JP4615335B2 - 温度制御システム及び基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は，基板処理装置の複数個所の部材の温度を制御する温度制御システムと基板処理装置に関する。

例えば半導体デバイスの製造プロセスでは，例えばプラズマを用いたエッチング処理や成膜処理が行われている。

これらのプラズマを用いたプラズマ処理は，通常工場のクリーンルーム内に設置されたプラズマ処理装置により行われている。プラズマ処理装置には，上下に電極を有する平行平板型のものが多く用いられている。このプラズマ処理装置は，例えば処理容器内に，プラズマ生成用の高周波電力が印加される上部電極や，基板が載置される下部電極などを有している。そして，処理容器内を所定の圧力に減圧し，処理容器内に処理ガスを供給し，上部電極にプラズマ生成用の高周波電力を印加することによって，処理容器内にプラズマを生成し，当該プラズマによって基板上の膜をエッチングしている。

上記プラズマ処理は，プラズマを生成するために高温の条件下で行われるが，基板の処理状態を一定に保つため，処理容器内の温度や基板の温度を一定に維持する必要がある。このため，例えばプラズマ処理装置の下部電極や上部電極には，冷媒を循環供給して蓄熱される熱を取り去るチラー装置が接続されていた。

従来より，チラー装置は，プラズマ処理装置の設置されたクリーンルームの床下に設置されている。そして，チラー装置からプラズマ処理装置まで延びる循環路を通じて冷媒を電極に供給することによって，電極を冷却していた（例えば特許文献１参照。）。また，上部電極と下部電極の制御温度が異なるため，各電極に対して異なるチラー装置が設けられていた。

特開２００１−３３２４６３号公報

しかしながら，従来のようにプラズマ処理装置からチラー装置までの距離が長い場合には，冷媒の温度を安定させてから冷媒を電極に供給するために，チラー装置に冷媒の貯留タンクを設ける必要があった。このため，チラー装置が大型化し，さらにその大型のチラー装置が上下の電極に対して別々に設けられていたので，チラー装置の設置のために大きなスペースが必要であった。近年，基板の処理状態をより厳密に制御するために，上下の電極以外の部材についても温度制御が必要になっており，これらの各部材に対してチラー装置を設定した場合，さらに広いスペースが必要になる。

加えて，貯留タンクに冷媒を貯留する必要があるため，冷媒の使用量が非常に多くなり，冷媒に関するコストの負担も大きい。

本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，プラズマ処理装置などの基板処理装置における電極などの複数個所の部材の温度制御システムにおいて，設置スペースを低減し，冷媒の使用量を低減することをその目的とする。

上記目的を達成するための本発明は，基板処理装置の複数個所の部材の温度を制御する温度制御システムであって，前記複数個所の各部材の内部を通過するように一次冷媒を循環させる第１の循環系と，前記循環系の一次冷媒と二次冷媒との間で熱交換を行う第１の熱交換器と，前記第1の熱交換器に二次冷媒を供給する冷凍機と，前記循環系内の一次冷媒を回収し，その回収した一次冷媒を循環系に戻すことができる一次冷媒回収装置と，を備え，前記循環系は，前記部材の内部を通過する分岐路を各部材毎に備え，前記各部材毎の各分岐路には，前記部材に供給される一次冷媒を加熱する加熱部材が設けられており，前記熱交換器は，前記基板処理装置が設置された室内に設置されており，前記一次冷媒回収装置は，前記循環系に対して取り外し自在に構成され，前記各部材の温度制御が行われている際には，循環系から取り外されていることを特徴とする。

本発明によれば，一次冷媒の熱交換器を基板処理装置と同じ室内に設置する。そして，一次冷媒の循環系には，複数個所の部材に通じる分岐路が各部材毎に形成され，当該各分岐路に，一次冷媒の温度を調整する加熱部材が設けられる。これにより，従来のように貯留タンクを設けなくても，複数個所の各部材に所定の温度の一次冷媒を供給することができるので，温度制御システムの省スペース化が図られる。また，複数個所の部材の温度制御に対して冷凍機が一台で足りるので，部材の数が増えても冷凍機のための設置スペースを増やす必要がない。さらに，貯留タンクがなく，熱交換器が基板処理装置と同じ室内に設置されるので，一次冷媒の使用量を大幅に低減することができる。なお，前記室は，クリーンルームであってもよい。

前記各分岐路には，流量調節弁が設けられていてもよい。

前記一次冷媒回収装置は，一次冷媒を貯留する貯留槽と，前記循環系の一次冷媒を前記貯留槽に導入するための第１の管路と，前記貯留槽の一次冷媒を前記循環系に導出するための第２の管路と，前記第２の管路内にガスを供給するガス供給管路と，を備えていてもよい。

前記貯留槽は，密閉可能な貯留槽収容容器に収容されており，前記ガス供給管路は，前記貯留槽収容容器内にも前記ガスを供給可能に構成されていてもよい。

前記複数個所の部材のうちの特定の部材について，前記循環系に代えて，当該特定の部材の内部を通過するように一次冷媒を循環させる第２の循環系と，前記熱交換器に代えて，前記第２の循環系の一次冷媒の熱交換を行う第２の熱交換器をさらに備え，前記第２の熱交換器は，前記冷凍機に対する三次冷媒により前記一次冷媒の熱交換を行うようにしてもよい。

別の観点による本発明によれば，請求項１〜８に記載の温度制御システムにおける部材を有する基板処理装置が提供される。

本発明によれば，温度制御システムが小型化され，設置スペースの低減が図られる。また，冷媒の使用量が低減され，コストの低減が図られる。

以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる温度制御システムが適用される基板処理装置としてのプラズマ処理装置１の構成の概略を示す縦断面図である。

プラズマ処理装置１は，クリーンルームＲ内に設置されている。例えばプラズマ処理装置１は，平行平板型電極構造の容量結合型のプラズマエッチング装置である。プラズマ処理装置１は，例えば筐体１ａ内に設置されている。プラズマ処理装置１は，例えば略円筒形状の処理容器１０を有し，処理容器１０内に処理室Ｓが形成されている。処理容器１０は，例えばアルミニウム合金により形成され，内壁面がアルミナ膜又はイットリウム酸化膜により被覆されている。処理容器１０は，接地されている。

処理容器１０内の中央の底部には，絶縁板１１を介在してサセプタ１２が設けられている。サセプタ１２は，略円柱状に形成され，その上面に基板Ｗを載置することができる。サセプタ１２は，例えばアルミニウム合金により形成され，平行平板型電極構造の下部電極を構成している。

サセプタ１２の内部には，リング状の流路１３が形成されている。流路１３は，後述する循環系９１の一部を構成し熱交換器１００に連通している。流路１３には，循環系９１を通じて一次冷媒としてのブラインが循環供給され，この循環供給によりサセプタ１２上の基板Ｗの温度を制御できる。

サセプタ１２の上方には，サセプタ１２に対向するプラズマ生成用の上部電極２０が設けられている。サセプタ１２と上部電極２０との間には，プラズマ生成空間が形成されている。

上部電極２０は，例えば電極板２１，分散板２２及び天板２３の３層構造になっている。例えば最上部の天板２３の中央部には，エッチングのための処理ガスを処理室Ｓ内に導入するための処理ガス供給管２４が接続されている。供給管２４は，処理ガス供給源２５に接続されている。天板２３の下層には，例えば略円筒状の分散板２２が設けられ，処理ガス供給管２４から導入された処理ガスを均等に分散させることができる。分散板２２の下層には，例えばサセプタ１２上の基板Ｗに対向する電極板２１が設けられている。電極板２１には，多数のガス噴出孔２１ａが形成されており，分散板２２で分散された処理ガスを複数のガス噴出孔２１ａから均等に噴出できる。

上部電極２０の例えば天板２３の内部には，ブラインが通過するリング状の流路３０が形成されている。流路３０は，後述する循環系９１の一部を構成し熱交換器１００に連通している。流路３０には，循環系９１を通じてブラインが循環供給され，この循環供給により上部電極２０の温度を制御できる。

上部電極２０には，整合器４０を介して第１の高周波電源４１が電気的に接続されている。第１の高周波電源４１は，例えば４０ＭＨｚ以上，例えば６０ＭＨｚの周波数の高周波電力を出力できる。この第１の高周波電源４１により，上部電極２０に高周波電力を付加し，処理室Ｓ内にプラズマを生成できる。

サセプタ１２には，整合器５０を介して第２の高周波電源５１が電気的に接続されている。第２の高周波電源５１は，例えば２ＭＨｚ〜２０ＭＨｚの範囲，例えば２０ＭＨｚの周波数の高周波電力を出力できる。この第２の高周波電源５１により，サセプタ１２に高周波電力を印加し，処理室Ｓ内の荷電粒子を基板Ｗ側に引き込むことができる。

処理容器１０の側面には，図示しない排気装置に連通する排気管６０が接続されている。排気管６０からの排気により，処理容器１０内の所望の圧力に減圧できる。

プラズマ処理装置１には，例えば処理ガス供給源２５，第１の高周波電源４１及び第２の高周波電源５１などのエッチング処理を実行するための各種諸元の動作を制御する装置制御部７０が設けられている。また，装置制御部７０は，後述するブラインの循環系９１のヒータや流量調整バルブの動作も制御できる。

このプラズマ処理装置１で行われるプラズマエッチング処理は，先ず基板Ｗがサセプタ１２上に吸着保持される。サセプタ１２に保持された基板Ｗは，サセプタ１２の所定温度に調整される。次に，例えば排気管６０からの排気により，処理室Ｓ内が所定の圧力に減圧される。上部電極２０から処理室Ｓ内に処理ガスが供給される。第１の高周波電源４１により，上部電極２０に高周波電力が印加され，処理室Ｓ内の処理ガスがプラズマ化される。また，第２の高周波電源５１により，サセプタ１２に高周波電力が印加され，プラズマ中の荷電粒子が基板Ｗ側に誘導される。これらのプラズマの作用により，基板Ｗ上の膜がエッチングされる。

次に，上述のプラズマ処理装置１の上部電極２０とサセプタ１２の温度制御を行う温度制御システム８０について説明する。図２は，温度制御システム８０の構成の概略を示す模式図である。

温度制御システム８０は，例えば熱交換ユニット９０と，熱交換ユニット９０と上部電極２０及びサセプタ１２との間で一次冷媒としてのブラインを循環させる循環系９１と，熱交換ユニット９０に対し二次冷媒としての代替フロンを供給する冷凍機９２を有している。

熱交換ユニット９０は，例えば図１に示すようにクリーンルームＲにおけるプラズマ処理装置１の筐体1ａの上に設置されている。熱交換ユニット９０は，例えば図２に示すように熱交換器１００とポンプ１０１を有している。熱交換器１００は，例えば冷凍機９２から供給される代替フロンの蒸発作用によって，循環系９１内のブラインを冷却できる。ポンプ１０１は，例えば熱交換器１００の出口側に設けられており，循環系９１内のブラインを循環させることができる。

循環系９１は，例えば熱交換ユニット９０内を通る管路１１０と，管路１１０から分岐する２つの分岐管１１１，１１２を備えている。第１の分岐管１１１は，例えば熱交換器１００の出口側の管路１１０から上部電極２０に通じ，上部電極２０の内部の流路３０を通過して，熱交換器１００の入口側の管路１１０に通じている。第２の分岐管１１２は，熱交換器１００の出口側の管路１１０からサセプタ１２に通じ，サセプタ１２の内部の流路１３を通過して，熱交換器１００の入口側の管路１１０に通じている。この循環系９１によれば，熱交換器１００で冷却されたブラインを分流し，上部電極２０とサセプタ１２にそれぞれ供給して再び同じ熱交換器１００に戻すことができる。

第１の分岐管１１１における上部電極２０の入口側，つまり上部電極２０の上流側には，流量調整バルブ１２０とヒータ１２１が設けられている。第２の分岐管１１２にも同様に，第２の分岐管１１２におけるサセプタ１２の入口側には，流量調整バルブ１２０とヒータ１２１が設けられている。これにより，管路１１０から各分岐管１１１，１１２に供給されたブラインをそれぞれ所定の流量，温度に調整して各電極２０，１２に供給できる。したがって，上部電極２０とサセプタ１２を異なる温度に調整できる。

冷凍機９２は，クリーンルームＲの外部，例えば階下の用力室Ｂに設置されている。冷凍機９２には，冷凍機９２で冷却された代替フロンを熱交換器１００に供給し，熱交換器１００で熱交換された代替フロンを再び冷凍機９２に戻す二次冷媒循環路１３０が接続されている。冷凍機９２には，代替フロンを冷却する三次冷媒としての冷却水を循環させる三次冷媒循環路１４０が接続されている。

次に，以上のように構成された温度制御システム８０の動作について説明する。循環系９１内のブラインがポンプ１０１により圧送され循環される。熱交換器１００においてブラインは，冷凍機９２から供給された代替フロンにより冷却される。熱交換器１００においてブラインは，上部電極２０とサセプタ１２の目標制御温度よりも低い温度に冷却される。熱交換器１００において冷却されたブラインは，循環系９１の管路１１０から，各分岐管１１１，１１２に分流される。このときの分流の流量比率は，例えば上部電極２０とサセプタ１２の目標制御温度に基づいて，各分岐管１１１，１１２の流量調整バルブ１２０の設定により制御される。

第１の分岐管１１１に流入したブラインは，ヒータ１２１により温められ，所定の目標制御温度に調整される。第１の分岐管１１１において温度調整されたブラインは，上部電極２０の内部に供給され，上部電極２０の温度を調整する。その後，ブラインは，第１の分岐管１１１からは管路１１０に戻され，熱交換器１００に戻される。また，第２の分岐管１１２に流入したブラインは，ヒータ１２１により所定の目標制御温度に調整され，サセプタ１２の内部に供給される。第２の分岐管１１２のブラインは，サセプタ１２の温度を調整した後，管路１１０に戻され，熱交換器１００に戻される。熱交換器１００に戻されたブラインは，また代替フロンにより冷却され，再び上部電極２０或いはサセプタ１２に供給される。

以上の実施の形態によれば，ブラインの熱交換器１００をクリーンルームＲ内に設置し，熱交換器１００と上部電極２０或いはサセプタ１２との間でブラインの循環系９１を形成し，循環系９１の各分岐管１１１，１１２にヒータ１２１を設けた。これにより，熱交換器１００のブラインを分流し，各々所望の温度に調節して上部電極２０とサセプタ１２に供給することができる。かかる構成によれば，従来のように用力室Ｂに貯留タンクを設ける必要がなく，またブラインの循環路も短くなるので，ブラインの使用量を大幅に低減できる。さらに，一台の冷凍機９２により，熱交換器１００のブラインを冷却し，熱交換器１１０から複数の部材にブラインを供給するようにしたので，従来のように温度制御する部材毎に冷凍機を設ける必要がなく，温度制御システム８０を小型化し，設定スペースを大幅に低減できる。

以上の実施の形態で記載した温度制御システム８０は，一次冷媒回収装置としてのブライン回収装置１５０を循環系９１に対して取り付け可能に備えていてもよい。ブライン回収装置１５０は，循環系９１内のブラインを回収しその回収したブラインを循環系９１に戻すためのものである。

例えば図３に示すようにブライン回収装置１５０は，ブラインを貯留する貯留タンク１６０と，循環系９１のブラインを貯留タンク１６０に導入するための第１の管路１６１と，貯留タンク１６０のブラインを循環系９１に導出するための第２の管路１６２と，貯留タンク１６０を密閉状態で収容可能な貯留タンク収容容器１６３と，第２の管路１６２と貯留タンク収容容器１６３内に窒素ガスやエアなどのガスを供給するためのガス供給管１６４を主に備えている。

例えば第１の管路１６１は，例えば接続部材としてのカプラ１７０によって循環系９１に接続できる。第１の管路１６１は，例えば循環系９１の熱交換器１００とポンプ１０１との間の管路１１０に接続できる。第１の管路１６１には，ブラインの導入を動停止するための第１の開閉バルブ１７１が設けられている。

第２の管路１６２は，例えば接続部材としてのカプラ１８０によって循環系９１に接続できる。第２の管路１６２は，例えば熱交換器１００とポンプ１０１との間の管路１１０であって第１の管路１６１よりも下流側に接続できる。第２の管路１６２には，ブラインの導出を動停止するための第２の開閉バルブ１８１が設けられている。

ガス供給管１６４は，例えば上流側の一端が図示しないガス供給源に接続可能であり，下流側の他端が第２の管路１６２と貯留タンク収容容器１６３内のノズル１９０に接続されている。ガス供給管１６４には，第２の管路１６２へのガスの供給を制御する第３の開閉バルブ１９１と，ノズル１９０へのガスの供給を制御する第４の開閉バルブ１９２が設けられている。

例えばプラズマ処理装置１においてプラズマ処理が行われ，上部電極２０やサセプタ１２の温度制御が行われている際には，ブライン回収装置１５０は，循環系９１から取り外されている。そして，例えば循環系９１のメンテナンスの際に，第１の管路１６１と第２の管路１６２が循環系９１に接続される。そして循環系９１内のブラインを回収するときには，例えば循環系９１のポンプ１０１を稼働させた状態で，第１の開閉バルブ１７１と第３の開閉バルブ１９１が開放され，第２の開閉バルブ１８１と第４の開閉バルブ１９２が閉鎖される。そして，ガス供給管１６４から第２の管路１６２にガスが供給され，そのガスが第２の管路１６２から循環系９１に導入される。循環系９１内のブラインは，導入されたガスにより押されて，第１の管路１６１を通じて貯留タンク１６０内に導入される。こうして循環系９１内のブラインが貯留タンク１６０に回収される。

循環系９１のメンテナンス作業が終わって，貯留タンク１６０内のブラインを循環系９１内に戻すときには，例えばポンプ１０１を稼働させた状態で，第２の開閉バルブ１８１と第４の開閉バルブ１９２が開放され，第１の開閉バルブ１７１と第３の開閉バルブ１９１が閉鎖される。そして，ガス供給管１６４から貯留タンク収容容器１６３内にガスが供給され，そのガスによって押された貯留タンク１６０内のブラインが第２の管路１６２を通じて循環系９１に導入される。こうして貯留タンク１６０内のブラインが循環系９１内に戻される。この後，ブライン回収装置１５０が循環系９１から取り外される。

かかる例によれば，循環系９１のメンテナンスを簡単に行うことができる。また，メンテナンス用の貯留タンクを常設する必要がないので，例えば熱交換ユニット９０を小型化できる。

以上の実施の形態では，温度制御システム８０が，プラズマ処理装置１の上部電極２０とサセプタ１２の２カ所の部材の温度を制御していたが，プラズマ処理装置１の他の部材を含む３カ所以上の部材の温度を制御してもよい。例えば温度制御システム８０は，上部電極２０やサセプタ１２に加えて，プラズマ処理装置１の処理容器１０や排気管６０の温度を制御してもよい。かかる場合，例えば図４に示すようにプラズマ処理装置１には，処理容器１０の側壁の内部を通るブラインの流路２００と，排気管６０の側壁の内部を通るブラインの流路２０１が設けられている。図５に示すように温度制御システム８０の循環系９１には，管路１１０から処理容器１０に通じ，流路２００を通って管路１１０に戻る分岐管２０２と，管路１１０から排気管６０に通じ，流路２０１を通って管路１１０に戻る分岐管２０３が設けられている。分岐管２０２及び分岐管２０３には，それぞれ流量調整バルブ１２０とヒータ１２１が設けられる。こうすることにより，処理容器１０や排気管６０も上部電極２０やサセプタ１２と同様に，同じ熱交換器１００により温度制御できる。

プラズマ処理装置１において温度制御される部材のうち，比較的高温に温度制御されるものについては，ブラインを冷凍機９２の三次冷媒を用いて冷却してもよい。

かかる場合，例えば０℃以下の比較的低温のブラインにより温度制御できる部材，例えば上部電極２０サセプタ１２については，上記実施の形態と同様にブラインが冷凍機９２からの代替フロンにより冷却される。例えば０℃以上の比較的高温のブラインにより温度制御できる部材，例えば処理容器１０や排気管６０については，図６に示すように熱交換器ユニット９０と別の第２の熱交換器ユニット２１０が設けられる。この熱交換ユニット２１０は，クリーンルームＲ内に設置される。第２の熱交換ユニット２１０には，熱交換ユニット９０と同様に，処理容器１０及び排気管６０との間でブラインを循環させる第２の循環系２１１が接続されている。また第２の熱交換ユニット２１０は，第２の熱交換器２１２とポンプ２１３を備えている。第２の循環系２１１は，第２の熱交換ユニット２１０内を通る管路２１４を備え，当該管路２１４には，処理容器１０に通じる上述の分岐管２０２と，排気管６０に通じる上述の分岐管２０３が接続されている。各分岐管２０２，２０３には，上述したように流量調整バルブ１２０とヒータ１２１が設けられている。三次冷媒循環路１４０は，冷却水を第２の熱交換器２１２に供給しその後冷凍機９２に供給するように形成されている。こうすることにより，処理容器１０と排気管６０を温度制御するブラインは，第２の熱交換器２１２において冷凍機９２の三次冷媒により冷却される。

かかる場合，温度制御する部材が多数ある場合に，比較的高温に温度制御される部材については，温度の高いブラインを循環させることができるので，例えば各分岐管２０２，２０３におけるヒータ１２１によるブラインの温度調節を短時間で正確に行うことができる。

以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において，各種の変更例または修正例に相到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。例えば，本実施の形態では，温度制御される部材を有する基板処理装置が，エッチングを行うプラズマ処理装置であったが，成膜処理を行うプラズマ処理装置や，プラズマを用いない他の基板処理装置であってもよい。

本発明は，基板処理装置の複数の部材の温度制御システムにおいて，設置スペースを低減し，冷媒の使用量の低減する際に有用である。

プラズマ処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。 温度制御システムの構成の概略を示す模式図である。 ブライン回収装置の構成の概略を示す模式図である。 処理容器と排気管を温度制御する場合のプラズマ処理装置の構成を示す縦断面図である。 処理容器と排気管を温度制御する場合の温度制御システムの構成を示す模式図である。 ブラインの冷却に三次冷媒を使用する場合の温度制御システムの構成を示す模式図である。

符号の説明

１ プラズマ処理装置
１２ サセプタ
２０ 上部電極
８０ 温度制御システム
９１ 循環系
９２ 冷凍機
１００ 熱交換器
１１１ 第１の分岐管
１１２ 第２の分岐管
Ｗ 基板

Claims (7)

1. 基板処理装置の複数個所の部材の温度を制御する温度制御システムであって，
   前記複数個所の各部材の内部を通過するように一次冷媒を循環させる第１の循環系と，
   前記循環系の一次冷媒と二次冷媒との間で熱交換を行う第１の熱交換器と，
   前記第1の熱交換器に二次冷媒を供給する冷凍機と，
   前記循環系内の一次冷媒を回収し，その回収した一次冷媒を循環系に戻すことができる一次冷媒回収装置と，を備え，
   前記循環系は，前記部材の内部を通過する分岐路を各部材毎に備え，
   前記各部材毎の各分岐路には，前記部材に供給される一次冷媒を加熱する加熱部材が設けられており，
   前記熱交換器は，前記基板処理装置が設置された室内に設置されており，
   前記一次冷媒回収装置は，前記循環系に対して取り外し自在に構成され，前記各部材の温度制御が行われている際には，循環系から取り外されていることを特徴とする，温度制御システム。
2. 前記室は，クリーンルームであることを特徴とする，請求項１に記載の温度制御システム
3. 前記各分岐路には，流量調節弁が設けられていることを特徴とする，請求項１又は２のいずれかに記載の温度制御システム。
4. 前記一次冷媒回収装置は，一次冷媒を貯留する貯留槽と，前記循環系の一次冷媒を前記貯留槽に導入するための第１の管路と，前記貯留槽の一次冷媒を前記循環系に導出するための第２の管路と，前記第２の管路内にガスを供給するガス供給管路と，を備えたことを特徴とする，請求項１〜３に記載の温度制御システム。
5. 前記貯留槽は，密閉可能な貯留槽収容容器に収容されており，
   前記ガス供給管路は，前記貯留槽収容容器内にも前記ガスを供給可能に構成されていることを特徴とする，請求項４に記載の温度制御システム。
6. 前記複数個所の部材のうちの特定の部材について，前記循環系に代えて，当該特定の部材の内部を通過するように一次冷媒を循環させる第２の循環系と，前記熱交換器に代えて，前記第２の循環系の一次冷媒の熱交換を行う第２の熱交換器をさらに備え，
   前記第２の熱交換器は，前記冷凍機に対する三次冷媒により前記一次冷媒の熱交換を行うことを特徴とする，請求項１〜５のいずれかに記載の温度制御システム。
7. 請求項１〜６に記載の温度制御システムにおける部材を有する基板処理装置。

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