JP2007019031A - 放射線源、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
放射線源、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007019031A JP2007019031A JP2006211722A JP2006211722A JP2007019031A JP 2007019031 A JP2007019031 A JP 2007019031A JP 2006211722 A JP2006211722 A JP 2006211722A JP 2006211722 A JP2006211722 A JP 2006211722A JP 2007019031 A JP2007019031 A JP 2007019031A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- anode
- radiation source
- cathode
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
- F28D—HEAT-EXCHANGE APPARATUS, NOT PROVIDED FOR IN ANOTHER SUBCLASS, IN WHICH THE HEAT-EXCHANGE MEDIA DO NOT COME INTO DIRECT CONTACT
- F28D15/00—Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies
- F28D15/02—Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies in which the medium condenses and evaporates, e.g. heat pipes
- F28D15/0266—Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies in which the medium condenses and evaporates, e.g. heat pipes with separate evaporating and condensing chambers connected by at least one conduit; Loop-type heat pipes; with multiple or common evaporating or condensing chambers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/7015—Details of optical elements
- G03F7/70166—Capillary or channel elements, e.g. nested extreme ultraviolet [EUV] mirrors or shells, optical fibers or light guides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
- H05G2/005—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas containing a metal as principal radiation generating component
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
【課題】放射線への電気エネルギーの変換効率を改善する。
【解決手段】アノードおよびカソードを備え、該アノードおよびカソードが、該アノードとカソードとの間の空間内の物質内で放電を行い、電磁放射線を生成するためにプラズマを形成するように構成され、配置されている放射線源の変換効率を改善するために、上記放射線源ユニットは、インダクタンスが低くなるように、また最小のプラズマで動作するように構成される。 熱の消散を改善するために、流体循環システムが、その気相および液相の両方で流体を使用することにより上記放射線源空間およびウィック内に形成される。 汚染物がリソグラフィ投影装置に入り込むのを防止するために、放射線源ユニットは、汚染物の生成を最低限度に抑えるように構成され、放出される放射線と干渉を起こさないで、汚染物を捕捉するためにトラップが使用される。
【選択図】図2
【解決手段】アノードおよびカソードを備え、該アノードおよびカソードが、該アノードとカソードとの間の空間内の物質内で放電を行い、電磁放射線を生成するためにプラズマを形成するように構成され、配置されている放射線源の変換効率を改善するために、上記放射線源ユニットは、インダクタンスが低くなるように、また最小のプラズマで動作するように構成される。 熱の消散を改善するために、流体循環システムが、その気相および液相の両方で流体を使用することにより上記放射線源空間およびウィック内に形成される。 汚染物がリソグラフィ投影装置に入り込むのを防止するために、放射線源ユニットは、汚染物の生成を最低限度に抑えるように構成され、放出される放射線と干渉を起こさないで、汚染物を捕捉するためにトラップが使用される。
【選択図】図2
Description
本発明は、アノードおよびカソードを備え、該アノードおよびカソードが、該アノードとカソードとの間の空間内の物質内で放電を行い、電磁放射線を生成するためにプラズマを形成するように構成され、配置されている放射線源ユニットに関する。さらに、本発明は、上記放射線源ユニットを有するリソグラフィ投影装置に関する。上記放射線源ユニットは、放射線の投影ビームを供給するための放射線システムと、所望のパターンに従って投影ビームをパターン形成する働きをするパターニング手段を支持するための支持構造と、基板を保持するため基板テーブルと、基板の目標部分上にパターン化されたビームを投影するための投影システムとを備える。
本明細書において使用する「パターニング手段」という用語は、入射する放射線ビームに、基板の目標部分に形成されるパターンに対応するパターン化された断面を与えるために使用することができる手段を指すものとして広義に解釈されるべきである。「ライト・バルブ」という用語もこの意味で使用することができる。一般的に、上記パターンは、集積回路または他のデバイス(下記の説明を参照)などの目標部分に形成中のデバイスの特定の機能層に対応する。このようなパターニング手段としては、下記のものがある。すなわち、
マスク。マスクの概念は、リソグラフィにおいて周知のものであり、バイナリ・マスク・タイプ、レベンソン・マスク・タイプ、減衰位相シフト・マスク・タイプおよび種々のハイブリッド・マスク・タイプ等がある。放射線ビーム内にこのようなマスクを置くと、マスク上のパターンにより、マスク上に入射する放射線が選択的に透過(透過性マスクの場合)または選択的に反射(反射性マスクの場合)される。マスクの場合には、支持構造は、一般的に、確実にマスクを入射放射線ビーム内の所望の位置に保持することができ、ビームに対してマスクを必要に応じて移動することができるようなマスク・テーブルである。
プログラマブル・ミラー・アレイ。このようなデバイスの一例としては、粘弾性制御層および反射面を有するマトリックス・アドレス可能面がある。このような装置の基本的原理は、(例えば)反射面のアドレスされた領域が入射光を回折光として反射し、アドレスされていない領域は入射光を非回折光として反射するという原理である。適当なフィルタを使用することにより、反射ビームから上記の非回折光をろ過して回折光だけを後に残すことができる。このようにして、ビームは、マトリックス・アドレス可能面のアドレス・パターンに従ってパターン形成される。必要なマトリックス・アドレッシングは、適当な電子手段により行うこともできる。このようなミラー・アレイのより詳細な情報は、例えば、米国特許第5,296,891号および米国特許第5,523,193号に開示されているので詳細は、これら文献を参照されたい。プログラマブル・ミラー・アレイの場合には、上記支持構造を、例えば、必要に応じて固定式にも移動式にもすることができるフレームまたはテーブルの形で実施することができる。
プログラマブルLCDアレイ。このような構造の一例は、米国特許第5,229,872号に記載されているので詳細は、これら文献を参照されたい。すでに説明したように、この場合の支持構造は、例えば、必要に応じて固定式にも移動式にもすることができるフレームまたはテーブルの形で実施することができる。
マスク。マスクの概念は、リソグラフィにおいて周知のものであり、バイナリ・マスク・タイプ、レベンソン・マスク・タイプ、減衰位相シフト・マスク・タイプおよび種々のハイブリッド・マスク・タイプ等がある。放射線ビーム内にこのようなマスクを置くと、マスク上のパターンにより、マスク上に入射する放射線が選択的に透過(透過性マスクの場合)または選択的に反射(反射性マスクの場合)される。マスクの場合には、支持構造は、一般的に、確実にマスクを入射放射線ビーム内の所望の位置に保持することができ、ビームに対してマスクを必要に応じて移動することができるようなマスク・テーブルである。
プログラマブル・ミラー・アレイ。このようなデバイスの一例としては、粘弾性制御層および反射面を有するマトリックス・アドレス可能面がある。このような装置の基本的原理は、(例えば)反射面のアドレスされた領域が入射光を回折光として反射し、アドレスされていない領域は入射光を非回折光として反射するという原理である。適当なフィルタを使用することにより、反射ビームから上記の非回折光をろ過して回折光だけを後に残すことができる。このようにして、ビームは、マトリックス・アドレス可能面のアドレス・パターンに従ってパターン形成される。必要なマトリックス・アドレッシングは、適当な電子手段により行うこともできる。このようなミラー・アレイのより詳細な情報は、例えば、米国特許第5,296,891号および米国特許第5,523,193号に開示されているので詳細は、これら文献を参照されたい。プログラマブル・ミラー・アレイの場合には、上記支持構造を、例えば、必要に応じて固定式にも移動式にもすることができるフレームまたはテーブルの形で実施することができる。
プログラマブルLCDアレイ。このような構造の一例は、米国特許第5,229,872号に記載されているので詳細は、これら文献を参照されたい。すでに説明したように、この場合の支持構造は、例えば、必要に応じて固定式にも移動式にもすることができるフレームまたはテーブルの形で実施することができる。
説明を簡単にするために、本明細書の残りの部分のいくつかの箇所では、マスクまたはマスク・テーブルを含む例について集中的に説明する。しかし、このような例において説明する一般的原理は、すでに説明したように、パターニング手段の広義な意味で理解されたい。
リソグラフィ投影装置は、例えば、集積回路(IC)の製造の際に使用することができる。このような場合、パターニング手段はICの個々の層に対応する回路パターンを形成することができ、このパターンを、放射線感光材料(レジスト)層でコーティングされた基板(シリコン・ウェハ)上の目標部分(例えば、1つまたはそれ以上のダイを含む)に画像として形成することができる。一般的に、1つのウェハは、1回に1つずつ、投影システムにより連続的に照射される隣接する目標部分の全ネットワークを含む。1つのマスク・テーブル上に1つのマスクによりパターン形成を行う現在の装置の場合、2つの異なるタイプの機械を区別することができる。リソグラフィ投影装置の1つのタイプの場合には、1回の動作で目標部分上に全マスク・パターンを露光することにより、各目標部分を照射することができる。このような装置は、通常、ウェハ・ステッパと呼ばれる。通常、ステップ・アンド・スキャン装置と呼ばれる別の装置の場合には、所与の基準方向(「走査」方向)の投影ビームの下で、マスク・パターンを順次走査し、一方この方向に平行または非平行に基板テーブルを同期状態で走査することにより、各目標部分が照射される。一般的に、投影システムは、倍率計数M(一般的に、1より小さい)を有しているので、基板テーブルが走査される速度Vは、マスク・テーブルが走査される速度に計数Mを掛けたものになる。本明細書に記載するリソグラフィ・デバイスについてのより詳細な情報は、例えば、米国特許第6,046,792号に開示されており、詳細は、この文献を参照されたい。
リソグラフィ投影装置を使用する製造プロセスの場合には、パターン(例えば、マスクにおける)は、放射線感光材料(レジスト)の層で少なくとも一部が覆われている基板上に像形成される。この像形成ステップを行う前に、プライミング、レジスト・コーティングおよびソフト・ベークなどの種々の処理を基板に対して行うことができる。露光後、露光後ベーク(PEB)、現像、ハードベークおよび像形成特性の測定/検査などの他の種々の処理を基板に対して行うことができる。このような一連の処理は、例えば、ICのようなデバイスの個々の層をパターン形成する際の基準として使用される。次に、このようにパターン化された層に対して、エッチング、イオン注入(ドーピング)、メタライゼーション、酸化、化学機械的研磨などの種々のプロセスを行うことができる。これらすべてのプロセスは、個々の層を仕上げるためのものである。いくつかの層が必要な場合には、全処理またはそれを修正したものを新しい各層に対して行わなければならない。最終的に、デバイスのアレイが基板(ウェハ)上に形成される。次に、これらのデバイスは、ダイシングまたはソーイングのような技術により相互に切り離され、それにより、個々のデバイスをキャリヤ上に装着することもできるし、ピン等に接続することもできる。このようなプロセスに関するより詳細な情報は、例えば、1997年にマグローヒル出版社より刊行された、Peter van Zant著、「マイクロチップ製造:半導体処理に対する実用ガイド」という名称の書籍(“Microchip Fabrication:A Practical Guide to Semiconductor Processing”)の第3版、ISBN0−07−067250−4に開示されているので詳細は、この文献を参照されたい。
説明を簡単にするために、今後は投影システムを「レンズ」と呼ぶことにする。しかし、この用語は、例えば、屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系を含む種々のタイプの投影システムを含むものと広義に解釈されるべきである。放射線システムは、また、放射線の投影ビームの誘導、成形または制御のためのこれらの設計タイプのうちのどれかにより動作する構成要素を含むこともできる。これらの構成要素も、以下の説明においては、集合的にまたは単独で「レンズ」と呼ぶことにする。さらに、リソグラフィ装置は、2つまたはそれ以上の基板テーブル(および/または2つまたはそれ以上のマスク・テーブル)を有するタイプのものであってもよい。このような「多段」デバイスの場合には、追加テーブルを並列に使用することもできるし、または1つまたはそれ以上のテーブルを露光のために使用している間に、1つまたはそれ以上のテーブル上で準備ステップを実行することもできる。2段リソグラフィ装置については、米国特許第5,969,441号および国際特許出願第WO98/40791号に開示されているので詳細は、この文献を参照されたい。
リソグラフィ装置においては、ウェハ上に像形成することができる主要な点のサイズは、投影放射線の波長により制限される。デバイスの密度が高い、すなわち、動作速度が速い集積回路を製造するためには、もっと小さな主要な点を像形成することができることが望ましい。大部分の現在のリソグラフィ投影装置は、水銀ランプまたはエキシマレーザが発生する紫外線を使用しているが、約13nmの短い波長の放射線の使用が提案されている。このような放射線は、極紫外線と呼ばれ、またXUVまたはEUV放射線とも呼ばれる。略語「XUV」は、一般的に、軟X線および真空UV範囲を含むナノメートルの数十分の1から数十ナノメートルの範囲内の波長を指す。一方、「EUV」という用語は、通常、リソグラフィ(EUVL)と一緒に使用され、約5〜20nmの放射範囲、すなわち、XUV範囲の一部を指す。
XUV放射線の放射線源としては、アノードとカソードとの間の物質(例えば、ガスまたは蒸気)内の放電によりプラズマが発生し、またプラズマを通して流れる(パルス)電流によるオーム加熱により高温放電プラズマを発生することができる放電プラズマ放射線源を使用することができる。さらに、プラズマを通して流れる電流による磁界によるプラズマの圧縮を、放電軸上に高温高密度プラズマを発生するために使用することができる(ピンチ効果)。蓄積された電気エネルギーは、直接プラズマ、すなわち、短い波長の放射線に移行する。ピンチにより、放電軸上にかなりの高温および高密度のプラズマができ、蓄積された電気エネルギーは、非常に高い変換効率で、熱プラズマ・エネルギー、すなわち、XUV放射線に変換される。プラズマ焦点、Zピンチ、中空カソードおよび毛細管放電源のようなプラズマ放電デバイスの構造および動作はいろいろであるが、これらの各タイプにおいては、放電電流が発生する磁界が圧縮を行う。
図7A〜図7Eは、このような放電プラズマ放射線源の構造および動作に関する背景情報を提供するためだけの一例である。図7A〜図7Eは、従来技術によるZピンチ中空カソード・タイプの放電プラズマ放射線源の略図である。放電ソースLAは、円筒状の対称形であり、電気的に絶縁体の円筒状の壁部725により接続しているアノード710およびカソード720を備える。開口部711が、放電ソースLAからの電磁放射線を通すために、アノード710の中心軸Aのところに設けられている。中空カソード720は、中心軸Aの周囲に環状開口部721を備え、さらに開口部721の背後に大きな凹部722を有する。凹722は、また、中心軸Aの周囲に環状構成を有し、凹部の壁部は、カソード720の一部である。放電電源(図示せず)は、放電源LA内のアノード−カソード・ギャップを横切ってパルス電圧Vを供給するために、アノード710およびカソード720に接続している。さらに、アノードとカソード間にある圧力pで、放電材料供給源(図示せず)により適当なガスまたは蒸気が供給される。適当な材料の例としては、キセノン、リチウム、錫およびインジウムなどがある。
放電は、低い初期圧力(p<0.5トール)および高電圧(V<10kV)条件下で発生させることができる。この場合、アノード−カソード間ギャップの大きさに比較すると、電子平均自由経路は大きく、そのため電子なだれは有効でなくなる。これらの条件の特徴は、ガスまたは蒸気密度に対する電界強度比E/Nが大きいことである。この段は、図7Aに示すように、固定電位差を有するどちらかといえば間隔の等しい等電位線EPを示す。イオン化の成長は、最初、かなり低いE/Nで動作する中空カソード720内部のイベントにより支配され、その結果、電子に対する平均自由経路は短くなる。中空カソード720からの、および凹部722内のガスまたは蒸気からの電子eは、アノード−カソード間ギャップ内に注入され、仮想アノードが進行中からのイオン化により生成され、この仮想アノードは、アノード710から中空カソード720の方に伝搬し、不均等に分布している等電位線EPにより、図7Bに示すようにカソードに近い全アノード電位を運ぶ。カソード720の中空凹部722内の電界は、有意に増大している。
次の段階においても、イオン化は引き続き行われ、カソード開口部721の直後の中空カソード720内の高密度プラズマの領域が急速に拡大する。最後に、同様に図7Bに示すように、この領域からアノード−カソード間ギャップ内への電子eの強力なビームの注入により、最後のブレークダウン・チャネルが形成される。この構成は、放電空間中に均等な予備イオン化およびブレークダウンを供給する。図7Cは、放電がスタートし、ガスまたは蒸気の低温プラズマ735が、アノード−カソード間ギャップ内に形成された状態を示す。電流はプラズマ内をカソード720からアノード710に流れる。この電流は、放電源LA内で磁界強度Hを有する方位角磁界を誘起する。方位角磁界により、プラズマ735は円筒状の壁部725から離れ、図7Cに略図で示すように圧縮される。
さらに、図7Dに示すように、プラズマの動的圧縮が行われる。何故なら、方位角磁界の圧力は、温度プラズマ圧力より遥かに高いからである。H2/8p>>nkT。ここで、nはプラズマ粒子密度を表し、kはボルツマン定数を表し、Tはプラズマの絶対温度を表す。アノード710およびカソード720に接続しているコンデンサ・バンク(図示していない放電電源の一部)内に蓄積された電気エネルギーは、プラズマ圧縮の全期間中に、運動爆縮のエネルギーに最も効率的に変換される。高い空間的な安定を有する均質に満たされたピンチ(プラズマ・ピンチ)745が発生する。プラズマ圧縮の最後の段階で、すなわち、中央または放電軸A上のプラズマの停滞で、プラズマの運動エネルギーは、プラズマの熱エネルギーに完全に変換され、最後に、(図7Eに示すように)XUVおよびEUV範囲内で非常に大きく貢献する電磁放射線740に変換される。
放電プラズマ源を使用している場合には、粒子、プラズマおよび蒸気などの放射線源からの汚染の危険が、リソグラフィ投影装置に移行する恐れがある。周知の一般的な解決方法は、一次収集光学系として、放射線源ユニット内に、図8の断面に示すようなグレージング入射収集装置880を使用する方法である。グレージング入射収集装置880は、通常、光学軸Aを中心にしてほぼ同心状に配列されている複数の類似の形のシェル803を備える。このような収集装置は、放出される放射線840の入射角度801を約10〜20度以下に維持した場合には、高い反射率(約70〜100%)を示す。図面を簡単にするために、図8には、2つのほぼ円筒状のシェル803だけを示す。シェル803は、例えば、高い反射性を供給し、放射線源から放出される汚染と反応しないパラジウムまたはモリブデンのような適当な材料から作ることができる。
図6は、従来技術による閉鎖ヒートパイプの一例である。この閉鎖ヒートパイプは、以下に説明する放射線源内の1つの可能な伝熱機構として使用される。閉鎖ヒートパイプ270は、密閉コンテナ272、毛細管現象による液供給面(ウィック)265、およびウィック265を飽和させる(湿潤させる)液体262を備える。密閉コンテナ272は、例えば、銅、アルミニウム、鋼鉄、ニッケルまたはタングステンのような適当な材料から作ることができる。液体262は、その特性(液体および蒸気の粘度の低い値、高い熱伝導性、気化の高い潜熱)およびヒートパイプ270が使用される温度範囲に基づいて選択される。例えば、1000〜2000℃の温度範囲においては、ナトリウム、リチウムまたは銀を使用することができる。ウィック265は、通常、金属フォーム、金属フェルト、セラミック、炭素繊維、焼結粉末、1つまたはそれ以上のスクリーン・メッシュ、密閉コンテナ272の内部上の溝、またはこれらの形態の組合わせから作られる。
熱源205が閉鎖ヒートパイプ270の一部に対して適用されると、ウィック265内の液体262が沸騰し、蒸気266を形成する。液体262より高い圧力を有する蒸気266は、反対側の端部に移動し(268)、そこで冷却デバイス275により冷却される。蒸気は凝縮し267、気化の潜熱を放出する。液体はウィック265内に入り、毛細管駆動力により液体は熱源205に近い領域に戻る。ウィック265を使用することにより、ヒートパイプ270は重力の影響を受けなくなり、そのため、ヒートパイプを好きな方向に向けて使用することができる。一般的に、ヒートパイプは、対象物を直接冷却できない場所で使用される。ヒートパイプは、熱をもっと容易に冷却を行える場所に移動する。
一般的に、多くの改良を行わなければ、例えば、集積回路のようなデバイスの大規模な製造に、ガス放電プラズマによるEUV製造が適当である(生産価値がある)と見なすことはできない。これらの改良としては、下記のものがある。すなわち、
変換効率をもっと高くする方法。電流源は、通常、約0.5%の変換効率(入力電力に対する必要な波長での出力電力の比率)しか持たないので、大部分の入力電力は熱に変換される。
熱の除去(冷却)を効率的に行う方法。2つの成分、すなわち、放電中のプラズマ・ジェットからのピーク熱負荷、および反復放電による平均熱負荷を区別することができる。熱が拡散する領域は、通常制限されていて、発生に見合う放射線源を達成するために、電力レベルおよび反復速度が増大すると、熱の除去は非常に重要な問題になってくる。1つまたはそれ以上の電極の過熱が発生する恐れがあり、電極の幾何学的形状が変化すると(変形すると)、ピンチ・サイズおよびピンチ位置が影響を受ける。
パルス・タイミングおよびエネルギーを安定させる方法。リソグラフィ投影装置と一緒に使用するためには、放射線源は、投影中電力を安定して発生しなければならない。例えば、EUVパルス・タイミングが変動したり(ジッタ)、ピンチ位置およびピンチ・サイズが変動したり、およびEUVパルス・エネルギーが変動したりすると、安定した電力発生に悪影響がある。
電極の腐食を低減する方法。発生したプラズマは、電極を腐食させる恐れがある。何故なら、電極は、高温、高密度プラズマが発生する軸上および/または軸に隣接して置かれている場合があるからである。このような腐食により電極の寿命が短くなり、放電空間内に含まれる汚染物の量が増大する。さらに、プラズマをトリガする電極の正しい機能は、電極の幾何学的形状間の所定の関係を含むいくつかの要因に依存している。電極の腐食または変形は、プラズマのトリガの瞬間および発生したEUV放射線のパルスのタイミングに影響を与える。
汚染放出による照明寿命の短縮。プラズマ源は、かなりの量の汚染物分子、イオンおよび他の(高速)粒子を放射する。このような粒子および分子が照明システムまで運ばれると、このような粒子および分子は、デリケートな反射装置および他の素子を破損する恐れがあり、光学素子の表面上に吸収層を堆積させる恐れがある。このような破損層および堆積層は、望ましくないビーム強度の低減を引き起こし、リソグラフィ投影装置の処理能力を低減する。さらに、このような層は、除去したり修理するのが難しい。
変換効率をもっと高くする方法。電流源は、通常、約0.5%の変換効率(入力電力に対する必要な波長での出力電力の比率)しか持たないので、大部分の入力電力は熱に変換される。
熱の除去(冷却)を効率的に行う方法。2つの成分、すなわち、放電中のプラズマ・ジェットからのピーク熱負荷、および反復放電による平均熱負荷を区別することができる。熱が拡散する領域は、通常制限されていて、発生に見合う放射線源を達成するために、電力レベルおよび反復速度が増大すると、熱の除去は非常に重要な問題になってくる。1つまたはそれ以上の電極の過熱が発生する恐れがあり、電極の幾何学的形状が変化すると(変形すると)、ピンチ・サイズおよびピンチ位置が影響を受ける。
パルス・タイミングおよびエネルギーを安定させる方法。リソグラフィ投影装置と一緒に使用するためには、放射線源は、投影中電力を安定して発生しなければならない。例えば、EUVパルス・タイミングが変動したり(ジッタ)、ピンチ位置およびピンチ・サイズが変動したり、およびEUVパルス・エネルギーが変動したりすると、安定した電力発生に悪影響がある。
電極の腐食を低減する方法。発生したプラズマは、電極を腐食させる恐れがある。何故なら、電極は、高温、高密度プラズマが発生する軸上および/または軸に隣接して置かれている場合があるからである。このような腐食により電極の寿命が短くなり、放電空間内に含まれる汚染物の量が増大する。さらに、プラズマをトリガする電極の正しい機能は、電極の幾何学的形状間の所定の関係を含むいくつかの要因に依存している。電極の腐食または変形は、プラズマのトリガの瞬間および発生したEUV放射線のパルスのタイミングに影響を与える。
汚染放出による照明寿命の短縮。プラズマ源は、かなりの量の汚染物分子、イオンおよび他の(高速)粒子を放射する。このような粒子および分子が照明システムまで運ばれると、このような粒子および分子は、デリケートな反射装置および他の素子を破損する恐れがあり、光学素子の表面上に吸収層を堆積させる恐れがある。このような破損層および堆積層は、望ましくないビーム強度の低減を引き起こし、リソグラフィ投影装置の処理能力を低減する。さらに、このような層は、除去したり修理するのが難しい。
本発明の1つの目的は、放射線への電気エネルギーの変換効率を改善する放射線源を提供することである。
本発明のもう1つの目的は、過熱の恐れがなく、生産に見合った電力レベルおよび反復速度を供給する放射線源を提供することである。
本発明のさらにもう1つの目的は、XUV放射線の発生したパルス(ショット)の、安定していて一定のタイミングおよび一定のエネルギーを有する放射線源を提供することである。
本発明のさらにもう1つの目的は、隣接するリソグラフィ投影装置を最小限度にしか汚染しない放射線源を提供することである。
ある態様においては、本発明は、アノードおよびカソードを備え、該アノードおよびカソードが、該アノードとカソードとの間の放電空間内の物質内で放電を行い、電磁放射線を生成するためにプラズマを形成するように構成され、配置されている放射線源を提供する。上記放電空間を形成している壁部の灯心現象による液供給表面領域は、液体を上記毛細管現象による液供給表面領域と接触している液体タンクから上記放電空間に向けて液体を移送するための灯心現象による液供給機能を有する。液体は、キセノン、インジウム、リチウム、錫または任意の適当な材料を含むことができる。灯心現象による液供給面(ウィック)は、放電領域に液体を供給する便利な手段を供給し、放電空間に何時でも液体が存在するので、熱の放散が改善され電極の腐食が低減する。
他の態様においては、本発明は、放射線源の放電空間を形成している壁部の冷却表面領域が、上記放電空間から上記冷却表面へ熱を移動させるために、上記放電空間から気化した液体を凝縮するための冷却機能を提供する。熱の放散を改善するために、その蒸気および液体の状態の両方の流体により、放射線源空間およびウィック内に流体循環システムが形成されている。この流体は、放電が行われる物質内の流体と同じものであってもよいし、異なるものであってもよい。熱は、上記放電空間のところでの上記流体の蒸発により、また冷却素子に隣接する上記周辺部のところでの上記流体の凝縮により、上記放電空間から周辺部に移動する。
上記放射線源は、放電空間内に存在する蒸気の量を制御するための改善型の方法を供給し、放射線源が、放電空間内の最低量の蒸気で動作することができるように、上記放電空間に最も近い上記毛細管現象による液供給表面領域を照射するためのエネルギー・ビームを含むことができる。これにより、放出された放射線の吸収が低減し、エネルギー出力が増大し、またこれにより変換効率が増大する。
他の態様においては、本発明は、アノードおよびカソードを備え、該アノードおよびカソードが、該アノードとカソードとの間の放電空間内の物質内で放電を行い、電磁放射線を生成するためにプラズマを形成するように構成され、配置されている放射線源と、該放射線源の光学軸上に配置された中空レセプタクルとを備え、該中空レセプタクルの開放端部が、上記放射線源から放出される汚染物を捕捉するために上記放射線源の方を向いている放射線源ユニットを提供する。上記レセプタクルは、それを捕捉することにより、汚染物がリソグラフィ投影装置内に入り込むのを防止する。この防止効果はレセプタクルを冷却することによりさらに強化することができる。
もう1つの態様においては、本発明は、アノードおよびカソードを備え、該アノードおよびカソードが、該アノードとカソードとの間の放電空間内の物質内で放電を行い、電磁放射線を生成するためにプラズマを形成するように構成され、配置されていて、さらに、上記電磁放射線が放出される上記アノードおよびカソードのうちの一方に設けられている開口部を備えている放射線源を提供する。上記開口部は、上記放射線に対して上記開口部をほぼ開放状態に維持するが、電気的には上記開口部をほぼ閉鎖状態に維持するように配置された複数の導電性構造を備える。これにより、システムのインダクタンスが低減し、そのため変換エネルギーが増大する。さらに、もっと小さい電気的開口部がピンチ位置の安定性を増し、パルス毎のエネルギーの変動を低減する。
さらに他の態様においては、本発明は、アノードおよびカソードを備え、該アノードおよびカソードが、該アノードとカソードとの間の放電空間内の物質内で放電を行い、電磁放射線を生成するためにプラズマを形成するように構成され、配置されている放射線源を提供する。該放射線源は、放電空間を冷却するための少なくとも1つの閉鎖ヒートパイプを備える。閉鎖ヒートパイプを使用することにより、放射線源の構造が簡単になり、放電領域に最も近い寸法をさらに小さくすることができる。何故なら、冷却素子を放射線源LAの周辺部に移動させることができるからである。寸法が小さくなるということは、インダクタンスが小さくなり、放電領域内で加熱するプラズマが小さくなることを意味する。この両方の効果により変換効率が改善される。
さらに他の態様においては、本発明は、放射線の投影ビームを供給するための放射線システムと、所望のパターンにより、投影ビームをパターン形成する働きをするパターニング手段を支持するための支持構造と、基板を保持するための基板テーブルと、基板の目標部分にパターン化されたビームを投影するための投影システムとを備えるリソグラフィ投影装置を提供する。この放射線システムは、上記放射線源または放射線源ユニットを備える。
さらに他の態様においては、本発明は、放射線感光材料の層により少なくともその一部が覆われている基板を供給するステップと、上記放射線源または放射線源ユニットを備える放射線システムにより放射線の投影ビームを供給するステップと、投影ビームの断面をあるパターンにするためにパターニング手段を使用するステップと、放射線感光材料の層の目標部分上にパターン化されたビームを投影するステップとを含むデバイス製造方法を提供する。
ICの製造の際の本発明の装置の使用について、本明細書中に特に説明してあるが、このような装置は多くの他の用途にも使用できることを充分理解されたい。例えば、本発明の装置は、集積光学システム、磁気領域メモリ用の案内および検出パターン、液晶ディスプレイ・パネル、薄膜磁気ヘッド等の製造にも使用することができる。当業者であれば、このような別の用途の場合、本明細書に記載の用語「レチクル」、「ウェハ」または「ダイ」は、それぞれ、もっと一般的な用語「マスク」、「基板」および「目標部分」により置き換えることができることを理解することができるだろう。
本明細書においては、「放射線」および「ビーム」という用語は、紫外線(UV)(例えば、365、248、193、157、または126nmの波長を有する)、および極紫外線(EUV)(例えば、5〜20nmの波長を有する)を含むすべてのタイプの電磁放射線を含む。
添付の図面を参照しながら本発明のいくつかの実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。図面中、対応する参照記号は、対応する部分を示す。
当業者であれば、図面内の要素は、簡単に分かり易くしたもので、正確に縮尺したものでないことを理解することができるだろう。例えば、図面内の要素の中のいくつかの寸法は、本発明の実施形態を分かり易くするために他の要素に対して誇張した大きさになっている。
図1は、本発明の特定の実施形態のリソグラフィ投影装置の略図である。このリソグラフィ投影装置は、下記のもの、すなわち、
例えば、5〜20nmの波長を有するEUVのような放射線の投影ビームPBを供給するための放射線システムLA、ILを備え、この特定の例の場合には、放射線システムはまた放射線源LAを備え、さらに、
マスクMA(例えば、レチクル)を保持するためのマスク・ホルダーを備えていて、品目PLに対してマスクを正確に位置決めするための第1の位置決め手段PMに接続している第1のオブジェクト・テーブル(マスク・テーブル)MTと、
基板W(例えば、レジストでコーティングされたシリコン・ウェハ)を保持するための基板ホルダーを備えていて、品目PLに対して基板を正確に位置決めするための第2の位置決め手段PWに接続している第2のオブジェクト・テーブル(基板テーブル)WTと、
基板Wの目標部分C(例えば、1つまたはそれ以上のダイを備える)上にマスクMAの照射部分を像形成するための投影システム(「レンズ」)PLとを備える。
例えば、5〜20nmの波長を有するEUVのような放射線の投影ビームPBを供給するための放射線システムLA、ILを備え、この特定の例の場合には、放射線システムはまた放射線源LAを備え、さらに、
マスクMA(例えば、レチクル)を保持するためのマスク・ホルダーを備えていて、品目PLに対してマスクを正確に位置決めするための第1の位置決め手段PMに接続している第1のオブジェクト・テーブル(マスク・テーブル)MTと、
基板W(例えば、レジストでコーティングされたシリコン・ウェハ)を保持するための基板ホルダーを備えていて、品目PLに対して基板を正確に位置決めするための第2の位置決め手段PWに接続している第2のオブジェクト・テーブル(基板テーブル)WTと、
基板Wの目標部分C(例えば、1つまたはそれ以上のダイを備える)上にマスクMAの照射部分を像形成するための投影システム(「レンズ」)PLとを備える。
この図に示すように、装置は、反射タイプの(すなわち、反射マスクを有する)ものである。しかし、一般的に、装置は、例えば、(透過マスクを有する)透過タイプのものであってもよい。別の方法としては、装置は、上記のタイプのプログラマブル・ミラー・アレイのような他のタイプのパターニング手段を使用することもできる。
図1について説明すると、放電プラズマ源LAは、通常、リソグラフィ投影装置の動作と同期している一連のパルスとしての放射線のビームを発生する。このビームは、直接またはスペクトル・フィルタのような調節手段を通して、照明システム(照明装置)ILに送られる。照明装置ILは、ビーム内の強度分布の外部および/または内部放射範囲(通常、それぞれ、σ−outerおよびσ−innerと呼ばれる)を設定するための調整手段を備えることができる。さらに、照明装置は、一般的に、積分器およびコンデンサなどの種々の他の構成要素を備える。このようにして、マスクMAを照射するビームPBは、その断面内に所望の均一性と強度分布を有する。
図1については、放射線源LAは、リソグラフィ投影装置のハウジング内に収容することができるが、放射線源LAはリソグラフィ投影装置から離れた場所に設置することもでき、それが発生する放射線ビームは、例えば、誘導ミラーのような適当な光学構成要素によりリソグラフィ投影装置に送られる。本発明および特許請求の範囲は、これら両方のシナリオを含む。
次に、ビームPBは、マスク・テーブルMT上に保持されているマスクMAに当たる。マスクMAにより選択的に反射された後で、ビームPBは、レンズPLを通過し、レンズPLは、基板Wの目標部分C上にビームPBの焦点を結ぶ。第2の位置決め手段PW(および干渉計測手段IF)により、例えば、ビームPBの経路内で異なる目標部分Cに位置決めするために、基板テーブルWTを正確に移動することができる。同様に、第1の位置決め手段PMを、例えば、マスク・ライブラリからマスクMAを機械的に検索したあとで、または走査中に、ビームPBの経路に対してマスクMAを正確に位置決めするために使用することができる。一般的に、オブジェクト・テーブルMT、WTの移動は、図1にはハッキリと示していないロング・ストローク・モジュール(粗動位置決め)およびショート・ストローク・モジュール(微動位置決め)により行われる。しかし、(ステップ・アンド・スキャン装置とは反対に)ウェハ・ステッパの場合には、マスク・テーブルMTは、ショート・ストローク・アクチュエータに接続することもできるし、固定することもできる。
図の装置は、下記の2つのモードで使用することができる。
1. ステップ・モードの場合、マスク・テーブルMTは、本質的に固定されていて、全マスク画像は、目標部分C上に1回の動作で(すなわち、1回の「フラッシュ」で)投影される。次に、基板テーブルWTは、xおよび/またはy方向にシフトされ、その結果、異なる目標部分CをビームPBで照射することができる。
2. 走査モードの場合には、所与の目標部分Cが1回の「フラッシュ」で露光されない点を除けば、本質的に同じシナリオが適用される。代わりに、マスク・テーブルMTが、ある速度vで所与の方向(例えば、y方向のような、いわゆる「走査方向」)に移動することができ、その結果、投影ビームPBはマスク画像上を走査する。同時に、基板テーブルWTは、速度V=Mvで同じ方向または反対方向に同時に移動する。ここで、MはレンズPLの倍率である(通常、M=1/4または1/5である)。このようにして、解像度を犠牲にしないで、比較的大きな目標部分Cを露光することができる。
1. ステップ・モードの場合、マスク・テーブルMTは、本質的に固定されていて、全マスク画像は、目標部分C上に1回の動作で(すなわち、1回の「フラッシュ」で)投影される。次に、基板テーブルWTは、xおよび/またはy方向にシフトされ、その結果、異なる目標部分CをビームPBで照射することができる。
2. 走査モードの場合には、所与の目標部分Cが1回の「フラッシュ」で露光されない点を除けば、本質的に同じシナリオが適用される。代わりに、マスク・テーブルMTが、ある速度vで所与の方向(例えば、y方向のような、いわゆる「走査方向」)に移動することができ、その結果、投影ビームPBはマスク画像上を走査する。同時に、基板テーブルWTは、速度V=Mvで同じ方向または反対方向に同時に移動する。ここで、MはレンズPLの倍率である(通常、M=1/4または1/5である)。このようにして、解像度を犠牲にしないで、比較的大きな目標部分Cを露光することができる。
図2Aおよび図2Bは、本発明の放射線源ユニットを示す。放射線源LAは、中心軸Aの周囲に配置されている多数のほぼ同心の構造を備える。ほぼ円筒状のアノード10で囲まれているほぼ円筒状のカソード20は、環状の絶縁体30により上記アノード10から分離している。中空カソード20は、放射線源LAが図7A〜図7Eに示し本明細書で説明した例の動作と同じ方法で動作するように、凹部22および開口部21を備える。
プラズマ放電は、プラズマのピンチ形成部分45の位置を囲む中央領域内のカソード20とアノード開口部11との間にほぼ位置する放電空間内で主として発生する。図の実施形態の場合には、リチウムは、放射線源LAを動作するためのプラズマを生成するために使用される。リチウム・プラズマは、放射線源LAの全内部容積をほぼ含むプラズマ領域内で見ることができる。
アノード10およびカソード20は、絶縁体30がプラズマ領域からある距離だけ離れて位置するように構成され配置される。この距離は、リチウム蒸気を凝縮する絶縁体保護冷却素子50と一緒に、リチウムと絶縁体30が接触するのを防止し、それにより絶縁体30の起こりうる腐食を防止する。
本発明によれば、放射線源LAは、アノード10の壁部を放電空間から遠ざかるように延長することにより、プラズマ領域が延在しているという点で、通常のプラズマ放電源とは異なる。この延長空間により、半分の厚い縁部がついたペトリ皿に似ている、「皿」の中心にアノード開口部11を有し、「皿」の縁部に沿ってアノード冷却素子55を有する中空構造を有するアノード10ができる。
リチウムは、放射線源LA内のいくつかの位置に異なる形で存在する。すなわち、
リチウムを液状に保つために加熱素子64を備えるタンク60内の液体リチウム62、
プラズマ領域全体を満たしているリチウム・ガス、蒸気および/またはプラズマ、および
(図2Bに示すように)灯心作用面(ウィック)65内の液体リチウム62。カソード20およびアノード10の壁部の一部は、放射線源LAの動作中、液体リチウム62で飽和している(湿っている)ウィック65を含む。リチウムの小滴の形成を防止するために、ウィック65の表面は、100ミクロン未満の粗面Raを有する。
リチウムを液状に保つために加熱素子64を備えるタンク60内の液体リチウム62、
プラズマ領域全体を満たしているリチウム・ガス、蒸気および/またはプラズマ、および
(図2Bに示すように)灯心作用面(ウィック)65内の液体リチウム62。カソード20およびアノード10の壁部の一部は、放射線源LAの動作中、液体リチウム62で飽和している(湿っている)ウィック65を含む。リチウムの小滴の形成を防止するために、ウィック65の表面は、100ミクロン未満の粗面Raを有する。
図2Aに示すように、放射線源ユニットは、例えば、冷却ラインまたは任意の他の適当な手段であってもよい冷却素子と、
中空トラップ90内に冷却面を形成するように構成され、配置されている中空トラップ90を冷却するための中空トラップクーラー92と、
放電空間から最も遠くに延びる延長空間の端部のところに冷却面を形成するように構成され、配置されているアノード10を冷却するためのアノード・クーラー55と、
放電空間に最も近いカソード20の先端を冷却するように構成され、配置されている閉鎖ヒートパイプ70の一方の端部を冷却するためのカソード・クーラー75とを備える。図6に示しすでに説明した例に類似の閉鎖ヒートパイプ70は、カソード20の先端からカソード・クーラー75に近接する領域に熱を移動させるために、液体162で飽和している灯心作用面(ウィック)165を使用する。閉鎖ヒートパイプ70内のウィック165および液体162は、ウィック65および液体62と同じものであってもよいし、異なるものであってもよい。さらに、
カソード20およびアノード10の壁部上に冷却面を形成し、そのため、絶縁体30に到着する前にすべての蒸気を凝縮するように構成され、配置されている絶縁体保護クーラー50を備える。
中空トラップ90内に冷却面を形成するように構成され、配置されている中空トラップ90を冷却するための中空トラップクーラー92と、
放電空間から最も遠くに延びる延長空間の端部のところに冷却面を形成するように構成され、配置されているアノード10を冷却するためのアノード・クーラー55と、
放電空間に最も近いカソード20の先端を冷却するように構成され、配置されている閉鎖ヒートパイプ70の一方の端部を冷却するためのカソード・クーラー75とを備える。図6に示しすでに説明した例に類似の閉鎖ヒートパイプ70は、カソード20の先端からカソード・クーラー75に近接する領域に熱を移動させるために、液体162で飽和している灯心作用面(ウィック)165を使用する。閉鎖ヒートパイプ70内のウィック165および液体162は、ウィック65および液体62と同じものであってもよいし、異なるものであってもよい。さらに、
カソード20およびアノード10の壁部上に冷却面を形成し、そのため、絶縁体30に到着する前にすべての蒸気を凝縮するように構成され、配置されている絶縁体保護クーラー50を備える。
図2Bおよび図5A〜図5Cに示すように、アノード10は、2つのほぼ対称な開口部、すなわち、放出された放射線が通る放出開口部11と、プラズマのピンチ部分を制御するために使用するもっと直径の小さな電気的開口部12を備える。図5Aは、カソード20から見たアノード開口部11の平面図であり、図5Bおよび図5Cは、それぞれ、平面図を通して切断した断面E−EおよびF−Fである。アノード10は、放出開口部11より直径が小さい電気的開口部12を形成する複数の突起14を備える。各突起14は、冷却チャネル18を備える。放射線40は、電気的開口部12および突起14間のギャップ13を備える放出開口部11を通って放電空間から放出される。
図5A〜図5Cは、8つの突起14を示すが、突起の数、サイズおよび形状は任意の適当なものでよいことを理解することができるだろう。さらに、例えば、放出開口部より直径が小さい電気的開口部は、多くの他の方法で形成することができる。
図3A〜図3Bは、ワイヤの導電グリッド100の使用方法を示す。図3Aは、カソードから見た放出開口部11の平面図であり、図3Bは、平面図を切断した断面B−Bである。中空ワイヤを使用し、その中を冷却媒体を通し、ワイヤの数、サイズおよび形状を変化させ、同心/半径方向のグリッド・パターンを使用し、平行なワイヤの第2の組と直角以外の角度で交差する平行なワイヤのグリッドを使用し、またはこれらの手段の組合わせを使用することにより設計をさらに最適化することができる。
図3Cは、グリッド100が、いわゆる「フォイル・トラップ」または汚染物フィルタを形成するように、グリッド・ワイヤが延び、中心軸Aからそれるように回転している平面図の別の断面B−Bを示す。米国特許第6,359,969号に開示されているように、「フォイル・トラップ」は、汚染物を捕捉するように、放射線源ユニットの能力を向上させ、汚染物がリソグラフィ投影装置内に入り込むのを防止する。
図4A〜図4Cは、電気的開口部12に近いアノード10内に、ほぼ対称なギャップ13を形成することにより、直径の大きな放出開口部11を形成する方法を示す。図4Aは、カソードから見た平面図内のアノード開口部を示し、図4Bおよび図4Cは、平面図のそれぞれの断面C−CおよびD−Dを示す。冷却は、任意の適当な冷却媒体が通ることができるアノード10内の冷却チャネル18により行われる。図には8つのギャップしか示していないが、任意の適当な数、サイズおよび形状のギャップを使用することができることを理解することができるだろう。
図3A〜図3Bは、ワイヤの導電グリッド100の使用方法を示す。図3Aは、カソードから見た放出開口部11の平面図であり、図3Bは、平面図を切断した断面B−Bである。中空ワイヤを使用し、その中を冷却媒体を通し、ワイヤの数、サイズおよび形状を変化させ、同心/半径方向のグリッド・パターンを使用し、平行なワイヤの第2の組と直角以外の角度で交差する平行なワイヤのグリッドを使用し、またはこれらの手段の組合わせを使用することにより設計をさらに最適化することができる。
図3Cは、グリッド100が、いわゆる「フォイル・トラップ」または汚染物フィルタを形成するように、グリッド・ワイヤが延び、中心軸Aからそれるように回転している平面図の別の断面B−Bを示す。米国特許第6,359,969号に開示されているように、「フォイル・トラップ」は、汚染物を捕捉するように、放射線源ユニットの能力を向上させ、汚染物がリソグラフィ投影装置内に入り込むのを防止する。
図4A〜図4Cは、電気的開口部12に近いアノード10内に、ほぼ対称なギャップ13を形成することにより、直径の大きな放出開口部11を形成する方法を示す。図4Aは、カソードから見た平面図内のアノード開口部を示し、図4Bおよび図4Cは、平面図のそれぞれの断面C−CおよびD−Dを示す。冷却は、任意の適当な冷却媒体が通ることができるアノード10内の冷却チャネル18により行われる。図には8つのギャップしか示していないが、任意の適当な数、サイズおよび形状のギャップを使用することができることを理解することができるだろう。
図2Aに示すように、放電空間からの電磁放射線40は、中心軸Aに沿って放出開口部11から放出され、グレージング入射収集装置80により、放射線源LAの光学軸に沿ってリソグラフィ投影装置に誘導される。図の実施形態の場合には、放射線源LAおよび収集装置80の光学軸は中心軸Aと一致する。図には収集シェルは1つしか示していないが、グレージング入射収集装置80は、通常、図8に示しすでに説明した例の構造および動作に類似しているいくつかの同心シェルを備える。
中空トラップ90は、一方の端部が開き他方の端部が閉じた、グレージング入射収集装置80の中央領域内の光学軸の周囲にほぼ対称に配置されているほぼ円筒状のレセプタクルを備える。トラップ90の内面は、捕捉表面積を最大にするために粗面になっていて、また多孔性であり、捕捉を改善するために中空トラップ・クーラー92により冷却される。
放電電力源(図示せず)は、放射線源LA内のアノード電圧ギャップを介してパルス状の電圧Vを供給するために、アノード10およびカソード20に接続している。
放射線源LA(図2A〜図2Bに示す)は、放電プラズマをまさに形成しようとし、プラズマ領域をリチウム蒸気が満たしている定常状態により、以降のプラズマのピンチがまさに形成されようとする状態に導かれる。この定常状態の蒸気の流れは、その沸点に近いある温度で液体リチウム62を生成するために、タンク60内の加熱素子64により作られる。放射線源内のリチウム蒸気の圧力および流れは、下記の3つのメカニズム、すなわち、
液体リチウム62が、アノード10およびカソード20の表面上にいつも存在するように、毛細管駆動力により、ウィック65を通して流れるウィック65の全表面上での蒸気形成メカニズム、
加熱素子64によるタンク60内の液体リチウム62の加熱による蒸気形成機構66、および
クーラー50および55による蒸気凝縮メカニズム67により決まる。
液体リチウム62が、アノード10およびカソード20の表面上にいつも存在するように、毛細管駆動力により、ウィック65を通して流れるウィック65の全表面上での蒸気形成メカニズム、
加熱素子64によるタンク60内の液体リチウム62の加熱による蒸気形成機構66、および
クーラー50および55による蒸気凝縮メカニズム67により決まる。
リチウム蒸気の濃度が十分である場合には、放電電力源(図示せず)のサイクルが、放電およびプラズマのピンチ45の形成をトリガし、その結果、放出開口部11から放射線40のパルスが発生する。放射線40は、グレージング入射収集装置80を通してリソグラフィ投影装置内に誘導される。図2Bに示すように、追加のリチウム蒸気266が、放電の熱によりウィック65内の液体リチウムの蒸発の増大により放電空間内に形成される。
図2Aに示すように、リチウム蒸気は、アノード・クーラー55および絶縁体保護クーラー50により、放電空間からある距離のところで凝縮する67。この液体は、ウィック65内に流入するか、またはタンク60内に流入する。
ピンチの位置およびタイミングは、電気的開口部12の寸法により影響を受ける。ピンチ45の位置の変動は、(図2Bに示すように)電気的開口部12の直径の約1/10であると計算されているので、放出開口部11を変更しないで、電気的開口部12を低減することによりピンチの安定性は改善される。
放電空間は、下記の多数の異なるメカニズムにより冷却される。すなわち、
熱をカソード20からシステムの周辺部に移動させるために、図6に示しすでに説明した例とほぼ同じ閉鎖ヒートパイプ70を使用する放電空間LA(図2B);
アノード10、カソード20、ウィック65、ウィック内の液体リチウムおよびアノード・クーラーを備える密閉されていないヒートパイプ構成(開放ヒートパイプ)を備える放射線源LA(図2A)。放電の熱により液体リチウムが気化すると266、図6に示しすでに説明した例と同じ方法で、蒸気の移動により、熱は放電空間からシステムの周辺部に移動する;
周辺部への熱移動のためさらなるチャネルが開放ヒートパイプ構造内のプラズマ波の伝搬により得られる。熱移動のこの方法は、プラズマ熱伝播メカニズム(PHTM)と呼ばれる。
図5A〜図5Cに示すように、放電空間に最も近い突起14の先端は、冷却チャネル18を通して適当な媒体を流すことにより冷却される。
熱をカソード20からシステムの周辺部に移動させるために、図6に示しすでに説明した例とほぼ同じ閉鎖ヒートパイプ70を使用する放電空間LA(図2B);
アノード10、カソード20、ウィック65、ウィック内の液体リチウムおよびアノード・クーラーを備える密閉されていないヒートパイプ構成(開放ヒートパイプ)を備える放射線源LA(図2A)。放電の熱により液体リチウムが気化すると266、図6に示しすでに説明した例と同じ方法で、蒸気の移動により、熱は放電空間からシステムの周辺部に移動する;
周辺部への熱移動のためさらなるチャネルが開放ヒートパイプ構造内のプラズマ波の伝搬により得られる。熱移動のこの方法は、プラズマ熱伝播メカニズム(PHTM)と呼ばれる。
図5A〜図5Cに示すように、放電空間に最も近い突起14の先端は、冷却チャネル18を通して適当な媒体を流すことにより冷却される。
ウィック65(図2A〜図2B)から液体リチウムが蒸発すると266、熱を放散するための手段を供給するばかりでなく、電極、アノード10およびカソード20が腐食から保護される。電極面からのリチウムの質量が制限された蒸発が行われると、電極上に薄いリチウムのフィルムが形成され、放射線源LAからリソグラフィ投影装置の光学系に通過するかもしれない汚染物95が低減する。
本発明により汚染物は最小限度まで低減されたが、放射線源が動作すると、放電空間から汚染物95が流れる恐れがある。例えば、リチウム蒸気、リチウム・プラズマまたは電極面からの浸食材料が、EUV源のさらに下流の任意の光学素子に損傷を与える恐れがある。本発明によれば、大部分の汚染物95は中空トラップ90に入り、そこで幾何学的形状(円筒状の形状)、トラップの内側の表面領域(粗面と多孔性)および冷却92との組合わせを用いて捕捉される。図ではトラップは一方の端部が開いている円筒形をしているが、グレージング入射収集装置80の表面上を通過する放出された放射線40に干渉しない限り、例えば、球形、円錐形、または放物線のような任意の適当な幾何学的形状を使用することができる。通常、中空トラップ90は、グレージング入射収集装置80の中央シェルとほぼ同じ形をしている。
別の方法としては、放電空間に近い領域を電子ビームが加熱するために電子ビーム・ゼネレータを配置すると、リチウム蒸気をよりよく制御することができ、そのため放電条件を改善することができる。タンク60内で加熱素子64を使用することにより、リチウム62は、融点に近い温度において液相を維持する。一定の間隔で、放電空間に近い液体リチウム62を含む領域に対して電子ビームが発射され、リチウム蒸気が発生する。これは、放電空間中に最低量の蒸気および/または低温のプラズマしか存在しない場合でも、放射線源が動作することができ、そのため放出されたEUV放射線の吸収を最低限度まで低減できるという利点がある。これにより、放射線源の変換効率が効果的に改善される。電子ビームによる電極の腐食は、それを保護する液体リチウムの層により大幅に低減する。別の方法としては、放電空間に近い第2の従来の加熱素子を電子ビーム・ヒータの代わりに使用することができる。
電子ビームで、放電空間に近いカソード20とアノード10との間に置かれたリチウムの液体の小滴またはソリッドワイヤ(約100ミクロン以下)を蒸発(爆発)させて、電極の全腐食を防止するのが有利である場合がある。
上記いずれの使用の場合でも、電子ビームの代わりに、波長、インパルス毎のエネルギーおよびパルス幅などのレーザ・パラメータを使用して蒸気濃度を変化させることができる、例えば、レーザ・ビームのような他の放射線ビームまたは粒子ビームを使用することができる。例えば、アノード10またはカソード20の表面からリチウムを蒸発させるために使用するNd−YAGレーザは、波長1.04ミクロン、インパスル毎のエネルギー10〜100mj、およびパルス幅1〜100nsというパラメータで動作することができる。
本明細書においては、リチウムの使用にしぼって説明してきたが、当業者であれば、放射線源LAは、例えば、キセノン、インジウム、イリジウム、錫またはこれらの組合わせのような任意の適当な物質と一緒に動作することができることを理解することができるだろう。さらに、例えば、ある物質は、開放ヒートパイプ構造内の冷却のための物質であり、異なる物質は、放電のためのものであるような適当な物質の組合わせを使用することができる。
本発明の任意の態様およびその組合わせを、Zピンチ、毛細管放電またはプラズマ焦点デバイスのような放電に依存する任意のタイプの放射線源と一緒に使用することができる。冷却が改善され、パルス・タイミングの安定性が増強され、変換効率が改善されているヨーロッパ特許出願第02256486.8号に開示されている放射線源内でこれらの態様を使用すると特に有利である。
それ故、本発明の範囲は、図に示す実施形態によってでなく、添付の特許請求の範囲およびその相当物によって決定すべきものである。
Claims (2)
- 放射線源であって、アノードおよびカソードを備え、該アノードおよびカソードが、該アノードとカソードとの間の放電空間内の物質内で放電を行い、電磁放射線を生成するためにプラズマを形成するように構成され、配置されていて、さらに、前記電磁放射線が放出される前記アノードおよびカソードのうちの一方に設けられている開口部を備え、
前記開口部が、前記放射線に対して前記開口部を実質的に開放状態に維持するが、前記開口部を電気的に実質的に閉鎖するように配置された複数の導電構造を備えることを特徴とする放射線源。 - 前記構造が冷却されることを特徴とする請求項2に記載の放射線源。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP02256907 | 2002-10-03 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003376283A Division JP4188208B2 (ja) | 2002-10-03 | 2003-09-30 | 放射線源、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007019031A true JP2007019031A (ja) | 2007-01-25 |
Family
ID=32695567
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003376283A Expired - Fee Related JP4188208B2 (ja) | 2002-10-03 | 2003-09-30 | 放射線源、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2006211722A Pending JP2007019031A (ja) | 2002-10-03 | 2006-08-03 | 放射線源、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003376283A Expired - Fee Related JP4188208B2 (ja) | 2002-10-03 | 2003-09-30 | 放射線源、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6933510B2 (ja) |
JP (2) | JP4188208B2 (ja) |
KR (1) | KR100606498B1 (ja) |
CN (1) | CN100505974C (ja) |
SG (2) | SG129259A1 (ja) |
TW (1) | TWI252377B (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010539699A (ja) * | 2007-09-14 | 2010-12-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 回転フィルタデバイスを有するリソグラフィ装置 |
JP2011514648A (ja) * | 2008-03-17 | 2011-05-06 | サイマー インコーポレイテッド | レーザ生成プラズマeuv光源におけるターゲット材料送出のためのシステム及び方法 |
JP2012502492A (ja) * | 2008-09-11 | 2012-01-26 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射源およびリソグラフィ装置 |
JP2018194860A (ja) * | 2012-11-15 | 2018-12-06 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射源およびリソグラフィのための方法 |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7405416B2 (en) * | 2005-02-25 | 2008-07-29 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for EUV plasma source target delivery |
TWI229242B (en) * | 2002-08-23 | 2005-03-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus and particle barrier for use in said apparatus |
SG153664A1 (en) * | 2002-09-19 | 2009-07-29 | Asml Netherlands Bv | Radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method |
US7002168B2 (en) * | 2002-10-15 | 2006-02-21 | Cymer, Inc. | Dense plasma focus radiation source |
US7217941B2 (en) * | 2003-04-08 | 2007-05-15 | Cymer, Inc. | Systems and methods for deflecting plasma-generated ions to prevent the ions from reaching an internal component of an EUV light source |
DE10325151B4 (de) * | 2003-05-30 | 2006-11-30 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung für die Erzeugung und/oder Beeinflussung elektromagnetischer Strahlung eines Plasmas |
TWI237733B (en) * | 2003-06-27 | 2005-08-11 | Asml Netherlands Bv | Laser produced plasma radiation system with foil trap |
EP1774406B1 (en) * | 2004-07-22 | 2012-04-25 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Optical system having a cleaning arrangement |
US7329884B2 (en) * | 2004-11-08 | 2008-02-12 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method |
DE102004058500A1 (de) * | 2004-12-04 | 2006-06-08 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Betreiben einer elektrischen Entladevorrichtung |
US7485881B2 (en) | 2004-12-29 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, illumination system, filter system and method for cooling a support of such a filter system |
US7233010B2 (en) * | 2005-05-20 | 2007-06-19 | Asml Netherlands B.V. | Radiation system and lithographic apparatus |
JP5176037B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2013-04-03 | 国立大学法人大阪大学 | 極端紫外光源用ターゲット |
JP4429302B2 (ja) * | 2005-09-23 | 2010-03-10 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 電磁放射線源、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、および該製造方法によって製造されたデバイス |
DE102005055686B3 (de) * | 2005-11-18 | 2007-05-31 | Xtreme Technologies Gmbh | Anordnung zur Erzeugung kurzwelliger Strahlung auf Basis eines Gasentladungsplasmas sowie Verfahren zur Herstellung von kühlmitteldurchströmten Elektrodengehäusen |
US7479646B2 (en) * | 2005-12-09 | 2009-01-20 | Plex Llc | Extreme ultraviolet source with wide angle vapor containment and reflux |
GB2433459B (en) | 2005-12-22 | 2008-01-16 | Sony Corp | Laser processing apparatus and laser processing method as well as debris extraction mechanism and debris extraction method |
DE602007010765D1 (de) * | 2006-05-16 | 2011-01-05 | Philips Intellectual Property | Verfahren zur erhöhung der umwandlungseffizienz einer euv- und/oder weichen röntgenstrahlenlampe und entsprechendes gerät |
US7609815B2 (en) * | 2006-06-01 | 2009-10-27 | The Regents Of The University Of California | High brightness—multiple beamlets source for patterned X-ray production |
US7825390B2 (en) * | 2007-02-14 | 2010-11-02 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus with plasma radiation source and method of forming a beam of radiation and lithographic apparatus |
US20080239262A1 (en) * | 2007-03-29 | 2008-10-02 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source for generating electromagnetic radiation and method for generating electromagnetic radiation |
US8493548B2 (en) * | 2007-08-06 | 2013-07-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7872244B2 (en) * | 2007-08-08 | 2011-01-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
NL1035846A1 (nl) * | 2007-08-23 | 2009-02-24 | Asml Netherlands Bv | Radiation source. |
NL2002890A1 (nl) * | 2008-06-16 | 2009-12-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus. |
EP2146368A1 (en) * | 2008-07-15 | 2010-01-20 | Barco N.V. | Gas discharge lamp system |
WO2010007569A1 (en) * | 2008-07-18 | 2010-01-21 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Extreme uv radiation generating device comprising a contamination captor |
US20110089834A1 (en) * | 2009-10-20 | 2011-04-21 | Plex Llc | Z-pinch plasma generator and plasma target |
CN102696283B (zh) * | 2010-01-07 | 2015-07-08 | Asml荷兰有限公司 | 包括液滴加速器的euv辐射源以及光刻设备 |
KR20130005287A (ko) * | 2010-03-12 | 2013-01-15 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 방사선 소스, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 |
WO2014000998A1 (en) * | 2012-06-12 | 2014-01-03 | Asml Netherlands B.V. | Photon source, metrology apparatus, lithographic system and device manufacturing method |
US9753383B2 (en) * | 2012-06-22 | 2017-09-05 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source and lithographic apparatus |
US8901523B1 (en) * | 2013-09-04 | 2014-12-02 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus for protecting EUV optical elements |
DE102014226309A1 (de) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Komponente; optisches System und Lithographieanlage |
US10203604B2 (en) * | 2015-11-30 | 2019-02-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for post exposure processing of photoresist wafers |
NL2021345A (en) | 2018-04-12 | 2018-08-22 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3654567A (en) * | 1970-12-31 | 1972-04-04 | Ibm | Vapor discharge cell |
US3892970A (en) * | 1974-06-11 | 1975-07-01 | Us Energy | Relativistic electron beam device |
US4247830A (en) * | 1978-11-08 | 1981-01-27 | General Electric Company | Plasma sprayed wicks for pulsed metal vapor lasers |
US5148440A (en) * | 1983-11-25 | 1992-09-15 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Wick for metal vapor laser |
US5243638A (en) * | 1992-03-10 | 1993-09-07 | Hui Wang | Apparatus and method for generating a plasma x-ray source |
US5499282A (en) * | 1994-05-02 | 1996-03-12 | University Of Central Florida | Efficient narrow spectral width soft-X-ray discharge sources |
US6683783B1 (en) * | 1997-03-07 | 2004-01-27 | William Marsh Rice University | Carbon fibers formed from single-wall carbon nanotubes |
US6031241A (en) * | 1997-03-11 | 2000-02-29 | University Of Central Florida | Capillary discharge extreme ultraviolet lamp source for EUV microlithography and other related applications |
US6452199B1 (en) * | 1997-05-12 | 2002-09-17 | Cymer, Inc. | Plasma focus high energy photon source with blast shield |
US6566668B2 (en) * | 1997-05-12 | 2003-05-20 | Cymer, Inc. | Plasma focus light source with tandem ellipsoidal mirror units |
US6744060B2 (en) * | 1997-05-12 | 2004-06-01 | Cymer, Inc. | Pulse power system for extreme ultraviolet and x-ray sources |
US6566667B1 (en) * | 1997-05-12 | 2003-05-20 | Cymer, Inc. | Plasma focus light source with improved pulse power system |
US6586757B2 (en) * | 1997-05-12 | 2003-07-01 | Cymer, Inc. | Plasma focus light source with active and buffer gas control |
US6815700B2 (en) * | 1997-05-12 | 2004-11-09 | Cymer, Inc. | Plasma focus light source with improved pulse power system |
US5861630A (en) * | 1997-11-22 | 1999-01-19 | Becker; Richard L. | Method for generating a boron vapor |
DE19753696A1 (de) * | 1997-12-03 | 1999-06-17 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von Extrem-Ultraviolettstrahlung und weicher Röntgenstrahlung aus einer Gasentladung |
TWI246872B (en) * | 1999-12-17 | 2006-01-01 | Asml Netherlands Bv | Radiation source for use in lithographic projection apparatus |
TW518913B (en) * | 2000-07-03 | 2003-01-21 | Asml Netherlands Bv | Radiation source, lithographic apparatus, and semiconductor device manufacturing method |
US6791664B2 (en) * | 2001-01-19 | 2004-09-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufacturing thereby |
US6804327B2 (en) * | 2001-04-03 | 2004-10-12 | Lambda Physik Ag | Method and apparatus for generating high output power gas discharge based source of extreme ultraviolet radiation and/or soft x-rays |
US6912041B2 (en) * | 2001-06-29 | 2005-06-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
US20030162179A1 (en) * | 2002-02-27 | 2003-08-28 | General Electric Company | Fabrication, performance testing, and screening of three dimensional arrays of materials |
EP1401248B1 (en) | 2002-09-19 | 2012-07-25 | ASML Netherlands B.V. | Radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method |
TWI255394B (en) * | 2002-12-23 | 2006-05-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus with debris suppression means and device manufacturing method |
SG115693A1 (en) * | 2003-05-21 | 2005-10-28 | Asml Netherlands Bv | Method for coating a substrate for euv lithography and substrate with photoresist layer |
-
2003
- 2003-09-17 SG SG200305633A patent/SG129259A1/en unknown
- 2003-09-30 JP JP2003376283A patent/JP4188208B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-30 TW TW092127062A patent/TWI252377B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-09-30 CN CNB031649319A patent/CN100505974C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-30 SG SG200305749A patent/SG127702A1/en unknown
- 2003-09-30 US US10/673,644 patent/US6933510B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-10-01 KR KR1020030068466A patent/KR100606498B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-07-25 US US11/187,860 patent/US20050253092A1/en not_active Abandoned
-
2006
- 2006-08-03 JP JP2006211722A patent/JP2007019031A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010539699A (ja) * | 2007-09-14 | 2010-12-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 回転フィルタデバイスを有するリソグラフィ装置 |
JP2011514648A (ja) * | 2008-03-17 | 2011-05-06 | サイマー インコーポレイテッド | レーザ生成プラズマeuv光源におけるターゲット材料送出のためのシステム及び方法 |
JP2012502492A (ja) * | 2008-09-11 | 2012-01-26 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射源およびリソグラフィ装置 |
US8755032B2 (en) | 2008-09-11 | 2014-06-17 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source and lithographic apparatus |
JP2018194860A (ja) * | 2012-11-15 | 2018-12-06 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射源およびリソグラフィのための方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100505974C (zh) | 2009-06-24 |
US20040141165A1 (en) | 2004-07-22 |
US6933510B2 (en) | 2005-08-23 |
JP2004165160A (ja) | 2004-06-10 |
US20050253092A1 (en) | 2005-11-17 |
CN1498056A (zh) | 2004-05-19 |
TWI252377B (en) | 2006-04-01 |
SG129259A1 (en) | 2007-02-26 |
KR100606498B1 (ko) | 2006-08-02 |
SG127702A1 (en) | 2006-12-29 |
KR20040031601A (ko) | 2004-04-13 |
TW200421040A (en) | 2004-10-16 |
JP4188208B2 (ja) | 2008-11-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4188208B2 (ja) | 放射線源、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
US7528395B2 (en) | Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method | |
KR101717856B1 (ko) | 극자외선 리소그래피 콜렉터 오염 감소 | |
US7335900B2 (en) | Radiation generating device, lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby | |
US8269179B2 (en) | Illumination system and filter system | |
US8416391B2 (en) | Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP4073647B2 (ja) | 放射線源、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれによって製造したデバイス | |
US7462851B2 (en) | Electromagnetic radiation source, lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby | |
EP1401248B1 (en) | Radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method | |
US10871647B2 (en) | Apparatus and method for prevention of contamination on collector of extreme ultraviolet light source | |
EP1406124A1 (en) | Radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method | |
US20110007289A1 (en) | Device constructed and arranged to generate radiation, lithographic apparatus, and device manufacturing method | |
Gielissen | The nature and characteristics of particles produced by EUV sources: exploration, prevention and mitigation |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20061201 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070525 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090819 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100128 |