JP2006274390A - SiNxOyCz膜及び薄膜の成膜方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】SiNxOyCz膜は、x、y及びzそれぞれが下記式(1)〜(3)の範囲である有機EL素子の保護膜。 0.2<x<1.5 ・・・(1)
0.3<y<0.8 ・・・(2)
0.03<z<0.4 ・・・(3)
このSiNxOyCz膜は、400nm〜800nmの波長光で95%以上の透過率を有することが可能である。この膜は、1ターンのコイルにICP出力を印加して発生させた誘導結合プラズマによって原料ガスを分解するCVD法を用いて成膜されたものであることが好ましい。
【選択図】 図3
Description
また、RF出力を印加してプラズマを発生させる通常のプラズマCVD法では、十分な成膜速度を確保することができないという問題がある。さらに、被成膜基材にRF出力を印加してプラズマを発生させるプラズマCVD法では、被成膜基材の温度が上昇してしまうので、例えばプラスチック基材のように熱に弱い被成膜基材を用いることができないという問題がある。
また、本発明の他の目的は、被成膜基材の温度上昇を抑制しつつ成膜速度を向上できる薄膜の成膜方法を提供することにある。
0.2<x<1.5 ・・・(1)
0.3<y<0.8 ・・・(2)
0.03<z<0.4 ・・・(3)
また、本発明に係るSiNxOyCz膜において、このSiNxOyCz膜は、400nm〜800nmの波長光で95%以上の透過率を有することが可能である。
また、本発明に係る薄膜の成膜方法において、前記薄膜が炭化、窒化及び酸化によって合成された化合物からなることも可能である。
0.2<x<1.5 ・・・(1)
0.3<y<0.8 ・・・(2)
0.03<z<0.4 ・・・(3)
図1は、本発明の実施の形態によるSiNxOyCz膜を成膜する際に用いる成膜装置を概略的に示す構成図である。
本実施例では、SiNxOyCz膜の透明性が向上することを確認するために、図1に示した成膜装置を用い、成膜時に成膜チャンバー1内に反応ガスとしてHMDS及び窒素ガスを一定量供給し、酸素ガスの流量を変化させることにより、基材上にSiNxOyCz膜を成膜したサンプルを複数作製する。具体的な成膜条件は下記のとおりである。
基材の材質;ステンレス
基板温度;120℃
RF出力;50W
ICP出力;300W
HMDSの流量;2ccm(cubic centimeter per minute)
窒素ガスの流量;50ccm
酸素ガスの流量;5ccm、6ccm、7ccm、7.5ccm、10ccm
成膜時間;50分
SiNxOyCz膜の厚さ;約1.9μm
本実施例では、SiNxOyCz膜中のSi、N、O、C、Hの含有量を確認するために、図1に示した成膜装置を用い、成膜時に成膜チャンバー1内に反応ガスとしてHMDS及び窒素ガスを一定量供給し、酸素ガスの流量を変化させることにより、基材上にSiNxOyCz膜を成膜したサンプルを複数作製する。具体的な成膜条件は下記のとおりである。
基材の材質;ステンレス
基板温度;120℃
RF出力;50W
ICP出力;300W
HMDSの流量;2ccm
窒素ガスの流量;50ccm
酸素ガスの流量;0ccm、2.5ccm、5ccm、6ccm、7ccm、7.5ccm、10ccm
成膜時間;50分
SiNxOyCz膜の厚さ;約1.9μm
0.2<x<1.5 ・・・(1)
0.3<y<0.8 ・・・(2)
0.03<z<0.4 ・・・(3)
図5は、図1に示した成膜装置を用い、ICP出力を大きくし、RF出力を小さくした第1の成膜条件で成膜したSiNxOyCz膜の膜厚と、ICP出力を0とし、RF出力を大きくした第2の成膜条件で成膜したSiNxOyCz膜の膜厚とを比較した図である。
具体的な第1及び第2の成膜条件は下記のとおりである。
基材の材質;ステンレス
基板温度;120℃
RF出力;50W
ICP出力;300W
HMDSの流量;2ccm
窒素ガスの流量;50ccm
酸素ガスの流量; 0ccm、2.5ccm、5ccm、6ccm、7ccm、7.5ccm、10ccm
成膜時間;50分
基材の材質;ステンレス
基板温度;120℃
RF出力;300W
ICP出力;0W
HMDSの流量;2ccm
窒素ガスの流量;50ccm
酸素ガスの流量;7ccm
成膜時間;50分
図6(b)は、図1に示した成膜装置を用い、酸素ガス流量を7ccmとした場合の第1の成膜条件で成膜したSiNxOyCz膜における表面からの距離と含有する元素濃度との関係を示す図である。
2…基材
3…基材ホルダー
4…高周波電源(RF電源)
5…ヒーター
6…ICP電極
7…整合器
8…ICP用高周波電源
10…ガス導入口
12…発光分光計
13…真空ポンプ
14…酸素ガス流量が5ccmの成膜条件で成膜したSiNxOyCz膜に関する測定結果
15…酸素ガス流量が6ccmの成膜条件で成膜したSiNxOyCz膜に関する測定結果
16…酸素ガス流量が7ccmの成膜条件で成膜したSiNxOyCz膜に関する測定結果
17…酸素ガス流量が7.5ccmの成膜条件で成膜したSiNxOyCz膜に関する測定結果
18…酸素ガス流量が10ccmの成膜条件で成膜したSiNxOyCz膜に関する測定結果
19…透明性等を確保できる組成比の範囲
Claims (10)
- x、y及びzそれぞれが下記式(1)〜(3)の範囲であることを特徴とするSiNxOyCz膜。
0.2<x<1.5 ・・・(1)
0.3<y<0.8 ・・・(2)
0.03<z<0.4 ・・・(3) - 請求項1において、前記SiNxOyCz膜が有機EL素子の保護膜であることを特徴とするSiNxOyCz膜。
- 請求項1又は2において、前記SiNxOyCz膜は、400nm〜800nmの波長光で95%以上の透過率を有することを特徴とするSiNxOyCz膜。
- 請求項1乃至3のいずれか一項において、前記SiNxOyCz膜は、1ターンのコイルにICP出力を印加して発生させた誘導結合プラズマによって原料ガスを分解するCVD法を用いて成膜されたものであることを特徴とするSiNxOyCz膜。
- 1ターンのコイルにICP出力を印加して誘導結合プラズマを発生させ、前記誘導結合プラズマによって有機金属を含む原料ガスを分解するCVD法を用いることにより、被成膜基材上に薄膜を成膜することを特徴とする薄膜の成膜方法。
- 請求項5において、前記被成膜基材上に薄膜を成膜する際、前記被成膜基材にRF出力を印加して前記被成膜基材にRFバイアスを発生させることを特徴とする薄膜の成膜方法。
- 請求項5又は6において、前記薄膜が炭化、窒化及び酸化によって合成された化合物からなることを特徴とする薄膜の成膜方法。
- 請求項7において、前記薄膜がSiNxOyCz膜であり、前記SiNxCyOz膜におけるx、y及びzそれぞれは下記式(1)〜(3)の範囲であることを特徴とする薄膜の成膜方法。
0.2<x<1.5 ・・・(1)
0.3<y<0.8 ・・・(2)
0.03<z<0.4 ・・・(3) - 請求項5乃至8のいずれか一項において、前記原料ガスがHMDS、窒素ガス及び酸素ガスであることを特徴とする薄膜の成膜方法。
- 請求項5乃至9のいずれか一項において、前記被成膜基材上に薄膜を成膜する前に、1ターンのコイルにICP出力を印加して誘導結合プラズマを発生させ、前記誘導結合プラズマによってアルゴンガスのプラズマを発生させることにより、前記被成膜基材の表面を清浄化することを特徴とする薄膜の成膜方法。
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