JP2006294395A - Organic el device, manufacturing method of organic el device, and electronic equipment using the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL device capable of enhancing contrast in a simple structure, a manufacturing method of the organic EL device and electronic equipment using the same. <P>SOLUTION: The organic EL device is provided with a barrier rib parts 112 formed on a substrate 2 and zoning each pixel area, a light absorption layer 20 with conductivity formed on each of first electrodes 111 inside the barrier ribs, a light absorption layer 20 with conductivity formed on a top face of each barrier rib part 112, and a light-emitting layer 110b formed above the light absorption layer 20 inside the pixel area. The light absorption layer 20 formed on the first electrode 111 and the light absorption layer 20 formed on the top face of the barrier rib part 112 have an identical structure and a second electrode 12 and the light absorption layer 20 formed on the top face of the barrier rib part 112 are electrically connected with each other. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法及びこれを用いた電子機器に関する。   The present invention relates to an organic EL device, a method for manufacturing the organic EL device, and an electronic apparatus using the same.

従来より、携帯電話やＰＤＡ等の携帯機器やパーソナルコンピュータ等の表示手段として、有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと略す。）表示装置が開発されている。
有機ＥＬ表示装置は、ＥＬ層（発光層）を一対の電極間に挟持してなる発光素子を基板面内に複数備えて構成され、各発光素子を独立に駆動制御することで所望の表示を行っている。この有機ＥＬ表示装置は、発光層からの光の取り出し方向の違いにより、例えば素子基板側から光を取り出すボトムエミッション型と、封止部材側から光を取り出すトップエミッション型のものとに分類できるが、材料選択の自由度等の理由から、これまで主にボトムエミッション型の構造について研究されてきた。 2. Description of the Related Art Conventionally, organic electroluminescence (hereinafter abbreviated as “organic EL”) display devices have been developed as display means for portable devices such as mobile phones and PDAs, and personal computers.
An organic EL display device includes a plurality of light-emitting elements each having an EL layer (light-emitting layer) sandwiched between a pair of electrodes in a substrate surface, and each light-emitting element is independently driven and controlled to display a desired display. Is going. This organic EL display device can be classified into, for example, a bottom emission type in which light is extracted from the element substrate side and a top emission type in which light is extracted from the sealing member side, depending on the difference in the light extraction direction from the light emitting layer. For the reasons such as freedom of material selection, the bottom emission type structure has been mainly studied so far.

一方、表示装置の分野では、大型化，高精細化，高輝度化に対するニーズが高く、有機ＥＬ表示装置についても大型化を目指した研究開発が盛んに行なわれている。しかし、上述のボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置を大型化した場合、電極に信号を供給する配線を太くする必要があり、これにより画素の開口率が低下するという課題があった。また、このように開口率が低下した場合、画素の輝度を確保するために発光層に大きな電流を流す結果、製品寿命が短くなるという課題も生じる。このため、近年、画素の開口率が配線等の構造に影響されないトップエミッション型の構造が注目され、盛んに研究されている。   On the other hand, in the field of display devices, there are high needs for enlargement, high definition, and high brightness, and research and development aimed at increasing the size of organic EL display devices are also actively conducted. However, when the above-described bottom emission type organic EL display device is increased in size, it is necessary to increase the wiring for supplying signals to the electrodes, which causes a problem that the aperture ratio of the pixel is lowered. In addition, when the aperture ratio decreases in this way, a problem arises that the product life is shortened as a result of flowing a large current through the light emitting layer in order to secure the luminance of the pixel. For this reason, in recent years, a top emission type structure in which the aperture ratio of a pixel is not affected by the structure of a wiring or the like has attracted attention and has been actively studied.

ところで、有機ＥＬ装置をディスプレイ等に用いる場合、外光の入射によって、コントラストが低下してしまうという問題がある。この課題を解決するために、背面電極を吸収性電極層と導電補助電極層とから構成し、吸収性電極層（光吸収層）を有機発光層側に配する有機ＥＬ素子が提案されている（例えば、特許文献１。）。
また、発光素子の発光部間を分離するための絶縁膜上に光吸収層を設けた表示装置も提案されている（例えば、特許文献２。）。この表示装置は、発光部間から入射し、絶縁膜下の第１の電極やその他の配線材料部分において反射する外光を光吸収層により吸収させるものである。
特開平８−８０６５号公報 特開２００３−１７２７２号公報 By the way, when an organic EL device is used for a display or the like, there is a problem that the contrast is lowered by the incidence of external light. In order to solve this problem, an organic EL element has been proposed in which the back electrode is composed of an absorptive electrode layer and a conductive auxiliary electrode layer, and the absorptive electrode layer (light absorption layer) is disposed on the organic light emitting layer side. (For example, Patent Document 1).
In addition, a display device in which a light absorption layer is provided over an insulating film for separating light emitting portions of light emitting elements has been proposed (for example, Patent Document 2). In this display device, external light that enters from between the light emitting portions and is reflected by the first electrode and other wiring material portions under the insulating film is absorbed by the light absorption layer.
JP-A-8-8065 JP 2003-17272 A

しかしながら、上記特許文献１に記載の有機ＥＬ素子では、吸収性電極層を発光層の一面に接触させるとともに、基板上に形成された陰極にも接触させるように形成しなくてはならない。また、上記特許文献２に記載の表示装置では、絶縁膜上に光吸収層を形成した後、光吸収層と絶縁膜とに開口部を形成し、この開口部に発光層を形成しなくてはならない。したがって、特許文献１及び特許文献２のいずれの場合においても、多くの工程を有するため、光吸収層の形成が困難であり、また、製造コストがかかってしまう。   However, in the organic EL element described in Patent Document 1, the absorptive electrode layer must be formed so as to be in contact with one surface of the light emitting layer and also be in contact with the cathode formed on the substrate. Further, in the display device described in Patent Document 2, after the light absorption layer is formed on the insulating film, an opening is formed in the light absorption layer and the insulating film, and the light emitting layer is not formed in the opening. Must not. Therefore, in both cases of Patent Document 1 and Patent Document 2, since there are many steps, it is difficult to form the light absorption layer, and the manufacturing cost is increased.

本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、簡易な構成で、コントラストを向上させることができる有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法及びこれを用いた電子機器を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above problems, and provides an organic EL device capable of improving contrast with a simple configuration, a method for manufacturing the organic EL device, and an electronic apparatus using the organic EL device. The purpose is to do.

上記目的を達成するために、本発明は、以下の手段を提供する。
本発明の有機ＥＬ装置は、基板上に配列形成された複数の画素領域と、該画素領域の内部に前記画素領域毎に設けられた第１の電極と、該第１の電極の上方に前記複数の画素領域にわたって共通に設けられた第２の電極とを備え、前記第１の電極上方に配された発光層からの光を前記基板とは反対側に射出させる有機ＥＬ装置であって、前記基板上に形成され前記画素領域のそれぞれを区画する隔壁部と、前記画素領域内部の前記第１の電極上に形成された導電性を有する光吸収層と、前記隔壁部の上面に形成された導電性を有する光吸収層と、前記画素領域内部の光吸収層上方に形成された発光層とを備え、前記第１の電極上に形成された光吸収層と、前記隔壁部の上面に形成された光吸収層とは同一構成を有し、前記第２の電極と前記隔壁部上面に形成された光吸収層とは電気的に接続されていることを特徴とする。 In order to achieve the above object, the present invention provides the following means.
The organic EL device of the present invention includes a plurality of pixel regions arranged on a substrate, a first electrode provided for each pixel region inside the pixel region, and the first electrode provided above the first electrode. An organic EL device including a second electrode provided in common over a plurality of pixel regions, and emitting light from a light emitting layer disposed above the first electrode to a side opposite to the substrate, A partition wall formed on the substrate and partitioning each of the pixel regions, a conductive light absorption layer formed on the first electrode inside the pixel region, and an upper surface of the partition wall. A light-absorbing layer having conductivity and a light-emitting layer formed above the light-absorbing layer inside the pixel region, the light-absorbing layer formed on the first electrode, and an upper surface of the partition wall portion. The formed light absorption layer has the same configuration, and the second electrode and the spacer. The light-absorbing layer formed on the part the upper surface, characterized in that it is electrically connected.

本発明に係る有機ＥＬ装置では、画素領域内部及び隔壁部上面に光吸収層を備えることにより、発光層に入射される外光は、これらの光吸収層によって吸収されることになる。したがって、発光層で生じた光を取り出す際、発光層内部や画素領域間における外光の反射を抑えることができるため、コントラストを向上させることが可能となる。ここで、光吸収層が導電性を有しているため、第１の電極上に設けても発光層への電流注入に影響を及ぼすことはなく、また、隔壁部上面に形成された光吸収層が導電性を有することにより、第２の電極の導電性を高め、低抵抗化を図ることが可能となる。さらに、画素領域内部に形成された光吸収層と隔壁部上面に形成された光吸収層とが同一構成であるため、同時に形成が可能であり、製造プロセスが簡易な装置を提供することが可能となる。   In the organic EL device according to the present invention, the light absorption layer is provided inside the pixel region and on the upper surface of the partition wall, so that external light incident on the light emitting layer is absorbed by these light absorption layers. Therefore, when light generated in the light emitting layer is extracted, reflection of external light inside the light emitting layer and between pixel regions can be suppressed, so that contrast can be improved. Here, since the light absorption layer has conductivity, even if it is provided on the first electrode, it does not affect current injection into the light emitting layer, and light absorption formed on the upper surface of the partition wall portion. When the layer has conductivity, it is possible to increase the conductivity of the second electrode and reduce the resistance. Furthermore, since the light absorption layer formed inside the pixel region and the light absorption layer formed on the upper surface of the partition wall have the same configuration, they can be formed at the same time, and an apparatus with a simple manufacturing process can be provided. It becomes.

また、本発明の有機ＥＬ装置は、前記光吸収層が、前記基板側から前記第２の電極側に向かって、第１金属層，透明導電層，第２金属層の順で積層されて構成されていることが好ましい。
本発明に係る有機ＥＬ装置では、発光層に入射される外光は、第２金属層で一部は反射し、一部は透明導電層を透過し第１金属層において反射されることになる。そして、第１金属層において反射した光と第２金属層において反射した光とが干渉して吸収される。したがって、ある程度薄い膜厚による積層で光の吸収が可能となり、各層を精度良く形成できるので、発光層内部や画素領域間における外光反射を確実に抑えることができ、コントラストを向上させることが可能となる。 In the organic EL device of the present invention, the light absorption layer is formed by laminating the first metal layer, the transparent conductive layer, and the second metal layer in this order from the substrate side to the second electrode side. It is preferable that
In the organic EL device according to the present invention, the external light incident on the light emitting layer is partly reflected by the second metal layer, and partly passes through the transparent conductive layer and is reflected by the first metal layer. . And the light reflected in the 1st metal layer and the light reflected in the 2nd metal layer interfere and are absorbed. Therefore, it is possible to absorb light by stacking with a certain thin film thickness, and each layer can be formed with high accuracy, so that reflection of outside light inside the light emitting layer and between pixel areas can be reliably suppressed, and contrast can be improved. It becomes.

また、本発明の有機ＥＬ装置は、前記光吸収層が、光吸収性を有する１層の導電材料から形成されても良い。
本発明に係る有機ＥＬ装置では、光吸収層が光吸収性を有する１層の導電材料からなるため、簡易な構成により、発光層内部や画素領域間における外光反射を抑えることができるので、低コスト化を図ることが可能となる。 In the organic EL device of the present invention, the light absorption layer may be formed of a single layer of conductive material having light absorption.
In the organic EL device according to the present invention, since the light absorption layer is made of a single layer of conductive material having light absorptivity, it is possible to suppress external light reflection inside the light emitting layer and between pixel regions with a simple configuration. Cost reduction can be achieved.

また、本発明の有機ＥＬ装置は、前記隔壁部は、前記基板に近い基端側よりも先端側に断面積が大きい部分を有することが好ましい。
本発明に係る有機ＥＬ装置では、隔壁部は、基板に近い基端側よりも先端側に断面積が大きい部分を有するため、例えば、蒸着法により、画素領域内部及び隔壁部上面に光吸収層を形成する際、影となる部分には光吸収層が形成されないことになる。そのため、画素領域内部と隔壁部上面との光吸収層は、隔壁部により正確に分離される。したがって、発光層内部や画素領域間における外光反射を確実に抑えることが可能となる。 In the organic EL device of the present invention, it is preferable that the partition wall has a portion having a larger cross-sectional area on the distal end side than on the proximal end side close to the substrate.
In the organic EL device according to the present invention, the partition wall portion has a portion having a larger cross-sectional area on the distal end side than the proximal end side close to the substrate. Therefore, for example, by a vapor deposition method, a light absorption layer is formed inside the pixel region and on the upper surface of the partition wall portion. When forming the light absorption layer, the light absorption layer is not formed in the shadowed portion. Therefore, the light absorption layer inside the pixel region and the partition wall upper surface is accurately separated by the partition wall. Therefore, it is possible to reliably suppress external light reflection inside the light emitting layer and between pixel regions.

また、本発明の有機ＥＬ装置は、前記隔壁部にコンタクトホールが設けられ、前記隔壁部上面に形成された光吸収層と、前記隔壁部より下層に形成された前記第２の電極の取り出し配線とが、前記コンタクトホールを通じて電気的に接続されていることが好ましい。   In the organic EL device of the present invention, the partition wall is provided with a contact hole, the light absorption layer formed on the top surface of the partition wall, and the second electrode extraction wiring formed below the partition wall Are preferably electrically connected through the contact hole.

本発明に係る有機ＥＬ装置では、光吸収層が導電性を有しているため、隔壁部上面に形成された光吸収層が補助電極として機能することが可能となる。したがって、第２の電極の取り出し配線からコンタクトホールを通じて補助電極に充分な電流を供給することができるため、輝度ムラを低減させることが可能となる。   In the organic EL device according to the present invention, since the light absorption layer has conductivity, the light absorption layer formed on the upper surface of the partition wall can function as an auxiliary electrode. Therefore, a sufficient current can be supplied from the second electrode lead-out wiring to the auxiliary electrode through the contact hole, so that luminance unevenness can be reduced.

また、本発明の有機ＥＬ装置は、前記発光層の縁部の高さが、前記隔壁部の上面の高さと略一致していることが好ましい。   In the organic EL device of the present invention, it is preferable that the edge of the light emitting layer has a height substantially equal to the height of the upper surface of the partition wall.

本発明に係る有機ＥＬ装置では、発光層の縁部の高さが、隔壁部の上面の高さと略一致しているため、発光層と隔壁部との上方にわたって第２の電極を積層する際、隔壁部における第２の電極の断裂を防止し、画素欠陥を減らすことが可能となる。   In the organic EL device according to the present invention, the height of the edge of the light emitting layer is substantially the same as the height of the upper surface of the partition wall, so that the second electrode is stacked over the light emitting layer and the partition wall. It is possible to prevent the second electrode from being broken in the partition wall and reduce pixel defects.

また、本発明の有機ＥＬ装置は、基板上に配列形成された複数の画素領域と、該画素領域の内部に前記画素領域毎に設けられた第１の電極と、該第１の電極の上方に前記複数の画素領域にわたって共通に設けられた第２の電極とを備え、前記第１の電極上方に配された発光層からの光を前記基板とは反対側に射出させる有機ＥＬ装置であって、前記基板上に形成され前記画素領域のそれぞれを区画する隔壁部と、導電性を有するとともに、前記画素領域内部に形成され前記第１の電極として機能する光吸収層と、前記隔壁部の上面に形成された導電性を有する光吸収層と、前記画素領域内部の光吸収層上方に形成された発光層とを備え、前記画素電極内部に形成された光吸収層と、前記隔壁部の上面に形成された光吸収層とは同一構成を有し、前記第２の電極と前記隔壁部上面に形成された光吸収層とは電気的に接続されていることを特徴とする。   In addition, the organic EL device of the present invention includes a plurality of pixel regions arranged on a substrate, a first electrode provided for each pixel region in the pixel region, and an upper portion of the first electrode. And an organic EL device that emits light from a light emitting layer disposed above the first electrode to the opposite side of the substrate. A partition wall formed on the substrate and partitioning each of the pixel regions; a light-absorbing layer that has conductivity and is formed inside the pixel region; and functions as the first electrode; and A conductive light absorption layer formed on the upper surface; and a light emitting layer formed above the light absorption layer inside the pixel region; a light absorption layer formed inside the pixel electrode; and It has the same structure as the light absorption layer formed on the upper surface. Characterized in that it is electrically connected to the light-absorbing layer formed on the partition wall upper surface and the second electrode.

本発明に係る有機ＥＬ装置では、画素領域内部に形成された光吸収層が第１の電極として機能するため、発光層で生じた光を取り出す際、発光層内部や画素領域間における外光の反射を抑えることができるので、コントラストを向上させることが可能となる。また、外光の反射を抑えるとともに、第１の電極としての作用を有する層を一度に形成することができるので、製造プロセスが簡易な装置を提供することが可能となる。   In the organic EL device according to the present invention, the light absorption layer formed inside the pixel region functions as the first electrode. Therefore, when the light generated in the light emitting layer is extracted, external light inside the light emitting layer or between the pixel regions Since reflection can be suppressed, contrast can be improved. In addition, since a layer having an action as the first electrode can be formed at a time while suppressing reflection of external light, an apparatus with a simple manufacturing process can be provided.

本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、前記基板上に、前記隔壁部を形成する工程と、蒸着法により、前記隔壁部が形成された基板に対して導電性光吸収材料を蒸着し、前記画素領域内部及び前記隔壁部上面に同時に前記導電性光吸収材料からなる光吸収層を形成する工程とを有することを特徴とする。   The method of manufacturing the organic EL device of the present invention includes a step of forming the partition wall on the substrate and a deposition method of depositing a conductive light-absorbing material on the substrate on which the partition wall is formed, Forming a light absorption layer made of the conductive light absorption material at the same time inside the pixel region and on the upper surface of the partition wall.

本発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法では、基板上に隔壁部を形成した後、蒸着法により、隔壁部が形成された基板に向かって導電性光吸収材料を蒸着する。この際、画素領域内部に形成された光吸収層と、隔壁部上面に形成された光吸収層とは、隔壁部により分離される。したがって、簡易な方法により、画素領域内部及び隔壁部上面に同一構造を有する光吸収層を同時に形成することができるとともに、画素領域内部及び隔壁部上面に均一性や緻密性の面で優れた光吸収層を形成することが可能となる。   In the method for manufacturing the organic EL device according to the present invention, after the partition wall is formed on the substrate, the conductive light-absorbing material is evaporated toward the substrate on which the partition wall is formed by a vapor deposition method. At this time, the light absorption layer formed in the pixel region and the light absorption layer formed on the upper surface of the partition wall are separated by the partition wall. Accordingly, a light absorbing layer having the same structure can be simultaneously formed in the pixel region and on the upper surface of the partition wall by a simple method, and light excellent in uniformity and density can be formed in the pixel region and on the upper surface of the partition wall. An absorption layer can be formed.

また、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、前記画素領域内部に形成された光吸収層上に、前記電荷注入層及び前記発光層を液滴吐出法により形成することが好ましい。   In the method for manufacturing an organic EL device of the present invention, it is preferable that the charge injection layer and the light emitting layer are formed on a light absorption layer formed inside the pixel region by a droplet discharge method.

本発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法では、電荷注入層及び発光層を液滴吐出法により形成する。この液滴吐出法とは、いわゆるインクジェットプリンタでよく知られている印刷技術であり、各種材料を液状化させた材料インクの液滴を、インクジェットヘッドから基板上に吐出し、定着させるものである。液滴吐出法によれば、微細な領域に材料インクの液滴を正確に吐出できるので、フォトリソグラフィを行うことなく、所望の領域の際まで直接材料インクを定着させることができる。したがって、材料の無駄も発生しないため、製造コストの低減を図ることが可能であるとともに、均一かつ正確に電荷注入層及び発光層を形成することができる。   In the method for manufacturing an organic EL device according to the present invention, the charge injection layer and the light emitting layer are formed by a droplet discharge method. This droplet discharge method is a printing technique well known for so-called inkjet printers, which discharge and fix a droplet of material ink obtained by liquefying various materials from an inkjet head onto a substrate. . According to the droplet discharge method, since the droplets of the material ink can be accurately discharged to a fine region, the material ink can be directly fixed to the desired region without performing photolithography. Accordingly, no material is wasted, so that the manufacturing cost can be reduced and the charge injection layer and the light emitting layer can be formed uniformly and accurately.

本発明の電子機器は、上記の有機ＥＬ装置を表示部として用いたことを特徴とする。
本発明に係る電子機器では、上述したように、コントラストが向上した有機ＥＬ装置を表示部として用いているので、コントラストの良い表示を得ることができる。 An electronic apparatus according to the present invention is characterized by using the organic EL device as a display unit.
In the electronic apparatus according to the present invention, as described above, since the organic EL device with improved contrast is used as the display unit, a display with good contrast can be obtained.

以下、本発明の第１実施形態を図面を参照して説明する。なお、図１から図８において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材の縮尺は実際のものと異なるように表わしている。   Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 to 8, the scale of each layer and each member is shown to be different from the actual scale so that each layer and each member has a size that can be recognized on the drawings.

図１は本実施形態の有機ＥＬ装置の一例である有機ＥＬ表示装置の配線構造を示す平面模式図である。
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１には、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線されている。そして、走査線１０１と信号線１０２とにより区画された領域が画素領域として構成されている。 FIG. 1 is a schematic plan view showing a wiring structure of an organic EL display device which is an example of the organic EL device of the present embodiment.
As shown in FIG. 1, the organic EL display device 1 of the present embodiment includes a plurality of scanning lines 101, a plurality of signal lines 102 extending in a direction intersecting the scanning lines 101, and the signal lines 102 in parallel. A plurality of power supply lines 103 extending are respectively wired. An area partitioned by the scanning line 101 and the signal line 102 is configured as a pixel area.

信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。   Connected to the signal line 102 is a data side driving circuit 104 including a shift register, a level shifter, a video line, and an analog switch. Further, a scanning side driving circuit 105 including a shift register and a level shifter is connected to the scanning line 101.

各画素領域には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量ｃａｐと、該保持容量ｃａｐによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１２３と、この駆動用薄膜トランジスタ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（第１の電極）１１１と、この画素電極１１１と陰極（第２の電極）１２との間に挟み込まれる機能層１１０とが設けられている。画素電極１１１と対向電極１２と機能層１１０により発光部Ａが構成され、有機ＥＬ表示装置１は、この発光部Ａをマトリクス状に複数備えて構成されている。   In each pixel region, a switching thin film transistor 112 to which a scanning signal is supplied to the gate electrode via the scanning line 101 and a pixel signal shared from the signal line 102 via the switching thin film transistor 112 are held. A capacitor cap, a driving thin film transistor 123 to which a pixel signal held by the holding capacitor cap is supplied to a gate electrode, and the power supply line when electrically connected to the power supply line 103 via the driving thin film transistor 123 A pixel electrode (first electrode) 111 into which a driving current flows from 103 and a functional layer 110 sandwiched between the pixel electrode 111 and the cathode (second electrode) 12 are provided. The pixel electrode 111, the counter electrode 12, and the functional layer 110 constitute a light emitting unit A, and the organic EL display device 1 includes a plurality of the light emitting units A in a matrix.

有機ＥＬ表示装置１の構成によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、更に機能層１１０を介して陰極１２に電流が流れる。機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。   According to the configuration of the organic EL display device 1, when the scanning line 101 is driven and the thin film transistor 112 for switching is turned on, the potential of the signal line 102 at that time is held in the holding capacitor cap, and the state of the holding capacitor cap Accordingly, the on / off state of the driving thin film transistor 123 is determined. Then, a current flows from the power supply line 103 to the pixel electrode 111 through the channel of the driving thin film transistor 123, and further a current flows to the cathode 12 through the functional layer 110. The functional layer 110 emits light according to the amount of current flowing through it.

図２は本表示装置の平面模式図であり、図３は図２をＩ−Ｉ′断面で切った断面模式図である。
図３に示すように、本実施形態の表示装置１は、基板２上に回路素子部１４と表示素子部１０が順に積層され、この積層体の形成された基板面が封止部３によって封止された構造を有する。表示素子部１０は、発光層１１０ｂを含む発光素子部１１と、発光素子部１１上に形成された陰極１２とからなる。この陰極１２及び封止部３は透光性を有しており、本表示装置１は、発光層から発した表示光が封止部３側から出射される、所謂トップエミッション型の表示装置として構成されている。 FIG. 2 is a schematic plan view of the display device, and FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of FIG. 2 taken along the line II ′.
As shown in FIG. 3, in the display device 1 of this embodiment, the circuit element unit 14 and the display element unit 10 are sequentially stacked on the substrate 2, and the substrate surface on which the stacked body is formed is sealed by the sealing unit 3. It has a stopped structure. The display element unit 10 includes a light emitting element unit 11 including a light emitting layer 110 b and a cathode 12 formed on the light emitting element unit 11. The cathode 12 and the sealing portion 3 have translucency, and the display device 1 is a so-called top emission type display device in which display light emitted from the light emitting layer is emitted from the sealing portion 3 side. It is configured.

基板２には、透明基板（又は半透明基板）又は不透明基板のいずれを用いることもできる。透明又は半透明な基板としては、例えばガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が挙げられ、特に、安価なソーダガラス基板が好適に用いられる。不透明な基板としては、例えばアルミナ等のセラミックやステンレススチール等の金属シートに表面酸化等の絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等が挙げられる。また、基板２は、図２に示すように、中央に位置する表示領域２ａと、基板２の周縁に位置して表示領域２ａを囲む非表示領域２ｂとに区画されている。
表示領域２ａは、マトリックス状に配置された発光部Ａによって形成される領域であり、表示領域の外側に非表示領域２ｂが形成されている。そして，非表示領域２ｂには、表示領域２ａに隣接するダミー表示領域２ｄが形成されている。 As the substrate 2, either a transparent substrate (or a translucent substrate) or an opaque substrate can be used. Examples of the transparent or translucent substrate include glass, quartz, resin (plastic, plastic film) and the like, and an inexpensive soda glass substrate is particularly preferably used. Examples of the opaque substrate include a thermosetting resin, a thermoplastic resin, and the like in addition to a ceramic sheet such as alumina or a metal sheet such as stainless steel subjected to an insulation treatment such as surface oxidation. As shown in FIG. 2, the substrate 2 is partitioned into a display region 2 a located at the center and a non-display region 2 b surrounding the display region 2 a located at the periphery of the substrate 2.
The display area 2a is an area formed by the light emitting portions A arranged in a matrix, and a non-display area 2b is formed outside the display area. In the non-display area 2b, a dummy display area 2d adjacent to the display area 2a is formed.

図３に示すように、回路素子部１４には、前述の走査線、信号線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ、駆動用の薄膜トランジスタ１２３等が備えられており、表示領域２ａに配置された各発光部Ａを駆動するようになっている。
陰極１２は、その一端が発光素子部１１上から基板２上に形成された陰極用配線１２０に接続しており、この配線の一端部がフレキシブル基板５上の配線５ａに接続されている。また、配線５ａは、フレキシブル基板５上に備えられた駆動ＩＣ６（駆動回路）に接続されている（図２参照）。 As shown in FIG. 3, the circuit element unit 14 includes the above-described scanning line, signal line, storage capacitor, switching thin film transistor, driving thin film transistor 123, and the like, and is arranged in the display region 2a. The light emitting unit A is driven.
One end of the cathode 12 is connected to the cathode wiring 120 formed on the substrate 2 from the light emitting element portion 11, and one end of the wiring is connected to the wiring 5 a on the flexible substrate 5. The wiring 5a is connected to a driving IC 6 (driving circuit) provided on the flexible substrate 5 (see FIG. 2).

また、回路素子部１４の非表示領域２ｂには、前述の電源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）が配線されている。
また、表示領域２ａの図２中両側には、前述の走査側駆動回路１０５、１０５が配置されている。この走査側駆動回路１０５、１０５はダミー領域２ｄの下側の回路素子部１４内に設けられている。更に回路素子部１４内には、走査側駆動回路１０５、１０５に接続される駆動回路用制御信号配線１０５ａと駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。
更に表示領域２ａの図２中上側には検査回路１０６が配置されている。この検査回路１０６により、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができる。 Further, the above-described power supply lines 103 (103R, 103G, 103B) are wired in the non-display area 2b of the circuit element unit 14.
Further, the above-described scanning side drive circuits 105 and 105 are arranged on both sides of the display area 2a in FIG. The scanning side drive circuits 105 and 105 are provided in the circuit element portion 14 below the dummy region 2d. Further, in the circuit element section 14, a drive circuit control signal line 105a and a drive circuit power supply line 105b connected to the scanning side drive circuits 105 and 105 are provided.
Further, an inspection circuit 106 is arranged above the display area 2a in FIG. The inspection circuit 106 can inspect the quality and defects of the display device during manufacturing or at the time of shipment.

封止部３は、基板２と、封止樹脂６０３を介して、封止基板（封止部材）６０４とから構成されている。封止樹脂６０３のガス透過性はできるだけ小さいものが好ましい。   The sealing unit 3 includes a substrate 2 and a sealing substrate (sealing member) 604 via a sealing resin 603. The gas permeability of the sealing resin 603 is preferably as small as possible.

図４に、本表示装置における表示領域２ａの断面構造を拡大した図を示す。この表示装置１は、基板２上に、ＴＦＴなどの回路等が形成された回路素子部１４と、画素電極１１１と、発光層１１０ｂを含む機能層１１０が形成された発光素子部１１と、陰極１２とが順次積層されて構成されている。   FIG. 4 shows an enlarged view of the cross-sectional structure of the display area 2a in the present display device. The display device 1 includes a circuit element portion 14 in which a circuit such as a TFT is formed on a substrate 2, a light emitting element portion 11 in which a functional layer 110 including a pixel electrode 111 and a light emitting layer 110b is formed, a cathode 12 are sequentially laminated.

回路素子部１４には、半導体膜１４１，ゲート絶縁膜１４２，ゲート電極１４３により薄膜トランジスタ１２３が構成されている。
尚、回路素子部１４には、前述した保持容量ｃａｐ及びスイッチング用の薄膜トランジスタ１４２も形成されているが、図４ではこれらの図示を省略している。 In the circuit element portion 14, a thin film transistor 123 is configured by the semiconductor film 141, the gate insulating film 142, and the gate electrode 143.
The circuit element unit 14 is also formed with the storage capacitor cap and the switching thin film transistor 142 described above, but these are not shown in FIG.

発光素子部１１は、画素領域内部に形成された光吸収層２０上にそれぞれ形成された機能層１１０と、基板２上に形成され画素領域のそれぞれを区画するバンク層１１２とを主体として構成されている。機能層１１０上には陰極１２が配置されており、これら画素電極１１１、機能層１１０及び陰極１２によって発光部Ａが構成されている。   The light emitting element portion 11 is mainly configured by a functional layer 110 formed on the light absorption layer 20 formed inside the pixel region and a bank layer 112 formed on the substrate 2 and partitioning each pixel region. ing. A cathode 12 is disposed on the functional layer 110, and the pixel electrode 111, the functional layer 110, and the cathode 12 constitute a light emitting unit A.

また、画素領域内部の画素電極１１１上及び後述するバンク層１１２（隔壁部）上面１１２ａには、光吸収層２０が形成されている。光吸収層２０は、導電性を有するとともに、画素領域内部の画素電極１１１の画素電極面１１１ａ上及びバンク層１１２の上面１１２ａにパターニングされて形成されている。また、画素領域内部の画素電極１１１上の光吸収層２０とバンク層１１２の上面１１２ａに形成された光吸収層２０とは同一構成となっている。ここで、同一構成とは、画素領域内部の画素電極１１１の画素電極面１１１ａ上の光吸収層２０とバンク層１１２の上面１１２ａの光吸収層２０とが、それぞれ３層構造であり、各々の層の膜厚，材料がすべて等しいことを意味している。また、陰極１２とバンク層１１２の上面１１２ａに形成された光吸収層２０とは電気的に接続されている。   Further, the light absorption layer 20 is formed on the pixel electrode 111 inside the pixel region and on the bank layer 112 (partition wall) upper surface 112a described later. The light absorption layer 20 has conductivity and is formed by patterning on the pixel electrode surface 111a of the pixel electrode 111 inside the pixel region and the upper surface 112a of the bank layer 112. The light absorption layer 20 on the pixel electrode 111 inside the pixel region and the light absorption layer 20 formed on the upper surface 112a of the bank layer 112 have the same configuration. Here, the same configuration means that the light absorption layer 20 on the pixel electrode surface 111a of the pixel electrode 111 inside the pixel region and the light absorption layer 20 on the upper surface 112a of the bank layer 112 each have a three-layer structure. This means that the layer thickness and material are all equal. The cathode 12 and the light absorption layer 20 formed on the upper surface 112 a of the bank layer 112 are electrically connected.

具体的に、光吸収層２０は、図５に示すように、基板２側から陰極１２側に向かって、第１金属層２１，透明導電層２２，第２金属層２３の順で積層されている。この第１，第２金属層２１，２３は、Ｔｉからなっており、第１金属層２１の厚みは約２００ｎｍ、第２金属層２３の厚みは約８ｎｍとなっている。また、透明導電層２２は、透明導電材料によって形成され、具体的にはＩＴＯが好適に用いられており、厚みは約５０ｎｍとなっている。   Specifically, as shown in FIG. 5, the light absorption layer 20 is laminated in the order of the first metal layer 21, the transparent conductive layer 22, and the second metal layer 23 from the substrate 2 side to the cathode 12 side. Yes. The first and second metal layers 21 and 23 are made of Ti, the thickness of the first metal layer 21 is about 200 nm, and the thickness of the second metal layer 23 is about 8 nm. The transparent conductive layer 22 is formed of a transparent conductive material, specifically, ITO is preferably used, and the thickness is about 50 nm.

バンク層１１２は、基板２上に形成された無機バンク層１１３と、この無機バンク層１１３上に隣接して形成された有機バンク層１１４とを備えている。
無機バンク層１１３は、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の無機絶縁材料からなり、図５に示すように、画素電極１１１に対応する開口部１１３ａを有するようにパターニングされている。そして、この開口部１１３ａの形状によって決定される領域を発光領域、すなわち、発光画素としている。また、有機バンク層１１４には、画素電極１１１に対応した開口部１１４ａが形成されている。 The bank layer 112 includes an inorganic bank layer 113 formed on the substrate 2 and an organic bank layer 114 formed adjacent to the inorganic bank layer 113.
Inorganic bank layer 113 is, for example, an inorganic insulating material SiO 2, TiO 2, etc., as shown in FIG. 5, which is patterned to have an opening 113a corresponding to the pixel electrode 111. A region determined by the shape of the opening 113a is a light emitting region, that is, a light emitting pixel. In addition, an opening 114 a corresponding to the pixel electrode 111 is formed in the organic bank layer 114.

さらに、有機バンク層１１４に仕切られた各領域において、画素電極１１１の電極面１１１ａは酸素を処理ガスとするプラズマ処理によって親液処理されており、親液性を示す。一方、開口部１１４ａの壁面及びバンク層１１２の上面１１２ａに形成された光吸収層２０の上面２０ａは、４フッ化メタンを処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフッ化処理（撥液処理）されており、撥液性を示す。   Further, in each region partitioned by the organic bank layer 114, the electrode surface 111a of the pixel electrode 111 is lyophilic by plasma processing using oxygen as a processing gas, and exhibits lyophilicity. On the other hand, the surface 20a of the light absorption layer 20 formed on the wall surface of the opening 114a and the upper surface 112a of the bank layer 112 is fluorinated (liquid repellent) by plasma treatment using tetrafluoromethane as a processing gas. And exhibits liquid repellency.

バンク層１１２の有機バンク層１１４は、図５に示すように、基板２に近い基端１１４ｂ側よりも先端１１４ｃ側に断面積が大きい部分を有する形状となっている。すなわち、本実施形態では、画素領域が配列されている平面方向の有機バンク１１４幅が、基端１１４ｂから先端１１４ｃに向かって漸次大きくなる形状となっている。
また、無機バンク１１３の開口部１１３ａ内には、画素電極面１１１ａ上に有機バンク１１４の端部１１４ｄを含む平面まで光吸収層２０が形成されている。すなわち、光吸収層２０は、図２に示すように、有機ＥＬ表示装置１を平面視した状態において、有機バンク１１４により影となる無機バンク１１３の表面１１３ｂには形成されていない形状となっている。 As shown in FIG. 5, the organic bank layer 114 of the bank layer 112 has a shape having a larger cross-sectional area on the distal end 114 c side than on the proximal end 114 b side near the substrate 2. That is, in the present embodiment, the width of the organic bank 114 in the planar direction in which the pixel regions are arranged has a shape that gradually increases from the base end 114b toward the tip end 114c.
In the opening 113a of the inorganic bank 113, the light absorption layer 20 is formed on the pixel electrode surface 111a up to a plane including the end 114d of the organic bank 114. That is, as shown in FIG. 2, the light absorption layer 20 has a shape that is not formed on the surface 113 b of the inorganic bank 113 that is shaded by the organic bank 114 when the organic EL display device 1 is viewed in plan. Yes.

機能層１１０は、画素電極１１１の画素電極面１１１ａ上に形成された光吸収層２０上に積層された正孔注入／輸送層（電荷注入層）１１０ａと、正孔注入／輸送層１１０ａ上に隣接して形成された発光層１１０ｂと、この発光層１１０ｂ上に隣接して形成された電子注入層（電荷注入層）１１０ｃとから構成されている。
正孔注入／輸送層１１０ａは、正孔を発光層１１０ｂに注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入／輸送層１１０ａ内部において輸送する機能を有する。この正孔注入／輸送層形成材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物を用いることができる。他に、フィジカルマスクを用いて、ＴＰＤ、α―ＮＰＤ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ,銅フタロシアニン等の低分子系正孔注入／輸送材料を蒸着法により画素領域にのみ形成できる。また、電子注入層１１０ｃは、電子を発光層１１０ｂに注入する機能を有するとともに、電子を電子注入層１１０ｃ内部において輸送する機能を有する。この電子注入層１１０ｃとしては、例えばリチウムキノリノール（Ｌｉｑ）やフッ化リチウム（ＬｉＦ）或いはバソフェンセシウム、Ａｌｑ３等を好適に用いることができる。また、仕事関数が４ｅＶ以下の金属、例えばＭｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｙｂ、Ｓｍなども用いることができる。 The functional layer 110 includes a hole injection / transport layer (charge injection layer) 110a stacked on the light absorption layer 20 formed on the pixel electrode surface 111a of the pixel electrode 111, and a hole injection / transport layer 110a. The light emitting layer 110b is formed adjacent to the light emitting layer 110b, and the electron injection layer (charge injection layer) 110c is formed adjacent to the light emitting layer 110b.
The hole injection / transport layer 110a has a function of injecting holes into the light emitting layer 110b and a function of transporting holes inside the hole injection / transport layer 110a. As the hole injection / transport layer forming material, for example, a mixture of a polythiophene derivative such as polyethylenedioxythiophene and polystyrenesulfonic acid can be used. In addition, low molecular hole injection / transport materials such as TPD, α-NPD, m-MTDATA, and copper phthalocyanine can be formed only in the pixel region by vapor deposition using a physical mask. The electron injection layer 110c has a function of injecting electrons into the light emitting layer 110b and a function of transporting electrons inside the electron injection layer 110c. As the electron injection layer 110c, for example, lithium quinolinol (Liq), lithium fluoride (LiF), bathophencesium, Alq3, or the like can be preferably used. A metal having a work function of 4 eV or less, such as Mg, Ca, Ba, Sr, Li, Na, Rb, Cs, Yb, Sm, or the like can also be used.

このような正孔注入／輸送層１１０ａ，電子注入層１１０ｃを、それぞれ画素電極１１１と発光層１１０ｂの間、及び、陰極１２と発光層１１０ｂとの間に設けることにより、発光層１１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。なお、正孔注入／輸送材料は、各色の発光層１１０ｂ毎に異ならせてもよく、又、特定の色の発光層１１０ｂに対して正孔注入／輸送層１１０ａを設けない構成とすることも可能である。
なお、発光層１１０ｂの材料によっては、電子注入層１１０ｃを形成しなくても良い。 By providing such a hole injection / transport layer 110a and an electron injection layer 110c between the pixel electrode 111 and the light emitting layer 110b and between the cathode 12 and the light emitting layer 110b, respectively, the light emission efficiency of the light emitting layer 110b. And device characteristics such as lifetime are improved. The hole injecting / transporting material may be different for each color of the light emitting layer 110b, or the hole injecting / transporting layer 110a may not be provided for the light emitting layer 110b of a specific color. Is possible.
Note that the electron-injecting layer 110c may not be formed depending on the material of the light-emitting layer 110b.

発光層１１０ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ１、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層１１０ｂ２、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層１１０ｂ３、の３種類を有し、各発光層１１０ｂ１〜１１０ｂ３が規則的に配列されている。この配列としては、ストライプ配列、デルタ配列等を適用できる。この発光層１１０ｂの材料としては、例えば、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン係色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、またはこれらの高分子材料にルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン、ルブレン等をドープして用いることができる。また低分子系の材料として、Ａｌｑ３、ＤＰＶＢｉ等に、上記のような低分子系材料をドーピングしてマスク蒸着することで、所望の発光を所定の配列で得ることができる。   The light emitting layer 110b has three types, a red light emitting layer 110b1 that emits red (R), a green light emitting layer 110b2 that emits green (G), and a blue light emitting layer 110b3 that emits blue (B). The light emitting layers 110b1 to 110b3 are regularly arranged. As this arrangement, a stripe arrangement, a delta arrangement, or the like can be applied. Examples of the material for the light emitting layer 110b include (poly) paraphenylene vinylene derivatives, polyphenylene derivatives, polyfluorene derivatives, polyvinyl carbazole, polythiophene derivatives, perylene dyes, coumarin dyes, rhodamine dyes, or polymer materials thereof. In addition, rubrene, perylene, 9,10-diphenylanthracene, tetraphenylbutadiene, Nile red, coumarin 6, quinacridone, rubrene and the like can be used. In addition, as a low molecular material, Alq3, DPVBi, or the like is doped with the low molecular material as described above and mask-deposited, whereby desired light emission can be obtained in a predetermined arrangement.

陰極１２には、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の金属酸化物からなる透光性の導電材料が用いられており、陰極１２は発光素子部１１の全面に形成されている。そして、画素電極１１１と対になって機能層１１０に電流を流す役割を果たす。
なお、陰極１２上には必要に応じてＳｉＯ，ＳｉＯ２，ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。 For the cathode 12, a light-transmitting conductive material made of a metal oxide such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) is used. Is formed. Then, it plays a role of flowing a current through the functional layer 110 in a pair with the pixel electrode 111.
An anti-oxidation protective layer made of SiO, SiO 2 , SiN or the like may be provided on the cathode 12 as necessary.

次に、以上の構成からなる本実施形態の有機ＥＬ表示装置１の製造方法について説明する。
本実施形態の表示装置１の製造方法は、例えば、（１）バンク部形成工程、（２）光吸収層形成工程（３）プラズマ処理工程（４）正孔注入／輸送層形成工程（第１液滴吐出工程を含む）、（５）発光層形成工程（第２液滴吐出工程を含む）、（６）電子注入層形成工程、（７）陰極形成工程及び（８）封止工程とを具備して構成されている。なお、製造方法はこれに限られるものではなく必要に応じてその他の工程が除かれる場合、また追加される場合もある。 Next, a manufacturing method of the organic EL display device 1 of the present embodiment having the above configuration will be described.
The manufacturing method of the display device 1 of the present embodiment includes, for example, (1) a bank part forming step, (2) a light absorption layer forming step (3) a plasma processing step (4) a hole injection / transport layer forming step (first Including a droplet discharging step), (5) a light emitting layer forming step (including a second droplet discharging step), (6) an electron injection layer forming step, (7) a cathode forming step, and (8) a sealing step. It is comprised. In addition, a manufacturing method is not restricted to this, When other processes are removed as needed, it may be added.

（１）バンク層形成工程
バンク層形成工程は、基板２の所定の位置にバンク層１１２を形成する工程である。以下に形成方法について説明する。
まず、図６に示すように、基板２上に走査線，信号線，薄膜トランジスタ１２３等の回路素子部１４を有し、層間絶縁膜１４４ａ，１４４ｂの上に複数の画素電極１１１が形成された素子基板を準備する。
そして、この基板２上に、図７に示すように、酸化シリコン等からなる無機絶縁膜を成膜し、フォトリソグラフィ技術により、現像、露光等の処理を施す。これにより、開口部１１３ａを有する無機バンク層１１３が形成される。次に、無機バンク層１１３上に、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する感光性材料を塗布し、フォトリソグラフィ技術により、画素電極１１１の配置された領域に開口部１１４ａを有する有機バンク層１１４が形成される。なお、バンク層１１２の高さは、０．１〜０．２μｍ程度が好ましい。このような範囲とする理由は以下の通りである。 (1) Bank Layer Forming Step The bank layer forming step is a step of forming the bank layer 112 at a predetermined position on the substrate 2. The formation method will be described below.
First, as shown in FIG. 6, an element having a circuit element portion 14 such as a scanning line, a signal line, and a thin film transistor 123 on a substrate 2 and a plurality of pixel electrodes 111 formed on interlayer insulating films 144a and 144b. Prepare the board.
Then, as shown in FIG. 7, an inorganic insulating film made of silicon oxide or the like is formed on the substrate 2, and processing such as development and exposure is performed by a photolithography technique. Thereby, the inorganic bank layer 113 having the opening 113a is formed. Next, a photosensitive material having heat resistance and solvent resistance such as acrylic resin and polyimide resin is applied on the inorganic bank layer 113, and the opening 114a is formed in the region where the pixel electrode 111 is disposed by photolithography. The organic bank layer 114 is formed. The height of the bank layer 112 is preferably about 0.1 to 0.2 μm. The reason for this range is as follows.

すなわち、発光層１１０ｂの縁部の高さをバンク層１１２の高さと略一致させるためである。この構成により、電子注入層１１０ｃとバンク層１１２の上面にわたって陰極１２を積層する際、バンク層１１２における陰極１２の断裂を防止し、画素欠陥を減らすことが可能となる。   That is, the height of the edge of the light emitting layer 110b is made to substantially coincide with the height of the bank layer 112. With this configuration, when the cathode 12 is stacked over the upper surfaces of the electron injection layer 110c and the bank layer 112, the cathode 12 in the bank layer 112 is prevented from being broken and pixel defects can be reduced.

（２）光吸収層形成工程
光吸収層形成工程は、画素領域内部及びバンク層１１２の上面１１２ａに光吸収層２０を形成する工程である。以下に形成方法について説明する。
まず、図７に示すように、蒸着法により、バンク層１１２が形成された基板２に対して、導電性光吸収材料を蒸着する。この導電性光吸収材料１１２は、Ｔｉからなる第１金属層２１が、画素電極１１１の画素電極面１１１ａ上及びバンク層１１２の上面１１２ａに２００ｎｍ蒸着される。この第１金属層２１上に、透明導電層２２であるＩＴＯが５０ｎｍ蒸着され、次いで、このＩＴＯ上に、Ｔｉからなる第２金属層２３が８ｎｍ蒸着され、Ｔｉ，ＩＴＯ，Ｔｉの順で３層積層された構造となる。さらに、この上に形成される正孔注入層への正孔注入性を高めるために、仕事関数の大きな透明導電性材料、例えばＩＴＯを第２金属層の上に数ｎｍ〜１０ｎｍ程度成膜すると良い。
このように、画素領域内部とバンク層１１２の上面１１２ａには、同時に光吸収層２０が形成される。そして、画素領域内部の光吸収層２０は、有機バンク層１１４により影となる無機バンク層１１３の表面１１３ｂには形成されていない形状となる。 (2) Light Absorbing Layer Forming Step The light absorbing layer forming step is a step of forming the light absorbing layer 20 inside the pixel region and on the upper surface 112a of the bank layer 112. The formation method will be described below.
First, as shown in FIG. 7, a conductive light-absorbing material is vapor-deposited on the substrate 2 on which the bank layer 112 is formed by vapor deposition. In the conductive light absorbing material 112, the first metal layer 21 made of Ti is deposited by 200 nm on the pixel electrode surface 111 a of the pixel electrode 111 and on the upper surface 112 a of the bank layer 112. On the first metal layer 21, ITO, which is the transparent conductive layer 22, is deposited by 50 nm, and then on the ITO, a second metal layer 23 made of Ti is deposited by 8 nm, and Ti, ITO, Ti in this order 3 A layered structure is obtained. Furthermore, in order to improve the hole injection property to the hole injection layer formed thereon, when a transparent conductive material having a large work function, for example, ITO, is formed on the second metal layer by several nm to 10 nm. good.
As described above, the light absorption layer 20 is simultaneously formed in the pixel region and on the upper surface 112 a of the bank layer 112. The light absorption layer 20 inside the pixel region has a shape that is not formed on the surface 113 b of the inorganic bank layer 113 that is shaded by the organic bank layer 114.

（３）プラズマ処理工程
次いで、素子基板２の表面に、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域とを形成する。
本実施形態においては、プラズマ処理によって各領域を形成するものする。具体的には、該プラズマ処理は、予備加熱工程と、有機バンク層１１４の表面および開口部１１４ａの壁面ならびに画素電極１１１の電極面１１１ａ、無機バンク層１１３の表面をそれぞれ親液性にする親液化工程と、バンク層１１２の上面１１２ａに形成された光吸収層２０の上面２０ａ及び有機バンク層１１４の開口部１１４ａの壁面を撥液性にする撥液化工程と、冷却工程とで構成する。 (3) Plasma treatment process
Next, a region showing lyophilicity and a region showing liquid repellency are formed on the surface of the element substrate 2.
In the present embodiment, each region is formed by plasma processing. Specifically, the plasma treatment includes a preheating step, a lyophilic process for making the surface of the organic bank layer 114 and the wall surface of the opening 114a, the electrode surface 111a of the pixel electrode 111, and the surface of the inorganic bank layer 113 lyophilic. The process includes a liquefaction process, a lyophobic process that makes the upper surface 20a of the light absorption layer 20 formed on the upper surface 112a of the bank layer 112 and the wall surface of the opening 114a of the organic bank layer 114 lyophobic, and a cooling process.

すなわち、基材（バンクなどを含む素子基板２）を所定温度、例えば７０〜８０℃程度に加熱し、次いで親液化工程として大気圧下で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ２プラズマ処理）を行う。次いで、撥液化工程として大気圧下で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ４プラズマ処理）を行い、その後、プラズマ処理のために加熱された基材を室温まで冷却することで、親液性および撥液性が所定箇所に付与されることとなる。   That is, the base material (element substrate 2 including a bank or the like) is heated to a predetermined temperature, for example, about 70 to 80 ° C., and then a plasma treatment (O 2 plasma treatment) using oxygen as a reaction gas at atmospheric pressure as a lyophilic process. Do. Next, a plasma treatment (CF4 plasma treatment) using methane tetrafluoride as a reaction gas under atmospheric pressure is performed as a lyophobic process, and then the base material heated for the plasma treatment is cooled to room temperature. Liquidity and liquid repellency are imparted to a predetermined location.

なお、このＣＦ４プラズマ処理においては、画素電極１１１の電極面１１１ａ及び無機バンク層１１３についても多少の影響を受けるが、画素電極１１１の材料であるＩＴＯおよび無機バンク層１１３の構成材料であるＳｉＯ２、ＴｉＯ２などはフッ素に対する親和性に乏しいため、親液化工程で付与された水酸基がフッ素基で置換されることがなく、親液性が保たれる。   In this CF4 plasma treatment, the electrode surface 111a of the pixel electrode 111 and the inorganic bank layer 113 are also somewhat affected, but ITO, which is a material of the pixel electrode 111, and SiO2, which is a constituent material of the inorganic bank layer 113, Since TiO2 or the like has a poor affinity for fluorine, the hydroxyl group imparted in the lyophilic step is not substituted with the fluorine group, and the lyophilic property is maintained.

（４）正孔注入／輸送層形成工程
次いで、図８に示すように、正孔輸送層形成工程によって正孔注入/輸送層１１０ａを形成する。この正孔輸送層形成工程では、高分子材料を用いる場合には、液滴吐出法として、特にインクジェット法が好適に採用される。すなわち、このインクジェット法により、正孔輸送層形成材料を電極面１１１ａ上に選択的に配し、これを塗布する。その後、乾燥処理および熱処理を行い、画素電極１１１上に正孔注入/輸送層１１０ａを形成する。正孔注入/輸送層１１０ａの形成材料としては、例えば前記のＰＥＤＯＴ：ＰＳＳをイソプロピルアルコールなどの極性溶媒に分散させたものが用いられる。 (4) Hole Injection / Transport Layer Formation Step Next, as shown in FIG. 8, the hole injection / transport layer 110a is formed by the hole transport layer formation step. In this hole transport layer forming step, when a polymer material is used, an inkjet method is particularly preferably employed as a droplet discharge method. That is, by this ink jet method, the hole transport layer forming material is selectively disposed on the electrode surface 111a and applied. Thereafter, drying treatment and heat treatment are performed to form the hole injection / transport layer 110 a on the pixel electrode 111. As a material for forming the hole injection / transport layer 110a, for example, a material in which the PEDOT: PSS is dispersed in a polar solvent such as isopropyl alcohol is used.

ここで、このインクジェット法による正孔注入/輸送層１１０ａの形成にあたっては、まず、インクジェットヘッド（図示略）に正孔輸送層形成材料を充填し、インクジェットヘッドの吐出ノズルを無機バンク層１１３に形成された開口部１１３ａ内に位置する電極面１１１ａに対向させ、インクジェットヘッドと基材（素子基板２）とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御された液滴を電極面１１１ａに吐出する。次に、吐出後の液滴を乾燥処理し、正孔輸送層材料に含まれる分散媒や溶媒を蒸発させることにより、正孔注入/輸送層１１０ａを形成する。   Here, in forming the hole injection / transport layer 110a by the ink jet method, first, a hole transport layer forming material is filled in an ink jet head (not shown), and a discharge nozzle of the ink jet head is formed in the inorganic bank layer 113. The liquid droplets whose liquid amount per droplet is controlled from the discharge nozzles while the ink jet head and the base material (element substrate 2) are relatively moved so as to face the electrode surface 111a located in the opening 113a. Discharge onto the surface 111a. Next, the discharged droplets are dried and the dispersion medium and solvent contained in the hole transport layer material are evaporated, thereby forming the hole injection / transport layer 110a.

このとき、吐出ノズルから吐出された液滴は、親液性処理がなされた電極面１１１ａ上にて広がり、無機バンク層１１３の開口部１１３ａ内に満たされて該開口部１１３ａ内に臨むようになる。
その一方で、撥液処理されたバンク層１１２の上面１１２ａに形成された光吸収層２０の上面２０ａでは、液滴がはじかれて付着しない。したがって、液滴が所定の吐出位置からずれて、液滴の一部がバンク層１１２の上面１１２ａの光吸収層２０の上面２０ａ及び有機バンク層１１４の開口部１１４ａの表面にかかったとしても、該表面が液滴で濡れることがなく、弾かれた液滴が有機バンク層１１４の開口部１１４ａ内に引き込まれる。
なお、この正孔輸送層形成工程以降では、各種の形成材料や形成した要素の酸化・吸湿を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気などの不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
本実施例はインクジェット法を用いたが、低分子材料を用いて、フィジカルマスク越しに正孔注入輸送材料を蒸着成膜しても良い。この場合、前処理としては、酸素プラズマ処理またはオゾンＵＶ処理だけでよく、ＣＦ４プラズマ処理は必ずしも必要無い。 At this time, the droplets discharged from the discharge nozzle spread on the electrode surface 111a that has been subjected to the lyophilic treatment, and are filled in the opening 113a of the inorganic bank layer 113 so as to face the opening 113a. Become.
On the other hand, on the upper surface 20a of the light absorption layer 20 formed on the upper surface 112a of the bank layer 112 subjected to the liquid repellent treatment, droplets are repelled and do not adhere. Therefore, even if the droplet is displaced from the predetermined discharge position and a part of the droplet is applied to the upper surface 20a of the light absorption layer 20 on the upper surface 112a of the bank layer 112 and the surface of the opening 114a of the organic bank layer 114, The surface does not get wet with droplets, and the repelled droplets are drawn into the openings 114 a of the organic bank layer 114.
In addition, after this positive hole transport layer formation process, it is preferable to carry out in inert gas atmospheres, such as nitrogen atmosphere and argon atmosphere, in order to prevent oxidation and moisture absorption of various formation materials and the formed element.
In this embodiment, the ink jet method is used. However, a hole injecting and transporting material may be formed by vapor deposition through a physical mask using a low molecular material. In this case, only oxygen plasma treatment or ozone UV treatment may be used as pretreatment, and CF4 plasma treatment is not necessarily required.

（５）発光層形成工程
次いで、図８に示すように、発光層形成工程による発光層１１０ｂの形成を行う。
発光層形成工程では、高分子材料を用いる場合には、上述した正孔注入/輸送層１１０ａの形成と同様に、液滴吐出法であるインクジェット法が好適に採用される。すなわち、インクジェット法により、発光層形成材料を正孔注入/輸送層１１０ａ上に吐出し、その後、乾燥処理および熱処理を行うことにより、有機バンク層１１４に形成された開口部１１４ａ内、すなわち画素領域上に発光層１１０ｂを形成する。
以上の正孔注入/輸送層１１０ａの形成工程と発光層１１０ｂの形成工程とにより、本発明における機能層１１０を形成することができる。本実施例はインクジェット法を用いたが、低分子材料を用いて、フィジカルマスク越しに発光材料を蒸着成膜しても良い。 (5) Light-Emitting Layer Formation Step Next, as shown in FIG. 8, the light-emitting layer 110b is formed by the light-emitting layer formation step.
In the light emitting layer forming step, when a polymer material is used, an ink jet method which is a droplet discharge method is suitably employed as in the formation of the hole injection / transport layer 110a described above. That is, the light emitting layer forming material is discharged onto the hole injecting / transporting layer 110a by the ink jet method, and then dried and heat-treated to thereby form the inside of the opening 114a formed in the organic bank layer 114, that is, the pixel region. A light emitting layer 110b is formed thereon.
The functional layer 110 in the present invention can be formed by the hole injection / transport layer 110a formation process and the light emitting layer 110b formation process. In this embodiment, an ink jet method is used, but a light emitting material may be deposited by vapor deposition through a physical mask using a low molecular material.

（６）電子注入層形成工程
電子注入層形成工程では、図４に示すように、発光層１１０ｂ及びバンク層１１２の全面に、ＬｉＦ等からなる電子注入層１１０ｃを形成する。
電子注入層１１０ｃは、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、熱、プラズマ、紫外線などによる発光層１１０ｂの損傷を防止できる点で好ましい。 (6) Electron Injection Layer Formation Step In the electron injection layer formation step, an electron injection layer 110c made of LiF or the like is formed on the entire surface of the light emitting layer 110b and the bank layer 112 as shown in FIG.
The electron injection layer 110c is preferably formed by a vapor deposition method, a sputtering method, a CVD method, or the like. In particular, the electron injection layer 110c is preferably formed by a vapor deposition method from the viewpoint of preventing damage to the light emitting layer 110b due to heat, plasma, ultraviolet rays, or the like.

（７）陰極形成工程
陰極形成工程では、イオンプレーティング法により、電子注入層１１０ｃの全面にＩＴＯ等の金属酸化物からなる陰極１２を形成する。
成膜原料には、例えばＩｎとＳｎとの合金を用い、キャリアガスとして例えばネオン（Ｎｅ），アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ），キセノン（Ｘｅ）等の不活性ガスを用いることができる。 (7) Cathode Formation Step In the cathode formation step, the cathode 12 made of a metal oxide such as ITO is formed on the entire surface of the electron injection layer 110c by ion plating.
For example, an alloy of In and Sn is used as a film forming material, and an inert gas such as neon (Ne), argon (Ar), krypton (Kr), or xenon (Xe) can be used as a carrier gas.

（８）封止工程
封止工程は、図４に示すように、陰極１２上に封止層２５を形成した後、図３に示すように、発光素子が形成された基板２の前面に封止基板６０４を配置し、基板２と封止基板６０４を封止樹脂６０３により接着する工程である。この工程により基板２上に封止部３を形成する。
封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極１２にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極１２に侵入して陰極１２が酸化されるおそれがあるので好ましくない。 (8) Sealing Step In the sealing step, as shown in FIG. 4, after the sealing layer 25 is formed on the cathode 12, as shown in FIG. 3, sealing is performed on the front surface of the substrate 2 on which the light emitting element is formed. This is a step of disposing the stop substrate 604 and bonding the substrate 2 and the sealing substrate 604 with the sealing resin 603. By this process, the sealing portion 3 is formed on the substrate 2.
The sealing step is preferably performed in an inert gas atmosphere such as nitrogen, argon, or helium. If it is carried out in the air, when a defect such as a pinhole has occurred in the cathode 12, water or oxygen may enter the cathode 12 from the defective portion and the cathode 12 may be oxidized, which is not preferable.

本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１では、内部に入射した外光のうち、光吸収層２０のＴｉからなる第２金属層２３において一部は反射し、一部は透過する。そして、第２金属層２３を透過した光は、透明導電層２２であるＩＴＯを透過し、Ｔｉからなる第１金属層２１において反射される。このとき、第１金属層２１において反射した光と第２金属層２３において反射した光とが干渉し吸収されるため、画素電極１１１における外光の反射をおさえることができる。したがって、発光層１１０ｂから発光し、封止部３側から出射される表示光は、外光を含んでいないため、コントラストを向上させることが可能となる。   In the organic EL display device 1 according to this embodiment, part of the external light incident on the inside is reflected and partly transmitted by the second metal layer 23 made of Ti of the light absorption layer 20. And the light which permeate | transmitted the 2nd metal layer 23 permeate | transmits ITO which is the transparent conductive layer 22, and is reflected in the 1st metal layer 21 which consists of Ti. At this time, since the light reflected by the first metal layer 21 and the light reflected by the second metal layer 23 interfere and are absorbed, reflection of external light at the pixel electrode 111 can be suppressed. Accordingly, the display light emitted from the light emitting layer 110b and emitted from the sealing portion 3 side does not include external light, so that the contrast can be improved.

また、画素電極１１１の画素電極面１１１ａ上に形成された光吸収層２０は陽極として作用し、発光層１１０ｂが発光しない場合の光吸収を行うことが可能である。さらに、陰極１２とバンク層１１２の上面１１２ａに形成された光吸収層２０とは電気的に接続されているため、この光吸収層２０により、一般的に抵抗が高い陰極１２を電気的に補助しつつ、有機ＥＬ表示装置１に入射される外光の吸収を行うことができる。   Further, the light absorption layer 20 formed on the pixel electrode surface 111a of the pixel electrode 111 functions as an anode, and can absorb light when the light emitting layer 110b does not emit light. Further, since the cathode 12 and the light absorption layer 20 formed on the upper surface 112a of the bank layer 112 are electrically connected, the light absorption layer 20 electrically assists the cathode 12 having a generally high resistance. In addition, external light incident on the organic EL display device 1 can be absorbed.

また、本実施形態では、インクジェット法により、正孔注入／輸送層１１０ａ、発光層１１０ｂ、電子注入層１１０ｃを形成することにより、これらの層を画素領域の際まで充填できる。したがって、電子注入層１１０ｃ上面に陰極１２を積層する際、さらなる陰極１２の断裂を防止することが可能となる。有機層の膜厚制御を行えば、蒸着法にも適用できる。   In this embodiment, the hole injection / transport layer 110a, the light emitting layer 110b, and the electron injection layer 110c are formed by an inkjet method, and these layers can be filled up to the pixel region. Therefore, when the cathode 12 is laminated on the upper surface of the electron injection layer 110c, it is possible to prevent further tearing of the cathode 12. If the thickness of the organic layer is controlled, it can also be applied to a vapor deposition method.

（有機ＥＬ装置の第２実施形態）
次に、本発明に係る第２実施形態について、図９を参照して説明する。なお、以下に説明する各実施形態において、上述した第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１と構成を共通とする箇所には同一符号を付けて、説明を省略することにする。
本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置２００において、第１実施形態と異なる点は、バンク層（隔壁部）２０１の構成である。 (Second Embodiment of Organic EL Device)
Next, a second embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG. In each embodiment described below, portions having the same configuration as those of the organic EL display device 1 according to the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
In the organic EL display device 200 according to the present embodiment, the difference from the first embodiment is the configuration of the bank layer (partition wall portion) 201.

バンク層２０１は、第１実施形態と同様に、無機バンク層２０２上に有機バンク層２０３が形成されている。また、無機バンク層２０２及び有機バンク層２０３には、コンタクトホール２０４が設けられている。
また、バンク層２０１の下方、すなわち、画素電極１１１間の無機バンク層２０２内には、陰極１２の取り出し配線２０５が形成されている。この陰極取り出し配線２０５と、バンク層２０１上面に形成された光吸収層２０とがコンタクトホール２０４内に充填された導体を通じて電気的に接続されている。 In the bank layer 201, the organic bank layer 203 is formed on the inorganic bank layer 202 as in the first embodiment. In addition, contact holes 204 are provided in the inorganic bank layer 202 and the organic bank layer 203.
A lead-out wiring 205 for the cathode 12 is formed below the bank layer 201, that is, in the inorganic bank layer 202 between the pixel electrodes 111. The cathode lead-out wiring 205 and the light absorption layer 20 formed on the upper surface of the bank layer 201 are electrically connected through a conductor filled in the contact hole 204.

本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置２００では、バンク層２０１上面に形成された光吸収層２０が補助電極として機能し、陰極１２の取り出し配線２０５からコンタクトホール２０４を通じて補助電極に充分な電流を画面全体にわたって均一に供給することができるため、よりコントラストを向上させることが可能となる。   In the organic EL display device 200 according to the present embodiment, the light absorption layer 20 formed on the upper surface of the bank layer 201 functions as an auxiliary electrode, and a sufficient current is supplied to the auxiliary electrode through the contact hole 204 from the lead-out wiring 205 of the cathode 12. Since it can supply uniformly over the whole, it becomes possible to improve contrast more.

[電子機器]
以下、上述の有機ＥＬ装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
図１０は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１０において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記有機ＥＬ装置を用いた表示部を示している。このように電子機器の表示部に上記実施の形態の有機ＥＬ装置を用いることで、高性能な表示部を備えた電子機器を安価に提供することができる。 [Electronics]
Hereinafter, specific examples of the electronic device including the above-described organic EL device will be described.
FIG. 10 is a perspective view showing an example of a mobile phone. In FIG. 10, reference numeral 1000 denotes a mobile phone body, and reference numeral 1001 denotes a display unit using the organic EL device. As described above, by using the organic EL device of the above embodiment for a display portion of an electronic device, an electronic device including a high-performance display portion can be provided at low cost.

なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、光吸収層２０は、第１金属層２１，透明導電層２２，第２金属層２３の３層構造としたが、光吸収性を有する１層のカーボンブラック等の導電材料からなっていても良い。また、画素領域内部の画素電極１１１の画素電極面１１１ａ上に形成された光吸収層２０が、図１１に示すように、導電性を有するとともに、画素領域内部に形成され画素電極１１１として機能する光吸収層２５０であっても良い。この構成により、外光の反射を抑えるとともに、陽極としての作用を有する層を一度に形成することができるので、製造プロセスが簡易な装置を提供することが可能となる。
また、発光層６０を形成するための材料をＲＧＢの３色に打ち分けたが、発光層６０を白色発光層とし、三原色のカラーフィルタで分解する構成であっても良い。 The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
For example, the light absorption layer 20 has a three-layer structure of a first metal layer 21, a transparent conductive layer 22, and a second metal layer 23, but is made of a conductive material such as a single layer of carbon black having light absorption. Also good. Further, as shown in FIG. 11, the light absorption layer 20 formed on the pixel electrode surface 111a of the pixel electrode 111 inside the pixel region has conductivity and is formed inside the pixel region and functions as the pixel electrode 111. The light absorption layer 250 may be used. With this configuration, reflection of external light can be suppressed and a layer having an action as an anode can be formed at a time, so that an apparatus with a simple manufacturing process can be provided.
Further, although the materials for forming the light emitting layer 60 are classified into three colors of RGB, the light emitting layer 60 may be a white light emitting layer and may be decomposed by a color filter of three primary colors.

さらに、上記各実施形態において、導電性の光吸収層２０の第１金属層を２００ｎｍ以上積層することにより、光吸収層２０の導電性を充分確保できるため、陰極１２の補助電極として充分機能させることができる。なお、パネルサイズ，発光材料，画素開口率に応じてこの第１金属層２１の厚みを最適化することが可能である。
また、光吸収層２０の上面２０ａ（第２金属層２３の上面）、すなわち、正孔注入／輸送層１１０ａに接する光吸収層２０の面には、ＩＴＯ等のように、仕事関数が４．６〜５．３ｅＶ程度の薄膜を成膜すると良い。具体的には、例えば、光吸収層（Ｔｉ／ＩＴＯ／Ｔｉ）２０の上にＩＴＯを１０ｎｍ程度積層する。ＩＴＯを積層することにより、正孔注入／輸送層１１０ａを形成し易くなるとともに、保護層として機能することが可能となる。なお、光吸収層２０と正孔注入／輸送層１１０ａとの界面に用いる材料としては、他の金属、例えば、金、銅、鉄、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｎ等を用いても良い。 Further, in each of the embodiments described above, the first metal layer of the conductive light absorption layer 20 is laminated by 200 nm or more, so that the conductivity of the light absorption layer 20 can be sufficiently secured, so that it functions sufficiently as an auxiliary electrode of the cathode 12. be able to. Note that the thickness of the first metal layer 21 can be optimized according to the panel size, the light emitting material, and the pixel aperture ratio.
In addition, the work function is 4 on the upper surface 20a of the light absorption layer 20 (the upper surface of the second metal layer 23), that is, on the surface of the light absorption layer 20 in contact with the hole injection / transport layer 110a. A thin film of about 6 to 5.3 eV is preferably formed. Specifically, for example, about 10 nm of ITO is laminated on the light absorption layer (Ti / ITO / Ti) 20. By laminating ITO, the hole injection / transport layer 110a can be easily formed and can function as a protective layer. In addition, as a material used for the interface between the light absorption layer 20 and the hole injection / transport layer 110a, other metals such as gold, copper, iron, Ni, Cr, Co, Mo, Ta, W, Zn, and the like are used. It may be used.

本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ装置の配線構造を示す図である。It is a figure which shows the wiring structure of the organic electroluminescent apparatus of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ装置の平面図である。1 is a plan view of an organic EL device according to a first embodiment of the present invention. 図２のＩ−Ｉ′断面図である。It is II 'sectional drawing of FIG. 図１の有機ＥＬ装置の要部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the principal part of the organic EL apparatus of FIG. 図１の有機ＥＬ装置の要部を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view which shows the principal part of the organic EL apparatus of FIG. 図１の有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図である。It is process drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus of FIG. 図１の有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図である。It is process drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus of FIG. 図１の有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図である。It is process drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus of FIG. 本発明の第２の実施形態の有機ＥＬ装置の配線構造を示す図である。It is a figure which shows the wiring structure of the organic electroluminescent apparatus of the 2nd Embodiment of this invention. 電子機器を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows an electronic device. 本発明の各実施形態の有機ＥＬ装置の変形例の配線構造を示す図である。It is a figure which shows the wiring structure of the modification of the organic electroluminescent apparatus of each embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１，２００…有機ＥＬ表示装置、２…基板、１２…陰極（第２の電極）、１１０ａ…正孔注入／輸送層（電荷注入層）、１１０ｃ…電子注入層（電荷注入層）、１１１…画素電極（第１の電極）、１１２…バンク層（隔壁部）、１１２ａ…バンク層の上面、１１４ｂ…バンク層の基端、１１４ｃ…バンク層の先端、２０１…バンク層（隔壁部）、２０４…コンタクトホール、２０５…陰極取り出し配線、１０００…電子機器


DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,200 ... Organic EL display device, 2 ... Substrate, 12 ... Cathode (second electrode), 110a ... Hole injection / transport layer (charge injection layer), 110c ... Electron injection layer (charge injection layer), 111 ... Pixel electrode (first electrode), 112... Bank layer (partition wall), 112 a... Upper surface of bank layer, 114 b... Base end of bank layer, 114 c. ... Contact hole, 205 ... Cathode extraction wiring, 1000 ... Electronic equipment


Claims (10)

基板上に配列形成された複数の画素領域と、該画素領域の内部に前記画素領域毎に設けられた第１の電極と、該第１の電極の上方に前記複数の画素領域にわたって共通に設けられた第２の電極とを備え、前記第１の電極上方に配された発光層からの光を前記基板とは反対側に射出させる有機ＥＬ装置であって、
前記基板上に形成され前記画素領域のそれぞれを区画する隔壁部と、
前記画素領域内部の前記第１の電極上に形成された導電性を有する光吸収層と、
前記隔壁部の上面に形成された導電性を有する光吸収層と、
前記画素領域内部の光吸収層上方に形成された発光層とを備え、
前記第１の電極上に形成された光吸収層と、前記隔壁部の上面に形成された光吸収層とは同一構成を有し、前記第２の電極と前記隔壁部上面に形成された光吸収層とは電気的に接続されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。 A plurality of pixel areas arranged on the substrate, a first electrode provided for each of the pixel areas inside the pixel area, and a common area over the plurality of pixel areas above the first electrode An organic EL device that emits light from a light emitting layer disposed above the first electrode to the opposite side of the substrate,
A partition wall formed on the substrate and partitioning each of the pixel regions;
A conductive light absorbing layer formed on the first electrode inside the pixel region;
A conductive light absorption layer formed on the upper surface of the partition;
A light emitting layer formed above the light absorption layer inside the pixel region,
The light absorption layer formed on the first electrode and the light absorption layer formed on the upper surface of the partition wall have the same structure, and the light formed on the second electrode and the upper surface of the partition wall. An organic EL device that is electrically connected to an absorption layer. 前記光吸収層が、前記基板側から前記第２の電極側に向かって、第１金属層，透明導電層，第２金属層の順で積層されて構成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。   The light absorption layer is configured by laminating a first metal layer, a transparent conductive layer, and a second metal layer in this order from the substrate side to the second electrode side. 2. The organic EL device according to 1. 前記光吸収層が、光吸収性を有する１層の導電材料からなることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。   The organic EL device according to claim 1, wherein the light absorption layer is made of a single layer of conductive material having light absorption. 前記隔壁部は、前記基板に近い基端側よりも先端側に断面積が大きい部分を有することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置。   4. The organic EL device according to claim 1, wherein the partition wall portion has a portion having a larger cross-sectional area on a distal end side than a proximal end side close to the substrate. 前記隔壁部にコンタクトホールが設けられ、
前記隔壁部上面に形成された光吸収層と、前記隔壁部より下層に形成された前記第２の電極の取り出し配線とが、前記コンタクトホールを通じて電気的に接続されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置。 Contact holes are provided in the partition walls,
The light absorption layer formed on the upper surface of the partition wall and the lead-out wiring for the second electrode formed below the partition wall are electrically connected through the contact hole. The organic EL device according to any one of claims 1 to 4. 前記発光層の縁部の高さが、前記隔壁部の上面の高さと略一致していることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置。   6. The organic EL device according to claim 1, wherein a height of an edge portion of the light emitting layer substantially coincides with a height of an upper surface of the partition wall portion. 基板上に配列形成された複数の画素領域と、該画素領域の内部に前記画素領域毎に設けられた第１の電極と、該第１の電極の上方に前記複数の画素領域にわたって共通に設けられた第２の電極とを備え、前記第１の電極上方に配された発光層からの光を前記基板とは反対側に射出させる有機ＥＬ装置であって、
前記基板上に形成され前記画素領域のそれぞれを区画する隔壁部と、
導電性を有するとともに、前記画素領域内部に形成され前記第１の電極として機能する光吸収層と、
前記隔壁部の上面に形成された導電性を有する光吸収層と、
前記画素領域内部の光吸収層上方に形成された発光層とを備え、
前記画素電極内部に形成された光吸収層と、前記隔壁部の上面に形成された光吸収層とは同一構成を有し、前記第２の電極と前記隔壁部上面に形成された光吸収層とは電気的に接続されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。 A plurality of pixel areas arranged on the substrate, a first electrode provided for each of the pixel areas inside the pixel area, and a common area over the plurality of pixel areas above the first electrode An organic EL device that emits light from a light emitting layer disposed above the first electrode to the opposite side of the substrate,
A partition wall formed on the substrate and partitioning each of the pixel regions;
A light absorption layer that has conductivity and is formed inside the pixel region and functions as the first electrode;
A conductive light absorption layer formed on the upper surface of the partition;
A light emitting layer formed above the light absorption layer inside the pixel region,
The light absorption layer formed inside the pixel electrode and the light absorption layer formed on the upper surface of the partition wall have the same configuration, and the light absorption layer formed on the second electrode and the upper surface of the partition wall Is an organic EL device that is electrically connected. 前記基板上に前記隔壁部を形成する工程と、
蒸着法により前記隔壁部が形成された基板に対して導電性光吸収材料を成膜し、前記画素領域内部及び前記隔壁部上面に同時に前記導電性光吸収材料からなる光吸収層を形成する工程とを有することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。 Forming the partition on the substrate;
Forming a conductive light-absorbing material on the substrate on which the partition wall is formed by vapor deposition, and simultaneously forming a light-absorbing layer made of the conductive light-absorbing material in the pixel region and on the top of the partition; The method of manufacturing an organic EL device according to claim 1, wherein 前記画素領域内部に形成された光吸収層上に、電荷注入層及び前記発光層を液滴吐出法により形成することを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。   9. The method of manufacturing an organic EL device according to claim 8, wherein a charge injection layer and the light emitting layer are formed on a light absorption layer formed inside the pixel region by a droplet discharge method. 請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置を表示部として用いたことを特徴とする電子機器。


An electronic apparatus comprising the organic EL device according to claim 1 as a display unit.


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