JP2006317294A - プローブカード - Google Patents
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Abstract
【課題】 所定の荷重を超えないオーバードライブ状態でプローブを検査対象物に接触させることができるプローブカードを提供することを目的とする。
【解決手段】 コンタクトユニット2は、プローブ21が形成されたコンタクト基板20に金属板25を貼付して構成され、フレキシブル基板30によって、メイン基板10から上下動自在に吊り下げられている。このため、プローブ21に当接させた検査対象物40によってコンタクトユニット2が持ち上げられると、プローブ21には実質的にコンタクトユニットの重量が付与され、この荷重はオーバードライブ量が変化しても一定のままであり、プローブに過大な針荷重が付与されるのを防止できる。
【選択図】 図5
【解決手段】 コンタクトユニット2は、プローブ21が形成されたコンタクト基板20に金属板25を貼付して構成され、フレキシブル基板30によって、メイン基板10から上下動自在に吊り下げられている。このため、プローブ21に当接させた検査対象物40によってコンタクトユニット2が持ち上げられると、プローブ21には実質的にコンタクトユニットの重量が付与され、この荷重はオーバードライブ量が変化しても一定のままであり、プローブに過大な針荷重が付与されるのを防止できる。
【選択図】 図5
Description
本発明は、プローブカードに関するもので、更に詳しくは、半導体ウエハ上に形成されたデバイスなどの検査対象物の電気的特性を検査する際に使用されるプローブカードの改良に関するものである。
プローブカードとは、半導体集積回路の電極パッドにプローブ(接触探針)を接触させて、電極パッドの電気信号を取出すための電気的接続手段であって、一般的に、多層配線基板が使用され、この多層配線基板上に、半導体集積回路の電極パッドの数およびピッチに対応して複数のプローブが配列され、プローブから入った電気信号は多層配線基板を通じて所定間隔に配置された外部端子に導かれるように構成されている。
このプローブカードを使用して半導体ウエハ上のデバイスの電気的特性を検査する場合には、プローブカードをプローブ装置に取付け、プローブカードの外部端子の電気信号をプローブ装置外に取出せるように電気的な接続を行った後、プローブを半導体ウエハ上の電極パッドに押し付けている。
プローブと電極パッドとを良好に導通させるためには、単にプローブを電極パッドに接触させるだけでなく、プローブに所定の針荷重を与えて電極パッドに押し付けた状態にしておく必要がある。特に、複数の電極パッドに僅かな高低差がある場合には、一部のプローブと電極パッドとが接触した後、すべてのプローブをそれぞれ電極パッドに接触させるために、更に押し付けること(オーバードライブ)が行われている。
さらに、プローブカードと半導体ウエハとが平行でない場合には、半導体ウエハの傾きに倣ってプローブカードを傾斜させるプローブ装置が従来から提案されている(例えば、特許文献1)。この特許文献1に記載されたプローブ装置は、揺動自在のプッシャーを用いてプローブカードを押圧することによって、ウエハの傾きに応じてプローブカードも傾斜させ、プローブを電極パッドに押し付けて接触させている。
実際には、プローブカードが半導体ウエハの上方に空間を空けて固定され、上下動可能な台上に置かれた半導体ウエハが持ち上げられ、半導体ウエハ上のデバイスの電極パッドがプローブに接触させられる。そして、電極パッドに高低差がある場合およびプローブカードと半導体ウエハとが平行でない場合を想定して、複数のプローブのうちの最初のプローブが電極パッドに接触した後も、プローブカードと半導体ウエハとを大きな力で押し付け合うこと(オーバードライブ)が行われている。このオーバードライブによって全てのプローブが電極パッドに確実に接触することになる。
全てのプローブを検査対象の電極パッドに確実に接触させるためにオーバードライブが行われるが、過剰なオーバードライブは、プローブの変形、さらには破損を引き起こすという問題があった。検査対象のデバイスの電極パッド数が100本程度の少ない場合には、一本あたりの荷重を例えば3グラムとすると、全体で300グラムの力が加わることになる。しかも半導体ウエハの面上には検査対象が複数領域あって、順次に検査対象領域を変更するたびに、オーバードライブの荷重が加えられることになり、数千本のプローブを備えたプローブカードでは数キロから数十キロの荷重が何度も加えられることになっていた。そのため、数千本のプローブを備えたプローブカードの場合には、本数の増加に伴って、一本一本のプローブが数μmから数十μmの極めて微細な径寸法の形状となるが、このオーバードライブの荷重に耐える構造および材質の検討が進められ、ほぼ限界に近づいていた。
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、所定の荷重を超えないオーバードライブ状態でプローブを検査対象物に接触させることができるプローブカードを提供することを目的とする。
第1の本発明によるプローブカードは、メイン基板と、上記メイン基板から上下動自在に吊り下げられたコンタクトユニットとを備え、上記コンタクトユニットが、少なくともコンタクト基板を有し、上記コンタクト基板が、表面の面上に複数のプローブが形成され、裏面を上記メイン基板の下面に対向させ、上記コンタクトユニットが、所定のオーバードライブの荷重に相当する重量を有する。
この様な構成により、各プローブを検査対象物に接触させたオーバードライブ状態において、コンタクトユニットが検査対象物によって下方から持ち上げられ、コンタクトユニットがメイン基板に対して上下動自在となるとともに、各プローブには実質的にコンタクトユニットの重量のみが加えられる。このため、コンタクトユニットが検査対象物に倣って自らバランスをとって、コンタクト基板が検査対象物と平行になるとともに、オーバードライブの荷重を所定値にすることができる。
第2の本発明によるプローブカードは、上記構成に加えて、上記コンタクトユニットが、上記コンタクト基板及び荷重部材からなり、上記荷重部材が、上記コンタクト基板に取付けられ、上記所定のオーバードライブの荷重から上記コンタクト基板の重量を差し引いた重量を有する。
この様な構成により、荷重部材の重量を調整することによって、コンタクト基板の重量にかかわらず、オーバードライブの荷重を任意に決定することができる。特に、コンタクト基板が多数のプローブを有し、大きなオーバードライブの荷重が必要とされる場合であっても、所望の荷重を確保することができる。
第3の本発明によるプローブカードは、上記構成に加えて、上記コンタクトユニットの重心が、上記コンタクト基板上における上記プローブの配置領域内にあるように構成される。この様な構成により、各プローブに対して、オーバードライブの荷重を精度よく均等に付与することができる。
第4の本発明によるプローブカードは、上記構成に加えて、上記プローブが、電気鋳造法により形成された金属針からなる。電気鋳造法によってプローブを形成することにより、コンタクト基板上に狭ピッチかつ短ストロークのプローブを配置することができる。従って、プローブ数をより増大させることができる一方で、オーバードライブの荷重としてより大きな荷重が必要とされ、また、コンタクト基板と検査対象物をより精度良く平行にすることが求められる。本発明は、この様なプローブカードに好適である。
第5の本発明によるプローブカードは、上記構成に加えて、上記コンタクト基板は、シリコン基板からなる。この様な構成により、検査対象物がシリコン基板上の集積回路である場合、温度に応じて位置ずれを生じさせることがないため、例えば温度試験などに好適である。
第6の本発明によるプローブカードは、上記構成に加えて、上記コンタクト基板が、線膨張係数が−3ppm/℃以上かつ8ppm/℃以下となるように構成される。この様な構成により、検査対象物がシリコン基板上の集積回路である場合に、コンタクト基板がシリコン基板でない場合であっても、温度に応じて顕著な位置ずれを生じさせることがなく、例えば温度試験などに好適である。
本発明によるプローブカードは、オーバードライブ状態において、コンタクトユニットが検査対象物によって下方から持ち上げられ、コンタクトユニットがメイン基板に対して上下動自在となるとともに、各プローブには実質的にコンタクトユニットの重量のみが加えられる。その際、コンタクトユニットが検査対象物に倣って自らバランスをとって、コンタクト基板が検査対象物と平行になるとともに、オーバードライブの荷重を所定値にすることができる。従って、所定の荷重を超えないオーバードライブ状態でプローブを検査対象物に接触させることができる。
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1によるプローブカード1の一例を示した外観図である。メイン基板10及びコンタクト基板20は、フレキシブル基板30によって緩やかに係合され、メイン基板10がプローブ装置によって水平に保持されている状態において、コンタクト基板20は、メイン基板10から吊り下げられ、フレキシブル基板30によって制限される範囲内において、メイン基板10に対して変位自在かつ揺動自在となる。
図1は、本発明の実施の形態1によるプローブカード1の一例を示した外観図である。メイン基板10及びコンタクト基板20は、フレキシブル基板30によって緩やかに係合され、メイン基板10がプローブ装置によって水平に保持されている状態において、コンタクト基板20は、メイン基板10から吊り下げられ、フレキシブル基板30によって制限される範囲内において、メイン基板10に対して変位自在かつ揺動自在となる。
メイン基板10は、プローブ装置に着脱可能に取り付けられ、コンタクト基板20及びフレキシブル基板30を支持する基板である。ここでは、円形形状からなるガラスエポキシ製の多層配線基板が、メイン基板10として用いられている。このメイン基板10の周縁部には多数の外部端子11が形成されている。これらの外部端子11は、図示しないテスターの信号端子と導通させるための端子であり、プローブ装置の構成に応じて、メイン基板10の上面又は下面に設けられている。これらの外部端子11は、メイン基板10の多層配線を介して、より中央寄りの位置に形成されているマイクロコネクタ12の端子にそれぞれ接続されている。
コンタクト基板20は、その表面の面上に多数のプローブ21が形成され、その裏面をメイン基板10の下面に対向させて吊り下げられる基板である。ここでは、矩形形状からなるシリコン基板が、コンタクト基板20として用いられている。プローブ21は、電気鋳造法により形成された金属針であり、その詳細については後述する。コンタクト基板20の裏面の周縁部には、電極パッドが設けられており、これらの電極パッドが、フレキシブル基板30を介して、メイン基板10に接続されている。
フレキシブル基板30は、メイン基板10及びコンタクト基板20を電気的に接続する導電線の集合体であり、可撓性を有する薄い絶縁性基板上に配線パターンが形成されている。ここでは、メイン基板10側を3つに分岐させた形状からなるフィルム基板が用いられており、各分岐部分の先端には、メイン基板10のマイクロコネクタ12と着脱可能に係合させるマイクロコネクタ31がそれぞれ設けられている。上記フィルム基板としては、ポリイミド、ガラスエポキシ、TLCP(Thermotropic Liquid Crystal Polymer)などを用いることができる。
図2〜図4は、コンタクト基板20の詳細構成例を示した図である。図2には表面側の外観の一例が示され、図3には裏面側の外観の一例が示され、さらに、図4には、裏面側の外観の他の例が示されている。コンタクト基板20の表面には、プローブ21及び配線パターン23が形成されている。また、プローブ21が形成されている領域がプローブ配置領域24である。本実施の形態では、コンタクト基板20の表面の中央に、多数のプローブ21が2列に整列配置されており、プローブ配置領域24は、これらのプローブ21によって囲まれた矩形領域である。配線パターン23は、その一端がプローブ21に接続され、その他端が、配線間ピッチを拡大させながら周縁部へ延びている。
一方、コンタクト基板20の裏面側は、中央部に金属板25,25a〜25dが貼付されるとともに、周縁部に電極パッド22が形成されている。表面側の配線パターン23は、周縁部においてコンタクト基板20を貫通するスルーホール(不図示)を介して、電極パッド22に接続されている。各電極パッド22には、フレキシブル基板30の端子32がバンプボンディングされ、メイン基板10に接続される。
図3では、電極パッド22が形成されている周縁部を残して、矩形形状からなる金属板25がコンタクト基板20の裏面に貼付されている。例えば、板状のモリブデン(Mo)が金属板25として用いられる。また、図4では、4枚の金属板25a〜25dがコンタクト基板20上に貼付されている。これらのコンタクト基板20及び金属板25(又は25a〜25d)は、一体として、変位自在かつ揺動自在にメイン基板10に支持されるコンタクトユニット2を構成している。
このコンタクトユニット2は、被検査対象物によって持ち上げられることにより、オーバードライブ時にフリー状態となり、各プローブ21には実質的にコンタクトユニット2の重量のみが付与される。つまり、コンタクトユニット2の重量がオーバードライブの荷重に相当する。このため、コンタクト基板20に金属板25,25a〜25dを貼付することによってコンタクトユニット2の重量を調整すれば、所定のオーバードライブ荷重を確保することができる。
さらに、コンタクト基板20の裏面に金属板25,25a〜25dを貼付することにより、コンタクト基板20を補強することができる。この様にして、荷重部材及び補強部材としての金属板25,25a〜25dを用いることによって、コンタクト基板20の材質や形状にかかわらず、オーバドライブ荷重に相当するコンタクトユニット2の重量を確保しつつ、構造的強度も向上させることができるので、コンタクト基板20の材質及び形状の選択の自由度を高めることができる。
また、オーバードライブ時の各プローブ21に均等に針荷重を与えるためには、コンタクトユニット2の重心がプローブ配置領域24内に位置するように、金属板25,25a〜25dを配置しておくことが望ましい。例えば、図3では、金属板25が、プローブ配置領域24内の点を中心として対称な形状からなり、また、図4では複数の金属板25a〜25dが上記点を中心として対称に配置されている。
なお、コンタクト基板20の重量だけで所望のオーバードライブ荷重が得られる場合であれば、金属板25,25a〜25dを用いなくてもよい。この場合、上記コンタクトユニット2は、コンタクト基板20のみによって構成されることになる。
例えば、コンタクト基板20上に1000本のプローブ21が形成され、これらのプローブ21をオーバードライブするために必要となる1本当たりの針荷重が0.5gであった場合、コンタクトユニット2の重量として500gが必要となる。一方、シリコンの比重は常温で2.33であることから、一辺5cmの正方形で厚さ400μmのシリコン基板からなるコンタクト基板20は2.33gとなる。従って、これらの差分に相当する約498gの金属板25をコンタクト基板20に貼付すれば、コンタクトユニット2の重量を500gにすることができる。
また、コンタクト基板20をより厚くすれば、金属板25を用いることなく重量を500gにすることもできる。しかしながら、コンタクト基板20が厚くなれば、コンタクト基板20のスルーホールの加工が困難になるため、不足分に相当する重量の金属板25をコンタクト基板20に貼付することが望ましい。
さらに、電気鋳造法によってプローブを形成すれば、コンタクト基板20上に5000〜10000本のプローブ21を形成することが可能になる。通常、針荷重として0.1〜5gが必要であり、プローブ数が5000〜10000本になれば、数kg又はそれ以上のオーバードライブ荷重が必要になる。このような場合、コンタクト基板20の重量だけでは十分なオーバードライブ荷重を確保することことはできず、不足分の重量を金属板25によって補う必要がある。
図5は、プローブ装置に取り付けられた状態のプローブカード1を示した図であり、図中の(a)には、シリコンウエハ40とのコンタクト前、(b)には、シリコンウエハ40とのコンタクト後の様子がそれぞれ示されている。検査対象物としてのシリコンウエハ40は、集積回路が形成された面を上にして可動テーブル41上に載置され、真空吸着されている。この可動テーブル41を水平面内で移動又は回転させ、プローブ21及びシリコンウエハ40の位置合わせを行った後に、可動テーブル41を上昇させてプローブ21をシリコンウエハ40上の電極パッドにコンタクトさせて、上記集積回路の電気的特性の検査が行われる。
コンタクト前のコンタクト基板20は、フレキシブル基板30の長さに応じた位置において、メイン基板10から脱落しないようにフレキシブル基板30によって吊り下げられている。つまり、コンタクト基板20は、コンタクトユニット2の重量に相当する垂直成分を有する反力をフレキシブル基板30から受けている。
検査時には、可動テーブル41を所定の検査位置で停止させることによって、プローブ21がオーバードライブ状態となる。この検査位置は、プローブ21がシリコンウエハ40に当接しはじめる位置よりも更に高く、かつ、コンタクトユニット2をメイン基板10に接触させない位置として予め定められている。つまり、オーバードライブ時には、コンタクト基板20がシリコンウエハ40によって僅かに持ち上げられ、フレキシブル基板30が撓んだ状態になっている。
このとき、コンタクト基板20が、フレキシブル基板30から受ける力の垂直成分は、コンタクトユニット2の重量に比べれば、無視できる値となっている。従って、各プローブ21に付与される針荷重の合計、すなわち、オーバードライブの荷重は、実質的に、コンタクトユニット2の重量に一致している。
発明者の実験によれば、上記プローブカード1にシリコンウエハ40をコンタクトさせた状態において、コンタクト基板20がフレキシブル基板30から受ける力の垂直成分は10g未満であった。つまり、コンタクトユニット2の重量が500g以上であれば、その2%未満に過ぎない。従って、十分な可撓性を有するフレキシブル基板30を用いれば、コンタクト基板20がフレキシブル基板30から受ける力が、プローブ21の針荷重に与える影響は無視することができる。
また、シリコンウエハ40によって持ち上げられたコンタクト基板20は、メイン基板10に対して変位自在かつ揺動自在なフリー状態となり、シリコンウエハ40に対するコンタクト基板20の傾きは、各プローブ21が、シリコンウエハ40から受ける反力のみによって決定される。つまり、フリー状態となったコンタクト基板20をシリコンウエハ40上でバランスさせて、コンタクト基板20の傾きを決定することができる。従って、シリコンウエハ40上の電極パッドに高低差があるような場合であっても、従来のようなメカニカルな揺動機構を利用した技術とは比較にならない高い精度で傾き調整を行うことができる。
図6は、オーバードライブ荷重とオーバードライブ量との関係の一例を示した図であり、(a)には本実施の形態によるプローブカード1の場合、(b)には従来のプローブカードの場合がそれぞれ示されている。なお、オーバードライブ量は、プローブ21が電極パッドに当接し始める状態を基準として、更に可動テーブル41を上昇させた距離であり、オーバードライブ荷重は、各プローブ21に付与している荷重の和である。
従来のプローブカードの場合、プローブ21がメイン基板10に固定されているため、図6の(b)に示した通り、全区間にわたって、オーバードライブ量を増大させれば、オーバードライブ荷重も増大する。この図では、オーバードライブ量がH1の場合、プローブ21に対して所望のオーバードライブ荷重Faが付与されているが、オーバードライブ量がHyに達すれば、プローブ21に対し破壊限界荷重Fbが付与される。破壊限界荷重Fbとは、プローブ21を塑性変形させることができるオーバードライブ荷重の最大値であり、破壊限界荷重Fbを越えるオーバードライブ荷重を付与すればプローブ21が破壊される。
このため、従来のプローブカードを用いる場合、プローブ21を破壊することなく、プローブ21に所望の針荷重を付与するためには、可動ステージ41の昇降駆動を高い精度で制御する必要があった。さらに、可動ステージ41の高さを精度良く駆動したとしても、プローブカードに対する被検査対象物の傾きや、被検査対象物の電極パッドの高低差や、これらの被検査対象物ごとのばらつきによって、各プローブ21に所望の針荷重を付与することは容易ではなかった。
これに対し、本実施の形態によるプローブカードを用いた場合、図6の(a)に示した通り、オーバードライブ荷重の変化は、3つの区間A1〜A3に区分することができる。オーバードライブ量がH1以下の区間A1は、一部のプローブ21のみがシリコンウエハ40にコンタクトしている区間であり、オーバードライブ量を増大させればオーバードライブ荷重も増大する。
オーバードライブ量がH1〜H2となる区間A2では、オーバードライブ量を増大させてもオーバードライブ荷重は一定となる。この区間A2では、オーバードライブ量を増大させても、それに応じてコンタクトユニット2が持ち上げられ、その高さが変化するのみであり、オーバードライブ量にかかわらず、各プローブ21にはコンタクトユニット2の重量に相当するオーバードライブ荷重Faが付与されている。
オーバードライブ量がH2以上の区間A3では、コンタクトユニット2がメイン基板10に当接し、オーバードライブ量に応じてオーバードライブ荷重が再び増大しはじめる。この結果、オーバードライブ量がHxに達すれば、プローブ21に破壊限界荷重Fbが付与される。
つまり、区間A2内では、可動ステージ41を上昇駆動しても針荷重は変化せず、コンタクトユニット2の重量を予め調整しておけば、区間A2内において、常に、所望の針荷重Faを得ることができる。また、区間A2を設けることによって、図6の(a)中のオーバードライブ量がH1〜Hxとなる区間長が、図6の(b)のオーバードライブ量がH1〜Hyとなる区間長よりも長くなる。つまり、プローブ21を破壊せず、かつ、所望のオーバードライブ荷重を確保することができるオーバードライブ区間を長くすることができる。従って、可動ステージ41の駆動制御に高い精度は要求されず、また、プローブ21に過大な針荷重が付与されて破壊されるのを抑制することができる。
実施の形態2.
実施の形態1では、プローブ21が、コンタクト基板20上のプローブ配置領域24内において2列に整列配置させている場合の例について説明したが、本発明は、この様な場合に限定されるものではない。
実施の形態1では、プローブ21が、コンタクト基板20上のプローブ配置領域24内において2列に整列配置させている場合の例について説明したが、本発明は、この様な場合に限定されるものではない。
図7は、本発明の実施の形態2によるプローブカードの一例を示した図である。このプローブカードは、コンタクト基板20の中央のプローブ配置領域24内に、プローブがマトリクス状に配列されている。この様にして、プローブ21は、プローブ配置領域24内に3列以上が整列配置されていてもよい。また、その他の任意の配置であってもよい。
なお、上記実施の形態では、コンタクト基板20にシリコン基板を用いているため、温度条件にかかわらず、被検査対象物との良好なコンタクトが得られる。通常、プローブ21は、被検査対象物の電極パッドの位置に対応するコンタクト基板20上の位置に配置されている。このため、温度に応じてコンタクト基板20が膨張又は収縮すれば、プローブ21のピッチも変化する。同様にして、電極パッドのピッチも温度に応じて変化する。このため、被検査対象物がシリコン基板上に形成された集積回路である場合、シリコンを主成分とするコンタクト基板20を用いれば、両者の熱膨張係数を一致させることができ、温度条件にかかわらず、良好なコンタクトが得られる。
また、コンタクト基板20としてシリコン以外の材質からなる基板を用いることもできる。例えば、ポリイミド、ガラスエポキシ、TLCP等からなる絶縁性フィルムをコンタクト基板20として用いることができる。この場合、導電線としてのフレキシブル基板30の一部をコンタクト基板20とし、両者を一体に構成することもできる。ただし、コンタクト基板20としてシリコン基板以外を使用する場合、シリコンに近い熱膨張係数を有する素材を使用することが望ましい。シリコンの線膨張係数は2〜4ppm/℃であることから、コンタクト基板20には、線膨張係数が−3〜9ppm/℃の素材を用いることが望ましい。
また、プローブ21は、電気鋳造法により形成されたものには限定されない。例えば、板バネ状の金属の先端を尖鋭化させたプローブ、いわゆるカンチレバー式のプローブを用いることもできる。
また、図6の(a)では、最も好ましい実施形態として、区間A2において針荷重が一定となる場合の例について説明したが、本発明は、このような場合に必ずしも限定されない。すなわち、所望のオーバードライブ荷重Faが得られる区間A2が、オーバードライブ量H1〜Hx内に存在し、当該区間A2におけるオーバードライブ荷重の傾きの平均値が、他の区間A1,A3におけるオーバードライブ荷重の傾きの平均値よりも小さくなっていればよい。また、図6の(a)では、便宜上、区間A1及びA3内における特性が直線で示されているが、本発明はこのような場合に限定されないことは言うまでもない。
1 プローブカード
2 コンタクトユニット
10 メイン基板
11 外部端子
12 マイクロコネクタ
20 コンタクト基板
21 プローブ
22 電極パッド
23 配線パターン
24 プローブ配置領域
25,25a〜25d 金属板
30 フレキシブル基板
32 端子
40 シリコンウエハ
41 可動テーブル
2 コンタクトユニット
10 メイン基板
11 外部端子
12 マイクロコネクタ
20 コンタクト基板
21 プローブ
22 電極パッド
23 配線パターン
24 プローブ配置領域
25,25a〜25d 金属板
30 フレキシブル基板
32 端子
40 シリコンウエハ
41 可動テーブル
Claims (6)
- メイン基板と、上記メイン基板から上下動自在に吊り下げられたコンタクトユニットとを備え、
上記コンタクトユニットは、少なくともコンタクト基板を有し、
上記コンタクト基板は、表面の面上に複数のプローブが形成され、裏面を上記メイン基板の下面に対向させ、
上記コンタクトユニットが、所定のオーバードライブの荷重に相当する重量を有することを特徴とするプローブカード。 - 上記コンタクトユニットは、上記コンタクト基板及び荷重部材からなり、
上記荷重部材は、上記コンタクト基板に取付けられ、上記所定のオーバードライブの荷重から上記コンタクト基板の重量を差し引いた重量を有することを特徴とする請求項1に記載のプローブカード。 - 上記コンタクトユニットの重心が、上記コンタクト基板上における上記プローブの配置領域内にあることを特徴とする請求項1又は2に記載のプローブカード。
- 上記プローブは、電気鋳造法により形成された金属針からなることを特徴とする請求項1又は2に記載のプローブカード。
- 上記コンタクト基板は、シリコン基板からなることを特徴とする請求項1又は2に記載のプローブカード。
- 上記コンタクト基板は、線膨張係数が−3ppm/℃以上かつ8ppm/℃以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載のプローブカード。
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