JP2007019455A - 白色発光素子 - Google Patents

Abstract

【課題】複数の活性層中長波長側の活性層を連続的な層構造ではない量子点または量子結晶体のような不連続的な構造に代替することにより短波長側の活性層の再結合効率を向上させた新たなモノリシック発光素子を提供する。
【解決手段】モノリシックの白色発光素子３０である半導体発光素子は、基板３１上に第１及び第２導電型窒化物層とその間に順次に形成された異なる波長光を発光する複数の活性層３５〜３７を有する。これら活性層は複数の第１量子障壁層３７ａと第１量子井戸層３７ｂで構成された少なくとも一つの第１活性層と、上記第１活性層の発光波長より大きい発光波長を有する第２活性層を含み、上記第２活性層は複数の第２量子障壁層とその複数の第２量子障壁層との間に各々形成された多数の量子点または結晶体（ｃｒｙｓｔａｌｌｉｔｅｓ）３７ｂからなる少なくとも一つの不連続的な量子井戸構造を有する。
【選択図】 図３

Description

本発明は、半導体発光素子、特に白色発光素子に関するものであり、より詳細には異なる波長光を発光する少なくとも２個の活性層を単一の素子の形態に具現化したモノリシック白色発光素子に関する。

一般的に、ＬＥＤを利用した白色発光素子は優れた高輝度及び高効率を実現することが可能なため、照明装置またはディスプレー装置のバックライトとして広く使用されている。

このような白色発光素子の具現方案は個別ＬＥＤから製造された青色、赤色及び緑色ＬＥＤを単純に組合わせる方式と、蛍光体を利用する方式が広く知られている。多色の個別ＬＥＤを同一印刷回路基板に組合わせる方式はそのための複雑な駆動回路が要求され、これにより小型化が難しいという短所がある。従って、蛍光体を利用した白色発光素子の製造方法が普遍的に使用されている。

従来の蛍光体を利用した白色発光素子の製造方法としては、青色発光素子を利用する方法と紫外線発光素子を利用する方法がある。例えば、青色発光素子を利用する場合は、ＹＡＧ蛍光体を利用し青色光を白色光に波長変換する。すなわち、青色ＬＥＤから発生された青色波長がＹＡＧ（Ｙｉｔｔｒｉｕｍ Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｇａｒｎｅｔ）蛍光体を励起させ最終的に白色光を得ることが可能である。

しかし、上述の従来の蛍光体を利用した白色発光素子の製造方法は、蛍光体粉末による素子特性の不利益な影響が発生するか、または蛍光体励起時光効率が減少し、色補正指数が低下し、優秀な色感を得ることが不可能であるという限界がある。

このような問題を解決するための新たな方案として、蛍光体無しで異なる波長光を発光する複数の活性層を具備したモノリシック白色発光素子に対する研究が活発に進んでいる。図１は従来の白色発光素子の一例を示す概略図である。また、図２は従来の白色発光素子の活性領域に対するエネルギーバンド図である。このようなモノリシック白色発光素子の一形態として、例えば特許文献１［米国特許第５、６８４、３０９号明細書（登録公告日：１９９７年１１月４日、譲受人：Ｎｏｒｔｈ Ｃａｒｏｌｉｎａ Ｓｔａｔｅ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ）］には図１に図示された白色発光素子が開示されている。

図１に示すように、上記白色発光素子１０はバッファ層１２が形成された基板１１上に形成された第１導電型窒化物層１３と第２導電型窒化物層１８を含み、上記第１及び第２導電型窒化物層１３、１８の間には３個の異なる波長光を生成する第１ないし第３活性層１５、１６、１７とバリア層１４ａ、１４ｂ、１４ｃが形成された構造を有する。また、上記第１及び第２導電型窒化物層１３、１８には各々第１及び第２電極１９ａ、１９ｂが設けられている。

図１に図示された構造において、上記第１及びないし第３活性層１５、１６、１７は例えば各々青色、緑色、赤色の光を生成するため、異なる組成を有するＩｎ_x Ｇａ_1-x Ｎ（すなわち、ｘが異なる）からなる。各活性層１５、１６、１７から得られた青色、緑色及び赤色光は組合わされ最終的に所望の白色光を生成することが可能である。

米国特許第５、６８４、３０９号明細書

しかし、上記特許文献１に記載された白色発光素子は高い発光効率を有せず、白色光を得るための三色の一定の分布を構成するのは非常に難しい。その理由は、図２に図示された通り、青色及び緑色に該当する活性層１５、１６のエネルギーバンドギャップＥｇ１、Ｅｇ２に比べ、赤色を発光する活性層１７が相対的に非常に低いエネルギーバンドギャップＥｇ３を有するからである。例えば、青色及び緑色に該当する活性層１５、１６のエネルギーバンドギャップＥｇ１、Ｅｇ２は各々約２．７ｅＶ、２．４ｅＶであるのに対し、赤色を発光する活性層１７のエネルギーバンドギャップＥｇ３は約１．８ｅＶに過ぎず相対的に非常に低い。

このように、長波長側の活性層１７の低いエネルギーバンドギャップＥｇ３により、上記第２導電型窒化物層１８から供給されるキャリアが赤色活性層１７を通過することが不可能になる、キャリア集中化現象（ｃａｒｒｉｅｒ ｌｏｃａｌｉｚａｔｉｏｎ）が発生する。結果的に、大部分のキャリアが赤色活性層１７で拘束されて光に転換し、青色及び緑色活性層１５、１６まで到達する確率が低くなる。このような現象は第２導電型窒化物層１８がｐ型窒化物層の場合、赤色活性層１７に拘束されるキャリアが前者に比べ低い移動度を有するホールであるため、より深刻になる。

このように、従来の白色発光素子においては、長波長のための活性層のキャリア拘束により短波長のための活性層が低すぎる再結合効率を有するため、適切な色分布を通じた白色光を得難いという問題がある。

本発明は上述の従来技術の問題を解決するためのものであり、その目的は異なる波長光を生成する複数の活性層中長波長側の活性層を連続的な層構造ではない量子点または量子結晶体のような不連続的な構造に代替することにより短波長側の活性層の再結合効率を向上させた新たなモノリシック発光素子を提供することにある。

上述の技術的課題を達成するため、本発明は、第１及び第２導電型窒化物層とその間に順次に形成された異なる波長光を発光する複数の活性層を有する窒化物発光素子において、前記複数の活性層は複数の第１量子障壁層と第１量子井戸層で構成された少なくとも一つの第１活性層と、前記第１活性層の発光波長より大きい発光波長を有する第２活性層を含み、前記第２活性層は複数の第２量子障壁層と前記複数の第２量子障壁層との間に各々形成された多数の量子点または結晶体（ｃｒｙｓｔａｌｌｉｔｅｓ）からなる少なくとも一つの不連続的な量子井戸構造を有することを特徴とする半導体発光素子を提供する。

このように、本発明では、キャリア拘束を引き起こす長波長のための第２活性層は量子点または結晶体（ｃｒｙｓｔａｌｌｉｔｅｓ）からなる不連続的な構造に形成することにより、短波長のための第１活性層に提供されるキャリア注入効率を実質的に向上させることが可能である。

上記記不連続的な量子井戸構造を構成する多数の量子点または結晶体の形成面は該当する上記第２量子障壁層上面の全体面積に対し約２０〜７５％であることが好ましい。不連続的な量子井戸構造の形成面積が２０％未満の場合、充分な輝度を得難く、７５％を超える場合は短波長のための第１活性層の再結合効率を充分向上させ難い。

好ましくは、上記活性層は少なくとも４個の量子障壁層を含み、上記少なくとも４個の量子障壁層の間に各々形成された多数の量子点または結晶体からなる少なくとも３個の不連続的な量子井戸構造を有する。これは不連続的な量子井戸構造を通じ充分な発光輝度を得るためである。

本発明の一実施形態では、上記第１活性層は各々約４５０〜４７５ｎｍの発光波長と約５１０〜５３５ｎｍの発光波長を有する２個の活性層を含み、上記第２活性層は約６００〜６３５ｎｍの発光波長を有することが可能である。すなわち、上記２個の第１活性層は各々青色及び緑色発光波長を有し、上記第２活性層は赤色発光波長を有することにより、最終的に白色出力光を得ることが可能である。

本発明の他の実施形態では、上記第１活性層は約４５０〜４７５ｎｍの発光波長を有し、上記第２活性層は約５５０〜６００ｎｍの発光波長を有することが可能である。すなわち、上記第１活性層は緑色変異された青色の発光波長を有し、上記第２活性層は黄色発光波長を有することにより、最終的に白色出力光を得ることも可能である。

本発明に採用される少なくとも一つの第１活性層はＩｎ_x1Ｇａ_1-x1Ｎ（０≦ｘ１≦１）からなることが可能である。本発明の一実施形態のように、２個の活性層を形成する場合は、Ｉｎ含量（ｘ１）を適切に異なるようにすることにより所望の発光波長を有する活性層を提供することが可能である。

また、上記第２活性層はＩｎ_x2Ｇａ_1-x2Ｎ（０＜ｘ２≦１）からなることが可能である。この場合、Ｉｎ含量の増加による結晶性低下及び波長変異などの問題を解決するため、上記第２活性層中不連続的な量子井戸構造はＡｌ_yＩｎ_zＧａ_1-(y+z)Ｎ（０＜ｙ＜１、０＜ｚ＜１）または（Ａｌ_vＧａ_1-v）_uＩｎ_1-uＰ（０≦ｖ≦１、０≦ｕ≦１）に形成されることが好ましい。

上記第１及び第２導電型窒化物半導体層は各々ｎ型及びｐ型窒化物半導体層の場合、上記第２活性層は上記第２導電型窒化物半導体層に隣接して位置することが可能である。さらに、上記少なくとも一つの第１活性層は異なる発光波長を有する複数の場合、上記複数の第１活性層及び上記第２活性層はその発光波長が長波長であるほど上記第２導電型窒化物半導体層に近接して位置するよう配列され得る。

特に、上記第２活性層をＡｌ_yＩｎ₂Ｇａ_1-(y+2)Ｎ（０＜ｙ＜１、０＜ｚ＜１）または（Ａｌ_vＧａ_1-v）_uＩｎ_1-uＰ（０≦ｖ≦１、０≦ｕ≦１）に形成する場合は、蒸着工程による成長温度を考慮し、上記第２活性層は他の第１活性層より遅く形成されることが好ましい。

本発明によると、異なる発光波長を有する２個以上の活性層中、キャリア集中現象を引き起こす長波長側の活性層のみを選択し量子点または結晶体のような不連続的な量子井戸構造に代替することにより、短波長活性層の再結合効率が向上した半導体発光素子を提供することが可能である。特に、本発明は各波長用の活性層において比較的均一な色分布を可能とするため、特定の波長光を組合わせて高効率を有するモノリシック白色発光素子を製造するのに有益に使用することが可能である。

以下、添付の図面を参照し本発明をより詳細に説明する。図３は本発明の一実施形態による白色発光素子を示す断面図である。図３を参照すると、白色発光素子３０は、基板３１とその上に形成されたバッファ層３２と、第１導電型窒化物層３３と第２導電型窒化物層３８を含み、第１及び第２導電型窒化物層３３、３８の間には青色、緑色及び赤色の発光波長を有する活性層３５、３６、３７が形成される。

青色及び緑色活性層３５、３６は各々通常の連続的な層からなり、通常の複数の量子井戸層と（図示しない）量子障壁層で構成された多重量子井戸構造であり得る。また、青色及び緑色活性層３５、３６は各々約４５０〜４７５ｎｍの発光波長と約５１０〜５３５ｎｍの発光波長を有する量子井戸層を有することが可能である。好ましくは、青色及び緑色活性層３５、３６は異なるインジウム含量（ｘ１）を有するＩｎ_x1Ｇａ_1-x1Ｎ（０≦ｘ１≦１）からなることが可能である。

本実施形態に採用された赤色活性層３７は４個の量子障壁層３７ａと、複数の量子障壁層３７ａの間に各々形成された多数の量子点または結晶体（ｃｒｙｓｔａｌｌｉｔｅｓ）３７ｂからなる３個の不連続的な量子井戸構造を有するものとして例示されている。本明細書において使用されている"不連続的な量子井戸構造（ｄｉｓｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）"という用語は、一面全体に連続的に成長された完全な層構造の量子井戸層が排除されることを意味し、全面積にわたって多数の量子点または結晶体が配列された構造を称する。ここで、赤色活性層３７の障壁層３７ａは量子点または結晶体３７ｂをサンドイッチする構造を有する。すなわち、障壁層３７ａは量子点または結晶体３７ｂの成長面を提供すると同時に、下面に位置した量子点または結晶体３７ｂのためのキャッピング層の役割をする。

本発明の不連続的な量子井戸構造３７ｂ、すなわち多数の量子点または結晶体は赤色発光波長のための量子井戸（ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ）を提供する。すなわち、約６００〜６３５ｎｍの発光波長を有する半導体物質からなる。ここで、上記赤色活性層３７の障壁層３７ａと不連続的な量子井戸構造３７ｂは各々異なる組成を有するＩｎ_x2Ｇａ_1-x2Ｎ（０≦ｘ２≦１）からなることが可能である。

例えば、赤色活性層３７はＧａＮ量子障壁層とＩｎ_0.7Ｇａ_0.3Ｎ量子点からなることが可能である。但し、Ｉｎ含量が多い場合、結晶性が低下され、相分離（ｐｈａｓｅ ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ）により所望しない波長変異が引き起こされるため、赤色発光のための不連続的な量子井戸構造３７ｂはＡｌ_yＩｎ₂Ｇａ_1-(y+2)Ｎ（０＜ｙ＜１、０＜ｚ＜１）または（Ａｌ_vＧａ_1-v）_uＩｎ_1-uＰ（０≦ｖ≦１、０≦ｕ≦１）で形成することが好ましい。

第１及び第２導電型窒化物半導体層３３、３８は各々ｎ型及びｐ型窒化物半導体層であり得る。この場合、本実施形態のように、赤色活性層３７は第２導電型窒化物半導体層３８に隣接して位置することが好ましい。また、青色及び緑色活性層３５、３６もその発光波長が長波長であるほど第２導電型窒化物の半導体層３８に近接して位置するよう配列されることが好ましい。これは成長温度のような工程条件によることであり、図５を参照して、より詳細に説明する。

このように、本発明で採用された量子点または結晶体を利用した不連続的な量子井戸構造３７ｂは局部的な領域で第２導電型窒化物半導体層３８から提供されるキャリアを直接緑色活性層３６に提供することが可能である。

すなわち、図４ａに示すように、量子点または結晶体３７ｂが形成される領域を通過するキャリア経路（Ａ−Ａ'）では、図２に図示された従来と類似するエネルギーバンドを形成する。ここで、第１導電型窒化物半導体層３８から提供されるキャリアが赤色活性層３７の量子井戸構造３７ｂを経由するため、適切な赤色発光を誘導する。

一方、図４ｂに示すように、量子点または結晶体３７ｂが形成されない領域を通過するキャリア経路（Ｂ−Ｂ'）によると、第１導電型窒化物半導体層３８から供給されるキャリアは赤色活性層で量子井戸構造無しでＧａＮのような量子障壁層３７ａのみ通過し直接緑色活性層３６に供給される。このように、長波長の赤色活性層３７の量子井戸構造３７ｂでキャリアが拘束される確率を減少させることにより、短波長のための緑色または青色活性層３５、３６におけるキャリア注入効率を高めることが可能である。

但し、赤色活性層３７は不連続的な構造により連続的な青色または緑色活性層３５、３６に比べ低い発光効率を有する。このような問題を緩和するため、本実施形態のように、赤色活性層３７は少なくとも４個の量子障壁層３７ａと少なくとも３個の不連続的な量子井戸構造３７ｂで形成することが好ましい。

図５は本発明の一活性層で採用された不連続量子構造の形成面を示す斜視図である。図５は、図４と類似する発光素子を製造する過程中一量子点構造を形成した段階の後を示したもの理解することができる。

図５のように、基板５１上にバッファ層５２、第１導電型窒化物半導体層５３、青色活性層５５及び緑色活性層５６が順次に形成された後、赤色活性層５７を形成する。赤色活性層５７の形成工程は量子障壁層５７ａと量子点または結晶体のような不連続的な量子井戸構造５７ｂを形成する過程として具現される。

不連続の量子井戸構造５７ｂは、上述した通り、Ｉｎ_x2Ｇａ_1-x2Ｎ（０≦ｘ２≦１）からなることが可能であるが、好ましくは、Ａｌ_yＩｎ_zＧａ_1-(y+z)Ｎ（０＜ｙ＜１、０＜ｚ＜１）または（Ａｌ_vＧａ_1-v）_uＩｎ_1-uＰ（０≦ｖ≦１、０≦ｕ≦１）で形成する。このような不連続の量子井戸構造５７ｂは当業者であれば公知の工程を通じ容易に形成することが可能である。

また、長波長活性層、すなわち赤色活性層５７は本実施形態のように他の発光波長の活性層５５、５６を形成した後形成することが好ましい。特に、ＡｌＩｎＧａＮ系の不連続の量子井戸構造５７ｂを形成する場合は、成長温度を考慮し他の活性層５５、５６を形成した後に形成することが要求される。従って、一般的にｐ型窒化物半導体層が最上部に位置するため、最終発光素子で赤色活性層５７はｐ型窒化物半導体層に隣接して位置し、青色及び緑色活性層５５、５６でもその発光波長が長波長であるほどｐ型窒化物半導体層に隣接し位置するよう配列されたことが好ましい。

本発明では、不連続の量子井戸構造５７ｂを有する長波長の赤色活性層５７においてキャリア拘束を緩和させるため、非形成面積が多いほど好ましいが、非形成面積が多すぎる場合は却って短波長の赤色活性層５７の発光効率を充分保障し難くなる問題があり得る。従って、上記多数の量子点または結晶体が形成された総面積（ΣＳｄ)は量子障壁層５７ａ上面の全体面積（Ｓｔ）に対し２０〜７５％であることが好ましい。このような形成面積範囲は成長過程から温度及び時間を制御し量子点または結晶体の大きさと密度を適切に調節することにより得ることが可能である。

上記の実施形態は異なる発光波長を有する３個の活性層を有する構造と例示されているが、本発明はこれに限定されない。すなわち、本発明の範囲は２個の活性層または４個以上の活性層を有する発光素子を含む。例えば、本発明は図６に図示された通り、異なる発光波長を有する２個の活性層を有する発光素子で具現し得る。

図６を参照すると、白色発光素子６０は図３に示すものと同様に、バッファ層６２が形成された基板６１上に形成された第１導電型窒化物層６３と第２導電型窒化物層６８を含み、第１及び第２導電型窒化物層６３、６８の間には異なる発光波長を有する第１及び第２活性層６５、６７が形成される。ここで、白色発光を具現するため、第１活性層６５は約４５０〜４７５ｎｍの発光波長を有し、第２活性層６７は約５５０〜６００ｎｍの発光波長を有するように構成することが可能である。

第１活性層６５は各々通常の連続的な層としてＩｎ_x1Ｇａ_1-x1Ｎ（０≦ｘ₁≦１)からなるものであることが可能で、通常の複数の量子井戸層と（図示しない）量子障壁層で構成された多重量子井戸構造であるのに対し、第２活性層６７は３個の量子障壁層６７ａと、３個の量子障壁層６７ａの間に各々形成された多数の量子点または結晶体からなる２個の不連続的な量子井戸構造６７ｂからなるものであることが可能である。

ここで、第２活性層６７の障壁層６７ａと不連続的な量子井戸構造６７ｂは各々異なる組成を有するＩｎ_x2Ｇａ_1-x2Ｎ（０≦ｘ２≦１）からなることが可能で、好ましくは、不連続的な量子井戸構造６７ｂをＡｌ_yＩｎ₂Ｇａ_1-(y+2)Ｎ（０＜ｙ＜１、０＜ｚ＜１）または（Ａｌ_vＧａ_1-v）_uＩｎ_1-uＰ（０≦ｖ≦１、０≦ｕ≦１）物質で形成する。

このような、異なる波長の光を有する２個の活性層においても長波長側の第２活性層に不連続的な量子井戸構造に採用することにより、上記第２活性層から発生されるキャリア拘束を防止し、第１活性層の発光効率を向上させることが可能である。これによって、白色光を組合わせるための第１及び第２活性層の色分布を適切に具現することが可能である。

本発明は、従来の多数の連続的な活性層構造において長波長側の活性層から発生されるキャリア集中化を緩和するため長波長側の活性層に不連続的な量子井戸構造を導入する方案を提供する。従って、上述した通り、活性層の個数または白色発光素子に限定されず、本発明は異なる発光波長を有する２個以上の活性層を組合わせて特定光を生成する半導体発光素子において、キャリア集中現象を引き起こす長波長側の活性層のみ選択し、量子点または結晶体のような不連続的な量子井戸構造に代替した全ての発光素子の形態を含むものとする。

従って、本発明は上述の実施形態及び添付の図面により限定されず、添付の請求範囲により限定されるべきものである。請求範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内で当技術分野の通常の知識を有する者により多様な形態の置換、変形及び変更をなすことが可能であり、これらもまた本発明の範囲に属すると言える。

以上のように、本発明の半導体発光素子は照明装置またはディスプレー装置のバックライトに有用であり、特に、特定の波長光を組合わせて高効率を有するモノリシック白色発光素子を製造するのに適している。

従来の白色発光素子を示す断面図である。 従来の白色発光素子の活性領域に対するエネルギーバンド図である。 本発明の一実施形態による白色発光素子を示す断面図である。 図３に図示された白色発光素子の活性領域を各々異なる垂直方向で示したエネルギーバンド図である。 図３に図示された白色発光素子の活性領域を各々異なる垂直方向で示したエネルギーバンド図である。 本発明の一活性層に採用された不連続量子構造の形成面を示す斜視図である。 本発明の他の実施形態による白色発光素子を示す断面図である。

符号の説明

１０ 白色発光素子
１２ バッファ層
１１ 基板
１３ 第１導電型窒化物層
１５、１６、１７ 活性層
１４ａ、１４ｂ、１４ｃ バリア層
１８ 第２導電型窒化物層
１９ａ、１９ｂ 電極
３０、６０ 白色発光素子
３２、５２、６２ バッファ層
３１、５１、６１ 基板
３３、５３、６３ 第１導電型窒化物層
３８、５８、６８ 第２導電型窒化物層
３５、３６、５６ 緑色活性層
３７、５７ 赤色活性層
３７ａ、５７ａ、６７ａ 量子障壁層
３７ｂ、５７ｂ、６７ｂ 量子点（結晶体）（量子井戸構造）
５５ 青色活性層
６５ 第１活性層
６７ 第２活性層

Claims (10)

1. 第１及び第２導電型窒化物層とその間に順次に形成された異なる波長の光を発光する複数の活性層を有する窒化物半導体発光素子において、
   前記複数の活性層は複数の第１量子障壁層と第１量子井戸層で構成された少なくとも一つの第１活性層と、前記第１活性層の発光波長より大きい発光波長を有する第２活性層を含み、
   前記第２活性層は複数の第２量子障壁層と前記複数の第２量子障壁層との間に各々形成された多数の量子点または結晶体（ｃｒｙｓｔａｌｌｉｔｅｓ）からなる少なくとも一つの不連続的な量子井戸構造を有することを特徴とする半導体発光素子。
2. 前記多数の量子点または結晶体が形成された総面積は前記第２量子障壁層上面の全面積に対し２０〜７５％であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
3. 前記活性層は少なくとも４個の量子障壁層を含み、前記少なくとも４個の量子障壁層の間に各々形成された多数の量子点または結晶体からなる少なくとも３個の不連続的な量子井戸構造を有することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子。
4. 前記第１活性層は約４５０〜４７５ｎｍの発光波長を有し、前記第２活性層は約５５０〜６００ｎｍの発光波長を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
5. 前記第１活性層は各々約４５０〜４７５ｎｍの発光波長と約５１０〜５３５ｎｍの発光波長を有する２個の活性層を含み、前記第２活性層は約６００〜６３５ｎｍの発光波長を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
6. 前記少なくとも一つの第１活性層はＩｎ_x1Ｇａ_1-x1Ｎ（０≦ｘ１≦１）からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
7. 前記第２活性層はＩｎ_x2Ｇａ_1-x2Ｎ（０≦ｘ２≦１）からなることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
8. 前記第２活性層中前記不連続的な量子井戸構造はＡｌ_yＩｎ_zＧａ_1-(y+z)Ｎ（０＜ｙ＜１、０＜ｚ＜１）または（Ａｌ_vＧａ_1-v）_uＩｎ_1-uＰ（０≦ｖ≦１、０≦ｕ≦１）からなることを特徴とする請求項７に記載の半導体発光素子。
9. 前記第１及び第２導電型窒化物半導体層は各々ｎ型及びｐ型窒化物半導体層であり、
   前記第２活性層は前記第２導電型窒化物半導体層に隣接して位置したことを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
10. 前記第１及び第２導電型窒化物半導体層は各々ｎ型及びｐ型窒化物半導体層であり、前記少なくとも一つの第１活性層は異なる発光波長を有する複数個であり、
    前記複数の第１活性層及び前記第２活性層はその発光波長が長波長であるほど前記第２導電型窒化物半導体層に近接して位置するように配列されたことを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体発光素子。

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