JP2006310827A - Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、液体を介して基板を露光する露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法に関するものである。 The present invention relates to an exposure apparatus that exposes a substrate through a liquid, an exposure method, and a device manufacturing method.
半導体デバイスや液晶表示デバイス等のマイクロデバイスの製造工程の一つであるフォトリソグラフィ工程では、マスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に投影露光する露光装置が用いられる。この露光装置は、マスクを保持して移動可能なマスクステージと、基板を保持して移動可能な基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながらマスクのパターンを投影光学系を介して基板に投影露光するものである。マイクロデバイスの製造においては、デバイスの高密度化のために、基板上に形成されるパターンの微細化が要求されている。この要求に応えるために露光装置の更なる高解像度化が望まれている。その高解像度化を実現するための手段の一つとして、下記特許文献１に開示されているような、露光光の光路空間を液体で満たし、その液体を介して基板を露光する液浸露光装置が案出されている。
ところで、露光装置においては、デバイスの生産性向上等を目的として、基板（基板ステージ）の移動速度の高速化が要求される。ところが、基板（基板ステージ）を高速で移動した場合、露光光の光路空間を液体で所望状態に満たすことが困難となる可能性があり、液体を介した露光精度及び計測精度が劣化する可能性がある。例えば、基板（基板ステージ）の移動の高速化に伴って、露光光の光路空間を液体で十分に満たすことができなかったり、液体中に気泡が生成される等の不都合が生じると、露光光が基板上に良好に到達せず、基板上にパターンが形成されなかったり、基板上に形成されるパターンに欠陥が生じる等の不都合が生じる。また、基板（基板ステージ）の移動の高速化に伴って、光路空間に満たされた液体が漏出する不都合が生じる可能性もある。液体が漏出すると、周辺部材・機器が腐食したり故障する等の不都合が生じる。また、漏出した液体、回収しきれなかった液体などが、例えば液滴となって基板上に残留した場合、その残留した液体（液滴）が気化することによって基板に液体の付着跡（所謂ウォーターマーク）が形成される不都合が生じる可能性もある。また、漏出した液体の気化熱により基板や基板ステージが熱変形したり、露光装置の置かれている環境（湿度、クリーン度等）が変動し、基板上でのパターン重ね合わせ精度等を含む露光精度の劣化を招いたり、干渉計等を使った各種計測精度の劣化を招く虞がある。また、液体が残留（付着）した基板を基板ステージから搬出すると、その濡れた基板を保持する搬送系にも液体が付着し、被害が拡大する虞がある。また、基板（基板ステージ）の移動の高速化に伴って、液体で満たされる液浸領域が巨大化する可能性もあり、それに伴って露光装置全体が巨大化する不都合が生じる可能性がある。 By the way, in the exposure apparatus, it is required to increase the moving speed of the substrate (substrate stage) for the purpose of improving device productivity. However, when the substrate (substrate stage) is moved at a high speed, it may be difficult to fill the optical path space of the exposure light with the liquid to a desired state, and the exposure accuracy and measurement accuracy via the liquid may deteriorate. There is. For example, if the optical path space of the exposure light cannot be sufficiently filled with liquid or bubbles are generated in the liquid as the movement of the substrate (substrate stage) increases, the exposure light Does not reach the substrate satisfactorily, and a pattern is not formed on the substrate, or a defect occurs in the pattern formed on the substrate. Further, as the movement of the substrate (substrate stage) is increased, there is a possibility that the liquid filled in the optical path space leaks. If the liquid leaks, there will be inconveniences such as corrosion or failure of peripheral members / equipment. In addition, when the leaked liquid or the liquid that could not be collected remains on the substrate as, for example, a droplet, the remaining liquid (droplet) is vaporized, so that the liquid adheres to the substrate (so-called water). There is a possibility that the inconvenience of forming the mark) occurs. In addition, exposure including the pattern overlay accuracy etc. on the substrate due to thermal deformation of the substrate and the substrate stage due to the heat of vaporization of the leaked liquid and the environment (humidity, cleanliness, etc.) where the exposure apparatus is placed fluctuates. There is a risk that accuracy may be deteriorated and various measurement accuracy using an interferometer or the like may be deteriorated. Further, when the substrate on which the liquid remains (adhered) is unloaded from the substrate stage, the liquid may also adhere to the transport system that holds the wet substrate, which may increase damage. Further, as the movement of the substrate (substrate stage) increases, there is a possibility that the immersion area filled with the liquid may become enormous, which may cause a disadvantage that the entire exposure apparatus becomes enormous.
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、露光光の光路空間を液体で所望状態に満たすことができる露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide an exposure apparatus, an exposure method, and a device manufacturing method that can fill an optical path space of exposure light with a liquid in a desired state. .
上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。 In order to solve the above-described problems, the present invention employs the following configurations corresponding to the respective drawings shown in the embodiments. However, the reference numerals with parentheses attached to each element are merely examples of the element and do not limit each element.
本発明の第１の態様に従えば、基板（Ｐ）上に露光光（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露光する露光装置において、露光光（ＥＬ）の光路空間（Ｋ１）を液体（ＬＱ）で満たすために液体（ＬＱ）を供給する液体供給装置（１１）と、露光光（ＥＬ）が照射可能な位置に配置された物体（Ｐ）の表面と対向するように、且つ露光光（ＥＬ）の光路空間（Ｋ１）を囲むように設けられ、液体供給装置（１１）から供給された液体（ＬＱ）を物体（Ｐ）との間で保持可能な第１面（７５）と、物体（Ｐ）の表面と対向するように、且つ露光光（ＥＬ）の光路空間（Ｋ１）に対して第１面（７５）の外側に配置された第２面（７６）とを備え、第２面（７６）は、物体（Ｐ）の表面と第２面（７５）との間に存在する液体（ＬＱ）の膜が第２面（７６）と接触しないように設けられている露光装置（ＥＸ）が提供される。 According to the first aspect of the present invention, in an exposure apparatus that exposes a substrate (P) by irradiating the substrate (P) with exposure light (EL), the optical path space (K1) of the exposure light (EL) is liquid. The liquid supply device (11) that supplies the liquid (LQ) to fill with (LQ) and the surface of the object (P) arranged at a position where the exposure light (EL) can be irradiated, and exposure A first surface (75) provided so as to surround the optical path space (K1) of light (EL) and capable of holding the liquid (LQ) supplied from the liquid supply device (11) with the object (P); A second surface (76) disposed opposite to the surface of the object (P) and outside the first surface (75) with respect to the optical path space (K1) of the exposure light (EL), In the second surface (76), the liquid (LQ) film existing between the surface of the object (P) and the second surface (75) is the second surface (7). ) Exposure apparatus is provided so as not to contact (EX) is provided with.
本発明の第１の態様によれば、基板を所定方向に移動しつつ露光した場合にも、露光光の光路空間を液体で所望状態に満たすことができる。 According to the first aspect of the present invention, even when the substrate is exposed while moving in a predetermined direction, the optical path space of the exposure light can be filled with a liquid in a desired state.
本発明の第２の態様に従えば、基板（Ｐ）に液体（ＬＱ）を介して露光光（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露光する露光装置であって、露光光（ＥＬ）が照射可能な位置に配置される物体（Ｐ）の表面と対向し、且つ液体（ＬＱ）を物体（Ｐ）との間で保持可能な部材（７０）と、物体（Ｐ）と部材（７０）の間で保持された液体（ＬＱ）を回収する回収部（２２）と、光路（Ｋ１）と回収部（２２）との間に物体の表面と対向するように位置し、且つ物体（Ｐ）上の液体（ＬＱ）と部材（７０）の間に空間（ＳＰ）をもたらす空間形成領域（７２、７６）が部材（７０）に形成されている露光装置（ＥＸ）が提供される。 According to the second aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus that exposes a substrate (P) by irradiating the substrate (P) with exposure light (EL) through a liquid (LQ), and exposing the substrate (P). A member (70) that opposes the surface of the object (P) disposed at a position where the object (P) can be irradiated and can hold the liquid (LQ) between the object (P) and the object (P) and the member (70) ) Between the optical path (K1) and the recovery unit (22) so as to face the surface of the object, and the object (P An exposure apparatus (EX) is provided in which space forming regions (72, 76) that provide a space (SP) between the liquid (LQ) and the member (70) are formed in the member (70).
本発明の第２の態様によれば、液体の漏出及び液浸領域の巨大化を抑制しつつ、露光光の光路の所定部分を液体で満たすことができる。 According to the second aspect of the present invention, it is possible to fill a predetermined portion of the optical path of the exposure light with the liquid while suppressing the leakage of the liquid and the enlargement of the liquid immersion area.
本発明の第３の態様に従えば、基板（Ｐ）に液体（ＬＱ）を介して露光光（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露光する露光方法であって、液体（ＬＱ）を、基板（Ｐ）と対向するように配置された部材（７０）と基板（Ｐ）との間に供給することと、基板（Ｐ）上の液体（ＬＱ）と部材（７０）との間に空間（ＳＰ）をもたらしつつ液体（ＬＱ）を回収することと、基板（Ｐ）に液体（ＬＱ）を介して露光光を照射して基板（Ｐ）を露光することを含む露光方法が提供される。 According to a third aspect of the present invention, there is provided an exposure method for exposing a substrate (P) by irradiating the substrate (P) with exposure light (EL) through the liquid (LQ), wherein the liquid (LQ) is applied to the substrate (P). Supplying between the member (70) and the substrate (P) arranged to face the substrate (P), and between the liquid (LQ) on the substrate (P) and the member (70). There is provided an exposure method including recovering the liquid (LQ) while providing the space (SP) and exposing the substrate (P) by irradiating the substrate (P) with exposure light through the liquid (LQ). The
本発明の第３の態様によれば、液体の漏出及び液浸領域の巨大化を抑制しつつ、露光光の光路の所定部分を液体で満たした状態で基板を露光することができる。 According to the third aspect of the present invention, the substrate can be exposed in a state where a predetermined portion of the optical path of the exposure light is filled with the liquid while suppressing leakage of the liquid and enlarging of the liquid immersion area.
本発明の第４の態様に従えば、上記態様の露光装置（ＥＸ）を用いるデバイス製造方法が提供される。 According to the fourth aspect of the present invention, there is provided a device manufacturing method using the exposure apparatus (EX) of the above aspect.
本発明の第５の態様に従えば、上記態様の露光方法を用いて基板（Ｐ）を露光することを含むデバイス製造方法が提供される。 According to the 5th aspect of this invention, the device manufacturing method including exposing a board | substrate (P) using the exposure method of the said aspect is provided.
本発明の第４、第５の態様によれば、露光光の光路空間を液体で所望状態に満たすことができる露光装置、露光方法を使ってデバイスを製造することができる。 According to the fourth and fifth aspects of the present invention, a device can be manufactured using an exposure apparatus and an exposure method that can fill an optical path space of exposure light with a liquid in a desired state.
本発明によれば、露光光の光路空間を液体で所望状態に満たすことができ、液体を介した露光処理及び計測処理を良好に行うことができる。 According to the present invention, the optical path space of exposure light can be filled with a liquid in a desired state, and exposure processing and measurement processing via the liquid can be performed satisfactorily.
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto.
＜第１実施形態＞
図１は第１実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージＭＳＴと、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージＰＳＴと、マスクステージＭＳＴに保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターン像を基板ステージＰＳＴに保持されている基板Ｐに投影露光する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を統括制御する制御装置ＣＯＮＴとを備えている。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a schematic block diagram that shows an exposure apparatus according to the first embodiment. In FIG. 1, an exposure apparatus EX exposes a mask stage MST that is movable while holding a mask M, a substrate stage PST that is movable while holding a substrate P, and a mask M that is held by the mask stage MST. The operation of the illumination optical system IL that illuminates with EL, the projection optical system PL that projects and exposes the pattern image of the mask M illuminated with the exposure light EL onto the substrate P held by the substrate stage PST, and the overall operation of the exposure apparatus EX. And a control device CONT for overall control.
本実施形態の露光装置ＥＸは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、投影光学系ＰＬの像面近傍における露光光ＥＬの光路空間Ｋ１を液体ＬＱで満たすための液浸機構１を備えている。液浸機構１は、光路空間Ｋ１の近傍に設けられ、液体ＬＱを供給する供給口１２及び液体ＬＱを回収する回収口２２を有するノズル部材７０と、供給管１３、及びノズル部材７０に設けられた供給口１２を介して液体ＬＱを供給する液体供給装置１１と、ノズル部材７０に設けられた回収口２２、及び回収管２３を介して液体ＬＱを回収する液体回収装置２１とを備えている。後に詳述するように、ノズル部材７０の内部には、供給口１２と供給管１３とを接続する流路（供給流路）１４が設けられているとともに、回収口２２と回収管２３とを接続する流路（回収流路）２４が設けられている。なお図１には、供給口、回収口、供給流路、及び回収流路は図示されていない。ノズル部材７０は、投影光学系ＰＬを構成する複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い最終光学素子ＬＳ１を囲むように環状に形成されている。
The exposure apparatus EX of the present embodiment is an immersion exposure apparatus to which an immersion method is applied in order to substantially shorten the exposure wavelength to improve the resolution and substantially widen the depth of focus. A
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲを含む基板Ｐ上の一部に、投影領域ＡＲよりも大きく且つ基板Ｐよりも小さい液体ＬＱの液浸領域ＬＲを局所的に形成する局所液浸方式を採用している。露光装置ＥＸは、少なくともマスクＭのパターン像を基板Ｐに転写している間、投影光学系ＰＬの像面に最も近い最終光学素子ＬＳ１と、投影光学系ＰＬの像面側に配置された基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路空間Ｋ１を液体ＬＱで満たし、投影光学系ＰＬと光路空間Ｋ１に満たされた液体ＬＱとを介してマスクＭを通過した露光光ＥＬを基板Ｐに照射することによって、マスクＭのパターン像を基板Ｐに投影露光する。制御装置ＣＯＮＴは、液浸機構１の液体供給装置１１を使って液体ＬＱを所定量供給するとともに、液体回収装置２１を使って液体ＬＱを所定量回収することで、光路空間Ｋ１を液体ＬＱで満たし、基板Ｐ上に液体ＬＱの液浸領域ＬＲを局所的に形成する。
Further, the exposure apparatus EX of the present embodiment locally places the immersion area LR of the liquid LQ that is larger than the projection area AR and smaller than the substrate P on a part of the substrate P including the projection area AR of the projection optical system PL. A local liquid immersion method is used. The exposure apparatus EX includes at least the final optical element LS1 closest to the image plane of the projection optical system PL and the substrate disposed on the image plane side of the projection optical system PL while transferring the pattern image of the mask M to the substrate P. The optical path space K1 of the exposure light EL with respect to P is filled with the liquid LQ, and the substrate P is irradiated with the exposure light EL that has passed through the mask M via the projection optical system PL and the liquid LQ filled with the optical path space K1. Thus, the pattern image of the mask M is projected and exposed onto the substrate P. The control device CONT supplies a predetermined amount of the liquid LQ using the liquid supply device 11 of the
なお、以下の説明においては、露光光ＥＬが照射可能な位置に基板Ｐを配置した状態で、すなわち投影光学系ＰＬと基板Ｐとが対向している状態で光路空間Ｋ１が液体ＬＱで満たされている場合について説明するが、基板Ｐ以外の物体（例えば基板ステージＰＳＴの上面９４）が投影光学系ＰＬと対向している状態で光路空間Ｋ１が液体ＬＱで満たされている場合も同様である。
In the following description, the optical path space K1 is filled with the liquid LQ in a state where the substrate P is disposed at a position where the exposure light EL can be irradiated, that is, in a state where the projection optical system PL and the substrate P face each other. However, the same applies to the case where the optical path space K1 is filled with the liquid LQ with an object other than the substrate P (for example, the
本実施形態では、露光装置ＥＸとしてマスクＭと基板Ｐとを走査方向に同期移動しつつマスクＭに形成されたパターンを基板Ｐに露光する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）を使用する場合を例にして説明する。以下の説明において、水平面内においてマスクＭと基板Ｐとの同期移動方向（走査方向）をＹ軸方向、水平面内においてＹ軸方向と直交する方向（非走査方向）をＸ軸方向、Ｘ軸及びＹ軸方向に垂直で投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと一致する方向をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。なお、ここでいう「基板」は半導体ウエハ等の基材上に感光材（フォトレジスト）、保護膜のような膜を塗布したものを含み、「マスク」は基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。 In the present embodiment, the exposure apparatus EX uses a scanning exposure apparatus (so-called scanning stepper) that exposes a pattern formed on the mask M onto the substrate P while moving the mask M and the substrate P synchronously in the scanning direction. An example will be described. In the following description, the synchronous movement direction (scanning direction) of the mask M and the substrate P in the horizontal plane is the Y-axis direction, and the direction orthogonal to the Y-axis direction (non-scanning direction) in the horizontal plane is the X-axis direction, X-axis, and A direction perpendicular to the Y-axis direction and coincident with the optical axis AX of the projection optical system PL is defined as a Z-axis direction. Further, the rotation (inclination) directions around the X axis, Y axis, and Z axis are the θX, θY, and θZ directions, respectively. Here, the “substrate” includes a substrate such as a semiconductor wafer coated with a photosensitive material (photoresist), a film such as a protective film, and the “mask” is a device pattern that is reduced and projected onto the substrate. Including a formed reticle.
露光装置ＥＸは、床面上に設けられたベースＢＰと、そのベースＢＰ上に設置されたメインコラム９とを備えている。メインコラム９には、内側に向けて突出する上側段部７及び下側段部８が形成されている。照明光学系ＩＬは、マスクステージＭＳＴに保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明するものであって、メインコラム９の上部に固定された支持フレーム１０により支持されている。
The exposure apparatus EX includes a base BP provided on the floor and a main column 9 installed on the base BP. The main column 9 is formed with an upper step 7 and a
照明光学系ＩＬは、露光用光源から射出された光束の照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ＥＬを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、及び露光光ＥＬによるマスクＭ上の照明領域を設定する視野絞り等を有している。マスクＭ上の所定の照明領域は照明光学系ＩＬにより均一な照度分布の露光光ＥＬで照明される。照明光学系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）などが用いられる。本実施形態においてはＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。 The illumination optical system IL is an optical integrator that uniformizes the illuminance of the light beam emitted from the exposure light source, a condenser lens that collects the exposure light EL from the optical integrator, a relay lens system, and a mask M formed by the exposure light EL. It has a field stop for setting the illumination area. A predetermined illumination area on the mask M is illuminated with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution by the illumination optical system IL. The exposure light EL emitted from the illumination optical system IL is, for example, far ultraviolet light (DUV light) such as bright lines (g line, h line, i line) and KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) emitted from a mercury lamp. Further, vacuum ultraviolet light (VUV light) such as ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) and F 2 laser light (wavelength 157 nm) is used. In this embodiment, ArF excimer laser light is used.
本実施形態においては、液体ＬＱとして純水が用いられる。純水はＡｒＦエキシマレーザ光のみならず、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）も透過可能である。 In the present embodiment, pure water is used as the liquid LQ. Pure water can transmit not only ArF excimer laser light but also far ultraviolet light (DUV light) such as bright lines (g-line, h-line, i-line) emitted from mercury lamps and KrF excimer laser light (wavelength 248 nm). It is.
マスクステージＭＳＴは、マスクＭを保持して移動可能である。マスクステージＭＳＴは、マスクＭを真空吸着（又は静電吸着）により保持する。マスクステージＭＳＴの下面には非接触軸受である気体軸受（エアベアリング）８５が複数設けられている。マスクステージＭＳＴは、エアベアリング８５によりマスクステージ定盤２の上面（ガイド面）に対して非接触支持されている。マスクステージＭＳＴ及びマスクステージ定盤２の中央部にはマスクＭのパターン像を通過させる開口部がそれぞれ形成されている。マスクステージ定盤２は、メインコラム９の上側段部７に防振装置８６を介して支持されている。すなわち、マスクステージＭＳＴは、防振装置８６及びマスクステージ定盤２を介してメインコラム９の上側段部７に支持された構成となっている。防振装置８６によって、メインコラム９の振動がマスクステージＭＳＴを支持するマスクステージ定盤２に伝わらないように、マスクステージ定盤２とメインコラム９とが振動的に分離されている。
Mask stage MST is movable while holding mask M. Mask stage MST holds mask M by vacuum suction (or electrostatic suction). A plurality of gas bearings (air bearings) 85 which are non-contact bearings are provided on the lower surface of the mask stage MST. Mask stage MST is supported in a non-contact manner on the upper surface (guide surface) of mask stage surface plate 2 by
マスクステージＭＳＴは、制御装置ＣＯＮＴにより制御されるリニアモータ等を含むマスクステージ駆動装置ＭＳＴＤの駆動により、マスクＭを保持した状態で、マスクステージ定盤２上において、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに垂直な平面内、すなわちＸＹ平面内で２次元移動可能及びθＺ方向に微少回転可能である。マスクステージＭＳＴ上には移動鏡８１が設けられている。また、移動鏡８１に対向する位置にはレーザ干渉計８２が設けられている。マスクステージＭＳＴ上のマスクＭの２次元方向の位置、及びθＺ方向の回転角はレーザ干渉計８２によりリアルタイムで計測される。なおレーザ干渉計８２でθＸ、θＹ方向の回転角を計測するようにしてもよい。レーザ干渉計８２の計測結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴは、レーザ干渉計８２の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置ＭＳＴＤを駆動し、マスクステージＭＳＴに保持されているマスクＭの位置制御を行う。
The mask stage MST is an optical axis AX of the projection optical system PL on the mask stage surface plate 2 in a state where the mask M is held by driving of a mask stage driving device MSTD including a linear motor controlled by the control device CONT. Can move two-dimensionally in a plane perpendicular to the plane, that is, in the XY plane, and can rotate in the θZ direction slightly. A
投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターンを所定の投影倍率βで基板Ｐに投影露光するものであって、複数の光学素子で構成されており、それら光学素子は鏡筒ＰＫで保持されている。本実施形態において、投影光学系ＰＬは、投影倍率βが例えば１／４、１／５、あるいは１／８の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。投影光学系ＰＬを構成する複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い最終光学素子ＬＳ１は鏡筒ＰＫより露出している。 The projection optical system PL projects and exposes the pattern of the mask M onto the substrate P at a predetermined projection magnification β, and is composed of a plurality of optical elements, which are held by a lens barrel PK. . In the present embodiment, the projection optical system PL is a reduction system having a projection magnification β of, for example, 1/4, 1/5, or 1/8. Note that the projection optical system PL may be either an equal magnification system or an enlargement system. The projection optical system PL may be any one of a refractive system that does not include a reflective optical element, a reflective system that does not include a refractive optical element, and a catadioptric system that includes a reflective optical element and a refractive optical element. Of the plurality of optical elements constituting the projection optical system PL, the final optical element LS1 closest to the image plane of the projection optical system PL is exposed from the lens barrel PK.
投影光学系ＰＬを保持する鏡筒ＰＫの外周にはフランジＰＦが設けられており、投影光学系ＰＬはフランジＰＦを介して鏡筒定盤５に支持されている。鏡筒定盤５は、メインコラム９の下側段部８に防振装置８７を介して支持されている。すなわち、投影光学系ＰＬは、防振装置８７及び鏡筒定盤５を介してメインコラム９の下側段部８に支持された構成となっている。また、防振装置８７によって、メインコラム９の振動が投影光学系ＰＬを支持する鏡筒定盤５に伝わらないように、鏡筒定盤５とメインコラム９とが振動的に分離されている。
A flange PF is provided on the outer periphery of the lens barrel PK that holds the projection optical system PL, and the projection optical system PL is supported by the lens
基板ステージＰＳＴは、基板Ｐを保持する基板ホルダＰＨを有しており、基板ホルダＰＨに基板Ｐを保持して移動可能である。基板ホルダＰＨは、例えば真空吸着等により基板Ｐを保持する。基板ステージＰＳＴ上には凹部９３が設けられており、基板Ｐを保持するための基板ホルダＰＨは凹部９３に配置されている。そして、基板ステージＰＳＴのうち凹部９３周囲の上面９４は、基板ホルダＰＨに保持された基板Ｐの表面とほぼ同じ高さ（面一）になるような平坦面となっている。なお、光路空間Ｋ１に液体ＬＱを満たし続けることができるならば、基板ステージＰＳＴの上面９４と基板ホルダＰＨに保持された基板Ｐの表面とに段差があってもよい。
The substrate stage PST has a substrate holder PH that holds the substrate P, and is movable while holding the substrate P on the substrate holder PH. The substrate holder PH holds the substrate P by, for example, vacuum suction. A
基板ステージＰＳＴの下面には非接触軸受である気体軸受（エアベアリング）８８が複数設けられている。基板ステージＰＳＴは、エアベアリング８８により基板ステージ定盤６の上面（ガイド面）に対して非接触支持されている。基板ステージ定盤６は、ベースＢＰ上に防振装置８９を介して支持されている。また、防振装置８９によって、ベースＢＰ（床面）、メインコラム９などの振動が基板ステージＰＳＴを支持する基板ステージ定盤６に伝わらないように、基板ステージ定盤６とメインコラム９及びベースＢＰ（床面）とが振動的に分離されている。
A plurality of gas bearings (air bearings) 88 that are non-contact bearings are provided on the lower surface of the substrate stage PST. Substrate stage PST is supported in a noncontact manner on the upper surface (guide surface) of substrate
基板ステージＰＳＴは、制御装置ＣＯＮＴにより制御されるリニアモータ等を含む基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤの駆動により、基板Ｐを基板ホルダＰＨを介して保持した状態で、基板ステージ定盤６上でＸＹ平面内で２次元移動可能及びθＺ方向に微小回転可能である。更に基板ステージＰＳＴは、Ｚ軸方向、θＸ方向、及びθＹ方向にも移動可能である。したがって、基板ステージＰＳＴに保持された基板Ｐの表面は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。基板ステージＰＳＴの側面には移動鏡８３が設けられている。また、移動鏡８３に対向する位置にはレーザ干渉計８４が設けられている。基板ステージＰＳＴ上の基板Ｐの２次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計８４によりリアルタイムで計測される。また、不図示ではあるが、露光装置ＥＸは、基板ステージＰＳＴに保持されている基板Ｐの表面の面位置情報を検出するフォーカス・レベリング検出系を備えている。
The substrate stage PST is in the XY plane on the substrate
レーザ干渉計８４の計測結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。フォーカス・レベリング検出系の検出結果も制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴは、フォーカス・レベリング検出系の検出結果に基づいて、基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤを駆動し、基板Ｐのフォーカス位置（Ｚ位置）及び傾斜角（θＸ、θＹ）を制御して、基板Ｐの表面を投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して形成される像面に合わせ込むとともに、レーザ干渉計８４の計測結果に基づいて、基板ＰのＸ軸方向、Ｙ軸方向、及びθＺ方向における位置制御を行う。
The measurement result of the
液浸機構１の液体供給装置１１は、露光光ＥＬの光路空間Ｋ１を液体ＬＱで満たすために液体ＬＱを供給するものであって、液体ＬＱを収容するタンク、加圧ポンプ、供給する液体ＬＱの温度を調整する温度調整装置、及び液体ＬＱ中の異物を取り除くフィルタユニット等を備えている。液体供給装置１１には供給管１３の一端部が接続されており、供給管１３の他端部はノズル部材７０に接続されている。液体供給装置１１の液体供給動作は制御装置ＣＯＮＴにより制御される。なお、液体供給装置１１のタンク、加圧ポンプ、温度調整機構、フィルタユニット等は、その全てを露光装置ＥＸが備えている必要はなく、露光装置ＥＸが設置される工場等の設備を代用してもよい。
The liquid supply device 11 of the
また、供給管１３の途中には、液体供給装置１１から送出され、投影光学系ＰＬの像面側に供給される単位時間当たりの液体量を制御するマスフローコントローラと呼ばれる流量制御器１９が設けられている。流量制御器１９による液体供給量の制御は制御装置ＣＯＮＴの指令信号のもとで行われる。
Further, a flow rate controller 19 called a mass flow controller that controls the amount of liquid per unit time that is sent from the liquid supply device 11 and supplied to the image plane side of the projection optical system PL is provided in the
液浸機構１の液体回収装置２１は、露光光ＥＬの光路空間Ｋ１に満たされている液体ＬＱを回収するためのものであって、真空ポンプ等の真空系、回収された液体ＬＱと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体ＬＱを収容するタンク等を備えている。液体回収装置２１には回収管２３の一端部が接続されており、回収管２３の他端部はノズル部材７０に接続されている。液体回収装置２１の液体回収動作は制御装置ＣＯＮＴにより制御される。なお、液体回収装置２１の真空系、気液分離器、タンク等は、その全てを露光装置ＥＸが備えている必要はなく、露光装置ＥＸが設置される工場等の設備を代用してもよい。
The
ノズル部材７０は、支持機構９１に支持されている。支持機構９１は、メインコラム９の下側段部８に接続されている。ノズル部材７０を支持機構９１を介して支持しているメインコラム９と、投影光学系ＰＬの鏡筒ＰＫをフランジＰＦを介して支持している鏡筒定盤５とは、防振装置８７を介して振動的に分離されている。したがって、ノズル部材７０で発生した振動が投影光学系ＰＬに伝達されることは防止されている。また、メインコラム９と、基板ステージＰＳＴを支持している基板ステージ定盤６とは、防振装置８９を介して振動的に分離されている。したがって、ノズル部材７０で発生した振動が、メインコラム９及びベースＢＰを介して基板ステージＰＳＴに伝達されることが防止されている。また、メインコラム９と、マスクステージＭＳＴを支持しているマスクステージ定盤２とは、防振装置８６を介して振動的に分離されている。したがって、ノズル部材７０で発生した振動がメインコラム９を介してマスクステージＭＳＴに伝達されることが防止されている。
The
次に、図２〜図５を参照しながら、ノズル部材７０について説明する。図２はノズル部材７０近傍を示す概略斜視図の一部破断図、図３はノズル部材７０を下側から見た斜視図、図４はＸＺ平面と平行な側断面図、図５はＹＺ平面と平行な側断面図である。
Next, the
ノズル部材７０は、投影光学系ＰＬの像面に最も近い最終光学素子ＬＳ１の近傍に設けられている。ノズル部材７０は、基板Ｐ（基板ステージＰＳＴ）の上方において最終光学素子ＬＳ１を囲むように設けられた環状部材であって、その中央部に投影光学系ＰＬ（最終光学素子ＬＳ１）を配置可能な穴部７０Ｈを有している。また、本実施形態においては、ノズル部材７０は複数の部材を組み合わせて構成されており、ノズル部材７０の外形は平面視略四角形状である。ノズル部材７０の外形は、平面視四角形状に限られず、例えば、平面視円形状であってもよい。なお、ノズル部材７０は一つの材料（チタンなど）で構成されていてもよいし、例えばアルミニウム、チタン、ステンレス鋼、ジュラルミン、及びこれらを含む合金によって構成されていてもよい。
The
ノズル部材７０は、側板部７０Ａと、傾斜板部７０Ｂと、側板部７０Ａ及び傾斜板部７０Ｂの上端部に設けられた天板部７０Ｃと、基板Ｐ（基板ステージＰＳＴ）と対向する底板部７０Ｄとを有している。傾斜板部７０Ｂはすり鉢状に形成されており、最終光学素子ＬＳ１は、傾斜板部７０Ｂによって形成された穴部７０Ｈの内側に配置される。傾斜板部７０Ｂの内側面（すなわちノズル部材７０の穴部７０Ｈの内側面）７０Ｔと投影光学系ＰＬの最終光学素子ＬＳ１の側面ＬＴとは対向しており、傾斜板部７０Ｂの内側面７０Ｔと最終光学素子ＬＳ１の側面ＬＴとの間には所定のギャップＧ１が設けられている。ギャップＧ１が設けられていることにより、ノズル部材７０で発生した振動が、投影光学系ＰＬ（最終光学素子ＬＳ１）に直接的に伝達することが防止されている。また、傾斜板部７０Ｂの内側面７０Ｔは、液体ＬＱに対して撥液性（撥水性）となっており、投影光学系ＰＬの最終光学素子ＬＳ１の側面ＬＴと傾斜板部７０Ｂの内側面７０Ｔとの間のギャップＧ１への液体ＬＱの浸入が抑制されている。なお、傾斜板部７０Ｂの内側面７０Ｔを撥液性にするための撥液化処理としては、例えば、ポリ四フッ化エチレン（テフロン（登録商標））等のフッ素系樹脂材料、アクリル系樹脂材料、シリコン系樹脂材料等の撥液性材料を付着する処理等が挙げられる。
The
底板部７０Ｄの一部は、Ｚ軸方向に関して、投影光学系ＰＬの最終光学素子ＬＳ１の下面Ｔ１と基板Ｐ（基板ステージＰＳＴ）との間に設けられる。また、底板部７０Ｄの中央部には、露光光ＥＬが通過する開口部７４が形成されている。開口部７４には、投影光学系ＰＬの最終光学素子（光学部材）ＬＳ１を通過した露光光ＥＬが通過するようになっている。本実施形態においては、露光光ＥＬが照射される投影領域ＡＲはＸ軸方向（非走査方向）を長手方向とするスリット状（略矩形状）に設けられ、開口部７４は、投影領域ＡＲに応じた形状を有しており、本実施形態においてはＸ軸方向（非走査方向）を長手方向とするスリット状（略矩形状）に形成されている。開口部７４は投影領域ＡＲよりも大きく形成されており、投影光学系ＰＬを通過した露光光ＥＬは、底板部７０Ｄに遮られることなく、基板Ｐ上に到達できる。
A part of the
ノズル部材７０のうち基板Ｐ（基板ステージＰＳＴ）と対向する下面は、露光光ＥＬが照射可能な位置に配置された基板Ｐの表面と対向する第１面７５を有している。第１面７５は、ＸＹ平面と平行な平坦面となっている。第１面７５は、露光光ＥＬの光路空間Ｋ１（この空間を通過した露光光が基板Ｐ上に投影されて投影領域ＡＲを形成する：本明細書では「光路空間Ｋ１」は露光光が通る空間を意図しており、この実施形態及び以下の実施形態では、最終光学素子ＬＳ１と基板Ｐとの間における露光光が通る空間を意味する）を囲むように設けられている。すなわち、第１面７５は、底板部７０Ｄのうち露光光ＥＬが通過する開口部７４の周囲に設けられた面である。ここで、露光光ＥＬが照射可能な位置とは、投影光学系ＰＬと対向する位置を含む。第１面７５は、投影光学系ＰＬを通過した露光光ＥＬの光路空間Ｋ１を囲むように設けられているため、制御装置ＣＯＮＴは、露光光ＥＬが照射可能な位置に基板Ｐを配置することにより、第１面７５と基板Ｐの表面とを対向させることができる。
The lower surface of the
そして、基板ステージＰＳＴに保持された基板Ｐの表面はＸＹ平面とほぼ平行であるため、ノズル部材７０の第１面７５は、基板ステージＰＳＴに保持された基板Ｐの表面と対向するように、且つ基板Ｐの表面（ＸＹ平面）と略平行となるように設けられた構成となっている。そして、第１面７５は、露光光ＥＬの光路空間Ｋ１を満たすために液体供給装置１１から供給された液体ＬＱを基板Ｐとの間で保持可能となっている。以下の説明においては、ノズル部材７０のうち、基板ステージＰＳＴに保持された基板Ｐの表面と対向するように、且つ露光光ＥＬの光路空間Ｋ１を囲むように設けられ、基板Ｐの表面（ＸＹ平面）と略平行となるように形成された第１面（平坦面）７５を適宜、「第１ランド面７５」と称する。
Since the surface of the substrate P held on the substrate stage PST is substantially parallel to the XY plane, the
第１ランド面７５は、ノズル部材７０のうち、基板ステージＰＳＴに保持された基板Ｐに最も近い位置に設けられている。すなわち、第１ランド面７５は、基板ステージＰＳＴに保持された基板Ｐの表面との距離（間隔）が最も小さくなる部分である。これにより、第１ランド面７５と基板Ｐとの間で液体ＬＱを良好に保持して液浸領域ＬＲを形成することができる。本実施形態においては、基板Ｐの表面と第１ランド面７５との距離（間隔）Ｗ１は、１ｍｍ程度に設定されている。
The
そして、第１ランド面７５は、投影光学系ＰＬの下面Ｔ１と基板Ｐとの間において、露光光ＥＬの光路空間Ｋ１（投影領域ＡＲ）を囲むように設けられている。第１ランド面７５は、ノズル部材７０（底板部７０Ｄ）の下面の一部の領域に設けられたものであって、上述のように、露光光ＥＬが通過する開口部７４を囲むように設けられている。第１ランド面７５は、開口部７４に応じた形状を有しており、本実施形態における第１ランド面７５の外形は、Ｘ軸方向（非走査方向）を長手方向とする矩形状である。
The
開口部７４は、第１ランド面７５のほぼ中央部に設けられている。そして、図３等に示すように、Ｙ軸方向（走査方向）における第１ランド面７５の幅Ｄ１は、Ｙ軸方向における開口部７４の幅Ｄ２よりも小さくなっている。ここで、Ｙ軸方向における第１ランド面７５の幅Ｄ１とは、第１ランド面７５の＋Ｙ側（−Ｙ側）の端部（エッジ）Ｅと開口部７４の＋Ｙ側（−Ｙ側）の端部（エッジ）との距離である。本実施形態においては、開口部７４は第１ランド面７５のほぼ中央部に設けられているため、第１ランド面７５の＋Ｙ側の端部Ｅと開口部７４の＋Ｙ側の端部との距離と、第１ランド面７５の−Ｙ側の端部Ｅと開口部７４の−Ｙ側の端部との距離とはほぼ等しい。
The
また、本実施形態においては、Ｙ軸方向における第１ランド面７５の幅Ｄ１は、Ｘ軸方向における第１ランド面７５の幅Ｄ３よりも小さくなっている。ここで、Ｘ軸方向における第１ランド面７５の幅Ｄ３とは、第１ランド面７５の＋Ｘ側（−Ｘ側）の端部（エッジ）と開口部７４の＋Ｘ側（−Ｘ側）の端部（エッジ）との距離である。本実施形態においては、開口部７４は第１ランド面７５のほぼ中央部に設けられているため、第１ランド面７５の＋Ｘ側の端部と開口部７４の＋Ｘ側の端部との距離と、第１ランド面７５の−Ｘ側の端部と開口部７４の−Ｘ側の端部との距離とはほぼ等しい。
In the present embodiment, the width D1 of the
基板Ｐの表面と最終光学素子ＬＳ１の下面Ｔ１との距離は、基板Ｐの表面と第１ランド面７５との距離よりも長くなっている。すなわち、最終光学素子ＬＳ１の下面Ｔ１は、第１ランド面７５より高い位置に形成されている。また、底板部７０Ｄは、最終光学素子ＬＳ１の下面Ｔ１及び基板Ｐ（基板ステージＰＳＴ）とは接触しないように設けられている。そして、図５等に示すように、最終光学素子ＬＳ１の下面Ｔ１と底板部７０Ｄの上面７７との間には、所定のギャップＧ２を有する空間が形成されている。底板部７０Ｄの上面７７は、露光光ＥＬが通過する開口部７４を囲むように設けられている。すなわち、底板部７０Ｄの上面７７は、露光光ＥＬの光路空間Ｋ１を囲むように設けられ、最終光学素子ＬＳ１との間に所定のギャップＧ２を介して対向した構成となっている。以下の説明においては、最終光学素子ＬＳ１の下面Ｔ１と底板部７０Ｄの上面７７との間の空間を含むノズル部材７０の内側の空間を適宜、「内部空間Ｇ２」と称する。
The distance between the surface of the substrate P and the lower surface T1 of the final optical element LS1 is longer than the distance between the surface of the substrate P and the
また、ノズル部材７０の下面のうち、第１ランド面７５に対してＹ軸方向両側のそれぞれには凹部７２（空間形成領域）が設けられている。凹部７２は、基板ステージＰＳＴに保持された基板Ｐの表面に対して離れるように凹んでいる。凹部７２の内側には、基板ステージＰＳＴに保持された基板Ｐと対向する第２面７６が形成されている。第２面７６は、露光光ＥＬの光路空間Ｋ１に対して第１ランド面７５の外側に配置されている。第２面７６は、基板ステージＰＳＴに保持された基板Ｐの表面に対して第１ランド面７５よりも離れている。以下の説明においては、ノズル部材７０のうち、基板ステージＰＳＴに保持された基板Ｐの表面と対向するように、且つ露光光ＥＬの光路空間Ｋ１に対して第１ランド面７５の外側に配置され、基板Ｐの表面に対して第１ランド面７５よりも離れている第２面７６を適宜、「第２ランド面７６」と称する。
Further, in the lower surface of the
本実施形態においては、第２ランド面７６は、基板ステージＰＳＴに保持された基板Ｐの表面とほぼ平行な平坦面である。また、本実施形態においては、基板Ｐの表面と第２ランド面７６との距離（間隔）Ｗ２は、３ｍｍ程度に設定されている。なお図面を見やすくするため、各図面における縮尺等は実際のものとは異なっている。
In the present embodiment, the
第２ランド面７６は、Ｙ軸方向（走査方向）において、第１ランド面７５の両側のそれぞれに設けられている。図５等に示すように、本実施形態においては、第２ランド面７６の外形は、Ｘ軸方向（非走査方向）を長手方向とする矩形状であり、第２ランド面７６のＸ軸方向の大きさ及び第１ランド面７５のＸ軸方向全体の大きさはほぼ同じ値Ｄ４である。そして、本実施形態においては、第１ランド面７５の＋Ｙ側のエッジＥは平面視においてＸ軸方向に延びるように直線状に形成されており、−Ｙ側のエッジＥも平面視においてＸ軸方向に延びるように直線状に形成されている。
The second land surfaces 76 are provided on both sides of the
また、第１ランド面７５には光路空間Ｋ１に満たされた液体ＬＱが接触するようになっており、最終光学素子ＬＳ１の下面Ｔ１にも光路空間Ｋ１に満たされた液体ＬＱが接触するようになっている。すなわち、ノズル部材７０の第１ランド面７５及び最終光学素子ＬＳ１の下面Ｔ１のそれぞれは、液体ＬＱと接触する液体接触面となっている。
Further, the liquid LQ filled in the optical path space K1 comes into contact with the
一方、後述するように、第２ランド面７６は、基板Ｐの表面と第２ランド面７６との間に存在する液体ＬＱの膜が第２ランド面７６と接触しないように設けられている。すなわち、光路空間Ｋ１を液体ＬＱで満たすために第１ランド面７５に液体ＬＱを接触させて第１ランド面７５と基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持した場合でも、基板Ｐの表面と第２ランド面７６との間に存在する液体ＬＱの膜は第２ランド面７６と接触しないようになっている。換言すれば、第２ランド面７６を区画する凹部７２（空間形成領域）の存在により、第２ランド面７６と対向する基板Ｐ上に存在する液体ＬＱ（液体ＬＱの表面）と第２ランド面７６との間に液体が存在しない空間がもたらされる。
On the other hand, as described later, the
第１ランド面７５は、液体ＬＱに対して親液性を有している。本実施形態においては、第１ランド面７５を形成する底板部７０Ｄはチタンによって形成されている。チタン材料は光触媒作用を有する不動態膜が表面に形成され、その表面の親液性（親水性）を維持することができるため、第１ランド面７５における液体ＬＱの接触角を例えば２０°以下に維持することができる。
The
なお、第１ランド面７５及び第２ランド面７６をステンレス鋼（例えばＳＵＳ３１６）で形成し、その表面に液体ＬＱへの不純物の溶出を抑えるための表面処理、あるいは親液性を高めるための表面処理を施してもよい。そのような表面処理としては、第１ランド面７５及び第２ランド面７６のそれぞれに酸化クロムを付着する処理が挙げられ、例えば株式会社神鋼環境ソリューションの「GOLDEP」処理あるいは「GOLDEP WHITE」処理が挙げられる。
The
一方、第２ランド面７６は、液体ＬＱに対して撥液性を有している。本実施形態においては、第２ランド面７６には、液体ＬＱに対して撥液性を付与する表面処理（撥液化処理）が施されている。そのような表面処理としては、例えば、ポリ四フッ化エチレン（テフロン（登録商標））等のフッ素系樹脂材料、アクリル系樹脂材料、シリコン系樹脂材料等の撥液性材料を付着する処理が挙げられる。
On the other hand, the
ノズル部材７０は、露光光ＥＬの光路空間Ｋ１を満たすための液体ＬＱを供給する供給口１２と、露光光ＥＬの光路空間Ｋ１を満たすための液体ＬＱを回収する回収口２２とを備えている。また、ノズル部材７０は、供給口１２に接続する供給流路１４、及び回収口２２に接続する回収流路２４を備えている。また、図２〜図５においてはその図示を省略若しくは簡略しているが、供給流路１４は供給管１３の他端部と接続され、回収流路２４は回収管２３の他端部と接続される。
The
供給流路１４は、ノズル部材７０の傾斜板部７０Ｂの内部を傾斜方向に沿って貫通するスリット状の貫通孔によって形成されている。また、本実施形態においては、供給流路１４は、光路空間Ｋ１（投影領域ＡＲ）に対してＹ軸方向両側のそれぞれに設けられている。そして、供給流路（貫通孔）１４の上端部と供給管１３の他端部とが接続され、これにより、供給流路１４が供給管１３を介して液体供給装置１１に接続される。一方、供給流路１４の下端部は、最終光学素子ＬＳ１の下面Ｔ１と底板部７０Ｄの上面７７との間の内部空間Ｇ２近傍に設けられており、この供給流路１４の下端部が供給口１２となっている。すなわち、供給口１２は、最終光学素子ＬＳ１の下面Ｔ１と底板部７０Ｄの上面７７との間の内部空間Ｇ２近傍に設けられており、内部空間Ｇ２と接続されている。本実施形態においては、供給口１２は、露光光ＥＬの光路空間Ｋ１の外側において、光路空間Ｋ１を挟んだＹ軸方向両側のそれぞれの所定位置に設けられている。
The
供給口１２は、光路空間Ｋ１を満たすための液体ＬＱを供給する。供給口１２には液体供給装置１１から液体ＬＱが供給されるようになっており、供給口１２は、最終光学素子ＬＳ１の下面Ｔ１と底板部７０Ｄの上面７７との間、すなわち内部空間Ｇ２に液体ＬＱを供給可能である。供給口１２から最終光学素子ＬＳ１と底板部７０Ｄとの間の内部空間Ｇ２に液体ＬＱを供給することによって、最終光学素子ＬＳ１と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路空間Ｋ１が液体ＬＱで満たされる。
The
また、ノズル部材７０は、内部空間Ｇ２と外部空間Ｋ３とを連通させるための排気口１６を有している。排気口１６には排気流路１５が接続されている。排気流路１５は、ノズル部材７０の傾斜板部７０Ｂの内部を傾斜方向に沿って貫通するスリット状の貫通孔によって形成されている。また、本実施形態においては、排気流路１５は、光路空間Ｋ１（投影領域ＡＲ）に対してＸ軸方向両側のそれぞれに設けられている。そして、排気流路（貫通孔）１５の上端部は外部空間（大気空間）Ｋ３に接続されており、大気開放された状態となっている。一方、排気流路１５の下端部は、最終光学素子ＬＳ１の下面Ｔ１と底板部７０Ｄの上面７７との間の内部空間Ｇ２に接続されており、この排気流路１５の下端部が排気口１６となっている。すなわち、排気口１６は、最終光学素子ＬＳ１の下面Ｔ１と底板部７０Ｄの上面７７との間の内部空間Ｇ２近傍に設けられており、内部空間Ｇ２と接続されている。本実施形態においては、排気口１６は、露光光ＥＬの光路空間Ｋ１の外側において、光路空間Ｋ１を挟んだＸ軸方向両側のそれぞれの所定位置に設けられている。また、本実施形態においては、底板部７０Ｄの上面７７のうち排気口１６近傍には凹部７８が設けられている。排気口１６は、排気流路１５を介して、内部空間Ｇ２と外部空間Ｋ３とを連通させているため、内部空間Ｇ２の気体は、排気口１６を介して、排気流路１５の上端部より、外部空間Ｋ３に排出（排気）可能となっている。
Moreover, the
ノズル部材７０は、側板部７０Ａと傾斜板部７０Ｂとの間において下向きに開口する空間部２４を有している。回収口２２は、空間部２４の開口部に設けられている。また、空間部２４は回収流路の少なくとも一部を構成する。そして、回収流路（空間部）２４の一部に回収管２３の他端部が接続される。
The
回収口２２は、光路空間Ｋ１を満たすための液体ＬＱを回収する。回収口２２は、基板ステージＰＳＴに保持された基板Ｐの上方において、その基板Ｐの表面と対向する位置に設けられている。回収口２２と基板Ｐの表面とは所定距離だけ離れている。回収口２２は、投影光学系ＰＬの像面近傍の光路空間Ｋ１に対して供給口１２の外側に設けられている。
The
回収口２２は、光路空間Ｋ１に対して第２ランド面７６の外側に設けられている。本実施形態においては、回収口２２は、第１ランド面７５及び第２ランド面７６を囲むように、平面視において環状に設けられている。回収口２２を第１ランド面７５及び第２ランド面７６を囲むように環状に設けることにより、液体ＬＱの漏出や残留を十分に抑制することができる。
The
ノズル部材７０は、回収口２２を覆うように配置された、複数の孔を有する多孔部材２５を備えている。多孔部材２５は複数の孔を有したメッシュ部材により構成可能であり、例えば略六角形状の複数の孔からなるハニカムパターンを形成されたメッシュ部材によって構成可能である。また、多孔部材２５は、チタンやステンレス鋼（例えばＳＵＳ３１６）などからなる多孔部材の基材となる板部材に孔あけ加工を施すことで形成可能である。あるいは、多孔部材２５として、セラミックス製の多孔部材を用いることも可能である。本実施形態の多孔部材２５は薄板状に形成されており、例えば１００μｍ程度の厚みを有するものである。
The
多孔部材２５は、基板ステージＰＳＴに保持された基板Ｐと対向する下面２６を有している。多孔部材２５の下面２６は、ノズル部材７０の下面の一部であり、多孔部材２５の基板Ｐと対向する下面２６はほぼ平坦である。多孔部材２５は、その下面２６が基板ステージＰＳＴに保持された基板Ｐの表面（すなわちＸＹ平面）とほぼ平行になるように回収口２２に設けられている。
The
多孔部材２５の下面２６と基板Ｐの表面との距離は、第１ランド面７５と基板Ｐの表面との距離とほぼ等しくなっている。すなわち、回収口２２に設けられた多孔部材２５の下面２６と第１ランド面７５とは、基板Ｐの表面に対してほぼ同じ位置（高さ）に設けられている。そして、回収口２２に設けられた多孔部材２５は、液体ＬＱを回収するときに液体ＬＱと接触する。回収口２２は、多孔部材２５に接触した液体ＬＱを回収することができる。回収口２２及びその回収口２２に配置された多孔部材２５は、平面視において矩形の環状に形成されている。
The distance between the
また、本実施形態においては、多孔部材２５は液体ＬＱに対して親液性（親水性）を有している。多孔部材２５を親液性にするための親液化処理（表面処理）としては、多孔部材２５に酸化クロムを付着する処理が挙げられる。具体的には、上述したような「GOLDEP」処理あるいは「GOLDEP WHITE」処理が挙げられる。また、このような表面処理を施すことにより、多孔部材２５から液体ＬＱへの不純物の溶出が抑えられる。もちろん、親液性の材料自体で多孔部材２５を形成してもよい。
In the present embodiment, the
次に、図６を参照しながら、本実施形態における液浸機構１による液体回収動作の原理について説明する。図６は多孔部材２５の一部を拡大した断面図であって、多孔部材２５を介して行われる液体回収動作を説明するための模式図である。本実施形態において、液浸機構１は、回収口２２を介して液体ＬＱのみを回収するように設けられている。したがって、液浸機構１は、回収口２２を介して空間部２４に気体を流入させること無く、液体ＬＱを良好に回収することができる。
Next, the principle of the liquid recovery operation by the
図６において、回収口２２には多孔部材２５が設けられている。また、多孔部材２５の下側には基板Ｐが配置されている。そして、多孔部材２５と基板Ｐとの間には、気体空間及び液体空間が形成されている。より具体的には、多孔部材２５の第１孔２５Ｈａと基板Ｐとの間には気体空間が形成され、多孔部材２５の第２孔２５Ｈｂと基板Ｐとの間には液体空間が形成されている。また、多孔部材２５の上側には、回収流路（流路空間）２４が形成されている。
In FIG. 6, the
多孔部材２５の第１孔２５Ｈａと基板Ｐとの間の空間Ｋ３の圧力（多孔部材２５Ｈの下面での圧力）をＰａ、多孔部材２５の上側の流路空間２４の圧力（多孔部材２５の上面での圧力）をＰｃ、孔２５Ｈａ、２５Ｈｂの孔径（直径）をｄ、多孔部材２５（孔２５Ｈの内側面）の液体ＬＱとの接触角をθ、液体ＬＱの表面張力をγとした場合、本実施形態の液浸機構１は、
（４×γ×ｃｏｓθ）／ｄ ≧ （Ｐａ−Ｐｃ） …（１）
の条件を満足するように設定されている。なお、上記（１）式においては、説明を簡単にするために多孔部材２５の上側の液体ＬＱの静水圧は考慮してない。
The pressure in the space K3 between the first hole 25Ha of the
(4 × γ × cos θ) / d ≧ (Pa−Pc) (1)
It is set to satisfy the conditions. In the above formula (1), the hydrostatic pressure of the liquid LQ on the upper side of the
この場合において、多孔部材２５（孔２５Ｈの内側面）の液体ＬＱとの接触角θは、
θ ≦ ９０° …（２）
の条件を満足する必要がある。
In this case, the contact angle θ of the porous member 25 (the inner surface of the
θ ≤ 90 ° (2)
It is necessary to satisfy the conditions.
上記条件が成立する場合、多孔部材２５の第１孔２５Ｈａの下側（基板Ｐ側）に気体空間が形成された場合でも、多孔部材２５の下側の空間Ｋ３の気体が孔２５Ｈａを介して多孔部材２５の上側の流路空間２４に移動（侵入）することが防止される。すなわち、上記条件を満足するように、多孔部材２５の孔径ｄ、多孔部材２５の液体ＬＱとの接触角（親和性）θ、液体ＬＱの表面張力γ、及び圧力Ｐａ、Ｐｃを最適化することにより、液体ＬＱと気体との界面を多孔部材２５の第１孔２５Ｈａの内側に維持することができ、第１孔２５Ｈａを介して空間Ｋ３から流路空間２４へ気体が侵入することを抑えることができる。一方、多孔部材２５の第２孔２５Ｈｂの下側（基板Ｐ側）には液体空間が形成されているので、第２孔２５Ｈｂを介して液体ＬＱのみを回収することができる。
When the above condition is satisfied, even when a gas space is formed below the first hole 25Ha (substrate P side) of the
本実施形態においては、多孔部材２５の下側の空間Ｋ３の圧力Ｐａ、孔径ｄ、多孔部材２５（孔２５Ｈの内側面）の液体ＬＱとの接触角θ、液体（純水）ＬＱの表面張力γはほぼ一定であり、液浸機構１は、液体回収装置２１の吸引力を制御して、上記条件を満足するように、多孔部材２５の上側の流路空間２４の圧力Ｐｃを調整する。
In the present embodiment, the pressure Pa of the lower space K3 of the
なお、上記（１）式において、（Ｐａ−Ｐｃ）の絶対値が大きいほど、すなわち、（（４×γ×ｃｏｓθ）／ｄ）の絶対値が大きいほど、上記条件を満足するような圧力Ｐｃの制御が容易になるので、孔径ｄは可能な限り小さく、多孔部材２５の液体ＬＱとの接触角θは可能な限り小さいことが望ましい。本実施形態においては、多孔部材２５は液体ＬＱに対して親液性を有しており、十分に小さい接触角θを有している。
In the above equation (1), as the absolute value of (Pa−Pc) is larger, that is, as the absolute value of ((4 × γ × cos θ) / d) is larger, the pressure Pc that satisfies the above condition is satisfied. Therefore, it is desirable that the hole diameter d is as small as possible and the contact angle θ of the
このように、本実施形態では、多孔部材２５が濡れた状態で、多孔部材２５の上側の空間２４と下側の空間Ｋ３との圧力差（多孔部材２５の上面と下面との圧力差）を、上記条件を満足するように制御することで、多孔部材２５の孔２５Ｈから液体ＬＱのみを回収する。これにより、液体ＬＱと気体とを一緒に吸引することに起因する振動の発生を抑制することができる。
Thus, in this embodiment, the pressure difference (the pressure difference between the upper surface and the lower surface of the porous member 25) between the
次に、上述した構成を有する露光装置ＥＸを用いてマスクＭのパターン像を基板Ｐに露光する方法について説明する。 Next, a method for exposing the pattern image of the mask M onto the substrate P using the exposure apparatus EX having the above-described configuration will be described.
露光光ＥＬの光路空間Ｋ１を液体ＬＱで満たすために、制御装置ＣＯＮＴは、液体供給装置１１及び液体回収装置２１のそれぞれを駆動する。制御装置ＣＯＮＴの制御のもとで液体供給装置１１から送出された液体ＬＱは、供給管１３を流れた後、ノズル部材７０の供給流路１４を介して、供給口１２より投影光学系ＰＬの最終光学素子ＬＳ１と底板部７０Ｄとの間の内部空間Ｇ２に供給される。供給口１２から内部空間Ｇ２に供給された液体ＬＱは、底板部７０Ｄの上面７７に濡れ拡がるように流れ、開口部７４に達する。内部空間Ｇ２に液体ＬＱが供給されることにより、内部空間Ｇ２に存在していた気体部分は排気口１６及び／又は開口部７４を介して外部空間Ｋ１に排出される。したがって、内部空間Ｇ２に対する液体ＬＱの供給開始時に、内部空間Ｇ２に気体が留まってしまうといった不都合を防止することができ、光路空間Ｋ１の液体ＬＱ中に気体部分（気泡）が生成される不都合を防止することができる。
In order to fill the optical path space K1 of the exposure light EL with the liquid LQ, the control device CONT drives each of the liquid supply device 11 and the
また、本実施形態においては、底板部７０Ｄの上面７７の排気口１６近傍には凹部７８が設けられている。これにより、最終光学素子ＬＳ１の下面Ｔ１と底板部７０Ｄの上面７７との間のギャップが小さくても、排気口１６近傍の流路は凹部７８によって広くなっているので、内部空間Ｇ２の気体部分を凹部７８及び排気口１６を介して外部空間Ｋ３に円滑に排出することができる。
In the present embodiment, a
なお、ここでは、排気流路１５の上端部は大気空間（外部空間）Ｋ３に接続されており、大気開放された状態となっているが、排気流路１５の上端部を真空系などの吸引装置と接続して、内部空間Ｇ２の気体を強制的に排気するようにしてもよい。
Here, the upper end portion of the
また、光路空間Ｋ１に対してＸ軸方向の両側に設けられた口（排気口）１６から内部空間Ｇ２に対して液体ＬＱを供給するとともに、光路空間Ｋ１に対してＹ軸方向の両側に設けられた口（供給口）１２から内部空間Ｇ２の気体部分を外部空間Ｋ３に排出するようにしてもよい。 Further, the liquid LQ is supplied to the internal space G2 from the ports (exhaust ports) 16 provided on both sides in the X axis direction with respect to the optical path space K1, and provided on both sides in the Y axis direction with respect to the optical path space K1. The gas portion of the internal space G2 may be discharged from the provided port (supply port) 12 to the external space K3.
内部空間Ｇ２に供給された液体ＬＱは、内部空間Ｇ２を満たした後、開口部７４を介して第１ランド面７５と基板Ｐ（基板ステージＰＳＴ）との間の空間に流入し、露光光ＥＬの光路空間Ｋ１を満たす。このように、最終光学素子ＬＳ１と底板部７０Ｄとの間の内部空間Ｇ２に液体ＬＱを供給口１２から供給することによって、最終光学素子ＬＳ１（投影光学系ＰＬ）と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路空間Ｋ１が液体ＬＱで満たされる。
The liquid LQ supplied to the internal space G2 fills the internal space G2, and then flows into the space between the
このとき、制御装置ＣＯＮＴの制御のもとで駆動されている液体回収装置２１は、単位時間当たり所定量の液体ＬＱを回収している。真空系を含む液体回収装置２１は、空間部２４を負圧にすることにより、回収口２２（多孔部材２５）と基板Ｐとの間に存在する液体ＬＱを、回収口２２を介して回収することができる。露光光ＥＬの光路空間Ｋ１に満たされている液体ＬＱは、ノズル部材７０の回収口２２を介して回収流路２４に流入し、回収管２３を流れた後、液体回収装置２１に回収される。
At this time, the
以上のように、制御装置ＣＯＮＴは、液浸機構１を使って、光路空間Ｋ１に対して単位時間当たり所定量の液体ＬＱを供給するとともに光路空間Ｋ１の液体ＬＱを単位時間当たり所定量で回収することで、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路空間Ｋ１を満たす液体ＬＱと、ノズル部材７０と基板Ｐとの間の空間を満たす液体ＬＱとで、基板Ｐ上に液浸領域ＬＲを局所的に形成することができる。制御装置ＣＯＮＴは、露光光ＥＬの光路空間Ｋ１を液体ＬＱで満たした状態で、投影光学系ＰＬと基板Ｐとを相対的に移動しながらマスクＭのパターン像を投影光学系ＰＬ及び光路空間Ｋ１の液体ＬＱを介して基板Ｐ上に投影露光する。上述のように、本実施形態の露光装置ＥＸは、Ｙ軸方向を走査方向とする走査型露光装置であるため、制御装置ＣＯＮＴは、基板ステージＰＳＴを制御して、基板ＰをＹ軸方向に移動しつつ基板Ｐ上に露光光ＥＬを照射して、基板Ｐを露光する。
As described above, the control device CONT uses the
このような走査型露光装置において、ノズル部材の構造によっては、例えば基板Ｐの走査速度（移動速度）の高速化に伴って、回収口２２を介して液体ＬＱを十分に回収することができず、光路空間Ｋ１に満たされた液体ＬＱが光路空間Ｋ１に対して回収口２２よりも外側（ノズル部材７０と基板Ｐとの間の空間の外側）へ漏出する可能性がある。
In such a scanning exposure apparatus, depending on the structure of the nozzle member, for example, as the scanning speed (movement speed) of the substrate P increases, the liquid LQ cannot be sufficiently recovered through the
例えば、図７（Ａ）の模式図に示すような状態から、液浸領域ＬＲに対して基板Ｐを−Ｙ方向に所定速度で所定距離だけ移動した場合、基板Ｐの移動に伴って、液浸領域ＬＲの液体ＬＱとその外側の空間との界面ＬＧが露光光ＥＬの光路空間Ｋ１に対して外側へ向かって移動するが、その移動中において、図７（Ｂ）の模式図に示すように、ノズル部材７０の下面に接触していた液体ＬＱがノズル部材７０の下面の一部から離れ（剥離し）、基板Ｐ上に液体ＬＱの膜（薄膜）を形成する可能性がある。ここで、以下の説明においては、ノズル部材７０の下面のうち、基板Ｐの移動（界面ＬＧの移動）に伴ってノズル部材７０の下面に接触していた液体ＬＱが離れる位置を適宜、「膜発生位置Ｆｐ」と称する。
For example, when the substrate P is moved from the state shown in the schematic diagram of FIG. 7A by the predetermined distance at the predetermined speed in the −Y direction with respect to the liquid immersion region LR, the liquid is moved along with the movement of the substrate P. The interface LG between the liquid LQ in the immersion region LR and the outer space moves outward with respect to the optical path space K1 of the exposure light EL. During the movement, as shown in the schematic diagram of FIG. In addition, there is a possibility that the liquid LQ that has been in contact with the lower surface of the
形成された液体ＬＱの膜は回収口２２（多孔部材２５）に対して離れるため、回収口２２によってその液体ＬＱの膜を回収できない状況が生じる可能性がある。すなわち、形成された液体ＬＱの膜は回収口２２に配置された多孔部材２５に接触しないため、回収口２２が液体ＬＱを回収できない状況が発生する可能性がある。すると、液体ＬＱが回収口２２の外側に漏出したり、及び／又は液体ＬＱの膜が基板Ｐ上でちぎれて基板Ｐ上に液滴となって残留する等の不都合が生じる可能性がある。そして、基板Ｐの移動速度の高速化に伴って、基板Ｐ上に液体ＬＱの膜が形成される可能性が高くなるとともに、その膜の大きさＬｗも大きくなる可能性が高くなる。そのため、基板Ｐの移動の高速化に伴って、回収口２２を介して液体ＬＱを十分に回収することができなくなる可能性が高くなる。ここで、膜の大きさＬｗとは、膜発生位置Ｆｐと、基板Ｐの移動方向前方側（ここでは−Ｙ側）における液体ＬＱの膜の先端部Ｈとの距離を指す。
Since the formed liquid LQ film is separated from the recovery port 22 (porous member 25), there is a possibility that the recovery L22 may not recover the liquid LQ film. That is, since the formed film of the liquid LQ does not contact the
本発明者の研究によると、液体ＬＱの膜を光路空間Ｋ１に対して回収口２２よりも内側に形成することができれば、回収口２２を介して液体ＬＱを回収することができることが分った。本発明者は、実験などを通じて、例えば、図７に示すように、基板Ｐを−Ｙ方向に移動したとき（特に、−Ｙ方向へ移動中の基板Ｐに＋Ｙ方向への加速度を与えたとき）、液体ＬＱの膜の先端部Ｈ近傍の厚み（膜厚）が液体ＬＱの表面張力等によって厚くなる現象が生じることを見いだした（図７（Ｂ）参照）。液体ＬＱの先端部Ｈが光路空間Ｋ１に対して回収口２２の外側のエッジ２２Ａよりも内側に形成されれば、換言すれば、回収口２２（多孔部材２５）と液体ＬＱの膜の先端部Ｈとを対向させることができれば、回収口２２の多孔部材２５と液体ＬＱ（先端部Ｈ）とを接触させることができ、回収口２２を介して液体ＬＱを回収することができる。また、液体ＬＱの先端部Ｈが光路空間Ｋ１に対して回収口２２の内側のエッジ２２Ｂよりも内側に形成されれば、光路空間Ｋ１に対して液体ＬＱの膜が形成された方向とは逆方向（ここでは＋Ｙ方向）に基板Ｐを移動することにより、形成された液体ＬＱの膜を液浸領域ＬＲの液体ＬＱと一緒に回収口２２を介して回収することができる。
According to the research of the present inventor, it has been found that if the liquid LQ film can be formed inside the
ところが、上述のように、膜の大きさＬｗは、基板Ｐの移動速度の高速化に伴って巨大化する可能性が高いため、液体ＬＱの膜を回収口２２を介して回収しようとすると、光路空間Ｋ１（投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ）から離れた位置に回収口２２を設ける必要があるため、ノズル部材７０の巨大化、ひいては露光装置ＥＸ全体の巨大化を招く不都合が生じる。また、膜発生位置Ｆｐが、光路空間Ｋ１（光軸ＡＸ）から離れていると、光路空間Ｋ１（光軸ＡＸ）と液体ＬＱの膜の先端部Ｈとの距離Ｌｓが大きくなり、液浸領域ＬＲの巨大化を招くため、その液体ＬＱを回収口２２を介して回収しようとすると、ノズル部材７０を巨大化する必要があり、ひいては露光装置ＥＸの巨大化を招く。
However, as described above, since the film size Lw is likely to become enormous as the moving speed of the substrate P increases, when the liquid LQ film is to be recovered through the
そこで、本実施形態においては、基板Ｐを移動した場合においても、液浸領域ＬＲの巨大化及びノズル部材７０の巨大化を抑え、且つ光路空間Ｋ１を液体ＬＱで良好に満たすことができるように、ノズル部材７０のうち基板Ｐと対向する下面に、第１ランド面７５と第２ランド面７６（または第１ランド面７５と隣り合う凹部７２：空間形成領域）とが設けられている。
Therefore, in the present embodiment, even when the substrate P is moved, the liquid immersion area LR and the
図８は、基板Ｐを−Ｙ方向に移動したときの液浸領域ＬＲの挙動の一例を説明するための模式図である。上述のように、第１ランド面７５は基板Ｐの表面とほぼ平行な平坦面であって親液性を有しており、基板Ｐの表面と第１ランド面７５との間に存在する液体ＬＱは第１ランド面７５に密着し、その液体ＬＱは、基板Ｐの表面と第１ランド面７５との間において良好に保持される。
FIG. 8 is a schematic diagram for explaining an example of the behavior of the liquid immersion region LR when the substrate P is moved in the −Y direction. As described above, the
そして、第２ランド面７６は、基板Ｐの表面に対して第１ランド面７５よりも離れており、第１ランド面７５のエッジＥにおいて第２ランド面７６との間に段差が設けられているため、基板Ｐの表面と第１ランド面７５との間に保持されている液体ＬＱの界面ＬＧが、露光光ＥＬの光路空間Ｋ１に対して第１ランド面７５の外側へ向かって移動するときに、第１ランド面７５に接触していた液体ＬＱが、第１ランド面７５のエッジＥにおいて、第２ランド面７６から離れるようになっている。そして、基板Ｐの表面と第２ランド面７６との間に存在する液体ＬＱは、基板Ｐの表面と第１ランド面７５との距離（間隔）Ｗ１よりも薄い膜になっており、基板Ｐの表面と第２ランド面７６との間に存在する液体ＬＱの膜は、第２ランド面７６と接触しないようになっている。換言すれば、第２ランド面７６と対向する基板Ｐ上に存在する液体ＬＱの膜と第２ランド面７６との間には、液体が存在しない空間ＳＰが形成されている。この空間ＳＰは、第２ランド面７６を区画する凹部７６によりもたらされている。
The
このように、光路空間Ｋ１に対して第１ランド面７５の外側に第２ランド面７６（凹部７２）を設けたことにより、膜発生位置Ｆｐが第１ランド面７５のエッジＥに設定されるようになっている。換言すれば、本実施形態のノズル部材７０は、第１ランド面７５と第２ランド面７６（凹部７２）とによって、膜発生位置Ｆｐを制御することができる。
Thus, by providing the second land surface 76 (concave portion 72) outside the
そして、図３等を参照して説明したように、Ｙ軸方向（走査方向）における第１ランド面７５の幅Ｄ１は十分に小さいため、光路空間Ｋ１（光軸ＡＸ）と、形成される液体ＬＱの膜の先端部Ｈとの距離Ｌｓを小さくすることができる。
As described with reference to FIG. 3 and the like, since the width D1 of the
また、本実施形態においては、第１ランド面７５と第２ランド面７６との境界であるエッジＥで発生した液体ＬＱの膜が露光光ＥＬの光路空間Ｋ１に対して回収口２２よりも内側に形成されるように、第１ランド面７５のエッジＥの位置と回収口２２の位置及び大きさとが設定されている。図８に示す例では、液体ＬＱの膜（先端部Ｈ）が、光路空間Ｋ１に対して回収口２２の内側エッジ２２Ｂよりも内側に形成されるように、第１ランド面７５のエッジＥと回収口２２との位置関係（距離）が設定されている。すなわち、光路空間Ｋ１に対して回収口２２の内側エッジ２２Ｂよりも内側に形成されるように、空間形成領域である凹部７２が光路空間Ｋ１と回収口２２との間に形成されている。これにより、液体ＬＱの漏出や残留を防止することができる。また、第２ランド面７６は、基板Ｐの表面と第２ランド面７６との間に存在する液体ＬＱを距離Ｗ１よりも薄くするように設けられており、第２ランド面７６に液体ＬＱの膜が接触しないようになっている。そして、第２ランド面７６を基板Ｐの表面に対して第１ランド面７５よりも離すことで、第２ランド面７６に対する液体ＬＱの付着や残留を防止できる。
In this embodiment, the film of the liquid LQ generated at the edge E that is the boundary between the
また、図９に示すように、例えば基板Ｐの移動速度の高速化に伴って、膜の大きさＬｗが大きくなっても、液体ＬＱの膜（先端部Ｈ）が、光路空間Ｋ１に対して回収口２２の外側エッジ２２Ａよりも内側に形成されるように、第１ランド面７５のエッジＥの位置と回収口２２の位置とが設定されている。すなわち、光路空間Ｋ１に対して回収口２２の内側エッジ２２Ａよりも内側に形成されるように、空間形成領域である凹部７２が光路空間Ｋ１と回収口２２との間に形成されている。したがって、液体ＬＱの漏出や残留を防止することができる。多孔部材２５の下面２６と基板Ｐの表面との距離は、第１ランド７５と基板Ｐの表面との距離とほぼ同じであり、多孔部材２５は、形成された液体ＬＱの膜のうち、膜厚が厚い部分である先端部Ｈの液体ＬＱと接触可能な位置に設けられている。そのため、図９に示すように、回収口２２（多孔部材２５）と液体ＬＱの膜の先端部Ｈとが対向するように、すなわち液体ＬＱの膜（先端部Ｈ）が回収口２２の外側エッジ２２Ａよりも内側に形成されるように、第１ランド面７５のエッジＥの位置と回収口２２（外側エッジ２２Ａ）の位置とを設定することで、液体ＬＱを回収することができる。また、第２ランド面７６（凹部７２）の存在により、液体ＬＱの膜の、厚さが薄い部分の上方には空間が存在している。すなわち、この実施形態では、基板Ｐ上に形成された液浸領域の液体ＬＱは、液体ＬＱは第２ランド面７６との間に空間（凹部７２内に区画される空間よりも下方の空間）ＳＰを形成しつつ、回収口２２から回収されている。
In addition, as shown in FIG. 9, for example, as the moving speed of the substrate P increases, the film of the liquid LQ (tip portion H) does not move with respect to the optical path space K1 even if the film size Lw increases. The position of the edge E of the
ここで、上述のように、液体ＬＱの膜の大きさＬｗは、基板Ｐを露光するときの基板Ｐの移動速度などに応じて変化するため、液体ＬＱの膜が回収口２２の内側に形成されるように、Ｙ軸方向における第２ランド面７６（あるいは凹部７２）の大きさＤ５を、基板Ｐを露光するときの基板ＰのＹ軸方向における移動速度に応じて設定することができる。基板ステージＰＳＴの最高速度は予め分かっているので、この最高速度に応じて第２ランド面７６（あるいは凹部７２）の大きさＤ５を設定することができる。例えば、基板Ｐを高速で移動しつつ露光する場合には、液体ＬＱの膜の大きさＬｗは大きくなる可能性が高いため、第２ランド面７６の大きさＤ５、ひいては第１ランド面７５のエッジＥと回収口２２との距離を大きくすることにより、液体ＬＱの膜を回収口２２の内側に形成することができる。したがって、液体ＬＱの漏出や残留を防止できる。一方、基板Ｐを比較的低速で移動しつつ露光する場合には、液体ＬＱの膜の大きさＬｗは小さい可能性が高いため、第２ランド面７６の大きさＤ５、ひいては第１ランド面７５のエッジＥと回収口２２との距離を小さくしても、液体ＬＱの膜を回収口２２の内側に形成することができる。したがって、ノズル部材７０の小型化、ひいては露光装置ＥＸ全体の小型化を図ることができる。
Here, as described above, since the size Lw of the liquid LQ film changes according to the moving speed of the substrate P when the substrate P is exposed, the liquid LQ film is formed inside the
なお、移動速度に限らず、基板Ｐを移動するときの加速度、移動距離、移動方向（移動軌跡）などに応じても、液体ＬＱの膜の大きさＬｗが変化する可能性があるため、これら基板Ｐの移動速度、加速度、移動距離、移動方向（移動軌跡）の少なくとも１つを含む移動条件に応じて、第１ランド面７５のエッジＥの位置、及び第２ランド面７６（凹部７２）の大きさを設定することができる。
Note that the film size Lw of the liquid LQ may change depending not only on the moving speed but also on the acceleration, moving distance, moving direction (moving locus), etc. when moving the substrate P. The position of the edge E of the
また、液体ＬＱの膜の大きさＬｗは、基板Ｐと液体ＬＱとの接触角に応じても変化する可能性がある。例えば、基板Ｐと液体ＬＱとの接触角が小さい場合、換言すれば基板Ｐの表面が親液性である場合、その基板Ｐを移動しつつ露光した場合において、基板Ｐ上に形成される液体ＬＱの膜の大きさＬｗは大きくなる可能性が高くなる。したがって、そのような場合には、第２ランド面７６（あるいは凹部７２）の大きさＤ５、ひいては第１ランド面７５のエッジＥと回収口２２との距離を大きくすることにより、液体ＬＱの膜を回収口２２の内側に形成することができる。一方、基板Ｐと液体ＬＱとの接触角が大きい場合、換言すれば基板Ｐの表面が撥液性である場合、その基板Ｐを移動しつつ露光した場合において、形成される液体ＬＱの膜の大きさＬｗは小さくなる可能性が高くなる。したがって、そのような場合には、第２ランド面７６（あるいは凹部７２）の大きさＤ５、ひいては第１ランド面７５のエッジＥと回収口２２との距離を小さくしても、液体ＬＱの膜を回収口２２の内側に形成することができる。したがって、ノズル部材７０の小型化、ひいては露光装置ＥＸ全体の小型化を図ることができる。このように、第１ランド面７５のエッジＥの位置、及びＹ軸方向における第２ランド面７６の大きさＤ５を、基板Ｐと液体ＬＱとの接触角に応じて設定することができる。
Further, the film size Lw of the liquid LQ may change depending on the contact angle between the substrate P and the liquid LQ. For example, when the contact angle between the substrate P and the liquid LQ is small, in other words, when the surface of the substrate P is lyophilic, the liquid formed on the substrate P when the substrate P is exposed while moving The LQ film size Lw is likely to increase. Therefore, in such a case, by increasing the size D5 of the second land surface 76 (or the recess 72), and hence the distance between the edge E of the
また、液浸領域ＬＲを形成するときの液浸条件によっても、液体ＬＱの膜の大きさＬｗが変動する可能性がある。ここで、液浸条件とは、光路空間Ｋ１に対する液体ＬＱの供給条件、及び光路空間Ｋ１の液体ＬＱの回収条件の少なくとも一方を含む。液体ＬＱの供給条件には、単位時間当たりの液体供給量、光路空間Ｋ１に対する液体ＬＱの供給位置、供給方向等が含まれる。液体ＬＱの回収条件には、単位時間当たりの液体回収量、光路空間Ｋ１に対する液体ＬＱの回収位置、回収方向等が含まれる。このような液浸条件の違いによっても、形成される液体ＬＱの膜の大きさＬｗが変化する可能性があるため、これら液浸条件に応じて、第１ランド面７５のエッジＥの位置、及び第２ランド面７６（凹部７２）の大きさを設定するようにしてもよい。
Further, the film size Lw of the liquid LQ may vary depending on the liquid immersion conditions when forming the liquid immersion region LR. Here, the immersion condition includes at least one of a supply condition of the liquid LQ to the optical path space K1 and a recovery condition of the liquid LQ in the optical path space K1. The supply conditions of the liquid LQ include the liquid supply amount per unit time, the supply position of the liquid LQ with respect to the optical path space K1, the supply direction, and the like. The liquid LQ recovery conditions include the liquid recovery amount per unit time, the recovery position of the liquid LQ with respect to the optical path space K1, the recovery direction, and the like. Since the film size Lw of the liquid LQ to be formed may change due to such a difference in the immersion conditions, the position of the edge E of the
以上説明したように、基板Ｐの表面と第２ランド面７６（凹部７２）との間に存在する液体ＬＱの膜が第２ランド面７６に接触しないように第２ランド面７６（凹部７２）を設けたので、基板Ｐを移動しつつ露光する場合においても、液体ＬＱの漏出や残留といった不都合を防止できる。そして、第１ランド面７５によって液体ＬＱを良好に保持することができ、露光光ＥＬの光路空間Ｋ１を液体ＬＱで所望状態に満たすことができる。
As described above, the second land surface 76 (recessed portion 72) prevents the liquid LQ film existing between the surface of the substrate P and the second land surface 76 (recessed portion 72) from coming into contact with the
そして、第１ランド面７５の大きさを十分に小さくすることで、膜発生位置Ｆｐを光路空間Ｋ１（光軸ＡＸ）に近づけることができるため、液浸領域ＬＲの小型化、ノズル部材７０の小型化などを実現することができる。そのため、第１ランド面７５のＹ軸方向の幅Ｄ１は、例えば基板Ｐを−Ｙ方向に移動しつつ液浸露光した後、＋Ｙ方向に移動させた場合に、光路空間Ｋ１に気泡が生成されたり、気体部分が生成される現象（例えば光路空間Ｋ１の液体ＬＱが切れる液切れ現象）が生じない範囲内で、可能な限り小さいことが望ましい。換言すれば、第１ランド面７５は、基板Ｐを−Ｙ方向に移動しつつ液浸露光した後、＋Ｙ方向に移動させた場合でも、第１ランド面７５と基板Ｐとの間で液体ＬＱを良好に保持可能な範囲内で、可能な限り小さいことが望ましい。同様に、第１ランド面７５のＸ軸方向の幅Ｄ３は、基板ＰをＸ軸方向にステップ移動した場合でも、光路空間Ｋ１に気泡が生成されるなどの不都合が生じない範囲で可能な限り小さいことが望ましい。
Since the film generation position Fp can be brought close to the optical path space K1 (optical axis AX) by sufficiently reducing the size of the
本実施形態においては、第１ランド面７５はＸ軸方向を長手方向とする矩形状であり、第１ランド面７５のＹ軸方向の幅Ｄ１は、Ｘ軸方向の幅Ｄ３及び開口部７４の幅Ｄ２よりも十分に小さく設けられており、液浸領域ＬＲの巨大化を抑えつつ、光路空間Ｋ１を液体ＬＱで良好に満たすことができるようになっている。
In the present embodiment, the
また、第２ランド面７６は、Ｙ軸方向において第１ランド面７５の両側のそれぞれに設けられているので、基板ＰをＹ軸方向に関して移動しつつ露光する場合、＋Ｙ方向への移動と−Ｙ方向への移動とのそれぞれに対応することができる。
Further, since the second land surfaces 76 are provided on both sides of the
なお、本実施形態においては、第２ランド面７６は、基板ステージＰＳＴに保持された基板Ｐの表面とほぼ平行な平坦面であるが、基板ステージＰＳＴに保持された基板Ｐの表面と平行でなくてもよいし、平坦面でなくてもよい。基板Ｐの表面と第２ランド面７６との間に存在する液体ＬＱの膜を第２ランド面７６に接触させないようにすることができるのであれば、第２ランド面７６の凹凸形状及び基板Ｐに対する角度等を含む表面状態は任意でよい。
In the present embodiment, the
本実施形態においては、第１ランド面７５に対して凹部７２となるように第２ランド面７６を設けたが、基板Ｐとの間で液体ＬＱを良好に保持できれば、第１ランド面７５の傾き及び／又は形状を変更して、基板Ｐ上の液体とノズル部材７０の下面との間に空間が形成されるようにしてもよい。例えば、第１ランド面７５が回収口２２向かって徐々に基板Ｐ側に近づくように連続的にまたは段階的に傾斜させてもよい。こうすることで、第１ランド面７５の外側のエッジＥの高さ（Ｚ方向の位置）が内側のエッジ（光路空間Ｋ１側のエッジ）の高さよりも低くなり、第２ランド面７６の高さが第１ランド面７５の外側のエッジＥの高さよりも高くなるため、第２ランド面７６が第１ランド面７５の内側のエッジと同じ高さであっても、基板Ｐの移動に伴って液体ＬＱが光路空間Ｋ１に対して第１ランド面７５の外側に移動するときに、エッジＥの外側で（第２ランド面７６と基板Ｐとの間で）液体ＬＱの上方に空間ＳＰを形成することができる。
In the present embodiment, the
あるいは、第１ランド面７５と第２ランド面を同じ高さとしつつ、第１ランド面７５と第２ランド面との間に基板Ｐ側に突出する突起を設けてもよい。この突起により、基板Ｐの移動に伴って液体ＬＱが光路空間Ｋ１に対して第１ランド面７５の外側に移動するときに、液体ＬＱが突起を通過した直後に第２ランド面７６と基板Ｐとの間の液体ＬＱ上に空間ＳＰを形成することができる。すなわち、基板Ｐの移動に伴って液体ＬＱが光路空間Ｋ１に対して第１ランド面７５の外側に移動するときに、光路空間Ｋ１から回収口２２までの範囲において（特に、Ｙ方向において）、ノズル部材７０の下面と、基板Ｐ及びノズル部材７０の下面の間に存在する液体ＬＱとの間に空間ＳＰが発生するような任意の形状または構造を有する領域（空間形成領域）を、ノズル部材７０の下面に設けることができる。ただし、空間形成領域は、光路空間Ｋ１における液体を所望の状態に維持する、例えば、光路領域Ｋ１における液体に気体部分（気泡含む）を発生させない構造及び形状であることは言うまでもない。
Or you may provide the protrusion which protrudes in the board | substrate P side between the
なお、本実施形態において、第２ランド面７６には撥液化処理が施されているが、第２ランド面７６に撥液化処理を施さなくても、第２ランド面７６を基板Ｐの表面に対して第１ランド面７５よりも離れた位置に設けることにより、基板Ｐの表面と第２ランド面７６との間に存在する液体ＬＱを第２ランド面７６に接触させないようにすることができるため、第２ランド面７６は必ずしも撥液性を有していなくてもよい。例えば、上述の「GOLDEP」処理あるいは「GOLDEP WHITE」処理などは、ノズル部材７０から液体ＬＱへの不純物の溶出を抑えることができるため、第２ランド面７６を含むノズル部材７０の所定位置に、「GOLDEP」処理あるいは「GOLDEP WHITE」処理を施すことができる。
In the present embodiment, the
また、基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持可能であれば、第１ランド面７５に対する親液化処理を省略してもよい。すなわち第１ランド面７５が親液性でなくてもよい。
Further, if the liquid LQ can be held with the substrate P, the lyophilic process for the
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について図１０を参照しながら説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分についてはその説明を簡略若しくは省略する。
Second Embodiment
Next, a second embodiment will be described with reference to FIG. In the following description, the description of the same or equivalent components as those in the above embodiment is simplified or omitted.
上述の第１実施形態においては、第２ランド面７６を基板Ｐの表面に対して第１ランド面７５よりも離れた位置に設けることにより、基板Ｐの表面と第２ランド面７６との間に存在する液体ＬＱの膜が第２ランド面７６に接触させないようにしているが、第２ランド面７６を撥液性にすることにより、第２ランド面７６を基板Ｐの表面に対して第１ランド面７５よりも離れた位置に設けなくても、基板Ｐの表面と第２ランド面７６との間に存在する液体ＬＱの膜を第２ランド面７６に接触させないようにすることができる。すなわち、本実施形態においては、図１０に示すように、基板Ｐの表面に対する第１ランド面７５の位置（高さ）と第２ランド面７６の位置（高さ）とをほぼ同じにしても、第２ランド面７６を撥液性にすることにより、基板Ｐの表面と第２ランド面７６との間に存在する液体ＬＱの膜を第２ランド面７６に接触させないようにすることができる。例えば、第２ランド面７６における液体ＬＱの接触角を１００°以上にすることで、基板Ｐの表面と第２ランド面７６との間に存在する液体ＬＱを第２ランド面７６から剥離させることができる。すなわち、この実施形態では、撥液性を有する第２ランド面７６が空間形成領域であり、この空間形成領域により、第２ランド面７６の下方の基板Ｐ上に液体ＬＱと第２ランド面７６との間に空間ＳＰが形成されている。
In the first embodiment described above, the
図１０において、第１ランド面７５と第２ランド面７６とはほぼ面一に設けられており、第２ランド面７６には、液体ＬＱに対して撥液性を付与する撥液化処理が施されている。撥液化処理としては、例えば、ポリ四フッ化エチレン（テフロン（登録商標））等のフッ素系樹脂材料、アクリル系樹脂材料、シリコン系樹脂材料等の撥液性材料を付着する処理が挙げられる。
In FIG. 10, the
第２ランド面７６を撥液性にすることにより、第１実施形態同様、基板Ｐの表面と第２ランド面７６との間に存在する液体ＬＱの膜を、第２ランド面７６に接触させないようにすることができる。そして、基板Ｐの表面と第２ランド面７６との間に存在する液体ＬＱを、基板Ｐの表面と第１ランド面７５との間の距離Ｗ１より薄くすることができる。そして、基板Ｐの表面と第１ランド面７５との間の液体ＬＱの界面ＬＧが露光光ＥＬの光路空間Ｋ１に対して第１ランド面７５の外側へ向かって移動するときに、第１ランド面７５に接触していた液体ＬＱを第２ランド面７６から離すことができる。この場合においても、第１ランド面７５と第２ランド面７６との境界Ｅ’で発生した液体ＬＱの膜が、露光光ＥＬの光路空間Ｋ１に対して回収口２２の外側のエッジよりも内側に形成されるように、第１ランド面７５のエッジＥ’と回収口２２との位置関係、回収口２２の大きさなどが設定されている。また、液体ＬＱの膜が、露光光ＥＬの光路空間Ｋ１に対して回収口２２の外側のエッジよりも内側に形成されるように、Ｙ軸方向における第２ランド面７６の大きさが、第１実施形態と同様に、基板Ｐの移動速度、基板Ｐと液体ＬＱとの接触角などに応じて設定される。
By making the
なお、上述の第１、第２実施形態において、第１ランド面７５と多孔部材２５の下面２６とは高さ（Ｚ方向の位置）は異なっていてもよい。すなわち、多孔部材２５の下面２６の高さ（Ｚ方向の位置）は、基板Ｐ上に形成された液体ＬＱの薄膜の先端部Ｈが触れるように配置されていればよい。
In the first and second embodiments described above, the
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について図１１及び図１２を参照しながら説明する。図１１及び図１２において、回収口２２にはフィン部材５０が設けられている。フィン部材５０は回収口２２の多孔部材２５の下面２６に設けられている。フィン部材５０は、多孔部材２５の下面２６うち、回収口２２の外側エッジ２２Ａ近傍に設けられている。フィン部材５０は、光路空間Ｋ１に対して放射状に複数設けられている。
<Third Embodiment>
Next, a third embodiment will be described with reference to FIGS. 11 and 12, a
また、本実施形態において、回収口２２に配置された多孔部材２５の下面２６と基板Ｐの表面との距離Ｗ３は、第１ランド面７５と基板Ｐの表面との距離Ｗ１よりも大きい。本実施形態においては、距離Ｗ１は１ｍｍ程度であり、距離Ｗ３は１．５ｍｍ程度である。また、基板Ｐの表面に対する第１ランド面７５の位置（高さ）と、基板Ｐの表面に対するノズル部材７０の側板部７０Ａの下端部の位置（高さ）とはほぼ同じに設けられている。すなわち、側板部７０Ａの下端部と基板Ｐの表面との距離は１ｍｍ程度であり、側板部７０Ａの下端部近傍は、回収口２２に配置された多孔部材２５の下面２６よりも下方に突出している。そして、多孔部材２５の下面２６よりも下方に突出した側板部７０Ａの光路空間Ｋ１側を向く内側面によって、液体ＬＱの漏れを防止するための壁部５１が形成されている。したがって、壁部５１のＺ軸方向の大きさＷ４は０．５ｍｍ程度である。壁部５１は、回収口２２の周縁部（外側エッジ２２Ａ）に設けられており、光路空間Ｋ１に満たされた液体ＬＱの漏れを防止するためのものである。そして、その壁部５１に沿って、複数のフィン部材５０が設けられている。
Further, in the present embodiment, the distance W3 between the
フィン部材５０の下端部と基板Ｐの表面との距離は１ｍｍ程度である。すなわち、フィン部材５０のＺ軸方向の大きさは、壁部５１のＺ軸方向の大きさＷ４とはほぼ同じ値であり、フィン部材５０の下端部と基板Ｐの表面との距離は、第１ランド面７５と基板Ｐの表面との距離Ｗ１とほぼ同じ値である。
The distance between the lower end of the
このように、回収口２２に設けられたフィン部材５０に液体ＬＱの膜の先端部Ｈを接触させることができ、回収口２２を介して液体ＬＱを良好に回収することができる。また、壁部５１によって、回収口２２の外側に液体ＬＱが漏出することを防止できる。
In this way, the tip H of the liquid LQ film can be brought into contact with the
なお、フィン部材５０に液体ＬＱの薄膜の先端部Ｈを接触させることができさえすれば、フィン部材５０の下端部と第１ランド面７５とは高さが異なっていてもよい。
Note that the lower end portion of the
なお、本実施形態においては、フィン部材５０は、環状に設けられた回収口２２（多孔部材２５）の周縁部に設けられた構成であるが、例えば多孔部材２５の下面２６の全部の領域に所定間隔で設けてもよいし、多孔部材２５の下面２６のうち光路空間Ｋ１に対してＹ軸方向両側のそれぞれの所定領域のみに設けてもよい。
In the present embodiment, the
なお、上述の第１〜第３実施形態においては、第２ランド面７６は第１ランド面７５に対してＹ軸方向両側のそれぞれに設けられているが、Ｘ軸方向両側のそれぞれに設けられていてもよい。
In the first to third embodiments described above, the second land surfaces 76 are provided on both sides in the Y-axis direction with respect to the
なお、上述の第１〜第３実施形態においては、第１ランド面７５の外形は、Ｘ軸方向を長手方向とする矩形状であるが、基板Ｐとの間で液体ＬＱを良好に保持可能であり、光路空間Ｋ１（光軸ＡＸ）と液体ＬＱの膜の先端部Ｈとの距離Ｌｓを小さくすることができるのであれば、円形状など任意の形状でよい。
In the first to third embodiments described above, the outer shape of the
なお、上述の第１〜第３実施形態において、第２ランド面７６（空間形成領域）と回収口２２とが離れていてもよい。例えば、ノズル部材７０の下面のうち、光路空間Ｋ１に対して回収口２２よりも内側であって、第２ランド面７６よりも外側に、ノズル部材７０と基板Ｐとの間の液体ＬＱが自由に出入り可能なバッファ空間を形成してもよい。このバッファ空間の下端には、回収口２２の内側エッジ２２Ｂ近傍に露光光ＥＬの光路を取り囲むように環状に形成された開口部が形成され、その上端は外部空間（大気空間）に接続されている。このように、回収口２２の内側エッジ２２Ｂ近傍にバッファ空間を設けることによって、光路空間Ｋ１の外側へ向かって流れる液体ＬＱの一部がバッファ空間に流れ込み、回収口２２へ到達する液体ＬＱの量を少なくすることができる。したがって、より確実に液体ＬＱの漏出を抑えることができる。なお、バッファ空間の下端の開口部を回収口２２の外側エッジ２２Ａ近傍に配置してもよい。この場合、光路空間Ｋ１の外側へ向かって流れる液体ＬＱのうち回収口２２で回収されなかった液体ＬＱがバッファ空間に流れ込むため、液体ＬＱの漏出を抑えることができる。もちろん、回収口２２の内側エッジ２２Ｂ近傍及び外側エッジ２２Ａ近傍の両方に環状の開口部を形成し、それぞれの開口部に液体ＬＱが自由に出入りすることができるバッファ空間を形成してもよい。この場合、第２ランド面７６（空間形成領域）を有する部材と、回収口２２を有する部材とが分離されていてもよい。
In the first to third embodiments described above, the second land surface 76 (space forming region) and the
また、上述の第１〜第３実施形態においては、Ｙ軸方向における第２ランド面７６の大きさＤ５を、基板Ｐの移動速度や基板Ｐと液体ＬＱとの接触角などに応じて設定するようにしているが、第２ランド面７６の大きさＤ５に応じて、基板Ｐの移動条件（移動速度、加速度、移動方向、移動距離など）及び液浸条件（液体供給量、回収量など）の少なくとも一方を決めるようにしてもよい。また、第２ランド面７６の大きさＤ５に応じて、露光装置ＥＸで露光可能な基板Ｐ表面の膜条件（接触角など）を決めるようにしてもよい。
In the first to third embodiments described above, the size D5 of the
なお上記実施形態で用いたノズル部材７０などの液浸機構１は、上述の構造に限られず、例えば、欧州特許公開第１４２０２９８号公報、国際公開第２００４／０５５８０３号公報、国際公開第２００４／０５７５８９号公報、国際公開第２００４／０５７５９０号公報、国際公開第２００５／０２９５５９号公報に記載されているものも用いることができる。
The
また、上述の実施形態においては、ノズル部材７０の一部（底板部７０Ｄ）が、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間に配置されているが、ノズル部材７０の一部が投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間に配置されていなくてもよい。すなわち、投影光学系ＰＬの最終光学素子ＬＳ１の下面Ｔ１の全体が基板Ｐと対向していてもよい。この場合、最終光学素子ＬＳ１の下面Ｔ１とノズル部材７０の下面とがほぼ面一であってもよい。
In the above-described embodiment, a part (
また、上述の実施形態において、供給口１２は内部空間Ｇ２に接続されているが、ノズル部材７０の下面に供給口を設けてもよい。
In the above-described embodiment, the
なお、上述の各実施形態においては、露光光ＥＬが照射可能な位置に基板Ｐを配置した状態で、露光光ＥＬの光路空間Ｋ１を液体ＬＱで満たしているが、露光光ＥＬが照射可能な位置に、例えば基板ステージＰＳＴの上面９４、あるいは基板ステージＰＳＴとは別の物体を配置した状態で、露光光ＥＬの光路空間Ｋ１が液体ＬＱで満たされてもよい。
In each of the above embodiments, the optical path space K1 of the exposure light EL is filled with the liquid LQ in a state where the substrate P is disposed at a position where the exposure light EL can be irradiated. However, the exposure light EL can be irradiated. For example, the optical path space K1 of the exposure light EL may be filled with the liquid LQ in a state where the
上述したように、本実施形態における液体ＬＱは純水である。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板Ｐ上のフォトレジストや光学素子（レンズ）等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板Ｐの表面、及び投影光学系ＰＬの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。なお工場等から供給される純水の純度が低い場合には、露光装置が超純水製造器を持つようにしてもよい。 As described above, the liquid LQ in this embodiment is pure water. Pure water has an advantage that it can be easily obtained in large quantities at a semiconductor manufacturing factory or the like, and has no adverse effect on the photoresist, optical element (lens), etc. on the substrate P. In addition, pure water has no adverse effects on the environment, and since the impurity content is extremely low, it can be expected to clean the surface of the substrate P and the surface of the optical element provided on the front end surface of the projection optical system PL. . When the purity of pure water supplied from a factory or the like is low, the exposure apparatus may have an ultrapure water production device.
そして、波長が１９３ｎｍ程度の露光光ＥＬに対する純水（水）の屈折率ｎはほぼ１．４４程度と言われており、露光光ＥＬの光源としてＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）を用いた場合、基板Ｐ上では１／ｎ、すなわち約１３４ｎｍに短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約ｎ倍、すなわち約１．４４倍に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系ＰＬの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。 The refractive index n of pure water (water) with respect to the exposure light EL having a wavelength of about 193 nm is said to be about 1.44, and when ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) is used as the light source of the exposure light EL On the substrate P, the wavelength is shortened to 1 / n, that is, about 134 nm, and a high resolution can be obtained. Furthermore, since the depth of focus is enlarged by about n times, that is, about 1.44 times compared with that in the air, the projection optical system PL can be used when it is sufficient to ensure the same depth of focus as that in the air. The numerical aperture can be further increased, and the resolution is improved in this respect as well.
本実施形態では、投影光学系ＰＬの先端に光学素子ＬＳ１が取り付けられており、このレンズにより投影光学系ＰＬの光学特性、例えば収差（球面収差、コマ収差等）の調整を行うことができる。なお、投影光学系ＰＬの先端に取り付ける光学素子としては、投影光学系ＰＬの光学特性の調整に用いる光学プレートであってもよい。あるいは露光光ＥＬを透過可能な平行平面板であってもよい。 In the present embodiment, the optical element LS1 is attached to the tip of the projection optical system PL, and the optical characteristics of the projection optical system PL, for example, aberration (spherical aberration, coma aberration, etc.) can be adjusted by this lens. The optical element attached to the tip of the projection optical system PL may be an optical plate used for adjusting the optical characteristics of the projection optical system PL. Alternatively, it may be a plane parallel plate that can transmit the exposure light EL.
なお、液体ＬＱの流れによって生じる投影光学系ＰＬの先端の光学素子と基板Ｐとの間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなく、その圧力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。 When the pressure between the optical element at the tip of the projection optical system PL generated by the flow of the liquid LQ and the substrate P is large, the optical element is not exchangeable but the optical element is moved by the pressure. It may be fixed firmly so that there is no.
なお、本実施形態では、投影光学系ＰＬと基板Ｐ表面との間は液体ＬＱで満たされている構成であるが、例えば基板Ｐの表面に平行平面板からなるカバーガラスを取り付けた状態で液体ＬＱを満たす構成であってもよい。 In the present embodiment, the space between the projection optical system PL and the surface of the substrate P is filled with the liquid LQ. However, for example, the liquid with the cover glass made of a plane-parallel plate attached to the surface of the substrate P is used. The structure which satisfy | fills LQ may be sufficient.
また、上述の実施形態の投影光学系は、先端の光学素子の像面側の光路空間を液体で満たしているが、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、先端の光学素子のマスク側の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。 In the projection optical system of the above-described embodiment, the optical path space on the image plane side of the optical element at the tip is filled with liquid, but as disclosed in International Publication No. 2004/019128, the optical at the tip is used. It is also possible to employ a projection optical system in which the optical path space on the mask side of the element is filled with liquid.
なお、本実施形態の液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ＥＬの光源がＦ２レーザである場合、このＦ２レーザ光は水を透過しないので、液体ＬＱとしてはＦ２レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。この場合、液体ＬＱと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。また、液体ＬＱとしては、その他にも、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系ＰＬや基板Ｐ表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの（例えばセダー油）を用いることも可能である。 The liquid LQ of the present embodiment is water, but may be a liquid other than water. For example, when the light source of the exposure light EL is an F 2 laser, the F 2 laser light does not pass through water. The liquid LQ may be, for example, a fluorinated fluid such as perfluorinated polyether (PFPE) or fluorinated oil that can transmit F 2 laser light. In this case, the lyophilic treatment is performed by forming a thin film with a substance having a molecular structure having a small polarity including fluorine, for example, at a portion in contact with the liquid LQ. In addition, as the liquid LQ, the liquid LQ is transmissive to the exposure light EL, has a refractive index as high as possible, and is stable with respect to the photoresist applied to the projection optical system PL and the surface of the substrate P (for example, Cedar). Oil) can also be used.
また、液体ＬＱとしては、屈折率が１．６〜１．８程度のものを使用してもよい。更に、石英や蛍石よりも屈折率が高い（例えば１．６以上）材料で光学素子ＬＳ１を形成してもよい。 Moreover, as the liquid LQ, a liquid having a refractive index of about 1.6 to 1.8 may be used. Furthermore, the optical element LS1 may be formed of a material having a refractive index higher than that of quartz or fluorite (for example, 1.6 or more).
なお、上記各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。 The substrate P in each of the above embodiments is not only a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, but also a glass substrate for a display device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or an original mask or reticle used in an exposure apparatus. (Synthetic quartz, silicon wafer) or the like is applied.
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。 As the exposure apparatus EX, in addition to the step-and-scan type scanning exposure apparatus (scanning stepper) that scans and exposes the pattern of the mask M by moving the mask M and the substrate P synchronously, the mask M and the substrate P Can be applied to a step-and-repeat type projection exposure apparatus (stepper) in which the pattern of the mask M is collectively exposed while the substrate P is stationary and the substrate P is sequentially moved stepwise.
また、露光装置ＥＸとしては、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第１パターンの縮小像を投影光学系（例えば１／８縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系）を用いて基板Ｐ上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。この場合、更にその後に、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第２パターンの縮小像をその投影光学系を用いて、第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置にも適用できる。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。 Further, as the exposure apparatus EX, a reduced image of the first pattern is projected with the first pattern and the substrate P being substantially stationary (for example, a refraction type projection optical system that does not include a reflecting element at 1/8 reduction magnification). The present invention can also be applied to an exposure apparatus that performs batch exposure on the substrate P using the above. In this case, after that, with the second pattern and the substrate P substantially stationary, a reduced image of the second pattern is collectively exposed onto the substrate P by partially overlapping the first pattern using the projection optical system. It can also be applied to a stitch type batch exposure apparatus. Further, the stitch type exposure apparatus can be applied to a step-and-stitch type exposure apparatus in which at least two patterns are partially transferred on the substrate P, and the substrate P is sequentially moved.
また、上記実施形態では投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。このように投影光学系ＰＬを用いない場合であっても、露光光はレンズなどの光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸領域が形成される。国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを形成する露光装置にも適用できる。 In the above embodiment, the exposure apparatus provided with the projection optical system PL has been described as an example. However, the present invention can be applied to an exposure apparatus and an exposure method that do not use the projection optical system PL. Even when the projection optical system PL is not used in this way, the exposure light is irradiated onto the substrate via an optical member such as a lens, and a liquid immersion region is formed in a predetermined space between the optical member and the substrate. It is formed. As disclosed in the pamphlet of International Publication No. 2001/035168, the present invention can be applied to an exposure apparatus that forms line and space patterns on a substrate P by forming interference fringes on the substrate P.
また、本発明は、特開平１０−１６３０９９号公報、特開平１０−２１４７８３号公報、特表２０００−５０５９５８号公報などに開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。 The present invention also relates to a twin stage type exposure apparatus having a plurality of substrate stages as disclosed in JP-A-10-163099, JP-A-10-214783, JP-T 2000-505958, and the like. It can also be applied to.
更に、特開平１１−１３５４００号公報や特開２０００−１６４５０４号公報に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。この場合、計測ステージ上に液浸領域ＬＲを形成することもできる。 Furthermore, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-135400 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-164504, a substrate stage for holding a substrate and a reference member on which a reference mark is formed and / or various photoelectric sensors are mounted. The present invention can also be applied to an exposure apparatus provided with a measurement stage. In this case, the liquid immersion region LR can also be formed on the measurement stage.
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。 The type of the exposure apparatus EX is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element that exposes a semiconductor element pattern on the substrate P, but an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element or a display, a thin film magnetic head, an image sensor (CCD). ) Or an exposure apparatus for manufacturing reticles or masks.
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６，７７８，２５７号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスクを用いてもよい。 In the above-described embodiment, a light-transmitting mask in which a predetermined light-shielding pattern (or phase pattern / dimming pattern) is formed on a light-transmitting substrate is used. As disclosed in Japanese Patent No. 6,778,257, an electronic mask that forms a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed may be used.
また、国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。 Further, as disclosed in International Publication No. 2001/035168, an exposure apparatus (lithography system) that exposes a line-and-space pattern on a substrate P by forming interference fringes on the substrate P. The present invention can also be applied.
以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。 As described above, the exposure apparatus EX according to the present embodiment maintains various mechanical subsystems including the respective constituent elements recited in the claims of the present application so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. Manufactured by assembling. In order to ensure these various accuracies, before and after assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, and various electrical systems are Adjustments are made to achieve electrical accuracy. The assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connection, electrical circuit wiring connection, pneumatic circuit piping connection and the like between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. When the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus. The exposure apparatus is preferably manufactured in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１３に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置ＥＸによりマスクのパターンで基板を露光する露光処理を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
As shown in FIG. 13, a microdevice such as a semiconductor device includes a
１…液浸機構、１１…液体供給装置、１２…供給口、１６…排気口、２２…回収口、２５…多孔部材、５０…フィン部材、５１…壁部、７５…第１ランド面、７６…第２ランド面、７７…上面、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、Ｇ２…内部空間、Ｋ１…光路空間、Ｋ３…外部空間、ＬＳ１…最終光学素子、Ｐ…基板、ＰＬ…投影光学系
DESCRIPTION OF
Claims (35)
前記露光光の光路空間を液体で満たすために液体を供給する液体供給装置と、
前記露光光が照射可能な位置に配置された物体の表面と対向するように、且つ前記露光光の光路空間を囲むように設けられ、前記液体供給装置から供給された液体を前記物体との間で保持可能な第１面と、
前記物体の表面と対向するように、且つ前記露光光の光路空間に対して前記第１面の外側に配置された第２面とを備え、
前記第２面は、前記物体の表面と前記第２面との間に存在する液体の膜が前記第２面と接触しないように設けられている露光装置。 In an exposure apparatus that exposes the substrate by irradiating exposure light onto the substrate,
A liquid supply device for supplying a liquid to fill the optical path space of the exposure light with the liquid;
The liquid supplied from the liquid supply device is disposed between the object and the object so as to face the surface of the object disposed at a position where the exposure light can be irradiated and to surround the optical path space of the exposure light. A first surface that can be held by
A second surface arranged to face the surface of the object and outside the first surface with respect to the optical path space of the exposure light,
The exposure apparatus, wherein the second surface is provided so that a liquid film existing between the surface of the object and the second surface does not come into contact with the second surface.
前記第２面は、前記物体の表面と前記第２面との間に存在する液体が前記第１の間隔よりも薄い膜となるように設けられている請求項１記載の露光装置。 The first surface is spaced apart from the surface of the object by a first distance;
2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the second surface is provided such that the liquid existing between the surface of the object and the second surface is a film thinner than the first interval.
前記第２面は、前記物体の表面に対して前記第１面よりも離れている請求項１〜３のいずれか一項記載の露光装置。 The first surface is provided substantially parallel to the surface of the object,
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the second surface is separated from the surface of the object by the first surface.
前記第２面は、前記液体に対して撥液性を有する請求項１〜４のいずれか一項記載の露光装置。 The first surface is provided substantially parallel to the surface of the object, and is lyophilic with respect to the liquid.
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the second surface has liquid repellency with respect to the liquid.
前記第２面は、前記所定方向において前記第１面の両側のそれぞれに設けられている請求項１〜５のいずれか一項記載の露光装置。 Irradiating the substrate with the exposure light while moving the substrate in a predetermined direction;
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the second surface is provided on each of both sides of the first surface in the predetermined direction.
前記露光光の光路空間を囲むように設けられ、前記光学部材との間に所定の隙間を介して対向する第３面と、
前記光学部材と前記第３面との間の所定空間の近傍に設けられ、前記液体供給装置から液体が供給される供給口とを有する請求項１〜１８のいずれか一項記載の露光装置。 An optical member through which the exposure light passes;
A third surface provided so as to surround the optical path space of the exposure light, and facing the optical member via a predetermined gap;
The exposure apparatus according to claim 1, further comprising a supply port that is provided in a vicinity of a predetermined space between the optical member and the third surface and through which a liquid is supplied from the liquid supply apparatus.
前記露光光の光路空間を囲むように設けられ、前記光学部材との間に所定の隙間を介して対向する第３面と、
前記光学部材と前記第３面との間の所定空間の近傍に設けられ、前記所定空間と外部空間とを連通させるための排気口とを有する請求項１〜１８のいずれか一項記載の露光装置。 An optical member through which the exposure light passes;
A third surface provided so as to surround the optical path space of the exposure light, and facing the optical member via a predetermined gap;
The exposure according to any one of claims 1 to 18, further comprising an exhaust port provided in the vicinity of a predetermined space between the optical member and the third surface for communicating the predetermined space with an external space. apparatus.
前記露光光が照射可能な位置に配置される物体の表面と対向し、前記液体を前記物体との間で保持可能な部材と、
前記物体と部材の間で保持された液体を回収する回収部と、
前記光路と前記回収部との間に前記物体の表面と対向するように位置し、且つ前記物体上の液体と前記部材の間に空間をもたらす空間形成領域が前記部材に形成されている露光装置。 An exposure apparatus that exposes the substrate by irradiating the substrate with exposure light through a liquid,
A member facing a surface of an object disposed at a position where the exposure light can be irradiated, and capable of holding the liquid between the object;
A collecting unit for collecting the liquid held between the object and the member;
An exposure apparatus in which the member is formed with a space forming region that is positioned so as to face the surface of the object between the optical path and the recovery unit and that provides a space between the liquid on the object and the member. .
前記液体を、前記基板と対向するように配置された部材と前記基板との間に供給することと、
前記基板上の液体と前記部材との間に空間をもたらしつつ液体を回収することと、
前記基板に液体を介して露光光を照射して前記基板を露光することを含む露光方法。 An exposure method for exposing the substrate by irradiating the substrate with exposure light through a liquid,
Supplying the liquid between the substrate and a member arranged to face the substrate;
Collecting the liquid while providing a space between the liquid on the substrate and the member;
An exposure method comprising exposing the substrate by irradiating the substrate with exposure light through a liquid.
前記所定方向における前記露光光の光路空間と前記基板と対向するように配置された液体回収部との間で前記空間がもたらされつつ前記液体回収部で液体が回収される請求項３１又は３２に記載の露光方法。 And moving the substrate in a predetermined direction,
The liquid is recovered by the liquid recovery unit while the space is provided between the optical path space of the exposure light in the predetermined direction and the liquid recovery unit arranged to face the substrate. An exposure method according to 1.
35. A device manufacturing method comprising exposing a substrate using the exposure method according to any one of claims 31 to 34.
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