JP2006276282A - 光学媒質の光入出射部処理方法 - Google Patents

光学媒質の光入出射部処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2006276282A
JP2006276282A JP2005093145A JP2005093145A JP2006276282A JP 2006276282 A JP2006276282 A JP 2006276282A JP 2005093145 A JP2005093145 A JP 2005093145A JP 2005093145 A JP2005093145 A JP 2005093145A JP 2006276282 A JP2006276282 A JP 2006276282A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical medium
laser
fine structure
optical
incident
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005093145A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4791745B2 (ja
Inventor
Kenichiro Tanaka
健一郎 田中
Masayuki Fujita
雅之 藤田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Institute for Laser Technology
Original Assignee
Institute for Laser Technology
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institute for Laser Technology, Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Institute for Laser Technology
Priority to JP2005093145A priority Critical patent/JP4791745B2/ja
Priority to TW095110382A priority patent/TWI289209B/zh
Priority to US11/388,973 priority patent/US8026459B2/en
Priority to EP06006249A priority patent/EP1707994B1/en
Priority to AT06006249T priority patent/ATE519136T1/de
Priority to CNB2006100714331A priority patent/CN100381838C/zh
Priority to KR1020060028048A priority patent/KR100774436B1/ko
Publication of JP2006276282A publication Critical patent/JP2006276282A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4791745B2 publication Critical patent/JP4791745B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11Anti-reflection coatings
    • G02B1/118Anti-reflection coatings having sub-optical wavelength surface structures designed to provide an enhanced transmittance, e.g. moth-eye structures
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11Anti-reflection coatings
    • G02B1/111Anti-reflection coatings using layers comprising organic materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/483Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using coherent light, UV to IR, e.g. lasers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11Anti-reflection coatings
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/12Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements by surface treatment, e.g. by irradiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

【課題】 干渉光学系を用いることなく且つ確実に周期微細構構造を形成することができ、したがって加工の高速化や大面積化を達成することのできる光学媒質の光入出射部処理方法を提供する。
【解決手段】 屈折率が異なる2つの光学媒質の界面に凹凸状の周期微細構造を設けるにあたり、光学媒質の表面に金属薄膜を形成し、金属薄膜を通じて光学媒質の表面に入射レーザを照射させることで、金属薄膜を除去するとともに散乱波やプラズマ波を発生させ、この散乱波やプラズマ波を入射レーザに相互作用させることにより光学媒質の表面に周期微細構造を形成する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、光を伝播させる素子や部品等の光学媒質における光伝播特性を向上させる為の光入出射部処理方法に関するものである。
光学媒質内を伝播してきた光が、屈折率の異なる他の光学媒質に入射する際には、両光学媒質の界面(空気との界面を含む)において生じる反射損失が問題となる。上記反射損失は、両光学媒質の屈折率の差が大きくなる程に大となり、特に、高い屈折率を有する光学媒質から低い屈折率を有する他の光学媒質内へと光を伝播させようとする場合には、界面への入射角度が全反射角以上に至れば他の光学媒質にまで光を伝播することが不能となる。例えば、屈折率が1.77の高屈折率光学媒質であるサファイアから、屈折率が1の低屈折率光学媒質である大気中へと光を伝播させる場合、入射角度がゼロ即ち垂直入射の光であれば反射損失が7.7%となるのに対して、入射角度が34.4°以上となれば全反射を生じてしまう。これに対して、図10に示すように、屈折率の異なる光学媒質1a,1bの界面に凹凸形状の周期微細構造を設けることで、反射損失が低下することが知られている。
このような周期微細構造を形成する方法としては、パルス幅がfs(フェムト秒)オーダーの多光束のレーザを干渉させて成る干渉波形によって周期微細構造を形成する方法が提案されている(特許文献1参照)。このような、干渉光学系を用いてfsオーダーの多光束のレーザを干渉させる方法によれば、硝子やMgO、Al等の材料に最小5〜200mmの周期間隔で周期微細構造を形成することが可能となるのだが、一方で、光の長さが非常に短い(例えばパルス幅が100fsであれば光の長さは約300μmとなる)多光束のレーザ同士を干渉させる為には非常に高精度での位置合わせが必要となり、したがって加工の高速化が困難であるという問題や、光の長さが非常に短い為に干渉領域に限界があり(例えばパルス幅が100fsであって干渉角度が45°であれば干渉領域の限界は78μmとなる)、加工の大面積化が困難であるという問題があった。
特開2003−57422号公報
本発明は上記問題点に鑑みて発明したものであって、干渉光学系を用いることなく且つ確実に周期微細構構造を形成することができ、したがって加工の高速化や大面積化を達成することが容易な光学媒質の光入出射部処理方法を提供することを課題とするものである。
上記課題を解決するために本発明に係る光学媒質の光入出射部処理方法を、屈折率が異なる2つの光学媒質の界面に凹凸状の周期微細構造を設けるにあたり、光学媒質の表面に金属薄膜を形成し、金属薄膜を通じて光学媒質の表面に入射レーザを照射させることで、光学媒質の表面に周期微細構造を形成するものとする。入射レーザを金属薄膜に照射することで発生する散乱波やプラズマ波が入射レーザとの間で相互作用を生じることで、光学媒質の表面には周期微細構造が確実に形成されることとなる。つまり、上記処理方法にあっては、干渉光学系を用いることなく且つ確実に周期微細構構造を形成することができ、したがって加工の高速化や大面積化を達成することが容易なものである。
上記処理方法にあっては、入射レーザとして、パルス幅が1ps未満の超高強度パルスレーザを用いることが好適である。これにより、周囲への熱影響を抑制するとともに、周期微細構造の加工性を安定させて品質を向上させることができる。
入射レーザを金属薄膜に対して斜め方向から照射することも好適であって、照射角度を調整することで周期微細構造の周期間隔を調整することが可能になる。
また、入射レーザとして、円偏光レーザを用いることも好適であって、この場合にはドット状の周期微細構造を形成することが可能になる。
更に、入射レーザ照射後に、光学媒質のレーザ加工面のエッチング処理を行うことで、レーザによる改質部分を除去して周期微細構造の凹凸形状を更に確実に形成することができ、光取出し効率を向上させることができる。
また、金属薄膜として銅又は鉄、或いはその合金を含む材料を用いることが好適である。銅や鉄はレーザの吸収が良いので加工性を安定させて品質を向上させることができ、更に銅や鉄の合金にあっては耐酸化性を有するのでレーザによる加工均一性を確保することができる。
そして、上記処理方法により一方の光学媒質の表面に形成した周期微細構造を、他方の光学媒質と密接させることで、屈折率が異なる2つの光学媒質の界面に凹凸状の周期微細構造を設けて光の透過率を向上させることができる。
なお、以上述べた各構成は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜組合せ可能である。
本発明は、干渉光学系を用いることなく且つ確実に周期微細構構造を形成することができ、したがって加工の高速化や大面積化を達成することが容易であるという効果を奏する。
本発明に係る一例の光学媒質の光入出射部処理方法は、光学媒質の光入出射部となる界面に凹凸状の周期微細構造を形成することを目的として、特に図示はしないが、光学媒質の表面に予め金属薄膜を形成しておくとともに該金属薄膜を通じて光学媒質の表面に対して1光束の入射レーザを照射させるものである。金属薄膜に入射レーザを照射させると、照射箇所において金属薄膜が除去されるとともに除去された金属粒子がプラズマ状となってプラズマ波を発生させる。また、照射レーザが衝突した際の散乱波が発生する。入射レーザは上記のプラズマ波や散乱波と相互作用を生じ、この相互作用を生じた入射レーザによって金属薄膜の下地となる光学媒質の表面に凹凸形状の周期微細構造を形成することとなる。
周期微細構造の周期間隔Pは、入射レーザのエネルギ密度や、金属薄膜の膜厚や材質によって制御される。図1、図2や下記の表1に示すように、光学媒質として単結晶サファイアを用い、この光学媒質の表面に形成した膜厚100nmの銅製の金属薄膜に高エネルギ密度(80mJ/mm)の入射レーザを照射した場合に、周期微細構造が270nmの周期間隔Pで形成されるのに対して、膜厚400nmの銅製の金属薄膜に高エネルギ密度の入射レーザを照射した場合には周期微細構造が750nmの周期間隔Pで形成される。また、膜厚400nmの銅製の金属薄膜に低エネルギ密度(40mJ/mm)の入射レーザを照射した場合には周期微細構造が330nmの周期間隔Pで形成される。即ち、光学媒質及び金属薄膜の材質が同じであれば、金属薄膜の膜厚が大である程に周期間隔Pが大きくなり、且つ入射レーザのエネルギ密度が大である程に周期間隔Pが大きくなるのである。
金属薄膜の材質としては、上記銅の他に鉄を用いてもよいし、また銅や鉄の合金を含む材料を用いてもよい。銅や鉄はレーザの吸収率が高いので、周期微細構造を形成することが容易となる。特に、波長800nmのレーザに対して形成効率が良好であるから、照射レーザのエネルギ密度を低くすることが可能となり、加工の大面積化や高速化に有効である。また、レーザ加工時に金属薄膜が酸化すると該酸化部分にて吸収率が変化して加工均一性が損なわれるのだが、銅や鉄の合金にあっては耐酸化性を有するのでこれが防止される。
入射レーザとしては、パルス幅が1ps(ピコ秒)未満1fs以上の超高強度パルスレーザを用いる。具体的には、モードロックTi:サファイアレーザやYAGレーザ、あるいは、これらのレーザ光を波長変換したレーザ(SHG−Ti:サファイアレーザ、THG−Ti:サファイアレーザ、FHG−Ti:サファイアレーザ、SHG−YAGレーザ、THG−YAGレーザ、FHG−YAGレーザ、エキシマレーザ)等が挙げられる。
上記の如く入射レーザのパルス幅を1ps以下と非常に小さくすることで、レーザ加工周囲に及ぼす熱影響を抑制することができ、また、光の回折限界以下のサイズで加工することも可能になる。通常、レーザによる除去加工を行う場合にレーザ加工周囲に熱が伝わるにはns(ナノ秒)オーダーの時間が必要であるが、このような極短パルスレーザを用いればfsオーダーで照射が完了することから周囲に熱が伝わる前に加工が終了し、その結果として周囲への熱影響を抑制することが可能となる。
また、このような極短パルスレーザを用いることで、多光子吸収による加工が可能となり、1光子のエネルギでは除去することな困難な物質であっても除去加工が可能になる。加えて、レーザビームはその波長以下に集光することが困難であるのに対して、多光子吸収を利用することでビームの集光径以下の微細な加工が可能となり、しかも多光子吸収による加工しきい値以上のビームサイズの部分のみという局所的加工が可能となる。例えば、波長800nm、パルス幅150fsのTi:サファイアレーザを用いた場合、1μJ/パルス以下の加工エネルギの1パルス加工でサファイア表面にφ100nmの穴加工が可能である。また、Ti:サファイアレーザよりも波長が短く且つ光子エネルギが高いうえに、より小径に集光することのできる紫外レーザであるFHG−Ti:サファイアレーザを用いれば、より微細な加工が可能となる。
周期微細構造の周期間隔Pは、光学媒質中を透過させようとする光の波長λの1/10〜10倍程度となるように制御する。これは、周期間隔Pを光の波長λの1/10倍〜1倍とした場合には、周期微細構造が屈折率に傾斜性を有する屈折率変化層として有効に機能するからであり、また、周期間隔Pを光の波長λの1倍〜10倍程度とした場合には、周期微細構造が回折格子として機能することで、全反射角以上の入射角度を有する光を透過させることが可能になるからである。
ちなみに、図3に示すような三角テーパ状の周期微細構造を通じて屈折率nの光学媒質1aから屈折率nの光学媒質1bにまで光が伝播する場合、周期間隔Pが光の波長λに対して十分に小さければ、山部の幅をa、谷部の幅をbとしたときのTE波に対する有効屈折率n
となり、TM波に対する有効屈折率n
となり、徐々に有効屈折率n,nが変化することで、前述の屈折率の傾斜性が得られるものである。
また、上記凹凸状の周期微細構造が形成されることで、光入出射部となる界面の面積が増大し、この面積増大により界面での光の透過率が向上するという効果もある。
周期間隔Pの調整に関しては、入射レーザを図4(a)のように真上から照射させずに、図4(b)のように斜め方向から照射させるとともに該照射角度θ及び走査方向を制御することで調整可能である。つまり、入射レーザの偏光方向を走査方向と一致させた場合、真上から照射したときに得られる周期微細構造の周期間隔P0、斜め方向から照射するときの照射角度θ、この照射角度θのときの周期微細構造の周期間隔Pθとすると、
Pθ=P0/(1±sinθ)
となる。このとき、入射レーザの走査方向が図中のイ方向(真上から照射角度θだけ傾けた側の方向)であれば
Pθ=P0/(1+sinθ)
となり、入射レーザの走査方向が図中のロ方向(上記イ方向と逆方向)であれば
Pθ=P0/(1−sinθ)
となることが確認される。
ところで、上記の周期微細構造の形態は入射レーザの偏光方向に応じて変化するものであり、直線偏光レーザを用いた場合には、図5〜図7に示すように、偏光方向に対して垂直に交差する方向に伸びる筋状の周期微細構造が形成される。また、入射レーザとして円偏光レーザを用いた場合には、図8に示すようにドット状の周期微細構造が形成されることとなる。
上記レーザによるアブレーション加工中の加工雰囲気は0.01Pa以下に抑えることが好適である。この場合、飛散した除去物を数百mm直進させることができるので、除去物の再付着により光学媒質の汚染を生じるといった問題を抑制することが可能となる。
また、入射レーザを照射して周期微細構造を形成した後の光学媒質のレーザ加工面に対して更にエッチング処理を行い、入射レーザによる改質部分のみを除去するようにしてもよい。エッチング処理は溶液やプラズマを用いて行うが、溶液としては上記改質部分のみを選択的に除去可能なフッ酸が好適であり、フッ酸の5%溶液を用いる場合には5分以上の処理を行うことが好ましい。このエッチング処理により、周期微細構造の凹凸形状を更に確実に形成することができ、光取出し効率を向上させることができる。
ここにおいて、光学媒質1a,1bのうちの一方の光学媒質が気体や液体であり且つ他方の光学媒質が固体である場合には、他方の光学媒質の表面に周期微細構造を設け、この周期微細構造を一方の光学媒質に密接させることで、光学媒質1a,1bの界面に屈折率変化層を形成することができる。また、光学媒質1a,1bの両方が固体である場合には、硬さが大である方の光学媒質の表面に上記レーザ加工を行って周期微細構造を形成し、硬さが小である方の光学媒質の表面を上記周期微細構造に押し付けることで、周期微細構造を他方の光学媒質に密接させて光学媒質1a,1bの界面に屈折率変化層を形成することができる。
図9に他例を示す。これは屈折率nである光学媒質1aと、屈折率n(≠n)である光学媒質1bとの間に、前記2つの光学媒質1a,1bの屈折率n,nと異なる屈折率nを有し、且つ前記2つの光学媒質1a,1bよりも硬さが小である光学媒質1cを介在させたものである。光学媒質1a,1bが共に固体である場合に両光学媒質1a.1bの表面に周期微細構造を形成したならば、その界面には隙間が生じてしまうこととなるが、上記光学媒質1cを介在させてこの光学媒質1cが両光学媒質1a,1bの周期微細構造の凹凸間に入り込むようにすることで、2つの界面にそれぞれ隙間を生じることなく屈折率変化層を形成することができる。例えば、光学媒質1aが屈折率n=1.77のサファイアであり、光学媒質1bが屈折率n=1.5の石英ガラスであるとき、介在させる光学媒質1cとして屈折率n=1.6のアクリル樹脂を用いることで、光学媒質1aから光学媒質1bまでの連続した屈折率傾斜性を確保して光の伝播損失を抑制することができる。なお、上記2つの界面の一方にのみ周期微細構造を形成するものであっても構わない。
上記したように、一例や他例の処理方法においては、1光束の入射レーザに散乱波やプラズマを相互作用させることによって、光入出射部となる界面に凹凸状の周期微細構造を形成することができる。即ち、干渉光学系を用いることなく且つ確実に周期微細構構造を形成することができるので、加工を高速化及び大面積化することが容易である。
本発明の実施形態における一例の光学媒質の光入出射部処理方法を用いた場合の、金属薄膜の膜厚と周期間隔との関係を示すグラフ図である。 同上の処理方法で形成される周期微細構造を示す説明図であり、(a)は周期間隔が270μm、(b)は周期間隔が750μm、(c)は周期間隔が330μmとなる場合を示している。 同上の処理方法で形成される周期微細構造の断面拡大図である。 (a)(b)は同上の処理方法における光照射方向と周期間隔との相関の説明図である。 (a)は入射レーザの偏光方向を示す説明図、(b)は(a)の入射レーザにより形成される周期微細構造の方向性を示す正面図(写真)である。 (a)は入射レーザの別の偏光方向を示す説明図、(b)は(a)の入射レーザにより形成される周期微細構造の方向性を示す正面図(写真)である。 (a)は入射レーザの更に別の偏光方向を示す説明図、(b)は(a)の入射レーザにより形成される周期微細構造の方向性を示す正面図(写真)である。 (a)は入射レーザのまた更に別の偏光方向を示す説明図、(b)は(a)の入射レーザにより形成される周期微細構造の方向性を示す正面図(写真)である。 本発明の実施形態における他例の光学媒質の光入出射部処理方法で形成される周期微細構造の断面拡大図である。 周期微細構造を示す説明図である。
符号の説明
1a 光学媒質
1b 光学媒質
1c 光学媒質
P 周期間隔
屈折率
屈折率
屈折率
θ 照射角度

Claims (7)

  1. 屈折率が異なる2つの光学媒質の界面に凹凸状の周期微細構造を設けるにあたり、光学媒質の表面に金属薄膜を形成し、金属薄膜を通じて光学媒質の表面に入射レーザを照射させることで、光学媒質の表面に周期微細構造を形成することを特徴とする光学媒質の光入出射部処理方法。
  2. 入射レーザとして、パルス幅が1ps未満の超高強度パルスレーザを用いることを特徴とする請求項1に記載の光学媒質の光入出射部処理方法。
  3. 入射レーザを金属薄膜に対して斜め方向から照射することを特徴とする請求項1又は2に記載の光学媒質の光入出射部処理方法。
  4. 入射レーザとして、円偏光レーザを用いることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の光学媒質の光入出射部処理方法。
  5. 入射レーザ照射後に、光学媒質のレーザ加工面のエッチング処理を行うことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の光学媒質の光入出射部処理方法。
  6. 金属薄膜として銅又は鉄、或いはその合金を含む材料を用いることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の光学媒質の光入出射部処理方法。
  7. 一方の光学媒質の表面に形成した周期微細構造を、他方の光学媒質と密接させることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の光学媒質の光入出射部処理方法。

JP2005093145A 2005-03-28 2005-03-28 光学媒質の光入出射部処理方法 Expired - Fee Related JP4791745B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005093145A JP4791745B2 (ja) 2005-03-28 2005-03-28 光学媒質の光入出射部処理方法
TW095110382A TWI289209B (en) 2005-03-28 2006-03-24 Laser surface treatment
EP06006249A EP1707994B1 (en) 2005-03-28 2006-03-27 Laser surface treatment
AT06006249T ATE519136T1 (de) 2005-03-28 2006-03-27 Laser-oberflächenbehandlung
US11/388,973 US8026459B2 (en) 2005-03-28 2006-03-27 Laser surface treatment
CNB2006100714331A CN100381838C (zh) 2005-03-28 2006-03-28 激光表面处理
KR1020060028048A KR100774436B1 (ko) 2005-03-28 2006-03-28 레이저 표면 처리 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005093145A JP4791745B2 (ja) 2005-03-28 2005-03-28 光学媒質の光入出射部処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006276282A true JP2006276282A (ja) 2006-10-12
JP4791745B2 JP4791745B2 (ja) 2011-10-12

Family

ID=36616874

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005093145A Expired - Fee Related JP4791745B2 (ja) 2005-03-28 2005-03-28 光学媒質の光入出射部処理方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8026459B2 (ja)
EP (1) EP1707994B1 (ja)
JP (1) JP4791745B2 (ja)
KR (1) KR100774436B1 (ja)
CN (1) CN100381838C (ja)
AT (1) ATE519136T1 (ja)
TW (1) TWI289209B (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008257099A (ja) * 2007-04-09 2008-10-23 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 吸収型多層膜ndフィルターチップの製造方法と吸収型多層膜ndフィルターチップ並びに吸収型多層膜ndフィルターチップの接合方法および吸収型多層膜ndフィルター付き絞り羽根とその製造方法
JP2010513961A (ja) * 2006-12-22 2010-04-30 シュライフリング ウント アパラーテバウ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 反射減衰量の大きな光回転結合器
JP2011222700A (ja) * 2010-04-08 2011-11-04 Fujikura Ltd 微細構造の形成方法、レーザー照射装置、及び基板
JP6012006B2 (ja) * 2010-02-05 2016-10-25 株式会社フジクラ 表面微細構造の形成方法

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8178028B2 (en) * 2006-11-06 2012-05-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Laser patterning of nanostructure-films
US7893385B2 (en) * 2007-03-01 2011-02-22 James Neil Rodgers Method for enhancing gain and range of an RFID antenna
JP2008289818A (ja) * 2007-05-28 2008-12-04 Panasonic Electric Works Co Ltd 光脱毛機器
US8279579B1 (en) * 2007-12-10 2012-10-02 Victor Rivas Alvarez Energy transforming, storing and shielding devices
US20100078418A1 (en) * 2008-09-26 2010-04-01 Electro Scientific Industries, Inc. Method of laser micro-machining stainless steel with high cosmetic quality
CN102416527B (zh) * 2011-07-29 2014-12-03 武汉理工大学 纳秒激光刻蚀亚波长周期性条纹的方法
CN102700281A (zh) * 2012-04-26 2012-10-03 湖北联合天诚防伪技术股份有限公司 一种环保型激光精细脱铝的方法
US9925621B2 (en) 2012-11-14 2018-03-27 Perfect Ip, Llp Intraocular lens (IOL) fabrication system and method
US9023257B2 (en) 2012-11-14 2015-05-05 Perfect Ip, Llc Hydrophilicity alteration system and method
CN104942443B (zh) * 2014-03-28 2017-01-25 汉达精密电子(昆山)有限公司 表面处理方法及其产品
US10629434B2 (en) * 2015-04-08 2020-04-21 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Laser irradiation induced surface planarization of polycrystalline silicon films
US10569365B2 (en) * 2015-11-23 2020-02-25 The Boeing Company Method for preparing a fluid flow surface
WO2017160701A1 (en) 2016-03-15 2017-09-21 The Procter & Gamble Company Methods and apparatuses for separating and positioning discrete articles
EP3492211A4 (en) * 2016-07-27 2020-09-02 Furukawa Electric Co. Ltd. LASER TREATMENT METHOD, CONNECTION METHOD, COPPER ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING A MULTI-LAYER PRINT WIRING SUBSTRATE AND MULTI-LAYER PRINT WIRING SUBSTRATE
WO2018090010A1 (en) * 2016-11-14 2018-05-17 The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Antirefctive surface structures on optical elements
EP3702088A4 (en) * 2017-10-25 2021-07-14 Nikon Corporation PROCESSING DEVICE, PROCESSING SYSTEM AND METHOD FOR MANUFACTURING A MOVABLE BODY
CN108680976B (zh) * 2018-07-25 2021-11-09 浙江夜光明光电科技股份有限公司 一种双色反光热贴膜的制作方法
DE102018221189A1 (de) * 2018-12-07 2020-06-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Bilden von Nanostrukturen an einer Oberfläche und optisches Element
EP3956258A1 (en) * 2019-04-15 2022-02-23 Facebook Technologies, LLC. Substrate modification by femto-second laser to achieve variable etch depth in dry etching
WO2021013333A1 (en) * 2019-07-22 2021-01-28 Technische Hochschule Aschaffenburg Electrical connection pad with enhanced solderability and corresponding method for laser treating an electrical connection pad
JP6822699B1 (ja) * 2019-09-24 2021-01-27 フェニックス電機株式会社 レーザー照射装置、およびそれを用いた表面荒らし処理方法
CN111185678B (zh) * 2020-02-07 2021-07-27 吉林大学 一种在透明材料表面和内部制备镂空结构的方法
CN112091418A (zh) * 2020-09-10 2020-12-18 南开大学 一种宽禁带半导体表面深亚波长周期性条纹结构的制备方法
WO2023113955A1 (en) * 2021-12-16 2023-06-22 Applied Materials, Inc. Vacuum chamber, vacuum system and method for vacuum processing

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002372641A (ja) * 2001-06-13 2002-12-26 Ngk Insulators Ltd 光導波路の製造方法、光導波路および波長変換デバイス
JP2003057422A (ja) * 2001-08-17 2003-02-26 Japan Science & Technology Corp フェムト秒レーザー照射による周期微細構造の作成方法
JP2003133690A (ja) * 2001-10-26 2003-05-09 Matsushita Electric Works Ltd 超短パルスレーザを用いた回路形成方法
JP2004339538A (ja) * 2003-05-13 2004-12-02 Japan Science & Technology Agency 微小バンプ作製方法と微細メッシュ作製方法、レーザー加工装置及び作製用基板
JP2004354535A (ja) * 2003-05-27 2004-12-16 Matsushita Electric Works Ltd 光学媒質の光入出射部処理方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5072091A (en) * 1989-04-03 1991-12-10 The Local Government Of Osaka Prefecture Method and apparatus for metal surface process by laser beam
DE4225554A1 (de) * 1992-08-03 1994-02-10 Basf Magnetics Gmbh Flächige Polyethylenterephthalat-Materialien mit geringer Oberflächenrauhigkeit sowie ein Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
JPH0811309B2 (ja) * 1993-01-11 1996-02-07 大阪府 虹色発色加工方法
JPH06212451A (ja) * 1993-01-11 1994-08-02 Osaka Prefecture 金属表面の加飾加工方法
US5558789A (en) 1994-03-02 1996-09-24 University Of Florida Method of applying a laser beam creating micro-scale surface structures prior to deposition of film for increased adhesion
WO1998006676A1 (fr) * 1996-08-13 1998-02-19 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Procede d'usinage au laser pour substrat de verre, dispositif optique du type a diffraction fabrique par ce procede d'usinage, et procede de fabrication de ce dispositif optique
JP3270814B2 (ja) * 1996-08-27 2002-04-02 日本板硝子株式会社 回折型光学素子の製造方法
US6785447B2 (en) * 1998-10-09 2004-08-31 Fujitsu Limited Single and multilayer waveguides and fabrication process
DE19853023A1 (de) * 1998-11-18 2000-05-31 Forschungszentrum Juelich Gmbh Verfahren zur Herstellung von Nanostrukturen in dünnen Filmen
US6555781B2 (en) * 1999-05-10 2003-04-29 Nanyang Technological University Ultrashort pulsed laser micromachining/submicromachining using an acoustooptic scanning device with dispersion compensation
US6682688B1 (en) 2000-06-16 2004-01-27 Matsushita Electric Works, Ltd. Method of manufacturing a three-dimensional object
JP2002059700A (ja) * 2000-08-22 2002-02-26 Osaka Prefecture 虹色発色加工法
TW506868B (en) 2000-10-05 2002-10-21 Matsushita Electric Works Ltd Method of and apparatus for making a three-dimensional object
JP4006994B2 (ja) * 2001-12-18 2007-11-14 株式会社リコー 立体構造体の加工方法、立体形状品の製造方法及び立体構造体
ATE475502T1 (de) 2002-03-26 2010-08-15 Panasonic Elec Works Co Ltd Verfahren zur herstellung eines gesinterten formkörpers durch selektives laser-sintern
AU2003268681A1 (en) * 2002-09-27 2004-05-04 Nec Machinery Corporation Cyclic structure formation method and surface treatment method
DE10344901B4 (de) 2002-09-30 2006-09-07 Matsushita Electric Works, Ltd., Kadoma Verfahren zum Herstellen eines dreidimensionalen gesinterten Produkts
DE10344902B4 (de) 2002-09-30 2009-02-26 Matsushita Electric Works, Ltd., Kadoma Verfahren zum Herstellen eines dreidimensionalen Objekts
DE102004008054B8 (de) 2003-02-25 2007-02-08 Matsushita Electric Works, Ltd., Kadoma Metallpulver-Zusammensetzung zur Verwendung beim selektiven Lasersintern
JP4092256B2 (ja) * 2003-06-04 2008-05-28 財団法人レーザー技術総合研究所 金属密着面表面処理方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002372641A (ja) * 2001-06-13 2002-12-26 Ngk Insulators Ltd 光導波路の製造方法、光導波路および波長変換デバイス
JP2003057422A (ja) * 2001-08-17 2003-02-26 Japan Science & Technology Corp フェムト秒レーザー照射による周期微細構造の作成方法
JP2003133690A (ja) * 2001-10-26 2003-05-09 Matsushita Electric Works Ltd 超短パルスレーザを用いた回路形成方法
JP2004339538A (ja) * 2003-05-13 2004-12-02 Japan Science & Technology Agency 微小バンプ作製方法と微細メッシュ作製方法、レーザー加工装置及び作製用基板
JP2004354535A (ja) * 2003-05-27 2004-12-16 Matsushita Electric Works Ltd 光学媒質の光入出射部処理方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010513961A (ja) * 2006-12-22 2010-04-30 シュライフリング ウント アパラーテバウ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 反射減衰量の大きな光回転結合器
JP2008257099A (ja) * 2007-04-09 2008-10-23 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 吸収型多層膜ndフィルターチップの製造方法と吸収型多層膜ndフィルターチップ並びに吸収型多層膜ndフィルターチップの接合方法および吸収型多層膜ndフィルター付き絞り羽根とその製造方法
JP6012006B2 (ja) * 2010-02-05 2016-10-25 株式会社フジクラ 表面微細構造の形成方法
JP2011222700A (ja) * 2010-04-08 2011-11-04 Fujikura Ltd 微細構造の形成方法、レーザー照射装置、及び基板

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060104938A (ko) 2006-10-09
ATE519136T1 (de) 2011-08-15
EP1707994B1 (en) 2011-08-03
KR100774436B1 (ko) 2007-11-08
CN1841097A (zh) 2006-10-04
TWI289209B (en) 2007-11-01
JP4791745B2 (ja) 2011-10-12
CN100381838C (zh) 2008-04-16
US8026459B2 (en) 2011-09-27
TW200634329A (en) 2006-10-01
EP1707994A1 (en) 2006-10-04
US20060213880A1 (en) 2006-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4791745B2 (ja) 光学媒質の光入出射部処理方法
Liu et al. High-aspect-ratio crack-free microstructures fabrication on sapphire by femtosecond laser ablation
Lei et al. Ultrafast laser applications in manufacturing processes: A state-of-the-art review
Huang et al. Micro-hole drilling and cutting using femtosecond fiber laser
TWI661889B (zh) 雷射處理方法與玻璃製品
Neuenschwander et al. Processing of metals and dielectric materials with ps-laserpulses: results, strategies, limitations and needs
Wang et al. Femtosecond pulse laser ablation of sapphire in ambient air
Karimelahi et al. Rapid micromachining of high aspect ratio holes in fused silica glass by high repetition rate picosecond laser
US10357850B2 (en) Method and apparatus for machining a workpiece
JP5967405B2 (ja) レーザによる割断方法、及びレーザ割断装置
US20210114925A1 (en) Crack-free glass substrate cutting and thinning method
Momma et al. Beam delivery of femtosecond laser radiation by diffractive optical elements.
US20090013724A1 (en) Glass Processing Method Using Laser and Processing Device
Takayama et al. Mechanisms of micro-groove formation on single-crystal diamond by a nanosecond pulsed laser
Wang et al. Femtosecond pulsed laser-induced periodic surface structures on GaN/sapphire
Wang et al. Investigation on material removal efficiency in debris-free laser ablation of brittle substrates
JP2010050138A (ja) 微細周期構造形成方法
LT6112B (lt) Paviršiumi aktyvuotos ramano sklaidos (pars) jutiklis ir jo gamybos būdas
Park et al. Removal of nanoparticles from a silicon wafer using plasma shockwaves excited with a femtosecond laser
JP2018525233A (ja) 透明な材料を加工する方法及び装置
Zhang et al. Effects of plasma confinement on the femtosecond laser ablation of silicon
Bashir et al. The growth of nanoscale periodic and dot-like structures on the surface of stainless steel with femtosecond laser pulses in the dry and wet ambient environment
JP4542317B2 (ja) 光学媒質の光入出射部処理方法
Liang et al. Reutilization of workpiece-reflected energy assisted laser machining of metallic materials with high laser reflectivity
JP2010142829A (ja) レーザ加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071217

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20100708

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100715

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100727

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100927

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110628

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110722

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140729

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4791745

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140729

Year of fee payment: 3

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140729

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees