injection-molded into a dumbbell shape and the flexural modulus and flexural strength were measured, the flexural modulus in ASTM D790 was 30 GPa and the flexural strength in ASTM D790 was 210 MPa.
次いで、射出成形したフレームの裏面にダイシング層を貼着し、フレームの表面後部に凹み成形した収納穴に、RFIDシステムの周波数13.56MHzのRFタグ〔大日本印刷株式会社製 商品名:ACCUWAVE〕を貼着した。ダイシング層としては、リンテック株式会社製のダイシングフィルム〔商品名:アドウィルD〕を使用した。 Next, a dicing layer is attached to the back surface of the injection-molded frame, and an RFID tag with a frequency of 13.56 MHz of the RFID system (trade name: ACCUWAVE, manufactured by Dai Nippon Printing Co., Ltd.) is formed in the recess hole formed in the rear surface of the frame. Affixed. As the dicing layer, a dicing film [trade name: Adwill D] manufactured by Lintec Corporation was used.
こうしてフレームにダイシング層を貼着したら、このダイシング層の表面に予め140μmにバックグラインドされた半導体ウェーハを貼り合わせ、この半導体ウェーハをダイシング機〔株式会社ディスコ製 商品名:DAD381〕により個片化するとともに、ダイシング用フレーム全体にダイボンダ〔NECマシナリー株式会社製〕によりUV光を照射して8mmエキスパンドし、ダイとダイとの間隔を150μmとした。 When the dicing layer is thus attached to the frame, a semiconductor wafer that has been back-ground to 140 μm in advance is bonded to the surface of the dicing layer, and the semiconductor wafer is separated into pieces by a dicing machine (trade name: DAD381 manufactured by DISCO Corporation) At the same time, the entire dicing frame was irradiated with UV light by a die bonder (manufactured by NEC Machinery Co., Ltd.) to expand 8 mm, and the distance between the die was set to 150 μm.
この際、ダイシング用フレームを観察したが、撓み等の変形は見られず、ダイシング層にも外れや剥離を確認しなかった。また、2mmの通信距離においてフレームのRFタグに情報を書き込んだり、書き込んだ情報を読み出す作業をしたが、特に支障を来たさなかった。 At this time, the dicing frame was observed, but deformation such as bending was not observed, and no separation or peeling was confirmed in the dicing layer. In addition, although information was written to the RF tag of the frame at a communication distance of 2 mm and the written information was read, there was no particular problem.
実施例2
先ず、所定の成形材料を使用して図2に示すフレームを射出成形機により射出成形した。所定の成形材料としては、ポリアミド〔MXD6ナイロン〕100重量部とホウ酸アルミニウムウィスカー185重量部を混練混合した材料を使用した。フレームは外径400mm、内径350mm、厚さ2.5mmの大きさであり、フレームの重量は約120gであった。
Example 2
First, a frame shown in FIG. 2 was injection molded by an injection molding machine using a predetermined molding material. As the predetermined molding material, a material obtained by kneading and mixing 100 parts by weight of polyamide [MXD6 nylon] and 185 parts by weight of aluminum borate whiskers was used. The frame had an outer diameter of 400 mm, an inner diameter of 350 mm, and a thickness of 2.5 mm, and the weight of the frame was about 120 g.
また、混練混合した上記材料をダンベル状に射出成形して曲げ弾性率と曲げ強度を測定したところ、ASTM D790における曲げ弾性率は40GPa、ASTM D790における曲げ強度は370MPaであった。 Further, when the above kneaded and mixed materials were injection molded into a dumbbell shape and the flexural modulus and flexural strength were measured, the flexural modulus in ASTM D790 was 40 GPa and the flexural strength in ASTM D790 was 370 MPa.
射出成形したフレームの裏面にダイシング層を貼着し、フレームに凹み成形した収納穴に、RFIDシステムのRFタグを貼着した。ダイシング層としては、古河電工株式会社製のダイシングフィルム〔商品名:UC〕を使用した。その他の部分については、実施例1と同様とした。 A dicing layer was attached to the back surface of the injection-molded frame, and an RF tag for the RFID system was attached to a storage hole formed in a recess in the frame. A dicing film [trade name: UC] manufactured by Furukawa Electric Co., Ltd. was used as the dicing layer. The other parts were the same as in Example 1.
ダイシング用フレームを観察したが、撓み等の変形は見られず、ダイシング層にも外れや剥離を確認しなかった。また、20mmの通信距離においてフレームのRFタグに情報を書き込んだり、書き込んだ情報を読み出す作業をしたが、特に支障を来たさなかった。 Although the dicing frame was observed, deformation such as bending was not observed, and the dicing layer was not detached or peeled off. Also, information was written to the RF tag of the frame at a communication distance of 20 mm, and the written information was read out, but there was no particular problem.
比較例
先ず、厚さ1.5mmのステンレス板からフレームを切り出して形成した。このフレームは外径400mm、内径350mmの大きさであり、フレームの重量は約300gであった。
Comparative Example First, a frame was cut out from a stainless steel plate having a thickness of 1.5 mm. This frame had an outer diameter of 400 mm and an inner diameter of 350 mm, and the weight of the frame was about 300 g.
次いで、フレームの裏面にダイシング層を貼着し、フレームの表面後部に切削加工した収納穴に、RFIDシステムの周波数13.56MHzのRFタグ〔大日本印刷株式会社製 商品名:ACCUWAVE〕を貼着した。ダイシング層としては、リンテック株式会社製のダイシングフィルム〔商品名:アドウィルD〕を使用した。 Next, a dicing layer is attached to the back surface of the frame, and an RFID tag with a frequency of 13.56 MHz of RFID system (trade name: ACCUWAVE, manufactured by Dai Nippon Printing Co., Ltd.) is attached to the storage hole cut in the rear surface of the frame. did. As the dicing layer, a dicing film [trade name: Adwill D] manufactured by Lintec Corporation was used.
フレームにダイシング層を貼着したら、このダイシング層の表面に予め140μmにバックグラインドされた半導体ウェーハを貼り合わせ、この半導体ウェーハをダイシング機〔株式会社ディスコ製 商品名:DAD381〕により個片化するとともに、ダイシング用フレーム全体にダイボンダ〔NECマシナリー株式会社製〕によりUV光を照射して8mmエキスパンドし、ダイとダイとの間隔を150μmとした。 Once the dicing layer is attached to the frame, a semiconductor wafer that has been back-ground to 140 μm in advance is attached to the surface of the dicing layer, and the semiconductor wafer is separated into pieces by a dicing machine (trade name: DAD381 manufactured by DISCO Corporation). The entire dicing frame was irradiated with UV light by a die bonder (manufactured by NEC Machinery Co., Ltd.) to expand 8 mm, and the distance between the die was set to 150 μm.
ダイシング用フレームを観察したが、撓み等の変形は見られず、ダイシング層にも外れや剥離を確認しなかった。これに対し、2mmの通信距離においてフレームのRFタグに情報を書き込んだり、書き込んだ情報を読み出す作業をしたところ、読み取りに支障を来たすことがあった。 Although the dicing frame was observed, deformation such as bending was not observed, and the dicing layer was not detached or peeled off. On the other hand, when information was written to the RF tag of the frame at a communication distance of 2 mm or an operation of reading the written information was performed, there was a case where the reading was hindered.
1 フレーム
1A フレーム
2 ノッチ
3 収納穴
4 バーコード
10 RFIDシステム
11 RFタグ
12 アンテナユニット
13 リーダ/ライタ
14 コンピュータ
20 ダイシング層
21 ダイシングフィルム
30 ダイヤモンドブレード
31 エキスパンド装置
D ダイ
W 半導体ウェーハ
1
Claims (4)
フレームを少なくとも樹脂からなる成形材料により2〜3mmの厚さに成形し、このフレームのASTM D790における曲げ弾性率を20GPa以上とするとともに、ASTM D790における曲げ強度を150MPa以上としたことを特徴とする半導体ウェーハのダイシング用フレーム。 A dicing frame for a semiconductor wafer comprising a hollow frame for accommodating a semiconductor wafer, and a flexible dicing layer attached to the frame and adhesively holding the accommodated semiconductor wafer,
The frame is molded to a thickness of 2 to 3 mm from a molding material made of at least resin, and the flexural modulus of the frame according to ASTM D790 is set to 20 GPa or more, and the bending strength according to ASTM D790 is set to 150 MPa or more. Frame for semiconductor wafer dicing.
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