JP2007043104A - 発光装置、及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光素子は、一対の電極と、一対の電極間に、少なくとも発光層を含む発光積層体を有する。一対の電極間の少なくとも一方に接して、バッファ層を設ける。一対の電極は、一方は反射率の高い電極であり、他方は半透明電極である。半透明電極とすることで、光が透過させる事ができると共に、反射させることができる。バッファ層の厚さによって、一対の電極間の光学距離が調節され、光が電極間で共振できるようにされる。バッファ層は正孔輸送性を示す有機化合物と金属化合物を含む複合材料でなるため、光学設計のためバッファ層を厚くしても、発光素子の電圧輝度効率に影響を与えることがない。
【選択図】図1
Description
図1(A)は本発明の発光素子における一形態を表す模式図である。図1(A)における本発明の発光素子は図示しない絶縁体上に第1の電極400、第2の電極403よりなる一対の電極間に、バッファ層401、発光積層体402からなる有機化合物を含む層が狭持されている。図1(A)では第2の電極403側より光を取り出す構造に関して説明する。
本実施の形態では、本発明の発光装置の作製方法について図2〜図4を参照しながら説明する。なお、本実施の形態ではアクティブマトリクス型で第2の電極側に光を射出する発光装置を作製する例を示した。なお、発光波長の異なる発光素子を用いるフルカラー表示の場合、各色の画素の配置は特に限定されない。ストライプ配置やデルタ配置など所望の配置を適用することが可能である。特に赤、緑、青などの3種類の発光色を呈する発光素子を用いた場合は、3種類の画素をデルタ型に配列したデルタ配置を好適に用いることができる。デルタ配置の画素はテレビなどの映像を表示する発光装置に最適である。
本実施の形態では、本発明の表示装置であるアクティブマトリクス型発光装置のパネルの外観について図5を用いて説明する。図5は基板上に形成されたトランジスタ及び発光素子を対向基板4006との間に形成したシール材によって封止したパネルの上面図であり、図5(B)は図5(A)の断面図に相応する。また、このパネルの発光素子が有する構造は、実施の形態1に示したような構成である。
本実施の形態では、実施の形態3で示したパネル、モジュールが有する画素回路、保護回路及びそれらの動作について説明する。なお、実施の形態3に示してきた断面図は駆動用TFT1403と発光素子1405の断面図となっている。
本発明の発光装置(モジュール)を搭載した本発明の電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオコンポ等)、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDigitAl Versatile Disc(DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置)などが挙げられる。それらの電子機器の具体例を図9に示す。
本実施の形態では、発光層の発光色に応じてバッファ層の膜厚を変える形態について図10を参照しながら説明する。
第1の電極400(半透明電極)として、ガラス基板上に、厚さ110nmのシリコンを含むITO(以下、「ITSO」と記す。)をスパッタ装置で形成した。ITSO上に、厚さ15nmのAgを蒸着した。ITSOとごく薄いAgを積層して形成することで、反射性も備えた半透明電極が形成できた。
バッファ層401として、Ag上に、4,4’−ビス{N−[4−(N,N−ジ−m−トリルアミノ)フェニル]−N−フェニルアミノ}ビフェニル(以下、「DNTPD」と記す。)と酸化モリブデンとの複合材料を厚さ125nm形成した。DNTPDは正孔輸送性を示す有機化合物である。
複合材料はDNTPDと酸化モリブデンを共蒸着することで形成し、酸化モリブデン(以下、「MoOx」と記す。)の蒸着源にはMoO3を用いた。質量比はDNTPD:MoOx=4:2となるようにした。
発光積層体402を4層の機能層で形成した。まず、DNTPDとMoOxの複合材料上に、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(以下、「NPB」と記す。)を厚さ10nm蒸着した。
第2の電極403として、スパッタ装置で、LiF上にAlを200nmの厚さに成膜した。Alは反射電極として機能する。
本実施例では、発光素子1の特性を評価するため、比較となる発光素子(以下、「比較素子」という。)を作製した。比較素子は、第1の電極400を半透明電極ではなく、透明電極とした素子である。発光素子1との違いは、第1の電極400にAgを設けず、厚さ110nmのITSOの単層でなる点である。他は、発光素子1と同じ条件で作製した。表1に、発光素子1及び比較素子を構成する層の材料及び膜厚を示す。
第1の電極400を反射電極として形成した。ガラス基板上に、厚さ40nmのアルミニウムとチタンの合金(以下、「Al−Ti」と記す。)と、Al−Ti上に厚さ6nmのTiを積層した導電膜を形成した。
Ti上にバッファ層401−1として、DNTPDとMoOxの複合材料を厚さ40nm形成した。発光素子1同様に、複合材料は、DNTPDとMoOxとを共蒸着することで形成し、MoOxの蒸着源にはMoO3を用いた。質量比はDNTPD:MoOx=4:2となるようにした。
発光積層体402として3層の機能層を形成した。
バッファ層401−2は、電子を発生する機能を有する層と、正孔輸送性を有する有機化合物と金属化合物との複合材料層との2層構造とした。電子を発生する機能を有する層として、Alq3とLiを厚さ10nm共蒸着し、LiをドープしたAlq3を形成した。質量比は、Alq3:Li=1:0.01となるようにした。有機化合物と金属化合物の複合材料は、バッファ層401−1と同様に、DNTPDとMoOxの複合材料とし、厚さは110nmとした。
DNTPDとMoOxの複合材料上に、第2の電極403として、Agを厚さ25nm蒸着した。ごく薄く形成したため、Agを半透明電極として機能させることができた。
51a 第1の下地絶縁層
51b 第2の下地絶縁層
52 半導体層
53 ゲート絶縁膜
54 ゲート電極
59 絶縁膜(水素化膜)
60 第1の層間絶縁層
61a 接続部
61b 配線
63 第2の層間絶縁層
64 第1の電極
65 隔壁
66 有機化合物を含む層
67 第2の電極
70 薄膜トランジスタ
88 樹脂
89 乾燥剤
93 発光素子
94 対向基板
100 絶縁体
101B、101G、101R 第1の電極
102 隔壁
103B、103G、103R バッファ層
104、104B、104G、104R 正孔輸送層
105B、105G、105R 発光層
106、106B、106G、106R 電子輸送層
107 第2の電極
400 第1の電極
401、401−1、401−2 バッファ層
402 発光積層体
403 第2の電極
1401 スイッチング用TFT
1402 容量素子
1403 駆動用TFT
1404 電流制御用TFT
1405 発光素子
1406 TFT
1410 信号線
1411、1412 電源線
1414、1415 走査線
1451 選択TFT
1452 容量素子
1452 容量素子
1453 駆動用TFT
1454 発光素子
1455 信号線
1456 電源線
1457 ゲート線
1458 電源線
1461 消去ダイオード
1467 ゲート線
1500 画素部
1554 共通電位線
1561 ダイオード
2001 筐体
2003 表示部
2004 スピーカー部
2101 本体
2102 筐体
2103 表示部
2104 音声入力部
2105 音声出力部
2106 操作キー
2108 アンテナ
2201 本体
2202 筐体
2203 表示部
2204 キーボード
2205 外部接続ポート
2206 ポインティングマウス
2301 本体
2302 表示部
2303 スイッチ
2304 操作キー
2305 赤外線ポート
2401 筐体
2402 表示部
2403 スピーカー部
2404 操作キー
2405 記録媒体挿入部
4001 基板
4002 画素部
4003 信号線駆動回路
4004 走査線駆動回路
4005 シール材
4006 対向基板
4007 充填材
4008 薄膜トランジスタ
4010 薄膜トランジスタ
4011 発光素子
4014 配線
4015 配線
4016 接続端子
4018 フレキシブルプリントサーキット(FPC)
4019 異方性導電膜
Claims (20)
- 一対の電極、および前記一対の電極間に挟まれた有機化合物を含む層を有する発光素子を有する発光装置であり、
前記有機化合物を含む層は、発光物質を含む発光層、および正孔輸送性を示す有機化合物と金属化合物を含む複合材料を有するバッファ層を少なくとも含み、
前記一対の電極は、一方が反射率の高い電極であり、他方が半透明電極であることを特徴とする発光装置。 - 一対の電極、および前記一対の電極間に挟まれた有機化合物を含む層を有する発光素子を有する発光装置であり、
前記有機化合物を含む層は、発光物質を含む発光層、および正孔輸送性を示す有機化合物と金属化合物を含む複合材料を有するバッファ層を少なくとも含み、
前記一対の電極は、一方が反射率の高い電極であり、他方が半透明電極であり、
前記バッファ層の膜厚は発光素子外部に射出する発光の強度が高くなるように決定されたことを特徴とする発光装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記一対の電極間の光学距離が、当該発光素子から取り出される光の極大波長の半分の整数倍であることを特徴とする発光装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記一対の電極間の光学距離が、当該発光素子から取り出したい光における極大波長の半分の整数倍であることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記半透明電極は、発光層から発する光に対する反射率が10%以上であることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記半透明電極は、反射率の高い導電材料でなり、透光性を有するように薄膜化した導電膜であることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記半透明電極は、厚さ1nm以上25nm以下の反射率の高い導電材料でなる導電膜であることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記半透明電極は、反射率の高い導電材料でなり、透光性を有するように薄膜化した導電膜と、透明導電膜との積層であることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記半透明電極は、厚さ1nm以上25nm以下の反射率の高い導電材料でなる導電膜と、透明導電膜との積層であることを特徴とする発光装置。 - 請求項6乃至請求項9のいずれか一項において、
前記反射率の高い導電材料は、アルミニウム、銀、アルミニウムとリチウムの合金、およびマグネシウムと銀の合金から選ばれた材料であることを特徴とする発光装置。 - 請求項6乃至請求項9のいずれか一項において、
前記反射率の高い導電材料は、タンタル、クロム、モリブデン、チタン、窒化チタン、およびアルミニウムから選ばれた材料であることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項11のいずれか一項において、
前記反射率の高い電極は、発光層から発する光に対する反射率が70%以上であることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項12のいずれか一項において、
前記バッファ層は前記一対の電極のいずれか一方に接して形成されていることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項12のいずれか一項において、
前記有機化合物を含む層は前記バッファ層を2層有し、
前記一対の電極は、それぞれ、前記バッファ層の1つに接していることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項14のいずれか一項において、
前記金属化合物は、遷移金属の酸化物または窒化物であることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項14のいずれか一項において、
前記金属化合物は周期表の4族乃至8族に属する金属の酸化物もしくは窒化物であることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項14のいずれか一項において、
前記金属化合物は、バナジウム酸化物、タンタル酸化物、モリブデン酸化物、タングステン酸化物、レニウム酸化物、またはルテニウム酸化物のいずれかであることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項17のいずれか一項において、
前記発光素子を複数有し、
前記発光素子が発する光の波長によって、前記バッファ層の厚さが異なることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項17のいずれか一項において、
発光の色が異なる3種類の発光素子をそれぞれ複数有し、
複数の前記発光素子は、発する光の色に従ってデルタ配置され、
前記発光素子が発する光の波長によって、前記バッファ層の厚さが異なることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項19のいずれか一項に記載の発光装置を表示部に有することを特徴とする電子機器。
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Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010013689A1 (ja) * | 2008-07-29 | 2010-02-04 | ソニー株式会社 | 発光素子および有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2010514174A (ja) * | 2006-12-22 | 2010-04-30 | ノヴァレッド・アクチエンゲゼルシャフト | 少なくとも1つの有機層配列を有する電子素子 |
JP2010186637A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Sony Corp | 有機電界発光素子および表示装置 |
KR20110014863A (ko) * | 2009-08-06 | 2011-02-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
JP2011510441A (ja) * | 2008-01-18 | 2011-03-31 | アストロン フィアム セーフティ | ドープ有機層を含む微小空洞を伴う有機発光ダイオードおよびその製造プロセス |
JP2011211184A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-10-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置 |
JP2012028338A (ja) * | 2011-09-30 | 2012-02-09 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP2012248433A (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-13 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
US8502200B2 (en) | 2006-01-11 | 2013-08-06 | Novaled Ag | Electroluminescent light-emitting device comprising an arrangement of organic layers, and method for its production |
JP2014078382A (ja) * | 2012-10-10 | 2014-05-01 | Konica Minolta Inc | エレクトロルミネッセンスデバイス |
JP2015523463A (ja) * | 2012-05-02 | 2015-08-13 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se | 有機材料の堆積方法 |
JP2017017361A (ja) * | 2010-12-02 | 2017-01-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JPWO2014126063A1 (ja) * | 2013-02-15 | 2017-02-02 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP2017084808A (ja) * | 2011-06-24 | 2017-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP2019117805A (ja) * | 2011-04-29 | 2019-07-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09180883A (ja) * | 1995-10-27 | 1997-07-11 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 微小光共振器型有機電界発光素子 |
JP2001244079A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子、有機エレクトロルミネッセント素子群及びその発光スペクトルの制御方法 |
JP2003109775A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Sony Corp | 有機電界発光素子 |
JP2003272860A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-09-26 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP2005123095A (ja) * | 2003-10-17 | 2005-05-12 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP2005129519A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2005166641A (ja) * | 2003-11-13 | 2005-06-23 | International Manufacturing & Engineering Services Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP2005166637A (ja) * | 2003-11-10 | 2005-06-23 | Junji Kido | 有機素子、有機el素子、有機太陽電池、及び、有機fet構造、並びに、有機素子の製造方法 |
-
2006
- 2006-06-20 JP JP2006169612A patent/JP4890117B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09180883A (ja) * | 1995-10-27 | 1997-07-11 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 微小光共振器型有機電界発光素子 |
JP2001244079A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子、有機エレクトロルミネッセント素子群及びその発光スペクトルの制御方法 |
JP2003109775A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Sony Corp | 有機電界発光素子 |
JP2003272860A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-09-26 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP2005129519A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2005123095A (ja) * | 2003-10-17 | 2005-05-12 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP2005166637A (ja) * | 2003-11-10 | 2005-06-23 | Junji Kido | 有機素子、有機el素子、有機太陽電池、及び、有機fet構造、並びに、有機素子の製造方法 |
JP2005166641A (ja) * | 2003-11-13 | 2005-06-23 | International Manufacturing & Engineering Services Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8502200B2 (en) | 2006-01-11 | 2013-08-06 | Novaled Ag | Electroluminescent light-emitting device comprising an arrangement of organic layers, and method for its production |
JP2010514174A (ja) * | 2006-12-22 | 2010-04-30 | ノヴァレッド・アクチエンゲゼルシャフト | 少なくとも1つの有機層配列を有する電子素子 |
JP2011510441A (ja) * | 2008-01-18 | 2011-03-31 | アストロン フィアム セーフティ | ドープ有機層を含む微小空洞を伴う有機発光ダイオードおよびその製造プロセス |
US8969853B2 (en) | 2008-01-18 | 2015-03-03 | Astron Fiamm Safety Sarl | Organic light-emitting diode with microcavity including doped organic layers and fabrication process thereof |
US8664677B2 (en) | 2008-07-29 | 2014-03-04 | Sony Corporation | Light-emitting element and organic electroluminescent display device |
WO2010013689A1 (ja) * | 2008-07-29 | 2010-02-04 | ソニー株式会社 | 発光素子および有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2010186637A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Sony Corp | 有機電界発光素子および表示装置 |
KR20110014863A (ko) * | 2009-08-06 | 2011-02-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
KR101588895B1 (ko) | 2009-08-06 | 2016-01-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
JP2011211184A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-10-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置 |
US9012041B2 (en) | 2010-03-08 | 2015-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
KR101495556B1 (ko) | 2010-03-08 | 2015-02-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
KR101729040B1 (ko) * | 2010-03-08 | 2017-04-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
JP2017017361A (ja) * | 2010-12-02 | 2017-01-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP2019117805A (ja) * | 2011-04-29 | 2019-07-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP2022183265A (ja) * | 2011-04-29 | 2022-12-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP2012248433A (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-13 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
JP2017084808A (ja) * | 2011-06-24 | 2017-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP2012028338A (ja) * | 2011-09-30 | 2012-02-09 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP2015523463A (ja) * | 2012-05-02 | 2015-08-13 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se | 有機材料の堆積方法 |
US10741762B2 (en) | 2012-05-02 | 2020-08-11 | Clap Co., Ltd. | Method for the deposition of an organic material |
JP2014078382A (ja) * | 2012-10-10 | 2014-05-01 | Konica Minolta Inc | エレクトロルミネッセンスデバイス |
JPWO2014126063A1 (ja) * | 2013-02-15 | 2017-02-02 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4890117B2 (ja) | 2012-03-07 |
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