JP2007027792A - 絶縁膜の形成方法及び絶縁膜の形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】1,3,5−トリメチル1,3,5−トリビニルシクロトリシロキサン(V3D3)とイソプロピルアルコール(IPA)とをチャンバ12内に供給し、プラズマによりこれらを励起してこれらの化合物の分子状の活性種を発生させる。これらの活性種を基板の表面近傍で反応させ、例えば、IPA分子を含む厚さ50nmの絶縁膜の薄膜を形成する。さらに、アンモニアガスを用いたプラズマ処理により、薄膜中に含まれるIPA分子を選択的に脱離させて、厚さ方向に均一な空孔を形成する。この成膜工程と空孔形成工程とを複数回繰り返して、所定厚さで、且つ、均一に空孔が形成された絶縁膜を得ることができる。
【選択図】図1
Description
また、本発明は、空孔率の高い膜を形成できる絶縁膜の形成方法及び絶縁膜の形成装置を提供することを他の目的とする。
チャンバー内に配置されたサセプタに基板を載置する工程と、
前記チャンバー内に載置された基板に、シャワーヘッドを介して、絶縁膜形成原料を供給する工程と、
前記サセプタに第1の周波数の高周波電力を印加する工程と、
前記シャワーヘッドに第2の周波数の高周波電力を印加する工程と、
前記第1の周波数の高周波電力の印加及び前記第2の周波数の高周波電力の印加により、前記絶縁膜形成原料のプラズマを生成する工程と、
前記プラズマにより基板上に絶縁膜を形成する工程と、
を備える、ことを特徴とする。
前記第2の周波数は、例えば、13〜150MHzである。
チャンバーと、
前記チャンバー内に基板を載置するサセプタと、
前記チャンバー内に絶縁膜形成原料を供給する絶縁膜形成原料供給手段と、
前記チャンバー内に供給された絶縁膜形成原料を基板に均一に導入する複数のガス穴を有するシャワーヘッドと、
前記サセプタに第1の周波数の高周波電力を印加する第1の高周波電源と、
前記シャワーヘッドに第2の周波数の高周波電力を印加する第2の高周波電源と、
成膜装置の各部を制御する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、
前記絶縁膜形成原料供給手段を制御して前記シャワーヘッドを介して前記基板に絶縁膜形成原料を供給し、前記第1の高周波電源を制御して前記サセプタに第1の周波数の高周波電力を印加しつつ、前記第2の高周波電源を制御して前記シャワーヘッドに第2の周波数の高周波電力を印加して、前記チャンバー内に前記絶縁膜形成原料のプラズマを生成して前記基板上に絶縁膜を形成する、
ことを特徴とする。
前記第2の周波数は、例えば、13〜150MHzである。
本実施の形態の処理装置は、上下平行に対向する電極を有する、いわゆる平行平板型プラズマCVD装置として構成され、半導体ウェハ(以下、ウェハW)の表面にSiOC系膜をCVDにより成膜する。
12 チャンバ
13 排気口
14 排気装置
15 ゲートバルブ
16 サセプタ支持台
17 サセプタ
18 絶縁体
19 下部冷媒流路
20 リフトピン
21 第1の高周波電源
22 第1の整合器
23 シャワーヘッド
24 ガス穴
25 電極板
26 電極支持体
27 上部冷媒流路
28 ガス導入管
29 V3D3ガス源
30 IPAガス源
31 Arガス源
32 第2の高周波電源
33 第2の整合器
34 制御部
35 NH3ガス源
58 除害装置
Claims (6)
- チャンバー内に配置されたサセプタに基板を載置する工程と、
前記チャンバー内に載置された基板に、シャワーヘッドを介して、絶縁膜形成原料を供給する工程と、
前記サセプタに第1の周波数の高周波電力を印加する工程と、
前記シャワーヘッドに第2の周波数の高周波電力を印加する工程と、
前記第1の周波数の高周波電力の印加及び前記第2の周波数の高周波電力の印加により、前記絶縁膜形成原料のプラズマを生成する工程と、
前記プラズマにより基板上に絶縁膜を形成する工程と、
を備える、ことを特徴とする絶縁膜の形成方法。 - 前記第1の周波数は、0.1〜5MHzである、ことを特徴とする請求項1に記載の絶縁膜の形成方法。
- 前記第2の周波数は、13〜150MHzである、ことを特徴とする請求項1または2に記載の絶縁膜の形成方法。
- チャンバーと、
前記チャンバー内に基板を載置するサセプタと、
前記チャンバー内に絶縁膜形成原料を供給する絶縁膜形成原料供給手段と、
前記チャンバー内に供給された絶縁膜形成原料を基板に均一に導入する複数のガス穴を有するシャワーヘッドと、
前記サセプタに第1の周波数の高周波電力を印加する第1の高周波電源と、
前記シャワーヘッドに第2の周波数の高周波電力を印加する第2の高周波電源と、
成膜装置の各部を制御する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、
前記絶縁膜形成原料供給手段を制御して前記シャワーヘッドを介して前記基板に絶縁膜形成原料を供給し、前記第1の高周波電源を制御して前記サセプタに第1の周波数の高周波電力を印加しつつ、前記第2の高周波電源を制御して前記シャワーヘッドに第2の周波数の高周波電力を印加して、前記チャンバー内に前記絶縁膜形成原料のプラズマを生成して前記基板上に絶縁膜を形成する、
ことを特徴とする絶縁膜の形成装置。 - 前記第1の周波数は、0.1〜5MHzである、ことを特徴とする請求項4に記載の絶縁膜の形成装置。
- 前記第2の周波数は、13〜150MHzである、ことを特徴とする請求項4または5に記載の絶縁膜の形成装置。
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JP2006281724A JP2007027792A (ja) | 2006-10-16 | 2006-10-16 | 絶縁膜の形成方法及び絶縁膜の形成装置 |
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JP2006281724A JP2007027792A (ja) | 2006-10-16 | 2006-10-16 | 絶縁膜の形成方法及び絶縁膜の形成装置 |
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JP2002325379A Division JP3967253B2 (ja) | 2002-11-08 | 2002-11-08 | 多孔質絶縁膜の形成方法及び多孔質絶縁膜の形成装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009071226A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-02 | Nec Corp | 層間絶縁膜形成方法、層間絶縁膜、半導体デバイス、および半導体製造装置 |
-
2006
- 2006-10-16 JP JP2006281724A patent/JP2007027792A/ja active Pending
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JP2009071226A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-02 | Nec Corp | 層間絶縁膜形成方法、層間絶縁膜、半導体デバイス、および半導体製造装置 |
US8598706B2 (en) | 2007-09-18 | 2013-12-03 | Renesas Electronics Corporation | Method for forming interlayer dielectric film, interlayer dielectric film, semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus |
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