JP2006311669A - 過電圧保護回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】過電圧保護回路に使用する部品を小型化することである。
【解決手段】電源ライン間にパルス状の過電圧が印加されると、パルス状の過電圧の電圧変化に比例した電圧がコイルL1の両端に誘起される。コイルL1の両端に誘起された電圧が所定値を超えると、フォトカプラ12がオン状態となり、MOSトランジスタTR2のゲート・ソース間が短絡される。その結果、MOSトランジスタTR2がオフ状態になり、過電圧から出力側の回路素子を保護できる。
【選択図】 図1
【解決手段】電源ライン間にパルス状の過電圧が印加されると、パルス状の過電圧の電圧変化に比例した電圧がコイルL1の両端に誘起される。コイルL1の両端に誘起された電圧が所定値を超えると、フォトカプラ12がオン状態となり、MOSトランジスタTR2のゲート・ソース間が短絡される。その結果、MOSトランジスタTR2がオフ状態になり、過電圧から出力側の回路素子を保護できる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、電源ラインに印加されるパルス状の過電圧から回路部品を保護する過電圧保護回路に関する。
直流電圧をスイチッングして昇圧または降圧した電圧を電源電圧として供給する場合、配線のインダクタンス等により電源ラインに定常値より大きなパルス状の過電圧が重畳されることがある。その過電圧から回路部品を保護するために平滑用のフィルタや過電圧を抑制する保護回路が使用される。
特許文献1には、電池と直列にFETとコイルを接続し、過電流を検出してFETをオフ状態にして電池を保護する保護回路について記載されている。
また、特許文献2には、直流電圧安定化部の出力電圧が所定値を超えると、フォトカプラがオンし、電源と直流電圧安定化部との間に挿入されているFETQ5がオフ状態となり過電圧が負荷に印加されるので防止することが記載されている。
また、特許文献2には、直流電圧安定化部の出力電圧が所定値を超えると、フォトカプラがオンし、電源と直流電圧安定化部との間に挿入されているFETQ5がオフ状態となり過電圧が負荷に印加されるので防止することが記載されている。
また、電源ラインにLCフィルタを挿入して過電圧を抑制する場合、過電圧が印加されたときにコイルが飽和しないようにするためには、飽和電流値が大きいコイルを使用する必要がある。飽和電流値が大きいコイルは外径寸法も大きくなるのでLCフィルタを基板に実装したときに基板の実装部品の高さを低く抑えることが難しいという問題点があった。
特許文献1の発明の保護回路は、電池の出力端子が短絡して過大な電流が流れたとき、あるいは過負荷となったときの電流変動をコイルの電圧に変換する必要があるのでコイルは大電流で飽和しないような大きなインダクタンスを持つ必要がある。そのためコイルを小型化することは難しい。
特許文献2には、親電源と直流電圧安定化部との間にFETQ5を挿入し、直流電源安定化部の出力電圧が所定値を超えたときFETQ5をオフさせて直流電圧安定化部の主制御半導体素子の破壊を防止することが記載されている。しかしながら、所定値に達するまでの間は非常に大きな電流が流れるので、FETQ5の電流定格を大きくとる必要がある。即ちFETQ5の大型化を招く。つまり、特許文献2の発明は、過電圧保護回路の部品の小型化を実現するものではない。
特開平8−236161号公報
特開2002―186174号公報
本発明の課題は、過電圧保護回路に使用する部品を小型化することである。
本発明の過電圧保護回路は、電源ライン間に接続され、電源電圧を平滑する平滑用のキャパシタと、前記電源ラインに直列に接続された半導体スイッチと、前記電源ライン間に印加されるパルス状の電圧の電圧変化が所定値を超えたか否かを検出する過電圧検出回路と、前記過電圧検出回路により前記電源ライン間に印加される前記パルス状の電圧の電圧変化が所定値以下であると検出されたとき前記半導体スイッチをオン状態にし、前記パルス状の電圧の電圧変化が所定値を超えていることが検出されたとき前記半導体スイッチをオフ状態にするバイアス回路とを備える。
この発明によれば電源ライン間に印加されるパルス状の電圧の電圧変化を検出して電源ラインを遮断することで、大きなインダクタンスの平滑用のコイルを使用せずに過電圧から回路部品を保護することができる。
上記の発明の過電圧保護回路において、前記電源ラインに直列に接続されるコイルを有し、前記過電圧検出回路は、前記電源ライン間に印加される前記パルス状の電圧により前記コイルの両端に誘起される電圧が所定値を超えているか否かを検出し、前記バイアス回路は、前記過電圧検出回路により前記コイルの両端に誘起される電圧が所定値を超えていることが検出されたとき前記半導体スイッチをオフ状態にする。
このように構成することでコイルは過電圧を平滑するための大きなインダクタンスを持つ必要がなくなるのでインダクタンスが小さく外径寸法の小さいコイルを使用できる。
上記の発明の過電圧保護回路において、前記過電圧検出回路は、前記電源ライン間に直列に接続された電流検出素子とキャパシタからなり、前記電源ライン間に印加される前記パルス状の電圧により前記キャパシタに流れる充電電流が所定値を超えたか否かを検出し、前記バイアス回路は、前記過電圧検出回路により前記キャパシタの充電電流が所定値を超えたことが検出されたとき前記半導体スイッチをオフ状態にする。
上記の発明の過電圧保護回路において、前記過電圧検出回路は、前記電源ライン間に直列に接続された電流検出素子とキャパシタからなり、前記電源ライン間に印加される前記パルス状の電圧により前記キャパシタに流れる充電電流が所定値を超えたか否かを検出し、前記バイアス回路は、前記過電圧検出回路により前記キャパシタの充電電流が所定値を超えたことが検出されたとき前記半導体スイッチをオフ状態にする。
このように構成することでコイルを使用せずに過電圧保護回路を構成できるので過電圧保護回路の部品を小型化できる。
上記の発明の過電圧保護回路において、前記過電圧検出回路は、前記コイルの両端に1次側が接続され、1次側と2次側が絶縁された絶縁型の回路素子を有し、該回路素子により前記コイルの両端に誘起される電圧が所定値を超えたことを検出すると、2次側をオンまたはオフ状態にする。
上記の発明の過電圧保護回路において、前記過電圧検出回路は、前記コイルの両端に1次側が接続され、1次側と2次側が絶縁された絶縁型の回路素子を有し、該回路素子により前記コイルの両端に誘起される電圧が所定値を超えたことを検出すると、2次側をオンまたはオフ状態にする。
上記の発明の過電圧保護回路において、前記過電圧検出回路の電流検出素子は、1次側と2次側が絶縁された絶縁型のトランジスタからなり、該絶縁型のトランジスタは前記キャパシタの充電電流が所定値を超えたとき2次側をオンまたはオフ状態にする。
上記のように構成することでパルス状の電圧を検出する1次側とバイアス回路に検出結果を出力する2次側を絶縁できるので、バイアス回路の設計の自由度が高くなる。
上記の発明の過電圧保護回路において、前記コイル及びキャパシタは電源電圧を平滑するための平滑用のフィルタであり、前記コイル、キャパシタ、半導体スイッチ、過電圧検出回路及びバイアス回路は回路基板に実装される。
上記の発明の過電圧保護回路において、前記コイル及びキャパシタは電源電圧を平滑するための平滑用のフィルタであり、前記コイル、キャパシタ、半導体スイッチ、過電圧検出回路及びバイアス回路は回路基板に実装される。
このように構成することでコイルのインダクタンスを小さくできるので回路基板に実装するコイルの高さを低くすることができる。
本発明によれば、過電圧保護回路に使用する部品を小型化することができる。
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。図1は、本発明の第1の実施の形態の過電圧保護回路11の回路図である。
過電圧保護回路11は、例えば、フォークリフト等のバッテリで駆動される車両において、バッテリの直流電圧を昇圧または降圧した直流の電源電圧が供給される回路基板に実装され、電源ライン間に重畳される過電圧から回路部品を保護するための回路である。
過電圧保護回路11は、例えば、フォークリフト等のバッテリで駆動される車両において、バッテリの直流電圧を昇圧または降圧した直流の電源電圧が供給される回路基板に実装され、電源ライン間に重畳される過電圧から回路部品を保護するための回路である。
図1において、コイルL1は、入力電圧Vin+が入力される電源ライン(以下、正の電源ラインという)に直列に接続され、そのコイルL1と並列にダイオードD1が接続されている。ダイオードD1はカソードがコイルL1の一方の端子aに接続され、アノードがコイルL1の他方の端子bに接続されている。
コイルL1の端子aには抵抗R1が接続され、その抵抗R1の他端はフォトカプラ12の1次側の発光ダイオードD2のアノードに接続されている。発光ダイオードD2のカソードはコイルL1の他方の端子bに接続されている。フォトカプラ12の1次側の発光ダイオードD2と2次側の受光トランジスタTR1は電気的に絶縁されている。上記のコイルL1、ダイオードD1、抵抗R1及びフォトカプラ12は過電圧検出回路に対応する。
すなわち、電源ライン間にパルス状の過電圧が印加され、コイルに流れる電流が変化し、その電流変化によりコイルL1の両端に誘起される電圧が所定値を超えると、発光ダイオードD2が発光して2次側の受光トランジスタTR1がオン状態なる。受光トランジスタTR1がオン状態となると、後述するMOSトランジスタTR2のゲート・ソース間が短絡されてMOSトランジスタTR2がオフ状態になり電源ラインが遮断される。
フォトカプラ12の2次側の受光トランジスタTR1のコレクタは抵抗R2とR3の接続点に接続され、そのエミッタは入力電圧Vin−が入力する電源ライン(以下、接地側の電源ラインという)に接続されている。入力電圧Vin−は、通常は接地電位になっている。
抵抗R2の他端はダイオードD3のカソードに接続され、ダイオードD3のアノードはコイルL1の端子bに接続されている。このダイオードD3は、電源ラインが逆の極性に接続された場合に、後述するMOSトランジスタTR2及び有極性のキャパシタC1を保護するためのものである。
抵抗R3の他端はMOSトランジスタTR2のゲートに接続されている。また、トランジスタTR1のコレクタとエミッタと並列にツェナーダイオードZD1が接続されている。ツェナーダイオードZD1は、電源ライン間の電圧の変動に対してMOSトランジスタTR2のゲートに供給する電圧の上限値を抑えるためのものであり、この実施の形態ではツェナー電圧を約10V程度に設計してある。
MOSトランジスタTR2は過電圧が検出されたとき電源ラインを遮断するための半導体スイッチであり、接地側の電源ラインに直列に接続されている。正の電源ラインと接地側の電源ラインとの間に平滑用の有極性のキャパシタC1が接続されている。このキャパシタC1の両端の電圧Vout+、Vout−の差電圧が電源電圧として回路基板の電源回路等に供給される。
次に、以上のような構成の過電圧保護回路11の動作を説明する。電源ライン間の電圧が所定の範囲内に収まっている場合、つまりパルス状の過電圧が印加されていない場合には、コイルL1に流れる電流はあまり変化しないので、コイルL1の両端に誘起される電圧Ldi/dt(L:コイルL1のインダクタンス)は0または小さい値となる。
従って、発光ダイオードD2には電流がほとんど流れず、2次側の受光トランジスタTR1はオフ状態を維持する。受光トランジスタTR1がオフ状態のとき、抵抗R2とR3の接続点の電圧はツェナーダイオードZD1のツェナー電圧に保たれる。その結果、MOSトランジスタTR2のゲート・ソース間電圧がしきい値電圧Vth以上となり、MOSトランジスタTR2はオン状態となり、入力電圧Vin+がキャパシタC1に供給される。
他方、電源ライン間に、図1に示すようなパルス状の過電圧が印加されると、そのパルス状の過電圧によりコイルL1に流れる電流が変化し、コイルL1の両端にはLdi/dtで決まる電圧が誘起される。このコイルL1の両端に誘起される電圧(以下、この電圧をVLという)により抵抗R1と発光ダイオードD2に電流が流れ、発光ダイオードD2が発光する。発光ダイオードD2が発光すると、フォトカプラ12の2次側の受光トランジスタTR1がオン状態となり、抵抗R2とR3の接続点の電圧がMOSトランジスタTR2のソースと同電位になる。その結果、MOSトランジスタTR2のゲート・ソース間電圧がしきい値電圧未満となり、MOSトランジスタTR2はオフ状態となる。
従って、電源ライン間にパルス状の過電圧が印加されると、MOSトランジスタTR2がオフ状態となり電源ラインが遮断されるのでキャパシタC1の両端にはパルス状の過電圧が印加されないことになる。よって、キャパシタC1及び回路基板に実装される電源回路の回路部品等に過電圧が印加されるのを防止できる。
電源ライン間に印加されるパルス状の過電圧の電圧変化が小さくなると、コイルL1の両端に誘起される電圧VLも小さくなり、発光ダイオードD2に流れる電流が減少する。その結果、発光ダイオードD2の発光光量が減少し、あるいは発光しなくなり、2次側の受光トランジスタTR1がオフ状態になる。受光トランジスタTR1がオフ状態になると、抵抗R2とR3の接続点の電圧はツェナーダイオードZD1のツェナー電圧と等しくなり、MOSトランジスタTR2が再びオン状態となる。これにより入力電圧Vin+がキャパシタC1に印加され、入力電圧Vin+が出力電圧Vout+として出力される。
上述した第1の実施の形態によれば、コイルL1の両端の電圧変化を検出し、電圧変化が所定値を超えた場合に、MOSトランジスタTR2をオフ状態にすることで過電圧が回路基板に実装された回路部品に印加されるのを防止できる。この第1実施の形態の過電圧保護回路に使用するコイルL1は、過電圧により流れるサージ電流を抑制できるような大きなインダクタンスを持つ必要はなく、パルス状の過電圧の電圧変化を検出できる程度の小さいインダクタンスで良い。従って、従来のLCフィルタに使用されるコイルに較べてコイルL1の外径寸法を小さくできるので、回路基板に実装したときのコイルL1の高さを低くでき、コイルの実装面積も減らすことができる。さらに、パルスが最高点に達してから元の電圧に戻るまでは過電圧状態が続くが、遮断した回路を復帰させるまでには回路の遅れ時間(調整可能)があるため、元の電圧(近く)まで下がってこないとオン状態に復帰しない。そのため、回路には過電流も流れず、遮断手段(TR2)の発熱も抑えることができる。
次に、図2は、本発明の第2の実施の形態の過電圧保護回路21の回路図である。この第2の実施の形態は、電源ライン間の過電圧を抵抗とフォトカプラとキャパシタにより検出するものである。以下の説明では、図1の回路と同じ部品には同じ符号をつけてそれらの説明は省略する。
図2において、抵抗R11の一端は入力電圧Vin+が入力する正の電源ラインに接続され、抵抗R11の他端は抵抗R12に接続されている。この抵抗R12の他端は、入力電圧Vin−が入力する電源ライン(接地側の電源ライン)に接続されている。
抵抗R11とR12の接続点cにはダイオードD11のアノードが接続され、そのダイオードD11のカソードは、発光ダイオードD2のアノードに接続されている。発光ダイオードD2のカソードはキャパシタC12に接続され、キャパシタC12の他端は接地側の電源ラインに接続されている。また、ダイオードD11のアノードにダイオードD12のカソードが接続され、ダイオードD12のアノードが発光ダイオードD2のカソードに接続されている。このダイオードD12は、キャパシタC12にチャージされる電荷を抵抗R12を介して放電するためのものである。
ダイオードD13のアノードは正の電源ラインに接続され、そのカソードは抵抗R13とキャパシタC1の正極側の端子に接続されている。抵抗R13の他端は抵抗R14に接続され、抵抗R14の他端はMOSトランジスタTR2のゲートに接続されている。ダイオードD13は、電源ラインが逆に接続された場合に、有極性のキャパシタC1に逆電圧が印加されないよう保護するためのものである。上記の抵抗R11、フォトカプラ12等が電流検出素子に対応する。
次に、以上のような構成の第2の実施の形態の過電圧保護回路21の動作を説明する。電源ライン間の電圧が通常の電圧範囲に収まっているときには、抵抗R11とR12で分圧されたc点の電圧は大きく変動しないので、キャパシタC12にはほとんど電流が流れない。従って、発光ダイオードD2の発光光量は少なく、あるいは発光せず、フォトカプラ12の2次側の受光トランジスタTR1はオフ状態を維持する。
フォトカプラ12の2次側がオフ状態のときには、抵抗R13とR14の接続点の電圧はツェナーダイオードZD1のツェナー電圧に保たれる。その結果、MOSトランジスタTR2のゲート・ソース間電圧がしきい値電圧以上となりMOSトランジスタTR2がオン状態となる。これにより、入力電圧Vin+がキャパシタC1に印加される。
他方、電源ライン間にパルス状の過電圧が印加されると、そのパルス状の過電圧によりキャパシタC12を充電する充電電流が流れ、その充電電流により発光ダイオードD2が発光する。発光ダイオードD2が発光すると、あるいは発光光量が所定値を超えると、フォトカプラ12の2次側の受光トランジスタTR1がオン状態になり、抵抗R13とR14の接続点の電位が接地側の電源ラインの電位とほぼ等しくなる。その結果、MOSトランジスタTR2のゲート・ソース間電圧がしきい値電圧未満となり、MOSトランジスタTR2はオフ状態となる。
従って、電源ライン間にパルス状の過電圧が印加され、その過電圧が所定値を超えたことが検出されると、電源ラインがMOSトランジスタTR2により遮断される。これにより、回路基板に実装されるキャパシタC1及び電源回路の回路部品を過電圧から保護することができる。
パルス状の過電圧の電圧変化が小さくなり、キャパシタC12に流れる電流が減少すると、発光ダイオードD2が発光を停止し、あるいは発光光量が所定値以下となり、フォトカプラ12の2次側の受光トランジスタTR1がオフ状態となる。その結果、MOSトランジスタTR2のゲート・ソース間電圧がしきい値電圧以上となり、MOSトランジスタTR2が再びオン状態となる。
上述した第2の実施の形態によれば、パルス状の過電圧の電圧変化を抵抗R11、R12、フォトカプラ12及びキャパシタ12により検出し、電圧変化が所定値を超えた場合に、MOSトランジスタをオフ状態にすることで過電圧から回路基板に実装されている部品を保護することができる。また、コイルを使用せずに過電圧保護回路を構成できるので過電圧保護回路の部品を小型化できる。
さらに、パルスが最高点に達してから元の電圧に戻るまでに過電圧状態が続くが、遮断した回路を復帰させるまでには回路の遅れ時間(調整可能)があるため、元の電圧(近く)まで下がってこないとオン状態に復帰しない。そのため、回路には過電流も流れず、遮断手段(TR2)の発熱も抑えることができる。
次に、図3は、図2のツェナーダイオードZD1の代わりに抵抗R15を用いた第3の実施の形態の過電圧保護回路31の回路図である。以下、図2の回路と異なる部分についてのみ説明する。
抵抗R13に直列に抵抗R15が接続され、抵抗R15の他端は接地側の電源ラインに接続されている。電源ライン間に印加される電源電圧が所定の範囲に収まっている場合には、抵抗R13とR15の分圧比で決まる電圧がMOSトランジスタTR2のゲート・ソース間に印加され、MOSトランジスタTR2がオン状態になる。
電源ライン間にパルス状の過電圧が印加され、フォトカプラ12の2次側がオン状態になると、抵抗R15の両端が接地側の電源ラインに接続され、MOSトランジスタTR2のゲート・ソース間電圧がほぼゼロになる。その結果、MOSトランジスタTR2がオフ状態となり、過電圧から回路部品が保護される。
この第3の実施の形態は、上述した第2の実施の形態と同様に、コイルを使用せずに過電圧保護回路を構成できるので過電圧保護回路の部品を小型化できる。さらに、パルスが最高点に達してから元の電圧に戻るまでは過電圧状態が続くが、遮断した回路を復帰させるまでには回路の遅れ時間(調整可能)があるため、元の電圧(近く)まで下がってこないとオン状態に復帰しない。そのため、回路には過電流も流れず、遮断手段(TR2)の発熱も抑えることができる。
本発明は上述した実施の形態に限らず、例えば、以下のように構成しても良い。
(1)パルス状の過電圧の変化を検出する過電圧検出回路とMOSトランジスタTR2のバイアス回路は必ずしも絶縁する必要はない。
(2)パルス状の過電圧を検出する過電圧検出回路はフォトカプラ12を用いた回路に限らず、パルストランス等の他の絶縁型の回路素子でも良いし、絶縁型でない回路素子でも良い。
(3)電源ラインを遮断する半導体スイッチはMOSトランジスタに限らず、サイリスタ、バイポーラトランジスタ等でも良い。
(1)パルス状の過電圧の変化を検出する過電圧検出回路とMOSトランジスタTR2のバイアス回路は必ずしも絶縁する必要はない。
(2)パルス状の過電圧を検出する過電圧検出回路はフォトカプラ12を用いた回路に限らず、パルストランス等の他の絶縁型の回路素子でも良いし、絶縁型でない回路素子でも良い。
(3)電源ラインを遮断する半導体スイッチはMOSトランジスタに限らず、サイリスタ、バイポーラトランジスタ等でも良い。
12 フォトカプラ
L1 コイル
C1 キャパシタ
D2 発光ダイオード
TR1 受光トランジスタ
TR2 MOSトランジスタ
L1 コイル
C1 キャパシタ
D2 発光ダイオード
TR1 受光トランジスタ
TR2 MOSトランジスタ
Claims (6)
- 電源ライン間に接続され、電源電圧を平滑する平滑用のキャパシタと、
前記電源ラインに直列に接続された半導体スイッチと、
前記電源ライン間に印加されるパルス状の電圧の電圧変化が所定値を超えたか否かを検出する過電圧検出回路と、
前記過電圧検出回路により前記電源ライン間に印加される前記パルス状の電圧の電圧変化が所定値以下であると検出されたとき前記半導体スイッチをオン状態にし、前記パルス状の電圧の電圧変化が所定値を超えていることが検出されたとき前記半導体スイッチをオフ状態にするバイアス回路とを備える過電圧保護回路。 - 前記電源ラインに直列に接続されるコイルを有し、
前記過電圧検出回路は、前記電源ライン間に印加される前記パルス状の電圧により前記コイルの両端に誘起される電圧が所定値を超えたか否かを検出し、
前記バイアス回路は、前記過電圧検出回路により前記コイルの両端に誘起される電圧が所定値を超えていることが検出されたとき前記半導体スイッチをオフ状態にする請求項1記載の過電圧保護回路。 - 前記過電圧検出回路は、前記電源ライン間に直列に接続された電流検出素子とキャパシタからなり、前記電源ライン間に印加される前記パルス状の電圧により前記キャパシタに流れる充電電流が所定値を超えたか否かを検出し、
前記バイアス回路は、前記過電圧検出回路により前記キャパシタの充電電流が所定値を超えたことが検出されたとき前記半導体スイッチをオフ状態にする請求項1記載の過電圧保護回路。 - 前記過電圧検出回路は、前記コイルの両端に1次側が接続され、1次側と2次側が絶縁された絶縁型の回路素子を有し、該回路素子により前記コイルの両端に誘起される電圧が所定値を超えたことを検出すると、2次側をオンまたはオフ状態にする請求項2記載の過電圧保護回路。
- 前記過電圧検出回路の電流検出素子は、1次側と2次側が絶縁された絶縁型のトランジスタからなり、該絶縁型のトランジスタは前記キャパシタの充電電流が所定値を超えたとき、2次側をオンまたはオフ状態にする請求項3記載の過電圧保護回路。
- 前記コイル及びキャパシタは電源電圧を平滑するための平滑用のフィルタであり、前記コイル、キャパシタ、半導体スイッチ、過電圧検出回路及びバイアス回路は回路基板に実装される請求項2記載の過電圧保護回路。
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