JP2006292393A - Ｘ線ｃｔ装置及びｘ線ｃｔ装置によるｘ線検出方法 - Google Patents

Abstract

【課題】
Ｘ線検出で所望の測定感度を維持しつつ、Ｘ線ＣＴ装置による撮影画像の品質向上を可能とする。
【解決手段】
本発明のＸ線ＣＴ装置は、Ｘ線を被試験体に出射するＸ線発生手段と、被試験体を透過したＸ線を検出する複数のＸ線センサと、複数のＸ線センサの出力信号を処理するＸ線センサ信号処理回路とを備え、Ｘ線センサを分極効果を有する半導体センサとし、エネルギー分布が硬質化されたＸ線が半導体センサに入射するよう構成する。或いは、Ｘ線を被試験体に出射し、被試験体を透過したＸ線を分極効果を有する半導体センサで検出する方法で、エネルギー分布が硬質化されたＸ線を用い、Ｘ線を半導体センサで検出する。
【選択図】図１

Description

本発明は、Ｘ線ＣＴ装置及びＸ線ＣＴ装置によるＸ線検出方法に関する。

半導体センサを用いたＸ線検出装置は、たとえば、特許文献１（特表平１０−512398号公報）などに記載されている。

特表平１０−５１２３９８号公報

しかしながら、従来、Ｘ線検出の測定感度を考慮しつつ、Ｘ線ＣＴ装置による長時間撮影時の画像の品質を向上することについては考慮されていなかった。

本発明の目的は、Ｘ線検出で所望の測定感度を維持しつつ、Ｘ線ＣＴ装置による撮影画像の品質向上が可能なＸ線ＣＴ装置及びＸ線ＣＴ装置によるＸ線検出方法を提供することにある。

Ｘ線ＣＴ装置で用いるＸ線を、硬質化するか又は低エネルギー成分を減衰させたものとし、分極効果を有する半導体検出器で検出する。

本発明によると、Ｘ線検出で所望の測定感度を維持しつつ、Ｘ線ＣＴ装置による撮影画像の品質向上が可能なＸ線ＣＴ装置及びＸ線ＣＴ装置によるＸ線検出方法を提供することができる。

Ｘ線ＣＴ装置で用いるＸ線を、硬質化するか又は低エネルギー成分を減衰させたものとし、分極効果を有する半導体検出器で検出することで、Ｘ線検出で所望の測定感度を維持しつつ、Ｘ線ＣＴ装置による撮影画像の品質向上が可能なＸ線ＣＴ装置及びＸ線ＣＴ装置によるＸ線検出方法を提供することができる。

産業用Ｘ線ＣＴ装置は、医療用とは異なり、物体の内部形状を観察，計測するために、非常に有用な非破壊検査装置である。このため、自動車会社を中心に開発品の形状計測や、鋳造品の巣の分布計測などに活用される。大型鋳造品などの断層像を撮影するためには、透過力の高い高エネルギーＸ線を発生する加速器をＸ線源に用いたＸ線ＣＴ装置が開発されている。たとえば、電子線加速器をＸ線源とし、短冊形のシリコン半導体センサをＸ線検出器に用いた産業用Ｘ線ＣＴ装置である。このＸ線ＣＴ装置は被試験体をＸ線ファンビームに垂直な軸周りに１回転させて断層像を撮影する、いわゆる第３世代方式のＣＴ装置である。

図２は、第３世代方式のＣＴ装置の構造を有する産業用Ｘ線ＣＴ装置の構成を示す。Ｘ線ＣＴ装置は、Ｘ線ファンビーム２０２を出力する電子線加速器２０１と、被試験体214を設置するスキャナ２０３，被試験体２１４を透過してきたＸ線を検出するＸ線センサ
２０４−１から２０４−５１２と、Ｘ線センサ２０４のＳＮ比を向上させるためＸ線センサ２０４への散乱Ｘ線の入射を抑える役割をするコリメータ２０５，センサの出力信号を増幅し、デジタル信号に変換する信号処理装置２１０、および信号処理装置からのデジタルデータを収集すると共に装置全体を制御する制御装置２０６，画像の再構成を行う画像再構成装置２０７，画像再構成により作成された画像やその他の情報を表示する表示装置２０８，制御装置２０６からの制御指令により電子線加速器２０１，スキャナ２０３、及び信号処理装置２１０の動作を制御するコントローラ２０９からなる。図２のＸ線ＣＴ装置は、被試験体を回転させて一断面を撮影する第３世代のＸ線ＣＴ装置を示しており、被試験体設置機構であるスキャナ２０３は、被試験体を回転する回転手段を備え、被試験体の各高さの断面撮影を行うために被試験体を上下方向に移動動作させる手段を備えている。

電子線加速器２０１は、制御用ケーブル２１６によりコントローラ２０９に接続され、該コントローラによりＸ線ファンビームの発生・停止が制御される。スキャナ２０３も同様に制御ケーブル２１５でコントローラ２０９に接続され、スキャナの回転・上下位置の調整が行われる。また、センサの出力信号をデジタル信号に変換する信号処理装置２１０も制御ケーブル２１９でコントローラ２０９に接続され該コントローラによりデジタル変換のタイミングが制御される。

Ｘ線センサ２０４は、ファンビーム２０２の発生点を見込むように一列に配置される。センサ数が多いほど撮影解像度が向上するが、本例では５１２個が設置されている。Ｘ線センサ２０４は、電子線加速器２０１からスキャナの回転と同期して一定角度ごとにＸ線パルスが出力される毎に、被試験体を透過してきたＸ線を検出する。Ｘ線センサ２０４から出力されたＸ線量に対応する信号は、増幅されデジタル信号に変換された後、信号ケーブル２１７を通して制御装置２０６を経由して画像再構成装置２０７に送られ、ＣＴ画像の再構成に用いられる。

加速器を用いたＸ線ＣＴ装置では、Ｘ線は、加速器の特性から通常、周期的に発生するパルスＸ線となる。一般的な値としては５ｍｓ周期に５μｓ幅の強力なＸ線パルス（Ｘ線光子の集まり）が出力される。本例では、被試験体を１回転する間にＸ線パルスが1920回照射され、データを測定する。すなわち０.１８７５ 度ごとにＸ線量を測定する。５１２個のセンサがあるため、１断層を再構成するためのデータは５１２×１９２０個のデータ量になる。

半導体センサの中で、シリコン半導体センサでは、高エネルギーＸ線の検出効率が２０％程度（センササイズやＸ線エネルギーにより異なるが）得られる。しかしながら、断層像の密度分解能を向上するためには、センサの検出効率（感度）を向上させる必要があり、シリコンよりもさらに密度が２倍ほど高く、検出効率も２倍以上向上できると予想されるＣｄＴｅ半導体センサの使用が好ましい。ただし、ＣｄＴｅ半導体センサは放射線波高分析用にすでによく使用されているが、信号対雑音比（ＳＮ比）を向上させるためにリーク電流（漏洩電流）をできるだけ少なくすることが望ましい。現在では、陽極にＩｎ電極、陰極にＰｔ電極を用いたＣｄＴｅセンサ（以下、Ｉｎ／ＣｄＴｅ／Ｐｔセンサという）がよく使用されている。このセンサはＩｎ電極とＣｄＴｅ結晶の界面がショットキーダイオード接合となる。このためＩｎ電極を陽極（正電圧をかける）に使用するとダイオード接合が逆バイアスになるため、このセンサではリーク電流は１ｎＡ以下と非常に少なくなる。

Ｉｎ／ＣｄＴｅ／Ｐｔセンサを用いれば、シリコン半導体センサの２倍以上の検出効率を実現できるため、実際に高エネルギーＸ線ＣＴにＩｎ／ＣｄＴｅ／Ｐｔセンサを適用してみたところ、センサの出力は２倍以上になるが、長時間の断層像測定時に本来一定でなければならないＩｎ／ＣｄＴｅ／Ｐｔセンサの出力が変動し、リング状のアーチファクト（偽の像）が画像に現れる。このような状態では断層画像を集合した３次元ビットマップデータからの寸法計測などの精度を向上することは困難である。

原因はＣｄＴｅセンサ等の化合物半導体センサに特有の分極効果により、撮影中にセンサの出力特性が変化したためと考えられる。

分極効果とは、ＣｄＴｅ結晶内のトラップ準位にＸ線で発生した電子が徐々にトラップされる量と、トラップされていた電子がトラップ準位から脱する量とがバランスして平衡状態に達するまでの間、センサの出力が過渡的に変化する現象である。線量率が大きい方が分極効果の影響も大きい。また温度を下げるかバイアス電圧を上げることにより分極効果をある程度抑えることができる。放射線分析の用途では線量率は大きくても１０⁴cps
（カウント毎秒）程度であるため、通常の放射線分析用途においてはバイアス電圧を高くすることにより分極効果は問題ないレベルに抑えられている。

これに対し、高エネルギーＸ線ＣＴ装置では５μｓの間に１００００個以上のＸ線がセンサに入射する。すなわち２×１０⁹ｃｐｓ となり、放射線分析用途とは桁違いに大きな線量率である。このような高線量率下では、Ｉｎ／ＣｄＴｅ／Ｐｔセンサは１０％／時間以上の出力低下を起こす。一定時間照射していると出力はほぼ一定になりＳｉセンサの２倍以上の感度で断層像を撮影できるが、Ｘ線ＣＴ装置においては、被試験体の大きさにもよるが、通常数十分から数時間かけて被試験体の多数枚（数百枚）の断層像を連続撮影する。通常Ｘ線ＣＴ装置においては、被試験体の全く無い初期状態で空気層のデータを取得しておき、被試験体の各断面の減衰データは空気層のデータで規格化した後画像再構成計算に用いる。このためセンサの出力特性が初期状態から時間的に変化すると各断面のＣＴ値のベースラインが変化することになるため、各断面間のＣＴ値の比較ができなくなる。また、全てのセンサの出力特性が同じ割合で変化するのであれば簡易的に補正することも可能であるが、分極効果は線量率に依存するため、被試験体で常に遮蔽されているセンサ（例えば中心付近のセンサ）と長時間被試験体に遮蔽されないセンサ（例えば端付近のセンサ）とでは出力特性の変化の程度が異なり、変化の程度は被試験体の形状や材質に依存するためデータの補正も事実上困難である。

分極効果を有するセンサでのこのような測定環境では、Ｉｎ／ＣｄＴｅ／Ｐｔセンサは分極効果の影響が大きく、高エネルギーＸ線ＣＴ装置では非常に大きな問題になることがわかった。

Ｉｎ／ＣｄＴｅ／Ｐｔセンサに電子線加速器からのＸ線を長時間当てると図４に示すように出力が低下する。本図では、Ｉｎ／ＣｄＴｅ／Ｐｔセンサに隣接して設置された分極効果のないＳｉセンサを同時に照射して測定し、Ｉｎ／ＣｄＴｅ／ＰｔセンサとＳｉセンサの出力比の時間変化を図示している。ただし、値は、測定開始時の値で規格化してある。Ｓｉセンサの出力で補正しているため、図４の時間変化は電子線加速器の出力変動を含んでいない。ＳｉセンサとＩｎ／ＣｄＴｅ／Ｐｔセンサに印加しているバイアスはそれぞれ３０Ｖと１００Ｖ（ダイオード接合が逆バイアスになるように陽極のＩｎに正電圧を印加）である。本図より時間の経過につれてＩｎ／ＣｄＴｅ／Ｐｔセンサの出力が徐々に低下することがわかる。このように出力が大きく変化するとＸ線ＣＴ装置への適用は困難である。

このため、Ｘ線パルスごとに、ＣｄＴｅセンサにかけるバイアス電圧を変化させ分極効果を回復させて、ＣｄＴｅセンサの出力の変化を防ぐことも考えられている。しかし、
ＣｄＴｅセンサに使用するバイアス電圧は約１００Ｖ以上であり、ｍｓオーダーでＯＮ／ＯＦＦするためには複雑な制御回路が必要になると共に回路自体がノイズ発生源となり再構成画像の測定精度を低下させる可能性がある。

次に、より具体的に本発明の一実施例を用いて説明する。図１は本発明の一実施例の構成を示す図である。本図を用いて概要を説明する。Ｘ線ＣＴ装置は、Ｘ線を被試験体に出射する手段であり、Ｘ線ファンビーム２を出力するＸ線発生装置すなわち電子線加速器１と、被試験体１４を設置するスキャナ３，被試験体１４を透過してきたＸ線を検出するＸ線センサ４−１から４−５１２と、Ｘ線センサ４のＳＮ比を向上させるためＸ線センサ４への散乱Ｘ線の入射を抑える役割をするコリメータ５，センサの出力信号を増幅し、デジタル信号に変換する信号処理装置１０、および信号処理装置からのデジタルデータを収集すると共に装置全体を制御する制御装置６，画像の再構成を行う画像再構成装置７，画像再構成により作成された画像やその他の情報を表示する表示装置８，制御装置６からの制御指令により電子線加速器１，スキャナ３、及び信号処理装置１０の動作を制御するコントローラ９とを備えている。

第３世代方式の技術におけるＸ線ＣＴ装置の動作についてはすでに図２を用いて説明した。ただし、本実施例ではＸ線センサ４−１から４−５１２は、陽極にＩｎ、陰極にＰｔ電極を用いたＣｄＴｅ半導体センサ（Ｉｎ／ＣｄＴｅ／Ｐｔセンサ）であり、そのバイアス電圧はＰｔ電極に負電圧を、Ｉｎ電極に正電圧を印加し、ダイオード接合が逆バイアスになる方向で用いており、かつ、そのセンサの出力を測定する信号処理装置のセンサ信号増幅部に交流結合の電流積分アンプを用いている。

図３は、本実施例に使用しているＸ線センサの構造を示す立面図と平面図である。図３（ａ）は、立面図、図３（ｂ）は、平面図を示す。ＣｄＴｅの結晶３００の上下にＰｔ電極３０１とＩｎ電極３０２が沈積されてＩｎ／ＣｄＴｅ／Ｐｔセンサを構成している。
Ｉｎ／ＣｄＴｅ／Ｐｔセンサは絶縁基板３０３に接着され、絶縁基板３０３側のＩｎ電極３０２は直接プリント配線端子３０７に導電性接着剤で接合され、上方のＰｔ電極３０１はボンディングワイヤー３０５でプリント配線端子３０６に結合されている。ＣｄＴｅ結晶の大きさは縦３mm×横４０mm×高さ０.５mm である。絶縁基板３０３はフレキシブル基板が用いられている。ヘビイメタル基板３０４はタングステン合金製で、センサの保護と同時に隣のセンサからの散乱Ｘ線や反挑電子を遮蔽する役割を担う。

Ｘ線センサ４は、Ｘ線が図３の矢印方向から入射するように装置に設置される。Ｓｉに比べて約２倍の密度を有するため、入射Ｘ線に対する吸収効率、すなわち検出効率は約２倍になる。電子線加速器１に６ＭＶの電子線加速器を用いると（もちろん加速器先端にはターゲットとしてタングステンターゲットが付属しており、電子ビームの照射によりＸ線が発生する）、最大エネルギー６ＭｅＶを有するＸ線が発生するが、この条件でモンテカルロ法により各センサの検出効率を計算すると、従来のＳｉセンサで約２５％、ＣｄＴｅセンサでは約５５％である。

このＸ線センサは検出効率が高く、かつリーク電流がないものが良いが、高検出効率のＣｄＴｅセンサでＸ線波高分析に使用されるＩｎ／ＣｄＴｅ／Ｐｔセンサはリーク電流も１ｎＡ以下と少なく理想的である。ＣｄＴｅ結晶と仕事関数の差が大きいＩｎを電極として用いることにより高いショットキー障壁を生成し、それによりリーク電流を減らすことができる。このため、検出効率が高くリーク電流が少ないが、Ｘ線ＣＴ装置の高線量率環境下においては分極効果による出力変化が大きいことが実験により判明した。

図１に示すように、本実施例では、Ｘ線のエネルギー分布を硬質化する手段を備えている。硬質化する手段として、アルミニウムやＳＵＳでできた薄いフィルター２０を設置している。

このフィルター２０により、Ｘ線のエネルギー分布を硬質化し、低エネルギ−成分を減衰させ、硬質化後のＸ線がセンサに検出される。Ｘ線発生手段から出射したＸ線が半導体センサに入射するまでの間に硬質化する手段を設けることで、硬質化後のＸ線がセンサで検出できる。

フィルター２０を、Ｉｎ／ＣｄＴｅ／Ｐｔセンサで構成されるＸ線センサ４のＸ線入射面にＸ線のエネルギー分布を硬質化する手段として設けたことで、分極効果による信号の減衰量が大幅に軽減するという実験結果が得られた。この結果は高エネルギーＸ線よりも低エネルギーＸ線の方が分極効果に与える影響が大きいことを示している。これは電子線加速器１からの多色Ｘ線に含まれる低エネルギー成分がフィルター２０により選択的に減衰し、Ｘ線が硬質化したことによる。高エネルギー成分はあまり減衰させずに、低エネルギー成分を減衰させて、エネルギー分布を硬質化している。よって、センサの出力変化を抑制することができ、長時間撮影時にも再構成画像の品質が劣化しない産業用Ｘ線ＣＴ装置を提供できる。

本実施例では、フィルター２０をＸ線センサ４のＸ線入射面に設けている。つまり、Ｘ線発生手段と該被試験体との間に硬質化する手段を設けている。このように、フィルター２０を被試験体よりもセンサ側に配置することで、他の目的で設置するフィルターとの区別がつきやすい。また、フィルター２０をセンサのすぐ前に設置する場合、センサ直前に貼り付ければよいだけなので改造や設置が容易である。センサに一体的に取り付けても良い。また、Ｘ線は、電子線加速器１から広がりをもって放射状に出射されるので、本実施例では、フィルター２０をコリメータ５とほぼ同様の幅／面積で構成し、硬質化後のＸ線がサンサに検出されるようにしている。

図６は、他の実施例のＸ線ターゲット近傍の拡大図である。図６に示すように、本実施例では、ターゲット６０１のＸ線発射面側に隣接して設置している。このフィルター602により、Ｘ線のエネルギー分布を硬質化し、低エネルギ−成分を減衰させ、硬質化後のＸ線をセンサに検出させることができる。

Ｘ線発生手段から出射したＸ線が半導体センサに入射するまでの間に硬質化する手段を設けることで、硬質化後のＸ線がセンサで検出でき、センサの出力変化を抑制することができ、長時間撮影時にも再構成画像の品質が劣化しない産業用Ｘ線ＣＴ装置を提供できる。

また、Ｘ線発生手段と該被試験体との間に硬質化する手段を設けることで、硬質化後のＸ線がセンサで検出できる。更に、Ｘ線は放射状に広がってゆくため、Ｘ線発生手段と該被試験体との間に設置することでフィルター６０２の面積が小さくて済み、小型化が可能となる。硬質化する手段をＸ線発生手段と一体的に設置してもよい。

次に、図５に異なる厚さのフィルター用ＳＵＳ板に対する信号の減衰量を測定した結果を示す。縦軸は照射１０分後の初期状態に対する信号の減衰量であり、横軸はＳＵＳ板の厚さである。Ｘ線源は６ＭＶ電子線加速器であり、センサに印加しているバイアス電圧は１００Ｖである。この結果はＳＵＳ板を厚くしてＸ線を硬質化させるほど信号の減衰量も減少することを示している。このように、硬質化手段による感度変化の安定化が確認できた。

またフィルター６０２はＸ線を硬質化する効果のある材質であれば必ずしも金属である必要は無い。例えばアクリル，鉛ガラス，ベリリウム含有ガラスなどでもＸ線を硬質化できる透過厚さがあれば同様の効果が期待できる。

硬質化する程度は、所望の感度を得るため、Ｘ線の総減衰量が数％程度に収まるように適切に設定する。測定における許容する所望の感度を得る程度に硬質化する。例えば、フィルター６０２の厚さをＸ線の総減衰量が数％程度に収まるように適切に設定する。いくら分極効果を抑制できるとはいえ、フィルターによる減衰が大きすぎてはＣｄＴｅセンサを用いて検出効率を上げても感度低下をまねく。例えば図５に示したＳＵＳ板１.２mm の場合には、６ＭＶ電子線加速器から発生するＸ線の平均エネルギーである１.５ＭｅＶ のＸ線の減衰量はわずか５％に過ぎず、フィルターによる減衰を考慮しても分極ＣｄＴｅセンサを用いたことによる感度向上のメリットの方が大きい。両者の相乗効果で、感度向上及び感度変化抑制が可能となる。

本実施例ではセンサの材質としてＣｄＴｅを用いているが、本発明は分極効果を有する他の化合物半導体、例えばＣｄ_1-xＺｎ_xＴｅ(ＣＺＴ)，ＧａＡｓ，ＩｎＰ，ＨｇＩ２などにも適応することができる。

また、リーク電流が大きくなるが、陰極，陽極ともＰｔ電極を用いたＰｔ／ＣｄＴｅ／Ｐｔセンサに適用することも良い。

以上述べたように、本実施例では、Ｘ線センサにＩｎ／ＣｄＴｅ／Ｐｔセンサを用いてかつＸ線を硬質化するためのフィルターと組み合わせることにより、バイアス電圧等の複雑な制御装置を要せず、Ｘ線の検出効率を向上し画像の高ＳＮ比を実現できるだけではなく、ＣｄＴｅセンサ特有の出力変化も抑制することができ、長時間撮影時にも再構成画像の品質が劣化しない産業用Ｘ線ＣＴ装置を提供できる。

Ｘ線ＣＴ装置のセンサの感度を維持しつつ、ＣＴ画像品質の向上が図れる。

本発明の一実施例の構成を示す図である。 産業用Ｘ線ＣＴ装置の構成図である。 実施例に使用しているＸ線センサの構造を示す立面図と平面図である。 従来の産業用Ｘ線ＣＴ装置におけるＣｄＴｅセンサの出力の時間変化である。 照射１０分後のＣｄＴｅセンサ出力の減衰量のＳＵＳ板厚さ依存性である。 他の実施例のＸ線ターゲットとフィルター近傍の構成を示す図である。

符号の説明

１,２０１…電子線加速器、２…Ｘ線ファンビーム、３,２０３…スキャナ、４，２０４…Ｘ線センサ、５，２０５…コリメータ、６，２０６…制御装置、７，２０７…画像再構成装置、８，２０８…表示装置、９，２０９…コントローラ、１０，２１０…信号処理装置、２０，６０２…フィルター、３００…ＣｄＴｅ結晶、３０１…Ｐｔ電極、３０２…
Ｉｎ電極、３０３…絶縁基板、３０４…ヘビイメタル基板、３０５…ボンディングワイヤー、３０６，３０７…プリント配線端子、６０１…ターゲット。

Claims (9)

1. Ｘ線を被試験体に出射するＸ線発生手段と、前記被試験体を透過したＸ線を検出する複数のＸ線センサと、前記複数のＸ線センサの出力信号を処理するＸ線センサ信号処理回路とを備え、
   前記Ｘ線センサを分極効果を有する半導体センサとし、エネルギー分布が硬質化されたＸ線が前記半導体センサに入射するよう構成したことを特徴とするＸ線ＣＴ装置。
2. Ｘ線発生手段から出射したＸ線が被試験体を透過し、透過したＸ線を検出する複数のＸ線センサを備えたＸ線ＣＴ装置であって、前記Ｘ線センサを分極効果を有する半導体センサとし、前記Ｘ線発生手段から出射したＸ線が前記半導体センサに入射するまでの間に該Ｘ線のエネルギー分布を硬質化させる手段を備えたことを特徴とするＸ線ＣＴ装置。
3. Ｘ線を被試験体に出射するＸ線発生手段と、前記被試験体を透過したＸ線を検出する複数のＸ線センサと、前記複数のＸ線センサの出力信号を処理するＸ線センサ信号処理回路とを備え、前記Ｘ線センサを分極効果を有する半導体センサとし、前記Ｘ線発生手段と該被試験体との間又は該被試験体と前記半導体センサとの間に該Ｘ線のエネルギー分布を硬質化する手段を備えたことを特徴とするＸ線ＣＴ装置。
4. Ｘ線を被試験体に出射するＸ線発生手段と、前記被試験体を透過したＸ線を検出する複数のＸ線センサと、前記複数のＸ線センサの出力信号を処理するＸ線センサ信号処理回路とを備え、
   前記Ｘ線センサを分極効果を有する半導体センサとし、前記半導体センサに入射するＸ線の低エネルギー成分を減衰する手段を備えたことを特徴とするＸ線ＣＴ装置。
5. 請求項１から請求項４のいずれかに記載のＸ線ＣＴ装置において、
   前記硬質化する手段又は前記低エネルギー成分を減衰する手段を、フィルタとすることを特徴とするＸ線ＣＴ装置。
6. 請求項１から請求項４のいずれかに記載のＸ線ＣＴ装置において、
   前記半導体センサを、ＣｄＴｅセンサとすることを特徴とするＸ線ＣＴ装置。
7. 請求項１から請求項４のいずれかに記載のＸ線ＣＴ装置において、
   前記半導体センサの出力信号を増幅してデジタル信号に変換する信号処理装置と、該信号処理装置からのデジタル信号の収集を制御する制御装置と、該信号処理装置からのデジタル信号の情報に基づき画像の再構成を行う画像再構成装置と、画像再構成により作成された画像情報を表示する表示装置とを備えたＸ線ＣＴ装置。
8. Ｘ線を被試験体に出射し、前記被試験体を透過したＸ線を分極効果を有する半導体センサで検出するＸ線ＣＴ装置のＸ線検出方法において、
   エネルギー分布が硬質化されたＸ線を前記被試験体に透過させ、その透過したＸ線を前記半導体センサで検出することを特徴とするＸ線ＣＴ装置のＸ線検出方法。
9. Ｘ線を被試験体に出射し、前記被試験体を透過したＸ線を分極効果を有する半導体センサで検出するＸ線ＣＴ装置のＸ線検出方法において、
   該Ｘ線が前記被試験体に透過した後に、該Ｘ線のエネルギー分布を硬質化してから前記半導体センサで検出することを特徴とするＸ線ＣＴ装置のＸ線検出方法。

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