JP2007036075A

JP2007036075A - Etching method

Info

Publication number: JP2007036075A
Application number: JP2005219959A
Authority: JP
Inventors: Toshio Sugawa; 俊夫須川
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2005-07-29
Filing date: 2005-07-29
Publication date: 2007-02-08

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an etching method capable of forming a fine wiring pattern by making an etchant reach, even to the gaps of narrow DFRs. <P>SOLUTION: The etching method for a substrate treats the substrate by using the etchant containing misted particles. The fine mists of the etchant can reach the surface of a copper foil even in the gaps of the narrow DFRs, and an etching reaction progresses because the difference of an internal pressure and an external pressure, or an internal energy, is increased with the reduction of the particle sizes of the mists of the etchant. Consequently, since etching is enabled, as a result, even in a fine pattern, fine pattern can be readily formed. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は半導体素子、集積回路、電子部品等を搭載するための基板の配線パターン形成のためのエッチング方法に関するもので、特に微細パターンのエッチング方法に関するものである。 The present invention relates to an etching method for forming a wiring pattern on a substrate for mounting a semiconductor element, an integrated circuit, an electronic component, etc., and more particularly to an etching method for a fine pattern.

近年、基板に対して電子機器の小型化や高性能化により配線パターンの微細化が求められている。これら小型機器においては線幅５０μｍ以下のパターン形成が要求されている。 In recent years, miniaturization of wiring patterns has been demanded with respect to substrates due to miniaturization and high performance of electronic devices. In these small devices, pattern formation with a line width of 50 μm or less is required.

従来の基板の配線パターン形成方法について説明する。 A conventional method for forming a wiring pattern on a substrate will be described.

図５に示すように、まず、表面に銅はく２を形成したガラスエポキシなどの絶縁性基材１に、感光性樹脂であるドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）３を１１０℃、０．３ＭＰａでラミネートし、マスクを通して選択的に光を照射後、１％程度の炭酸ナトリウム水溶液などの現像液によってＤＦＲパターンを形成して、次に塩化鉄や塩化銅などからなるエッチング液を面状や錐状にノズルを首振りや往復移動しながら射出し、露光、現像でＤＦＲ３が除去された領域のみを選択的にエッチングを行い、後に３％の水酸化ナトリウム水溶液等のＤＦＲ剥離液によってＤＦＲを除去して所望の配線パターンを形成していた。 As shown in FIG. 5, first, a dry film resist (DFR) 3 as a photosensitive resin is laminated at 110 ° C. and 0.3 MPa on an insulating base material 1 such as glass epoxy having copper foil 2 formed on the surface. Then, after selectively irradiating light through a mask, a DFR pattern is formed with a developing solution such as about 1% sodium carbonate aqueous solution, and then an etching solution made of iron chloride or copper chloride is formed into a planar shape or a cone shape The nozzle is ejected while swinging or reciprocating, and only the area where DFR3 is removed by exposure and development is selectively etched, and then DFR is removed by a DFR stripping solution such as 3% aqueous sodium hydroxide. A desired wiring pattern was formed.

また、狭小なＤＦＲ３の間隙へのエッチングを行うために、エッチング液と気体とを混合した混合流体を、スプレーノズルより基板面に対して垂直あるいは角度を持たせて噴霧し、特にこの噴霧するエッチング液の噴霧の粒径を１０〜２００μｍとすることにより、ＤＦＲの間隙部４内のエッチング液の滞留を防止することができるので、液体のみのエッチング液より粘性率を低くするとともに、気体との混合体であるエッチング液を気体によって吹き飛ばすことでエッチングを行う方法が提案されている。 Further, in order to perform etching into the narrow gaps of DFR 3, a mixed fluid obtained by mixing an etching solution and a gas is sprayed from the spray nozzle at a vertical or angle with respect to the substrate surface. By setting the particle size of the spray of the liquid to 10 to 200 μm, it is possible to prevent the etchant from staying in the gap 4 of the DFR. There has been proposed a method of performing etching by blowing off an etching solution as a mixture with a gas.

なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
特開平５−１６０５４６号公報 As prior art document information related to the invention of this application, for example, Patent Document 1 is known.
Japanese Patent Laid-Open No. 5-160546

しかしながら、従来の塩化鉄や塩化銅などのエッチング液を面状や錘状にノズルから単に射出し、このノズルを首振りや往復移動して基板にエッチング液を吹き付けるスプレー方式では、エッチング液が霧状になるもののその粒径は数百μｍ〜数ｍｍと大きい。しかも、これらのエッチング液では粘性が大きいため狭いＤＦＲパターンの間隙には入り込み難いことから、ＤＦＲの間隙内での実質的なエッチング速度が低下し、同一基板内においてエッチングに要する時間が異なり、形成されるパターン幅のばらつきの原因となっていた。また、狭いＤＦＲ間隙内でのエッチング速度の低下により、エッチングの所要時間を長くしなければならないので、深さと垂直な方向のエッチングすなわちサイドエッチングが大きくなり、微細なパターンを形成することが困難であった。 However, in the conventional spray method in which an etching solution such as iron chloride or copper chloride is simply ejected from a nozzle in the form of a surface or weight, and the nozzle is swung or reciprocated to spray the etching solution onto the substrate, the etching solution is sprayed. However, the particle size is large such as several hundred μm to several mm. In addition, since these etching solutions are so viscous that it is difficult to enter the gap of the narrow DFR pattern, the substantial etching rate in the gap of the DFR is reduced, and the time required for etching in the same substrate is different. Cause variations in the pattern width. In addition, since the etching time must be increased due to a decrease in the etching rate in the narrow DFR gap, etching in the direction perpendicular to the depth, that is, side etching becomes large, and it is difficult to form a fine pattern. there were.

また、上記の特許文献１に開示されている方法において、噴霧されるエッチング液の噴霧の粒径を１０〜２００μｍとしているが、特に微細なパターン形成においてはＤＦＲの間隙が３０μｍ以下、特に１０μｍ程度の場合、図５に示すようにＤＦＲ３の間隙部４よりも噴霧によるエッチング液５の粒径の方が大きくなるため、ＤＦＲ間隙部４の入口につかえてしまい、ＤＦＲ間隙部４に入り込み難くなる。その結果ＤＦＲ間隙部４内での実質的なエッチング速度が低下し、またサイドエッチングが大きくなるので、微細パターン形成が困難であるとともに、気体の混合度合いによっては、被エッチング物の表面を乾燥させるため、被エッチング物とエッチング液との反応生成物が付着したまま乾燥してしまい、これによって反応生成物を除去できなくなり、パターン形成に不具合を生じるという課題も生じていた。 Further, in the method disclosed in Patent Document 1, the particle size of the spray of the etching solution to be sprayed is set to 10 to 200 μm. However, especially in the formation of a fine pattern, the DFR gap is 30 μm or less, particularly about 10 μm. In this case, as shown in FIG. 5, the particle diameter of the etching solution 5 by spraying is larger than the gap portion 4 of the DFR 3, so that it is held at the inlet of the DFR gap portion 4 and is difficult to enter the DFR gap portion 4. . As a result, the substantial etching rate in the DFR gap 4 is reduced and the side etching is increased, so that it is difficult to form a fine pattern, and the surface of the object to be etched is dried depending on the degree of gas mixing. For this reason, the reaction product of the object to be etched and the etching solution is dried while adhering to it, which makes it impossible to remove the reaction product and causes a problem in pattern formation.

上記目的を達成するために、本発明は、エッチングによるパターン形成において、ミスト化した粒子を含むエッチング液を用いて処理し、粒子径をパターンの最小間隙より小さくするもので、これにより、ＤＦＲの狭い間隙内にエッチング液が入り込み、被エッチング物表面に到達せしめることが可能になるので、効率よくエッチングを行うことができるとともに、微細なパターンを形成することが可能となる。 In order to achieve the above object, according to the present invention, in pattern formation by etching, an etching solution containing misted particles is used to make the particle diameter smaller than the minimum gap of the pattern. Since the etching solution enters the narrow gap and can reach the surface of the object to be etched, etching can be performed efficiently and a fine pattern can be formed.

以上のように本発明は、エッチング液をミスト化し、このミスト化した粒子径をパターンの最小間隙寸法より小さくすることにより、微細なＤＦＲパターンの間隙にミスト化した粒子を容易に入り込ませることができるため、幅の狭い部分でのエッチングを効率よく行うとともに、幅の広い部分とのエッチング時間差を少なくすることで、全体の線幅のばらつきを少なくすることができる。また、エッチング液を超音波振動することによって、ノズルから噴射してできるエッチング液の粒子よりもさらに極微細なミスト化を容易に行うことを可能とするものである。 As described above, according to the present invention, the misted particles are easily made to enter the gaps of the fine DFR pattern by making the etching solution mist and making the diameter of the mist particles smaller than the minimum gap size of the pattern. Therefore, it is possible to efficiently perform the etching in the narrow portion and reduce the variation in the entire line width by reducing the etching time difference from the wide portion. Further, by ultrasonically vibrating the etching solution, it is possible to easily make the mist much finer than the particles of the etching solution formed by spraying from the nozzle.

（実施の形態）
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。 (Embodiment)
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１、図２は本発明の実施の形態における配線基板の断面図であり、配線基板の片方の表面近傍の一部を模式的に示している。 1 and 2 are cross-sectional views of a wiring board according to an embodiment of the present invention, and schematically show a part near one surface of the wiring board.

まず、絶縁性基材１１として例えばガラスクロスの両面に厚さ５〜２０μｍ程度の半硬化状態すなわちＢステージで形成したガラスエポキシ基材にプレスなどによって貼り付けた厚さ１０μｍ程度の銅箔１２の表面に、例えば厚さ７μｍのＤＦＲ１３を１１０℃で加熱しながらラミネートした後に、所望のパターンのマスクフィルムを通して選択的に露光を行い、１％炭酸ナトリウム水溶液で現像することによって、図１に示すように、ＤＦＲ１３のパターンを形成する。本実施の形態では、ＤＦＲ１３の幅を２０μｍ、ＤＦＲの間隙部１４の幅を１０μｍで形成している。 First, as the insulating base material 11, for example, a copper foil 12 having a thickness of about 10 μm bonded to a glass epoxy base material formed in a semi-cured state having a thickness of about 5 to 20 μm on both sides of a glass cloth, that is, a glass epoxy base material by a B stage As shown in FIG. 1, after laminating, for example, 7 μm thick DFR13 on the surface while heating at 110 ° C., it is selectively exposed through a mask film having a desired pattern and developed with a 1% aqueous sodium carbonate solution. Then, a DFR 13 pattern is formed. In this embodiment, the DFR 13 is formed with a width of 20 μm, and the DFR gap 14 is formed with a width of 10 μm.

図２は前記絶縁性基材１１に貼り付けられた銅箔１２の表面のＤＦＲ１３のパターンに、微細にミスト化した粒子を含むエッチング液によってエッチングを行っている状態を示している。このとき、粒子径が例えば１〜５μｍ程度のミスト１５を含むエッチング液を用いてエッチングする。このとき、ＤＦＲの間隙部１４の幅である１０μｍに比べてエッチング液のミスト１５の粒径は充分に小さいために、ＤＦＲ１３につかえることなく容易に間隙部１４に入り込み、銅箔１２の表面に到達することができる。また、風速２ｍ／分以下、好ましくは０．２ｍ／分の送風、またはエッチング液槽の加熱により発生するエッチング槽内の温度差などにより対流を起こすことによってＤＦＲ１３の表面から銅箔１２の表面方向にエッチング液のミスト１５が流れ、これによりＤＦＲの間隙部１４にエッチング液のミスト１５が入り込むことを助長することができる。これによって銅箔１２の表面にエッチング液が到達し、エッチング反応が促進されることが可能となるため、従来困難であった狭小なＤＦＲの間隙部１４のエッチングを可能とするものである。 FIG. 2 shows a state in which the pattern of the DFR 13 on the surface of the copper foil 12 affixed to the insulating substrate 11 is etched with an etching solution containing finely mist particles. At this time, etching is performed using an etching solution containing mist 15 having a particle diameter of, for example, about 1 to 5 μm. At this time, since the particle diameter of the mist 15 of the etching solution is sufficiently small compared with 10 μm which is the width of the gap portion 14 of the DFR, it easily enters the gap portion 14 without being used by the DFR 13 and enters the surface of the copper foil 12. Can be reached. Further, the direction of the surface of the copper foil 12 from the surface of the DFR 13 by causing convection due to a wind speed of 2 m / min or less, preferably 0.2 m / min, or a temperature difference in the etching bath generated by heating the etching bath. Thus, the mist 15 of the etching solution flows, so that the mist 15 of the etching solution can enter the gap portion 14 of the DFR. As a result, the etching solution reaches the surface of the copper foil 12 and the etching reaction can be promoted. Therefore, it is possible to etch the narrow gap 14 of the DFR, which has been difficult in the past.

ここで、銅箔１２の表面のエッチング液の内部エネルギー（粒子の内外圧差ΔＰ）はΔＰ＝２γ／Ｒなので、微細なミスト１５はその表面張力γにより粒子径すなわち粒子の曲率半径Ｒが小さい程高くなる。図３はこの粒子径と粒子内外圧差との関係を示している。図３より、粒子径が１０μｍ以下、特に５μｍ以下になると急激に粒子内外圧差が大きくなっており、このときにおけるエッチングの効果が大きくなる。よって、粒子径が１０μｍ以下、特に５μｍ以下のとき、このエッチング液のミスト１５の内外圧差すなわち内部エネルギーに従って銅箔１２の表面での反応力が高くなり、これによりエッチングが促進され、微細な部分でのエッチング速度を特に早くするものである。 Here, since the internal energy of the etching liquid on the surface of the copper foil 12 (particle internal / external pressure difference ΔP) is ΔP = 2γ / R, the fine mist 15 has a smaller particle diameter, that is, a curvature radius R of the particle due to the surface tension γ. Get higher. FIG. 3 shows the relationship between the particle diameter and the internal / external pressure difference. As shown in FIG. 3, when the particle size is 10 μm or less, particularly 5 μm or less, the difference between the internal and external pressures suddenly increases, and the etching effect at this time increases. Therefore, when the particle diameter is 10 μm or less, particularly 5 μm or less, the reactive force on the surface of the copper foil 12 increases according to the internal / external pressure difference of the mist 15 of the etching solution, that is, the internal energy, thereby promoting the etching and making the fine portions The etching rate is particularly fast.

従来のスプレー方式によるエッチング方法では、ＤＦＲの間隙部１４の幅が６０μｍ以下になると、エッチング速度が大幅に低下し、さらにＤＦＲの間隙部１４の幅が２０μｍになると、エッチング速度がＤＦＲの間隙部１４が８０μｍのときの半分程度に低下していたが、本発明では、エッチング液をパターンの最小エッチング寸法すなわち微細なＤＦＲの間隙部１４の幅より小さい粒径にミスト化し、特にそのミストの粒子径を１０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下とすることにより、エッチング液のミスト１５がＤＦＲにつかえることなく容易に銅箔表面へ到達することができる。これにより、ＤＦＲの間隙部１４が広い部分でも狭い部分でも同じ速度でエッチングをすることができるので、サイドエッチングを小さくすることができ、実際に形成される配線パターンの寸法がＤＦＲパターンの寸法より極端に小さくなることを防止することが可能となる。その結果、均一かつ微細な配線パターンを形成することができる。 In the conventional spray etching method, when the width of the gap portion 14 of the DFR is 60 μm or less, the etching rate is significantly reduced, and when the width of the gap portion 14 of the DFR is 20 μm, the etching rate is the gap portion of the DFR. In the present invention, the etching solution is misted to a particle size smaller than the minimum etching dimension of the pattern, that is, the width of the fine DFR gap 14. By setting the diameter to 10 μm or less, preferably 5 μm or less, the mist 15 of the etching solution can easily reach the copper foil surface without being used by the DFR. As a result, etching can be performed at the same speed regardless of whether the DFR gap 14 is wide or narrow, so that the side etching can be reduced, and the dimension of the actually formed wiring pattern is larger than the dimension of the DFR pattern. It becomes possible to prevent it from becoming extremely small. As a result, a uniform and fine wiring pattern can be formed.

一方、エッチング液に塩化第２鉄を用いた場合においては、エッチングによってできた銅の溝の表面や側面にスラッジが堆積してエッチングの化学反応を阻止してしまう。このために銅のエッチングが停止され、パターン形成ができなくなる場合がある。従って、このスラッジを除去して銅表面を露出させ、エッチング液と反応が可能な状態にしなければならない。このスラッジを除去するには機械的な方法、例えばエッチング液をスプレーノズルから高い圧力で吹き付ける方法があるが、微細なパターンには困難である。これに対して、１０％程度の塩酸で化学的に除去する方法があるが、ＤＦＲの間隙部１４の幅は最小３０μｍが限界である。 On the other hand, when ferric chloride is used as the etchant, sludge accumulates on the surface and side surfaces of the copper groove formed by etching, thereby preventing the chemical reaction of etching. For this reason, etching of copper is stopped, and pattern formation may not be possible. Therefore, this sludge must be removed to expose the copper surface and be able to react with the etchant. There is a mechanical method for removing this sludge, for example, a method of spraying an etching solution from a spray nozzle at a high pressure, but it is difficult to form a fine pattern. On the other hand, there is a method of chemically removing with about 10% hydrochloric acid, but the minimum width of the DFR gap 14 is 30 μm.

本発明では微細な部分に入り込ませるために、スラッジを溶解するための１０％程度の塩酸などの溶解液を、前述のエッチングの場合と同様に粒径を１０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下にミスト化させ、このミスト化した粒子を銅表面に曝すことによって、狭小な銅の溝に入り込ませてスラッジを溶解除去できるものである。このとき、塩化第２鉄などのエッチング液のミストとスラッジの溶解液のミストとを銅表面に交互に曝すことによって、微細なパターンを形成するためのエッチングを効率良く行うことを可能とする。 In the present invention, a solution such as hydrochloric acid of about 10% for dissolving sludge is misted to a particle size of 10 μm or less, preferably 5 μm or less in the same manner as in the case of the above-described etching, so as to enter fine portions. Then, by exposing the mist particles to the copper surface, the sludge can be dissolved and removed by entering the narrow copper groove. At this time, etching for forming a fine pattern can be efficiently performed by alternately exposing a mist of an etching solution such as ferric chloride and a mist of a sludge solution to the copper surface.

なお、エッチング液のミストを発生させる手段として、加熱などにより蒸発させる方法があるが、成分の気化温度の差により成分比率が変改してしまい、所望のエッチング液のミストが得られないことがある。この解決手段として、超音波振動をエッチング液の液面付近に付与することによって所望のエッチング液のミストを得ることができる。具体的には図４に示すように、エッチング装置１７の底に、超音波振動発生手段である超音波振動板１８を設置して、エッチング液１６の液面に向かって超音波振動を発生照射させる。これによって、エッチング液１６の液面は超音波振動の波長に伴って微細かつ高速振動の波を発生することができるので、エッチング液１６の液面付近で極微細な粒径１０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下のエッチング液のミスト１５を発生させることができる。 As a means for generating mist of the etching solution, there is a method of evaporating by heating or the like, but the component ratio is changed due to the difference in vaporization temperature of the component, and the mist of the desired etching solution cannot be obtained. is there. As a solution to this problem, it is possible to obtain a mist of a desired etching solution by applying ultrasonic vibration near the liquid surface of the etching solution. Specifically, as shown in FIG. 4, an ultrasonic vibration plate 18, which is an ultrasonic vibration generating means, is installed at the bottom of the etching apparatus 17 to generate and radiate ultrasonic vibration toward the liquid surface of the etching solution 16. Let As a result, the liquid surface of the etching solution 16 can generate a fine and high-speed vibration wave with the wavelength of the ultrasonic vibration, so that an extremely fine particle size near the liquid surface of the etching solution 16 is 10 μm or less, preferably A mist 15 of an etching solution of 5 μm or less can be generated.

このエッチング液のミスト１５の量は、超音波振動のエネルギーすなわち投入電力量や周波数で制御が可能である。なお、より効率良くエッチング液のミスト１５を発生させるために、超音波振動は液全体に付与するよりエッチング液１６の液面の狭い範囲内に振動エネルギーを集中させた方が良く、このためには超音波振動板１８を凹面形状にすると良い。 The amount of the mist 15 of the etching solution can be controlled by the energy of ultrasonic vibration, that is, the input power amount and frequency. In order to more efficiently generate the mist 15 of the etching solution, it is better to concentrate the vibration energy in a narrow range of the liquid surface of the etching solution 16 than the ultrasonic vibration applied to the whole solution. The ultrasonic diaphragm 18 may be formed into a concave shape.

以上のように本発明によれば、エッチング液をミスト化し、このミスト化した粒子径をパターンの最小間隙寸法より小さくすることにより、ＤＦＲパターンの狭い間隙にエッチング液のミストがつかえることなく容易に入り込ませることができ、特にこのエッチング液のミストの粒子径を１０μｍ以下の微小なものにすることで、粒子の内外圧差すなわち内部エネルギーに従って銅箔表面での反応力が高くなるためエッチングをさらに促進させることができる。 As described above, according to the present invention, the mist of the etching solution is made mist, and the mist particle size is made smaller than the minimum gap size of the pattern, so that the mist of the etching solution can be easily used in the narrow gap of the DFR pattern. In particular, by making the mist particle size of this etching solution as small as 10 μm or less, the reaction force on the copper foil surface increases according to the internal / external pressure difference of the particles, that is, internal energy, thereby further promoting the etching. Can be made.

また、エッチング液のミスト１５に曝した後、エッチング液と銅との反応によって銅表面に堆積するスラッジを、このスラッジの溶解液のミストに曝すことによってエッチングの進行をスムーズにすることができる。 In addition, by exposing the sludge deposited on the copper surface by the reaction between the etchant and copper after being exposed to the mist 15 of the etchant, the progress of the etching can be made smooth.

以上により、パターンの間隙の狭小な部分でのエッチング速度を実質的に早くすることができるので、サイドエッチングを小さくすることができるとともに、微細なパターンの形成を容易にすることができる。さらにエッチング液に超音波振動を付与することでエッチング液のミスト化を容易に発生させることができるので、ノズルから噴射してできるエッチング液の粒に比べて、極微細な粒子の形成を容易に行うことを可能とするものである。 As described above, the etching rate in the narrow part of the pattern gap can be substantially increased, so that the side etching can be reduced and the formation of a fine pattern can be facilitated. Furthermore, by applying ultrasonic vibration to the etching solution, it is possible to easily generate mist of the etching solution, so that it is easy to form ultrafine particles compared to the etching solution particles sprayed from the nozzle. It is possible to do.

本発明は、基板のエッチングに、ミスト化した粒子を含むエッチング液を用いて微細な配線パターンを容易に形成することを可能とする。 The present invention makes it possible to easily form a fine wiring pattern by using an etchant containing misted particles for etching a substrate.

本発明の実施の形態におけるエッチング方法を示す工程断面図Process sectional drawing which shows the etching method in embodiment of this invention 本発明の実施の形態におけるエッチング方法を示す工程断面図Process sectional drawing which shows the etching method in embodiment of this invention 粒子径と粒子内外圧差の関係を示す図Diagram showing the relationship between the particle diameter and the internal / external pressure difference 本発明の実施の形態におけるエッチング方法におけるミストの発生方法を示す図The figure which shows the generation method of the mist in the etching method in embodiment of this invention 従来のエッチング方法を示す工程断面図Process cross-sectional view showing conventional etching method

符号の説明Explanation of symbols

１１絶縁性基材
１２銅箔
１３ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）
１４ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）の間隙部
１５エッチング液のミスト
１６エッチング液
１７エッチング装置
１８超音波振動板 11 Insulating substrate 12 Copper foil 13 Dry film resist (DFR)
14 Dry film resist (DFR) gap 15 Etching solution mist 16 Etching solution 17 Etching device 18 Ultrasonic vibration plate

Claims

基板のエッチング方法において、ミスト化した粒子を含むエッチング液を用いて処理することを特徴とするエッチング方法。 In the etching method of a board | substrate, it processes using the etching liquid containing the mist-ized particle | grains, The etching method characterized by the above-mentioned.

ミスト化した粒子の粒子径が、パターンの最小の間隙寸法より小さいものをエッチング液に含むことを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。 2. The etching method according to claim 1, wherein the particle size of the mist particles is smaller than the minimum gap size of the pattern in the etching solution.

ミスト化した粒子の粒子径の寸法が、１０μｍ以下である請求項１に記載のエッチング方法。 The etching method according to claim 1, wherein the particle size of the mist particles is 10 μm or less.

ミスト化した粒子が、被エッチング面に向かって対流していることを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。 The etching method according to claim 1, wherein the mist particles are convected toward the surface to be etched.

エッチング処理時に被エッチング物とエッチング液との反応により発生した反応生成物を、ミスト化した粒子を含む溶解液により除去する請求項１に記載のエッチング方法。 The etching method of Claim 1 which removes the reaction product which generate | occur | produced by reaction of to-be-etched object and etching liquid at the time of an etching process with the solution containing the mist-ized particle | grains.

エッチング液のミストと、溶解液のミストとを交互に用いて処理する請求項５に記載のエッチング方法。 The etching method according to claim 5, wherein the mist of the etching solution and the mist of the solution are used alternately.

エッチング液を超音波振動によってミスト化することを特徴とする請求項１乃至５に記載のエッチング方法。 6. The etching method according to claim 1, wherein the etching solution is misted by ultrasonic vibration.

溶解液を超音波振動によってミスト化することを特徴とする請求項５に記載のエッチング方法。 6. The etching method according to claim 5, wherein the solution is misted by ultrasonic vibration.

超音波振動を発生させるための振動板が凹面形状であることを特徴とする請求項７または８に記載のエッチング方法。 9. The etching method according to claim 7, wherein the vibration plate for generating ultrasonic vibration has a concave shape.