JP2006266697A - プローブユニット及びプローブユニットの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 検体の電極に接触する複数の接触部と、外部電極に接続される複数の連絡部と、前記接触部の移動方向を案内する複数の第一ガイド部と、前記接触部と前記連絡部とに連なり前記接触部と前記連絡部とを導通させ前記連絡部から離れる方向に前記接触部を押す複数のばね部と、隣り合う前記接触部同士と隣り合う前記連絡部同士と隣り合う前記ばね部同士とを絶縁して隣り合う前記連絡部同士を連結する複数の連結部と、を備え、リソグラフィを用いて一体に形成されていることを特徴とするプローブユニット。
【選択図】 図1
Description
特許文献1には、電子デバイスの電極に接触するプローブが環状部材に放射状に取り付けられたプローブユニットが開示されている。しかし、特許文献1に開示されたプローブユニットによると、環状部材にプローブを一本一本取り付けなければならないため、狭い間隔で配列された電子デバイスの電極に対して高精度にプローブの位置を合わせることは困難である。また、特許文献1に開示されたプローブユニットでは、検査可能な電子デバイスの電極の配列形が限定される。
本発明によると、ばねで押される接触部を備えるため、検体が形成されたウェハに対して垂直に接触部を接触させても確実に接触部と検体の電極とを導通させることができる。したがって本発明によると、任意の形状で電極が配列された検体を検査することができる。また本発明によると、複数の接触部がリソグラフィを用いて一体に形成されているため、狭い間隔で電極が配列された検体を検査することができる。
連絡部同士の間隔を接触部同士の間隔よりも広くすることにより、検体の電極に合わせて接触部を狭い間隔で配列しても、連絡部と外部電極とを接続することが容易になる。
本発明によると、接触部を通過する信号の高周波特性を改善することができる。
本発明によると、プローブユニット単体で接触部を囲むため、接触部の移動方向をプローブユニット単体で案内することができる。
本発明によると、接触部を通過する信号の高周波特性を改善することができる。
本発明によると、第二接触部と外部電極とを接続する配線を第二接触部に接合する必要がないため、プローブユニット単位で部品交換が可能になる。
本発明によると、接触部と連絡部とばね部と第一ガイド部と連結部とを基板上にリソグラフィを用いて形成した後に基板を除去することにより、一体に結合された接触部とばね部と第一ガイド部と連絡部とを備えるプローブユニットを得ることができる。
本発明によると、接触部と第一ガイド部との間隙に相当する部位に薄いマスク(第二マスク)を用いて犠牲膜(第一犠牲膜)を形成した後、第一犠牲膜と厚い第三マスクとをマスクとして第一ガイド部を形成するため、第一ガイド部と接触部との間隔が第一ガイド部の厚さに対して相当薄い場合であっても、精度よく第一ガイド部と接触部との間隙を形成することができる。
本発明によると、接触部と第一ガイド部との間隙に相当する部位に薄いマスク(第二マスク)を用いて犠牲膜(第二犠牲膜)を形成した後、第二犠牲膜と厚い第三マスクとをマスクとして第一ガイド部を形成するため、第一ガイド部と接触部との間隔が第一ガイド部の厚さに対して相当薄い場合であっても、精度よく第一ガイド部と接触部との間隙を形成することができる。また本発明によると、接触部と基板との間に第一犠牲膜が形成され、接触部の基板と反対側に直に第二犠牲膜が形成された状態で第一ガイド部を形成するため、第一ガイド部を接触部より厚く形成することができる。
本発明によると、接触部を通過する信号の高周波特性が改善されるプローブユニットを得ることができる。
本発明によると、プローブユニットに損傷を与えること無しに基板を容易に除去することができる。
(第一実施例)
1.プローブカード及びプローブアッセンブリと検体
図1(A)は、本発明の第一実施例によるプローブカードを示す図である。図1(B)は、本発明の第一実施例によるプローブアッセンブリを示す図である。図2は、本発明の第一実施例によるプローブアッセンブリの一部を示す拡大図である。
一組のプローブブロック73及び拡散配線部74は一つの検体6もしくは複数の検体群に対応する。検体6の二列に配列された電極7に対応するために、一つのプローブブロック73には二つのプローブユニット75が設けられている。一組のプローブブロック73と拡散配線板74とは、後述する位置決め部を用いて正確に位置合わせされた状態で結合され、電気的に接続されている。またプローブブロック73及び拡散配線板74は、アッセンブラ72にねじで固定されているため一つずつ交換可能である。従って、プローブアッセンブリ71の一部に不具合が発生しても、不具合が発生したプローブブロック73を交換すればよく、修理コストを低減することができる。
図4及び図5は、プローブユニット75を示す図である。
図4に示すように、プローブユニット75は、複数の導線76が連結部82で連結され、リソグラフィにより一体に構成されている。
プローブユニット75の両側の縁部85には固定孔86が形成されている。縁部85の第二接触部79側端部には突部87が形成されている。固定孔86は、プローブユニット75をブロック108に位置合わせして固定するのに用いられる。突部87は、プローブブロック73とそのプローブブロック73に固定された拡散配線板74とをアッセンブラ72に位置合わせするのに用いられる。
この変形例では、図6に示すように、複数の導線76が直線状に形成され互いに平行に配列されている。検体6に多くの電極7が狭い間隔で配列され、かつ検体同士の間隔が狭い場合には、プローブユニット内で複数の導線を屈曲させるスペースを確保できない場合があるため、例えば本変形例によるプローブユニット75を用いる。第二接触部79同士の間隔が狭くても、拡散配線部74の電極と第二接触部79とを正確に位置合わせできる構成であれば、拡散配線部74によって配線間隔を拡張できる。拡散配線部74でも配線間隔を広げられない場合であっても、直線状の配線の長手方向に電極を分散させて配置することにより、その電極と外部電極との接続が容易になる。
以下、プローブユニットの製造方法を、(1)第一接触部側の製造工程、(2)第二接触部側の製造工程、(3)縁部の製造工程、(4)プローブユニット同士の分離工程の順に説明する。
図7から図22は、一つのプローブユニットの第一接触部近傍の製造工程を示す図である。
はじめに図7に示すように、基板90上に第一犠牲膜89を形成する。基板90には、製造工程中の熱、真空、薬品などの製造環境への耐性があり、平坦面を容易に得ることができ、傷つきにくく寸法安定性に優れた材料を用いる。例えばSiや、石英などのガラスや、アルミナなどのセラミックを用いる。第一犠牲膜89にはエッチングなどで完成品に対して選択的な除去が容易なCu、Snなどのスパッタ膜、蒸着膜、めっき膜などを用いる。尚、基板90にCu等の完成品に対して選択的な除去が容易な材料を用いる場合、第一犠牲膜89の機能を基板90自体で実現できるため、第一犠牲膜89を形成しなくてもよい。
次に図12に示すように、第一導体膜94とその近傍の第一犠牲膜89とが露出する開口部96を有する第二マスクとしてのレジスト膜95を第一犠牲膜89上に形成する。具体的な形成方法は、図8に示す工程に準じる。
次に図15に示すように、第一ガイド部88及び基部81を形成する部位に開口部102を有する第三マスクとしてのレジスト膜101を形成する。レジスト膜101は、レジスト膜95よりも厚く形成される。具体的な形成方法は図8に準じる。
次に図19に示すように、連結部82を構成する絶縁膜104を基板90上全体に形成する。絶縁膜104は連結部82に対応する部分が少なくとも第三犠牲膜97の上面より高くなる厚さに形成する。絶縁膜104には、アルミナ、SiO2などのセラミックのスパッタ膜を用いる。バイアスを基板90に印加したバイアススパッタを用いて絶縁膜104を形成すると、本工程以前で基板90上に凹凸が形成されていても、凹部を絶縁膜104で埋めることができ、平坦度に優れた絶縁膜104を得ることができる。尚、絶縁膜104には樹脂を用いてもよい。例えばレジストを塗布しハードベークによって硬化させたものを用いてもよい。
次に図21に示すように、レジスト膜130を除去する。具体的な方法は図11に示す工程に準じる。
以上、プローブユニット75の第一接触部77側の製造工程を説明した。
第二接触部79、第二ばね部80及び第二ガイド部83は、図8から図17に示す第一接触部77、第一ばね部78及び第一ガイド部88の形成工程に準じて形成する。第一接触部77、第一ばね部78及び第一ガイド部88と同時に形成してもよい。
縁部85は、第一接触部77と同時にリソグラフィを用いて形成する。あるいは、第一接触部77を形成するためのリソグラフィ工程で使用された位置決めパターンを基準としてリソグラフィで形成されるレジストパターンを用いためっきにより形成する。リソグラフィを用いることで、縁部85の固定孔86及び突部87を第一接触部77及び第二接触部79に対して高い位置精度で形成することができる。
基板90上には、上述の(1)から(3)の製造工程に基いて、図25に示すように複数のプローブユニット75が同時に形成される。プローブユニット75間には犠牲膜107を形成しておき、図22に示す犠牲膜除去工程で基板90からプローブユニット75が分離するとき、プローブユニット75同士も分離するようにする。複数のプローブユニット75を一つの基板90上で同時に製造することにより、均一品質の複数のプローブユニットを一時に得られる。尚、ダイシングで切断することにより、プローブユニット75同士を分離させてもよい。
図26は、プローブブロックを構成するブロックを示す図である。図27及び図28は、ブロックとプローブユニットとの固定方法を示す図である。
図26に示すように、ブロック108のほぼ直方体の本体110には、対向する側面115a、115bに直交する方向に本体110を横断している二つの溝111が形成されている。溝111にはプローブユニット75が収容される。溝111は、ブロック本体110の第一面118に垂直な二つの側壁117を有する。ブロック本体110には、対向する側面115c、115dに直交する方向、すなわち溝111と直交する方向にブロック本体110を貫通する二つの第一固定孔112が形成されている。第一固定孔112は1つのブロック108に固定される複数のプローブユニット75を互いに位置決めするための後述する固定ピン109を挿入するための孔である。ブロック本体110には、第一面118に直交する方向にブロック本体110を貫通する第二固定穴113が形成されている。第二固定孔113は、ブロック108をアッセンブラ72に固定するための後述するねじ128を挿入するための孔である。ブロック本体110の第二面116には二つの脚部114が設けられている。脚部114はブロック108と拡散配線部74とを位置合わせするためのものである。
図29は、拡散配線部を示す図である。図30は、プローブブロックと拡散配線部との固定方法を示す図である。
図29に示すように、拡散配線部74の第一基板123a上には複数の電極46が設けられている。電極46は例えばAuからなる。電極46は、プローブユニット75の第二接触部79に一対一に対応して接触するように配列されている。第一基板123aの電極46と反対側に固定された第二基板123bにはインタポーザ5に接触するばね電極122が埋め込まれている。ばね電極122は、一端が第一基板123aに埋め込まれた導電部52に接し、他端が第二基板123bから突出し、中間部にばねを有している。プローブユニット75の第二接触部79に接触する電極46とインタポーザ5に接触するばね電極122とは、第一基板123aに形成された互いに平行な直線状の連絡線55と導電部52とによって導通している。ばね電極122は、電極46の配列方向に直交する方向では電極46よりも広い間隔で配列されている。このため、プローブユニット75の第二接触部79の配列間隔が狭くても、拡散配線部74とインターポーザ5とを容易に接続することができる。
図31は、アッセンブラを示す図である。
図31に示すように、アッセンブラ72は、拡散配線部74が収容される複数の装着孔124と、プローブブロック73をアッセンブラ72に位置決めして固定するための位置決め孔125及び固定孔126とを有する。ウェハ上の複数の検体6と、アッセンブラ72に固定された複数のプローブブロック73とを一対一に正確に位置合わせするために、アッセンブラ72とウェハとの熱膨張係数が近似していることが好ましい。例えばウェハがSiであれば、アッセンブラ72にはSiや石英を用いることが好ましい。装着孔124、位置決め孔125及び固定孔126は機械加工で形成してもよいし、リソグラフィ及びエッチングを用いて形成してもよい。リソグラフィ及びエッチングを用いると、高い位置精度及び寸法精度で形成できる。
図32及び図33は、プローブアッセンブリの配線盤への取付を説明するための図である。
図1及び図32に示すように、アッセンブラ72は、インターポーザ5を介して配線盤11に固定される。インターポーザ5は、拡散配線部74のばね電極122に接続される電極127を有する。配線盤11の電極とインターポーザ5の電極127とを位置合わせした状態で配線盤11にインターポーザ5を取り付けてから、インターポーザ5上にアッセンブラ72を取り付ける。尚、アッセンブラ72を配線盤11に直に取り付け、拡散配線部74のばね電極122を配線盤11の電極に直に接続してもよい。
図34は、プローブカード4の構成要素間の導通を説明するための模式図である。
図34に示すように、プローブユニット75の第一接触部77は、第一接触部77よりも配列間隔が広い第二接触部79に導通している。第二接触部79は、拡散配線部74の電極46に接触して導通する。電極46は、電極46の配列間隔より広い間隔で配列されたばね電極122に導通している。ばね電極122は、インターポーザ5を介して、又は直に配線盤11の電極に導通する。配線盤11の電極は外部接続電極62に導通している。従って、外部接続電極62に検査信号を入力すると、その検査信号は順に配列間隔が狭まるばね電極122、電極46、第二接触部79及び第一接触部77を通じて検体6の電極7に入力される。
本発明の第二実施例は、プローブユニットの構成が第一実施例と異なる。以下、プローブユニットについて詳しく説明する。
1.プローブユニットの構成
図35は、第二実施例によるプローブユニットを示す図である。
図36に示す変形例では、導線76は連結部82から突出している両端が湾曲しているC字形状である。本変形例では、その湾曲した突出部の一方32が第一接触部及び第一ばね部に相当し、突出部の他方34が第二接触部及び第二ばね部に相当する。導線76の連結部82から突出している部位を扁平にすることによって、ガイド部を用いることなしに、その部位の移動方向を規制することができる。
図38(A1)、(A2)に示す変形例では、第一ばね部78が蛇腹形状ではなく、C字形状である。
以下、プローブユニットの製造方法を第一接触部側の製造工程について説明する。その他の工程については、上述の第一実施例に準ずるので説明を省略する。
図39から図50は、プローブユニットの第一接触部側の製造工程を示す図である。
次に図41に示すように、第一接触部77、第一ばね部78及び基部81を構成する第一導体膜94を第二犠牲膜93上にめっきで形成する。具体的には図10に示す工程に準じる。尚、第一接触部77と第一ばね部78と基部81とをそれぞれ別の導体膜で構成してもよいし、第一接触部77の先端のみ別の導体膜で構成してもよい。
次に図43に示すように、開口部96を有する第二マスクとしてのレジスト膜95を第一犠牲膜89上に形成する。開口部96は、第一導体膜94の第一接触部77及び第一ばね部78に対応する部位と、その近傍の第一犠牲膜89とが露出するように形成する。具体的な形成方法は、図8に示す工程に準じる。
次に図45に示すように、レジスト膜95を除去する。具体的な方法は図11に示す工程に準じる。
次に図49に示すように、残存しているレジスト膜130を除去する。具体的には図11に示す工程に準じる。
本発明の第三実施例は、プローブユニットに補強部が接合されている点で第一実施例と異なる。以下、プローブユニットについて詳しく説明する。
1.プローブユニットの構成
図51は、第三実施例によるプローブユニットを示す図である。
補強部134は、プローブユニット本体75に接合されている絶縁膜136と、絶縁膜136のプローブユニット本体75と反対側の面に接合されている導体膜137とからなる。補強部134には、プローブユニット本体75の固定孔86に対応する固定孔156が形成されている。補強部134をプローブユニット本体75に接合することにより、プローブユニット本体75の各構成要素が分離することを防止できる。
第二接触部79及び第二ばね部80が第二ガイド部83よりも薄いため、第二接触部79及び第二ばね部80が補強部134によって係止されることはない。補強部134は第二接触部79の移動方向を案内する。
以下、プローブユニットの製造方法を第一接触部側の製造工程について説明する。その他の工程については、上述の第一実施例に準ずるので説明を省略する。
図53から図60は、プローブユニットの第一接触部側の製造工程を示す図である。
次に図8から図20に示す工程に準じて、プローブユニット本体75を形成するための複数の膜を平坦面139上に形成してからワークの表面を研磨し、図57に示すように平坦面140を形成する。
次に図60に示すように、レジスト膜130をアルカリ溶液、有機溶剤などのレジスト剥離液で除去し、犠牲膜89、93、97、138を全てエッチャントで溶解させると、基板90からプローブユニット133が分離する。絶縁膜136b及び導体膜137bに開口部141、142を形成したことにより、開口部141、142からレジスト剥離液や、犠牲膜を溶解させるエッチャントが浸透し易いため、レジスト膜130及び犠牲膜89、93、97、138を容易に除去できる。
本発明の第四実施例は、プローブユニットの連結部が接地導体部を有する点で第二実施例と異なる。以下、プローブユニットの構成について説明する。
図61は、本発明の第四実施例によるプローブユニットを示す図である。
本発明の第五実施例は、補強部の一部がプローブユニットの連結部の一部を構成している点で第三実施例と異なる。
図62は本発明の第五実施例によるプローブユニットを示す図である。
絶縁膜136は2つの導線76の間に形成された2つの絶縁部84の間で分割されている。接地導体部144が分割された絶縁膜136の間から2つの絶縁部84の間に入り込むことで2つの絶縁膜84及び接地導体部144で1つの連結部82が構成されている。
Claims (15)
- 検体の電極に接触する複数の接触部と、
外部電極に接続される複数の連絡部と、
前記接触部の移動方向を案内する複数の第一ガイド部と、
前記接触部と前記連絡部とに連なり前記接触部と前記連絡部とを導通させ前記連絡部から離れる方向に前記接触部を押す複数のばね部と、
隣り合う前記接触部同士と隣り合う前記連絡部同士と隣り合う前記ばね部同士とを絶縁して隣り合う前記連絡部同士を連結する複数の連結部と、
を備え、リソグラフィを用いて一体に形成されていることを特徴とするプローブユニット。 - 前記第一ガイド部は、前記連絡部に連なっている導体であることを特徴とする請求項1に記載のプローブユニット。
- 前記第一ガイド部は、前記連結部に連なっている絶縁体であることを特徴とする請求項1に記載のプローブユニット。
- 前記連絡部同士の間隔の一部もしくは全部が、前記接触部同士の間隔より広く配置されている連絡部を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のプローブユニット。
- 前記連結部は、前記接触部、前記連絡部及び前記ばね部と絶縁されグランドに接続される接地導体部を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のプローブユニット。
- 前記接触部を間に挟んで隣り合う前記第一ガイド部にまたがって固定され前記接触部及び前記ばね部を間に挟んで対向し前記接触部の移動方向を案内する絶縁層をさらに備えることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のプローブユニット。
- 前記絶縁層の前記接触部と反対側に固定されグランドに接続される導体層をさらに備えることを特徴とする請求項6に記載のプローブユニット。
- 前記連絡部は、
前記外部電極に接触する第二接触部と、
前記ばね部に連なる基部と、
前記第二接触部と前記基部とに連なり前記第二接触部と前記基部とを導通させ前記基部から離れる方向に前記第二接触部を押す第二ばね部と、を有し、
前記第二接触部の移動方向を案内する複数の第二ガイド部をさらに備えることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載のプローブユニット。 - 前記連結部は、セラミックのスパッタにより形成されていることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載のプローブユニット。
- 前記連結部は、樹脂を硬化させることにより形成されていることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載のプローブユニット。
- 検体の電極に接触する接触部と、外部電極に接触する連絡部と、前記接触部と前記連絡部とに連なり前記接触部と前記連絡部とを導通させ前記連絡部から離れる方向に前記接触部を押す複数のばね部と、前記接触部の移動方向を案内する第一ガイド部と、隣り合う前記接触部同士と隣り合う前記連絡部同士と隣り合う前記ばね部同士とを絶縁して隣り合う前記連絡部同士を連結する連絡部と、を複数ずつ基板上にリソグラフィを用いて形成する段階と、
前記基板を除去することにより、一体に結合された前記接触部と前記ばね部と前記第一ガイド部と前記連絡部とを備えるプローブユニットを得る段階と、
を含むことを特徴とするプローブユニットの製造方法。 - 前記接触部に対応する第一開口部を有する第一マスクを前記基板上に形成する段階と、
前記第一開口部内に前記接触部を形成する段階と、
前記第一マスクを除去する段階と、
前記接触部と前記第一ガイド部との間隙に相当する部位に第一犠牲膜を形成するための第二開口部を有する第二マスクを前記第一マスクが除去された前記基板上に形成する段階と、
前記第二開口部内に前記第一犠牲膜を形成する段階と、
前記第二マスクを除去する段階と、
前記第一ガイド部に対応する第三開口部を有し前記第二マスクより厚い第三マスクを前記第二マスクが除去された前記基板上に形成する段階と、
前記第三開口部内に前記第一ガイド部を前記接触部より厚く前記基板上に形成する段階と、
前記第一ガイド部を形成した後に前記第一犠牲膜、前記第三マスク及び前記基板を除去することにより、前記プローブユニットを得る段階と、
を含むことを特徴とする請求項11に記載のプローブユニットの製造方法。 - 前記接触部に対応する第一開口部を有する第一マスクを前記基板上に形成する段階と、
前記第一開口部内に第一犠牲膜を形成する段階と、
前記第二開口部内の前記第一犠牲膜上に前記接触部を形成する段階と、
前記第一マスクを除去する段階と、
前記接触部と前記第一ガイド部との間隙に相当する部位と前記接触部とを露出させる第二開口部を有する第二マスクを前記第一マスクが除去された前記基板上に形成する段階と、
前記第二開口部内に前記接触部を直に覆う第二犠牲膜を形成する段階と、
前記第二マスクを除去する段階と、
前記第一ガイド部に対応する第三開口部を有し前記第二マスクより厚い第三マスクを前記第二マスクが除去された前記基板上に形成する段階と、
前記第三開口部内に前記第一ガイド部を前記接触部より厚く前記基板上に形成する段階と、
前記接触部上に前記第一犠牲膜が所定厚さ残存するように前記第一ガイド部が形成されたワークピースの表面を平坦化する段階と、
前記ワークピースの表面が平坦化された後に、前記基板と残存した前記第一犠牲膜と前記第二犠牲膜と前記第三マスクを除去することにより、前記プローブユニットを得る段階と、
を含むことを特徴とする請求項11に記載のプローブユニットの製造方法。 - 前記基板上に導体層を形成する段階と、
前記導体層上に絶縁層を形成する段階と、
前記絶縁層上に前記接触部と前記ばね部と前記第一ガイド部と前記連絡部とを形成する段階とを含み、
前記プローブユニットを得る段階では、一体に結合された前記接触部と前記ばね部と前記第一ガイド部と前記連絡部と前記導体層と前記絶縁層とを備えるプローブユニットを得ることを特徴とする請求項11〜13のいずれか一項に記載のプローブユニットの製造方法。 - 前記基板上に直に第三犠牲膜を形成する段階をさらに含み、
前記基板を除去する段階では、前記第三犠牲膜を除去することにより、前記第三犠牲膜上に形成された前記接触部と前記ばね部と前記第一ガイド部と前記連絡部とが前記基板から分離することを特徴とする請求項11〜14のいずれか一項に記載のプローブユニットの製造方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103140921A (zh) * | 2010-09-07 | 2013-06-05 | 韩国机械研究院 | 探卡及其制造方法 |
JP2014032020A (ja) * | 2012-08-01 | 2014-02-20 | Japan Electronic Materials Corp | プローブカード用ガイド板及びこれを備えたプローブカード |
JP2014048052A (ja) * | 2012-08-29 | 2014-03-17 | Micronics Japan Co Ltd | プローブユニット、及び検査装置 |
CN111751578A (zh) * | 2019-03-29 | 2020-10-09 | 矽品精密工业股份有限公司 | 检测装置及其制法 |
JP7453891B2 (ja) | 2020-10-06 | 2024-03-21 | 日本航空電子工業株式会社 | 電気部品検査器具 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001343397A (ja) * | 2000-06-01 | 2001-12-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | コンタクトプローブおよびその製造方法 |
JP2003194851A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | コンタクトプローブ構造体およびその製造方法 |
JP2003207523A (ja) * | 2002-01-09 | 2003-07-25 | Fujitsu Ltd | コンタクタ及びその製造方法並びにコンタクト方法 |
JP2003307525A (ja) * | 2002-04-16 | 2003-10-31 | Sumitomo Electric Ind Ltd | コンタクトプローブ |
JP2003317845A (ja) * | 2002-04-22 | 2003-11-07 | Enplas Corp | コンタクトピン、コンタクトピンの成形方法、電気部品用ソケット及び電気部品用ソケットの製造方法 |
-
2005
- 2005-03-22 JP JP2005081103A patent/JP4649248B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001343397A (ja) * | 2000-06-01 | 2001-12-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | コンタクトプローブおよびその製造方法 |
JP2003194851A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | コンタクトプローブ構造体およびその製造方法 |
JP2003207523A (ja) * | 2002-01-09 | 2003-07-25 | Fujitsu Ltd | コンタクタ及びその製造方法並びにコンタクト方法 |
JP2003307525A (ja) * | 2002-04-16 | 2003-10-31 | Sumitomo Electric Ind Ltd | コンタクトプローブ |
JP2003317845A (ja) * | 2002-04-22 | 2003-11-07 | Enplas Corp | コンタクトピン、コンタクトピンの成形方法、電気部品用ソケット及び電気部品用ソケットの製造方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103140921A (zh) * | 2010-09-07 | 2013-06-05 | 韩国机械研究院 | 探卡及其制造方法 |
JP2013541705A (ja) * | 2010-09-07 | 2013-11-14 | コリア・インスティテュート・オブ・マシナリー・アンド・マテリアルズ | プローブカードおよびその製造方法 |
US9194889B2 (en) | 2010-09-07 | 2015-11-24 | Korea Institute Of Machinery & Materials | Probe card and manufacturing method thereof |
EP2615636A4 (en) * | 2010-09-07 | 2017-06-14 | Korea Institute Of Machinery & Materials | Probe card and method for manufacturing same |
JP2014032020A (ja) * | 2012-08-01 | 2014-02-20 | Japan Electronic Materials Corp | プローブカード用ガイド板及びこれを備えたプローブカード |
US9535096B2 (en) | 2012-08-01 | 2017-01-03 | Japan Electronic Materials Corporation | Guide plate for a probe card and probe card provided with same |
US9841438B2 (en) | 2012-08-01 | 2017-12-12 | Japan Electronic Materials Corporation | Guide plate for a probe card and probe card provided with same |
JP2014048052A (ja) * | 2012-08-29 | 2014-03-17 | Micronics Japan Co Ltd | プローブユニット、及び検査装置 |
CN111751578A (zh) * | 2019-03-29 | 2020-10-09 | 矽品精密工业股份有限公司 | 检测装置及其制法 |
JP7453891B2 (ja) | 2020-10-06 | 2024-03-21 | 日本航空電子工業株式会社 | 電気部品検査器具 |
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Publication number | Publication date |
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