JP2007035441A - 電気光学装置の製造方法、および電気光学装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 電子写真的にトナー現像する画像形成技術を応用して、環境面およびコスト面での改善を行うとともに、工程の簡素化を図ることのできる電気光学装置の製造方法、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】 電子写真的にトナー現像する画像形成技術を応用して電気光学装置用基板上に有機膜を形成するにあたって、像担持体に書き込まれた静電潜像を、有機膜を形成可能な現像材により可視化する現像工程ＳＴ４と、現像材を像担持体から電気光学装置用基板に転写する転写工程ＳＴ５と、電気光学装置用基板上に現像材を定着させる定着工程ＳＴ３とを行う。その際、像担持体として、書き込まれた静電潜像を記憶可能な像担持体を用い、転写工程ＳＴの後、像担持体に記憶されている静電潜像を再度、現像工程ＳＴ４で可視化した後、別の電気光学装置用基板に対して転写工程ＳＴ５を行う。
【選択図】 図２

Description

本発明は、電気光学装置の製造方法、および電気光学装置に関するものである。さらに詳しくは、電子写真的にトナー現像することによる画像形成技術を利用した電気光学装置の製造技術に関するものである。

携帯電話機、パーソナルコンピュータやＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）などの電子機器に使用される表示装置としては、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ／Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）装置や液晶装置が用いられている。また、デジタル複写機やプリンタなどの画像形成装置における露光用ヘッドとして、有機ＥＬ装置などの発光装置が注目されている。

この種の電気光学装置を製造するには、従来、基板に対して成膜工程やフォトリソグラフィ技術を用いたパターニング工程を繰り返し行って複数種類の膜を形成する。また、基板上の所定領域を隔壁で囲い、その内側に対して、インクジェット法により液状物を充填させて有機ＥＬ素子の発光層などを形成する場合もあり、このような隔壁は、フォトリソグラフィ技術を利用して感光性樹脂層を所定領域に選択的に残すことにより形成される。（例えば、特許文献１参照）。

このような製造工程は、フォトリソグラフィ工程で使用した有機溶剤の廃液処理などが必要であり、環境面およびコスト面で好ましくない。

一方、電子写真的にトナー現像することによる画像形成技術に関して、書き込みによって得られた静電潜像を長期間にわたって記憶させておくことが可能な技術が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
特開２００３−２４９３７５号公報 特開平５−２２１１３９号公報

ここに、本願発明者は、従来、電気光学装置の分野では一切、注目されていない画像形成技術を電気光学装置の製造工程に適用することにより、従来のような有機溶剤の廃液処理などを不要とし、環境面およびコスト面での改善を行うことを提案するものである。

すなわち、本発明の課題は、電子写真的にトナー現像する画像形成技術を応用して、環境面およびコスト面での改善を行うとともに、工程の簡素化を図ることのできる電気光学装置の製造方法、および電気光学装置を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明では、静電潜像を像担持体に記憶させておき、記憶させた静電潜像に対応する現像材パターンを複数枚の電気光学装置用基板に対して転写し、定着させる。すなわち、本発明では、電気光学装置用基板上に１ないし複数の有機膜が形成された電気光学装置の製造方法において、像担持体に静電潜像を記憶させる書き込み工程と、現像材により、前記静電潜像の形成パターンに対応した第１の現像材パターンを前記像担持体上に形成する第１の現像工程と、前記第１の現像材パターンを前記像担持体から第１の電気光学装置用基板に転写する第１の転写工程と、前記第１の電気光学装置用基板上に前記第１の現像材パターンを定着させる定着工程と、前記第１の転写工程の後、前記現像材により、前記像担持体に記憶されている前記静電潜像の形成パターンに対応した第２の現像材パターンを前記像担持体上に形成する第２の現像工程と、前記第２の現像材パターンを前記像担持体から第２の電気光学装置用基板に転写する第２の転写工程とを含むことを特徴とする。

本発明では、電子写真的にトナー現像する画像形成技術を応用して電気光学装置用基板上に有機膜を選択的に形成するため、かかる有機膜を形成する際、フォトリソグラフィ工程を行う必要がない。従って、かかる有機膜を形成するために、従来、フォトリソグラフィ工程で使用していた有機溶剤の廃液処理などが不要となる。それ故、環境面およびコスト面での改善を図ることができる。また、本発明では、像担持体に記憶させた静電潜像を繰り返し利用するため、転写工程の後、改めて静電画像を書き込む必要がない。それ故、多数枚の電気光学装置用基板を連続的に処理でき、工程の簡素化を図ることができる。

本発明において、前記第１の転写工程の後、さらに、前記像担持体に対する前記第１の現像工程と、前記第１の電気光学装置用基板に対する前記第１の転写工程とを行うことが好ましい。このように構成すると、電気光学装置用基板に任意の膜厚の有機膜を形成することができ、この場合も、像担持体に記憶させた静電潜像を繰り返し利用するため、転写工程の後、改めて静電画像を書き込む必要がない。

本発明において、前記像担持体では、例えば、強誘電体を含有する強誘電体層が導電性支持体上に形成されているとともに、前記強誘電体の双極子の配列方向によって前記静電潜像が規定されている。この場合、前記第１の現像工程および前記第２の現像工程を行う前に、前記強誘電体層を加熱した後、冷却して前記静電潜像を発現させる潜像発現工程を行うことが好ましい。

本発明において、前記潜像発現工程では、前記像担持体からの除電処理を行った後、前記強誘電体層を加熱し、その後、冷却することが好ましい。

本発明においては、例えば、前記書き込み工程を行う前に、前記強誘電体の双極子を一方向に配列させる配向工程を行い、前記書き込み工程では、前記強誘電体のうち、所定領域の強誘電体の双極子を反転させる。

本発明において、前記強誘電体層は、例えば、有機強誘電体層、あるいは高分子中に無機強誘電体を分散させた無機強誘電体分散高分子層である。

本発明において、１枚の電気光学装置用基板に複数種類の有機膜を形成する場合には、例えば、１枚の電気光学装置基板に対して前記第１の現像工程、前記第１の転写工程、および前記定着工程を行った後、当該電気光学装置用基板に対して、別の像担持体および異なる種類の現像材を用いて、前記第１の現像工程、前記第１の転写工程、および前記定着工程を行えばよい。

本発明において、１枚の電気光学装置用基板に複数種類の有機膜を形成する場合には、１枚の電気光学装置基板に対して前記第１の現像工程および前記第１の転写工程を行った後、当該電気光学装置用基板に対して、別の像担持体および異なる種類の現像材を用いて前記第１の現像工程および前記第１の転写工程を行い、前記定着工程では、当該電気光学装置用基板に転写された複数の前記第１の現像材パターンを同時に定着させることが好ましい。

本発明において、前記電気光学装置用基板は、例えば、有機ＥＬ装置用基板あるいは液晶装置用基板である。ここで、有機ＥＬ装置用基板では、基板上の所定領域を隔壁で囲い、その内側に対して、インクジェット法により液状物を充填させて有機ＥＬ素子の発光層などを形成する場合があるので、このような隔壁を、本発明を適用した有機膜として形成すればよい。また、液晶装置用基板では、基板上の所定領域にカラーフィルタ、ブラックマトリクス、反射層に光散乱性を付与するための凹凸形成層、平坦化膜、液晶層厚調整層などが有機膜によって構成されている場合があるので、このような有機膜のうちの少なくとも１つを、本発明を適用した有機膜として形成すればよい。このような電気光学装置は、携帯電話機、パーソナルコンピュータやＰＤＡなどの電子機器において表示装置として用いられる。また、本発明を適用した有機ＥＬ装置は、デジタル複写機やプリンタなどの画像形成装置における露光用ヘッドとして用いられる。

以下に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。

［実施の形態１］
図１（Ａ）、（Ｂ）は、本発明に係る電気光学装置の製造方法で用いた像担持体の説明図である。図２は、本発明に係る電気光学装置の製造方法を示す工程図である。

本発明に係る電気光学装置の製造方法では、図１（Ａ）、（Ｂ）に示す平板状あるいはロール状の像担持体１を用いて、電子写真的にトナー現像する画像形成を行い、後述する有機膜を電気光学装置用基板上に形成する。

ここで、像担持体１は、強誘電体を含有する強誘電体層３が３００ｎｍ〜３００μｍの厚さでアルミニウムなどの導電性支持体２上に形成されており、強誘電体層３は、書き込まれた静電潜像を記憶可能である。

このような像担持体１において、強誘電体層３は、有機強誘電体層、あるいは高分子中に無機強誘電体を分散させた無機強誘電体分散高分子層である。有機強誘電体層を構成する材料としては、フッ化ビニリデンやフッ化エチレンを主成分とするポリマーや、フッ化ビニリデンとフッ化エチレンのコポリマーなどがある。

これに対して、無機強誘電体分散高分子層としては、例えば、特開平５−２２１１３９号公報に開示された以下の強誘電体を高分子に分散させたものがある。すなわち、導電性支持体２上には
下記一般式（１）
（Ｂｉ₂Ｏ₂）²⁺（ＸＹ₂Ｏ₇）^2- ・・式（１）
但し、Ｘ；Ｓｒ、Ｐｂ、Ｎａ_0.5Ｂｉ_0.5、Ｙ；Ｔａ、Ｎｂ
または、下記一般式（２）
Ｘ_nＢｉ₄Ｔｉ_n+3Ｏ_3n+12 ・・式（２）
但し、Ｘ；Ｓｒ、Ｂａ、Ｐｂ、Ｎａ_0.5Ｂｉ_0.5、ｎ；１、２
で表わされる無機系の酸化物強誘電体を含有する強誘電体層３が形成されている。ここで、酸化物強誘電体としては、Ｓｒ−Ｂｉ−Ｔｉ−Ｏ系、Ｓｒ−Ｂｉ−Ｎｂ−Ｏ系、Ｓｒ−Ｂｉ−Ｔａ−Ｏ系、Ｂａ−Ｂｉ−Ｔｉ−Ｏ系、Ｐｂ−Ｂｉ−Ｎｂ−Ｏ系、Ｐｂ−Ｂｉ−Ｔａ−Ｏ系、Ｐｂ−Ｂｉ−Ｔｉ−Ｏ系、Ｎａ−Ｂｉ−Ｎｂ−Ｏ系、Ｎａ−Ｂｉ−Ｔａ−Ｏ系、Ｎａ−Ｂｉ−Ｔｉ−Ｏ系を用いることができる。

このような像担持体１は、例えば、導電性支持体２上に強誘電体層３を形成する方法、あるいは強誘電体層３と導電性支持体２を別々に製作した後、貼り合わせる方法などにより製作できる。前者の方法としては、強誘電体材料、樹脂および溶剤を混合溶解させ、この混合溶液を、デイッピング法、バーコート法、ロールコート法、スプレイコート法、スピンコート法などにより導電性支持体２上に塗布した後、溶媒を除去して強誘電体層３を形成する。また、後者の方法としては、同様な方法で製作したフィルム状の強誘電体層３を、導電性を有する接着剤を用いて導電性支持体２と接着する方法などが挙げられる。なお、強誘電体層３の形成に使用する樹脂材料としては、例えば、ポリビニルブチラール、ポリエステル、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリメチルメタアクリレートなどが挙げられる。

このように構成した像担持体１を用いて、電気光学装置用基板上に有機膜を形成するには、図２に示すように、まず、配向工程ＳＴ１において、強誘電体の双極子を一方向に配列させる。それには、例えば、像担持体１の略全面に所定のパルス幅で所定電圧の負コロナパルスを繰り返し与える。なお、コロナ帯電に代えて、ローラ電極による帯電方法を採用してもよい。

次に、書き込み工程ＳＴ２において、像担持体１に対して所定のパターンで書き込みを行い、誘電体のうち、所定領域の強誘電体の双極子を反転させる。それには、例えば、所定のマスクを通して、所定のパルス幅で所定電圧の正コロナパルスを強誘電体層３に繰り返し与えることによって、所定領域の強誘電体のみ、分極を反転させる。その結果、像担持体１では、強誘電体の双極子の配列方向によって静電潜像が規定される。なお、分極の反転にはイオンフローを用いてもよい。

次に、潜像発現工程ＳＴ３において、ヒータあるいは光照射により、強誘電体層３を例えば１５０℃位まで加熱した後、冷却して静電潜像を発現させる。ここで、強誘電体の双極子の配向は、強誘電・常誘電相転移点を越えると解除されるため、加熱温度は、強誘電・常誘電相転移点よりも低いことが必要である。また、強誘電体層３を加熱すると、強誘電体の自発分極が減少し、束縛されていた表面電荷は自由電荷となり、強誘電体層３の電気抵抗が低くなるため、この自由電荷はリークする。また、加熱状態から冷却することにより、自発分極は可逆的に元の大きさに戻るが、リークした表面電荷は不可逆的であるため、自発分極に起因する電位が発生する。従って、潜像発現工程ＳＴでは、イオナイザーなどを利用して像担持体１からの除電処理を行った後、強誘電体層３を加熱し、その後、冷却することが好ましい。

次に、現像工程ＳＴ４において、像担持体１に書き込まれた静電潜像を、有機膜を形成可能な液状、粉状、あるいはマイクロカプセル状の現像材により可視化する。その際、正極性の粉体状の現像材を用いると、分極を反転させた部分のみに現像材が付着し、静電潜像が現像材パターンとして可視化する。

次に、転写工程ＳＴ５において、現像材パターンを像担持体１から電気光学装置用基板に転写する。

次に、定着工程ＳＴ６において、電気光学装置用基板に対して約２００℃の加熱を行って、電気光学装置用基板上に現像材を定着させ、それを有機膜とする。

このような工程を利用して電気光学装置を製造するにあたって、本形態では、像担持体１に対する配向工程ＳＴ１や書き込み工程ＳＴ２を行った後、現像材により、静電潜像の形成パターンに対応した第１の現像材パターンを像担持体１上に形成する第１の現像工程と、第１の現像材パターンを像担持体１から第１の電気光学装置用基板に転写する第１の転写工程と、第１の転写工程の後、現像材により、像担持体１に記憶されている静電潜像の形成パターンに対応した第２の現像材パターンを像担持体１上に形成する第２の現像工程と、第２の現像材パターンを像担持体１から第２の電気光学装置用基板に転写する第２の転写工程とを行う。

すなわち、１枚目の電気光学装置用基板に有機膜を形成した後は、像担持体１に対する配向工程ＳＴ１や書き込み工程ＳＴ２を行わずに、潜像発現工程ＳＴ３に戻って、別の電気光学装置用基板に対する有機膜の形成を行う。言い換えれば、第１の電気光学装置用基板と第２の電気光学装置用基板に対して、配向工程ＳＴ１および書き込み工程ＳＴ２については各々、行わず、第１の電気光学装置用基板に対して、潜像発現工程ＳＴ４（第１の潜像発現工程）、現像工程ＳＴ４（第１の現像工程）、転写工程ＳＴ５（第１の転写工程）を行った後、第２の電気光学装置用基板に対して、潜像発現工程ＳＴ４（第２の潜像発現工程）、現像工程ＳＴ４（第２の現像工程）、転写工程ＳＴ５（第２の転写工程）を行う。

なお、複数枚の電気光学装置用基板を処理するにあたって、１枚目の電気光学装置用基板（第１の電気光学装置用基板）に対して定着工程ＳＴ６までを行った後、別の電気光学装置用基板（第２の電気光学装置基板）に対して、潜像発現工程ＳＴ４（第２の潜像発現工程）、現像工程ＳＴ４（第２の現像工程）、転写工程ＳＴ５（第２の転写工程）、定着工程ＳＴ６を行ってもよいが、複数枚の電気光学装置用基板の各々に対して転写工程ＳＴ５までを行った後、複数枚の電気光学装置用基板に対して一括して定着工程ＳＴ６を行ってもよい。

（本形態の効果）
このように本形態では、電子写真的にトナー現像する画像形成技術を応用して電気光学装置用基板上に有機膜を選択的に形成するため、かかる有機膜を形成する際、フォトリソグラフィ工程を行う必要がない。従って、かかる有機膜を形成するために、従来、フォトリソグラフィ工程で使用していた有機溶剤の廃液処理などが不要となる。それ故、環境面およびコスト面での改善を図ることができる。

また、本形態では、書き込まれた静電潜像を記憶可能な像担持体１を用いるため、転写工程ＳＴ５の後、改めて静電画像を書き込む必要がない。従って、転写工程ＳＴ５の後、像担持体１に記憶されている静電潜像を再度、潜像発現工程ＳＴ３および現像工程ＳＴ４で可視化した後、別の電気光学装置用基板に対して転写工程ＳＴ５を行うことができる。それ故、多数枚の電気光学装置用基板を連続的に処理でき、工程の簡素化を図ることができる。

［実施の形態２］
実施の形態１に係る方法において、１枚の転写工程５で形成される有機膜では、膜厚が薄い場合には、１層目の有機膜を形成した後、像担持体１に対する書き込みを行わずに、潜像発現工程ＳＴ３に戻って、同一の電気光学装置用基板に対して２層目の有機膜の形成を行い、有機膜を多層に形成すればよい。すなわち、転写工程ＳＴ５（第１の転写工程）の後、像担持体１に記憶されている静電潜像を再度、潜像発現工程ＳＴ３（第１の潜像発現工程）および現像工程ＳＴ４（第１の現像工程）で可視化した後、同一の電気光学装置用基板に対して転写工程ＳＴ５（第１の転写工程）を行う。

その際、１層目の有機膜については定着工程ＳＴ６を行った後、２層目の有機膜を形成してもよいが、１層目の有機膜の転写工程ＳＴ５を行った後、２層目の有機膜を形成し、しかる後に定着工程ＳＴ６を行い、１層目と２層目の有機膜を同時に定着させてもよい。

［実施の形態３］
実施の形態１、２は、１枚の電気光学装置用基板に１種類の有機膜を形成する例であったが、複数種類の有機膜を形成する場合には、別の像担持体および異なる種類の現像材を用いて、図２を参照して説明した工程を行えばよい。すなわち、１枚の電気光学装置基板に対して、潜像発現工程ＳＴ３、現像工程ＳＴ４、転写工程ＳＴ５、および定着工程ＳＴ６を行った後、この電気光学装置用基板に対して別の像担持体および異なる種類の現像材を用いて、再度、潜像発現工程ＳＴ３、現像工程ＳＴ４、転写工程ＳＴ５、および定着工程ＳＴ６を行えばよい。

この場合も、複数枚の電気光学装置用基板を処理するにあたって、１枚目の電気光学装置用基板（第１の電気光学装置用基板）に対して定着工程ＳＴ６までを行った後、別の電気光学装置用基板（第２の電気光学装置基板）に対して、潜像発現工程ＳＴ４（第２の潜像発現工程）、現像工程ＳＴ４（第２の現像工程）、転写工程ＳＴ５（第２の転写工程）、定着工程ＳＴ６を行ってもよいが、複数枚の電気光学装置用基板の各々に対して転写工程ＳＴ５までを行った後、複数枚の電気光学装置用基板に対して一括して定着工程ＳＴ６を行ってもよい。

［実施の形態４］
実施の形態２は、１枚の電気光学装置用基板に複数種類の有機膜を形成するにあたって、１種類の有機膜を形成した後、別の有機膜を形成する方法であったが、図２に示す定着工程において、複数の現像材を一括して定着させてもよい。すなわち、１枚の電気光学装置基板に対して現像工程および転写工程を行った後、この電気光学装置用基板に対して別の像担持体および現像材を用いて現像工程および転写工程を行い、定着工程では、この電気光学装置用基板に転写された複数の現像材を同時に定着させればよい。

この場合も、１枚目の電気光学装置用基板に対する転写工程ＳＴ５を行った後、像担持体１に記憶されている静電潜像を再度、潜像発現工程ＳＴ３および現像工程ＳＴ４で可視化した後、別の電気光学装置用基板に対して転写工程ＳＴ５および定着工程ＳＴ６を行えばよい。

［電気光学装置への具体的な適用例］
以下、本発明に係る製造方法を有機ＥＬ装置および液晶装置の製造方法に適用した例を説明する。なお、以下の説明に用いた各図では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を相違させてある。

（有機ＥＬ装置の全体構成）
図３は、有機ＥＬ装置の電気的構成を示すブロック図である。図４（Ａ）、（Ｂ）は、有機ＥＬ装置の１画素分の平面図および断面図である。

図３において、有機ＥＬ装置１０（電気光学装置）は、有機機能膜に駆動電流が流れることによって発光する有機ＥＬ素子１４を薄膜トランジスタ６、７で駆動制御する発光装置であり、このタイプの発光装置を表示装置として用いた場合、有機ＥＬ素子１４が自己発光するため、バックライトを必要とせず、また、視野角依存性が少ないなどの利点がある。ここに示す有機ＥＬ装置１０では、複数の走査線６３と、この走査線６３の延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線６４と、これらのデータ線６４に並列する複数の共通給電線６５と、データ線６４と走査線６３との交差点に対応する画素１５とが構成され、画素１５は、画像表示領域にマトリクス状に配置されている。データ線６４に対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ線駆動回路５１が構成されている。走査線６３に対しては、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査線駆動回路５４が構成されている。また、画素１５の各々には、走査線６３を介して走査信号がゲート電極に供給される画素スイチング用の薄膜トランジスタ６と、この薄膜トランジスタ６を介してデータ線６４から供給される画像信号を保持する保持容量３３と、この保持容量３３によって保持された画像信号がゲート電極に供給される電流制御用の薄膜トランジスタ７と、薄膜トランジスタ７を介して共通給電線６５に電気的に接続したときに共通給電線６５から駆動電流が流れ込む有機ＥＬ素子１４とが構成されている。有機ＥＬ装置１０でカラー表示を行う場合には、各画素１５を赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に対応させることになる。

このような有機ＥＬ装置１０は、より具体的には、図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、素子基板を構成するガラス基板などからなる基板２０上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜（図示せず）が形成され、この下地保護膜上に、薄膜トランジスタ７などを構成するための半導体膜９ａが島状に形成されている。半導体膜９ａには不純物の導入によってソース・ドレイン領域９ｂ、９ｃが形成され、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域９ｄとなっている。下地保護膜および半導体膜９ａの上層側にはゲート絶縁膜２１が形成され、ゲート絶縁膜２１上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗなどからなる走査線６３およびゲート電極４３が形成されている。走査線６３、ゲート電極４３およびゲート絶縁膜２１の上層側には、第１層間絶縁膜２２と第２層間絶縁膜２３とがこの順に積層されている。

第１層間絶縁膜２２の上層には、第１層間絶縁膜２２およびゲート絶縁膜２１のコンタクトホール２２１、２２２を介してソース・ドレイン領域９ｂ、９ｃにそれぞれ接続するソース・ドレイン電極２６および共通給電線６５が形成されている。また、第１層間絶縁膜２２の上層にはデータ線６４も形成されている。

第２層間絶縁膜２３上には、ＩＴＯ層からなる光透過性の画素電極１１（陽極）が形成され、この画素電極１１は、第２層間絶縁膜２３のコンタクトホール２２１を介してソース・ドレイン電極２６に電気的に接続している。従って、画素電極１１は、薄膜トランジスタ７を介して共通給電線６５に電気的に接続したとき、共通給電線６５から駆動電流が流れ込む。

各画素１５には、陽極としての画素電極１１と、有機機能層１３と、陰極としての対向電極１２がこの順に積層された有機ＥＬ素子１４が形成されている。有機機能層１３は、例えば、画素電極１１上に積層された正孔注入層１３ａと、正孔注入層１３ａ上に形成された発光層１３ｂとから構成されている。なお、発光層１３ｂと対向電極１２との間に電子注入層や電子輸送層などが形成される場合があり、発光層１３ｂと正孔注入層１３ａとの間に正孔輸送層などが形成される場合もある。正孔注入層１３ａは、正孔を発光層１３ｂに注入する機能を有しており、発光層１３ｂでは、正孔注入層１３ａから注入された正孔と、対向電極１２の側から注入された電子が再結合し、発光が得られる。ここで、多数の画素１５は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色に対応しており、このような色の対応は、機能層１３を構成する材料の種類によって規定されている。また、有機ＥＬ素子１４は、白色光を出射するように構成される一方、各画素１５に対して、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のカラーフィルタが形成される場合もある。

本形態の有機ＥＬ装置１０は、基板側に向けて表示光を出射するボトムエミッション型であり、対向電極１２は、薄いカルシウム層やアルミニウム膜などからなり、光反射性を備えている。なお、有機ＥＬ装置１０が、基板とは反対側に向けて表示光を出射するトップエミッション型である場合、対向電極１２は、薄いカルシウム層と、ＩＴＯ層などからなる光透過性陰極層とから構成され、画素電極１１の下層側には、画素電極１１の略全体と重なるようにアルミニウム膜などからなる光反射層が形成される。

本形態では、隣接する画素１５の境界領域には、画素電極１１の周縁部を取り囲むように、有機膜からなる隔壁５がバンクとして形成されている。隔壁５は、有機機能層１３を形成する際にインクジェット法（液体吐出法）やスピンコート法などの液相プロセスを用いるとき、塗布される液状物の塗布領域を規定するものであり、その表面張力によって、液状物が均一な厚さで形成される。インクジェット式の液滴吐出装置としては、圧電体素子の体積変化により流動体を吐出させるピエゾジェットの液滴吐出装置や、エネルギー発生素子として電気熱変換体を用いた液滴吐出装置などが採用される。

なお、基板２０の素子形成面側には、水や酸素の侵入を防ぐことによって、陰極層あるいは機能層の酸化を防止する封止樹脂（図示せず）が形成され、さらに封止基板（図示せず）が貼られることがある。

（有機ＥＬ装置の製造方法）
図５（Ａ）〜（Ｋ）は、本発明を適用した有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図である。

本形態の有機ＥＬ装置１０を製造するには、まず、図５（Ａ）に示すように、基板２０を用意する。ここで、有機ＥＬ装置１０がボトムエミッション型である場合、基板２０としてはガラスや石英、樹脂などの透明ないし半透明なものが用いられるが、特にガラスが好適に用いられる。また、基板２０に色フィルター膜や蛍光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反射膜を配置して、発光色を制御するようにしてもよい。これに対して、有機ＥＬ装置１０がトップエミッション型である場合、基板２０は不透明であってもよく、その場合、アルミナなどのセラミックス、ステンレスなどの金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。

次に、基板２０に対して、必要に応じてＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約２００〜５００ｎｍのシリコン酸化膜からなる下地保護膜（図示せず）を形成する。

次に、基板２０の温度を約３５０℃に設定して、下地保護膜の表面にプラズマＣＶＤ法により厚さ約３０〜７０ｎｍのアモルファスシリコン膜からなる半導体膜９を形成する。次に、半導体膜９に対してレーザアニールまたは固相成長法などの結晶化工程を行い、半導体膜９をポリシリコン膜に結晶化する。レーザアニール法では、例えばエキシマレーザでビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用い、その出力強度は、例えば２００ｍＪ／ｃｍ²とする。ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の９０％に相当する部分が各領域毎に重なるようにラインビームを走査する。

次に、図５（Ｂ）に示すように、半導体膜（ポリシリコン膜）９をパターニングして島状の半導体膜９ａとし、その表面に対して、ＴＥＯＳや酸素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約６０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜または窒化膜からなるゲート絶縁膜２１を形成する。なお、半導体膜９ａは、図３に示す薄膜トランジスタ７のチャネル領域およびソース・ドレイン領域となるものであるが、異なる断面位置においては薄膜トランジスタ６のチャネル領域およびソース・ドレイン領域となる半導体膜も形成されている。すなわち、有機ＥＬ装置１０では、二種類の薄膜トランジスタ６、７が同一の層間、あるいは異なる層間に形成されるが、概ね同一の手順で形成されるため、以下の説明では、薄膜トランジスタ７についてのみ説明し、薄膜トランジスタ６についてはその説明を省略する。

次に、図５（Ｃ）に示すように、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属膜からなる導電膜をスパッタ法により形成した後、これをパターニングし、ゲート電極４３などを形成する。次に、この状態でリンなどの不純物を打ち込み、半導体膜９ａに、ゲート電極４３に対して自己整合的にソース・ドレイン領域９ｂ、９ｃを形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域９ｄとなる。

次に、図５（Ｄ）に示すように、第１層間絶縁膜２２を形成した後、コンタクトホール２２１、２２２を形成し、これらのコンタクトホール２２１、２２２を介してソース・ドレイン領域９ｂ、９ｃに電気的に接続するソース・ドレイン電極２６および共通給電線６５を形成する。その際、データ線６４なども形成する。

次に、図５（Ｅ）に示すように、各配線の上面を覆うように、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂などの無機絶縁膜からなる第２層間絶縁膜２３を形成した後、第２層間絶縁膜２３に対してソース・ドレイン電極２６に対応する位置にコンタクトホール２３１を形成する。

次に、図５（Ｅ）に示すように、第２層間絶縁膜２３の上層にＩＴＯ膜を形成した後、ＩＴＯ膜をパターニングして、データ線６４、走査線６３および共通給電線６５に囲まれた所定位置に画素電極１１を形成する。

次に、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするプラズマ処理（Ｏ₂プラズマ処理）を行い、画素電極１１、および第２層間絶縁膜２３のうち、画素電極１１から露出している部分に、正孔注入層１３ａおよび発光層１３ｂを形成するための液状物に対する親液性を付与する。ここで、第２層間絶縁膜２３は、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂などの無機絶縁膜からなるため、正孔注入層１３ａおよび発光層１３ｂを形成するための液状物の組成によっては、プラズマ処理を行わなくても、親液性を備えている場合があり、この場合、プラズマ処理は省略できる。

次に、図５（Ｆ）に示す隔壁形成工程において、正孔注入層１３ａおよび発光層１３ｂの形成場所を囲むように隔壁５を形成する。その結果、隔壁５の内側には凹部５１が形成される。隔壁５は、仕切り部材として機能するものであり、隔壁５の膜厚については、例えば１〜２μｍの高さとなるように形成する。

このような隔壁５を形成する際、本形態では、実施の形態１、２、３、４で説明した有機膜の形成方法において、隔壁５を形成可能な現像材を用いる。

次に、隔壁５に対してフッ素化処理を行い、隔壁５に対して、正孔注入層１３ａおよび発光層１３ｂを形成するための液状物に対する撥液性を付与する。このような撥液性を付与するためには、例えば、隔壁５の表面をフッ素系化合物などで表面処理するといった方法が採用される。フッ素化合物としては、例えばＣＦ₄、ＳＦ₆、ＣＨＦ₃などがあり、表面処理としては、例えばプラズマ処理、ＵＶ照射処理などが挙げられる。

次に、図５（Ｇ）に示す第１の液滴吐出工程においては、基板２０の上面を上に向けた状態で、液状の正孔注入層形成材料４０ａ（液状物）を、液滴吐出装置の液滴吐出ヘッドより、隔壁５に囲まれた凹部５１内に選択的に充填する。その際、正孔注入層形成材料４０ａは、流動性が高いため水平方向に広がろうとするが、塗布された位置を囲んで隔壁５が形成されているので、正孔注入層形成材料４０ａは隔壁５を越えてその外側に広がることがない。ここで、正孔注入層形成材料４０ａとしては、例えば、ポリオレフィン誘導体である３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を正孔注入材料として用い、これを有機溶剤を主溶媒として分散させてなる分散液が好適に用いられる。但し、正孔注入材料としては、前記のものに限定されることなく、ポリマー前駆体がポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、１，１−ビス−（４−Ｎ、Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロヘキサン、トリス（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウムなどを用いることもできる。

このようにして正孔注入層形成材料４０ａを液滴吐出ヘッドから吐出して所定位置に配置した後、液状の正孔注入層形成材料４０ａに対して乾燥処理を行い、正孔注入層形成材料４０ａ中の分散媒を蒸発させ、正孔注入層形成材料４０ａを固化させる。その結果、図５（Ｈ）に示すように、画素電極１１上に正孔注入層１３ａが形成される。

次に、図５（Ｉ）に示す第２の液滴吐出工程においては、基板２０の上面を上に向けた状態で、上述した液滴吐出装置の液滴吐出ヘッドより液状物として発光層形成材料４０ｂ（液状物）を、隔壁５に囲まれた凹部５１内に選択的に充填する。発光材料としては、例えば分子量が１０００以上の高分子材料が用いられる。具体的には、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドンなどをドープしたものが用いられる。なお、このような高分子材料としては、二重結合のπ電子がポリマー鎖上で非極在化しているπ共役系高分子材料が、導電性高分子でもあることから発光性能に優れるため、好適に用いられる。特に、その分子内にフルオレン骨格を有する化合物、すなわちポリフルオレン系化合物がより好適に用いられる。また、このような材料以外にも、例えば特開平１１−４０３５８号公報に示される有機ＥＬ素子用組成物、すなわち共役系高分子有機化合物の前駆体と、発光特性を変化させるための少なくとも１種の蛍光色素とを含んでなる有機ＥＬ素子用組成物も、発光層形成材料として使用可能である。このような発光材料を溶解あるいは分散する有機溶媒としては、非極性溶媒が好適とされ、特に発光層が正孔注入層１３ａの上に形成されることから、この正孔注入層１３ａに対して不溶なものが用いられる。具体的には、キシレン、シクロへキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼンなどが好適に用いられる。なお、発光層形成材料４０ｂの吐出による発光層の形成は、赤色の発色光を発光する発光層の形成材料、緑色の発色光を発光する発光層の形成材料、青色の発色光を発光する発光層の形成材料を、それぞれ対応する画素に吐出し塗布することによって行う。また、各色に対応する画素は、これらが規則的な配置となるように予め決められている。

このようにして各色の発光層形成材料４０ｂを吐出した後、液状の発光層形成材料４０ｂに対して乾燥処理を行い、発光層形成材料４０ｂ中の分散媒を蒸発させ、発光層形成材料４０ｂを固化させる。その結果、図５（Ｊ）に示すように、正孔注入層１３ａ上に固形の発光層１３ｂが形成される。これにより、正孔注入層１３ａおよび発光層１３ｂからなる機能層１３が形成される。

なお、発光層形成材料４０ｂの乾燥処理については、発光層形成材料４０ｂのガラス転移点未満の温度、例えば１００°未満の温度で加熱することにより、乾燥するのが好ましい。このような温度で乾燥することにより、発光層形成材料４０ｂ中の溶剤の蒸発速度を比較的低く抑えることができるとともに、発光層形成材料４０ｂの液状化による流動も抑えることができ、その結果、得られる発光層１３ｂについても十分に平坦化することができる。また、発光層形成の際の乾燥処理によって生じる熱的ダメージが、発光層発光層１３ｂだけでなく正孔注入層１３ａに対しても小さくなり、初期輝度の低下などによる表示性能の低下が抑制される。ここで、正孔注入層１３ａと発光層１３ｂの他、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層を形成する場合には、同様な方法で形成することができるので、それらの説明を省略する。

次に、図５（Ｋ）に示すように、基板２０の表面全体に、あるいはストライプ状に、ＬｉＦ／Ａｌ（ＬｉＦとＡｌとの積層膜）やＭｇＡｇ、あるいはＬｉＦ／Ｃａ／Ａｌ（ＬｉＦとＣａとＡｌとの積層膜）を蒸着法などによって成膜し、対向電極１２を形成する。その後、封止を行った後、さらに配線などの各種要素を形成することにより、有機ＥＬ素子１４を各画素１５に備えた有機ＥＬ装置１０を製造する。

（有機ＥＬ装置のその他の実施の形態）
上記有機ＥＬ装置１０の製造方法では、隔壁５を形成する際、実施の形態１、２、３、４で説明した有機膜の形成方法を適用したが、カラーフィルタを形成する場合には、かかるカラーフィルタの製造に本発明を適用してもよい。また、正孔注入層１３ａや発光層１３ｂの形成に本発明を適用してもよい。

なお、上記有機ＥＬ装置１０は、ボトムエミッション型であるため、画素電極１１を透過して基板２０の側から光が出射される。このような場合には、出射光がソース・ドレイン電極２６や薄膜トランジスタ７などで遮られて出射光量が低下する。このような出射光量の低下が問題点となる場合には、画素電極１１の一部を隔壁５と平面的に重なる領域まで延ばし、隔壁５と平面的に重なる領域にコンタクトホール２２１を形成してもよい。

上記形態では、機能層１３を形成する際の液相プロセスとして、インクジェット法により、隔壁５によって形成された凹部５１内に液滴を吐出して充填する構成であったが、液状物をスピンコート法により塗布して、隔壁５によって形成された凹部５１内に液状物を充填する場合に本発明を適用してもよい。

（液晶装置への適用）
図６は、液晶装置（電気光学装置）の電気的構成を示すブロック図である。図７および図８はそれぞれ、半透過反射型の液晶装置の画素構成を示す平面図、および断面図である。なお、図８は、液晶装置の画素の一部を図７のＣ−Ｃ′線で切断したときの断面図に相当する。

図６に示す液晶装置１００（電気光学装置）において、マトリクス状に形成された複数の画素の各々には、画素電極１１５、および画素電極１１５を制御するための画素スイッチング用のＴＦＴ１３０が形成されており、画素信号を供給するデータ線１０６ａがＴＦＴ１３０のソースに電気的に接続されている。データ線１０６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎは、この順に線順次に供給する。また、ＴＦＴ１３０のゲートには走査線１０３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１０３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２・・・Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極１１５は、ＴＦＴ１３０のドレインに電気的に接続されており、ＴＦＴ１３０を一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線１０６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極１１５を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎは、後述する対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐことを目的に、画素電極１１５と対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１６０を付加することがある。なお、蓄積容量１６０を形成する方法としては、容量を形成するための配線である容量線１０３ｂとの間に形成する構成の他、前段の走査線１０３ａとの間に形成してもよい。

図７および図８において、半透過反射型の液晶装置１００では、素子基板１０５（ＴＦＴアレイ基板）と対向基板２０（図８参照）とが対向配置した状態に用いられる。素子基板１０５には、複数の透明なＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜からなる画素電極１１５がマトリクス状に形成されており、これら各画素電極１１５に対して画素スイッチング用のＴＦＴ１３０がそれぞれ接続している。また、画素電極１１５の縦横の境界に沿って、データ線１０６ａ、走査線１０３ａ、および容量線１０３ｂが形成され、ＴＦＴ１３０は、データ線１０６ａおよび走査線１０３ａに対して接続している。すなわち、データ線１０６ａは、コンタクトホールを介してＴＦＴ１３０のソース領域に電気的に接続し、走査線１０３ａは、その突出部分がＴＦＴ１３０のゲート電極を構成している。なお、蓄積容量１６０は、画素スイッチング用のＴＦＴ１３０を形成するための半導体膜１０１ａの延設部分を導電化したものを下電極とし、この下電極に容量線１０３ｂが上電極として重なった構造になっている。

このように構成した画素領域のＣ−Ｃ′線における断面は、図８に示すように表され、素子基板１０５の基体たる透明な基板の表面にはシリコン酸化膜（絶縁膜）からなる下地保護膜１１１が形成され、この下地保護膜１１１の表面には島状の半導体膜１０１ａが形成されている。半導体膜１０１ａの表面にはシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜１０２が形成され、このゲート絶縁膜１０２の表面に走査線１０３ａが形成されている。半導体膜１０１ａのうち、走査線１０３ａに対してゲート絶縁膜１０２を介して対峙する領域がチャネル領域になっている。このチャネル領域に対して一方側には、低濃度ソース領域および高濃度ソース領域を備えるソース領域が形成され、他方側には低濃度ドレイン領域および高濃度ドレイン領域を備えるドレイン領域が形成されている。

画素スイッチング用のＴＦＴ１３０の表面側には、シリコン酸化膜または／およびシリコン窒化膜からなる層間絶縁膜１０４が形成されている。層間絶縁膜１０４の表面にはデータ線１０６ａが形成され、このデータ線１０６ａは、層間絶縁膜１０４に形成されたコンタクトホールを介して高濃度ソース領域に電気的に接続している。層間絶縁膜１０４の表面にはデータ線１０６ａと同時形成されたドレイン電極１０６ｂが形成され、このドレイン電極１０６ｂは、層間絶縁膜１０４に形成されたコンタクトホールを介して高濃度ドレイン領域に電気的に接続している。

層間絶縁膜１０４の上層には樹脂によって凹凸形成層１１３が形成され、この凹凸形成層１１３の表面にはアルミニウム膜などからなる光反射層１５０が形成されている。従って、光反射層１５０の表面には、凹凸形成層１１３の凹凸が反映されている。

光反射層１５０の上層にはＩＴＯ膜からなる画素電極１１５が形成されている。画素電極１１５は、光反射層１５０の表面に直接、積層され、画素電極１１５と光反射層１５０とは電気的に接続されている。また、画素電極１１５は、凹凸形成層１１３および層間絶縁膜１０４に形成されたコンタクトホールを介してドレイン電極１０６ｂに電気的に接続している。画素電極１１５の表面側にはポリイミド膜からなる配向膜１１２が形成されている。この配向膜１１２は、ポリイミド膜に対してラビング処理が施された膜である。

また、高濃度ドレイン領域からの延設部分（下電極）に対しては、ゲート絶縁膜１０２と同時形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して容量線１０３ｂが上電極として対向することにより、蓄積容量１６０が構成されている。

さらに、本形態では、容量線１０３ｂの上層側には、透明なポリイミド樹脂などからなる、高さ２μｍ〜３μｍの柱状突起１４０が各画素毎に複数、形成され、これらの柱状突起１４０によって、素子基板１０５と対向基板２０５との間隔が規定されている。

対向基板２０５では、素子基板１０５に形成されている画素電極１１５の縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜１２３が形成され、その上層側には、ＩＴＯ膜からなる対向電極１２１が形成されている。対向電極１２１の上層側には、ポリイミド膜からなる配向膜１２２が形成され、この配向膜１２２は、ポリイミド膜に対してラビング処理が施された膜である。対向基板２０５において対向電極１２１の下層側には、Ｒ、Ｇ、Ｂのカラーフィルタ１２４が１μｍ〜数μｍの厚さに形成されている。また、対向電極１２１の下層側には、必要に応じて、平坦化膜あるいはオーバーコート膜としての絶縁膜１２９が形成される。ここで、対向基板２０５には、対向電極１２１とカラーフィルタ１２４との層間に、光反射層１５０が形成されている反射領域における基板間隔を、その開口１５１に相当する透過領域における基板間隔よりも薄くする層厚調整層１２５が形成されている。このような層厚調整層１２５は、２μｍ〜３μｍの樹脂によって構成されている。このように構成すると、透過表示光は、液晶層１７０を一度だけ通過して出射されるのに対して、反射表示光は、液晶層１７０を２度、通過することになるが、透過表示光および反射表示光の双方において、リタデーションを最適化することができる。なお、開口１５１に相当する透過領域では、層厚調整層１２５を形成しない場合もある。

このように構成した液晶装置では、素子基板１０５に光反射層１５０が形成されているため、対向基板２０５の側から入射した外光は、矢印ＬＲで示すように、液晶層１７０を通って光反射層１５０に届き、この光反射層１５０で反射されて再び、液晶層１７０を通って対向基板２０５の側から反射表示光として出射されて画像を表示する。また、光反射層１５０には、バックライト装置（図示せず）から出射された光を透過させて透過モードでの画像表示を可能とする開口１５１が形成されているため、バックライト装置９０から出射された光のうち、開口１５１に入射した光は、矢印ＬＴで示すように、素子基板１０５の側から液晶層１７０に入射し、液晶層１７０で光変調された後、対向基板２０５の側から透過表示光として出射されて画像を表示する（透過モード）。

このような構成の液晶装置１００では、素子基板１０５上に凹凸形成層１１３が有機膜として形成され、対向基板２０５には、カラーフィルタ１２４、遮光層１２３、絶縁膜１２９、および層厚調整層１２５が有機膜として形成されている。従って、液晶装置１００を製造する際、これらの有機膜の少なくとも１つを形成する際、実施の形態１、２、３、４で説明した有機膜の形成方法を適用すればよい。

（液晶装置の他の実施の形態）
なお、上記形態は、ＴＦＴを非線形素子として用いたアクティブマトリクス型液晶装置に本発明を適用した例であるが、ＴＦＤを非線形素子として用いたアクティブマトリクス型液晶装置や非線形素子を用いないパッシブマトリクス型液晶装置に本発明を適用してもよい。

［電気光学装置の他の実施の形態］
また、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能であり、実施形態で挙げた具体的な材料や構成などは一例に過ぎず、適宜変更が可能である。従って、有機ＥＬ装置や液晶装置の他、プラズマディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ ＤｉｓｐｌａｙおよびＳｕｒｆａｃｅ‐Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ‐Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙなど）などの各種電気光学装置に本発明を適用してもよい。

［電子機器への適用例］
本発明を適用した電気光学装置については、携帯電話機、パーソナルコンピュータやＰＤＡなど、様々な電子機器において表示装置として用いることができる。また、本発明を適用した発光装置は、デジタル複写機やプリンタなどの画像形成装置における露光用ヘッドとして用いることもできる。

（Ａ）、（Ｂ）は、本発明に係る電気光学装置の製造方法で用いた像担持体の説明図である。 本発明に係る電気光学装置の製造方法を示す工程図である。 有機ＥＬ装置の電気的構成を示すブロック図である。 （Ａ）、（Ｂ）は、有機ＥＬ装置の１画素分の平面図および断面図である。 （Ａ）〜（Ｋ）は、本発明を適用した有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図である。 液晶装置（電気光学装置）の電気的構成を示すブロック図である。 半透過反射型の液晶装置の画素構成を示す平面図である。 液晶装置の画素の一部を図７のＣ−Ｃ′線で切断したときの断面図である。

符号の説明

１ 像担持体、２ 導電性支持体、３ 強誘電体層、５ 隔壁（有機膜）、１０ 有機ＥＬ装置（電気光学装置）、２０ 基板（電気光学装置用基板）、１００ 液晶装置（電気光学装置）、１０５ 素子基板（電気光学装置用基板）、１１３ 凹凸形成層（有機膜）、１２３ 遮光層（有機膜）、１２４ カラーフィルタ（有機膜）、１２５ 層厚調整層（有機膜）、１２９ 絶縁膜（有機膜）、２０５ 対向基板（電気光学装置用基板）

Claims (10)

1. 電気光学装置用基板上に１ないし複数の有機膜が形成された電気光学装置の製造方法において、
   像担持体に静電潜像を記憶させる書き込み工程と、
   現像材により、前記静電潜像の形成パターンに対応した第１の現像材パターンを前記像担持体上に形成する第１の現像工程と、
   前記第１の現像材パターンを前記像担持体から第１の電気光学装置用基板に転写する第１の転写工程と、
   前記第１の電気光学装置用基板上に前記第１の現像材パターンを定着させる定着工程と、
   前記第１の転写工程の後、前記現像材により、前記像担持体に記憶されている前記静電潜像の形成パターンに対応した第２の現像材パターンを前記像担持体上に形成する第２の現像工程と、
   前記第２の現像材パターンを前記像担持体から第２の電気光学装置用基板に転写する第２の転写工程と
   を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
2. 請求項１において、前記第１の転写工程の後、さらに、前記像担持体に対する前記第１の現像工程と、前記第１の電気光学装置用基板に対する前記第１の転写工程とを行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
3. 請求項１または２において、前記像担持体では、強誘電体を含有する強誘電体層が導電性支持体上に形成されているとともに、前記強誘電体の双極子の配列方向によって前記静電潜像が規定され、
   前記第１の現像工程および前記第２の現像工程を行う前に、前記強誘電体層を加熱した後、冷却して前記静電潜像を発現させる潜像発現工程を行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
4. 請求項３において、前記潜像発現工程では、前記像担持体からの除電処理を行った後、前記強誘電体層を加熱し、その後、冷却することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
5. 請求項３または４において、前記書き込み工程を行う前に、前記強誘電体の双極子を一方向に配列させる配向工程を行い、
   前記書き込み工程では、前記強誘電体のうち、所定領域の強誘電体の双極子を反転させることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
6. 請求項３ないし５のいずれかにおいて、前記強誘電体層は、有機強誘電体層、あるいは高分子中に無機強誘電体を分散させた無機強誘電体分散高分子層であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
7. 請求項１ないし６のいずれかにおいて、１枚の電気光学装置基板に対して前記第１の現像工程、前記第１の転写工程、および前記定着工程を行った後、当該電気光学装置用基板に対して、別の像担持体および異なる種類の現像材を用いて、前記第１の現像工程、前記第１の転写工程、および前記定着工程を行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
8. 請求項１ないし６のいずれかにおいて、１枚の電気光学装置基板に対して前記第１の現像工程および前記第１の転写工程を行った後、当該電気光学装置用基板に対して、別の像担持体および異なる種類の現像材を用いて前記第１の現像工程および前記第１の転写工程を行い、前記定着工程では、当該電気光学装置用基板に転写された複数の前記第１の現像材パターンを同時に定着させることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
9. 請求項１ないし８のいずれかにおいて、前記電気光学装置用基板は、有機エレクトロルミネッセンス装置用基板、あるいは液晶装置用基板であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
10. 請求項１ないし９のいずれかに記載の製造方法によって製造された電気光学装置。

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