JP2007012294A

JP2007012294A - 有機ｅｌパネルの製造方法

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Publication number: JP2007012294A
Application number: JP2005187891A
Authority: JP
Inventors: Kotaro Enomoto; 康太郎榎本
Original assignee: Kyocera Display Corp
Current assignee: Kyocera Display Corp
Priority date: 2005-06-28
Filing date: 2005-06-28
Publication date: 2007-01-18
Anticipated expiration: 2025-06-28
Also published as: JP4638289B2

Abstract

【課題】簡単に効率よく有機ＥＬパネルの輝度調整を実施でき、輝度ばらつきの少ない有機ＥＬパネルを製造し得る製造方法の提供。
【解決手段】有機ＥＬパネル本体と、抵抗素子を有する回路基板とが接続されてなる有機ＥＬパネルの製造方法であって、（１）有機ＥＬパネル本体を作製する工程、（２）前記有機ＥＬパネル本体に所定の駆動電流を流して表示部の輝度を測定する工程、（３）輝度を測定した前記有機ＥＬパネル本体を複数の輝度ランクに分類する工程、（４）前記輝度ランク毎に、前記有機ＥＬパネル本体の輝度を目標値に近づけるような抵抗素子を接続した回路基板を作製する工程、（５）前記（３）の工程で分類した輝度ランクの有機ＥＬパネル本体と、前記（４）の工程で作製された当該輝度ランクに対応する回路基板とを接続する工程、を含む輝度ばらつきを低下させた有機ＥＬパネルの製造方法。
【選択図】図１

Description

本発明は、有機ＥＬパネルの製造方法に関するものである。

有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）パネルは、電極間に有機発光層を挟持してなる有機ＥＬ素子基板と、この有機ＥＬ素子基板に対向する封止基板とを、封止基板の外周部に配設した紫外線硬化型樹脂などのシール材により封止したものである。有機ＥＬパネルは、有機ＥＬパネル本体と、この有機ＥＬパネル本体の画素の駆動状態を制御するＩＣなどの半導体装置を備えた駆動制御部と、有機ＥＬパネル本体の駆動電流を制御する回路基板とを接続して製品とされる。図１は、完成した有機ＥＬパネルの一例を示す構成図であり、この有機ＥＬパネルは、有機ＥＬパネル本体１と、回路基板３とを、有機ＥＬパネル本体１の画素の駆動状態を制御するＩＣなどを備えたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板（以下、ＴＡＢ基板をＴＡＢと略記する。）２を介して接続した構成になっている。

有機ＥＬパネルは、その本体の製造過程において、電極や有機膜の膜厚ばらつき、蒸着による膜質のばらつき、ＩＣの出力ばらつきなどが関与して、その発光輝度にある一定の製造ばらつきを有している。一方、有機ＥＬパネルは、輝度と電流値がほぼ比例関係にあることが知られている。従って、電流値の制御により有機ＥＬパネルの輝度を任意の値（すなわち目標輝度値）に微調整することが可能である。

有機ＥＬパネル本体の輝度を目標輝度値と一致させるように、または近づけるように、有機ＥＬパネル本体の電流を調整する場合、回路基板に搭載される抵抗素子の抵抗値を調整することによって達成することができる。具体的には、有機ＥＬパネルに所定の電流を流してその輝度を測定し、その輝度が目標輝度値範囲に適合するために必要な抵抗値を算出し、回路基板の抵抗値を調整することによって行うことができる。
従来、有機ＥＬパネルの輝度をチェックする方法としては、例えば、特許文献１に記載された方法が知られている。
特開２００３−１７９８３４号公報

しかしながら、有機ＥＬパネルの輝度を測定し、その輝度が予め設定した目標輝度値範囲に適合するように回路基板の抵抗値を一台毎に調整する方法は、多くの手間と時間が必要であり、その輝度調整のためのコストがかさむことから、比較的低コストの有機ＥＬパネルを製造する場合には適用し難い問題がある。

本発明は、前記事情に鑑みてなされ、簡単に効率よく有機ＥＬパネルの輝度調整を実施でき、輝度ばらつきの少ない有機ＥＬパネルを製造し得る製造方法の提供を目的とする。

前記目的を達成するため、本発明は、有機ＥＬパネル本体と、抵抗素子を有する回路基板とが接続されてなる有機ＥＬパネルの製造方法であって、
（１）有機ＥＬパネル本体を作製する工程、
（２）前記有機ＥＬパネル本体に所定の駆動電流を流して表示部の輝度を測定する工程、
（３）輝度を測定した前記有機ＥＬパネル本体を複数の輝度ランクに分類する工程、
（４）前記輝度ランク毎に、前記有機ＥＬパネル本体の輝度を目標値に近づけるような抵抗素子を接続した回路基板を作製する工程、
（５）前記（３）の工程で分類した輝度ランクの有機ＥＬパネル本体と、前記（４）の工程で作製された当該輝度ランクに対応する回路基板とを接続する工程、
を含むことを特徴とする輝度ばらつきを低下させた有機ＥＬパネルの製造方法を提供する。前記有機ＥＬパネル本体が半導体装置を備えた状態で表示部の輝度を測定することが好ましく、さらに、前記複数の輝度ランクを２〜６とすることが好ましい。

本発明の有機ＥＬパネルの製造方法は、作製した有機ＥＬパネル本体の輝度を測定して複数の輝度ランクに分類し、一方、それぞれの輝度ランクに応じた適当な抵抗値を持った回路基板を作製し、対応する有機ＥＬパネル本体と回路基板とを接続して輝度ばらつきを低下させた有機ＥＬパネルを得ることにより、短時間で効率よく輝度ばらつきを低下させた有機ＥＬパネルを得ることができ、ほぼ目標輝度値が得られる有機ＥＬパネルを低コストで製造することができる。

以下、図面を参照して本発明による有機ＥＬパネルの製造方法の実施形態を説明する。
図１は、本実施形態により製造された有機ＥＬパネルの一例を示す図であり、この有機ＥＬパネルは、有機ＥＬパネル本体１と、該有機ＥＬパネル本体１の輝度を調整する抵抗素子を含む回路基板３とがＴＡＢ２を介して電気的に接続された構成になっている。

この有機ＥＬパネル本体１は、電極間に有機発光層を挟持してなる有機ＥＬ素子基板と、この有機ＥＬ素子基板に対向する封止基板とを、封止基板の外周部に配設した紫外線硬化型樹脂などのシール材により封止してなるものであり、そのサイズや画素数などは特に限定されない。この有機ＥＬパネル本体１の縁部には、ＴＡＢ２と電気的に接続するための複数の電極を含む接続部が形成されている。

このＴＡＢ２は、テープ上に形成されたパターン回路とＩＣとを接合してなるもので、液晶表示パネルの製造などにおいて用いられている従来公知のＴＡＢと同様のものを使用することができる。このＴＡＢ２には、有機ＥＬパネル本体１の各画素の駆動状態を制御するための駆動制御用ＩＣなどが実装されている。

前記駆動回路３には、有機ＥＬパネル本体１の輝度を調整する抵抗素子が実装されている。この抵抗素子は、該駆動回路３と組み合わせるＴＡＢ２付きの有機ＥＬパネル本体１の輝度が、予め設定した目的輝度値範囲に入るように電流を制限するような抵抗値を有している。

本実施形態において、有機ＥＬパネルは、次の（Ａ）〜（Ｆ）の各工程を順次行うことにより製造される。
（Ａ）有機ＥＬパネル本体１を作製する工程、
（Ｂ）有機ＥＬパネル本体１に半導体装置を備えたＴＡＢ２を接続する工程、
（Ｃ）有機ＥＬパネル本体１に所定の駆動電流を流して表示部の輝度を測定する工程、
（Ｄ）輝度を測定した有機ＥＬパネル本体１を、予め設定した複数の輝度ランクに分類する工程、
（Ｅ）前記輝度ランク毎に、その輝度ランクに分類された有機ＥＬパネル本体１の輝度を目標値に近づけるような抵抗値を持った抵抗素子を接続した回路基板３を作製する工程、
（Ｆ）それぞれの輝度ランクに分類したＴＡＢ２付きの有機ＥＬパネル本体１と、その輝度ランクに対応する回路基板３とを接続して輝度ばらつきを低下させた有機ＥＬパネルを得る工程。

前記各工程のうち、（Ａ）及び（Ｂ）工程は、従来より周知の有機ＥＬパネル製造工程と同様に実施することができる。
また、前記（Ｃ）工程において、作製したＴＡＢ２付きの有機ＥＬパネル本体１の輝度を測定する方法としては、該輝度を正確に測定できればよく、測定装置や条件の詳細は特に限定されない。

前記（Ｄ）工程において、輝度ランクは、２つ以上の任意の数とすることができる。輝度ランクが多ければ、最終的に得られる製品（ＴＡＢ２付きの有機ＥＬパネル本体１＋回路基板３）における輝度ばらつきを小さくすることができる一方、あまり輝度ランクを多くすると、各輝度ランクに応じた抵抗値を備えた回路基板３を作製する（Ｅ）工程、及びＴＡＢ２付きの有機ＥＬパネル本体１とそれに対応する回路基板３とを接続して製品を得る（Ｆ）工程で多くの手間と時間がかかるようになるため、一般に輝度ランクは２〜１０程度、好ましくは２〜８程度、さらに好ましくは２〜６程度とすることが望ましい。

また、前記（Ｅ）工程において、回路基板３の抵抗値を調整する方法としては、実装する抵抗素子の増減などの従来周知の抵抗値調整手段を用いて行うことができる。
また、前記（Ｆ）工程において、ＴＡＢ２付きの有機ＥＬパネル本体１とそれに対応する回路基板３とを接続して製品を得る方法は、従来より周知の有機ＥＬパネル製造工程と同様に実施することができる。

本実施形態の製造方法は、ＴＡＢ２付きの有機ＥＬパネル本体１の輝度を測定して複数の輝度ランクに分類し、一方、それぞれの輝度ランクに応じた適当な抵抗値を持った回路基板３を作製し、対応するＴＡＢ２付きの有機ＥＬパネル本体１と回路基板３とを接続して輝度ばらつきを低下させた有機ＥＬパネルを得ることにより、短時間で効率よく輝度ばらつきを低下させた有機ＥＬパネルを得ることができ、ほぼ目標輝度値が得られる有機ＥＬパネルを低コストで製造することができる。
以下、実施例により本発明の効果を明確にする。

有機ＥＬパネル本体を作製し、以下の手順に従ってその輝度を測定した。

＜輝度の測定の詳細手順＞
有機ＥＬパネル本体の輝度を測定する場合、ＩＣ等の半導体装置の出力ばらつきについても、輝度ばらつきとして考慮したいので、半導体装置を備えた状態で輝度測定を行うことが好ましい。半導体装置を備えた状態とは、ＴＡＢ２が備わった状態の他にも、有機ＥＬパネル本体の端子部にＩＣチップが搭載されたＣＯＧ（chip on glass）状態、ＩＣやコンデンサ等のチップ部品がフレキシブル配線基板に搭載されたＣＯＦ（chip on film）基板が端子部に接続された状態等を例示することができる。
１．有機ＥＬパネル本体を点灯させる治具を用意する。
この治具は、ＴＡＢの端子部若しくは有機ＥＬパネル本体のＩＴＯのリード部と接続して、有機ＥＬパネル本体に電流を流し、ドライバＩＣを通じて一定の表示パターンを点灯させるようになっている。

２．次に、点灯治具に装着したパネルに対し、垂直に４５ｃｍ〜５０ｃｍ離れた位置に輝度計を配置する。この対物距離に４５ｃｍ〜５０ｃｍと幅を持たせたのは、焦点の調整により、距離の影響はほとんど無視し得るからである。一意に決める必要があれば、４５ｃｍとすることができる。この測定のより具体的な手法を例示すれば、パネル面が水平になるようにセットし、カメラ用の三脚を用いて真上から測定する方法が挙げられる。
この測定に使用する輝度計は、特に限定されないが、分光放射タイプのものよりもフィルタタイプのものの方が測定時間が少なく適している。好ましい輝度計としては、例えば、トプコンテクノハウス社製のＢＭ７が挙げられる。
この輝度測定において、パネル表面で反射する外光は、測定輝度値に影響を与えるため、測定は暗室で行うことが望ましい。
また、パネルの陰極膜厚が薄い場合、製造上陰極が走る方向に輝度傾斜を生じるが、パネル内の任意の測定箇所における輝度ばらつきは、その他の測定箇所における測定ばらつきと同等である。
また、面内に斑状のムラが生じている場合は、目視検査で不良判定される。このときのムラの明暗の輝度差は３〜５％程度と推測できる。
また、輝度計の視野は測定誤差を低減するために、なるべく大きなものに設定することが望ましい。

３．輝度計の電源を投入する。
４．電源投入後、測定環境（暗室）のもとで、輝度の零調整を行う。
５．輝度を測定するＴＡＢ付きの有機ＥＬパネル本体を点灯治具に装着し、点灯させる。輝度の測定は、図２に示すように、有機ＥＬパネル本体１の点灯エリア４のうち、中央部の測定ポイント５について、前記輝度計で輝度を測定する。
６．測定は、コンピュータによって予め設定した測定スケジュールに従って行い、自動的に輝度データを収集する。
７．輝度の測定が終了したら、次のＴＡＢ付きの有機ＥＬパネル本体を点灯治具に装着し、同様に輝度測定を行う。

前述した通り、ＴＡＢ付きの有機ＥＬパネル本体（Ｎ＝８０９）の輝度を測定した。図３は、測定した輝度の度数分布を示すグラフである。図３に示す通り、製造したＴＡＢ付きの有機ＥＬパネル本体の輝度値は、平均値（average）を中心として高低のばらつきが見られる。この輝度値の標準偏差（σ）は２．３４であり、３σは７．１８％であった。

図３に示すように測定された輝度値を基に、ＴＡＢ付きの有機ＥＬパネル本体の「ランク分け」と「ランクに応じた回路基板の作製」を行った。
ランク分けは、後の回路基板に作製によって任意の輝度ばらつきに調整できるような輝度ランクを予め設定しておく。本実施例では、表１に示すように、輝度ランクを２ランク及び４ランクに分類した。

表１に示すように、２ランクに分ける場合には、輝度が９６．９ｃｄ／ｍ^２未満の群（Ｎ＝２４１）と９６．９ｃｄ／ｍ^２以上の群（Ｎ＝５６８）とに分類した。このランク分けの結果、各群の輝度のσは１．５以下、３σは４．５％以下となり、輝度ばらつきを低下させることができた。

また、４ランクに分ける場合には、輝度が、
（１）９４．５ｃｄ／ｍ^２未満の群（表１中「＜９４．５」と記す。Ｎ＝７７）、
（２）９４．５ｃｄ／ｍ^２以上９７．５ｃｄ／ｍ^２未満の群（表１中「＜９７．５」と記す。Ｎ＝２２１）、
（３）９７．５ｃｄ／ｍ^２以上１００ｃｄ／ｍ^２未満の群（表１中「＜１００」と記す。Ｎ＝３５９）、および
（４）１００ｃｄ／ｍ^２未満の群（表１中「≧１００」と記す。Ｎ＝１５２）
とに分類した。このランク分けの結果、各群（１）〜（４）の輝度のσは１．０以下、３σは３．０％以下となり、輝度ばらつきを大幅に低下させることができた。

前記２ランクに分ける場合、４ランクに分ける場合ともに、ＴＡＢ付きの有機ＥＬパネル本体を各ランクに仕分け、各ランクに応じて、適切な電流制限用の固定抵抗を選択し、これを回路基板上に配置した。
次に、ランク分けしたＴＡＢ付きの有機ＥＬパネル本体と、それに対応した固定抵抗を実装した回路基板を接続し、図１に示す有機ＥＬパネルの製品を製造した。

表１に示したように、設定するランクを増減することで、最終的な出荷形態（ＴＡＢ付きの有機ＥＬパネル本体＋回路基板）での輝度ばらつきを任意の値に設定することができる。
設定するランクが決まっており、それに対応する固定抵抗等の値が決まっている場合には、有機ＥＬパネル本体の生産とは独立して回路基板の製造を行ってもよい。

有機ＥＬパネルの構成図である。実施例で行った有機ＥＬパネル本体の輝度測定条件を説明するための平面図である。実施例で用いた有機ＥＬパネル本体の輝度の度数分布を示すグラフである。

符号の説明

１有機ＥＬパネル本体
２ＴＡＢ
３回路基板
４点灯エリア
５測定ポイント

Claims

有機ＥＬパネル本体と、抵抗素子を有する回路基板とが接続されてなる有機ＥＬパネルの製造方法であって、
（１）有機ＥＬパネル本体を作製する工程、
（２）前記有機ＥＬパネル本体に所定の駆動電流を流して表示部の輝度を測定する工程、
（３）輝度を測定した前記有機ＥＬパネル本体を複数の輝度ランクに分類する工程、
（４）前記輝度ランク毎に、前記有機ＥＬパネル本体の輝度を目標値に近づけるような抵抗素子を接続した回路基板を作製する工程、
（５）前記（３）の工程で分類した輝度ランクの有機ＥＬパネル本体と、前記（４）の工程で作製された当該輝度ランクに対応する回路基板とを接続する工程、
を含むことを特徴とする輝度ばらつきを低下させた有機ＥＬパネルの製造方法。
前記有機ＥＬパネル本体が半導体装置を備えた状態で表示部の輝度を測定する請求項１に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
前記複数の輝度ランクを２〜６とする請求項１又は２に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。