JP2006272861A - 位置ずれ測定方法および露光方法ならびにテストパターン - Google Patents

Abstract

【課題】 位置ずれ測定方法において、互いに異なる描画単位のそれぞれで描画する各描画位置間の位置ずれ量をより正確に測定する。
【解決手段】 描画ヘッド１０ａ、１０ｂのそれぞれで描画する各画像Ｇａ、Ｇｂの縁Ｆａ、Ｆｂの位置が互いに一致するように各画像Ｇａ、Ｇｂを記録媒体１上へ描画する際に、縁Ｆａ、Ｆｂを間に挟んで互いに隣接するように描画される各画像Ｇａ、Ｇｂ中のそれぞれの画素Ｑａ（ｎ）、Ｑｂ（１）のうちの少なくともいずれか一方の画素を含み縁Ｆａ、Ｆｂの延びる方向と交差する方向へ並ぶ予め定められた数の画素からなる空白画素群Ｊ５の描画を行うことなく、空白画素群Ｊ５の両側に隣接するように描画される空白隣接画素Ｑａ（ｎ−５）およびＱｂ（１）を描画し、記録媒体１上に描画された上記空白隣接画素間の間隔と上記予め定められた数の画素の長さとの差に基づいて、画像Ｇａ、Ｇｂ間の位置ずれ量を測定する。
【選択図】 図１

Description

本発明は位置ずれ測定方法および露光方法ならびにテストパターンに関し、詳しくは、互いに異なる描画単位のそれぞれで記録媒体上に描画する各画像間の位置ずれ量を測定する位置ずれ測定方法、および上記位置ずれ測定方法を適用して露光を行う露光方法、ならびに上記位置ずれ測定方法に用いられるテストパターンに関するものである。

従来より、記録媒体上に画像を描画する描画装置の１例として、ＤＭＤ（デジタル・マイクロミラー・ディバイス）を搭載した複数の露光用の描画ヘッドを備えた描画装置が知られている（特許文献１参照）。また、このような描画装置には、記録媒体である感光材料が載置された描画用テーブルを描画ヘッドの下に１方向に搬送して上記感光材料上に画像を描画するものが知られている。上記描画装置では、各描画ヘッドによるそれぞれの描画領域は上記描画用テーブルが搬送される方向へ延びる長方形（ストライプ）状の領域となる。

上記描画装置は、互いに異なる描画単位である描画ヘッドを用いて同一感光材料上に画像を描画するため、各描画ヘッドで描画する各描画位置間の位置ずれの調節が必要となる。そのような場合には、各描画ヘッドにより描画される各描画位置に亘るテストパターンの画像を感光材料上に描画し、このテストパターンの描画された感光材料を現像し顕微鏡で観察することにより、上記各描画位置間の位置ずれ量を求め、上記位置ずれ量に基づいて各描画位置間の位置ずれを補正している。
特開２００４−００１２４４号公報

しかしながら、上記各描画位置に亘るテストパターンの画像を感光材料上に描画して各描画位置間の位置ずれ量を求める方式は、各描画位置に描画される各画像間に隙間が生じる方向にずれたときには、各画像の縁同士の間隔を測定すればよいのでその測定は容易であるが、各描画位置に描画される各画像が互いに重複する方向にずれたときには、各画像の縁の位置を決定することが難く、各描画位置間の位置ずれ量の測定を正確に行うことが難しいという問題がある。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、互いに異なる描画単位それぞれの描画位置間の位置ずれ量をより正確に測定することができる位置ずれ測定方法および露光方法ならびにテストパターンを提供することを目的とするものである。

本発明の位置ずれ測定方法は、互いに異なる描画単位の描画位置間の位置ずれ量を測定する位置ずれ測定方法であって、前記描画単位それぞれの描画位置の縁を間に挟んで互いに隣接するように描画されるべき各画像中のそれぞれの画素のうちの少なくともいずれか一方を含み前記縁の延びる方向と交差する交差方向へ並ぶ予め定められた数の画素からなる空白画素群の描画を行うことなく、前記空白画素群の両側に隣接するように描画される空白隣接画素を描画し、前記記録媒体上に描画された各空白隣接画素間の間隔と前記空白画素群の画素数の画素の長さとの差に基づいて、各描画位置間の位置ずれ量を測定することを特徴とするものである。

前記記録媒体は、記録媒体上に描画された空白隣接画素間の間隔を測定するための、予め定められた数の画素が並べられてなる１種類以上の参照領域が描画されたものとすることができる。

前記位置ずれ測定方法は、前記描画単位による描画を行うときに、前記空白隣接画素間の間隔を測定するための、予め定められた数の画素が並べられてなる１種類以上の参照領域をも前記記録媒体上に描画するものとすることができる。

なお、前記位置ずれ測定方法は、例えば、互いに異なる描画単位のそれぞれで記録媒体上に描画する各描画位置間の位置ずれ量を測定する位置ずれ測定方法であって、前記描画単位それぞれで描画する各画像の縁の位置が互いに一致するように各描画単位毎に各画像を記録媒体上へ描画する際に、前記位置が互いに一致する縁を間に挟んで互いに隣接するように描画されるべき各画像中のそれぞれの画素のうちの少なくともいずれか一方を含み前記縁の延びる方向と交差する交差方向へ並ぶ予め定められた数の画素からなる空白画素群の描画を行うことなく、前記空白画素群の両側に隣接するように描画される空白隣接画素を描画し、記録媒体上に描画された各空白隣接画素間の間隔と前記空白画素群の画素数の画素の長さとの差に基づいて、各描画位置間の位置ずれ量を測定するものとすることができる。

本発明の露光方法は、入射した光を変調する変調素子を２次元状に多数配列してなる空間光変調器を有する複数の露光ヘッドのそれぞれで、光源から発せられた光を空間光変調させて得られる画像のそれぞれを、同一感光材料上に結像させて該感光材料を露光する露光方法であって、前記位置ずれ測定方法を、前記複数の露光ヘッドで感光材料を露光する際の画像間の位置ずれ量の測定に適用して前記露光ヘッドのそれぞれで結像させる各画像間の位置ずれ量を測定し、該位置ずれ量に基づいて各露光ヘッドにより感光材料上に結像させる各画像間の位置ずれを補正して前記露光ヘッドによる感光材料の露光を実行することを特徴とするものである。

本発明のテストパターンは、互いに異なる描画単位の描画位置の位置ずれ量の測定に用いるテストパターンであって、前記描画単位それぞれの描画位置の縁を間に挟んで互いに隣接するように描画されるべき各画像中のそれぞれの画素のうちの少なくともいずれか一方を含み前記縁の延びる方向と交差する交差方向へ並ぶ予め定められた数の画素からなる空白画素群と、前記空白画素群の両側に隣接するように各描画単位で描画される空白隣接画素とを備えたことを特徴とするものである。

前記テストパターンは、予め定められた数の画素が並べられてなる１種類以上の参照領域をさらに備えたものとすることができる。

前記予め定められた画素の数は、予想される各画像間の位置ずれ量に応じて定めることが望ましい。

前記空白画素群の画素数の画素の長さは、前記交差方向へ並ぶ予め定められた数の画素の長さを意味するものである。

本発明の位置ずれ測定方法によれば、互いに異なる描画単位の描画位置の位置ずれ量を測定する位置ずれ測定方法であって、前記描画単位それぞれの描画位置の縁を間に挟んで互いに隣接するように描画されるべき各画像中のそれぞれの画素のうちの少なくともいずれか一方を含み前記縁の延びる方向と交差する交差方向へ並ぶ予め定められた数の画素からなる空白画素群の描画を行うことなく、前記空白画素群の両側に隣接するように描画される空白隣接画素を描画し、前記記録媒体上に描画された各空白隣接画素間の間隔と前記空白画素群の画素数の画素の長さとの差に基づいて、各描画位置間の位置ずれ量を測定するようにしたので、互いに異なる描画単位それぞれの描画位置間の位置ずれ量をより正確に測定することができる。

すなわち、互いに異なる描画単位のそれぞれで描画する各画像が互いに重複する方向にずれたときであっても、各空白隣接画素間を画素が描画されない非描画領域とすることができ、空白隣接画素と非描画領域との境界を正確に定めることができる。これにより、空白隣接画素間の間隔を正確に測定することができるので、空白隣接画素間の長さと予め定められた数の画素からなる空白画素群の長さとの差を正確に求めることができ、各描画単位それぞれの描画位置間の位置ずれ量をより正確に測定することができる。

また、記録媒体を、この記録媒体上に描画された空白隣接画素間の間隔を測定するための、予め定められた数の画素が並べられてなる１種類以上の参照領域が描画されたものとすれば、空白隣接画素間の間隔をより容易に測定することができる。

また、描画単位による描画を行うときに、空白隣接画素間の間隔を測定するための、予め定められた数の画素が並べられてなる１種類以上の参照領域をも記録媒体上に描画するものとすれば、空白隣接画素間の間隔をより容易に測定することができる。

本発明のテストパターンによれば、互いに異なる描画単位の描画位置ずれ量の測定に用いるテストパターンであって、前記描画単位のそれぞれの描画位置の縁を間に挟んで互いに隣接するように描画されるべき各画像中のそれぞれの画素のうちの少なくともいずれか一方を含み前記縁の延びる方向と交差する交差方向へ並ぶ予め定められた数の画素からなる空白画素群と、前記空白画素群の両側に隣接するように各描画単位で描画される空白隣接画素とを備えるようにしたので、互いに異なる描画単位それぞれの描画位置間の位置ずれ量をより正確に測定することができる。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。図１は本発明の位置ずれ測定方法の実施の形態示す概念図、図２は参照領域を示す図、図３は画像間の位置ずれ量を測定する様子を示す図であり、図３（ａ）は画像間に位置ずれが生じていない状態を示す図、図３（ｂ）は画像が互いに重複している状態を示す図、図３（ｃ）は画像間に隙間が生じている状態を示す図である。また、図４は描画ヘッドで記録媒体上に画像を描画する態様の１例を示す図である。

図示の上記実施の形態による位置ずれ測定方法は、互いに異なる描画単位である描画ヘッド１０ａ、１０ｂ・・・それぞれの描画位置間の位置ずれ量を求めるものである。上記描画位置間の位置ずれ量は、描画ヘッド１０ａ、１０ｂ・・・のそれぞれで記録媒体１上に描画した各画像Ｇａ、Ｇｂ・・・間の位置ずれ量を測定することによって求めることができる。すなわち、描画ヘッド１０ａ、１０ｂ・・・それぞれの描画位置に各画像Ｇａ、Ｇｂ・・・が描画される。

上記描画位置間の位置ずれ量、すなわち、各画像Ｇａ、Ｇｂ・・・間の位置ずれ量の測定の手法は、いずれの画像間（描画位置間）においても同じなので、以下、画像Ｇａ、Ｇｂ間の位置ずれ量の測定について説明する。

上記位置ずれ測定方法は、互いに異なる描画ヘッド１０ａ、１０ｂのそれぞれで描画する画像Ｇａ、Ｇｂの縁Ｆａ、Ｆｂが互いに一致するようにすべく各描画ヘッド１０ａ、１０ｂにより各画像Ｇａ、Ｇｂを記録媒体１上に描画する際に、上記縁Ｆａ、Ｆｂを間に挟んで互いに隣接するように描画されるはずの画像Ｇａ中の画素Ｑａ（ｎ）を含み上記縁Ｆａ、Ｆｂと交差する交差方向である図中Ｘ方向へ並ぶ、予め定められた数の画素からなる空白画素群Ｊ５、例えば、Ｑａ（ｎ−４）からＱａ（ｎ）までの５画素の描画を行うことなく、上記空白画素群Ｊ５の両側に隣接するように描画されるはずの空白隣接画素であるＱａ（ｎ−５）とＱｂ（１）とを描画し、記録媒体１上に描画された空白隣接画素であるＱａ（ｎ−５）とＱｂ（１）との間の間隔と、上記予め定められた画素の数に対応する長さとの比較に基づいて、各画像Ｇａ、Ｇｂ間の位置ずれ量を測定する。上記予め定められた画素の数に対応する長さは、空白画素群Ｊ５の画素数である上記予め定められた数の画素の長さである。上記空白画素群の両側に隣接するように描画されるはずの空白隣接画素は、画像Ｇａ中の１つの画素と画像Ｇｂ中の１つの画素とであってもよいし、各画像Ｇａ、Ｇｂそれぞれのうちの複数の画素であってもよい。

上記Ｘ方向とＹ方向とは互いに直交する方向であり、ここでは、各画像Ｇａ、Ｇｂ間のＸ方向の位置ずれ量の測定を行うものとする。なお、本発明を上記Ｘ方向の位置ずれ量の測定に利用することもできる。

また、上記記録媒体１上の画像Ｇａ中には、各空白隣接画素間の間隔を求めるための、上記Ｘ方向の長さを示す参照領域が描画される。ここで、参照領域には、上記予め定められた数の画素数である５画素、５画素±１画素、５画素±２画素、および５画素±３画素のそれぞれに対応するする長さを有する領域を採用する。すなわち、２画素、３画素、４画素、５画素、６画素、７画素、８画素に対応するする長さを有する参照領域を採用する。なお、上記画像ＧａとＧｂとが位置ずれなく描画されたときの各空白隣接画素間の間隔は５画素分の間隔となる。

図２に、２画素分の長さを有する参照領域Ｌ（２）、３画素分の長さを有する参照領域Ｌ（３）、４画素分の長さを有する参照領域Ｌ（４）、５画素分の長さを有する参照領域Ｌ（５）、６画素分の長さを有する参照領域Ｌ（６）、７画素分の長さを有する参照領域Ｌ（７）、８画素分の長さを有する参照領域Ｌ（８）のそれぞれを示す。

なお、上記参照領域は描画を行わない領域、すなわち非描画領域となるように、各参照領域の両側に隣接する画素ＮＬが記録媒体１上に描画される。

ここで、記録媒体１上に描画された画像Ｇａの縁Ｆａに隣接する画素Ｑａ（ｅ−５）と、画像Ｇｂの縁Ｆｂに隣接する画素Ｑｂ（１）との間の間隔である、空白隣接画素間の間隔を求める場合について説明する。ここでは、上記空白隣接画素間の間隔と参照領域Ｌ（２）〜Ｌ（８）の長さとを比較して、空白隣接画素間の間隔を求める。

例えば、図３（ａ）に示すように、記録媒体１上に描画された上記空白隣接画素間の間隔が参照領域Ｌ（５）の長さに等しい場合には、画像Ｇａ、Ｇｂ間に位置ずれが生じていないことがわかる。すなわち、画像Ｇａにおける画像Ｇｂ側の縁Ｆａと、画像Ｇｂにおける画像Ｇａ側の縁Ｆｂの位置とは一致している。

また、図３（ｂ）に示すように、空白隣接画素間の間隔が参照領域Ｌ（２）の長さと等しい場合には、画像Ｇａと画像Ｇｂとは重複する方向に位置ずれが生じており、その位置ずれ量が３画素分であることがわかる。すなわち、上記３画素は、予め定められた５画素から空白隣接画素間の間隔である２画素を差し引いて得られたものであり、画像Ｇａの縁Ｆａが画像Ｇｂ中に位置し、画像Ｇｂの縁Ｆｂが画像Ｇａ中に位置している状態であることがわかる。

また、図３（ｃ）に示すように、空白隣接画素間の長さが参照領域Ｌ（７）の長さと等しい場合には、画像Ｇａと画像Ｇｂとは隙間が生じる方向に位置ずれが生じており、その位置ずれ量が２画素分であることがわかる。すなわち、上記２画素は、空白隣接画素間の間隔である７画素から予め定められた５画素を差し引いて得られたものであり、画像Ｇａの縁Ｆａと、画像Ｇｂの縁Ｆｂとの間に隙間が生じている状態であることがわかる。

上記のように、本発明によれば、各画像が互いに重複する方向にずれた場合であっても、空白隣接画素間に非描画領域を残すことができるので、空白隣接画素間の間隔を正確に測定することができる。これにより、各画像間の位置ずれ量、すなわち各描画位置間の位置ずれ量をより正確に測定することができる。

なお、上記描画ヘッド１０ａ、１０ｂは、図４に示すように、記録媒体１上の図中矢印Ｘ方向に延びる領域Ｒ１を描画しつつ、上記Ｘ方向と直交する搬送方向（図中矢印Ｙ方向）に搬送されて、上記Ｘ方向とＹ方向とで形成されるＸ−Ｙ平面に対して平行に配置された記記録媒体１上に上記画像Ｇａ、Ｇｂを描画するものであってもよい。

本発明のテストパターンは、上記空白画素群と上記空白隣接画素とを備えたものであり、上記テストパターンは上記参照領域をさらに備えたものとしてもよい。

上記描画ヘッド１０ａ、１０ｂのそれぞれは、マトリクス状に配置された多数の描画素子を有するものとしてもよい。以下の説明は、１つの描画素子を１つの描画単位として、各描画単位それぞれの描画位置間の位置ずれを測定する場合についての説明をも含むものである。

以下、上記マトリクス状に配置された多数の描画素子を備えた描画ヘッド１０ａ、１０ｂで記録媒体１上に画像Ｇａ、Ｇｂを描画したときの各画像Ｇａ、Ｇｂ間の位置ずれ量の測定等、すなわち、描画ヘッド１０ａ、１０ｂそれぞれの描画位置間の位置ずれ量の測定等について説明する。

図５は描画ヘッドが備えるマトリクス状に配列された描画素子を示す図、図６は各描画素子の位置とこれらの描画素子で描画される画素の位置との関係を示す図、図７はそれぞれの露光ヘッドが備える各描画素子と、各描画素子で描画される画素の位置との関係を示す図、図８はマトリクス状に配列された描画素子を備えた描画ヘッドで描画された画像間の位置ずれ量を測定する様子を示す図であり、図８（ａ）は画像間に隙間が生じている状態を示す図である。図８（ｂ）は画像が互いに重複している状態を示す図、図８（ｃ）は画像間に位置ずれが生じていない状態を示す図である。図９は空白画素群を設定して描画した画素列を示す図、図１０は各画像間に亘る空白画素群を設定して描画した画素列を示す図、図１１は描画ヘッドの描画可能領域と位置ずれ量を測定するために描画ヘッドで描画する画像との位置関係を示す図である。

図５に示すように、描画ヘッド１０ａの備える描画素子Ａ、描画ヘッド１０ｂの備える描画素子Ｂのそれぞれは、図中Ｘ方向およびＹ方向に配列した各描画素子をＸ−Ｙ平面に対して平行な平面内で、角度θ傾けて配置したものである。描画ヘッド１０ａ、１０ｂを搬送することなく静止させて、上記描画ヘッド１０ａ、１０ｂにより記録媒体１上に画像を描画したときに、描画素子Ａ（ｙ、ｘ：ｙ＝１〜ｍ、ｘ＝１〜ｎ）、描画素子Ｂ（ｙ、ｘ：ｙ＝１〜ｍ、ｘ＝１〜ｎ）に対応して記録媒体１上に描画される画素は以下のようになる。

すなわち、図６に示すように、例えば、描画ヘッド１０ａ中の描画素子Ａ（１、ｘ）から描画素子Ａ（ｍ、ｘ）に亘るｍ個の描画素子からなる列（ｘ）の描画素子はＸ方向およびＹ方向に対して斜めに配列されており、この列の隣の列（ｘ＋１）の描画素子Ａ（１、ｘ＋１）から描画素子Ａ（ｍ、ｘ＋１）に亘る描画素子は上記列（ｘ）の描画素子と並行に配置されている。描画素子を斜めに配列したことにより、上記列（ｘ）中および列（ｘ＋１）中の互いに隣り合う描画素子間のＸ方向の間隔を各描画素子間の間隔より狭くすることができる。そして、描画ヘッド１０ａはＹ方向に搬送されるので、上記列（ｘ）を構成する描画素子によって記録媒体１上に描画される画素Ｓａ（ｙ、ｘ：ｙ＝１〜ｍ）、および列（ｘ＋１）を構成する描画素子によって記録媒体１上に描画される画素Ｓａ（ｙ、ｘ+１：ｙ＝１〜ｍ）の互いに隣り合う画素間のＸ方向における間隔を緻密にすることができる。

ここでは、描画素子Ａ（ｙ、ｘ：ｙ＝１〜ｍ、ｘ＝１〜ｎ）、描画素子Ｂ（ｙ、ｘ：ｙ＝１〜ｍ、ｘ＝１〜ｎ）における、１≦ｙ≦２０の範囲の描画素子を使用し、２１＜ｙの範囲の描画素子を使用しない。これにより、描画素子Ａ（２０、ｘ）と描画素子Ａ（１、ｘ＋１）とが、記録媒体１上の互いに隣り合う画素を描画する描画素子となり、互いに異なる描画素子によって記録媒体１中のＹ方向（搬送方向）に並ぶ画素が描画されることを避けることができる。

ここで、上記描画素子Ａ（２０、ｘ）によって描画される画素Ｓａ（２０、ｘ）と描画素子Ａ（１、ｘ＋１）によって描画される画素Ｓａ（１、ｘ＋１）とのＸ方向における間隔が他の互いに隣り合う画素間のＸ方向における間隔と等しくなるように設定されている。例えば、画素Ｓａ（２０、ｘ）と画素Ｓａ（１、ｘ＋１）のＸ方向における間隔Ｖｏが、画素Ｓａ（１、ｘ）と画素Ｓａ（２、ｘ）のＸ方向における間隔Ｖ１や、画素Ｓｂ（１９、ｘ＋１）と画素Ｓａ（２０、ｘ＋１）のＸ方向における間隔Ｖ２等しくなるように設定されている。

また、図７に示すように、描画素子Ａの最後の列であるｎ列目の描画素子Ａ（ｙ、ｎ）と、描画素子Ｂの１列目の描画素子Ｂ（ｙ，１）とは互いに隣り合う列であり、描画素子Ａ（２０、ｎ）と描画素子Ｂ（１，１）とがＸ方向に互いに隣り合う画素を描画する描画素子となる。そして、上記描画素子Ａ（２０、ｎ）および描画素子Ｂ（１，１）のそれぞれが記録媒体１上のＸ方向に互いに隣り合う画素Ｓａ（２０、ｎ）と素子Ｓａ（１，１）とを描画する。

描画ヘッド１０ａと描画ヘッド１０ｂとは個別に設置されるので、各描画ヘッド１０ａ、１０ｂ毎に位置の調節を行う必要がある。描画素子Ａ、および描画素子Ｂのそれぞれで描画する各画像Ｇａ，Ｇｂ間の位置ずれ量の測定に基づいて上記調節が行われる。

ここで、従来のように、例えば、描画素子Ａ（ｙ、ｎ：ｙ＝１〜２０）で記録媒体１上の画素Ｓａ（ｙ、ｎ：ｙ＝１〜２０）の全てを黒色に描画するとともに、描画素子Ｂ（ｙ、１：ｙ＝１〜２０）の全てを黒色に描画した場合には、描画素子Ａおよび描画素子Ｂのそれぞれで描画する各画像Ｇａ，Ｇｂ間に隙間が生じたときの位置ずれ量の測定を正確に行うことができるが、各画像Ｇａ，Ｇｂ間に隙間が生じなかったときの位置ずれ量の測定は正確に行うことができない。

以下に上記位置ずれ量の測定を正確に行うことができる場合とできない場合とについて図８を参照して説明する。なお、図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、および、後述する図９、図１０においては、画素Ｓａ（ｙ、ｘ：ｙ＝２１〜ｍ）、および描画素子Ｂ（ｙ、ｘ：ｙ＝２１〜ｍ）は描画されないので図示を省略している。

また、各図を示す紙面の上方には描画ヘッド１０ａ、１０ｂを搬送することなく静止させて、上記描画素子Ａ、Ｂにより記録媒体１上に描画した各画素を示し、各図を示す紙面の下方には描画ヘッド１０ａ、１０ｂを上記Ｙ方向に搬送しつつ、描画素子Ａ、Ｂにより記録媒体１上に描画した上記Ｘ方向に延びる線を示す。

描画ヘッド１０ａ、１０ｂの設置に誤差が生じ、図８（ａ）に示すように、記録媒体１上に描画された上記Ｘ方向に互いに隣り合うはずの画素Ｓａ（２０、ｎ）と画素Ｓｂ（１，１）との間に隙間が生じた場合には、画素Ｓａ（ｙ、ｎ：ｙ＝１〜２０）と描画素子Ｂ（ｙ、１：ｙ＝１〜２０）の全てを黒色に描画して得られた図中Ｘ方向に延びる線を示す画像を観察して上記隙間の長さを測定することは容易である。すなわち、画素Ｓａ（２０、ｎ）の縁Ｆａの位置、および画素Ｓｂ（１，１）の縁Ｆａの位置を正確に決定することは容易である。

ところが、描画ヘッド１０ａ、１０ｂの設置に誤差が生じ、図８（ｂ）に示すように、記録媒体１上に描画された上記Ｘ方向に互いに隣り合うはずの画素Ｓａ（２０、ｎ）と画素Ｓｂ（１，１）との位置がＸ方向に入れ替わった場合には、画素Ｓａ（ｙ、ｎ：ｙ＝１〜２０）と描画素子Ｂ（ｙ、１：ｙ＝１〜２０）の全てを黒色に描画して得られた図中Ｘ方向に延びる線を示す画像を観察して画像Ｇａ、Ｇｂの重複している長さを測定することは難しい。すなわち、画素Ｓａ（２０、ｎ）の縁Ｆａの位置、および画素Ｓｂ（１，１）の縁Ｆｂの位置を正確に決定することが難しい。

また、図８（ｃ）に示すように、記録媒体１上に描画された上記Ｘ方向に互いに隣り合うはずの画素Ｓａ（２０、ｎ）と素子Ｓａ（１，１）との間に隙間も重複も生じない状態、すなわち、画像Ｇａ、Ｇｂ間に位置ずれが生じていない状態は、上記図８（ｂ）に示す画像Ｇａ、Ｇｂが重複している状態と区別することは難しい。つまり、画素Ｓａ（２０、ｎ）の縁Ｆａの位置、および画素Ｓｂ（１，１）の縁Ｆｂの位置を正確に決定することが難しい。

これに対して、上記位置ずれ測定方法を適用することにより、画像Ｇａ、Ｇｂが互いに重複する場合であっても、各画像Ｇａ、Ｇｂ間の位置ずれ量をより正確に測定することができる。

すなわち、図９に示すように、例えば、空白画素群を構成する画素の数を１０画素とするとともに、描画素子Ａ（１０、ｎ）と描画素子Ｂ（１，１）とを上記空白画素群の両側に隣接する空白隣接画素に設定する。描画ヘッド１０ａ、１０ｂのそれぞれにより、記録媒体１上に上記空白画素群に対応する画素Ｓａ（ｙ、ｎ：ｙ＝１１〜２０）の描画を行うことなく、画素Ｓａ（ｙ、ｎ：ｙ＝１〜１０）と描画素子Ｂ（ｙ、１：ｙ＝１〜２０）の全てを黒色に描画する。これにより、画素Ｓａ（１０、ｎ）と画素Ｓｂ（１，１）との間に隙間を生ぜしめることができ、画素Ｓａ（１０、ｎ）の縁Ｆａ′の位置、および画素Ｓｂ（１，１）の縁Ｆｂの位置を正確に定めることができる。それにより、空白隣接画素間の間隔、画素Ｓａ（１０、ｎ）、画素Ｓｂ（１，１）間の間隔を正確に測定することができる。

そして、上記と同様に、各空白隣接画素間の間隔と予め定められた数の画素で構成される空白画素群の長さとの差に基づいて、正確に画像Ｇａ、Ｇｂ間の位置ずれ量を測定することができる。

なお、上記空白画素群を構成する画素の数は、予想される位置ずれ量に応じて設定されるものである。

また、空白画素群は、画像Ｇａと画像Ｇｂとに亘って設定するようにしてもよい。すなわち、図１０に示すように、例えば、空白画素数を１０に設定したときに、画像Ｇａの縁に隣接する画素Ｓａ（２０、ｎ）および画像Ｇｂの縁に隣接する画素Ｓａ（１、１）を含む画素Ｓａ（１６、ｎ）から画素Ｓｂ（５，１）まで空白画素群とし、この空白画素群に隣接する空白隣接画素を画像Ｇａ中の画素Ｓａ（１５、ｎ）と画像Ｇｂ中の画素Ｓｂ（６，１）とに設定することもできる。そのような場合には、空白隣接画素間の間隔は、画素Ｓａ（１５、ｎ）の縁Ｆａ″の位置、画素Ｓｂ（６，１）の縁Ｆｂ″の位置の間隔を測定することにより得ることができ、上記と同様に、画像Ｇａ、Ｇｂが互いに重複していても各画像Ｇａ、Ｇｂ間の位置ずれ量を正確に測定することができる。

なお、図１１に示すように描画ヘッド１０ａ、１０ｂのそれぞれで描画する画像の描画可能範囲Ｒａ、Ｒｂが重複するように設定されている場合であっても、上記描画可能範囲Ｒａ、Ｒｂの全領域を描画に使用することなく。記録媒体１上に正しく描画されたときに、描画ヘッド１０ａ、１０ｂのそれぞれで描画する各画像Ｇａ、Ｇｂの縁Ｆａ、Ｆｂの位置が互いに一致するように設定することにより、上記と同様に画像間位置ずれ量の測定を行うことができる。図６に示すような、１つのＤＭＤ内の画素並びのつなぎに、本発明を適用することもできる。例えば、不使用画素の設定の仕方によっては、間隔Ｖ０の値が変わってくるため、この間隔Ｖ０を本実施の形態の方法で求めることによって、間隔Ｖ０が最適な間隔となるように不使用画素を設定することができる。

次に、上記位置ずれ測定方法を適用して露光を行う露光方法を実施する露光装置について説明する。

図１２は露光装置の光学系の概略構成を示す図、図１３は露光装置全体の概略構成を示す斜視図、図１４は露光ユニットに収容された露光ヘッドが感光材料を露光する様子示す斜視図、図１５は後述するＤＭＤの構成を拡大して示す斜視図、図１６は微小ミラーの動作を示す斜視図であり、図１６（Ａ）はＤＭＤをオフ状態とした場合の画素光ビームの軌跡を示す平面図、図１６（Ｂ）はＤＭＤをオン状態とした場合の画素光ビームの軌跡を示す平面図である。図１７（Ａ）はＤＭＤを傾斜させない場合の各微小ミラーで反射させて形成された画素光ビームの感光材料上での軌跡を示す図、図１７（Ｂ）はＤＭＤを傾斜させた場合の画素光ビームの感光材料上での軌跡を示す図である。

上記位置ずれ測定方法を適用して露光を行う露光方法を実施する露光装置は、入射した光を変調する変調素子を２次元状に多数配列してなる空間光変調器であるＤＭＤを有する複数の露光ヘッドのそれぞれで、光源から発せられた光を空間光変調させ、空間光変調させて得られた画像パターンを感光材料上に結像させてこの感光材料を露光する露光方法であって、上記位置ずれ測定方法を複数の露光ヘッドで感光材料を露光する際の描画ずれ量の測定に適用して、露光ヘッドのそれぞれで結像させる各画像パターン間の描画ずれ量を測定し、その描画ずれ量に基づいて各露光ヘッドにより感光材料上に結像させる各画像パターン間の描画ずれを補正して上記露光ヘッドによる感光材料の露光を実行するものである。

なお、上記描画ヘッド１０ａ、１０ｂ・・・が、後述する露光ヘッド２３０Ａ， ２３０Ｂ・・・に対応するものである。また、記録媒体１が、後述する光材料２０１に対応するものである。また、各描画ヘッド１０ａ、１０ｂ・・・により各画像Ｇａ、Ｇｂ・・・を描画した記録媒体１上の描画領域が、後述する帯状の露光済み領域２３４Ａ，２３４Ｂ・・・に対応するものである。

図示のように露光装置２００は、光源２３８から発せられ光ファイバ２４０を通って射出された光を、微小光変調素子である微小ミラーＭを２次元状に多数配列してなる空間光変調器であるＤＭＤ（デジタル・マイクロミラー・ディバイス）２３６により空間光変調させ、上記微小ミラーＭそれぞれの光変調状態に応じて形成される各微小ミラーＭに対応する画素光ビームＬを感光材料２０１上に結像させ、この感光材料２０１上に画像、例えば配線パターンを露光するものである。

上記露光装置２００は、いわゆるフラットベッド型に構成したものであり、露光対象となる被露光部材である感光材料２０１を表面に吸着して保持する平板状のステージ２１４を備えている。４本の脚部２１６に支持された肉厚板状の設置台２１８の上面には、ステージ移動方向に沿って延びた２本のガイド２２０が設置されている。ステージ２１４は、その長手方向がステージ移動方向を向くように配置されると共に、ガイド２２０によって往復移動可能に支持されている。なお、この露光装置２００には、ステージ２１４をガイド２２０に沿って駆動するための図示しない駆動装置が設けられている。

設置台２１８の中央部には、ステージ２１４の移動経路を跨ぐようにコ字状のゲート２２２が設けられている。ゲート２２２の端部の各々は、設置台２１８の両側面に固定されている。このゲート２２２を挟んで一方の側には露光ユニット２２４が設けられ、他方の側には感光材料２０１の先端及び後端を検知する複数（例えば、２個）の検知センサ２２６が設けられている。露光ユニット２２４及び検知センサ２２６はゲート２２２に各々取り付けられて、ステージ２１４の移動経路の上方に固定配置されている。なお、露光ユニット２２４及び検知センサ２２６は、この露光装置２００の各部の同期やタイミングを制御する露光装置コントローラ２２８に接続されている。

この露光ユニット２２４の内部には、図１３に示すように、ｉ行ｊ列（例えば、２行４列）の略マトリックス状に配列された複数（ 例えば、８個）の露光ヘッド２３０Ａ，２３０Ｂ・・・（以後、これらをまとめて露光ヘッド２３０ともいう）が設置されている。

図１４に示すように、露光ヘッド２３０Ａ， ２３０Ｂ・・・による各露光エリア２３２は、例えば、搬送方向（ 図中の矢印Ｙ方向）を長辺とする矩形状に構成する。この場合、感光材料２０１には、その露光の動作に伴って露光ヘッド２３０毎に帯状の露光済み領域２３４Ａ，２３４Ｂ・・・（以後、これらをまとめて露光済み領域２３４ともいう）が形成される。

また、帯状の露光済み領域２３４が上記搬送方向と直交する直交方向（図中の矢印Ｘ方向）に隙間無く並ぶように、配列された各行の露光ヘッド２３０の各々は、列方向に所定間隔 （ 露光エリアの長辺の自然数倍）ずらして配置されている。すなわち、例えば、露光ヘッド２３０Ａによる露光エリア２３２Ａと露光ヘッド２３０Ｂによる露光エリア２３２Ｂとの間の露光できない部分は、露光ヘッド２３０Ｆによる露光エリア２３２Ｆとすることができる。

図１２に示すように、各露光ヘッド２３０は、光源２３８から発せられ光ファイバ２４０を通って射出された光ビームを、空間光変調させる空間光変調器として、デジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）２３６を備えている。このＤＭＤ２３６は、画像データ処理部とミラー駆動制御部等を備えた上記露光装置コントローラ２２８に接続されている。

この露光装置コントローラ２２８の画像データ処理部では、入力された画像データに基づいて、各露光ヘッド２３０毎にＤＭＤ２３６の制御すべき微小ミラーを駆動制御する制御信号を生成する。また、ＤＭＤコントローラとしてのミラー駆動制御部では、画像データ処理部で生成した制御信号に基づいて、各露光ヘッド２３０毎にＤＭＤ２３６における各微小ミラーの反射面の角度を制御する。

各露光ヘッド２３０に配されたＤＭＤ２３６の光の入射側には、図１３に示すように、光源２３８からそれぞれ引き出されたバンドル状の光ファイバ２４０が配置されている。なお、光源２３８は、一般の光源として利用可能な紫外線ランプ（ＵＶランプ）、キセノンランプ等で構成しても良い。

光源２３８は、図示しないがその内部に、複数の半導体レーザチップから射出されたレーザ光を合波して光ファイバに入力する合波モジュールが複数個設置されている。各合波モジュールから延びる光ファイバは、合波したレーザ光を伝搬する合波光ファイバであって、複数の光ファイバが１つに束ねられてバンドル状の光ファイバ２４０を構成している。

また各露光ヘッド２３０のＤＭＤ２３６における光の入射側には、図１２に示すように、バンドル状光ファイバ２４０から出射された光をＤＭＤ２３６に向けて反射するミラー２４２が配置されている。

ＤＭＤ２３６は、図１５に示すように、ＳＲＡＭセル（メモリセル）２４４上に、縦横２次元状に配列された多数の微小ミラーＭが図示しない支柱により支持されて配置された長方形状のものであり、画素（ピクセル）を構成する多数の（例えば、６００個×８００個）の微小ミラーＭを格子状に配列したミラーデバイスとして構成されている。各ピクセルの最上部に支柱に支えられた微小ミラーＭが設けられており、微小ミラーＭの表面にはアルミニウム等の反射率の高い材料が蒸着されている。

また、微小ミラーＭの直下には、図示しないヒンジ及びヨークを含む支柱を介して通常の半導体メモリの製造ラインで製造されるシリコンゲートのＣＭＯＳの上記ＳＲＡＭセル２４４が配置されており、全体はモノリシック（一体型）に構成されている。

ＤＭＤ２３６のＳＲＡＭセル２４４にデジタル信号が書き込まれると、支柱に支えられた微小ミラーＭが、対角線を中心としてＤＭＤ２３６が配置された基板側に対して±α度（例えば±１０度）の範囲で傾けられる。図１６（Ａ）は、微小ミラーＭがオン状態である＋α度に傾いた状態を示し、図１６（Ｂ）は、微小ミラーＭがオフ状態である−α度に傾いた状態を示す。従って、画像信号に応じて、ＤＭＤ２３６の各ピクセルにおける微小ミラーＭの傾きを、上記のように制御することによって、ＤＭＤ２３６に入射された光はそれぞれの微小ミラーＭの傾きに応じた方向へ反射せしめられる。

なお、図１５には、ＤＭＤ２３６の一部を拡大し、微小ミラーＭが＋α度又は−α度に制御されている状態の一例を示す。それぞれの微小ミラーＭのオンオフ（ｏｎ／ｏｆｆ）制御は、ＤＭＤ２３６に接続された露光装置コントローラ２２８によって行われるもので、例えばオン状態の微小ミラーＭで反射させた光は、ＤＭＤ２３６における光の出射側に設けられた後述する結像光学系２５９（図１２参照）を通して結像され感光材料２０１を露光する。またオフ状態の微小ミラーＭで反射させた光は光吸収体（図示省略）に入射し吸収され感光材料２０１を露光しない。

また、ＤＭＤ２３６は、その長方形状の長辺方向が搬送方向（図中の矢印Ｙ方向）と所定角度θ（例えば、０．１°〜０．５°）を成すように僅かに傾斜させて配置するのが好ましい。図１７（Ａ）はＤＭＤ２３６を傾斜させない場合の各微小ミラーで反射させて形成された画素光ビームＬの上記搬送による感光材料２０１上での軌跡（以後、搬送軌跡という）を示し、図１７（Ｂ）はＤＭＤ２３６を傾斜させた場合の画素光ビームＬの搬送軌跡を示している。

上記のように、ＤＭＤ２３６を傾斜させることにより、各微小ミラーＭを通った画素光ビームＬの搬送軌跡が示す搬送線のピッチＰ２を（図１７（Ｂ）参照）、ＤＭＤ２３６を傾斜させない場合の搬送線のピッチＰｌ（図１７（Ａ）参照）より狭くすることができ、感光材料２０１上に露光する画像の解像度を大幅に向上させることができる。一方、ＤＭＤ２３６の傾斜角は微小であるので、ＤＭＤ２３６を傾斜させた場合の搬送幅Ｗ２と、ＤＭＤ２３６を傾斜させない場合の搬送輻Ｗ１とは略同一である。

また、異なる微小ミラー列により同じ搬送線上における略同一の位置（ドット）を重ねて露光（多重露光）するように配置することもできる。このような場合には、感光材料上の同一領域が多重露光され、より高い分解能で露光をコントロールすることができ、高精細な露光を実現することができる。また、このような高分解能での露光により、各露光ヘッド間のつなぎ自を、目立たないようにすることができる。

次に、露光ヘッド２３０のＤＭＤ２３６における光の射出側に設けられた結像光学系２５９について説明する。図１２に示すように、上記結像光学系２５９は、感光材料２０１上に、光源の像を結像させるため、ＤＭＤ２３６の側から感光材料２０１の側へ向かう光路に沿って順に、レンズ系２５０，２５２、マイクロレンズアレイ２５４、対物レンズ系２５６，２５８の各光学要素が配置されて構成されている。

ここで、レンズ系２５０，２５２は拡大光学系として構成されており、ＤＭＤ２３６で反射させてなる画素光ビームによって露光される感光材料２０１上の露光エリア２３２の面積を所要の大きさに拡大している。

図１２に示すように、マイクロレンズアレイ２５４は、ＤＭＤ２３６の各微小ミラーＭに１対１で対応する複数のマイクロレンズ２６０が一体的に成形されたものであり、各マイクロレンズ２６０は、レンズ系２５０，２５２を通った各画素光ビームのそれぞれを通すように配置されている。

このマイクロレンズアレイ２５４の全体は、矩形平板状に形成され、各マイクロレンズ２６０を形成した部分には、それぞれアパーチャ２６２（図１２に図示）が一体的に配置されている。このアパーチャ２６２は、各マイクロレンズ２６０に１対１で対応して配置された開口絞りを成す。

対物レンズ系２５６，２５８は、例えば、等倍光学系として構成されている。また感光材料２０１は、対物レンズ系２５６，２５８を通して画素光ビームＬが結像される位置に配置される。なお、結像光学系２５９における各レンズ系２５０，２５２，対物レンズ系２５６，２５８は、図１２においてそれぞれ１枚のレンズとして示されているが、複数枚のレンズ（例えば、凸レンズと凹レンズ）を組み合せたものであっても良い。

上述のように構成された露光ヘッド２３０で、光源２３８から発せられた光を感光材料２０１の表面上に結像させて画像を形成することができる。

次に、上記露光装置２００により感光材料２０１上に画像を露光する動作について説明する。

始めに、上記各露光ヘッド２３０Ａ，２３０Ｂ・・・のそれぞれに対して、上記位置ずれ測定方法を適用して各露光ヘッド２３０Ａ，２３０Ｂ・・・により感光材料２０１上に画像を結像させる際の各画像間の位置ずれ量を測定する。その後、上記測定された位置ずれ量に基づいて各露光ヘッド２３０Ａ，２３０Ｂ・・・により感光材料上に結像させる各画像間の位置ずれを補正する。

光源２３８は、図示しないが、レーザ発光素子の各々から発散光状態で出射された紫外線等のレーザビームを、コリメータレンズによって平行光化して集光レンズで集光させ、マルチモード光ファイバのコアの入射端面へ入射させ上記光ファイバ中に合波させて、その光ファイバの出射端部に結合させた光ファイバ２４０に入射させる。

露光する画像に応じた画像データが、ＤＭＤ２３６に接続された露光装置コントローラ２２８に入力され、露光装置コントローラ２２８内のメモリに一旦記憶される。この画像データは、画像を構成する各画素の濃度を２値（ドットの記録の有無）で表したデータである。

感光材料２０１を表面に吸着したステージ２１４は、図示しない駆動装置により、ガイド２２０に沿って搬送方向上流側から下流側に一定速度で移送される。ステージ２１４がゲート２２２の下を通過する際に、ゲート２２２に取り付けられた検知センサ２２６により感光材料２０１の先端が検出されると、メモリに記憶された画像データが複数ライン分ずつ順次読み出され、画像データ処理部で読み出された画像データに基づいて各露光ヘッド２３０毎に微小ミラーＭを制御するための制御信号が生成される。

そして、露光装置コントローラ２２８のミラー駆動制御部により、光量分布を均一化するシェーディング調整と露光量の調整がなされた制御信号に基づいて各露光ヘッド２３０毎にＤＭＤ２３６の微小ミラーの各々がオンオフ制御される。

光ファイバ２４０から射出されミラー２４２で反射させた光ビームがＤＭＤ２３６に照射されると、ＤＭＤ２３６の微小ミラーがオン状態のときに反射されたレーザ光は、マイクロレンズアレイ２５４の各対応するマイクロレンズ２６０を含むレンズ系を通して感光材料２０１の露光面上に結像される。このように、ＤＭＤ２３６から出射された画素光ビームＬが微小ミラー毎にオンオフされて、感光材料２０１がＤＭＤ２３６の使用画素数と略同数の画素単位（露光エリア）で露光が行なわれる。

また、感光材料２０１をステージ２１４と共に一定速度で移動させることにより、相対的に、感光材料２０１が 露光ユニット２２４によりステージ移動方向と反対の方向に移動し、各露光ヘッド２３０毎に帯状の露光済み領域２３４が形成され、感光材料２０１上に画像が露光される。

すなわち、ＤＭＤ２３６により、露光形成する画像に対応した変調を施して生成した画素光ビームＬを感光材料２０１上に照射することによって、この感光材料２０１上に上記画像が形成される。

露光ユニット２２４による感光材料２０１の露光が終了し、検知センサ２２６で感光材料２０１の後端が検出されると、ステージ２１４を、図示しない駆動装置により、ガイド２２０に沿って搬送方向最上流側にある原点に復帰させ、再度、ガイド２２０に沿って搬送方向上流側から下流側に一定速度で移動させる。

なお、本実施の形態に係る露光装置２００では、露光ヘッド２３０に用いる空間光変調器としてＤＭＤを用いたが、例えば、ＭＥＭＳ（ Micro E1ectro Mechanica1Systems）タイプの空間光変調器（ ＳＬＭ；Speial Light Modulator ）、グレーティングを一方向に複数配列して構成された、反射回折格子型のグレーティング・ライト・バルブ素子（ＧＬＶ素子、シリコン・ライトマシーン社製、なお、ＧＬＶ素子の詳細については米国特許第５３１１３６０号に記載されているので説明は省略する）、電気光学効果により透過光を変調する光学素子（ＰＬＺＴ素子）、又は液晶光シャッタ（ＦＬＣ）等の透過型の空間光変調器等、ＭＥＭＳタイプ以外の空間光変調器をＤＭＤに代えて用いることができる。

なお、ＭＥＭＳとは、ＩＣ製造プロセスを基盤としたマイクロマシニング技術によるマイクロサイズのセンサ、アクチュエータ、そして制御回路を集積化した微細システムの総称であり、ＭＥＭＳタイプの空間光変調器とは、静電気力を利用した電気機械動作により駆動される空間光変調器を意味している。

本発明はインクジェット方式の描画装置における描画位置ずれの測定にも適用可能である。

本発明の位置ずれ測定方法の実施の形態示す概念図 参照領域を示す図 画像間の位置ずれ量を測定する様子を示す図 描画ヘッドで記録媒体上に画像を描画する態様の１例を示す図である。 描画ヘッドが備えるマトリクス状に配列された描画素子を示す図 各描画素子の位置とこれらの描画素子で描画される画素の位置との関係を示す図 それぞれの露光ヘッドが備える各描画素子と各描画素子で描画される画素の位置との関係を示す図 マトリクス状に配列された描画素子を備えた描画ヘッドで描画された画像間の位置ずれ量を測定する様子を示す図 空白画素群を設定して描画した画素列を示す図 各画像間に亘る空白画素群を設定して描画した画素列を示す図 描画ヘッドの描画可能領域と位置ずれ量を測定するために描画ヘッドで描画する画像との位置関係を示す図で 露光装置の光学系の概略構成を示す図 露光装置全体の概略構成を示す斜視図 露光ユニットに収容された露光ヘッドが感光材料を露光する様子示す斜視図 ＤＭＤの構成を拡大して示す斜視図 微小ミラーの動作を示す斜視図 （Ａ）はＤＭＤを傾斜させない場合の画素光ビームの搬送軌跡を示す平面図、（Ｂ）はＤＭＤを傾斜させた場合の画素光ビームの搬送軌跡を示す平面図

符号の説明

１ 記録媒体１
１０ａ 描画ヘッド
１０ｂ 描画ヘッド
Ｇａ 画像
Ｇｂ 画像
Ｆａ 縁
Ｆｂ 縁
Ｊ５ 空白画素群
Ｑａ（ｎ−５） 空白隣接画素
Ｑｂ（１） 空白隣接画素

Claims (6)

1. 互いに異なる描画単位の描画位置の位置ずれ量を測定する位置ずれ測定方法であって、
   前記描画単位それぞれの描画位置の縁を間に挟んで互いに隣接するように描画されるべき各画像中のそれぞれの画素のうちの少なくともいずれか一方を含み前記縁の延びる方向と交差する交差方向へ並ぶ予め定められた数の画素からなる空白画素群の描画を行うことなく、前記空白画素群の両側に隣接するように描画される空白隣接画素を描画し、
   前記記録媒体上に描画された各空白隣接画素間の間隔と前記空白画素群の画素数の画素の長さとの差に基づいて、各描画位置間の位置ずれ量を測定することを特徴とする位置ずれ測定方法。
2. 前記記録媒体が、前記記録媒体上に描画された前記空白隣接画素間の間隔を測定するための、予め定められた数の画素が並べられてなる１種類以上の参照領域が描画されたものであることを特徴とする請求項１記載の位置ずれ測定方法。
3. 前記描画単位による描画を行うときに、前記空白隣接画素間の間隔を測定するための、予め定められた数の画素が並べられてなる１種類以上の参照領域をも前記記録媒体上に描画することを特徴とする請求項１または２記載の位置ずれ測定方法。
4. 入射した光を変調する変調素子を２次元状に多数配列してなる空間光変調器を有する複数の露光ヘッドのそれぞれで、光源から発せられた光を空間光変調させて得られる画像のそれぞれを、同一感光材料上に結像させて該感光材料を露光する露光方法であって、
   前記請求項１から３のいずれかに記載の位置ずれ測定方法を、前記複数の露光ヘッドで前記感光材料を露光する際の画像間位置ずれ量の測定に適用して前記露光ヘッドのそれぞれで結像させる各画像間の位置ずれ量を測定し、該位置ずれ量に基づいて各露光ヘッドにより前記感光材料上に結像させる各画像間の位置ずれを補正して前記露光ヘッドによる前記感光材料の露光を実行することを特徴とする露光方法。
5. 互いに異なる描画単位の描画位置ずれ量の測定に用いるテストパターンであって、
   前記描画単位のそれぞれの描画位置の縁を間に挟んで互いに隣接するように描画されるべき各画像中のそれぞれの画素のうちの少なくともいずれか一方を含み前記縁の延びる方向と交差する交差方向へ並ぶ予め定められた数の画素からなる空白画素群と、
   前記空白画素群の両側に隣接するように各描画単位で描画される空白隣接画素とを備えたことを特徴とするテストパターン。
6. 予め定められた数の画素が並べられてなる１種類以上の参照領域をさらに備えたものであることを特徴とする請求項５記載のテストパターン。

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