JP2006308544A - 磁気センサおよびその製法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板1の平坦面に、4個の巨大磁気抵抗素子2、3、4、5を設ける。4個の巨大磁気抵抗素子のうち、2個の巨大磁気抵抗素子2、3は、X軸方向にその感知軸を持ち、残りの2個の巨大磁気抵抗素子4、5は、その感知軸がY軸方向に向いたものである。基板1に、山部6を形成し、この山部6の長手方向の両方の斜面にそれぞれ1個の巨大磁気抵抗素子7、8を設ける。これら巨大磁気抵抗素子7、8は、ともに斜面に平行な方向、すなわち基板1の斜め上方に向く方向に感知軸を有するものとなるため、三軸方向の磁界の強さを検知できるセンサとなる。
【選択図】図1
Description
この先行発明では、基板の平坦面に、それぞれX軸方向およびY軸方向を感知軸とする2個以上の巨大磁気抵抗素子を配設する一方、基板にV字溝を形成し、このV字溝の斜面に1個以上の巨大磁気抵抗素子を配設し、この斜面に配設された巨大磁気抵抗素子でZ軸方向の磁界の強さを感知するようにしている。
請求項1に記載の発明は、基板に形成された山部の斜面に基板面に対し垂直方向の磁気成分に感度を持つ磁気抵抗素子が配置されていることを特徴とする磁気センサである。
請求項2に記載の発明は、基板に形成された山部の斜面に1以上の基板面に対し垂直方向の磁気成分に感度を持つ磁気抵抗素子が配置され、基板の平坦面に2以上の基板面に対し平行方向の磁気成分に感度を持つ磁気抵抗素子が配置されていることを特徴とする磁気センサである。
請求項5に記載の発明は、山部の斜面に磁気抵抗素子を形成すると同時に基板の平坦面に磁気抵抗素子を形成することを特徴とする請求項3または4記載の磁気センサの製法である。
また、これらの磁気抵抗素子を同時に同一の薄膜形成プロセスで形成することができる。
図1および図2は、本発明の磁気センサの一例を模式的に示すものである。
これらの図において、符号1は、基板を示す。この基板1は、シリコンなどの半導体基板に磁気センサの駆動回路、信号処理回路などとなる半導体集積回路(図示略)が予め形成されており、その表面には酸化ケイ素、窒化ケイ素などからなる絶縁膜(図示略)が被覆されてなるものである。
また、残りの2個の巨大磁気抵抗素子4、5は、その感知軸が同じくY軸方向に向いたもので、基板1の他方の周辺部に並んで設けられている。
なお、図1および図2に示した矢印は、それぞれの巨大磁気抵抗素子の感知軸の向きを示すものである。
さらに、これら6個の巨大磁気抵抗素子2〜8が設けられた基板1の表面には、図示しない酸化ケイ素、窒化ケイ素などからなる保護膜で被覆されており、これら巨大磁気抵抗素子等が外界から保護されるようになっている。
この第1絶縁膜12は、酸化ケイ素、窒化ケイ素などからなる厚さ300〜1500nm程度のものである。
なお、この凸部15を複数並べて基板1上に形成する場合には、その間隔を少なくとも5μm以上とすることが好ましい。
この際、巨大磁気抵抗素子膜18の、山頂に近い方側(斜面16の上側)の端部におけるレジスト19の厚さ、すなわちレジスト19の頂点から巨大磁気抵抗素子膜18の端部までの距離が、1.0〜2.0μm、好ましくは1.5μmとなるように、レジスト19の厚さを調整する。
さらに、基板11上の第2絶縁膜14の平坦面に形成された巨大磁気抵抗素子膜18の一部を同様にレジスト19で被覆された状態としておき、この平坦面にX軸感知用巨大磁気抵抗素子とY軸感知用巨大磁気抵抗素子とを同時に形成するようにすることが好ましい。
これにより、図9に示すように、山部17の斜面16、16の中腹部分に巨大磁気抵抗素子20、20が形成される。また、図7に示したように、第2絶縁膜14の平坦面にレジスト19を残しておけば、その部分をX軸感知用巨大磁気抵抗素子、Y軸感知用巨大磁気抵抗素子とすることができる。
その後、この上に酸化ケイ素、窒化ケイ素などからなる保護膜を成膜することで、磁気センサが作製される。
まず、図11に示すように、基板11上の第1絶縁膜12の上に、酸化ケイ素からなる第3絶縁膜21を成膜する。この第3絶縁膜21は、シラン、テトラエトキシシランなどを原料化合物として、プラズマCVD法、オゾンCVD法などのCVD法によって成膜された酸化ケイ素からなるもので、その厚さが3〜5μm程度のものである。
この山部23の斜面に巨大磁気抵抗素子を形成する方法は、先の例と同じである。
Claims (5)
- 基板に形成された山部の斜面に基板面に対し垂直方向の磁気成分に感度を持つ磁気抵抗素子が配置されていることを特徴とする磁気センサ。
- 基板に形成された山部の斜面に1以上の基板面に対し垂直方向の磁気成分に感度を持つ磁気抵抗素子が配置され、基板の平坦面に2以上の基板面に対し平行方向の磁気成分に感度を持つ磁気抵抗素子が配置されていることを特徴とする磁気センサ。
- 基板上に凸状の段差形成部を形成し、この段差形成部を含む基板上に絶縁膜を堆積して、段差形成部に対応する凸部を形成し、ついでプラズマエッチングまたはマイクロ波エッチングによりこの凸部に斜面を形成して山部としたのち、この山部の斜面に磁気抵抗素子を形成することを特徴とする磁気センサの製法。
- 基板上に絶縁物からなる凸部を形成し、ついでプラズマエッチングまたはマイクロ波エッチングによりこの凸部に斜面を形成して山部としたのち、この斜面に磁気抵抗素子を形成することを特徴とする磁気センサの製法。
- 山部の斜面に磁気抵抗素子を形成すると同時に基板の平坦面に磁気抵抗素子を形成することを特徴とする請求項3または4記載の磁気センサの製法。
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