JP2006295229A - 半導体レーザ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】リッジ6中央部の電界の大きさE1と、溝部15の端における電界の大きさE2の比率E1/E2が、0.0001より大きく、0.01より小さくなるように、溝部15の幅を設定する。ダブルチャンネル型リッジ構造の半導体レーザでは、溝部15の外側に溝部15の等価屈折率より大きい等価屈折率を有する層が存在する。そのため、溝部15より外側に分布する光の半導体による吸収により、光出力変化に伴う水平方向の遠視野像の強度中心が変動せず、且つ形状が安定したレーザ光を得ることができる。
【選択図】図3
Description
E=Acos(ux) (x≦T/2) ・・・(1)
E=Acos(uT/2)exp(−w(|x|−T/2)) (x≧T/2) ・・・ (2)
u2+w2=(n1 2−n2 2)(2π/λ)2T2 ・・・(3)
w=u・tan(u) ・・・(4)
ただし、Aは所定の係数、
で表した場合に、
前記所定間隔dが、
x=0における電界E1と、x=T/2+d における電界E2の比であるE2/E1が、
0.0001 ≦ E2/E1 ≦ 0.01 ・・・ (5)
を満たすように設定されていることを特徴とする。
図1は、本実施の形態に係る発振波長が601nm以上、700nm以下の範囲にある半導体レーザ13の構造を示す斜視図である。図2は、図1のA−A線断面図である。
E=Acos(uT/2)exp(−w(|x|−T/2)) (x≧T/2) ・・・(2)
ここで、uとwは以下の式(3),(4)で定義される値である。
w = u・tan(u) ・・・ (4)
また、Aは所定の係数、λはレーザ光の発振波長である。
図4は、式(5)に示した範囲の電界の比率が成り立つリッジ6の中央からの距離 x を計算した結果を示している。E2/E1が式(5)を満足する場合には、光出力変化に伴なう水平方向の遠視野像の強度中心が変動せず、且つ形状が安定したレーザ光が得られる。なお、図4中のΔnは、n1−n2の値を表す。
図8は、本実施の形態に係る半導体レーザの断面の斜視図である。本実施の形態に係る半導体レーザは、発振波長が601nm以上、700nm以下の範囲にあり、図1示した半導体レーザと異なり、ダブルチャンネルを有しないリッジ構造の半導体レーザである。図1〜図2に付した符号と同一符号の個所は、同一又はそれに相当部分である。また、図8において、p電極10等、本実施の形態の説明と関係が薄い構成は省略している。
図9は、本実施の形態に係る半導体レーザの断面の斜視図である。本実施の形態に係る半導体レーザは、発振波長が601nm以上、700nm以下の範囲にあり、図1に示した半導体レーザと異なり、ダブルチャンネルを有しないリッジ構造の半導体レーザである。
図10は、本実施の形態に係る半導体レーザの断面の斜視図である。本実施の形態に係る半導体レーザは、発振波長が601nm以上,700nm以下の範囲にあり、図1に示した半導体レーザと異なり、ダブルチャンネルを有しないリッジ構造の半導体レーザである。
本実施の形態に係る半導体レーザでは、実施の形態2から4と類似構造を備える発振波長が701nm以上、900nm以下の半導体レーザにおいて、レーザ光吸収領域16をリッジ6の端より5μm長く、10μm短い間隔dを隔てて配置している。
本実施の形態に係る半導体レーザは、実施の形態2から4と類似構造を備える、発振波長が330nm以上、600nm以下の範囲にある半導体レーザにおいて、レーザ光吸収領域16をリッジ6の端より0.7μm以上、5.0μm以下の間隔dを隔てて配置している。
本実施の形態に係る半導体レーザは、実施の形態2〜6のそれぞれの半導体レーザにおいて、レーザ光吸収領域16を窓領域11(図1参照)等のチップ端面部にのみ形成する。
図11は、本実施の形態に係る半導体レーザの断面の斜視図である。発振波長が601nm以上,700nm以下の範囲にあり、図1と同じダブルチャンネル型リッジ構造の半導体レーザの場合である。
図12は、本実施の形態に係る半導体レーザの断面の斜視図である。発振波長が601nm以上,700nm以下の範囲にあり、図1と同じダブルチャンネル型リッジ構造の半導体レーザの場合である。
図13は、本実施の形態に係る半導体レーザの断面の斜視図である。本実施の形態に係る半導体レーザは、発振波長が601nm以上、700nm以下の範囲にあり、図1と同じダブルチャンネル型リッジ構造の半導体レーザの場合である。
本実施の形態に係る半導体レーザは、発振波長が701nm以上、900nm以下の範囲にある、実施の形態8から10と類似構造の半導体レーザにおいて、リッジ6の端から、5μmより長く、10μmより短い間隔dを隔ててレーザ光吸収領域16を配置している。
本実施の形態に係る半導体レーザは、発振波長が330nm以上、600nm以下の範囲にある、実施の形態8から10と類似構造の半導体レーザにおいて、レーザ光吸収領域16をリッジ6の端より0.7μm以上、5.0μm以下の間隔dを隔てて配置している。
本実施の形態に係る半導体レーザは、実施の形態8から12に係る半導体レーザにおいて、レーザ光吸収領域16を窓領域11(図1参照)等が形成されたチップ端面部にのみ形成する。
Claims (7)
- 幅がTのリッジを有し、
前記リッジの等価屈折率がn1、
前記リッジの両側の領域の等価屈折率がn2であり、
発振波長がλで、基本モードで発振するリッジ構造の半導体レーザであって、
前記リッジの両脇に、前記リッジの端から所定間隔dを隔ててレーザ光を吸収するレーザ光吸収領域を配置し、
前記リッジの中心からの距離xにおける電界Eを
E=Acos(ux) (x≦T/2) ・・・(1)
E=Acos(uT/2)exp(−w(|x|−T/2)) (x≧T/2) ・・・ (2)
u2+w2=(n1 2−n2 2)(2π/λ)2T2 ・・・(3)
w=u・tan(u) ・・・(4)
ただし、Aは所定の係数、
で表した場合に、
前記所定間隔dが、
x=0における電界E1と、x=T/2+d における電界E2の比であるE2/E1が、
0.0001 ≦ E2/E1 ≦ 0.01 ・・・ (5)
を満たすように設定されていることを特徴とする半導体レーザ。 - 前記リッジの両側に位置し、前記リッジを挟むチャンネル部と、
前記チャンネル部の外側の層を有し、
前記チャンネル部の幅Wcが、前記所定間隔dより大きいことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ。 - 前記半導体レーザの発振波長は、601nm以上、700nm以下の範囲にあり、
前記所定間隔は、5μm以上、10μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ。 - 前記半導体レーザの発振波長は、701nm以上、900nm以下の範囲にあり、
前記所定間隔は、5μm以上、10μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ。 - 前記半導体レーザの発振波長は、330nm以上、600nm以下の範囲にあり、
前記所定間隔は、0.7μm以上、5.0μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ。 - 請求項1から5の何れかに記載の半導体レーザであって、
前記レーザ光吸収領域をチップ端面部にのみ形成したことを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項1から6の何れかに記載の半導体レーザであって、
前記レーザ光吸収領域は、アモルファスシリコン層、イオン注入領域または不純物拡散領域のいずれかで構成されていることを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
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JP2006213192A JP2006295229A (ja) | 2004-11-11 | 2006-08-04 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (2)
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JP2004327622 | 2004-11-11 | ||
JP2006213192A JP2006295229A (ja) | 2004-11-11 | 2006-08-04 | 半導体レーザ |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Family Applications (1)
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JP2006213192A Pending JP2006295229A (ja) | 2004-11-11 | 2006-08-04 | 半導体レーザ |
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH0883953A (ja) * | 1994-09-12 | 1996-03-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザの製造方法 |
JP2003031909A (ja) * | 2001-07-12 | 2003-01-31 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ |
-
2006
- 2006-08-04 JP JP2006213192A patent/JP2006295229A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH0883953A (ja) * | 1994-09-12 | 1996-03-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザの製造方法 |
JP2003031909A (ja) * | 2001-07-12 | 2003-01-31 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ |
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