JP2006269578A - 波面収差測定方法、波面収差測定装置、投影露光装置、投影光学系の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、シアリング干渉の原理を利用した波面収差測定方法において、光源の輝度を高めることなく必要な干渉縞の光量を向上させることを目的とする。
【解決手段】本発明の波面収差測定方法は、被検光学系の測定対象物点に点光源を配置し、その点光源から射出した測定光束を被検光学系に通してシアリング干渉させ、生じた干渉縞を検出器で検出する波面収差測定方法において、２以上の独立した線光源からなる線光源群を、前記測定対象物点に配置することを特徴とする。それを実現するため、例えば、被検光学系の物体面に配置されるスリット部材１２上に、スリット群（マルチスリット）（Ｓ_X，Ｓ_Y）を形成する。
【選択図】 図２

Description

本発明は、シアリング干渉の原理を利用した波面収差測定方法、波面収差測定装置、投影露光装置、及び投影光学系の製造方法に関する。

５０ｎｍＬ／Ｓ以下の微細な線幅の回路パターンをウエハに転写する手法として、ＥＵＶＬ(EUVL：Extreme UltraViolet Lithography)が提案された。このＥＵＶＬで使用される露光光（ＥＵＶ光）の波長は１１ｎｍ〜１５ｎｍ（例えば、１３．５ｎｍ）である。
このように極端に波長の短い光はガラスなどの屈折部材を透過しにくいので、ＥＵＶＬ用の投影光学系には、屈折部材ではなくミラー（非球面ミラー）からなる反射型の投影光学系が用いられる。この投影光学系の波面収差の許容値は、０．０５λｒｍｓ＝０．６７ｎｍｒｍｓ以下であり、極めて厳しい。

このため、ＥＵＶＬ用の投影光学系の製造時、その波面収差を測定する際には、屈折部材を使用することなく高精度測定が可能な波面収差測定装置が用いられる。そのような波面収差測定装置の１つに、シアリング干渉の原理を利用した波面収差測定装置がある（特許文献１など）。
この波面収差測定装置では、投影光学系のレチクル面にピンホール部材を配置すると共に、ＥＵＶ光を発光する光源（ＥＵＶ光源）を用いて照明する。このピンホール部材のピンホールで発生する球面波を測定光束として被検光学系に通し、被検光学系を通過した後の測定光束を回折格子で複数の回折光束に分割し、そのうち±１次回折光束が成す干渉縞をＣＣＤ撮像素子で撮像する。その干渉縞のパターンは投影光学系の波面収差に応じて歪むので、この干渉縞の歪みパターンから、波面収差を高精度に検知することができる。

この波面収差測定装置の測定精度を高めるためには、ピンホール部材のピンホールの径を小さくし、そこで発生する球面波をなるべく理想球面波に近づける必要がある。各条件を考慮した回折計算により、ピンホールの径φに必要な条件は、ＥＵＶ光の波長λ、投影光学系のレチクル側の開口数ＮＡ_retとおくと、φ＜λ／ＮＡ_retとなる。
例えば、ＥＵＶ光の波長λ＝１３．５ｎｍ、投影光学系のウエハ側開口数ＮＡ_waf＝０．２５、投影光学系のレチクル側開口数ＮＡ_ret＝０．０６２５であるとき、ピンホールの径φに必要な条件は、φ＜２１６ｎｍとなり、極めて小さい。

こうした微細なピンホールでは、入射したＥＵＶ光の多くがロスとなり、実際に投影光学系に投光される測定光束の光量は、極めて微弱になってしまうので、ＥＵＶ光源の輝度を十分に高くしておくことが望まれる。
特開２００３−８６５０１号公報

しかしながら、ＥＵＶ光源の中で輝度の高いビームライン（シンクロトロン光源）は、大規模な施設を要するので、投影光学系の製造ラインで使用することは難しい。また、レーザプラズマ光源（ＬＰＰ）、放電プラズマ光源（ＤＰＰ）のような小型光源は、輝度が不足するので、ノイズの影響を受け易く、所望の測定精度が得られないという問題があった。

そこで本発明は、シアリング干渉の原理を利用した波面収差測定方法において、光源の輝度を高めることなく必要な干渉縞の光量を向上させることを目的とする。
また、本発明は、本発明の波面収差測定方法に好適な波面収差測定装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、投影光学系の波面収差を高精度に自己測定することのできる投影露光装置を提供することを目的とする。

また、本発明は、高性能な投影光学系を製造することのできる投影光学系の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の波面収差測定方法は、被検光学系の測定対象物点に点光源を配置し、その点光源から射出した測定光束を被検光学系に通してシアリング干渉させ、生じた干渉縞を検出器で検出する波面収差測定方法において、２以上の独立した線光源からなる線光源群を、前記測定対象物点に配置することを特徴とする。
この波面収差測定方法において、前記線光源群の各線光源が前記検出器上に個別に生じさせる前記干渉縞の位相が揃うように、各線光源の配置ピッチと前記シアリング干渉の条件とを最適化してもよい。

本発明の波面収差測定装置は、被検光学系の測定対象物点に理想球面波生成用のスリットを配置したスリット部材と、前記測定対象物点を照明光束で照明する照明光学系と、前記スリットから射出し前記被検光学系を経由した測定光束をシアリング干渉させる回折格子と、前記回折格子による前記シアリング干渉で生じた干渉縞を検出する検出器とを備えた波面収差測定装置において、前記照明光束は、可干渉長さが前記スリットのスリット幅よりも広い照明光束であり、前記スリット部材は、少なくとも前記可干渉長さより広い配置ピッチで配列された２以上の前記スリットからなるスリット群を、前記測定対象物点に配置してなることを特徴とする。

この波面収差測定装置において、前記スリット群の各スリットの配置ピッチＬ、前記照明光束の波長λ、前記照明光学系のスリット側開口数ＮＡ_condは、Ｌ＞λ／ＮＡ_cond ・・・（１）の式を満たしてもよい。
また、この波面収差測定装置において、前記スリット群の各スリットの配置ピッチＬ、前記回折格子の格子ピッチｐ、前記被検光学系の結像倍率Ｍは、Ｌ×Ｍ＝ｐ×ｎ（但し、ｎ：整数）・・・（２）の式を満たしてもよい。

また、この波面収差測定装置において、前記スリット群の各スリットの配置ピッチＬ、前記回折格子の格子ピッチｐ、前記被検光学系の結像倍率Ｍ、前記被検光学系による前記スリット群の像を基準とした前記回折格子の変位ｆ、前記スリット群の像を基準とした前記検出器の変位ｄは、Ｌ×Ｍ＝ｐ／（１−β）×ｎ，β＝ｆ／ｄ （但し、ｎ：整数） ・・・（３）の式を満たしてもよい。

また、この波面収差測定装置において、前記照明光学系の光源は、レーザプラズマ光源又は放電プラズマ光源であってもよい。
また、この波面収差測定装置において、前記照明光束の波長λは、１１ｎｍ＜λ＜１５ｎｍの範囲に含まれてもよい。
本発明の投影露光装置は、物体面に配置されたマスクのパターンを像面に投影するための投影光学系と、記物体面を照明光束で照明する照明光学系と、前記物体面の測定対象物点に理想球面波生成用のスリットを配置するためのスリット部材と、前記測定対象物点に配置された前記スリットから射出し、かつ前記投影光学系を経由した測定光束を、シアリング干渉させるための回折格子と、前記シアリング干渉で生じた干渉縞を検出するための検出器とを備えた投影露光装置において、前記照明光束は、可干渉長さが前記スリットのスリット幅よりも広い照明光束であり、前記スリット部材は、少なくとも前記可干渉長さより広い配置ピッチで配列された２以上の前記スリットからなるスリット群を、前記測定対象物点に配置するものであることを特徴とする。

この投影露光装置において、（１），（２），（３）の何れかの式を満たしてもよい。
また、この投影露光装置において、前記照明光学系の光源は、レーザプラズマ光源又は放電プラズマ光源であってもよい。
また、この投影露光装置において、前記照明光束の波長λは、１１ｎｍ＜λ＜１５ｎｍの範囲に含まれており、前記投影光学系は、波長λの光を導光することのできる光学部材によって構成されてもよい。

本発明の投影光学系の製造方法は、本発明の何れかの波面収差測定方法により投影光学系の波面収差を測定する手順と、前記測定の結果に応じて前記投影光学系を調整する手順とを含むことを特徴とする。
また、この投影光学系の製造方法において、前記線光源群の波長λは、１１ｎｍ＜λ＜１５ｎｍの範囲に含まれており、前記投影光学系は、波長λの光を導光することのできる光学部材によって構成されていてもよい。

本発明によれば、シアリング干渉の原理を利用した波面収差測定方法において、光源の輝度を高めることなく必要な干渉縞の光量を向上させることができる。
また、本発明によれば、本発明の波面収差測定方法に好適な波面収差測定装置が実現する。
また、本発明によれば、投影光学系の波面収差を高精度に自己測定することのできる投影露光装置が実現する。

また、本発明によれば、高性能な投影光学系を製造することのできる投影光学系の製造方法が実現する。

［第１実施形態］
図１、図２、図３、図４、図５、図６に基づき本発明の第１実施形態を説明する。
本実施形態は、波面収差測定装置の実施形態である。
図１は、本測定装置の構成図である。
本測定装置の被検対象である被検光学系ＴＯは、露光波長が１１ｎｍ〜１５ｎｍ（以下、１３．５ｎｍとする。）のＥＵＶＬ用の反射型の投影光学系である。これに合わせて、本測定装置の照明光学系１１の光源には、波長λ＝１３．５ｎｍのＥＵＶ光源、特に、空間コヒーレンスの低いレーザプラズマ光源（ＬＰＰ光源）が用いられる。

本測定装置には、この照明光学系１１から順に、反射型のスリット部材１２、被検光学系ＴＯ、透過型の回折格子Ｇ、ＣＣＤなどの撮像素子１７が配置される。スリット部材１２のスリットＳが被検光学系ＴＯの測定対象物点に位置しており、回折格子Ｇが被検光学系ＴＯの像面の前側に配置される。
照明光学系１１の光源から射出されるＥＵＶ光は、集光ミラー１１Ｂの集光作用を受けて、被検光学系ＴＯの測定対象物点に集光スポットを形成する。このＥＵＶ光は、そこに配置されたスリットＳによって理想球面波（正確には、スリット幅方向にかけて理想球面となった光波）に変換され、測定光束として被検光学系ＴＯに入射する。その測定光束は、被検光学系ＴＯ内の各ミラーを経由することで、被検光学系ＴＯの収差の影響を受けて、被検光学系ＴＯの像面側へ射出する。その測定光束は、被検光学系ＴＯの像面へ向けて集光しながら回折格子Ｇに入射し、回折格子Ｇの回折作用によって０次，１次，・・・の各次数の回折光束に分割される。各回折光束は、被検光学系ＴＯの像面上の互いにずれた位置にスリットＳの像（スリット像）をそれぞれ形成する。

図１では、±１次回折光束のみを図示した。「Ｉ₊」は、＋１次回折光束からなるスリット像、「Ｉ_-」は、−１次回折光束からなるスリット像である。
なお、図１では、回折格子Ｇの格子線方向が、紙面表裏方向（Ｙ方向）に一致しており、スリット像Ｉ₊，Ｉ_-の短手方向及び並び方向（＝シア方向）が左右方向（Ｘ方向）であるときの様子を示した。

このスリット像Ｉ₊，Ｉ_-から射出した±１次回折光束は、撮像素子１７の撮像面に入射してシアリング干渉し、撮像素子１７上に干渉縞を形成する。撮像素子１７は、その干渉縞の画像データを取得する。その画像データは、不図示のコンピュータへ送出され、＋１次回折光束の波面と−１次回折光束の波面との差分（シア波面）の情報に変換される。
なお、本測定装置では、撮像素子１７上の干渉縞が鮮明となるように、回折格子Ｇと撮像素子１７の位置関係は、所謂「Talbot条件」を満足するように最適化される。Talbot条件の詳細は、「応用光学１（鶴田）」（ｐ178-181，培風館，1990年）に記載されている。ここでは、この条件下で、±１次回折光束のみを考える。

また、本測定装置では、回折格子Ｇとして、格子線方向がＹ方向となった回折格子Ｇ_Xと、Ｘ方向となった回折格子Ｇ_Yとが共通の移動機構１３ｃに支持されており、移動機構１３ｃの移動によってシア方向をＸ方向とＹ方向との間で変更することができる。
また、本測定装置のスリット部材１２には、スリットＳとして、測定光束をＸ方向に理想球面化するマルチスリットＳ_Xと、測定光束をＹ方向に理想球面化するマルチスリットＳ_Yとが形成されている。スリット部材１２の移動により、シア方向がＸ方向であるときには、測定対象物点にマルチスリットＳ_Xが配置され、シア方向がＹ方向であるときには、測定対象物点にマルチスリットＳ_Yが配置される（これらのマルチスリットＳ_X，Ｓ_Yの詳細は、後述）。

このような本測定装置では、シア方向がＸ方向であるときに取得されたシア波面のＸ方向の分布は、被検光学系ＴＯの透過波面のＸ方向の分布を示しているが、そのシア波面のＹ方向の分布は、被検光学系ＴＯの透過波面のＹ方向の分布以外の情報も含んでいる。同様に、シア方向がＹ方向であるときに取得されたシア波面のＹ方向の分布は、被検光学系ＴＯの透過波面のＹ方向の分布を示しているが、そのシア波面のＸ方向の分布は、被検光学系ＴＯの透過波面のＸ方向の分布以外の情報も含んでいる。

したがって、不図示のコンピュータは、例えば、シア方向がＸ方向であるときに取得されたシア波面のＸ方向の分布を解析することで被検光学系ＴＯの透過波面のＸ方向の分布を求め、シア方向がＹ方向であるときに取得されたシア波面のＹ方向の分布を解析することで被検光学系ＴＯの透過波面のＹ方向の分布を求めることができる。
さらに、コンピュータは、被検光学系ＴＯの透過波面のＸ方向の分布とＹ方向の分布とを適切に合成することによって、被検光学系ＴＯの透過波面の分布を復元することができる。この透過波面の分布が、被検光学系ＴＯの波面収差を表す。

また、本測定装置では、画像データの取得に当たり移動機構１３ｃを介して回折格子Ｇをシア方向に振動させれば、公知の位相シフト法を適用してシア波面を高精度に得ることができる。位相シフト法の代わりに、フーリエ変換法を適用することもできる。
図２（ａ）は、本測定装置のスリット部材１２の構成を説明する図である。
本測定装置における被検光学系ＴＯは反射型であり、その視野は円弧状なので、それに合わせてスリット部材１２の全体も円弧状をしている。スリット部材１２において、被検光学系ＴＯの視野内の複数の測定対象物点のそれぞれに、マルチスリット（Ｓ_X又はＳ_Y）が形成されている。マルチスリットＳ_X，Ｓ_Yの各々は、複数のスリット（スリット群）からなる。

なお、同一の測定対象物点には、マルチスリットＳ_X，Ｓ_Yの一方しか配置されていないが、スリット部材１２の全体を不図示の移動機構で移動させれば、同一の測定対象物点に配置されるマルチスリットＳを、マルチスリットＳ_XとマルチスリットＳ_Yとの間で切り替えることができる。
さて、マルチスリットＳ_Xは、図２中の左側に拡大して示すように、Ｘ方向にかけて理想球面となった光波を生成するための複数のスリット（つまり、スリット幅方向がＸ方向に一致したスリット）Ｓ_A，Ｓ_B，Ｓ_C，・・・を、所定の配置ピッチＬでＸ方向に等間隔に密に配列してなる（配置ピッチＬ：互いに隣接するスリットの中心同士の間隔）。

また、マルチスリットＳ_Yは、図２中の右側に拡大して示すように、Ｙ方向にかけて理想球面となった光波を生成するための複数のスリット（つまり、スリット幅方向がＹ方向に一致したスリット）Ｓ_A，Ｓ_B，Ｓ_C，・・・を、所定の配置ピッチＬでＹ方向に等間隔に密に配列してなる（配置ピッチＬ：互いに隣接するスリットの中心同士の間隔）。
マルチスリットＳ_X，Ｓ_Yの各々の外形（＝複数のスリットＳ_A，Ｓ_B，Ｓ_C，・・・の形成領域の外形）は、ＥＵＶ光の集光スポットと略形同大である。

ここで、ＥＵＶ光の集光スポットの径Φは、比較的大きい。なぜなら、照明光学系１１の光源（ここでは、レーザプラズマ光源）は空間コヒーレンスが低く、レーザー光やビームラインとは異なり、光束をあまり小さく絞ることができないからである。例えば、レーザプラズマ光源のサイズを１００μｍ程度、集光ミラー１１Ｂの倍率を２倍とすると、集光スポットの径Φは２００μｍ程度である。

また、マルチスリットＳ_X，Ｓ_Y内の各スリットＳ_A，Ｓ_B，Ｓ_C，・・・のスリット幅φは、理想球面波を生成するために必要なサイズ、例えば、φ＜λ／ＮＡ_ret（ＮＡ_ret：被検光学系ＴＯの物体側開口数）に抑えられている。
以上のスリット部材１２が適切にセットされ、測定対象物点の何れかが集光スポットにより照明されると、そこに配置されたマルチスリット（Ｓ_X又はＳ_Y）内の個々のスリットＳ_A，Ｓ_B，Ｓ_C，・・・は、所定方向（Ｘ方向又はＹ方向）にかけて理想球面となった光波からなる測定光束を個別に生成する。これによって、被検光学系ＴＯの測定対象物点に、線光源群が形成される。

なお、マルチスリット（Ｓ_X又はＳ_Y）内の複数のスリットの配列パターンは、図２（ｂ），図２（ｃ）のごとく変形されてもよい。図２（ｂ）は、スリット長の短いスリットを１次元的に配置したものであり、図２（ｂ）は、スリット長の短いスリットを２次元的に配置したものである。但し、図２（ａ）に示した配列パターンの方が、スリットの全透過光量が高まるので、後述する干渉縞の光量増加の効果が高い。

以下、マルチスリット（Ｓ_X又はＳ_Y）の作用と各部の設計値とについて詳しく説明する。ここでは、シア方向がＸ方向であるとき、マルチスリットＳ_X内の互いに隣接する３つのスリットＳ_A，Ｓ_B，Ｓ_Cに着目するが、以下の説明は、マルチスリットＳ_X内の他のスリットや、シア方向がＹ方向であるときの各部にも同様に当てはまる。
図３は、互いに隣接する３つのスリットＳ_A，Ｓ_B，Ｓ_Cの作用を説明する概念図である。なお、図３では、３つのスリットＳ_A，Ｓ_B，Ｓ_Cの中心のスリットＳ_Bからの測定光束のみを可視化した。

図３（ａ）に示すとおり、スリットＳ_A，Ｓ_B，Ｓ_Cからの各測定光束は、被検光学系ＴＯを介して回折格子Ｇ_Xに入射し、それぞれ±１次回折光束に分割され、被検光学系ＴＯの像面上に、＋１次回折光束からなるスリット像Ｉ_A+，Ｉ_B+，Ｉ_C+、−１次回折光束からなるスリット像Ｉ_A-，Ｉ_B-，Ｉ_C-を形成する。
スリット像Ｉ_A+，Ｉ_A-から射出した±１次回折光束（スリットＳ_Aによる±１次回折光束）はシアリング干渉し、撮像素子１７上に干渉縞を形成する。

同様に、スリット像Ｉ_B+，Ｉ_B-から射出した±１次回折光束（スリットＳ_Bによる±１次回折光束）もシアリング干渉し、図３（ｂ）に示すように、撮像素子１７上に干渉縞Ｆ_Bを形成する。
同様に、スリット像Ｉ_C+，Ｉ_C-から射出した±１次回折光束（スリットＳ_Cによる±１次回折光束）もシアリング干渉し、撮像素子１７上に干渉縞を形成する。

ここで、図３（ｂ）に示すように、スリットＳ_Bによる干渉縞Ｆ_Bは、被検光学系ＴＯの収差等の影響を受けて歪んでいる。他のスリットＳ_A，Ｓ_Cによる干渉縞（不図示）も、被検光学系ＴＯの収差等の影響を受けて歪んでいる。それらの干渉縞の歪みパターンは、同じ被検光学系ＴＯの収差等の影響を受けたので、略等しい。
よって、撮像素子１７上では、図４（ａ）に示すように、歪みパターンの略等しい干渉縞Ｆ_A，Ｆ_B，Ｆ_Cが、若干だけずれて重なる（干渉縞Ｆ_A，Ｆ_B，Ｆ_C：スリットＳ_A，Ｓ_B，Ｓ_Cが個別に形成した干渉縞。）。なお、図４（ａ）では、干渉縞Ｆ_A，Ｆ_B，Ｆ_Cのずれを強調するために、暗部のピークのみを細い線で表現した。このように歪みパターンの略等しい干渉縞Ｆ_A，Ｆ_B，Ｆ_Cが重なれば、干渉縞の光量が高められたのと同等の効果が期待できる。

しかも、マルチスリットＳ_X内のスリットの配置ピッチＬをなるべく狭くした方が、マルチスリットＳ_X内のスリット総数を増やすことができるので、干渉縞の光量をより高めることができる。
（余分な干渉縞について）
但し、互いに異なるスリットＳ_A，Ｓ_B，Ｓ_Cからの測定光束同士が干渉すると、スリットＳ_A，Ｓ_B，Ｓ_Cが個別に形成する干渉縞Ｆ_A，Ｆ_B，Ｆ_Cに、余分な干渉縞が重畳してしまう。

そこで、本測定装置では、マルチスリットＳ_X内の各スリットによる各線光源を互いに独立させるため、マルチスリットＳ_X内のスリットの配置ピッチＬは、少なくとも、マルチスリットＳ_Xを照明するＥＵＶ光の可干渉長さより広い必要がある。
ここで、照明光学系１１の光源にはレーザプラズマ光源が用いられるので、その可干渉長さは、高々「λ／ＮＡ_cond」である。ここに、λ：ＥＵＶ光の波長、ＮＡ_cond：照明光学系１１の射出側開口数（集光ミラー１１Ｂからスリット側へ射出する光束のＮＡ）である。

したがって、マルチスリットＳ_X内のスリットの配置ピッチＬは、少なくとも次式（１）を満たせばよい。
Ｌ＞λ／ＮＡ_cond ・・・（１）
この式（１）の条件が満たされれば、スリットＳ_A，Ｓ_B，Ｓ_Cによって個別に形成される干渉縞Ｆ_A，Ｆ_B，Ｆ_Cがインコヒーレントに重なり、余分な干渉縞の発生を防止できる。

（干渉縞の位相ずれについて）
次に、図４（ａ）では、スリットＳ_A，Ｓ_B，Ｓ_Cによって個別に形成される干渉縞Ｆ_A，Ｆ_B，Ｆ_Cの位相が一致している様子、つまり干渉縞Ｆ_A，Ｆ_B，Ｆ_Cの明部のピークと暗部のピークとが同じ位置に現れている様子を示したが、実際には、図４（ｂ）に示すように、それらの位相がずれている可能性もある。

干渉縞Ｆ_A，Ｆ_B，Ｆ_Cの位相がずれると、明部のピークと暗部のピークとが異なる位置に現れる。例えば、位相のずれ量がπになると、明部のピークの現れる位置と暗部のピークの現れる位置とが反対になる（但し、干渉縞Ｆ_A，Ｆ_B，Ｆ_Cの歪みパターンは、位相に依らず同じに現れる。）。このとき、必要な干渉縞の光量が向上しない。
このように位相がずれる理由は、スリットＳ_A，Ｓ_B，Ｓ_Cから個別に射出した各測定光束が、回折格子Ｇ_X上の互いにずれた領域に入射することにある。

図５（ａ），（ｂ）は、スリットＳ_A，Ｓ_Bが個別に形成する干渉縞Ｆ_A，Ｆ_Bの位相のずれを説明する概念図である。図５（ａ），（ｂ）には、スリットＳ_A，Ｓ_Bから個別に射出した２つの測定光束Ａ，Ｂが回折格子Ｇ_Xを経由して撮像素子１７に到達する様子を示した。なお、図５（ａ），（ｂ）では、２つの測定光束Ａ，Ｂのずれを明確にするため、測定光束Ａ，Ｂそれぞれの±１次回折光束の代わりに、それぞれの０次回折光束を示した。

これら２つの測定光束Ａ，Ｂが、図５（ａ）に示すような関係で回折格子Ｇ_Xに入射したときには、干渉縞Ｆ_A，Ｆ_Bの位相は一致する。
一方、２つの測定光束Ａ，Ｂが、図５（ｂ）に示すような関係で回折格子Ｇ_Xに入射したときには、干渉縞Ｆ_A，Ｆ_Bの位相は一致しない。
図６（ａ），（ｂ）は、干渉縞Ｆ_A，Ｆ_Bの位相が一致するときの回折格子Ｇ_Xの近傍の拡大概念図である。図６（ａ）は、光軸と垂直な方向から見た図、図６（ｂ）は、光軸方向から見た図である（図６（ａ）では、波面中心を通る光線のみを図示した。）。

図６（ａ），（ｂ）に示すように、干渉縞Ｆ_A，Ｆ_Bの位相が一致するのは、測定光束Ａが入射した領域に含まれる格子パターンと、測定光束Ｂが入射した領域に含まれる格子パターンとが一致しているときである。すなわち、回折格子Ｇ_X上における測定光束Ａと測定光束Ｂとのずれ量ｄ₁が、回折格子Ｇ_Xの格子ピッチｐの整数ｎ倍のときである。この条件を式にすると、次式（２’）のとおりである。

ｄ₁＝ｐ×ｎ（ｎ：整数） ・・・（２’）
このずれ量ｄ₁は、測定光束Ａによるスリット像Ｉ_A0と、測定光束Ｂによるスリット像Ｉ_B0との間隔に等しく、それは、被検光学系ＴＯの結像倍率Ｍ、マルチスリットＳ_X内のスリットの配置ピッチＬによって、「Ｌ×Ｍ」で表される。したがって、式（２’）は、次式（２）に置き換えられる。

Ｌ×Ｍ＝ｐ×ｎ（ｎ：整数） ・・・（２）
そこで、本測定装置では、スリットＳ_A，Ｓ_B，Ｓ_Cの配置ピッチＬ、回折格子Ｇ_Xの格子ピッチｐは、式（２）を満足するように設定される。これにより、スリットＳ_A，Ｓ_B，Ｓ_Cが個別に形成する干渉縞Ｆ_A，Ｆ_B，Ｆ_Cの位相を一致させ、必要な干渉縞の光量を確実に向上させることができる。

（干渉縞の位置ずれについて）
次に、図４（ａ）に示したとおり、干渉縞Ｆ_A，Ｆ_B，Ｆ_Cは若干ずつずれて重なる。これらの位置ずれを低減するために、各干渉縞Ｆ_A，Ｆ_B，Ｆ_Cの位相を、意図的に少しずつずらしてもよい。その場合、式（２）に代えて式（３）を採用すればよい。
Ｌ×Ｍ＝ｐ／（１−β）×ｎ，
β＝ｆ／ｄ（但し、ｎ：整数） ・・・（３）
ここに、ｆ：スリット像の形成面（＝被検光学系ＴＯの像面）を基準とした回折格子Ｇ_Xの変位、ｄ：スリット像の形成面（＝被検光学系ＴＯの像面）を基準とした撮像素子１７の変位である（図２参照）。因みに、本測定装置の配置では、β＜０となる。

また、一般に、｜β｜≪１なので、式（３）に代えて式（３）の代わりに式（３’）を採用してもよい。
Ｌ×Ｍ＝ｐ×（１＋β）×ｎ，
β＝ｆ／ｄ（但し、ｎ：整数） ・・・（３’）
以上の式（３）又は（３’）を採用すれば、干渉縞Ｆ_A，Ｆ_B，Ｆ_Cの位置ずれが目立たなくなる。

（効果）
以上、本測定装置では、図２に示したように、１つの測定対象物点にマルチスリットＳ_X又はＳ_Yを配置することによって、必要な干渉縞の光量を増加させる。
また、マルチスリット（Ｓ_X又はＳ_Y）内のスリットの配置ピッチＬなどが式（１）を満たすので、余分な干渉縞の発生を防ぐことができる。

また、マルチスリット（Ｓ_X又はＳ_Y）内のスリットの配置ピッチＬなどが式（２）を満たすので、必要な干渉縞同士の位相を一致させて、その干渉縞の光量を確実に向上させることができる。
また、マルチスリット（Ｓ_X又はＳ_Y）内のスリットの配置ピッチＬなどが式（２）に代えて式（３）又は式（３’）を満たせば、必要な干渉縞同士の位置ずれを低減することができる。

したがって、本測定装置によれば、必要な干渉縞の光量を確実に向上させることができる。その結果、被検光学系ＴＯの波面収差を確実かつ高精度に測定することができる。具体的には、測定の再現性の向上、測定時間の短縮、調整の効率化などの効果が得られる。
なお、本測定装置のコンピュータによる透過波面の復元には、例えば、下記の文献等に記載されている方法を適用することができる。この方法では、本測定装置のようなマルチスリットではなくシングルスリットが想定されているが、マルチスリットを用いた本測定装置にも同様に適用することが可能である。

平成１４年度研究成果報告書，基盤技術研修促進事業「ＥＵＶ光学系絶対波面計測技術の開発」，新エネルギー・産業技術総合開発機構（ＮＥＤＯ），平成１５年３月，ｐ５８−５９
（実施例）
本実施例の測定対象は、以下の仕様のＥＵＶＬ用の投影光学系である。
・露光波長＝１３．５ｎｍ，
・像側開口数ＮＡ_im＝０．２５，
・投影倍率Ｍ＝０．２５，
・物体側開口数ＮＡ_ret＝０．０６２５，
なお、物体側開口数ＮＡ_retは、ＮＡ_ret＝ＮＡ_im×Ｍによって決められた。

本実施例の測定装置の各部の設定値は、以下のとおりである。
・照明光学系１１の光源の波長λ＝１３．５ｎｍ
・照明光学系１１の射出側開口数ＮＡ_cond＝０．０６２５，
・被検光学系ＴＯの像面を基準とした回折格子Ｇ_X，Ｇ_Yの変位ｆ＝＋１００μｍ，
・被検光学系ＴＯの像面を基準とした撮像素子１７の変位ｄ＝−５０ｍｍ，
・照明光学系１１による集光スポットの径Φ＝２００μｍ，
・マルチスリットＳ_X，Ｓ_Y内のスリットの配置ピッチＬ＝４μｍ，
・回折格子Ｇ_X，Ｇ_Yの格子ピッチｐ＝１μｍ，
なお、ＮＡ_cond＝ＮＡ_retとしたのは、測定光束の光量と波面精度（理想球面の程度）とを両立させるためである。また、格子ピッチｐ及び配置ピッチＬは、以下の過程によって選定した。

先ず、λ＝１３．５，ＮＡ_cond＝０．０６２５，Ｍ＝０．２５なので、上述した式（１），式（２）は、式（１ａ），式（２ａ）となる。
Ｌ＞０．２１６ｎｍ ・・・（１ａ）
Ｌ＝４p，８p，１２p, ・・・ ・・・（２ａ)
また、上述したとおり、必要な干渉縞の光量を最大にするためには、配置ピッチＬはなるべく狭い方が望ましい。これを考慮し、式（１ａ）を満たす配置ピッチＬの最小値を求めると、Ｌ≒０．２ｎｍとなる。このとき、式（２ａ）より、格子ピッチｐは、ｐ≒５０ｎｍとなる。

しかしながら、回折格子Ｇ_X，Ｇ_Yの格子ピッチｐには、製造上の限界があり、現状では、格子ピッチｐ≧１μｍである。よって、その範囲で式（２ａ）を満たす配置ピッチＬの最小値を求めると、ｐ≒１μｍ，Ｌ≒４μｍとなった。ｐ≒１μｍ、Ｌ≒４μｍは、式（１ａ）をも満たす。よって、本実施例では、ｐ＝１μｍ，Ｌ＝４μｍに設定した。
したがって、仮に、集光スポットの一杯にスリットを密に配置するならば、マルチスリット（Ｓ_X又はＳ_Y）の全透過光量をピンホール１つ分の７８００倍以上にまで増やすことができる。このとき、必要な干渉縞の光量を７８００倍以上に高めることができる。因みにこれは、シングルスリット（スリット１本分）の全透過光量の約１００倍に相当する。

（スリット部材１２について）
ここで、本測定装置に用いられたスリット部材１２の構造の一例を説明する。スリット部材１２は、図７に示すように、セラミックなどからなる基板１２−０上に、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）などを積層させてできる反射膜１２−１、タンタル（Ｔａ）などからなる吸収層１２−２が順に形成されてなる。このうち、吸収層１２−２には、前述したスリットＳ_A，Ｓ_B，・・・と同じパターンの開口部が形成されており、その開口部では反射膜１２−１が露出している。この露出部分が、スリットＳ_A，Ｓ_B，・・・の機能を果たす。なお、反射膜１２−１の膜構造は、ＥＵＶ光を十分な反射率で反射できるように最適化されている。

［第１実施形態の変形例］
なお、本測定装置のスリット部材１２（図２）においては、波面収差測定を複数の測定対象物点について行うために、マルチスリット（Ｓ_X又はＳ_Y）の数が複数になっているが、その必要が無ければ、１つであってもよい。
また、マルチスリットＳ_X，Ｓ_Yを１つずつ（又は少ない個数）だけしか有していなくても、そのスリット部材１２を物体面に沿って移動させれば、波面収差測定を複数の測定対象物点について行うことができる。

また、マルチスリットＳ_X，Ｓ_Yの一方を１つだけしか有していなくても、そのスリット部材１２を物体面に沿って９０°回転させれば、測定光束の理想球面化される方向をＸ方向とＹ方向との間で切り替えることができる。
但し、複数のマルチスリットＳ_Xと複数のマルチスリットＳ_Yとが予め設けられたピンホール部材１２を用いる方が、移動や回転を省略できるので好ましい。

また、本測定装置では、反射型のスリット部材１２が用いられたが、図８に示すような透過型のスリット部材１２’が用いられてもよい。透過型のスリット部材１２’は、例えば、Ｎｉメンブレンにエッチングやリフトオフ法を施し、上述したスリット部材１２のスリットＳ_A，Ｓ_B，・・・と同じパターンの開口部を形成したものである。
また、本測定装置では、回折格子Ｇ_X，Ｇ_Yと撮像素子１７との間に何も配置されなかったが、図８に示すように、不必要な光束をカットして必要な光束のみを選択的に透過するマスクＭ（所謂次数選択マスク）を配置してもよい。なお、「不必要な光束」とは、各スリットＳ_A，Ｓ_B，Ｓ_C・・・からの測定光束の０，２，３，・・・次回折光束であり、「必要な光束」とは、各スリットＳ_A，Ｓ_B，Ｓ_C・・・からの測定光束の±１次回折光束である。

マスクＭの挿入箇所は、被検光学系ＴＯの像面の近傍である。マスクＭが挿入された場合も、回折格子（Ｇ_X又はＧ_Y）及び撮像素子１７の位置関係は、上述した「Talbot条件」を満たしていることが望ましいが、必須ではない。
また、本測定装置では、回折格子Ｇ_X，Ｇ_Yの挿入箇所が、被検光学系ＴＯの像面の前側であったが、図８の下部の点線枠内に示すように、像面の後側であってもよい。但し、回折格子Ｇ_X，Ｇ_Yの後側では必要な光と不必要な光とが混在するので、マスクＭを利用することはできない。よって、回折格子Ｇ_X，Ｇ_Y及び撮像素子１７の位置関係は、上述した「Talbot条件」を満たす必要がある。

また、回折格子Ｇ_X，Ｇ_Yの挿入箇所が、被検光学系ＴＯの像面の後側であったとしても、上述した式（３），（３’）はそのまま適用可能である（その場合、β＞０となる。）。
また、式（２）及び式（３）（又は式（３’））における「β」は、回折格子Ｇ_X，Ｇ_Yの格子ピッチｐと干渉縞Ｆ_A，Ｆ_B，Ｆ_C，・・・の縞のピッチとの比を表しており、一般に、干渉縞Ｆ_A，Ｆ_B，Ｆ_C，・・・の縞のピッチが格子ピッチｐよりも十分大きいことを考えると、式（２）と式（３）（又は式（３’））との差は小さい。しかし、大きな集光スポットでマルチスリット（Ｓ_X又はＳ_Y）を照明し、マルチスリット（Ｓ_X又はＳ_Y）内のスリットＳ_A，Ｓ_B，・・・の個数が多いときには、その誤差は無視し得なくなることがある。この場合、式（２）よりも式（３）（又は式（３’））を積極的に採用することが望ましい。

また、マルチスリット（Ｓ_X又はＳ_Y）内のスリットＳ_A，Ｓ_B，・・・（図２）は、等間隔に（周期的に）配列された方が光量の損失が抑えられるので好ましいが、等間隔でなくてもよい。また、マルチスリット（Ｓ_X又はＳ_Y）は、集光スポットと同型同大になっていなくてもよい。但し、少なくとも、集光スポットの全域をマルチスリット（Ｓ_X又はＳ_Y）でカバーした方が、光量の損失は抑えられる。何れの場合にも、複数のスリットＳ_A，Ｓ_B，・・・の配置ピッチＬは、式（１）を満足する。

また、式（３），式（３’）における整数「ｎ」は、実際には正確な整数でなくても構わない場合もある。例えば、干渉縞Ｆ_A，Ｆ_B，Ｆ_C，・・・の位置ずれを縞のピッチの１０％まで許容するときには、式（３’）において「ｎ」→「ｎ±０．１」とおいた式（４）を採用してもよい。
Ｌ×Ｍ＝ｐ×（１＋β）×（ｎ±０．１） ・・・（４）
また、本測定装置の光源には、レーザプラズマ光源が用いられたが、放電プラズマなど、空間コヒーレンスの低い他のＥＵＶ光源を用いてもよい。

また、本測定装置では、被検光学系ＴＯがＥＵＶＬ用の投影光学系であったので、光源にＥＵＶ光源が用いられたが、被検光学系ＴＯの露光光がＥＵＶ光以外の光（可視光、他の波長のＸ線など）である場合には、その露光光と同じ波長の光を出射可能であり、かつ空間コヒーレンスの低い光源が用いられる。
また、本測定装置では、被検光学系ＴＯが投影光学系であるが、投影光学系以外の他の結像光学系の波面収差測定にも、本発明は適用可能である。但し、ＥＵＶＬ用の投影光学系の波面収差測定では、高精度化の要求が高く、その分だけ干渉縞の光量を高める要求も強いので、本発明が特に有効である。

また、本測定装置では、格子線方向の異なる２つの回折格子Ｇ_X，Ｇ_Yを用いたが、１つの回折格子しか用いなくとも、その配置方向を９０°回転させれば、シア方向をＸ方向とＹ方向との間で変更することができる。
また、本測定装置による波面収差測定は、一般に、投影光学系の製造時、その組み立て調整に適用されるが、組み立て後の投影光学系の収差変動の検出に適用することもできる。

特に、ＥＵＶＬ用の投影露光装置は、波長が極端に短いため、組み立て後のミラーの僅かの変位でも波面収差が変動するので、本測定装置と同じ機能を搭載し、定期的に波面収差を測定すれば、組み立て後のミラー変形や位置変動に対処することができる。この機能が搭載された投影露光装置の一例は、後述する第２実施形態にて説明する。
［第２実施形態］
図９に基づき本発明の第２実施形態を説明する。

本実施形態は、第１実施形態の測定装置の機能が搭載された投影露光装置の実施形態である。
図９は、本投影露光装置の構成図である。
本投影露光装置には、第１実施形態の測定装置（図１）と同じ機能が搭載されている。すなわち、本投影露光装置には、照明光学系２１、反射型のレチクルＲ、投影光学系ＰＬ、ウエハＷが配置されると共に、反射型のスリット部材１２、透過型の回折格子Ｇ_X，Ｇ_Y、移動機構１３ｃ、撮像素子１７などが備えられる。

照明光学系２１の光源には、波長λ＝１３．５ｎｍのＥＵＶ光源、特に、レーザプラズマ光源が用いられる。この照明光学系２１にも第１実施形態の測定装置における集光ミラー１１Ｂと同様の集光ミラーが備えられる。
投影光学系ＰＬは、ＥＵＶ光を十分な反射する特性を持った複数のミラーからなる反射型の投影光学系である。

スリット部材１２は、第１実施形態の測定装置におけるスリット部材１２と同じものであり、波面収差測定時にのみ、レチクルＲに代わり投影光学系ＰＬの物体面に挿入される。
例えば、スリット部材１２は、レチクルＲと共にレチクルステージ２２によって支持される。レチクルステージ２２の移動により、レチクルＲとスリット部材１２とが入れ替わる。

回折格子Ｇ_X，Ｇ_Yは、第１実施形態の測定装置における回折格子Ｇ_X，Ｇ_Yと同じものであり、波面収差測定時にのみ、移動機構１３ｃによって投影光学系ＰＬの像面の前側に挿入される。
撮像素子１７は、第１実施形態の測定装置における撮像素子１７と同じものであり、回折格子Ｇ_X，Ｇ_Yの後側の位置に配置される。

波面収差測定時には、ウエハＷを支持するウエハステージ２６が移動して、投影光学系ＰＬから回折格子（Ｇ_X又はＧ_Y）を経由して撮像素子１７へと至る光路が確保される。このとき、回折格子（Ｇ_X又はＧ_Y）と撮像素子１７との位置関係は、上述した「Talbot条件」を満足する。
したがって、本投影露光装置の各部に適切な指示さえ与えられれば、投影光学系ＰＬの自己測定を、第１実施形態の測定装置と同様に、確実かつ高精度に行うことができる。

このような自己測定が可能な本投影露光装置では、各ミラーを装置から取り外さなくとも投影光学系ＰＬの反射面の位置修正量を求めることができるので、本投影露光装置のユーザは、露光動作に先立ち（或いはユーザの所望するタイミングで）、各面別の設置誤差に由来する反射面位置を最適に調整することができる。この調整の工程（キャリブレーション）は、例えば、次の手順（１）〜（５）を含む。

（１）スリットユニット及びウエハ側ユニットの位置を、投影光学系ＰＬの視野内の測定対象物点に応じた位置にそれぞれ設定する。ここで、スリットユニットは、照明光学系２１の集光ミラーと反射型のスリット部材１２とを含むユニットであり、ウエハ側ユニットは、回折格子Ｇ_X，Ｇ_Yと撮像素子１７を含むユニットである。
（２）測定対象物点に関する波面収差を測定する。

（３）投影光学系ＰＬの視野内の複数の測定対象物点について手順（１），（２）をそれぞれ行う。
（４）視野内の複数の測定対象物点に関する波面収差データを基に、各反射面の位置誤差（シフト量、チルト量）を算出する。
（５）各反射面の位置誤差を補正し、波面収差の最適化を行う。

なお、本投影露光装置には、スリット部材１２とレチクルＲとが別々に用意されたが、スリット部材１２を一体化してなるレチクルＲを用いてもよい。このようなレチクルＲは、例えば、レチクルＲの表面に金属膜を蒸着し、その金属膜をエッチングしてスリットパターンを形成することにより形成される。
また、本投影露光装置を、第１実施形態の変形例の何れかと同様に変形してもよい。マスクＭ（図８）を利用する場合、マスクＭをウエハＷと共にウエハステージ２６によって支持し、ウエハステージ２６の移動によってウエハＷとマスクＭとを入れ替えてもよい。

また、本投影露光装置は、ＥＵＶＬ用の投影露光装置であるが、他の露光波長の投影露光装置にも同様に、本発明を適用することができる。但し、ＥＵＶＬ用の投影光学系ＰＬの測定では、干渉縞の光量を高める要求が高かったので、本発明が特に有効である。
［第３実施形態］
図１０に基づき本発明の第３実施形態を説明する。

本実施形態は、ＥＵＶＬ用の投影光学系の製造方法の実施形態である。
図１０は、投影光学系の製造方法の手順を示すフローチャートである。
投影光学系の光学設計をする（ステップＳ１０１）。ここで設計されるのは、例えば、図９の符号ＰＬで示すような構成の投影光学系である。このステップＳ１０１において、投影光学系内の各光学部材（ミラー）の各面形状が決定される。

各光学部材が加工される（ステップＳ１０２）。
加工された各光学部材の面形状を測定しつつその面精度誤差が小さくなるまで加工が繰り返される（ステップＳ１０２，Ｓ１０３，Ｓ１０４）。
その後、全ての光学部材の面精度誤差が許容範囲内に収まると（ステップＳ１０４ＯＫ）光学部材を完成させ、それら光学部材によって投影光学系を組み立てる（ステップＳ１０５）。

組み立て後、投影光学系の透過波面の形状（波面収差）を、第１実施形態の測定装置で測定し（ステップＳ１０６）、その測定結果に応じて各光学部材の間隔調整や偏心調整などを行い（ステップＳ１０８）、波面収差が許容範囲内に収まった時点（ステップＳ１０７ＯＫ）で、投影光学系を完成させる（以上、製造方法の手順）。
このように、ステップＳ１０６における測定で第１実施形態の測定装置を利用すれば、投影光学系の波面収差を確実かつ高精度に測定することができるので、投影光学系を確実に高性能化することができる。

したがって、この投影光学系を投影露光装置に搭載すると、投影露光装置が確実に高性能化する。その投影露光装置によれば、高性能なデバイスを確実に製造することができる。
また、本製造方法で製造した投影光学系は、ＥＵＶＬ用の投影光学系であるが、他の露光波長の投影光学系の製造にも同様に、本発明を適用することができる。但し、ＥＵＶＬ用の投影光学系の製造では、測定精度を光量を高める要求が高かったので、本発明が特に有効である。

第１実施形態の波面収差測定装置の実施形態である。 スリット部材１２の構成を説明する図である。 互いに隣接する３つのスリットＳ_A，Ｓ_B，Ｓ_Cの作用を説明する概念図である。 撮像素子１７上の干渉縞Ｆ_A，Ｆ_B，Ｆ_Cを示す図である。 干渉縞Ｆ_A，Ｆ_Bの位相ずれの原理を説明する図である。 干渉縞Ｆ_A，Ｆ_Bの位相が一致する条件を説明する図である。 スリット部材１２の構造を示す断面図である。 第１実施形態の波面収差測定装置の変形例を説明する図である。 第２実施形態の投影露光装置の構成図である。 第３実施形態の投影光学系の製造方法の実施形態である。

符号の説明

１１，２１ 照明光学系
１２，１２’ スリット部材
ＴＯ 被検光学系
Ｇ_X，Ｇ_Y 回折格子
１７ 撮像素子
１３ｃ 移動機構
１１Ｂ 集光ミラー
Ｓ マルチスリット
Ｓ_A，Ｓ_B，Ｓ_C，・・・ スリット
Ｉ_A，Ｉ_B，Ｉ_C，・・・ スリット像
Ｆ_A，Ｆ_B，Ｆ_C，・・・ 干渉縞
Ｒ レチクル
Ｗ ウエハ
２２ レチクルステージ
２６ ウエハステージ

Claims (16)

1. 被検光学系の測定対象物点に点光源を配置し、その点光源から射出した測定光束を被検光学系に通してシアリング干渉させ、生じた干渉縞を検出器で検出する波面収差測定方法において、
   ２以上の独立した線光源からなる線光源群を、前記測定対象物点に配置する
   ことを特徴とする波面収差測定方法。
2. 請求項１に記載の波面収差測定方法において、
   前記線光源群の各線光源が前記検出器上に個別に生じさせる前記干渉縞の位相が揃うように、各線光源の配置ピッチと前記シアリング干渉の条件とを最適化する
   ことを特徴とする波面収差測定方法。
3. 被検光学系の測定対象物点に理想球面波生成用のスリットを配置したスリット部材と、
   前記測定対象物点を照明光束で照明する照明光学系と、
   前記スリットから射出し前記被検光学系を経由した測定光束をシアリング干渉させる回折格子と、
   前記回折格子による前記シアリング干渉で生じた干渉縞を検出する検出器と
   を備えた波面収差測定装置において、
   前記照明光束は、
   可干渉長さが前記スリットのスリット幅よりも広い照明光束であり、
   前記スリット部材は、
   少なくとも前記可干渉長さより広い配置ピッチで配列された２以上の前記スリットからなるスリット群を、前記測定対象物点に配置してなる
   ことを特徴とする波面収差測定装置。
4. 請求項３に記載の波面収差測定装置において、
   前記スリット群の各スリットの配置ピッチＬ、前記照明光束の波長λ、前記照明光学系のスリット側開口数ＮＡ_condは、
   Ｌ＞λ／ＮＡ_cond ・・・（１）
   の式を満たすことを特徴とする波面収差測定装置。
5. 請求項４に記載の波面収差測定装置において、
   前記スリット群の各スリットの配置ピッチＬ、前記回折格子の格子ピッチｐ、前記被検光学系の結像倍率Ｍは、
   Ｌ×Ｍ＝ｐ×ｎ（但し、ｎ：整数）・・・（２）
   の式を満たすことを特徴とする波面収差測定装置。
6. 請求項４に記載の波面収差測定装置において、
   前記スリット群の各スリットの配置ピッチＬ、前記回折格子の格子ピッチｐ、前記被検光学系の結像倍率Ｍ、前記被検光学系による前記スリット群の像を基準とした前記回折格子の変位ｆ、前記スリット群の像を基準とした前記検出器の変位ｄは、
   Ｌ×Ｍ＝ｐ／（１−β）×ｎ，
   β＝ｆ／ｄ （但し、ｎ：整数） ・・・（３）
   の式を満たすことを特徴とする波面収差測定装置。
7. 請求項３〜請求項６の何れか一項に記載の波面収差測定装置において、
   前記照明光学系の光源は、レーザプラズマ光源又は放電プラズマ光源である
   ことを特徴とする波面収差測定装置。
8. 請求項７に記載の波面収差測定装置において、
   前記照明光束の波長λは、１１ｎｍ＜λ＜１５ｎｍの範囲に含まれる
   ことを特徴とする波面収差測定装置。
9. 物体面に配置されたマスクのパターンを像面に投影するための投影光学系と、
   前記物体面を照明光束で照明する照明光学系と、
   前記物体面の測定対象物点に理想球面波生成用のスリットを配置するためのスリット部材と、
   前記測定対象物点に配置された前記スリットから射出し、かつ前記投影光学系を経由した測定光束を、シアリング干渉させるための回折格子と、
   前記シアリング干渉で生じた干渉縞を検出するための検出器と
   を備えた投影露光装置において、
   前記照明光束は、
   可干渉長さが前記スリットのスリット幅よりも広い照明光束であり、
   前記スリット部材は、
   少なくとも前記可干渉長さより広い配置ピッチで配列された２以上の前記スリットからなるスリット群を、前記測定対象物点に配置するものである
   ことを特徴とする投影露光装置。
10. 請求項９に記載の投影露光装置において、
    前記スリット群の各スリットの配置ピッチＬ、前記照明光束の波長λ、前記照明光学系のスリット側開口数ＮＡ_condは、
    Ｌ＞λ／ＮＡ_cond ・・・（１）
    の式を満たすことを特徴とする投影露光装置。
11. 請求項１０に記載の投影露光装置において、
    前記スリット群の各スリットの配置ピッチＬ、前記回折格子の格子ピッチｐ、前記投影光学系の投影倍率Ｍは、
    Ｌ×Ｍ＝ｐ×ｎ（但し、ｎ：整数）・・・（２）
    の式を満たすことを特徴とする投影露光装置。
12. 請求項１０に記載の投影露光装置において、
    前記スリット群のスリットの配置ピッチＬ、前記回折格子の格子ピッチｐ、前記投影光学系の投影倍率Ｍ、前記投影光学系による前記スリット群の像を基準とした前記回折格子の変位ｆ、前記スリット群の像を基準とした前記検出器の変位ｄは、
    Ｌ×Ｍ＝ｐ／（１−β）×ｎ（但し、ｎ：整数），
    β＝ｆ／ｄ・・・（３）
    の式を満たすことを特徴とする投影露光装置。
13. 請求項９〜請求項１２の何れか一項に記載の投影露光装置において、
    前記照明光学系の光源は、レーザプラズマ光源又は放電プラズマ光源である
    ことを特徴とする投影露光装置。
14. 請求項１３に記載の投影露光装置において、
    前記照明光束の波長λは、１１ｎｍ＜λ＜１５ｎｍの範囲に含まれており、
    前記投影光学系は、波長λの光を導光することのできる光学部材によって構成されている
    ことを特徴とする投影露光装置。
15. 請求項１又は請求項２に記載の波面収差測定方法により投影光学系の波面収差を測定する手順と、
    前記測定の結果に応じて前記投影光学系を調整する手順と
    を含むことを特徴とする投影光学系の製造方法。
16. 請求項１５に記載の投影光学系の製造方法において、
    前記線光源群の波長λは、１１ｎｍ＜λ＜１５ｎｍの範囲に含まれており、
    前記投影光学系は、波長λの光を導光することのできる光学部材によって構成されている
    ことを特徴とする投影光学系の製造方法。
    

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