JP2006294938A - 接着フィルムの破断方法 - Google Patents
接着フィルムの破断方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006294938A JP2006294938A JP2005114967A JP2005114967A JP2006294938A JP 2006294938 A JP2006294938 A JP 2006294938A JP 2005114967 A JP2005114967 A JP 2005114967A JP 2005114967 A JP2005114967 A JP 2005114967A JP 2006294938 A JP2006294938 A JP 2006294938A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive film
- dicing tape
- semiconductor wafer
- diameter ring
- tape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 title claims abstract description 124
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 166
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 abstract 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 26
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010096 film blowing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
【解決手段】複数の半導体チップに分離された半導体ウエーハ10の裏面に接着フィルム5が貼着され、接着フィルム側が環状のフレーム7に装着されたダイシングテープ60の表面に貼着されており、半導体ウエーハ10より径が大きい大径リング7aと小径リング7bとからなる挟持枠体7を用い、半導体ウエーハ10を囲繞してダイシングテープを小径リング7bの外周面と大径リング7aの内周面との間に挟持する挟持枠体装着工程と、挟持枠体とダイシングテープによって形成された空間を閉塞テープで塞ぐ閉塞テープ装着工程と、ダイシングテープ60の裏面側からダイシングテープには吸収されないが接着フィルムには吸収される波長のレーザー光線を分割溝に沿って照射し、接着フィルム5を分割溝に沿って溶断する。
【選択図】図8
Description
半導体ウエーハより径が大きい大径リングと小径リングとからなる挟持枠体を用い、該小径リングを該ダイシングテープの表面側に半導体ウエーハを囲繞して位置付けるとともに、該大径リングを該ダイシングテープの裏面側に該小径リングを囲繞して位置付け、該大径リングと該小径リングを嵌合することにより、該ダイシングテープを該小径リングの外周面と該大径リングの内周面との間に挟持する挟持枠体装着工程と、
該ダイシングテープの表面側に装着し該挟持枠体と該ダイシングテープによって形成された空間を閉塞テープで塞ぐ閉塞テープ装着工程と、
該ダイシングテープの裏面側からダイシングテープには吸収されないが接着フィルムには吸収される波長のレーザー光線を該分割溝に沿って照射し、該接着フィルムを該分割溝に沿って溶断する接着フィルム溶断工程と、を含む、
ことを特徴とする接着フィルムの破断方法が提供される。
図1には、複数の半導体チップに分割される半導体ウエーハの斜視図が示されている。図1に示す半導体ウエーハ10は、例えば厚さが600μmのシリコンウエーハからなっており、表面2aに複数のストリート101が格子状に形成されているとともに該複数のストリート101によって区画された複数の領域にデバイス102が形成されている。この半導体ウエーハ2は、複数のストリート101に沿って切断され個々の半導体チップに分割される。
図7に示す実施形態は、ダイシングテープの表面に予め接着フィルムが貼着された接着フィルム付きのダイシングテープを使用する。即ち、図7の(a)、(b)に示すように環状のダイシングフレーム6の内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープ60の表面60aに貼着された接着フィルム5を個々の半導体チップに分離された半導体ウエーハ10の裏面10bに貼着する。このとき、80〜200°Cの温度で加熱しつつ接着フィルム5を半導体ウエーハ10の裏面10bに押圧して貼着する。なお、上記ダイシングテープ60は、図示の実施形態においては厚さが95μmのポリオレフィンシートかならっている。このような接着フィルム付きのダイシングテープは、株式会社リンテック社製の接着フィルム付きのダイシングテープ(LE5000)を用いることができる。
図8の(a)に示すように半導体ウエーハ10より径が大きい大径リング7aと小径リング7bとからなる挟持枠体7を用い、小径リング7bをダイシングテープ60の表面60a側に半導体ウエーハ10を囲繞して位置付けるとともに、大径リング7aをダイシングテープ60の裏面60b側に小径リング7bを囲繞して位置付ける。そして、大径リング7aと小径リング7bを嵌合することにより、図8の(b)および図9に示すようにダイシングテープ60を小径リング7bの外周面と大径リング7aの内周面との間に挟持する。この結果、挟持枠体7の内側には小径リング7bの内周面とダイシングテープ60の表面とによって空間部61が形成される。この空間内に上記半導体ウエーハ10が位置付けられている。
なお、上記保護部材貼着工程において半導体ウエーハ10の表面10aに貼着された保護テープ3は、上記ダイシングテープ貼着工程を実施した後に、挟持枠体装着工程を実施する前または後に剥離する。
接着フィルム溶断工程は、先ず図11に示すように上記閉塞テープ装着工程においてダイシングテープ60の表面60a側から上述した小径リング7bの内周面とダイシングテープ60の表面とによって空間部61を閉塞した閉塞テープ62側をチャックテーブル81に載置し吸引保持する。従って、半導体ウエーハ10の裏面10bに貼着された接着フィルム5を装着したダイシングテープ60は、上側となる。なお、図11においては、ダイシングテープ60が装着された環状のダイシングフレーム6を省いて示しているが、ダイシングフレーム6はチャックテーブル81に配設された適宜のダイシングフレーム保持手段に保持されている。
レーザー光線の種類 ;固体レーザー(YVO4レーザー、YAGレーザー)
波長 :355nm
発振方法 :パルス発振
パルス幅 :10〜100ns
集光スポット径 :φ5〜20μm
繰り返し周波数 :50〜100kHz
平均出力 :1〜10W
加工送り速度 :50〜400mm/秒
上述したようにダイシングフレーム6に装着された伸長可能なダイシングテープ60の上面に支持された複数個の半導体チップ100(裏面に貼着された接着フィルム5a側がダイシングテープ60の上面に貼着されている)は、図14および図15の(a)に示すようにダイシングフレーム6が円筒状のベース91の載置面911上に載置され、クランプ94によってベース91に固定される。次に、図15の(b)に示すように上記ダイシングテープ60における複数個の半導体チップ100が存在する領域61を支持した拡張手段92の拡張部材921を図示しない昇降手段によって図15(a)の基準位置から上方の図15の(b)に示す拡張位置まで移動する。この結果、伸長可能なダイシングテープ60は拡張されるので、ダイシングテープ60と半導体チップ100に装着されている接着フィルム5aとの間にズレが生じ密着性が低下するため、接着フィルム5aを貼着した半導体チップ100がダイシングテープ60から容易に離脱できる状態となるとともに、個々の半導体チップ100および該半導体チップ100に貼着された接着フィルム5a間には隙間が形成される。
21:切削装置のチャックテーブル
22:切削ブレード
23:切削手段
3:保護部材
4:研削装置
41:研削装置のチャックテーブル
42研削砥石:
43:研削手段
5:接着フィルム
51:破断線
6:ダイシングフレーム
60:ダイシングテープ
62:閉塞テープ
7:挟持枠体
7a:大径リング
7b:小径リング
8:レーザー加工装置
81:レーザー加工装置のチャックテーブル
82:レーザー光線照射手段
822:集光器
83:撮像手段
9:ピックアップ装置
90:ピックアップコレット
91:円筒状のベース
92:拡張手段
93:拡張手段
10:半導体ウエーハ
100:半導体チップ
101:ストリート
102:デバイス
103:分割溝
Claims (1)
- 複数の半導体チップに分離された半導体ウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムが貼着され、該半導体ウエーハの接着フィルム側が環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着されており、該接着フィルムを該複数の半導体チップに分離した分割溝に沿って溶断する接着フィルムの破断方法であって、
半導体ウエーハより径が大きい大径リングと小径リングとからなる挟持枠体を用い、該小径リングを該ダイシングテープの表面側に半導体ウエーハを囲繞して位置付けるとともに、該大径リングを該ダイシングテープの裏面側に該小径リングを囲繞して位置付け、該大径リングと該小径リングを嵌合することにより、該ダイシングテープを該小径リングの外周面と該大径リングの内周面との間に挟持する挟持枠体装着工程と、
該ダイシングテープの表面側に装着し該挟持枠体と該ダイシングテープによって形成された空間を閉塞テープで塞ぐ閉塞テープ装着工程と、
該ダイシングテープの裏面側からダイシングテープには吸収されないが接着フィルムには吸収される波長のレーザー光線を該分割溝に沿って照射し、該接着フィルムを該分割溝に沿って溶断する接着フィルム溶断工程と、を含む、
ことを特徴とする接着フィルムの破断方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005114967A JP4630717B2 (ja) | 2005-04-12 | 2005-04-12 | 接着フィルムの破断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005114967A JP4630717B2 (ja) | 2005-04-12 | 2005-04-12 | 接着フィルムの破断方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006294938A true JP2006294938A (ja) | 2006-10-26 |
JP4630717B2 JP4630717B2 (ja) | 2011-02-09 |
Family
ID=37415174
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005114967A Active JP4630717B2 (ja) | 2005-04-12 | 2005-04-12 | 接着フィルムの破断方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4630717B2 (ja) |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009195943A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法 |
JP2014189563A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-06 | Lintec Corp | 粘着シート、保護膜形成用フィルム、保護膜形成用複合シート、およびマーキング方法 |
KR20190067816A (ko) * | 2016-10-28 | 2019-06-17 | 가부시키가이샤 도교 세이미쓰 | 워크 분할 장치 및 워크 분할 방법 |
JP2019201052A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2019201054A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2019201053A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2019212788A (ja) * | 2018-06-06 | 2019-12-12 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2019212785A (ja) * | 2018-06-06 | 2019-12-12 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2019212787A (ja) * | 2018-06-06 | 2019-12-12 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2019212786A (ja) * | 2018-06-06 | 2019-12-12 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2020009893A (ja) * | 2018-07-06 | 2020-01-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2020009892A (ja) * | 2018-07-06 | 2020-01-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2020009894A (ja) * | 2018-07-06 | 2020-01-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2020145251A (ja) * | 2019-03-05 | 2020-09-10 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2020145249A (ja) * | 2019-03-05 | 2020-09-10 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2020145250A (ja) * | 2019-03-05 | 2020-09-10 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2020145265A (ja) * | 2019-03-05 | 2020-09-10 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2020145264A (ja) * | 2019-03-05 | 2020-09-10 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2020145266A (ja) * | 2019-03-05 | 2020-09-10 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2021027235A (ja) * | 2019-08-07 | 2021-02-22 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
CN112967999A (zh) * | 2020-09-27 | 2021-06-15 | 苏州苏纳光电有限公司 | 一种用于半导体芯片扩膜的制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5957438A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-03 | Toshiba Corp | 半導体装置の組立方法 |
JPH04330766A (ja) * | 1991-02-06 | 1992-11-18 | Fujitsu Ltd | ウェーハの切断方法 |
JP2003298035A (ja) * | 2002-02-25 | 2003-10-17 | Samsung Electronics Co Ltd | ウエハーソーイング方法 |
JP2005116739A (ja) * | 2003-10-07 | 2005-04-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体チップの製造方法 |
JP2006128577A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体チップの製造方法及びそれに使用されるダイボンドダイシングテープ |
-
2005
- 2005-04-12 JP JP2005114967A patent/JP4630717B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5957438A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-03 | Toshiba Corp | 半導体装置の組立方法 |
JPH04330766A (ja) * | 1991-02-06 | 1992-11-18 | Fujitsu Ltd | ウェーハの切断方法 |
JP2003298035A (ja) * | 2002-02-25 | 2003-10-17 | Samsung Electronics Co Ltd | ウエハーソーイング方法 |
JP2005116739A (ja) * | 2003-10-07 | 2005-04-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体チップの製造方法 |
JP2006128577A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体チップの製造方法及びそれに使用されるダイボンドダイシングテープ |
Cited By (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009195943A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法 |
JP2014189563A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-06 | Lintec Corp | 粘着シート、保護膜形成用フィルム、保護膜形成用複合シート、およびマーキング方法 |
KR20190067816A (ko) * | 2016-10-28 | 2019-06-17 | 가부시키가이샤 도교 세이미쓰 | 워크 분할 장치 및 워크 분할 방법 |
KR102246098B1 (ko) | 2016-10-28 | 2021-04-29 | 가부시키가이샤 도교 세이미쓰 | 워크 분할 장치 및 워크 분할 방법 |
JP7139042B2 (ja) | 2018-05-14 | 2022-09-20 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2019201052A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2019201054A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2019201053A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7139040B2 (ja) | 2018-05-14 | 2022-09-20 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7139041B2 (ja) | 2018-05-14 | 2022-09-20 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2019212787A (ja) * | 2018-06-06 | 2019-12-12 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2019212786A (ja) * | 2018-06-06 | 2019-12-12 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2019212785A (ja) * | 2018-06-06 | 2019-12-12 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2019212788A (ja) * | 2018-06-06 | 2019-12-12 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2020009892A (ja) * | 2018-07-06 | 2020-01-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2020009894A (ja) * | 2018-07-06 | 2020-01-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2020009893A (ja) * | 2018-07-06 | 2020-01-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2020145249A (ja) * | 2019-03-05 | 2020-09-10 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7242134B2 (ja) | 2019-03-05 | 2023-03-20 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7305260B2 (ja) | 2019-03-05 | 2023-07-10 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2020145264A (ja) * | 2019-03-05 | 2020-09-10 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7305259B2 (ja) | 2019-03-05 | 2023-07-10 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2020145265A (ja) * | 2019-03-05 | 2020-09-10 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2020145250A (ja) * | 2019-03-05 | 2020-09-10 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2020145251A (ja) * | 2019-03-05 | 2020-09-10 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7242136B2 (ja) | 2019-03-05 | 2023-03-20 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7242135B2 (ja) | 2019-03-05 | 2023-03-20 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2020145266A (ja) * | 2019-03-05 | 2020-09-10 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7305261B2 (ja) | 2019-03-05 | 2023-07-10 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2021027235A (ja) * | 2019-08-07 | 2021-02-22 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
CN112967999A (zh) * | 2020-09-27 | 2021-06-15 | 苏州苏纳光电有限公司 | 一种用于半导体芯片扩膜的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4630717B2 (ja) | 2011-02-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4630717B2 (ja) | 接着フィルムの破断方法 | |
JP4630692B2 (ja) | レーザー加工方法 | |
JP2009123835A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
JP2010027857A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
JP4847199B2 (ja) | ウエーハに装着された接着フィルムの破断方法 | |
JP4769560B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP5307384B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP6078376B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2009272421A (ja) | デバイスの製造方法 | |
JP2005019525A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
JP6034219B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2008235650A (ja) | デバイスの製造方法 | |
JP2009182178A (ja) | デバイスの製造方法 | |
JP2006245209A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
JP2004273895A (ja) | 半導体ウエーハの分割方法 | |
JP2009200140A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
JP5133660B2 (ja) | ウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法 | |
JP2008226982A (ja) | デバイスの製造方法 | |
JP4777701B2 (ja) | 接着フィルムの分離方法 | |
JP2008294191A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2016018881A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
TWI623059B (zh) | Wafer processing method | |
JP2005116739A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
JP2008235398A (ja) | デバイスの製造方法 | |
JP2017103406A (ja) | ウエーハの加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080312 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100729 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100803 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101001 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101026 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101115 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131119 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4630717 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131119 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |