JP2007027163A - ウエハ剥離装置及び研磨ライン装置 - Google Patents

ウエハ剥離装置及び研磨ライン装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2007027163A
JP2007027163A JP2005202555A JP2005202555A JP2007027163A JP 2007027163 A JP2007027163 A JP 2007027163A JP 2005202555 A JP2005202555 A JP 2005202555A JP 2005202555 A JP2005202555 A JP 2005202555A JP 2007027163 A JP2007027163 A JP 2007027163A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
base plate
template
peeling
polishing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005202555A
Other languages
English (en)
Inventor
Takao Sakamoto
多可雄 坂本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Coorstek KK
Original Assignee
Toshiba Ceramics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Ceramics Co Ltd filed Critical Toshiba Ceramics Co Ltd
Priority to JP2005202555A priority Critical patent/JP2007027163A/ja
Publication of JP2007027163A publication Critical patent/JP2007027163A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

【課題】 生産性の高いバッチ式研磨装置にてナノトポグラフィの悪化を抑制するとともに、ベースプレートからウエハを剥離する際、ウエハに損傷を与えることなく剥離できるウエハ剥離装置及び研磨ライン装置を提供する。
【解決手段】ベースプレート11と、前記ベースプレート11上の所定の位置に設けられ、貼付されるウエハWの裏面と側周部に面接触するテンプレート9と、前記テンプレート9及びベースプレート11に形成された貫通する複数の貫通穴11aと、前記貫通穴11aに挿通可能に設けられ、テンプレート9上方に突出可能な複数の押し上げピン6cと、前記複数の押し上げピン6cを昇降動作させる昇降手段6bとを備え、前記昇降手段6bによって押し上げピン6cを上昇させて、テンプレート9上に貼付されたウエハWの裏側を押し上げ、前記ウエハWをベースプレート9から剥離する。
【選択図】 図4

Description

本発明は、ウエハ剥離装置及び研磨ライン装置に関し、研磨後にウエハをベースプレートから取り外すウエハ剥離装置及びこのウエハ剥離装置が用いられた研磨ライン装置に関する。
単結晶シリコン等の半導体ウエハ製造において、両面研磨されたウエハに対する仕上げ研磨(片面ポリッシング)は、一般に一枚ごとに処理を行う枚葉式研磨装置が用いられる。しかしながら、この枚葉式研磨装置にあっては、一枚ごとにウエハの研磨処理がなされるため、生産効率が悪く、設備コストも高いという課題があった。
この枚葉式研磨装置の課題を解決するものとして、バッチ式研磨装置がある。このバッチ式研磨装置にあっては、セラミックプレート等のベースプレート上に複数枚のウエハを貼付固定し、ベースプレート単位で研磨処理が行われる。このようにベースプレート上の複数枚のウエハに対して一度に研磨処理を行うことができ、生産効率の向上を図ることができる。
ところで、前記したバッチ式研磨装置においては、例えばワックス等の粘着剤により、ウエハはベースプレート上に貼り付けられ、強固に固定されている。そのため、研磨工程終了後に、ウエハはウエハ剥離装置を用いてベースプレートから剥離しなければならない。
このウエハ剥離装置について、特許文献1に示された装置を図7に示すと共にこれに基づいて説明する。図7に示すようにウエハ剥離装置60は板状のスクレーパ61を備えている。そして、研磨処理が終了した後、ベースプレート64に固定されたウエハWは、前記板状のスクレーパ61によって、強制的にベースプレート64から剥離される。尚、剥離されたウエハWは滑り台62上を滑って移動し、多段式キャリアであるテフロンキャリア63内に収容される。
特開2002−319610号公報
前記した従来のウエハ剥離装置60では、スクレーパ61のような治具を用いて剥離作業がなされる。しかしながら、前記したように、ウエハWの側部に治具を押して強引にウエハをベースプレートから剥がすため、ウエハWの裏面が損傷する虞があり、更にナノトポグラフィが悪化するという技術的な課題があった。
本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、研磨処理の後、ベースプレートからウエハを取り出す際に、ウエハに損傷を与えることなく剥離でき、更にナノトポグラフィの悪化を抑制することができるウエハ剥離装置及び研磨ライン装置を提供することを目的とするものである。
前記した目的を達成するためになされた本発明にかかるウエハ剥離装置は、ベースプレートに貼付された、研磨処理されたウエハをベースプレートから取り出すウエハ剥離装置において、前記ベースプレートと、前記ベースプレート上の所定の位置に貼付される、ウエハの裏面に面接触するテンプレートと、前記テンプレート及びベースプレートを貫通する複数の貫通穴と、前記貫通穴に挿通可能に設けられ、前記テンプレート上方に異なる高さで突出可能な複数の押し上げピンと、前記複数の押し上げピンを昇降動作させる昇降手段とを備え、前記昇降手段によって前記押し上げピンを上昇させて、前記テンプレート上に貼付された前記ウエハの裏側を押し上げ、前記ウエハを前記テンプレートから剥離することを特徴としている。
本発明にかかるウエハ剥離装置によれば、ウエハの裏面に面接触するテンプレートによってウエハを固定し、ウエハ裏面を最初に裏面に接触する押し上げピンにより押し上げ、このウエハ裏面とテンプレートの間に空気を入れて吸着力を開放する開放工程の後、順次他の押し上げピンをウエハ裏面に接触させながら複数の押し上げピンでウエハを持ち上げて剥離する剥離工程を行うため、ウエハを歪ませることなくテンプレートから容易に剥離することができる。この開放工程はウエハとテンプレートが純水などの液体を介してより強く吸着される場合は、それを弱める顕著な作用を奏する。また、ウエハを歪ませたことに起因する欠陥あるいは損傷を与えず、ナノトポグラフィの悪化を抑制することができる。
ここで、前記テンプレート及び前記ベースプレートに形成された貫通穴の直径は、0.5mm〜2mmであって、前記貫通穴は三角形の頂点に対応する位置に配置されていることが望ましい。このような直径を有する貫通穴の場合には、ウエハ裏面への孔形状の転写やウエハの損傷を抑制することができる。また貫通穴が三角形の頂点に対応する位置に配置されているため、かかる貫通穴を挿通する押し上げピンによって、ウエハを安定して保持することができる。
また、前記昇降手段が夫々の前記押し上げピンの昇動作を制御することによって、押し上げられる前記ウエハ裏面の傾斜角が、前記テンプレートの貼着面に対し5°〜15°とすることが望ましい。
このように押し上げピンの昇動作を制御することにより、ウエハとテンプレートとの間隙が僅かに楔形に拡開する。これにより、ゆっくりとウエハをテンプレートから引き離すことができる。そのため、押し上げピンによる押し上げ力は微力でよく、押し上げピンによるウエハ裏面へのピン跡、擦れ傷等の発生を抑制することができる。また、ウエハの歪等の発生も抑制することができる。
更に、前記したウエハ剥離装置と、前記テンプレート上に前記ウエハを純水によって吸着する貼付装置と、前記貼付装置により前記テンプレート上に貼付された前記ウエハを研磨処理する研磨装置とを組み合わせ、研磨ライン装置とすることは、大幅に生産効率の向上を図ることができ、好ましい。即ち、ベースプレート単位で研磨処理を行う研磨ライン装置に使用した場合には、枚葉式に比べ、大幅に生産効率の向上を図ることができる。
また、前記した貼付装置のように純水によりウエハをテンプレート上に吸着することが好ましい。このようにテンプレートを介してウエハが固定されるため、従来のようにワックス等の強力な接着剤を使用する必要がなく、純水を介すことで充分にウエハを固定することができる。また、テンプレートに純水を介してウエハを吸着させることにより、ウエハ貼着面におけるゴミ等による窪み発生を防止することができ、平坦度歩留まりを向上することができる。更に、ワックスを接着剤として使用しないため、ワックス、ワックスのスピンコート機構、ベーキング機構、冷却機構等を必要とせず、原材料費、設備コスト、及びランニングコストを大幅に低減することができる。
本発明によれば、研磨処理の後、ベースプレートからウエハを取り出す際に、ウエハに損傷を与えることなく剥離でき、更にナノトポグラフィの悪化を抑制することができるウエハ剥離装置及び研磨ライン装置を得ることができる。
以下、本発明に係わる研磨ライン装置及びウエハ剥離装置の実施形態について図面に基づき説明する。図1は本発明に係る研磨ライン装置100の全体構成を模式的に示す平面図である。
図1に示すように、この研磨ライン装置100は、複数枚のウエハWが固定されるベースプレート11を洗浄するプレート洗浄装置1と、ベースプレート11に複数のウエハWを貼付する貼付装置2とを備えている。また、複数枚(図では4枚)のベースプレート11が載置され、それらを順次研磨する1次〜3次の研磨装置3、4、5と、ベースプレート11からウエハWを剥離するウエハ剥離装置6とを備えている。
この研磨ライン装置100においては、先ず複数枚のベースプレート11を収納したプレートカセット12から搬送ロボット13によりベースプレート11が取り出され、プレート洗浄装置1に搬送される。
プレート洗浄装置1に順次、搬送されたベースプレート11は、アルカリ洗浄液により洗浄され、洗浄後は搬送ロボット14により貼付装置2に搬送される。
この貼付装置2において、ベースプレート11上に複数(図では5枚)のウエハWが貼付される。尚、貼付装置2については詳細に後述する。
そして、ウエハWが貼付されたベースプレート11は、搬送ロボット15によりベルトコンベア16に搬送され、さらにベルトコンベア16と搬送ロボット17を介して、1次研磨装置3に載置される。
1次研磨装置3においては、ウエハWの表面に対し、先ず目が粗い1次研磨が行われる。そして、1次研磨されたベースプレート11は、搬送ロボット18を介して2次研磨装置4に搬送され、そこで、1次研磨よりも目の細かい2次研磨が行われる。
さらに、2次研磨されたベースプレート11は、搬送ロボット19を介して3次研磨装置5に搬送され、そこで、最終的な鏡面仕上げ研磨がなされる。
研磨工程を終えたベースプレート11は、搬送ロボット20によりバッファ21に載置され、バッファ21に蓄積された複数のベースプレート11は、順次、剥離装置6において、ウエハWの剥離作業が行われる。尚、剥離されたウエハWはテフロンキャリア10に収容される。また、ウエハWが剥離された後のベースプレート11は、ベルトコンベア22を介してプレートカセット12に搬送され、再びそこに収容される。
尚、このウエハ剥離装置6については、詳細に後述する。
次に、前記貼付装置2について図2に基づいて詳細に説明する。
この貼付装置2は、図1に示すウエハカセットCから取り出されたウエハWを吸着して支持する支持チャック2aと、支持チャック2aを保持する保持部材2bとを備えている。前記保持部材2bは、その一端2cを軸に反転可能に設けられ、他端に支持チャック2aを保持している。また保持部材2bの反転駆動は、反転手段2dによってなされる。
尚、ベースプレート11にウエハWを貼付する前においては、支持チャック2aは準備位置P1の位置になされる。この準備位置P1においては、支持チャック2a上にウエハWが支持され、そのウエハWの表面に貼着水としての純水Lが塗布される。即ち、図示するように、純水供給源2h内の純水Lがポンプ2gの駆動によりノズル2fからウエハW上に供給され、塗布される。
また、保持部材2bが一端2cを軸に反転したときのウエハWの貼付位置P2においては、保持部材2bの反転前に、載置台2e上にベースプレート11が搬送され載置されている。前記載置台2eは、回転手段2iにより垂直軸周りに回動可能になされ、図示しない制御手段によって、ベースプレート11上のウエハ貼付位置が貼付位置P2に位置合わせされる。
また、図3に示すように、ベースプレート11は円形に形成され、その上に5枚のウエハが内周に沿って並べて貼付可能に形成されている。そして、プレート上のウエハ貼付位置には、ウエハWの位置ずれを防止するための皿状のテンプレート9が設けられている。尚、このテンプレート9は、貼付されるウエハWの裏面と側周部に面接触するように形成されている。
また、図3に示すように、夫々のウエハ貼付位置には、テンプレート9とベースプレート11の表裏面を貫通する貫通穴11aが正三角形の頂点の3点に夫々形成されている。この貫通穴11aは、後工程であるウエハWの剥離工程において、押し上げピンをベースプレート11裏側から挿通させ、ウエハWの裏面を押し上げるための穴である。
尚、貫通穴径は、0.5〜2mmであることが好ましい。これは、2mm以上の貫通穴では、穴形状がウエハ表面に転写され、ナノトポグラフィが悪化する虞があり、0.5mm以下では、押し上げピンとウエハW裏面との接触面積が小さくなり接触圧が大きくなってウエハ裏面を損傷させる虞があるためである。
この構成において、ベースプレート11上にウエハWを貼付する際には、先ずポジションP1の位置において、支持チャック2aに支持されたウエハW上にノズル2fから純水Lを吐出する。これによりウエハW上には、純水Lが広がり塗布された状態となる。
そして、貼付位置P2に位置合わせがなされたベースプレート11上のテンプレート9に対し、反転手段2dにより保持部材2bを反転させることによってウエハWがテンプレート9上に圧着され水吸着により吸着貼付される。
更に、回転手段2iによってベースプレート11を回転させ、次のテンプレート9の位置を貼付位置P2に合わせる。そして、再び、反転手段2dにより保持部材2bを反転させることによってウエハWがテンプレート9上に吸着貼付される。
このように、一枚のウエハの貼付けが終了すると、回転手段2iはベースプレート11を所定の回転角度ずつ回転させ、次のテンプレート9の位置を貼付位置P2に合わせるよう回転制御される。
そして、1枚のベースプレート11につき、5枚のウエハWを順次貼付する作業が行われる。
次に、前記剥離装置6について、図4に基づいて詳細に説明する。
この剥離装置6は、研磨工程後、図1に示したバッファ21から供給されたベースプレート11を回転可能に支持するための支持台6aと、支持台6aを垂直軸周りに回転させるための回転手段6gとを備えている。
前記ベースプレート11に対するウエハWの剥離作業においては、テンプレート9の位置を剥離位置P3に合わせるよう回転手段6gによってベースプレート11の回転動作がなされる。即ち、回転手段6gは、一枚のウエハWの剥離ごとに、ベースプレート11を所定の回転角度ずつ回転させ、次のテンプレート9の位置を剥離位置P3に合わせるよう回転制御される。
また、剥離位置P3の下方には、テンプレート9とベースプレート11に形成された3つの貫通穴11aを挿通する複数の(この例では3本の)押し上げピン6cが設けられている。この押し上げピン6cは、水吸着により貼付されたウエハWに対し、ウエハ裏面を押し上げてベースプレート11から剥離するよう機能する。尚、夫々の押し上げピン6cの昇降動作は、ピン駆動手段6b(昇降手段)により行われる。
また、この剥離装置6は、剥離したウエハWをテフロンキャリア10に移載するための移載ロボット23を備えている。
この移載ロボット23は、回転手段6fによって垂直軸周りに回転する軸部材6iと、軸部材6iの上端から水平方向に延設された第一のアーム部材6hと、第一のアーム部材6hに沿って水平方向に移動可能に設けられ、垂直方向に延設された第二のアーム部材6dと、第二のアーム部材6dに沿って上下移動可能に設けられた板状の第三のアーム部材6eとを有している。この移載ロボット23の構成により、第三のアーム部材6eは、上下左右方向の動作及び垂直軸周りの回転動作が自在になされ、ウエハWの受け取り、引渡しができるよう構成されている。
また、前記したように、ベースプレート11上のテンプレート9に貼付されたウエハWは、押し上げピン6cの押し上げによって剥離されるが、各ピン6cの押し上げ速度が異なるように制御がなされる。
好ましくは、ウエハWが完全に剥離された際のウエハWの傾斜角度が、ベースプレート11表面に対し5°〜15°の間となるよう各ピン6cの押し上げ角度が制御される。
これは、ウエハ剥離の際、ウエハWを無理なく容易にテンプレート9から引き離すための制御である。即ち、前記のようにピン6cの押し上げ制御がなされると、純水で占められたウエハWとテンプレート9との間隙が僅かに楔形に拡開する。
これにより、間隙内の純水膜が後退し、ゆっくりとウエハWがプレート11から引き離される。したがって、押し上げピン6cによる押し上げ力は微力でよく、ピン6cによるウエハW裏面へのピン跡、擦れ傷等の発生を抑制することができる。更にウエハWの歪等の発生も抑制することができる。
このように構成された剥離装置6によりベースプレート11(テンプレート9)からウエハWを剥離する際には、剥離位置P3に位置合わせがなされたベースプレート11上のウエハWを押し上げピン6cによりゆっくりと押し上げることにより、ベースプレート11からウエハWが引き離される。
次いで、移載ロボット23の第三のアーム部材6eをウエハWの裏側に挿入し、押し上げピン6cを降下させることにより、第三のアーム部材6e上にウエハWが載置される。
そして、回転手段6fの駆動によりウエハWをテフロンキャリア10側に移動し、キャリア10内にウエハWが収容される。このようにして、1枚のベースプレート11につき、5枚のウエハWを順次剥離する作業が行われる。
以上のように本発明に係る実施の形態によれば、テンプレート9によりウエハWを固定できるため、従来のようにスクレーパを用いて横方向から強引にウエハ側部を押してウエハを剥離する必要がない。即ち、剥離工程においては、ウエハW裏面を押し上げピンにより押し上げて剥離するため、テンプレート9から容易に剥離することができ、また、ウエハWに損傷を与えることなく、ナノトポグラフィの悪化を抑制することができる。
また、複数のウエハWが貼付されたベースプレート単位でウエハWの研磨処理を行う研磨ライン装置に用いられた場合には、枚葉式に比べ、大幅に生産効率を向上することができる。
また、テンプレート9を介してウエハWを固定するため、従来のようにワックス等の強力な接着剤を使用する必要がなく、純水Lを介すことで充分にウエハWを固定することができる。また、テンプレート9に純水Lを介してウエハWを吸着させることにより、ウエハ接着面におけるゴミ等による窪み発生を防止することができ、平坦度歩留まりを向上することができる。
また、ワックスを接着剤として使用しないため、ワックス、ワックスのスピンコート機構、ベーキング機構、冷却機構等を必要とせず、原材料費、設備コスト、及びランニングコストを大幅に低減することができる。
続いて、本発明に係るウエハ剥離装置について、実施例に基づいて更に説明する。本実施例では、前記実施の形態に示した構成のウエハ剥離装置を用い、実際に実験を行うことにより、その効果を検証した。
[実施例1]
実施例1では、本発明に係るウエハ剥離装置において、押し上げピンによって剥離され押し上げられたウエハのベースプレートに対する傾斜角度(剥離角度とも称する)が異なるよう、複数種のピン上昇制御を行い、夫々の場合のウエハ剥離面(裏面)の傷、ピットの発生状況を比較検討した。
表1に実験結果を示す。
Figure 2007027163
A:剥離面(裏面)の傷・ピット発生率が5%以下
B:剥離面(裏面)の傷・ピット発生率が5%より大きく10%以下
C:剥離面(裏面)の傷・ピット発生率が10%より大きい
この結果、剥離角度が5°以下では、無理に吸着破壊をするため、剥離面にピンとの擦れ傷が発生し、ウエハの外観歩留まりが低下した。また、剥離角度が15°以上では、ウエハがピン上で滑り、これによる擦れ傷、またはチャックミスによる傷が発生し、外観歩留まりが低下することがわかった。
よって、最適な剥離角度は、5°〜15°の間のいずれかの値になるよう押し上げピンの上昇制御を行うことが好ましいという結果が得られた。
[実施例2]
実施例2では、本発明に係るウエハ剥離装置を用いた場合のナノトポグラフィと、従来の(スクレーパを使用して剥離する)ウエハ剥離装置を用いた場合のナノトポグラフィについて、比較し検証した。
図6(a)に2mm四方のナノトポグラフィ、図6(b)に10mm四方のナノトポグラフィの結果をグラフで示す。尚、このグラフの縦軸は測定ウエハの累積頻度、横軸はナノトポグラフィの状態を示す。また、図6のグラフにおいて、Xは両面研磨加工直後のナノトポグラフィ、YはXに対し本発明のウエハ剥離装置を具備した研磨ラインで加工したウエハのナノトポグラフィを示し、ZはXに対し従来のウエハ剥離装置を具備した研磨ラインで加工したウエハのナノトポグラフィを示す。
この結果によれば、従来のウエハ剥離装置を具備した研磨ラインで加工したウエハではナノトポグラフィが悪化するが、本発明のウエハ剥離装置を具備した研磨ラインで加工したウエハではナノトポグラフィが両面研磨加工直後のナノトポグラフィと殆ど変化無く、悪化しないことが分かった。
以上の実施例1、2の結果から、本発明に係るウエハ剥離装置及び研磨ライン装置によれば、ナノトポグラフィを悪化させずに、また、ウエハを傷付けずに剥離できることを確認した。
本発明にかかるウエハ剥離装置及び研磨ライン装置は、半導体製造業界等において好適に用いられる。
図1は本発明に係る研磨ライン装置の全体構成を模式的に示す平面図である。 図2は、図1の研磨ライン装置が有する貼付装置の構成を模式的に示す図である。 図3は、複数のテンプレートが設けられたベースプレートの平面図である。 図4は、本発明の実施形態にかかるウエハ剥離装置の構成を模式的に示す図である。 図5は、図4の剥離装置による剥離角度を示す図である。 図6は、実施例2の結果を示すグラフである。 図7は、従来のバッチ式研磨装置においてウエハをベースプレートから剥離する剥離装置での処理を示す模式図である。
符号の説明
1 プレート洗浄装置
2 貼付装置
3 1次研磨装置
4 2次研磨装置
5 3次研磨装置
6 ウエハ剥離装置
6c 押し上げピン
6d 昇降手段
9 テンプレート
11 ベースプレート
11a 貫通穴
100 研磨ライン装置
L 純水
W ウエハ

Claims (4)

  1. ベースプレートに貼付された、研磨処理されたウエハをベースプレートから取り出すウエハ剥離装置において、
    前記ベースプレートと、前記ベースプレート上の所定の位置に貼付される、ウエハの裏面に面接触するテンプレートと、前記テンプレート及びベースプレートを貫通する複数の貫通穴と、前記貫通穴に挿通可能に設けられ、前記テンプレート上方に異なる高さで突出可能な複数の押し上げピンと、前記複数の押し上げピンを昇降動作させる昇降手段とを備え、
    前記昇降手段によって前記押し上げピンを上昇させて、前記テンプレート上に貼付された前記ウエハの裏側を押し上げ、前記ウエハを前記テンプレートから剥離することを特徴とするウエハ剥離装置。
  2. 前記テンプレート及び前記ベースプレートに形成された貫通穴の直径は、0.5mm〜2mmであって、前記貫通穴は三角形の頂点に対応する位置に配置されていることを特徴とする請求項1に記載されたウエハ剥離装置。
  3. 前記昇降手段が夫々の前記押し上げピンの昇動作を制御することによって、押し上げられる前記ウエハ裏面の傾斜角が、前記テンプレートの貼着面に対し5°〜15°としたことを特徴とする請求項1または請求項2に記載されたウエハ剥離装置。
  4. 前記請求項1乃至請求項3のいずれかに記載されたウエハ剥離装置と、前記テンプレート上に前記ウエハを純水によって吸着する貼付装置と、前記貼付装置により前記テンプレート上に貼付された前記ウエハを研磨処理する研磨装置とを含むことを特徴とする研磨ライン装置。
JP2005202555A 2005-07-12 2005-07-12 ウエハ剥離装置及び研磨ライン装置 Pending JP2007027163A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005202555A JP2007027163A (ja) 2005-07-12 2005-07-12 ウエハ剥離装置及び研磨ライン装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005202555A JP2007027163A (ja) 2005-07-12 2005-07-12 ウエハ剥離装置及び研磨ライン装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007027163A true JP2007027163A (ja) 2007-02-01

Family

ID=37787596

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005202555A Pending JP2007027163A (ja) 2005-07-12 2005-07-12 ウエハ剥離装置及び研磨ライン装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007027163A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014165338A (ja) * 2013-02-25 2014-09-08 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工方法
CN109860089A (zh) * 2019-01-23 2019-06-07 福建省福联集成电路有限公司 一种翻转机构及其制作方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014165338A (ja) * 2013-02-25 2014-09-08 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工方法
CN109860089A (zh) * 2019-01-23 2019-06-07 福建省福联集成电路有限公司 一种翻转机构及其制作方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5833959B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
WO2012098986A1 (ja) 基板反転装置、基板反転方法及び剥離システム
TWI512876B (zh) 剝離裝置、剝離系統、剝離方法及非暫態電腦可讀取之記憶媒體
KR20080052431A (ko) 기판 접합 방법 및 이를 이용한 장치
JP5430975B2 (ja) ワーク加工方法およびワーク加工装置
US7210984B2 (en) Shaped polishing pads for beveling microfeature workpiece edges, and associated systems and methods
JP2010194680A (ja) ワーク加工方法およびワーク加工装置
JP2006319249A (ja) 研磨装置、この研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法及びこの製造方法により製造された半導体デバイス
JP2023540884A (ja) Cmp処理のための基板ハンドリングシステム及び方法
WO2017082161A1 (ja) ウェーハ研磨方法および装置
JP2007027163A (ja) ウエハ剥離装置及び研磨ライン装置
KR20110014916A (ko) 기판 지지 유닛 및 이를 이용한 매엽식 기판 연마 장치
KR20190118967A (ko) 점착 테이프 박리 방법 및 점착 테이프 박리 장치
JP2017204606A (ja) ウエーハ製造方法
JP2007301697A (ja) 研磨方法
JP2014008597A (ja) 研削装置
JP2011125987A (ja) 研削装置
JPH08267358A (ja) 半導体基板の同時鏡面研磨装置
JPH10118921A (ja) ワークの両面研磨処理方法および装置
JP2006196507A (ja) ウエーハの洗浄装置
JP7192761B2 (ja) 研磨装置への半導体ウェーハの受け渡し方法および半導体ウェーハの製造方法
JP2003273055A (ja) スピンナー洗浄装置
JP2008091594A (ja) 半導体ウエハの枚葉研磨装置
JP3245673U (ja) ウェハの化学機械研磨の静電チャック装置
TWI759595B (zh) 基板處理系統及基板處理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20070711