JP2007035990A - 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、複数の窒化ガリウム系化合物半導体層がエピタキシャル成長法により積層された直方体状の半導体積層体7を有するとともに、最上層の窒化ガリウム系化合物半導体層上に形成された四角形状のp側導電層9と、窒化ガリウム系化合物半導体層の一部を除去した露出部に形成された鉤状のn側導電層11とが、半導体積層体7の同じ主面側に平面視で全体として一つの四角形状を成すように相補的に配置されている。
【選択図】 図2
Description
2・・・n型窒化ガリウム半導体層
3・・・p型窒化ガリウム半導体層
4・・・n側電極
5・・・透明電極
6・・・p側電極
7・・・窒化ガリウム系化合物半導体層
7a・・・発光層
7b・・・第1導電型半導体層
7c・・・第2導電型半導体層
8・・・透明基板
9・・・p側導電層
10・・・p側電極
11・・・n側導電層
12・・・n側電極
Claims (7)
- 複数の窒化ガリウム系化合物半導体層がエピタキシャル成長法により積層された直方体状の半導体積層体を有するとともに、最上層の前記窒化ガリウム系化合物半導体層上に形成された四角形状のp側導電層と、前記窒化ガリウム系化合物半導体層の一部を除去した露出部に形成された鉤状のn側導電層とが、前記半導体積層体の同じ主面側に平面視で全体として一つの四角形状を成すように相補的に配置されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
- 四角形状の前記p側導電層における鉤状の前記n側導電層と反対側の2辺の合計の長さをA、前記n側導電層における前記p側導電層と反対側の2辺の合計の長さをBとしたとき、A≦Bであることを特徴とする請求項1記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
- 四角形状の前記p側導電層における鉤状の前記n側導電層の曲がり部に対向する角部が曲線状となっていることを特徴とする請求項1または2記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
- 前記p側導電層は透光性導電層から成ることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
- 前記p側導電層及び前記n側導電層は光反射層から成ることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
- 前記半導体積層体は透明な基板上にエピタキシャル成長法によって形成されて成ることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
- 請求項1乃至5のいずれか記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法であって、基板上に前記半導体積層体をエピタキシャル成長法によって形成した後に前記半導体積層体から前記基板を除去し、次に前記半導体積層体を前記基板よりも透明な支持体上に接着することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06302857A (ja) * | 1993-03-19 | 1994-10-28 | Hewlett Packard Co <Hp> | 発光ダイオードの製造方法 |
JPH0997922A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子 |
JPH10209494A (ja) * | 1997-01-24 | 1998-08-07 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2002026392A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-25 | Toshiba Corp | 半導体発光素子とその製造方法、及び半導体発光装置 |
JP2002118288A (ja) * | 2000-10-12 | 2002-04-19 | Tokai Rika Co Ltd | 半導体光デバイス |
-
2005
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06302857A (ja) * | 1993-03-19 | 1994-10-28 | Hewlett Packard Co <Hp> | 発光ダイオードの製造方法 |
JPH0997922A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子 |
JPH10209494A (ja) * | 1997-01-24 | 1998-08-07 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2002026392A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-25 | Toshiba Corp | 半導体発光素子とその製造方法、及び半導体発光装置 |
JP2002118288A (ja) * | 2000-10-12 | 2002-04-19 | Tokai Rika Co Ltd | 半導体光デバイス |
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