JP2006269944A - 温度調整方法,温度調整装置,プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板Wのプラズマ処理装置1において,基板Wの処理が行われないアイドル状態時に,蒸発器である第2の熱交換器112と電気ヒータ113により循環路110内のブラインの温度を調整して,上部電極20を設定温度Hに調整する。上部電極20に高周波電力が印加される基板Wの処理開始時に,水の顕熱により熱交換を行う第1の熱交換器111と第2の熱交換器112を用いてブラインの温度を設定温度Hよりも下げて,上部電極20の温度を設定温度Hに維持する。
【選択図】 図1
Description
20 上部電極
70 装置制御部
100 温度調整装置
110 循環路
111 第1の熱交換器
112 第2の熱交換器
113 電気ヒータ
160 バイパス路
170 制御部
W 基板
Claims (11)
- 基板のプラズマ処理装置においてプラズマ生成用の高周波電力が印加される電極の温度調整方法であって,
電極の内部を通過し,前記電極に対して熱媒体を循環させる循環路と,
前記循環路において,前記電極を通過した前記熱媒体に対して液体冷媒の顕熱により熱交換を行う第1の熱交換器と,
前記循環路において,前記第1の熱交換器を通過した前記熱媒体に対して冷媒の潜熱により熱交換を行う第2の熱交換器と,
前記循環路において,前記電極の内部に供給される熱媒体を加熱する加熱器と,を備えた温度調整装置を用いて,
基板の処理が行われないアイドル状態時に,前記第2の熱交換器と前記加熱器により前記循環路内の熱媒体の温度を調整して,前記電極の温度を所定の設定温度に調整する工程と,
前記電極に高周波電力が印加される基板の処理開始時に,前記第1の熱交換器と第2の熱交換器を用いて前記熱媒体の温度を前記電極の設定温度よりも下げて,前記電極の温度を前記設定温度に維持する工程と,を有することを特徴とする,温度調整方法。 - 前記プラズマ生成用の電極は,上部電極であり,
前記プラズマ処理装置は,基板を載置する下部電極を備え,
前記下部電極には,高周波電力を印加可能であり,
前記アイドル状態時の上部電極の所定温度と,前記基板の処理開始時の前記熱媒体の調整温度との温度差ΔTは,
ΔT=k(aA+bB)×D/C
(k:電力から温度への換算係数,A:上部電極の高周波電力,B:下部電極の高周波電力,a:上部電極の高周波電力が上部電極の温度に及ぼす影響についての高周波電力全体の影響に対する割合を示す係数,b:下部電極の高周波電力が上部電極の温度に及ぼす影響についての高周波電力全体の影響に対する割合を示す係数,C:基板一枚の処理時間,D:処理時間C中の高周波電力の印加時間)の式により設定されることを特徴とする,請求項1に記載の温度調整方法。 - 前記循環路には,前記プラズマ生成用の電極を迂回して前記熱媒体を循環させるためのバイパス路が形成されており,
基板の処理が終了した時に,前記バイパス路を通じて前記熱媒体を循環させて,前記加熱器を用いて前記熱媒体の温度を上昇させる工程と,前記電極の内部を通過するように前記熱媒体を循環させて前記熱媒体を前記設定温度に安定させる工程を有することを特徴とする,請求項1又は2のいずれかに記載の温度調整方法。 - 前記バイパス路を通過させる前記熱媒体の循環と,前記電極の内部を通過させる前記熱媒体の循環とを交互に行うことにより,前記熱媒体の温度を前記設定温度に安定させることを特徴とする,請求項3に記載の温度調整方法。
- 前記液体冷媒は,水であることを特徴とする,請求項1〜4のいずれかに記載の温度調整方法。
- 基板のプラズマ処理装置においてプラズマ生成用の高周波電力が印加される電極の温度調整装置であって,
電極の内部を通過し,前記電極に対して熱媒体を循環させる循環路と,
前記循環路において,前記電極を通過した前記熱媒体に対して液体冷媒の顕熱により熱交換を行う第1の熱交換器と,
前記循環路において,前記第1の熱交換器を通過した前記熱媒体に対して冷媒の潜熱により熱交換を行う第2の熱交換器と,
前記循環路において,前記電極の内部に供給される熱媒体を加熱する加熱器と,
基板の処理が行われないアイドル状態時に,前記第2の熱交換器と前記加熱器により前記循環路内の熱媒体の温度を調整して,前記電極の温度を所定の設定温度に調整し,前記電極に高周波電力が印加される基板の処理開始時に,前記第1の熱交換器と第2の熱交換器を用いて前記熱媒体の温度を前記電極の設定温度よりも下げて,前記電極の温度を前記設定温度に維持する制御部と,を有することを特徴とする,温度調整装置。 - 前記プラズマ生成用の電極は,上部電極であり,
前記プラズマ処理装置は,基板を載置する下部電極を備え,
前記下部電極には,高周波電力を印加可能であり,
前記制御部は,前記アイドル状態時の上部電極の所定温度と,前記基板の処理開始時の前記熱媒体の調整温度との温度差ΔTを,
ΔT=k(aA+bB)×D/C
(k:電力から温度への換算係数,A:上部電極の高周波電力,B:下部電極の高周波電力,a:上部電極の高周波電力が上部電極の温度に及ぼす影響についての高周波電力全体の影響に対する割合を示す係数,b:下部電極の高周波電力が上部電極の温度に及ぼす影響についての高周波電力全体の影響に対する割合を示す係数,C:基板一枚の処理時間,D:処理時間C中の高周波電力の印加時間)の式により算出して設定することを特徴とする,請求項6に記載の温度調整装置。 - 前記循環路には,前記プラズマ生成用の電極を迂回して前記熱媒体を循環させるためのバイパス路が形成されており,
前記制御部は,基板の処理が終了した時に,前記バイパス路を通じて前記熱媒体を循環させて,前記加熱器を用いて前記熱媒体の温度を上昇させ,加えて,前記電極の内部を通過するように前記熱媒体を循環させて前記熱媒体を前記設定温度に安定させることを特徴とする,請求項6又は7のいずれかに記載の温度調整装置。 - 前記制御部は,前記バイパス路を通過させる前記熱媒体の循環と,前記電極の内部を通過させる前記熱媒体の循環とを交互に行うことにより,前記熱媒体の温度を前記設定温度に安定させることを特徴とする,請求項8に記載の温度調整装置。
- 前記液体冷媒は,水であることを特徴とする,請求項6〜9のいずれかに記載の温度調整装置。
- 請求項6〜10のいずれかに記載のプラズマ生成用の電極を備えたプラズマ処理装置。
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