JP2006282419A - セラミックス接合体 - Google Patents
セラミックス接合体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006282419A JP2006282419A JP2005101635A JP2005101635A JP2006282419A JP 2006282419 A JP2006282419 A JP 2006282419A JP 2005101635 A JP2005101635 A JP 2005101635A JP 2005101635 A JP2005101635 A JP 2005101635A JP 2006282419 A JP2006282419 A JP 2006282419A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- porous
- pore diameter
- pores
- dense
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Porous Artificial Stone Or Porous Ceramic Products (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
【解決手段】本セラミックス接合体は、気孔が連通した連球状開気孔を有する多孔質焼結セラミックス基材の平均気孔径10μm以上150μm以下であり、最大気孔径が230μmで、かつ気孔全体の95%以上が200μm以下である多孔質セラミックス同士もしくは前記セラミックスと緻密質セラミックスとをろう材によって接合する。
【選択図】 図1
Description
また、前記多孔質焼結セラミックスおよび前記緻密質セラミックスが炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミニウムからなることが望ましい。
前記ろう材はSi系ろう材からなることが望ましい。
緻密質SiC焼結体と多孔質SiC焼結体(平均気孔径10μm、最大気孔径30μm)を上記の方法にてろう付したところ、ろう材侵入深さは最大で約30μmであり、良好な接合部を得ることができた。
緻密質SiC焼結体と多孔質SiC焼結体(気孔率50%、平均気孔径50μm、最大気孔径80μm)を上記の方法にてろう付したところ、ろう材侵入深さは最大で約50μmであり、図2に示すような良好な接合部を得ることができた。
緻密質SiC焼結体と多孔質SiC焼結体(平均気孔径100μm、最大気孔径130μm)を上記の方法にてろう付したところ、ろう材侵入深さは最大で約130μmであり、良好な接合部を得ることができた。
緻密質SiC焼結体と多孔質SiC焼結体(気孔率50%、平均気孔径100μm、最大気孔径180μm)を上記の方法にてろう付したところ、ろう材侵入深さは最大で約180μmであり、図3に示すような良好な接合部を得ることができた。
緻密質SiC焼結体と多孔質SiC焼結体(平均気孔径150μm、最大気孔径200μm)を上記の方法にてろう付したところ、ろう材侵入深さは最大で約200μmであり、良好な接合部を得ることができた。
緻密質SiC焼結体と多孔質SiC焼結体(平均気孔径150μm、最大気孔径230μm、多孔質SiC基材内において200μm以下の気孔が占める割合が95%)を上記の方法にてろう付したところ、ろう材侵入深さは最大で約230μmであり、良好な接合部を得ることができた。
緻密質SiC焼結体と多孔質SiC焼結体(平均気孔径150μm、最大気孔径230μm、多孔質SiC基材内において200μm以下の気孔が占める割合が90%)を上記の方法でろう付したところ、230μmの気孔が存在していた部分にSiが集中し、この部分ではろう材が基材表面から500μm程度侵入しており、接合層が均一でなく良好な接合部を得ることができなかった。さらに、比較的気孔径の小さい部分ではSiが気孔内に侵入せず、230μmの気孔内へ流れてしまったため、接合界面にろう材が存在していない場所があった。
密質SiC焼結体と多孔質SiC焼結体(平均気孔径140μm、最大気孔径240μm、多孔質SiC基材内において200μm以下の気孔が占める割合が90%)を上記の方法でろう付したところ、240μmの気孔が存在していた部分にSiが集中し、この部分ではろう材が基材表面から750μm付近まで侵入しており、接合層が均一でなく良好な接合部を得ることができなかった。さらに、比較的気孔径の小さい部分ではSiが気孔内に侵入せず、240μmの気孔内へ流れてしまったため、接合界面にろう材が存在していない場所があった。
緻密質SiC焼結体と多孔質SiC焼結体(平均気孔径160μm、最大気孔径230μm、多孔質SiC基材内において200μm以下の気孔が占める割合が95%)を上記の方法でろう付したところ、230μmの気孔が存在していた部分にSiが集中し、この部分ではろう材が基材表面から500μm付近まで侵入しており、接合層が均一でなく良好な接合部を得ることができなかった。さらに、比較的気孔径の小さい部分ではSiが気孔内に侵入せず、230μmの気孔内へ流れてしまったため、接合界面にろう材が存在していない場所があった。
緻密質SiC焼結体と多孔質SiC焼結体(平均気孔径150μm、最大気孔径240μm、多孔質SiC基材内において200μm以下の気孔が占める割合が95%)を上記の方法でろう付したところ、240μmの気孔が存在していた部分にSiが集中し、この部分ではろう材が基材表面から650μm付近まで侵入しており、接合層が均一でなく良好な接合部を得ることができなかった。さらに、比較的気孔径の小さい部分ではSiが気孔内に侵入せず、240μmの気孔の方へ流れてしまったため、接合界面にろう材が存在していない場所があった。
2 多孔質セラミックス基材
3 セラミックス基材
4 Si系ろう材
Claims (4)
- 気孔が連通した連球状開気孔を有する多孔質焼結セラミックス基材の平均気孔径10μm以上150μm以下であり、最大気孔径が230μmで、かつ気孔全体の95%以上が200μm以下である多孔質焼結セラミックス同士もしくは前記多孔質焼結セラミックスと緻密質セラミックスとをろう材によって接合したことを特徴とするセラミックス接合体。
- 前記多孔質焼結セラミックスの気孔率が40%以上であることを特徴とする請求項1に記載のセラミックス接合体。
- 前記多孔質焼結セラミックスおよび前記緻密質セラミックスが炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミニウムであることを特徴とする請求項1または2に記載のセラミックス接合体。
- 前記ろう材がSi系ろう材であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のセラミック接合体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005101635A JP2006282419A (ja) | 2005-03-31 | 2005-03-31 | セラミックス接合体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005101635A JP2006282419A (ja) | 2005-03-31 | 2005-03-31 | セラミックス接合体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006282419A true JP2006282419A (ja) | 2006-10-19 |
Family
ID=37404720
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005101635A Pending JP2006282419A (ja) | 2005-03-31 | 2005-03-31 | セラミックス接合体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006282419A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009023876A (ja) * | 2007-07-19 | 2009-02-05 | Taiheiyo Cement Corp | 接合体及びその製造方法 |
JP2009057215A (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-19 | Taiheiyo Cement Corp | 接合体及びその製造方法 |
WO2011071051A1 (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-16 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 多孔質セラミックス焼結体および多孔質セラミックス焼結体の製造方法 |
US20160185672A1 (en) * | 2014-12-31 | 2016-06-30 | Component Re-Engineering Company, Inc. | High temperature resistant silicon joint for the joining of ceramics |
US10703879B2 (en) | 2014-12-30 | 2020-07-07 | The Boeing Company | Process and formulation to join ceramic forms while maintaining structural and physical characteristics across the bond surface |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002145677A (ja) * | 2000-11-09 | 2002-05-22 | Toshiba Ceramics Co Ltd | SiC焼結体の接合体、それを用いた半導体製造用部材、及びその製造方法 |
JP2003038636A (ja) * | 2000-10-13 | 2003-02-12 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 生体用セラミックス多孔質部材 |
JP2003045809A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-14 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シャワープレート |
JP2003234300A (ja) * | 2002-02-12 | 2003-08-22 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体処理装置用部材および半導体処理装置 |
JP2005041193A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Taiheiyo Cement Corp | SiC質構造体 |
-
2005
- 2005-03-31 JP JP2005101635A patent/JP2006282419A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003038636A (ja) * | 2000-10-13 | 2003-02-12 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 生体用セラミックス多孔質部材 |
JP2002145677A (ja) * | 2000-11-09 | 2002-05-22 | Toshiba Ceramics Co Ltd | SiC焼結体の接合体、それを用いた半導体製造用部材、及びその製造方法 |
JP2003045809A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-14 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シャワープレート |
JP2003234300A (ja) * | 2002-02-12 | 2003-08-22 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体処理装置用部材および半導体処理装置 |
JP2005041193A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Taiheiyo Cement Corp | SiC質構造体 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009023876A (ja) * | 2007-07-19 | 2009-02-05 | Taiheiyo Cement Corp | 接合体及びその製造方法 |
JP2009057215A (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-19 | Taiheiyo Cement Corp | 接合体及びその製造方法 |
WO2011071051A1 (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-16 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 多孔質セラミックス焼結体および多孔質セラミックス焼結体の製造方法 |
JP5712142B2 (ja) * | 2009-12-08 | 2015-05-07 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 多孔質セラミックス焼結体および多孔質セラミックス焼結体の製造方法 |
US11718731B2 (en) | 2014-12-30 | 2023-08-08 | The Boeing Company | Process and formulation to join ceramic forms while maintaining structural and physical characteristics across the bond surface |
US10703879B2 (en) | 2014-12-30 | 2020-07-07 | The Boeing Company | Process and formulation to join ceramic forms while maintaining structural and physical characteristics across the bond surface |
CN107427966A (zh) * | 2014-12-31 | 2017-12-01 | 部件再设计股份有限公司 | 用于连接材料的高温方法及利用该方法的装置 |
US10471531B2 (en) * | 2014-12-31 | 2019-11-12 | Component Re-Engineering Company, Inc. | High temperature resistant silicon joint for the joining of ceramics |
KR20170117046A (ko) * | 2014-12-31 | 2017-10-20 | 컴포넌트 알이-엔지니어링 컴퍼니, 인코포레이티드 | 재료들을 결합하기 위한 고온 방법 및 이를 활용한 디바이스들 |
US11331738B2 (en) | 2014-12-31 | 2022-05-17 | Watlow Electric Manufacturing Company | High temperature resistant silicon joint for the joining of ceramics |
KR102485282B1 (ko) * | 2014-12-31 | 2023-01-04 | 와틀로 일렉트릭 매뉴팩츄어링 컴파니 | 재료들을 결합하기 위한 고온 방법 및 이를 활용한 디바이스들 |
CN116178037A (zh) * | 2014-12-31 | 2023-05-30 | 沃特洛电气制造公司 | 用于连接材料的高温方法及利用该方法的装置 |
US20160185672A1 (en) * | 2014-12-31 | 2016-06-30 | Component Re-Engineering Company, Inc. | High temperature resistant silicon joint for the joining of ceramics |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2009525249A (ja) | 再結晶炭化ケイ素で作製された含浸セラミックフォーム | |
JP2006282419A (ja) | セラミックス接合体 | |
WO2022222778A1 (zh) | 一种通过陶瓷前驱体骨架成型的精细陶瓷材料及其制备方法和应用 | |
KR102276101B1 (ko) | 접합재 조성물, 질화알루미늄 접합체 및 그 제법 | |
CN105924225A (zh) | 一种莫来石结合碳化硅多孔陶瓷的制备方法 | |
KR101401084B1 (ko) | 콜로이드 입자 안정화 세라믹 폼을 코팅한 세라믹 소재 및 이의 제조방법 | |
JP6512401B2 (ja) | 反応焼結炭化珪素部材 | |
KR100919271B1 (ko) | SiC 다공체와 SiC-Si 복합체의 접합 방법 | |
US6699555B2 (en) | Bonding of thermal tile insulation | |
JP6059523B2 (ja) | シリカ接合体及びその製造方法 | |
US8349111B2 (en) | Method for joining ceramic components | |
CN104844250A (zh) | 一种耐高温多孔夹层透波材料及其制备方法 | |
CN108794042B (zh) | 一种用于多孔陶瓷的粘结剂及其制备方法和使用方法 | |
JP4827511B2 (ja) | 炭化ケイ素多孔質セラミックスの接合方法および接合部材 | |
JP2001270792A (ja) | 金属・セラミックス複合体の製造方法及びセラミックス多孔体の製造方法 | |
JP5071837B2 (ja) | 黒鉛質多孔体の製造方法 | |
JPH1121182A (ja) | 多孔質セラミックの製造方法 | |
JP2003238267A (ja) | セラミックス多孔質複合部材の製造方法 | |
JP3140701B2 (ja) | 長繊維強化炭化ケイ素複合材料の製造方法 | |
WO2003093194A1 (en) | Method of manufacturing reaction-bonded silicon carbide | |
JP2864927B2 (ja) | 炭化珪素質部材の接合方法 | |
JP2002275557A (ja) | セラミックス/金属複合体及びその製造方法 | |
KR102124783B1 (ko) | 기계적 특성이 우수하며 높은 통기도를 갖는 이중 기공 액상소결 탄화규소 다공체 및 이의 제조방법 | |
JPH07231121A (ja) | 熱電変換素子およびその製造方法 | |
JP2005118657A (ja) | セラミックスフィルターとその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20070711 |
|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20070907 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100308 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20100406 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20100607 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100607 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100803 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101221 |