JP2007039762A - Vapor deposition apparatus and vapor deposition method - Google Patents
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- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 124
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 84
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 81
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 19
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 11
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Abstract
Description
本発明は、例えば有機電界発光素子（以下有機ＥＬ素子という）の有機層等を形成するのに適用して好適な蒸着装置及び蒸着方法に関する。 The present invention relates to a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method suitable for forming, for example, an organic layer of an organic electroluminescent element (hereinafter referred to as an organic EL element).
一般に、有機ＥＬ素子の有機層等を形成するのに蒸着源からの有機材料を蒸着する蒸着装置が使用されている。従来、この蒸着装置において、有機材料の蒸着速度をモニタする膜厚モニタとして、水晶振動子を用いた水晶振動子膜厚計が使用されている（特許文献１参照）。 In general, a vapor deposition apparatus for vapor-depositing an organic material from a vapor deposition source is used to form an organic layer or the like of an organic EL element. Conventionally, in this vapor deposition apparatus, a crystal resonator thickness meter using a crystal resonator is used as a film thickness monitor for monitoring a vapor deposition rate of an organic material (see Patent Document 1).
この水晶振動子膜厚計は、その発振周波数が水晶振動子上に形成される膜厚と相関関係があることを利用し、発振周波数の変化量から蒸着膜厚の蒸着速度（蒸着レート）を計測するものである。 This crystal oscillator thickness meter uses the fact that the oscillation frequency correlates with the film thickness formed on the crystal oscillator, and determines the deposition rate (deposition rate) of the deposited film thickness from the amount of change in the oscillation frequency. It is to be measured.
ところで、この水晶振動子膜厚計は水晶振動子上に形成される膜厚との相関関係により蒸着速度を計測するようにしているので、この水晶振動子上に形成される膜厚が厚くなったときは計測不能となり、寿命が短い不都合があった。 By the way, since this crystal oscillator thickness meter measures the deposition rate based on the correlation with the film thickness formed on the crystal oscillator, the film thickness formed on this crystal oscillator becomes thicker. In such a case, the measurement becomes impossible and the life is short.
そこで、従来は、この蒸着装置において、この水晶振動子膜厚計にシャッター等を設け、この蒸着膜厚の検出を間欠的に行い、レート検出期間に得られる蒸着検出レート（蒸着現状レート）から、非検出期間の蒸着レートを推定し、推定による蒸着推定レートに合わせる如く蒸着源の温度を制御するようにしていた。 Therefore, conventionally, in this vapor deposition apparatus, this quartz oscillator film thickness meter is provided with a shutter or the like, and this vapor deposition film thickness is detected intermittently, from the vapor deposition detection rate (current vapor deposition rate) obtained during the rate detection period. The deposition rate during the non-detection period was estimated, and the temperature of the deposition source was controlled to match the estimated deposition rate.
一般に、蒸着源の温度を制御することにより蒸着装置における蒸着膜厚の蒸着レートが制御できることが知られている（特許文献２参照）。
然しながら、この蒸着装置における蒸着膜厚の検出を間欠的に行い、レート検出期間に得られる蒸着検出レート（蒸着現状レート）から、非検出期間の蒸着レートを推定し、推定による蒸着推定レートに合わせる如く蒸着源の温度を制御するようにしたときには、非検出期間における蒸着推定レートの揺らぎを抑えることができず、結果として、検出される蒸着現状レートも周期的な揺らぎを起こしてしまい、蒸着目標レートに対し、±４％前後の蒸着レートのばらつきが発生する不都合があった。 However, the deposition film thickness in this deposition apparatus is intermittently detected, and the deposition rate in the non-detection period is estimated from the deposition detection rate (deposition current rate) obtained during the rate detection period, and is adjusted to the estimated deposition rate. When the temperature of the vapor deposition source is controlled as described above, fluctuations in the estimated vapor deposition rate during the non-detection period cannot be suppressed, and as a result, the detected vapor deposition current rate also causes periodic fluctuations, resulting in vapor deposition targets. There was an inconvenience that the deposition rate varied about ± 4% of the rate.
従来は、この蒸着レートの蒸着目標レートに対するばらつきにより、有機材料の蒸着膜厚の高精度の管理が困難である不都合があった。 Conventionally, due to the variation of the deposition rate with respect to the deposition target rate, there is a disadvantage that it is difficult to control the deposition thickness of the organic material with high accuracy.
本発明は、斯かる点に鑑み、蒸着膜厚を水晶振動子膜厚計を使用して間欠的にレート検出をするようにしたときにも蒸着膜厚を高精度で管理できるようにすることを目的とする。 In view of such a point, the present invention makes it possible to manage the deposited film thickness with high accuracy even when the rate of the deposited film film is intermittently detected by using a crystal oscillator thickness meter. With the goal.
本発明蒸着装置は、真空槽内に被蒸着体と、蒸着物を蒸発する蒸着源と、この蒸着源を加熱する加熱手段と、この蒸着源の温度を検出する温度検出手段と、蒸着膜厚を間欠的に計測する水晶振動子膜厚計とを有する蒸着装置において、この加熱手段の設定温度を蒸着目標レートと蒸着現状レートとの差により決る温度とするようにしたものである。 The vapor deposition apparatus of the present invention includes an object to be deposited in a vacuum chamber, a vapor deposition source for evaporating the vapor deposition material, a heating means for heating the vapor deposition source, a temperature detection means for detecting the temperature of the vapor deposition source, and a vapor deposition film thickness. In a vapor deposition apparatus having a quartz oscillator film thickness meter that intermittently measures the temperature, the set temperature of the heating means is set to a temperature determined by the difference between the vapor deposition target rate and the vapor deposition current rate.
また、本発明蒸着装置は、真空槽内に被蒸着体と、蒸着物を蒸発する蒸着源と、この蒸着源を加熱する加熱手段と、この蒸着源の温度を検出する温度検出手段と、蒸着膜厚を間欠的に計測する水晶振動子膜厚計とを有する蒸着装置において、この加熱手段に供給する出力を蒸着目標レートと蒸着現状レートとの差により決定するようにしたものである。 In addition, the vapor deposition apparatus of the present invention includes an object to be deposited in a vacuum chamber, a vapor deposition source for evaporating the deposited material, a heating unit for heating the vapor deposition source, a temperature detection unit for detecting the temperature of the vapor deposition source, and a vapor deposition In a vapor deposition apparatus having a crystal oscillator thickness meter that intermittently measures the film thickness, the output supplied to the heating means is determined by the difference between the vapor deposition target rate and the current vapor deposition rate.
本発明によれば、非検出期間の蒸着源の加熱手段による設定温度を蒸着目標レートと蒸着現状レートとの差により決る温度とするようにしたので、蒸着膜厚を水晶振動子膜厚計を使用して間欠的にレート検出をするようにしたときにも、蒸着現状レートを蒸着目標レートになるように補正するようにしており、蒸着膜厚は、（蒸着目標レート×時間）で決り、この蒸着膜厚を高精度で管理することができる。 According to the present invention, the temperature set by the heating means of the vapor deposition source during the non-detection period is set to a temperature determined by the difference between the vapor deposition target rate and the vapor deposition current rate. Even when the rate is detected intermittently during use, the current vapor deposition rate is corrected to become the vapor deposition target rate, and the vapor deposition film thickness is determined by (deposition target rate x time) This deposited film thickness can be managed with high accuracy.
また、本発明によれば、非検出期間の蒸着源の加熱手段に供給する出力を蒸着目標レートと蒸着現状レートとの差により決定するようにしたので、蒸着膜厚を水晶振動子膜厚計を使用して間欠的にレート検出をするようにしたときにも、蒸着現状レートを蒸着目標レートになるように補正するようにしており、蒸着膜厚は、（蒸着目標レート×時間）で決り、この蒸着膜厚を高精度で管理することができる。 Further, according to the present invention, since the output supplied to the heating means of the vapor deposition source during the non-detection period is determined by the difference between the vapor deposition target rate and the vapor deposition current rate, the vapor deposition film thickness is measured Even when the rate is detected intermittently using the, the current vapor deposition rate is corrected to the vapor deposition target rate, and the vapor deposition film thickness is determined by (deposition target rate x time). The deposited film thickness can be managed with high accuracy.
以下、図面を参照して、本発明蒸着装置及び蒸着方法を実施するための最良の形態の例につき説明に供する。 The best mode for carrying out the vapor deposition apparatus and vapor deposition method of the present invention will be described below with reference to the drawings.
図１は、本例による蒸着装置を示す。図１において、１は真空槽を示し、この真空槽１内の下側に蒸着源２を設ける。この蒸着源２は、この真空槽１内の上方に配した被蒸着体例えばガラス基板３上に蒸着する有機材料を蒸発させるものである。
FIG. 1 shows a vapor deposition apparatus according to this example. In FIG. 1,
この蒸着源２は上面に開口を有し、内部に有機材料４を収めた耐熱性の容器である坩堝２ａと、この坩堝２ａの外周に設けたこの蒸着源２の温度を制御する加熱手段であるヒーター５とからなる。
The
また、この蒸着源２に、この蒸着源２の温度を検出する温度センサ６を設ける。このような構成の蒸着源２では、ヒーター５が坩堝２ａを加熱すると、その中の有機材料４が蒸発し、この坩堝２ａの開口を通って飛散する。
The
この真空槽１内のガラス基板３の蒸着源２側に蒸着を制限する所定の開口７ａを有する制限板７を設ける。この制限板７の開口７ａの近傍の蒸着源２側に膜厚モニタとしての水晶振動子膜厚計８を設ける。
A limiting plate 7 having a
この水晶振動子膜厚計８はガラス基板３上に形成される有機層の膜厚を制御するために蒸着源２からの有機材料４の蒸着速度（蒸着現状レート）を検出する。
This crystal oscillator thickness meter 8 detects the deposition rate (current deposition rate) of the
この水晶振動子膜厚計８は、その発振周波数が水晶振動子上に形成される膜厚と相関関係があることを利用し、発振周波数の変化量から蒸着膜厚の蒸着速度（蒸着現状レート）を計測するものである。 This crystal oscillator thickness meter 8 utilizes the fact that the oscillation frequency has a correlation with the film thickness formed on the crystal oscillator, and the deposition rate of the deposited film thickness (current deposition rate) from the amount of change in the oscillation frequency. ).
本例においては、この水晶振動子膜厚計８の蒸着源２側にシャッター９を設け、このシャッター９を所定時間毎に間欠的に開くようにし、図２に示す如く、この蒸着膜厚の蒸着現状レートをシャッター９を開いたときに間欠的に計測するようにする。
In this example, a
図１において、１０はマイクロコンピュータ等より成る蒸着レートコントロール装置を示し、この蒸着レートコントロール装置１０に蒸着源２の温度センサ６よりの検出温度を供給すると共に水晶振動子膜厚計８よりの間欠的に計測される蒸着現状レートを供給する。また、この蒸着レートコントロール装置１０より蒸着源２を加熱するヒーター５へ制御された出力（電力）を供給する。
In FIG. 1,
ところで、本発明者が種々研究し、ある蒸着温度とそのときの安定蒸着レートから、一定値だけ蒸着レート（蒸着目標レート）を上げ、そのときの蒸着温度を測定し、図２に示す如き、レート偏差（蒸着目標レートと蒸着現状レートとの差）ΔＲａｔｅに対する温度偏差ΔＴｅｍｐの関係式を求めたところ、
ΔＴｅｍｐ＝１３×ΔＲａｔｅ … （１）
の関係式（温度制御予測式）が得られた。
By the way, the present inventor has made various studies, and from a certain deposition temperature and the stable deposition rate at that time, the deposition rate (deposition target rate) is increased by a certain value, and the deposition temperature at that time is measured, as shown in FIG. When a relational expression of temperature deviation ΔTemp with respect to rate deviation (difference between deposition target rate and deposition current rate) ΔRate was obtained,
ΔTemp = 13 × ΔRate (1)
The following relational expression (temperature control prediction formula) was obtained.
この関係式（１）は、有機材料、蒸着温度領域が変わっても、大きく変化しないため、有機材料の蒸着レートを温度制御でコントロールしようとした場合には、汎用的に使用可能である。 This relational expression (1) does not change greatly even if the organic material and the vapor deposition temperature range are changed, so that it can be used for general purposes when the vapor deposition rate of the organic material is controlled by temperature control.
また、同時にそのときの出力（電力）を測定し、図２に示す如き、レート偏差（蒸着目標レートと蒸着現状レートとの差）ΔＲａｔｅに対する出力偏差ΔＭＶの関係式を求めたところ、
ΔＭＶ=係数×ΔＲａｔｅ … （２）
の関係式（出力制御予測式）が得られ、蒸着目標レートを変えること、つまり蒸着温度によって、係数は約２〜４の間の値で変化する。
At the same time, the output (power) at that time was measured, and as shown in FIG. 2, the relational expression of the output deviation ΔMV with respect to the rate deviation (difference between the deposition target rate and the current deposition rate) ΔRate was obtained.
ΔMV = coefficient × ΔRate (2)
The following equation (output control prediction equation) is obtained, and the coefficient varies between about 2 and 4 depending on changing the deposition target rate, that is, the deposition temperature.
この関係式（１）及び（２）は、蒸着装置にヒーター５の出力制御機能と蒸着レートのモニター（計測）機能があれば応用でき、本例においては、この関係式（１）及び（２）を応用する。この関係式（１）及び（２）のどちらを選択するかは、設備能力によって使い分ければよく、例えば蒸着温度の測定の信頼性が低い場合には、蒸着温度の測定の関係のない関係式（２）の出力制御予測式を採用すればよい。
The relational expressions (1) and (2) can be applied if the vapor deposition apparatus has an output control function of the
ところで、有機材料の蒸着現状レートを計測する水晶振動子膜厚計８は、計測する生レートａは、図３Ａ、Ｂに示す如く、激しく変動しいており、従来は、蒸着現状レートを確定するのに、この生レートａを時定数の大きなローパスフィルタを通して蒸着現状レートとしていたので、このレート検出時間が短い例えば６０秒程度とした場合では、図３Ａに示す如く、生レートａの値と時定数の大きなローパスフィルタを通した後の蒸着現状レートの値とは、大きな差が発生し、正しい補正をするための正しい現状認識ができなくなっていた。 By the way, the quartz oscillator film thickness meter 8 that measures the current deposition rate of the organic material, the raw rate a to be measured fluctuates as shown in FIGS. 3A and 3B, and conventionally, the deposition current rate is determined. However, since the raw rate a is set as the current deposition rate through a low-pass filter having a large time constant, when the rate detection time is short, for example, about 60 seconds, as shown in FIG. There was a large difference from the value of the deposition current rate after passing through a low-pass filter with a large constant, and it was impossible to correctly recognize the current status for correct correction.
そこで、本例においては、この図３Ａ、Ｂに示す如く、激しく変動する生レートａが、レート検出開始から一定時間例えば４５秒後には、この暴れが収まる傾向があることから、この一定時間例えば４５秒後からレート検出終了時までの例えば１５秒間の生レートａの平均値を蒸着現状レートとする。 Therefore, in this example, as shown in FIGS. 3A and 3B, the raw rate a that fluctuates violently tends to stop after a certain time, for example 45 seconds, from the start of rate detection. The average value of the raw rate a for, for example, 15 seconds from 45 seconds to the end of rate detection is defined as the current deposition rate.
また、出力制御予測式（２）を使用した場合、図４Ａに示す如く出力の変化に対して蒸着源２の温度が図４Ｂに示す如く長期遅延時間を持って変化し、図４Ｃに示す如く長期遅延時間を持った蒸着レートの変化をするが、この長期遅延時間を少しでも短くするため、本例においては、温度制御予測式（１）と同様にこの出力制御予測式（２）で得られる出力に図４Ｄに示す如く、パルス出力を追加し、この出力よりも大きなパルス出力を加熱手段であるヒーター５に供給する。
When the output control prediction formula (2) is used, the temperature of the
これにより蒸着現状レートの蒸着目標レートへの安定到達時間を図４Ｅ及びＦに示す如く短くすることができる。例えば出力パルスの幅３０秒での最適出力パルスの大きさを蒸着レートがオーバーシュートする一歩手前のレベルで合わせるようにしたところ、この出力制御予測式（２）で得られた出力の３８倍を加算するのがベストであると判断して採用した。 As a result, the stable arrival time of the current vapor deposition rate to the vapor deposition target rate can be shortened as shown in FIGS. For example, when the size of the optimum output pulse with the output pulse width of 30 seconds is matched with the level just before the deposition rate overshoots, 38 times the output obtained by the output control prediction formula (2) is obtained. Adopted because it was best to add.
また、実験装置のヒーター５の出力分解能は１／５０００であり、０．０２％以下の出力制御が不可能であった。
そこで、本例においては、出力制御予測式（２）を使用して得られた単位時間（１秒）の出力値が例えば図５Ａに示す如く最大出力の６５．３５４％のとき、この出力値を出力分解能例えば０．０２で割り、その商に出力分解能例えば０．０２を乗算した値例えば６５．３４％を基底数とし、この基底数例えば６５.３４％とこの基底数例えば６５.３４％に出力分解能例えば０．０２％を加算した値例えば６５．３６％とを図５Ｃに示す如くこの単位時間（１秒）を時分割し、例えば７００ｍｓｅｃを基底数例えば６５.３４％に出力分解能例えば０．０２％を加算した値例えば６５．３６％とし、３００ｍｓｅｃを基底数例えば６５.３４％としてヒーター５に出力する。
Moreover, the output resolution of the
Therefore, in this example, when the output value of the unit time (1 second) obtained by using the output control prediction formula (2) is 65.354% of the maximum output as shown in FIG. Is divided by the output resolution, for example, 0.02, and the quotient is multiplied by the output resolution, for example, 0.02. For example, 65.34% is used as the base number, and the base number, for example, 65.34%, and the base number, for example, 65.34%. As shown in FIG. 5C, the unit time (1 second) is time-divided into the value obtained by adding 0.02% to the output resolution, for example, 65.36%, and the output resolution, for example, 700 msec to the base number, for example, 65.34%. A value obtained by adding 0.02%, for example, 65.36%, and 300 msec as a base number, for example, 65.34%, is output to the
この場合、計算上の出力過大は０．００６％ｓｅｃであったが、図５Ｂに示す如く、この出力を６５．３６％とした場合は計算上の出力過大は０．１０６％ｓｅｃとなり、本例によれば、ハード改造無しで、精度が良くなっているのがわかる。 In this case, the calculated output excess was 0.006% sec. However, as shown in FIG. 5B, when this output is 65.36%, the calculated output excess is 0.106% sec. According to the example, it can be seen that the accuracy is improved without hardware modification.
以下、図１に示す如き、蒸着装置の動作を図６のフローチャートに従って説明する。 Hereinafter, the operation of the vapor deposition apparatus as shown in FIG. 1 will be described with reference to the flowchart of FIG.
この蒸着装置において、蒸着をスタートしたときには、水晶振動子膜厚計８のシャッター９を開にし、レート検出期間を開始する（ステップＳ１）。このシャッター９を開状態としたときには、この水晶振動子膜厚計８は蒸着生レートを蒸着レートコントロール装置１０に送信する。
In this vapor deposition apparatus, when vapor deposition is started, the
このとき蒸着レートコントロール装置１０は、このシャッター９の開時より一定時間例えば４５秒後からレート検出終了時までの例えば１５秒間の生レートａを平均し、この平均値を蒸着現状レートとする（ステップＳ２）。
At this time, the vapor deposition
その後、水晶振動子膜厚計８のシャッター９を閉じレート検出期間を終了する（ステップＳ３）。次にステップＳ４に移行し、図２に示す如き蒸着目標レートとこの蒸着現状レートとの差ΔＲａｔｅを使用し、上述温度制御予測式（１）又は出力制御予測式（２）を使用してヒーター５に供給する出力に対して必要補正出力算出をすると共に図４Ｄに示す如きパルス出力の加算及び図５Ｃに示す如き時分割出力を演算し、ヒーター５に供給する出力を決定する（ステップＳ４）。
Thereafter, the
この蒸着レートコントロール装置１０で決定した出力をヒーター５に供給する（ステップＳ５）。
The output determined by the vapor deposition
本例においては、常に蒸着目標レートで蒸着するようにしているので、蒸着膜厚は、（蒸着目標レート×時間）で決り、この蒸着膜厚を制限板開口部での滞在時間で管理することができる。 In this example, since vapor deposition is always performed at a vapor deposition target rate, the vapor deposition film thickness is determined by (deposition target rate x time), and this vapor deposition film thickness is managed by the residence time at the limit plate opening. Can do.
ステップＳ６で被蒸着体枚数で決まる所定時間が経過しないときは上述ステップＳ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６を繰り返す。 When the predetermined time determined by the number of vapor deposition bodies does not elapse in step S6, the above steps S1, S2, S3, S4, S5, and S6 are repeated.
本例によれば、蒸着現状レートを蒸着目標レートになるように補正するので、蒸着膜厚は、（蒸着目標レート×時間）で決り、この蒸着膜厚を制限板開口部での滞在時間で管理することができ、高精度で管理することができる。 According to this example, since the current vapor deposition rate is corrected to become the vapor deposition target rate, the vapor deposition film thickness is determined by (deposition target rate × time), and this vapor deposition film thickness is determined by the stay time at the opening of the limiting plate. Can be managed with high accuracy.
また、本例においては、レート検出時間を間欠的としているので、水晶振動子膜厚計８のメンテナンスの頻度を減らすことができ、また、本例によれば蒸着現状レートを蒸着目標レートにするようにしているので蒸着現状レートが比較的安定し、レート検出時間の間欠時間を大きくすることができ、この水晶振動子膜厚計８の使用寿命を長くすることができる。 In this example, since the rate detection time is intermittent, the maintenance frequency of the quartz resonator film thickness meter 8 can be reduced, and according to this example, the deposition current rate is set to the deposition target rate. As a result, the current deposition rate is relatively stable, the intermittent time of the rate detection time can be increased, and the service life of the crystal resonator film thickness meter 8 can be extended.
尚、本発明は上述例に限ることなく、本発明の要旨を逸脱することなく、その他種々の構成が採り得ることは勿論である。 Of course, the present invention is not limited to the above-described examples, and various other configurations can be adopted without departing from the gist of the present invention.
１…真空槽、２…蒸着源、３…ガラス基板、４…有機材料、５…ヒーター、６…温度センサ、７…制限版、７ａ…開口、８…水晶振動子膜厚計、９…シャッター、１０…蒸着レートコントロール装置
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記加熱手段の設定温度を蒸着目標レートと蒸着現状レートとの差により決る温度とするようにしたことを特徴とする蒸着装置。 In the vacuum chamber, a deposition target, a deposition source for evaporating the deposited material, a heating unit for heating the deposition source, a temperature detection unit for detecting the temperature of the deposition source, and a deposition film thickness are measured intermittently. In a vapor deposition apparatus having a quartz resonator film thickness meter,
A vapor deposition apparatus characterized in that the set temperature of the heating means is set to a temperature determined by a difference between a vapor deposition target rate and a vapor deposition current rate.
前記加熱手段に供給する出力を蒸着目標レートと蒸着現状レートとの差により決定するようにしたことを特徴とする蒸着装置。 In the vacuum chamber, a deposition target, a deposition source for evaporating the deposited material, a heating unit for heating the deposition source, a temperature detection unit for detecting the temperature of the deposition source, and a deposition film thickness are measured intermittently. In a vapor deposition apparatus having a quartz resonator film thickness meter,
A vapor deposition apparatus characterized in that an output supplied to the heating means is determined by a difference between a vapor deposition target rate and a vapor deposition current rate.
蒸着目標レートと蒸着現状レートとの差により決る出力より大きいパルス出力を前記加熱手段に供給するようにしたことを特徴とする蒸着装置。 The vapor deposition apparatus according to claim 2, wherein
A vapor deposition apparatus, wherein a pulse output larger than an output determined by a difference between a vapor deposition target rate and a vapor deposition current rate is supplied to the heating means.
前記設定温度を蒸着目標レートと蒸着現状レートとの差により決る単位時間の出力値を前記加熱手段の出力分解能で割り、その商に出力分解能を乗算した値を基底数とし、この基底数とこの基底数に出力分解能を加算した値とを前記単位時間を時分割して前記加熱手段に出力するようにしたことを特徴とする蒸着装置。 The vapor deposition apparatus according to claim 2, wherein
Divide the output value per unit time determined by the difference between the deposition target rate and the current deposition rate with the output resolution of the heating means and multiply the quotient by the output resolution to obtain the basis number. A vapor deposition apparatus characterized in that a unit time is divided into a value obtained by adding an output resolution to a base number and output to the heating means.
前記蒸着現状レートをレート検出開始後一定時間後からレート検出終了までの検出レートの平均値とするようにしたことを特徴とする蒸着装置。 The vapor deposition apparatus according to claim 1 or 2,
The vapor deposition apparatus characterized in that the current vapor deposition rate is an average value of detection rates from a certain time after the start of rate detection until the end of the rate detection.
前記加熱手段の設定温度を蒸着目標レートと蒸着現状レートとの差により決る温度とするようにしたことを特徴とする蒸着方法。 In the vacuum chamber, a deposition target, a deposition source for evaporating the deposited material, a heating unit for heating the deposition source, a temperature detection unit for detecting the temperature of the deposition source, and a deposition film thickness are measured intermittently. In a vapor deposition method having a quartz oscillator thickness meter, and depositing a deposit on the deposition target,
A vapor deposition method characterized in that a set temperature of the heating means is set to a temperature determined by a difference between a vapor deposition target rate and a vapor deposition current rate.
前記加熱手段に供給する出力を蒸着目標レートと蒸着現状レートとの差により決定するようにしたことを特徴とする蒸着方法。 In the vacuum chamber, a deposition target, a deposition source for evaporating the deposited material, a heating unit for heating the deposition source, a temperature detection unit for detecting the temperature of the deposition source, and a deposition film thickness are measured intermittently. In a vapor deposition method having a quartz oscillator thickness meter, and depositing a deposit on the deposition target,
A vapor deposition method characterized in that an output supplied to the heating means is determined by a difference between a vapor deposition target rate and a vapor deposition current rate.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005226856A JP4706380B2 (en) | 2005-08-04 | 2005-08-04 | Vapor deposition apparatus and vapor deposition method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005226856A JP4706380B2 (en) | 2005-08-04 | 2005-08-04 | Vapor deposition apparatus and vapor deposition method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007039762A true JP2007039762A (en) | 2007-02-15 |
| JP4706380B2 JP4706380B2 (en) | 2011-06-22 |
Family
ID=37798026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005226856A Expired - Fee Related JP4706380B2 (en) | 2005-08-04 | 2005-08-04 | Vapor deposition apparatus and vapor deposition method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4706380B2 (en) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2005
- 2005-08-04 JP JP2005226856A patent/JP4706380B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JPWO2017191796A1 (en) * | 2016-05-06 | 2018-10-25 | 株式会社アルバック | Thin film manufacturing apparatus and thin film manufacturing method |
| WO2017195674A1 (en) * | 2016-05-13 | 2017-11-16 | 株式会社アルバック | Apparatus for manufacturing organic thin film, and method for manufacturing organic thin film |
| JPWO2017195674A1 (en) * | 2016-05-13 | 2018-11-22 | 株式会社アルバック | Organic thin film manufacturing apparatus, organic thin film manufacturing method |
| CN109072415A (en) * | 2016-05-13 | 2018-12-21 | 株式会社爱发科 | Organic film manufacturing device, method for producing organic thin film |
| KR20180137512A (en) * | 2016-05-13 | 2018-12-27 | 울박, 인크 | Organic Thin Film Manufacturing Device, Organic Thin Film Manufacturing Method |
| KR102165001B1 (en) | 2016-05-13 | 2020-10-13 | 울박, 인크 | Organic thin film manufacturing apparatus, organic thin film manufacturing method |
| CN109072415B (en) * | 2016-05-13 | 2020-11-10 | 株式会社爱发科 | Organic thin film manufacturing apparatus and organic thin film manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4706380B2 (en) | 2011-06-22 |
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| KR20210085415A (en) | Thin film deposition apparatus and method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080725 |
|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |