JP2007047808A - 表示装置及び表示用薄膜半導体装置 - Google Patents
表示装置及び表示用薄膜半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007047808A JP2007047808A JP2006244985A JP2006244985A JP2007047808A JP 2007047808 A JP2007047808 A JP 2007047808A JP 2006244985 A JP2006244985 A JP 2006244985A JP 2006244985 A JP2006244985 A JP 2006244985A JP 2007047808 A JP2007047808 A JP 2007047808A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- gate
- wiring
- gate wiring
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】表示装置は、各薄膜トランジスタ4のゲート電極1を互いに接続するゲート配線6と、各薄膜トランジスタ4のソース電極Sを互いに接続する信号配線7とが絶縁基板上で互いに交差する様に形成されている。ゲート配線6は、個々のゲート電極1と一体的に形成された一体部6aと、これらを互いに接続する別体部6bとに分かれている。ゲート電極1はゲート配線6の別体部6bより低い熱伝導性を有し、ゲート配線6の別体部6bはゲート電極1より低い電気抵抗を有する。信号配線7とゲート配線6の一体部6aとが絶縁膜14をはさんで交差する。
【選択図】図1
Description
又本発明に係る他の表示装置は基本的に、ゲート電極、ゲート絶縁膜及び多結晶構造の半導体薄膜を積層した薄膜トランジスタが複数形成された絶縁基板と、前記絶縁基板上に配された電気光学物質とを備え、各薄膜トランジスタのゲート電極を互いに接続するゲート配線と、各薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極を互いに接続する信号配線とが該絶縁基板上で互いに交差する様に形成されている。ここで前記ゲート配線は、個々のゲート電極と同一の導電層に属する下層部と、これに重ねられた別の導電層からなる上層部とに分かれており、前記ゲート電極は該ゲート配線の上層部より低い熱伝導性を有し、前記ゲート配線の上層部は該ゲート電極より低い電気抵抗を有し、前記信号配線と前記ゲート配線の下層部とが絶縁膜をはさんで交差する。好ましくは、前記信号配線と前記ゲート配線の上層部とが同一の導電層で同層に形成される。
又本発明に係る他の表示用薄膜半導体装置は基本的に、行状に配されたゲート配線と、これと交差する様に列状に配された信号配線と、各ゲート配線と各信号配線とが交差する部分に対応して配された薄膜トランジスタと、各薄膜トランジスタによって駆動される電極とが、絶縁基板に形成されている。ここで前記薄膜トランジスタは、ゲート電極、ゲート絶縁膜及び多結晶構造の半導体薄膜を積層してなり、前記ゲート配線は、対応する行の各薄膜トランジスタのゲート電極を互いに接続するために、個々のゲート電極と同一の導電層に属する下層部と、これに重ねられた別の導電層からなる上層部とに分かれており、前記ゲート電極は該ゲート配線の上層部より低い熱伝導性を有し、前記ゲート配線の上層部は該ゲート電極より低い電気抵抗を有し、前記信号配線は、対応する列の各薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極を互いに接続するとともに、絶縁膜を介して前記ゲート配線の該下層部と交差していることを特徴とする。好ましくは、前記信号配線は、前記ゲート配線の上層部と同一の導電層で同層に形成されている。
以上説明したように、本発明によれば、ゲート電極は比較的熱伝導性が低い材料で構成されており、ゲート配線は比較的電気抵抗が低い材料で構成されている。係る構成により、半導体薄膜はゲート絶縁膜を介してゲート電極の上に配置された状態でエネルギー照射を受け、均一且つ最適に再結晶化された多結晶構造を呈することが可能になる。一方、ゲート配線はゲート電極とは別に電気抵抗の低減化が可能になる。係る構成により、薄膜トランジスタの移動度を向上させるのに必要な多結晶半導体薄膜の大粒径化と、ゲート配線の低抵抗化を同時に達成できる。即ち、薄膜トランジスタの高性能化と配線の低抵抗化を同時に満足する表示用薄膜半導体装置を容易に得ることができるので、アクティブマトリクスディスプレイの大型化と高性能化、特に駆動用周辺回路をパネル内に集積化した高解像度ディスプレイの実現に大きく寄与し、本発明の効果は多大なものがある。
Claims (8)
- ゲート電極、ゲート絶縁膜及び多結晶構造の半導体薄膜を積層した薄膜トランジスタが複数形成された絶縁基板と、前記絶縁基板上に配された電気光学物質とを備え、
各薄膜トランジスタのゲート電極を互いに接続するゲート配線と、各薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極を互いに接続する信号配線とが該絶縁基板上で互いに交差する様に形成された表示装置であって、
前記ゲート配線は、個々のゲート電極と一体的に形成された一体部と、これらを互いに接続する別体部とに分かれており、
前記ゲート電極は該ゲート配線の別体部より低い熱伝導性を有し、
前記ゲート配線の別体部は該ゲート電極より低い電気抵抗を有し、
前記信号配線と前記ゲート配線の該一体部とが絶縁膜をはさんで交差することを特徴とする表示装置。 - 前記信号配線と前記ゲート配線の別体部とが同一の導電層で同層に形成されることを特徴とする請求項1記載の表示装置。
- ゲート電極、ゲート絶縁膜及び多結晶構造の半導体薄膜を積層した薄膜トランジスタが複数形成された絶縁基板と、前記絶縁基板上に配された電気光学物質とを備え、
各薄膜トランジスタのゲート電極を互いに接続するゲート配線と、各薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極を互いに接続する信号配線とが該絶縁基板上で互いに交差する様に形成された表示装置であって、
前記ゲート配線は、個々のゲート電極と同一の導電層に属する下層部と、これに重ねられた別の導電層からなる上層部とに分かれており、
前記ゲート電極は該ゲート配線の上層部より低い熱伝導性を有し、
前記ゲート配線の上層部は該ゲート電極より低い電気抵抗を有し、
前記信号配線と前記ゲート配線の下層部とが絶縁膜をはさんで交差することを特徴とする表示装置。 - 前記信号配線と前記ゲート配線の上層部とが同一の導電層で同層に形成されることを特徴とする請求項3記載の表示装置。
- 行状に配されたゲート配線と、これと交差する様に列状に配された信号配線と、各ゲート配線と各信号配線とが交差する部分に対応して配された薄膜トランジスタと、各薄膜トランジスタによって駆動される電極とが、絶縁基板に形成された表示用薄膜半導体装置であって、
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極、ゲート絶縁膜及び多結晶構造の半導体薄膜を積層してなり、
前記ゲート配線は、対応する行の各薄膜トランジスタのゲート電極を互いに接続するために、個々のゲート電極と一体的に形成された一体部と、これらを互いに接続する別体部とに分かれており、
前記ゲート電極は該ゲート配線の別体部より低い熱伝導性を有し、
前記ゲート配線の別体部は該ゲート電極より低い電気抵抗を有し、
前記信号配線は、対応する列の各薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極を互いに接続し、
前記信号配線は、絶縁膜を介して前記ゲート配線の該一体部と交差していることを特徴とする表示用薄膜半導体装置。 - 前記信号配線は、前記ゲート配線の別体部と同一の導電層で同層に形成されていることを特徴とする請求項5記載の表示用薄膜半導体装置。
- 行状に配されたゲート配線と、これと交差する様に列状に配された信号配線と、各ゲート配線と各信号配線とが交差する部分に対応して配された薄膜トランジスタと、各薄膜トランジスタによって駆動される電極とが、絶縁基板に形成された表示用薄膜半導体装置であって、
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極、ゲート絶縁膜及び多結晶構造の半導体薄膜を積層してなり、
前記ゲート配線は、対応する行の各薄膜トランジスタのゲート電極を互いに接続するために、個々のゲート電極と同一の導電層に属する下層部と、これに重ねられた別の導電層からなる上層部とに分かれており、
前記ゲート電極は該ゲート配線の上層部より低い熱伝導性を有し、
前記ゲート配線の上層部は該ゲート電極より低い電気抵抗を有し、
前記信号配線は、対応する列の各薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極を互いに接続し、
前記信号配線は、絶縁膜を介して前記ゲート配線の該下層部と交差していることを特徴とする表示用薄膜半導体装置。 - 前記信号配線は、前記ゲート配線の上層部と同一の導電層で同層に形成されていることを特徴とする請求項7記載の表示用薄膜半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006244985A JP4168292B2 (ja) | 2006-09-11 | 2006-09-11 | 表示装置及び表示用薄膜半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006244985A JP4168292B2 (ja) | 2006-09-11 | 2006-09-11 | 表示装置及び表示用薄膜半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP04711497A Division JP3896624B2 (ja) | 1997-02-14 | 1997-02-14 | 薄膜半導体装置及びそれを用いた表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007047808A true JP2007047808A (ja) | 2007-02-22 |
JP4168292B2 JP4168292B2 (ja) | 2008-10-22 |
Family
ID=37850610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006244985A Expired - Fee Related JP4168292B2 (ja) | 2006-09-11 | 2006-09-11 | 表示装置及び表示用薄膜半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4168292B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8274207B2 (en) | 2010-09-29 | 2012-09-25 | Panasonic Corporation | EL display panel, EL display apparatus, and method of manufacturing EL display panel |
US8426870B2 (en) | 2010-09-21 | 2013-04-23 | Panasonic Corporation | Thin-film transistor array device, el display panel, el display device, thin-film transistor array device manufacturing method, el display panel manufacturing method |
US8482010B2 (en) | 2010-09-29 | 2013-07-09 | Panasonic Corporation | EL display panel, EL display apparatus, and method of manufacturing EL display panel |
US8487395B2 (en) | 2010-09-21 | 2013-07-16 | Panasonic Corporation | Thin-film transistor array device, el display panel, el display device, thin-film transistor array device manufacturing method, el display panel manufacturing method |
US8791453B2 (en) | 2010-09-29 | 2014-07-29 | Panasonic Corporation | Thin-film semiconductor device for display apparatus, method for manufacturing thin-film semiconductor device for display apparatus, EL display panel, and EL display apparatus |
US8895989B2 (en) | 2010-09-29 | 2014-11-25 | Panasonic Corporation | Thin-film semiconductor device for display apparatus, method for manufacturing thin-film semiconductor device for display apparatus, EL display panel, and EL display apparatus |
-
2006
- 2006-09-11 JP JP2006244985A patent/JP4168292B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8426870B2 (en) | 2010-09-21 | 2013-04-23 | Panasonic Corporation | Thin-film transistor array device, el display panel, el display device, thin-film transistor array device manufacturing method, el display panel manufacturing method |
US8487395B2 (en) | 2010-09-21 | 2013-07-16 | Panasonic Corporation | Thin-film transistor array device, el display panel, el display device, thin-film transistor array device manufacturing method, el display panel manufacturing method |
US8274207B2 (en) | 2010-09-29 | 2012-09-25 | Panasonic Corporation | EL display panel, EL display apparatus, and method of manufacturing EL display panel |
US8482010B2 (en) | 2010-09-29 | 2013-07-09 | Panasonic Corporation | EL display panel, EL display apparatus, and method of manufacturing EL display panel |
US8558445B2 (en) | 2010-09-29 | 2013-10-15 | Panasonic Corporation | EL display panel, EL display apparatus, and method of manufacturing EL display panel |
US8791453B2 (en) | 2010-09-29 | 2014-07-29 | Panasonic Corporation | Thin-film semiconductor device for display apparatus, method for manufacturing thin-film semiconductor device for display apparatus, EL display panel, and EL display apparatus |
US8895989B2 (en) | 2010-09-29 | 2014-11-25 | Panasonic Corporation | Thin-film semiconductor device for display apparatus, method for manufacturing thin-film semiconductor device for display apparatus, EL display panel, and EL display apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4168292B2 (ja) | 2008-10-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8604483B2 (en) | Thin film semiconductor device, display device using such thin film semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP4386978B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
US20060273862A1 (en) | Semiconductor thin film manufacturing method, electronic device, and liquid crystal display device | |
US7642141B2 (en) | Manufacturing method for display device | |
JP4168292B2 (ja) | 表示装置及び表示用薄膜半導体装置 | |
CN101826555B (zh) | 薄膜晶体管、制造方法及有机发光二极管显示装置 | |
JP2010157676A (ja) | 多結晶シリコンの製造方法、薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを含む有機電界発光表示装置 | |
KR101134989B1 (ko) | 어레이 기판의 제조방법 | |
JP3896624B2 (ja) | 薄膜半導体装置及びそれを用いた表示装置 | |
JP2009049243A (ja) | 画像表示装置およびその製造方法 | |
JP3468003B2 (ja) | 表示用薄膜半導体装置 | |
JP3864476B2 (ja) | 薄膜半導体装置 | |
JP5937332B2 (ja) | 薄膜トランジスタ基板およびそれの製造方法 | |
JP2010287645A (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
JPWO2012120563A1 (ja) | 薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法 | |
JP4514862B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
WO2019171590A1 (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
KR100498158B1 (ko) | 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법 | |
KR101884890B1 (ko) | 박막 트랜지스터 결정화 방법, 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
KR101021693B1 (ko) | 액정표시패널 및 그 제조방법 | |
JP5342898B2 (ja) | 逆スタガ構造の薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
KR20080003118A (ko) | 박막 트랜지스터 어레이기판 제조방법 | |
KR20060059582A (ko) | 두가지 타입의 박막트랜지스터를 포함하는 액정표시장치용어레이기판 및 그 제조방법 | |
JP2009272479A (ja) | 半導体装置、集積回路及び表示装置 | |
KR100468901B1 (ko) | 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080318 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080514 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080709 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080722 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120815 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120815 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130815 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130815 Year of fee payment: 5 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130815 Year of fee payment: 5 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |