JP2006351367A - Atmospheric pressure plasma treatment device - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an atmospheric pressure plasma treatment device capable of generating uniform atmospheric pressure plasma even in a state where a plasma generation space is tilted with respect to the horizontal direction. <P>SOLUTION: This atmospheric pressure plasma treatment device is provided with: a reaction part for ordinary pressure; a pair of first electrode 14 and a second electrode 15 arranged in the reaction part so as to face each other at a predetermined distance for defining the plasma generation space P; a gas supply means for supplying gas to the plasma generation space P; and a gas exhaust means 17 for exhausting the gas from the space P. Facing surfaces of the first and second electrodes 14 and 15 are each tilted so as to form a predetermined angle with respect to the horizontal direction. The gas supply means includes: a first supply part 18 for supplying the gas to the plasma generation space P from the first electrode 14 side: and a second supply part 19 for supplying the gas to the plasma generation space P from the second electrode 15 side. The first and second supply parts 18 and 19 respectively have a plurality of gas supply openings arranged so as to adjoin one another along the tilting direction of the facing surfaces of the first and second electrodes 14 and 15. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

この発明は、大気圧プラズマ処理装置に関し、詳しくは、傾斜した状態で搬送される被処理物に対して洗浄、成膜、エッチング、アッシングまたは表面改質などのプラズマ処理を大気圧近傍の圧力下で行うプラズマ処理装置に関する。   TECHNICAL FIELD The present invention relates to an atmospheric pressure plasma processing apparatus, and more particularly, to plasma processing such as cleaning, film formation, etching, ashing, or surface modification on an object conveyed in an inclined state under a pressure near atmospheric pressure. The present invention relates to a plasma processing apparatus performed in

この発明に関連する従来技術としては、対向する高圧電極と低圧電極との間に被処理体としての液晶ディスプレイ用ガラス基板を配置し、電極間で発生した大気圧プラズマで前記基板を洗浄する液晶ディスプレイ用ガラス基板の洗浄方法と、それに用いられる大気圧プラズマ処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
また、液晶ディスプレイ用ガラス基板に自重による撓みが生じないように、前記基板の被処理面を水平に対して傾けた状態で搬送しつつ処理液によって処理し、乾燥させる処理装置が知られている（例えば、特許文献２参照）。
特開２００４−１０２２７１号公報 特開２００４−２１０５１１号公報 As a prior art related to the present invention, a liquid crystal display glass substrate is disposed between a high voltage electrode and a low voltage electrode facing each other, and the substrate is cleaned with atmospheric pressure plasma generated between the electrodes. A method for cleaning a glass substrate for display and an atmospheric pressure plasma processing apparatus used therefor are known (for example, see Patent Document 1).
Further, there is known a processing apparatus for processing and drying with a processing liquid while transporting the processing target surface of the substrate inclined with respect to the horizontal so that the glass substrate for liquid crystal display does not bend due to its own weight. (For example, refer to Patent Document 2).
JP 2004-102271 A JP 2004-210511 A

近年、液晶ディスプレイパネルを製造する際に実施されるプラズマ処理工程において、減圧下でグロー放電を発生させるプラズマ処理に代わり、大気圧近傍の圧力下でグロー放電を発生させるプラズマ処理が行われるようになってきている。
特許文献２に記載されているように、大型化するガラス基板などの被処理物を処理するには、自重による撓みの影響を排除するために立位状態、より好ましくは水平に対して傾けた状態で搬送し処理することが有効である。 In recent years, in plasma processing steps performed when manufacturing liquid crystal display panels, plasma processing for generating glow discharge under pressure near atmospheric pressure is performed instead of plasma processing for generating glow discharge under reduced pressure. It has become to.
As described in Patent Document 2, in order to process an object to be processed such as an enlarged glass substrate, it is tilted with respect to a standing state, more preferably horizontal, in order to eliminate the influence of bending due to its own weight. It is effective to carry and process in the state.

したがって、特許文献１に記載されているような、液晶ディスプレイ用ガラス基板を大気圧プラズマで処理する大気圧プラズマ処理装置と、特許文献２に記載されているような傾斜搬送が可能な処理装置とを組合せ、洗浄などの他の処理から連続して成膜、エッチング、アッシング、表面改質などのプラズマ処理を一括して行えば、装置設置スペースの削減、工程数削減などの観点から非常に有効となる。   Therefore, an atmospheric pressure plasma processing apparatus for processing a glass substrate for liquid crystal display as described in Patent Document 1 with atmospheric pressure plasma, and a processing apparatus capable of inclined conveyance as described in Patent Document 2 If plasma processing such as film formation, etching, ashing, and surface modification is performed all at once from other processing such as cleaning, it is very effective from the viewpoint of reducing equipment installation space and the number of processes. It becomes.

しかし、従来の大気圧プラズマ処理装置を傾斜状態で搬送される基板に対して使用するには、処理用のガスが窒素、酸素などの空気とほぼ同じ比重のものに限られてしまい、処理用途が限定されてしまう。
つまり、傾けて設置された大気圧プラズマ処理装置に対して空気とは比重の異なるガスを利用すると、重力の影響によりプラズマ生成空間内におけるガス濃度の分布が不均一なものとなり、均質なプラズマ処理が行えなくなる。 However, in order to use a conventional atmospheric pressure plasma processing apparatus with respect to a substrate transported in an inclined state, the processing gas is limited to a material having substantially the same specific gravity as that of air such as nitrogen and oxygen. Will be limited.
In other words, when a gas having a specific gravity different from that of air is used for an atmospheric pressure plasma processing apparatus installed at an angle, the gas concentration distribution in the plasma generation space becomes non-uniform due to the influence of gravity, and the uniform plasma processing is performed. Cannot be performed.

例えば、ヘリウムのように比重が空気より軽いガスを使用した場合、傾いたプラズマ生成空間内において上方側はヘリウムの濃い雰囲気に、下方側はヘリウムの薄い雰囲気となってしまう。
このような状態でプラズマを生成すると、上方側では高密度のプラズマとなってアーク放電に移行し易くなり、下方側では放電しない状態となる。
一方、アルゴンのように比重が空気より重いガスを使用した場合にも、同様の理由から均一なプラズマを生成できなくなる。 For example, when a gas whose specific gravity is lighter than air, such as helium, in the inclined plasma generation space, the upper side has a helium-rich atmosphere and the lower side has a thin helium atmosphere.
When plasma is generated in such a state, it becomes a high-density plasma on the upper side, and easily shifts to arc discharge, and does not discharge on the lower side.
On the other hand, when a gas having a specific gravity heavier than air, such as argon, is used, uniform plasma cannot be generated for the same reason.

この発明は以上のような事情を考慮してなされたものであり、プラズマ生成空間が水平に対して傾いた状態であっても均一な大気圧プラズマを生成できる大気圧プラズマ処理装置を提供するものである。   The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and provides an atmospheric pressure plasma processing apparatus capable of generating uniform atmospheric pressure plasma even when the plasma generation space is inclined with respect to the horizontal. It is.

この発明は、常圧用の反応部と、反応部内に互いに所定の間隔を空けて対向するように配置されプラズマ生成空間を規定する一対の第１電極および第２電極と、プラズマ生成空間にガスを供給するガス供給手段と、前記空間からガスを排出するガス排出手段とを備え、第１および第２電極の対向面は水平に対して所定の角度をなすようにそれぞれ傾斜し、ガス供給手段は、第１電極側からプラズマ生成空間にガスを供給する第１供給部と、第２電極側からプラズマ生成空間にガスを供給する第２供給部を有し、第１および第２供給部は第１および第２電極の対向面の傾斜方向に沿って互いに隣接するように並んだ複数のガス供給口をそれぞれ有することを特徴とする大気圧プラズマ処理装置を提供するものである。   According to the present invention, a reaction part for normal pressure, a pair of first and second electrodes that are arranged in the reaction part so as to face each other with a predetermined gap therebetween, and define a plasma generation space, and a gas in the plasma generation space Gas supply means for supplying and gas discharge means for discharging gas from the space, the opposing surfaces of the first and second electrodes are inclined so as to form a predetermined angle with respect to the horizontal, , A first supply unit that supplies gas from the first electrode side to the plasma generation space, and a second supply unit that supplies gas from the second electrode side to the plasma generation space, and the first and second supply units The present invention provides an atmospheric pressure plasma processing apparatus having a plurality of gas supply ports arranged adjacent to each other along the inclination direction of the opposing surfaces of the first and second electrodes.

この発明によれば、プラズマ生成空間を規定する第１および第２電極の対向面が水平に対して所定の角度をなすように傾斜し、第１および第２電極側からプラズマ生成空間にそれぞれガスを供給する第１および第２供給部は、第１および第２電極の対向面の傾斜方向に沿って互いに隣接するように並んだ複数のガス供給口をそれぞれ有するので、空気と異なる比重を有するガスを用いた場合であっても、ガスは第１および第２電極の対向面の傾斜方向に並んだ複数のガス供給口から分散してプラズマ生成空間に供給されることとなり、傾斜したプラズマ生成空間におけるガス濃度が均一化され、傾斜したプラズマ生成空間内に均一な大気圧プラズマを生成することができる。
これにより、水平に対して傾斜した状態にある被処理物に対してプラズマ処理を行うことが可能となり、特に、撓みが懸念される大型の被処理物に対して好適に利用できる大気圧プラズマ処理装置を提供できる。 According to the present invention, the opposing surfaces of the first and second electrodes that define the plasma generation space are inclined so as to form a predetermined angle with respect to the horizontal, and gas is respectively supplied from the first and second electrodes to the plasma generation space. The first and second supply sections that supply the gas each have a plurality of gas supply ports arranged adjacent to each other along the inclined direction of the opposing surfaces of the first and second electrodes, and thus have a specific gravity different from that of air. Even when the gas is used, the gas is distributed from a plurality of gas supply ports arranged in the inclination direction of the opposing surfaces of the first and second electrodes, and is supplied to the plasma generation space. The gas concentration in the space is made uniform, and uniform atmospheric pressure plasma can be generated in the inclined plasma generation space.
As a result, it is possible to perform plasma processing on an object to be processed that is inclined with respect to the horizontal, and in particular, atmospheric pressure plasma processing that can be suitably used for a large object to be processed that is likely to be bent. Equipment can be provided.

この発明による大気圧プラズマ処理装置は、常圧用の反応部と、反応部内に互いに所定の間隔を空けて対向するように配置されプラズマ生成空間を規定する一対の第１電極および第２電極と、プラズマ生成空間にガスを供給するガス供給手段と、前記空間からガスを排出するガス排出手段とを備え、第１および第２電極の対向面は水平に対して所定の角度をなすようにそれぞれ傾斜し、ガス供給手段は、第１電極側からプラズマ生成空間にガスを供給する第１供給部と、第２電極側からプラズマ生成空間にガスを供給する第２供給部を有し、第１および第２供給部は第１および第２電極の対向面の傾斜方向に沿って互いに隣接するように並んだ複数のガス供給口をそれぞれ有することを特徴とする。   An atmospheric pressure plasma processing apparatus according to the present invention includes a reaction section for normal pressure, a pair of first and second electrodes that are disposed in the reaction section so as to face each other with a predetermined space therebetween, and define a plasma generation space, A gas supply means for supplying a gas to the plasma generation space; and a gas discharge means for discharging the gas from the space. The opposing surfaces of the first and second electrodes are inclined so as to form a predetermined angle with respect to the horizontal. The gas supply means includes a first supply unit that supplies gas from the first electrode side to the plasma generation space, and a second supply unit that supplies gas from the second electrode side to the plasma generation space, The second supply unit has a plurality of gas supply ports arranged adjacent to each other along the inclination direction of the opposing surfaces of the first and second electrodes.

この発明による大気圧プラズマ処理装置において、常圧とは、大気圧又は大気圧の近傍の圧力を意味する。反応部は、一対の第１および第２電極を収容し被処理物を常圧の圧力下でプラズマ処理できるものであればよく、その構成は特に限定されないが、具体例としては、例えば、アルミニウムやステンレスなどで形成された金属製の容器が挙げられる。
一対の第１および第２電極は、導電体で形成されていればよく、その構成は特に限定されないが、具体例としては、例えば、アルミニウム、銅、または真鍮などで形成されたものが挙げられる。
なお、第１電極および第２電極のうち少なくとも被処理物と対向する面は、プロセスガス、プラズマ中で生成された活性種、反応後の生成物などによって表面が侵されないように固体の誘電体で被覆されることが好ましい。
誘電体としては、耐熱性、耐電圧性、耐プラズマ性、耐ガス性に優れた絶縁性材料で形成されていればよく、その材質は特に限定されないが、具体例としては、例えば、高純度アルミナ、窒化アルミ、または窒化珪素などが挙げられる。
ガス排出手段としては、プラズマ生成空間からガスを排出できるものであればよく、その構成は特に限定されないが、具体例としては、例えば、排気ポンプと排気ポンプに接続されプラズマ生成空間に通ずる排出路とから構成されるものが挙げられる。 In the atmospheric pressure plasma processing apparatus according to the present invention, the normal pressure means atmospheric pressure or a pressure in the vicinity of atmospheric pressure. The reaction part is not particularly limited as long as it accommodates a pair of first and second electrodes and can plasma-treat an object to be processed under normal pressure. As a specific example, for example, aluminum And metal containers made of stainless steel or the like.
The pair of first and second electrodes only need to be formed of a conductor, and the configuration thereof is not particularly limited, but specific examples include those formed of aluminum, copper, brass, or the like. .
Note that at least the surface of the first electrode and the second electrode facing the object to be processed is a solid dielectric so that the surface is not affected by the process gas, the active species generated in the plasma, the product after the reaction, etc. It is preferable to coat with.
The dielectric is not particularly limited as long as it is formed of an insulating material excellent in heat resistance, voltage resistance, plasma resistance, and gas resistance. Specific examples include, for example, high purity. Examples thereof include alumina, aluminum nitride, and silicon nitride.
The gas discharge means is not particularly limited as long as it can discharge gas from the plasma generation space. Specific examples include, for example, an exhaust path connected to an exhaust pump and an exhaust pump and leading to the plasma generation space. The thing comprised from these is mentioned.

この発明による大気圧プラズマ処理装置において、第１および第２電極はそれらの対向面の傾斜方向を長手方向とする細長い形状を有し、ガス排出手段は第１および第２電極の一端側の近傍に設けられ、ガス供給手段は、第１および第２電極の他端側から第１および第２電極の対向面の傾斜方向に向かってプラズマ生成空間にガスを噴出する第３供給部を備えることが好ましい。
このような構成によれば、プラズマ生成空間に供給されるガスの比重に応じて第３供給部から適宜ガスを噴出させることにより、プラズマ生成空間内におけるガス濃度のより一層の均一化を図ることができる。 In the atmospheric pressure plasma processing apparatus according to the present invention, the first and second electrodes have an elongated shape whose longitudinal direction is the inclination direction of the opposing surfaces, and the gas discharge means is in the vicinity of one end side of the first and second electrodes. The gas supply means includes a third supply unit that ejects gas from the other end side of the first and second electrodes toward the plasma generation space in the direction of inclination of the opposing surfaces of the first and second electrodes. Is preferred.
According to such a configuration, the gas concentration in the plasma generation space can be made more uniform by appropriately ejecting the gas from the third supply unit according to the specific gravity of the gas supplied to the plasma generation space. Can do.

この発明による大気圧プラズマ処理装置において、導入部は被処理物の導入と搬出を許容する導入口と搬出口を有し、ガス供給手段は、第１電極側から導入口に向かってガスを噴出する第４供給部と、第２電極側から導入口に向かってガスを噴出する第５供給部と、第１電極側から搬出口に向かってガスを噴出する第６供給部と、第２電極側から搬出口に向かってガスを噴出する第７供給部を備えることが好ましい。
このような構成によれば、第４、第５、第６および第７供給部からそれぞれガスを噴出させることにより、導入口および搬出口からプラズマ生成空間に外気が混入することを防止できると共に、プラズマ生成空間に供給されたガスが導入口および搬出口から流出することを防止できる。 In the atmospheric pressure plasma processing apparatus according to the present invention, the introduction part has an introduction port and a carry-out port that allow introduction and unloading of the workpiece, and the gas supply means ejects gas from the first electrode side toward the introduction port. A fourth supply unit, a fifth supply unit that ejects gas from the second electrode side toward the inlet, a sixth supply unit that ejects gas from the first electrode side toward the carry-out port, and a second electrode It is preferable to include a seventh supply unit that ejects gas from the side toward the carry-out port.
According to such a configuration, it is possible to prevent outside air from being mixed into the plasma generation space from the introduction port and the carry-out port by ejecting the gas from the fourth, fifth, sixth, and seventh supply units, respectively. The gas supplied to the plasma generation space can be prevented from flowing out from the inlet and the outlet.

この発明による大気圧プラズマ処理装置において、第１および第２供給部の各ガス供給口は、第１および第２電極の対向面の傾斜方向に沿った幅が２００ｍｍ以下であることが好ましい。
というのは、各ガス供給口の幅を小さく設定するほど、より多くのガス供給口を設けることができ、ガスをより緻密に分散させて供給できるようになるので、傾いたプラズマ生成空間におけるガス濃度の分布がより一層均一なものとなるからである。 In the atmospheric pressure plasma processing apparatus according to the present invention, each of the gas supply ports of the first and second supply sections preferably has a width of 200 mm or less along the inclined direction of the opposing surfaces of the first and second electrodes.
This is because, as the width of each gas supply port is set smaller, more gas supply ports can be provided, and the gas can be supplied more finely distributed. This is because the concentration distribution becomes even more uniform.

２００ｍｍという値は、ガスを複数のガス供給口から分散させて供給することにより、傾いたプラズマ生成空間におけるガス濃度の均一化を図るという目的を達成するうえで、一定の目安となる値である。各ガス供給口の幅を２００ｍｍを越える値に設定すると、形成できるガス供給口の数が自ずと制限され、前記した目的を達成するうえであまり好ましくない。
一方、各ガス供給口の幅を極めて小さい値に設定し多くのガス供給口を形成すると、ガス濃度の均一化を図るうえでは好ましいが、後に説明するガス供給配管の数が増え、装置のコスト的観点からはあまり好ましくない。 The value of 200 mm is a value that serves as a constant guideline for achieving the purpose of uniforming the gas concentration in the inclined plasma generation space by supplying the gas dispersed from a plurality of gas supply ports. . If the width of each gas supply port is set to a value exceeding 200 mm, the number of gas supply ports that can be formed is naturally limited, which is not preferable in achieving the above-described object.
On the other hand, if the width of each gas supply port is set to a very small value and many gas supply ports are formed, it is preferable to make the gas concentration uniform, but the number of gas supply pipes to be described later increases and the cost of the apparatus increases. It is not so preferable from the viewpoint of the target.

この発明による大気圧プラズマ処理装置において、第１および第２供給部は、ガス供給口の各々に通ずる複数のガス供給配管をそれぞれ有し、各ガス供給配管はその一部にガスの流量を調整するガス流量調整機構が設けられていることが好ましい。
このような構成によれば、ガス供給口毎に供給されるガスの流量を調整できるので、傾いたプラズマ生成空間におけるガス濃度の均一化を測る上でより緻密なガス供給制御が可能となる。 In the atmospheric pressure plasma processing apparatus according to the present invention, each of the first and second supply units has a plurality of gas supply pipes communicating with each of the gas supply ports, and each gas supply pipe adjusts a gas flow rate to a part thereof. It is preferable that a gas flow rate adjusting mechanism is provided.
According to such a configuration, since the flow rate of the gas supplied to each gas supply port can be adjusted, more precise gas supply control can be performed in measuring the uniformity of the gas concentration in the inclined plasma generation space.

この発明による大気圧プラズマ処理装置において、ガス供給手段によって供給されるガスは、少なくとも水素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、炭酸ガス、ＣＦ４およびＳＦ６のいずれかを含んでもよい。   In the atmospheric pressure plasma processing apparatus according to the present invention, the gas supplied by the gas supply means may include at least one of hydrogen, helium, neon, argon, krypton, xenon, carbon dioxide, CF4 and SF6.

以下、図面に示す実施例に基づいてこの発明を詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail based on embodiments shown in the drawings.

実施例
図１および図２に基づいて、この発明の実施例によるプラズマプロセス装置について説明する。
図１は、実施例による大気圧プラズマ処理装置の正面図、図２は図１に示される大気圧プラズマ処理装置の左側面図、図３は図１に示される大気圧プラズマ処理装置の右側面図、図４は図１のＡ−Ａ矢視断面図、図５は図２のＢ−Ｂ矢視断面図である。 Embodiment A plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
1 is a front view of an atmospheric pressure plasma processing apparatus according to an embodiment, FIG. 2 is a left side view of the atmospheric pressure plasma processing apparatus shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a right side view of the atmospheric pressure plasma processing apparatus shown in FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 1, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG.

装置構成
図１〜５に示されるように、実施例１による大気圧プラズマ処理装置１０は、概して、平板状の被処理物Ｓの導入と搬出を許容する導入口１１と搬出口１２がそれぞれ形成された常圧用の反応容器（反応部）１３と、反応容器１３内に互いに所定の間隔を空けて対向するように配置されプラズマ生成空間Ｐを規定する一対の第１電極１４および第２電極１５と、プラズマ生成空間Ｐ内にガスを供給するガス供給手段１６と、プラズマ生成空間Ｐからガスを排出するガス排出手段１７とを備えている。
第１および第２電極１４，１５の対向面は水平に対して所定の角度θをなすようにそれぞれ傾斜し、ガス供給手段１６は、第１電極１４側からプラズマ生成空間Ｐにガスを供給する第１供給部１８と、第２電極１５側からプラズマ生成空間Ｐにガスを供給する第２供給部１９とを有し、第１および第２供給部１８，１９は第１および第２電極１４，１５の対向面の傾斜方向に沿って互いに隣接するように並んだ複数のガス供給口２０をそれぞれ有している。 As shown in FIGS. 1 to 5, the atmospheric pressure plasma processing apparatus 10 according to the first embodiment is generally formed with an introduction port 11 and a carry-out port 12 that allow introduction and unloading of the plate-shaped workpiece S, respectively. The normal pressure reaction vessel (reaction unit) 13 and a pair of first electrode 14 and second electrode 15 that are disposed in the reaction vessel 13 so as to face each other with a predetermined gap therebetween and define a plasma generation space P. And gas supply means 16 for supplying gas into the plasma generation space P and gas discharge means 17 for discharging gas from the plasma generation space P.
The opposing surfaces of the first and second electrodes 14 and 15 are inclined so as to form a predetermined angle θ with respect to the horizontal, and the gas supply means 16 supplies gas to the plasma generation space P from the first electrode 14 side. The first supply unit 18 and the second supply unit 19 that supplies gas to the plasma generation space P from the second electrode 15 side include the first and second supply units 14 and 19. , 15 have a plurality of gas supply ports 20 arranged adjacent to each other along the inclination direction of the opposing surfaces.

以下、図１〜５に基づいてより詳細に説明する。
図１〜５に示されるように、実施例１による大気圧プラズマ処理装置１０は、ガラス基板などの平板状の被処理物Ｓが導入される導入口１１と被処理物Ｓが搬出される搬出口１２が形成されたアルミニウム製の反応容器１３と、反応容器１３内に配置され被処理物Ｓの導入を許容するように互いに所定の間隔を空けて対向する細長い第１電極１４および第２電極１５と、第１電極１４に装着され第１電極１４の両脇からガスを供給する第１供給部１８と、第２電極１５に装着され第２電極１５の両脇からガスを供給する第２供給部１９と、反応容器１３の下部に接続され、プラズマ生成空間Ｐの下側からガスを供給する第３供給部２１と、反応容器１３の上部に接続されプラズマ生成空間Ｐの上側からガスを排出するガス排出手段１７と、反応容器１３の導入口１１に装着され第１および第２電極側１４，１５から導入口１１に向かってそれぞれガスを噴出する第４および第５供給部２２，２３と、反応容器１３の搬出口１２に装着され第１および第２電極側１４，１５から搬出口１２に向かってそれぞれガスを噴出する第６および第７供給部２４，２５と、第１および第２電極１４，１５に高周波電力を供給する高周波電源２６とから主に構成されている。 Hereinafter, it demonstrates in detail based on FIGS.
As shown in FIGS. 1 to 5, the atmospheric pressure plasma processing apparatus 10 according to the first embodiment has an introduction port 11 through which a plate-like workpiece S such as a glass substrate is introduced, and a carry-out through which the workpiece S is carried out. An aluminum reaction vessel 13 in which an outlet 12 is formed, and an elongated first electrode 14 and a second electrode which are arranged in the reaction vessel 13 and face each other at a predetermined interval so as to allow introduction of the workpiece S 15, a first supply unit 18 that is attached to the first electrode 14 and supplies gas from both sides of the first electrode 14, and a second that is attached to the second electrode 15 and supplies gas from both sides of the second electrode 15. A supply unit 19 is connected to the lower part of the reaction vessel 13 to supply gas from the lower side of the plasma generation space P, and is connected to the upper part of the reaction vessel 13 to supply gas from the upper side of the plasma generation space P. Gas discharge means 17 to discharge, Fourth and fifth supply parts 22 and 23 that are attached to the inlet 11 of the container 13 and eject gas from the first and second electrode sides 14 and 15 toward the inlet 11, respectively, and the outlet 12 of the reaction container 13. The high frequency power is supplied to the sixth and seventh supply parts 24 and 25 and the first and second electrodes 14 and 15 which are attached to the first and second electrode sides 14 and 15 and eject gas from the first and second electrode sides 14 and 15 toward the carry-out port 12, respectively. It is mainly composed of a high frequency power supply 26 to be supplied.

反応容器１３は、反応容器１３を所望の傾斜角θで固定できる支持台２７に装着され、水平に対して傾いた状態にある被処理物Ｓの導入を許容する傾斜角θの導入口１１と、被処理物Ｓの搬出を許容する傾斜角θの搬出口１２とを有している。
反応容器１３内に所定の間隔を空けて対向するように配置されるアルミニウム製の第１および第２電極１４，１５は細長い直方体状の形状を有し、第１および第２電極１４，１５によって挟まれた空間がプラズマ生成空間Ｐとなる。第１および第２電極１４，１５の対向面は耐プラズマ性を考慮してセラミクス（アルミナ９９．５％）からなる誘電体２８で被覆され、導入口１１および搬出口１２と同様に水平に対して傾斜角θで傾斜している。
これにより、プラズマ生成空間Ｐは、水平に対して傾斜角θで傾斜し、傾いた状態で搬送される被処理物Ｓはプラズマ生成空間Ｐを通過する際にプラズマ処理が施される。 The reaction vessel 13 is mounted on a support base 27 that can fix the reaction vessel 13 at a desired inclination angle θ, and an introduction port 11 having an inclination angle θ that allows introduction of the workpiece S that is inclined with respect to the horizontal. And a carry-out port 12 having an inclination angle θ that allows the workpiece S to be carried out.
The first and second electrodes 14 and 15 made of aluminum disposed in the reaction vessel 13 so as to face each other at a predetermined interval have an elongated rectangular parallelepiped shape, and are formed by the first and second electrodes 14 and 15. The sandwiched space becomes a plasma generation space P. The opposing surfaces of the first and second electrodes 14 and 15 are covered with a dielectric 28 made of ceramics (alumina 99.5%) in consideration of plasma resistance, and are horizontal with respect to the inlet 11 and the outlet 12 as well. Is inclined at an inclination angle θ.
As a result, the plasma generation space P is inclined at an inclination angle θ with respect to the horizontal, and the workpiece S conveyed in the inclined state is subjected to plasma processing when passing through the plasma generation space P.

被処理物Ｐは、その下端と係合する駆動ローラ２９と、被処理物Ｓの裏面側に接する複数の従動ローラ３０によって傾斜した状態のまま搬送される。
傾斜したプラズマ生成空間Ｐにガスを供給するための第１および第２供給部１８，１９は、隔壁部３１によって仕切られ第１および第２電極の両脇に第１および第２電極１４，１５の長手方向に沿って互いに隣接するように並んだ複数のガス供給路３２と、外部から各ガス供給路に接続されたガス供給配管３３とから主に構成されている。
各ガス供給配管３３はガス供給路３２に接続される手前の位置にガス流量調整器３４が設けられ、ガス供給配管毎にガス流量の調整が行えるように構成されている。
各ガス供給配管３３から供給されたガスは、各ガス供給路３２の端に形成されたガス供給口２０からプラズマ生成空間Ｐに供給される。なお、ガス供給路３２は耐プラズマ性を考慮してセラミクス（アルミナ９９．５％）で形成されている。 The workpiece P is conveyed in an inclined state by a drive roller 29 that engages with the lower end of the workpiece P and a plurality of driven rollers 30 that are in contact with the back side of the workpiece S.
The first and second supply portions 18 and 19 for supplying gas to the inclined plasma generation space P are partitioned by the partition wall portion 31, and the first and second electrodes 14 and 15 are provided on both sides of the first and second electrodes. The plurality of gas supply paths 32 arranged so as to be adjacent to each other along the longitudinal direction and the gas supply pipes 33 connected to the respective gas supply paths from the outside are mainly configured.
Each gas supply pipe 33 is provided with a gas flow rate regulator 34 at a position just before it is connected to the gas supply path 32, and is configured so that the gas flow rate can be adjusted for each gas supply pipe.
The gas supplied from each gas supply pipe 33 is supplied to the plasma generation space P from the gas supply port 20 formed at the end of each gas supply path 32. The gas supply path 32 is made of ceramics (alumina 99.5%) in consideration of plasma resistance.

第３供給部２１は、反応容器１３の下側に設けられ、プラズマ生成空間Ｐの下側から上側へ向かってガスを噴出する。第３供給部２１は、空気より比重の重いガスが第１および第２供給部１８，１９から供給された場合に、プラズマ生成空間Ｐの下側にガス濃度の濃い雰囲気が形成され、滞留することを防止するための補助的作用を行うもので、第３供給部２１からガスを噴出させることによりプラズマ生成空間Ｐ内のガスをガス排出手段１７が設けられた上側へ向かわせる。   The third supply unit 21 is provided on the lower side of the reaction vessel 13 and ejects gas from the lower side to the upper side of the plasma generation space P. When the gas having a specific gravity higher than that of air is supplied from the first and second supply units 18 and 19, the third supply unit 21 forms an atmosphere having a high gas concentration below the plasma generation space P and stays there. In order to prevent this, the gas in the plasma generation space P is directed to the upper side where the gas discharge means 17 is provided by ejecting the gas from the third supply unit 21.

つまり、この実施例では、アルゴン、クリプトン、キセノン、炭酸ガス、ＣＦ４、ＳＦ６などの空気より比重の重いガスを使用することを想定して第３供給部２１を反応容器１３の下側に、ガス排出手段１７を反応容器１３の上側にそれぞれ設けているが、水素、ヘリウム、ネオンなどの空気より比重の軽いガスを使用する場合には、第３供給部２１を上側に、ガス排出手段１７を下側にそれぞれ設けるとよい。
なお、供給されるガスが、上記したガスの混合ガスであって、混合ガスのうち空気と比重の大きく異なるガスの比率が全体量に対して少量であれば、該ガスは主となるガスの流れにのって拡散するので、ガス濃度が不均一となる状態は形成されにくい。
したがって、このような混合ガスが用いられる場合には、主となるガスの比重に応じて第３供給部２１とガス排出手段１７の上下設定を決めればよい。 That is, in this embodiment, assuming that a gas having a specific gravity higher than air, such as argon, krypton, xenon, carbon dioxide, CF4, SF6, is used, the third supply unit 21 is placed on the lower side of the reaction vessel 13 with a gas. Although the discharge means 17 is provided on the upper side of the reaction vessel 13, when using a gas having a specific gravity lighter than air, such as hydrogen, helium, neon, etc., the third supply portion 21 is on the upper side and the gas discharge means 17 is It is good to provide each on the lower side.
If the gas to be supplied is a mixed gas of the above-mentioned gas and the ratio of the gas having a specific gravity greatly different from that of air is small relative to the total amount, the gas is the main gas. Since it diffuses along the flow, it is difficult to form a state where the gas concentration is non-uniform.
Therefore, when such a mixed gas is used, the upper and lower settings of the third supply unit 21 and the gas discharge means 17 may be determined according to the specific gravity of the main gas.

また、この実施例では、上述のとおり、下側に第３供給部２１、上側にガス排出手段１７をそれぞれ１つずつ設けているが、上下両方に第３供給部２１とガス排出手段１７をそれぞれ設け、用いるガスの比重に応じて、第３供給部２１とガス排出手段１７を選択的に作動させることができるように構成してもよい。   In this embodiment, as described above, the third supply unit 21 is provided on the lower side and the gas discharge unit 17 is provided on the upper side, but the third supply unit 21 and the gas discharge unit 17 are provided on both the upper and lower sides. You may comprise so that the 3rd supply part 21 and the gas discharge means 17 can be selectively operated according to the specific gravity of each gas provided and used.

第４および第５供給部２２，２３は、反応容器１３の導入口１１の第１および第２電極１４，１５側にそれぞれ設けられ、第１および第２電極１４，１５側から導入口１１に向けてガスを噴出する。これにより、導入口１１からプラズマ生成空間Ｐに外気が混入することを防止できる共に、プラズマ生成空間Ｐ内のガスが導入口１１から流出することを防止できる。
一方、第６および第７供給部２４，２５は、反応容器１３の搬出口１２の第１および第２電極１４，１５側にそれぞれ設けられ、第１および第２電極１４，１５側から搬出口１２に向けてガスを噴出する。これにより搬出口１２からプラズマ生成空間Ｐに外気が混入することを防止できる共に、プラズマ生成空間Ｐ内のガスが搬出口１２から外部に流出することを防止できる。
なお、第４、第５、第６および第７ガス供給部２２，２３，２４，２５は、第１および第２ガス供給部１８，１９と同様に、複数のガス供給口３５と、複数のガス供給配管３６とから主に構成されている。 The fourth and fifth supply parts 22 and 23 are provided on the first and second electrodes 14 and 15 side of the introduction port 11 of the reaction vessel 13, respectively, and are introduced from the first and second electrodes 14 and 15 side to the introduction port 11. A gas is spouted out. Accordingly, it is possible to prevent outside air from being mixed into the plasma generation space P from the introduction port 11 and to prevent the gas in the plasma generation space P from flowing out from the introduction port 11.
On the other hand, the sixth and seventh supply parts 24 and 25 are respectively provided on the first and second electrodes 14 and 15 side of the carry-out port 12 of the reaction vessel 13, and are carried out from the first and second electrodes 14 and 15 side. Gas is spouted toward 12. Accordingly, it is possible to prevent outside air from entering the plasma generation space P from the carry-out port 12 and to prevent the gas in the plasma generation space P from flowing out from the carry-out port 12 to the outside.
The fourth, fifth, sixth, and seventh gas supply units 22, 23, 24, and 25 have a plurality of gas supply ports 35 and a plurality of gas supply ports, as in the first and second gas supply units 18 and 19. It is mainly composed of the gas supply pipe 36.

プラズマ生成空間Ｐに第１供給部１８および第２供給部１９からガスが供給され、３０ｋＨｚの高周波電源２６から第１および第２電極１４，１５に高周波電力が投入されると、プラズマ生成空間Ｐに大気圧プラズマが生成され、被処理物Ｓに対して洗浄、成膜、エッチング、アッシングまたは表面改質などの所望のプラズマ処理が行われる。   When gas is supplied from the first supply unit 18 and the second supply unit 19 to the plasma generation space P and high frequency power is supplied from the 30 kHz high frequency power supply 26 to the first and second electrodes 14 and 15, the plasma generation space P At this time, atmospheric pressure plasma is generated, and a desired plasma treatment such as cleaning, film formation, etching, ashing, or surface modification is performed on the workpiece S.

比較例
実施例による大気圧プラズマ処理装置との比較に用いるため、比較例としての大気圧プラズマ処理装置を作製した。
図６に示されるように、比較例による大気圧プラズマ処理装置１００は、第１および第２供給部１１８，１１９が、実施例による大気圧プラズマ処理装置１０（図１〜５参照）のように、隔壁部３１によって隔てられた複数のガス供給路３２を備えず、また、第３供給部２１が設けられていない点のみが、実施例の大気圧プラズマ処理装置１０と異なる。それ以外の構成は実施例による大気圧プラズマ処理装置１０と同様の構成を有する。 Comparative Example An atmospheric pressure plasma processing apparatus as a comparative example was fabricated for use in comparison with the atmospheric pressure plasma processing apparatus according to the example.
As shown in FIG. 6, in the atmospheric pressure plasma processing apparatus 100 according to the comparative example, the first and second supply units 118 and 119 are similar to the atmospheric pressure plasma processing apparatus 10 according to the embodiment (see FIGS. 1 to 5). The only difference from the atmospheric pressure plasma processing apparatus 10 of the embodiment is that the plurality of gas supply paths 32 separated by the partition wall 31 are not provided and the third supply part 21 is not provided. Other configurations are the same as those of the atmospheric pressure plasma processing apparatus 10 according to the embodiment.

以下、実施例に係る大気圧プラズマ処理装置１０と、比較例の大気圧プラズマ処理装置１００を用いて行った試験例について説明する。   Hereinafter, a test example performed using the atmospheric pressure plasma processing apparatus 10 according to the example and the atmospheric pressure plasma processing apparatus 100 of the comparative example will be described.

試験例１
実施例の大気圧プラズマ処理装置１０を以下の条件で放電させ、プラズマを生成させた。 Test example 1
The atmospheric pressure plasma processing apparatus 10 of the example was discharged under the following conditions to generate plasma.

第１電極と第２電極の長手方向の長さ（Ｌ）：１５８０ｍｍ
第１電極と第２電極の幅（Ｗ１）：２３ｍｍ
第１電極と第２電極の対向間隔（Ｇ）：５ｍｍ
ガス供給配管：１／４インチ配管
ガス供給口の寸法（Ｈ）×（Ｗ２）：１ｍｍ×１９０ｍｍ
ガス供給口の数：３２（第１電極側８箇所×２列、第２電極側８箇所×２列）
隔壁部の幅（Ｗ３）：１ｍｍ
第１供給部から供給されるガス：ヘリウム２０ｓｌｍ、窒素３２０ｓｃｃｍ、酸素８０ｓｃｃｍ（流量調整なし）
第２供給部から供給されるガス：（第１供給部と同じ）（流量調整なし）
ガス排出手段：排気口（φ１ｍｍ）×４
印加電圧：１０ｋＶ Length in the longitudinal direction of the first electrode and the second electrode (L): 1580 mm
First electrode and second electrode width (W1): 23 mm
Opposite distance (G) between the first electrode and the second electrode: 5 mm
Gas supply piping: 1/4 inch piping gas supply port dimensions (H) × (W2): 1 mm × 190 mm
Number of gas supply ports: 32 (8 locations on the first electrode side x 2 rows, 8 locations on the second electrode side x 2 rows)
Partition width (W3): 1mm
Gas supplied from the first supply unit: helium 20 slm, nitrogen 320 sccm, oxygen 80 sccm (no flow rate adjustment)
Gas supplied from the second supply unit: (same as the first supply unit) (no flow rate adjustment)
Gas discharge means: exhaust port (φ1mm) × 4
Applied voltage: 10 kV

放電させた結果、図２および図３に示す傾斜角θが９°の時点で下方側のプラズマが不安定となり、４５°を越えた時点で上方側が異常放電となった。   As a result of the discharge, the plasma on the lower side became unstable when the inclination angle θ shown in FIGS. 2 and 3 was 9 °, and abnormal discharge occurred on the upper side when it exceeded 45 °.

試験例２
試験例２の条件に付け加えて、各ガス供給配管３３のガス流量調整器３４により、流量調整を行いつつ放電させた結果、傾斜角θが５７°となったあたりで下方側のプラズマが不安定となり、７０°を越えた時点で上方側が異常放電となった。 Test example 2
In addition to the conditions of Test Example 2, as a result of discharging while adjusting the flow rate by the gas flow rate regulator 34 of each gas supply pipe 33, the lower plasma is unstable when the inclination angle θ becomes 57 °. When the angle exceeded 70 °, the upper side was abnormally discharged.

試験例３
試験例２の条件に付け加えて、第３供給部２１からもガスを供給すると共に、総ガス流量を一定とし、傾斜角θの変化に応じて流量比を以下の範囲で変化させた。 Test example 3
In addition to the conditions of Test Example 2, gas was supplied also from the third supply unit 21, the total gas flow rate was made constant, and the flow rate ratio was changed in the following range according to the change in the inclination angle θ.

第１供給部から供給されるガス：ヘリウム８〜１６ｓｌｍ、窒素１２８〜２５６ｓｃｃｍ、酸素３２〜６４ｓｃｃｍ
第２供給部から供給されるガス：（第１供給部と同じ）
第３供給部から供給されるガス：ヘリウム８〜２４ｓｌｍ、窒素１２８〜３８４ｓｃｃｍ、酸素３２〜９６ｓｃｃｍ Gas supplied from the first supply unit: helium 8 to 16 slm, nitrogen 128 to 256 sccm, oxygen 32 to 64 sccm
Gas supplied from the second supply unit: (same as the first supply unit)
Gas supplied from the third supply unit: helium 8-24 slm, nitrogen 128-384 sccm, oxygen 32-96 sccm

各ガス供給配管３３の流量を調整しつつ放電させた結果、傾斜角θが０〜８９°の範囲で均一なプラズマを生成させることができた。   As a result of discharging while adjusting the flow rate of each gas supply pipe 33, uniform plasma could be generated in the range of the inclination angle θ of 0 to 89 °.

比較例による装置を用いた試験例
上述の比較例による大気圧プラズマ処理装置１００を以下の条件で放電させ、プラズマを生成させた。 Test Example Using Apparatus According to Comparative Example The atmospheric pressure plasma processing apparatus 100 according to the above-described comparative example was discharged under the following conditions to generate plasma.

第１電極と第２電極の長手方向の長さ：１５８０ｍｍ
第１電極と第２電極の幅：２３ｍｍ
第１電極と第２電極の対向間隔：５ｍｍ
ガス供給配管：１／４インチ配管
ガス供給口の寸法：１ｍｍ×１５４０ｍｍ
ガス供給口の数：４（第１電極側２つ、第２電極側２つ）
第１供給部から供給されるガス：ヘリウム２０ｓｌｍ、窒素３２０ｓｃｃｍ、酸素８０ｓｃｃｍ
第２供給部から供給されるガス：（第１供給部と同じ）
ガス排出手段：排気口（φ１ｍｍ）×４
印加電圧：１０ｋＶ Length in the longitudinal direction of the first electrode and the second electrode: 1580 mm
First electrode and second electrode width: 23 mm
Opposite distance between the first electrode and the second electrode: 5 mm
Gas supply piping: 1/4 inch piping gas supply port dimensions: 1 mm x 1540 mm
Number of gas supply ports: 4 (two first electrode sides, two second electrode sides)
Gas supplied from the first supply unit: helium 20 slm, nitrogen 320 sccm, oxygen 80 sccm
Gas supplied from the second supply unit: (same as the first supply unit)
Gas discharge means: exhaust port (φ1mm) × 4
Applied voltage: 10 kV

放電させた結果、傾斜角θが２°の時点で下方側のプラズマが不安定となり、傾斜角θが２０°を越えた時点で上方側が異常放電となった。   As a result of the discharge, the plasma on the lower side became unstable when the tilt angle θ was 2 °, and the upper side became abnormal discharge when the tilt angle θ exceeded 20 °.

試験例４
実施例の大気圧プラズマ処理装置１０を以下の条件で放電させ、プラズマを生成させた。 Test example 4
The atmospheric pressure plasma processing apparatus 10 of the example was discharged under the following conditions to generate plasma.

第１電極と第２電極の長手方向の長さ（Ｌ）：１５８０ｍｍ
第１電極と第２電極の幅（Ｗ１）：２３ｍｍ
第１電極と第２電極の対向間隔（Ｇ）：４ｍｍ
ガス供給配管：１／４インチ配管
ガス供給口の寸法（Ｈ）×（Ｗ２）：１ｍｍ×１９０ｍｍ
ガス供給口の数：３２（第１電極側８箇所×２列、第２電極側８箇所×２列）
隔壁部の幅（Ｗ３）：１ｍｍ
第１供給部から供給されるガス：ヘリウム１０ｓｌｍ、窒素１０ｓｌｍ、ＣＦ４（四弗化メタン）１ｓｌｍ（流量調整あり）
第２供給部から供給されるガス：（第１供給部と同じ）（流量調整あり）
ガス排出手段：排気口（φ１ｍｍ）×４
印加電圧：１８ｋＶ Length in the longitudinal direction of the first electrode and the second electrode (L): 1580 mm
First electrode and second electrode width (W1): 23 mm
Opposite distance (G) between the first electrode and the second electrode: 4 mm
Gas supply piping: 1/4 inch piping gas supply port dimensions (H) × (W2): 1 mm × 190 mm
Number of gas supply ports: 32 (8 locations on the first electrode side x 2 rows, 8 locations on the second electrode side x 2 rows)
Partition width (W3): 1mm
Gas supplied from the first supply unit: helium 10 slm, nitrogen 10 slm, CF4 (tetrafluoromethane) 1 slm (with flow rate adjustment)
Gas supplied from the second supply unit: (same as the first supply unit) (with flow rate adjustment)
Gas discharge means: exhaust port (φ1mm) × 4
Applied voltage: 18 kV

放電させた結果、傾斜角θが７５°の時点で下方側のプラズマが不安定となり、傾斜角θが８２℃を超えた時点で上方側が異常放電となった。   As a result of the discharge, the lower plasma became unstable when the tilt angle θ was 75 °, and abnormal discharge occurred on the upper side when the tilt angle θ exceeded 82 ° C.

試験例５
試験例４の条件に付け加えて、第３供給部２１からもガスを供給すると共に、総ガス流量を一定とし、傾斜角θの変化に応じて流量比を以下の範囲で変化させた。 Test Example 5
In addition to the conditions of Test Example 4, gas was supplied also from the third supply unit 21, the total gas flow rate was made constant, and the flow rate ratio was changed in the following range according to the change in the inclination angle θ.

第１供給部から供給されるガス：ヘリウム６〜８ｓｌｍ、窒素６〜８ｓｌｍ、ＣＦ４（四弗化メタン）０．６〜０．８ｓｌｍ
第２供給部から供給されるガス：（第１供給部と同じ）
第３供給部から供給されるガス：ヘリウム４〜８ｓｌｍ、窒素４〜８ｓｌｍ、ＣＦ４（四弗化メタン）０．４〜０．８ｓｌｍ Gas supplied from the first supply unit: helium 6-8 slm, nitrogen 6-8 slm, CF4 (tetrafluoromethane) 0.6-0.8 slm
Gas supplied from the second supply unit: (same as the first supply unit)
Gas supplied from the third supply part: helium 4-8 slm, nitrogen 4-8 slm, CF4 (tetrafluoromethane) 0.4-0.8 slm

各ガス供給配管３３の流量を調整しつつ放電させた結果、傾斜角θが０〜８９°の範囲で均一なプラズマを生成させることができた。   As a result of discharging while adjusting the flow rate of each gas supply pipe 33, uniform plasma could be generated in the range of the inclination angle θ of 0 to 89 °.

この発明の実施例による大気圧プラズマ処理装置の正面図である。It is a front view of the atmospheric pressure plasma processing apparatus by the Example of this invention. 図１に示される大気圧プラズマ処理装置の左側面図である。It is a left view of the atmospheric pressure plasma processing apparatus shown by FIG. 図１に示される大気圧プラズマ処理装置の右側面図である。It is a right view of the atmospheric pressure plasma processing apparatus shown by FIG. 図１のＡ−Ａ矢視断面図である。It is AA arrow sectional drawing of FIG. 図２のＢ−Ｂ矢視断面図である。It is a BB arrow sectional view of Drawing 2. 比較例による大気圧プラズマ処理装置の断面図である。It is sectional drawing of the atmospheric pressure plasma processing apparatus by a comparative example.

符号の説明Explanation of symbols

１０，１００・・・大気圧プラズマ処理装置
１１・・・導入口
１２・・・搬出口
１３・・・反応容器
１４・・・第１電極
１５・・・第２電極
１６・・・ガス供給手段
１７・・・ガス排出手段
１８，１１８・・・第１供給部
１９，１１９・・・第２供給部
２０，３５・・・ガス供給口
２１・・・第３供給部
２２・・・第４供給部
２３・・・第５供給部
２４・・・第６供給部
２５・・・第７供給部
２６・・・高周波電源
２７・・・支持台
２８・・・誘電体
２９・・・駆動ローラ
３０・・・従動ローラ
３１・・・隔壁部
３２・・・ガス供給路
３３，３６・・・ガス供給配管
３４・・・ガス流量調節器
Ｐ・・・プラズマ生成領域
Ｓ・・・被処理物 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10,100 ... Atmospheric pressure plasma processing apparatus 11 ... Inlet 12 ... Outlet 13 ... Reaction container 14 ... 1st electrode 15 ... 2nd electrode 16 ... Gas supply means 17 ... Gas discharge means 18, 118 ... 1st supply part 19,119 ... 2nd supply part 20, 35 ... Gas supply port 21 ... 3rd supply part 22 ... 4th Supply unit 23 ... fifth supply unit 24 ... sixth supply unit 25 ... seventh supply unit 26 ... high-frequency power supply 27 ... support base 28 ... dielectric 29 ... drive roller DESCRIPTION OF SYMBOLS 30 ... Driven roller 31 ... Partition part 32 ... Gas supply path 33,36 ... Gas supply piping 34 ... Gas flow rate regulator P ... Plasma generation area S ... To-be-processed object

Claims (7)

常圧用の反応部と、反応部内に互いに所定の間隔を空けて対向するように配置されプラズマ生成空間を規定する一対の第１電極および第２電極と、プラズマ生成空間にガスを供給するガス供給手段と、前記空間からガスを排出するガス排出手段とを備え、第１および第２電極の対向面は水平に対して所定の角度をなすようにそれぞれ傾斜し、ガス供給手段は、第１電極側からプラズマ生成空間にガスを供給する第１供給部と、第２電極側からプラズマ生成空間にガスを供給する第２供給部を有し、第１および第２供給部は第１および第２電極の対向面の傾斜方向に沿って互いに隣接するように並んだ複数のガス供給口をそれぞれ有することを特徴とする大気圧プラズマ処理装置。   A normal pressure reaction section, a pair of first and second electrodes that are disposed in the reaction section so as to face each other with a predetermined gap therebetween, and a gas supply for supplying gas to the plasma generation space And gas discharge means for discharging gas from the space, the opposing surfaces of the first and second electrodes are inclined so as to form a predetermined angle with respect to the horizontal, and the gas supply means includes the first electrode A first supply unit that supplies gas to the plasma generation space from the side, and a second supply unit that supplies gas to the plasma generation space from the second electrode side. The first and second supply units are first and second An atmospheric pressure plasma processing apparatus comprising a plurality of gas supply ports arranged adjacent to each other along an inclination direction of an opposing surface of an electrode. 第１および第２電極はそれらの対向面の傾斜方向を長手方向とする細長い形状を有し、ガス排出手段は第１および第２電極の一端側の近傍に設けられ、ガス供給手段は、第１および第２電極の他端側から第１および第２電極の対向面の傾斜方向に向かってプラズマ生成空間にガスを噴出する第３供給部を備えることを特徴とする請求項１に記載の大気圧プラズマ処理装置。   The first and second electrodes have an elongated shape whose longitudinal direction is the inclination direction of the opposed surfaces, the gas discharge means is provided in the vicinity of one end side of the first and second electrodes, and the gas supply means 2. The third supply unit according to claim 1, further comprising a third supply unit that ejects gas into the plasma generation space from the other end of the first and second electrodes toward the inclined direction of the opposing surfaces of the first and second electrodes. Atmospheric pressure plasma processing equipment. 反応部は被処理物の導入と搬出を許容する導入口と搬出口を有し、ガス供給手段は、第１電極側から導入口に向かってガスを噴出する第４供給部と、第２電極側から導入口に向かってガスを噴出する第５供給部と、第１電極側から搬出口に向かってガスを噴出する第６供給部と、第２電極側から搬出口に向かってガスを噴出する第７供給部を備えることを特徴とする請求項１に記載の大気圧プラズマ処理装置。   The reaction section has an inlet and an outlet for allowing introduction and unloading of the workpiece, and the gas supply means includes a fourth supply section for ejecting gas from the first electrode side toward the inlet, and a second electrode. A fifth supply unit that ejects gas from the side toward the introduction port, a sixth supply unit that ejects gas from the first electrode side toward the carry-out port, and a gas jet from the second electrode side toward the carry-out port The atmospheric pressure plasma processing apparatus according to claim 1, further comprising a seventh supply unit configured to perform the operation. 第１および第２供給部の各ガス供給口は、第１および第２電極の対向面の傾斜方向に沿った幅が２００ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の大気圧プラズマ処理装置。   2. The atmospheric pressure plasma treatment according to claim 1, wherein each of the gas supply ports of the first and second supply units has a width of 200 mm or less along the inclined direction of the opposing surfaces of the first and second electrodes. apparatus. 第１および第２供給部は、ガス供給口の各々に通ずる複数のガス供給配管をそれぞれ有し、各ガス供給配管はその一部にガスの流量を調整するガス流量調整機構が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の大気圧プラズマ処理装置。   Each of the first and second supply units has a plurality of gas supply pipes communicating with each of the gas supply ports, and each gas supply pipe is provided with a gas flow rate adjusting mechanism for adjusting the gas flow rate at a part thereof. The atmospheric pressure plasma processing apparatus according to claim 1. ガス供給手段によって供給されるガスは、少なくとも水素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、炭酸ガス、ＣＦ４およびＳＦ６のいずれかを含むガスであることを特徴とする請求項１に記載の大気圧プラズマ処理装置。   The atmospheric pressure according to claim 1, wherein the gas supplied by the gas supply means is a gas containing at least one of hydrogen, helium, neon, argon, krypton, xenon, carbon dioxide, CF4 and SF6. Plasma processing equipment. 第１および第２供給部の各ガス供給口は、少なくともプラズマ生成空間に露出する部位がセラミクスにより形成されることを特徴とする請求項１に記載の大気圧プラズマ処理装置。   2. The atmospheric pressure plasma processing apparatus according to claim 1, wherein each gas supply port of the first supply unit and the second supply unit has at least a portion exposed to the plasma generation space formed by ceramics.

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