JP2006265059A - 圧電材料及び積層型圧電素子の製造方法 - Google Patents

圧電材料及び積層型圧電素子の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】低温焼成が可能であり、低温で焼成しても優れた変位量を示すことができる圧電材料及び積層型圧電素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】一般式(1):(Pb1-xMax)(Zr1-y-zTiySbz)1-p-q(Y1/2Nb1/2)p(Mn1-B1-B2B1SbB2)q3で示される化合物1モルに対して、Sb23又はSb25を0.07モル%以下含有する圧電材料(MaはBa、La、Sr、及びCeから選ばれる1種以上)である。また、圧電層11と内部電極層21、22とを交互に積層してなる積層型圧電素子1の製造方法である。該製造方法においては、圧電層11の圧電材料として、上記一般式(1)の化合物とSb23及び/又はSb25とを含有する材料を用いる。
【選択図】図1

Description

本発明は、低温焼成可能な圧電材料及び該圧電材料を用いて作製される積層型圧電素子に関する。
従来より、燃料噴射装置等のアクチュエータには、圧電層と内部電極層とを積層してなる積層型圧電素子が用いられている。高性能のアクチュエータを達成するために、上記積層型圧電素子としては、キュリー点及び変位量が高く、損失が小さいものが望まれている。
上記積層型圧電素子は、例えば次のようにして製造することができる。
即ち、まず、圧電材料のシートを作製し、該シートの上に電極材料を印刷する。次いで電極材料を印刷した圧電材料のシートを積層し、積層体を作製する。次に、積層体を脱脂し、焼成して上記積層型圧電素子を作製することができる。
上記圧電材料の例としては、A(2価)B(4価)O3で表される複合ペロブスカイト構造を有するPZT等が用いられていた。その他にも、例えば下記の特許文献1に示される圧電材料等が開発されている。
ところで、積層型圧電素子の製造方法においては、圧電材料を充分に焼結させるために、上記積層体は1200℃を超える高温で焼成される。そのため、圧電材料と同時に焼成される電極材料としては、圧電材料が焼結する温度、即ち1200℃以上という高温でも溶融しない材料を用いる必要があった。また、上記積層体の焼成は、通常酸化性雰囲気にて行われるため、上記電極材料は酸化性雰囲気で焼成しても酸化され難いものを用いる必要があった。このような理由で、上記電極材料としては貴金属を用いる必要があった。
しかし、貴金属は非常に高価である。そのため、電極材料に貴金属を用いると、積層型圧電素子の製造コストのうち、内部電極層の材料費が占める割合が非常に大きくなる。そのため、積層型圧電素子の低価格化が困難になっていた。
そこで、電極材料として、比較的安価な銅、ニッケル、銀等を用いることができるように、低温焼成が可能な圧電材料の開発が望まれている。そして、一般に、圧電材料中のPbOを増量したり、PbO−WO3等の低融点組成物を添加したりすることにより、圧電材料の低温焼成が可能になることが知られている。
しかしながら、PbOの増量や単に低融点組成物を添加するだけでは、実用に耐えうる程充分な変位量を発揮できなくなるという問題があった。したがって、従来の圧電材料においては、低温焼成と、変位量等の圧電特性とを両立させることは困難であった。
特開2001−322870号公報
本発明はかかる従来の問題点に鑑みてなされたものであって、低温焼成が可能であり、低温で焼成しても優れた変位量を示すことができる圧電材料及び積層型圧電素子の製造方法を提供しようとするものである。
第1の発明は、一般式(1):(Pb1-xMax)(Zr1-y-zTiySbz)1-p-q(Y1/2Nb1/2)p(Mn1-B1-B2B1SbB2)q3で示される化合物と、Sb23及び/又はSb25とを含有する圧電材料(ただし、MaはBa、La、Sr、及びCeから選ばれる1種以上)であって、
該圧電材料は、上記一般式(1)で表される化合物1molに対してSb23及び/又はSb25を0.7mol%以下含有し、
0.04≦x≦0.1
0.44≦y≦0.48
0≦z≦0.01
0≦p≦0.02
0.003≦q≦0.01
0≦B1≦0.34
0≦B2≦0.5
であることを特徴とする圧電材料にある(請求項1)。
上記第1の発明の圧電材料は、上記一般式(1)で表される化合物とSb23及び/又はSb25とを上記特定の割合で含有する。そのため、上記圧電材料は、例えば温度1000℃以下という低温で焼成することができ、かつ低温で焼成しても実用上充分な変位量を発揮することができる。
さらに、上記圧電材料においては、実用上充分に高いキュリー温度を示すことができる共に、損失の温度依存性を小さくすることができる。そのため、例えば−40℃〜160℃という幅広い温度領域で使用しても、安定した特性を発揮できる。
この理由は次のように推定される。
即ち、上記圧電材料において、上記一般式(1)で表される化合物は、一般にABO3で表されるペロブスカイト構造化合物におけるBサイトに、変位量を向上させることができると共に低温焼成可能な組成(Mn1-B1-B2B1SbB2)qを組み込んだ構造を有している。また、上記圧電材料は、変位量を向上させることができるSb23及び/又はSb25を含有している。
そのため、上記圧電材料は、低温での緻密化及び粒子成長が可能になり、また、変位量が向上する。それ故、上記圧電材料は、上記のごとく例えば1000℃以下という低温で焼成することができ、低温で焼成させても優れた変位量を発揮することができる。
また、上記一般式(1)で表される化合物は、Aサイト元素のPbの一部が価数の異なるBa、La、Sr、及びCeから選ばれる1種以上で置換された構造を有している。そのため、上記一般式(1)で表される化合物においては、電気的中性を保持するために空孔が生じる。この空孔の生成により電荷分布が変化し、電荷分布が格子の歪以上に大きく変化する。そのため、キュリー温度をほとんど低下させることなく変位量を向上させることができ、上記圧電材料は、上記のごとく高いキュリー温度と高い変位量とを両立して発揮することができる。
また、上記一般式(1)で表される化合物は、Zr、Tiに対して価数の低いSbをアクセプタとして注入した(Zr1-y-zTiySbz)1-p-qという組成を有している。そのため、酸素の空孔を形成することができ、この酸素空孔とこの空孔を作るための注入イオンとからなる欠陥双極子が分極構造にしたがって容易に配向することができる。そのため、分域壁をピン留めすることができ、このピン留め効果により電界印加による誘電損失を抑えることができる。それ故、上記圧電材料においては、上記のごとく損失を低減することができる。
以上のように、上記第1の発明によれば、低温焼成が可能であり、低温で焼成しても優れた変位量を示すことができる圧電材料を提供することができる。
第2の発明は、圧電層と内部電極層とを交互に積層してなる積層型圧電素子の製造方法であって、
上記第1の発明の圧電材料を含むシート形成材料を準備し、該シート形成材料を成形して未焼シートを作製し、該未焼シートに内部電極層用の電極材料を含有するペーストからなる印刷層を設け、
その後上記印刷層を設けた未焼シートを複数枚積層して未焼積層体となし、該未焼積層体を焼成することを特徴とする積層型圧電素子の製造方法にある(請求項5)。
上記第2の発明の製造方法においては、上記第1の発明の圧電材料を用いて上記未焼積層体を作製している。そのため、該未焼積層体の焼成時においては、低温焼成が可能な上記圧電材料の特性を生かして、例えば1000℃以下という低温で焼成を行うことができる。したがって、上記圧電材料と同時に焼成する上記電極材料として、融点1000℃程度の低融点の金属を含有する材料を用いることができる。また、上記電極材料として、特に低融点でかつ比較的安価な銅、ニッケル、銀等を含有する材料を用いることができる。そのため、上記積層型圧電素子の製造コストを低減することができる。
また、上記第2の発明の製造方法によって得られる上記積層型圧電素子は、上記第1の発明の圧電材料からなる圧電層を有する。そのため、上述の圧電材料の優れた特性を生かして、上記積層型圧電素子は、低温で焼成しても実用に耐えうる充分な変位量、キュリー温度を発揮することができる。さらに、損失の温度依存性が小さく、例えば−40℃〜160℃という幅広い温度領域で使用しても、安定した特性を発揮できる。
以上のように、上記第2の発明によれば、低温焼成が可能であり、低温で焼成しても優れた変位量を示すことができる積層型圧電素子の製造方法を提供することができる。
次に、本発明の実施の形態について説明する。
上記圧電材料は、上記一般式(1):(Pb1-xMax)(Zr1-y-zTiySbz)1-p-q(Y1/2Nb1/2)p(Mn1-B1-B2B1SbB2)q3で示される化合物を含有する。
上記一般式(1)において、xの範囲は、0.04≦x≦0.1である。
xが0.04未満の場合には、格子のひずみが小さくなり、静電容量が低下し、変位量が低下するおそれがある。一方、0.1を越える場合には、キュリー点が例えば280℃以下まで低下するおそれがあり、高温度使用時に分極劣化が起こって変位量が低下するおそれがある。したがって、例えば最高温度170℃程度で使用される燃料噴射装置等に適用することが困難になる。
また、yの範囲は、0.44≦y≦0.48である。
yが0.44未満の場合または0.48を越える場合には、上記一般式(1)で表される化合物がMPB(モルフォトロピック・フェイズ・バウンダリー、Morphotropic Phase Boundary)から大きく外れ、その結果上記圧電材料の変位量が小さくなるおそれがある。
zの範囲は、0≦z≦0.01である。
zが0.01を越える場合には、一般にABO3で表されるペロブスカイト構造のBサイトの欠陥が過剰になり、変位量が小さくなるおそれがある。また、好ましくはz>0がよい。この場合には、上記一般式(1)においてZrあるいはTiに対してアクセプタとして注入される価数の低いSbが必須成分となる。そして、アクセプタとして注入されたSbは、酸素の空孔を形成することができる。この空孔とアクセプタ(Sb)とからなる欠陥双極子は分子構造にしたがって容易に配列できるため、分域壁をピン止めすることができる。その結果、上記圧電材料の誘電損失をより低減させることができる。
また、pの範囲は、0≦p≦0.02である。
pが0.02を越える場合には、キュリー点が低下して使用可能な温度が低くなり、実用性に欠ける圧電材料になるおそれがある。またこの場合には、変位量が小さくなるおそれがある。好ましくは、p>0がよい。この場合には上記一般式(1)において(Y1/2Nb1/2)が必須成分となる。そのためこの場合には、変位量をより向上させることができる。
qの範囲は、0.003≦q≦0.01である。
qが0.003未満の場合には、焼結温度が高くなり、低温での焼成が困難になるおそれがある。一方、0.01を越える場合には、上記一般式(1)における(Mn1-B1-B2B1SbB2)組成によって生じる液相が過剰になり、焼結時に異常粒子成長等が起こるおそれがある。その結果、割れやすくなったり、変位量が小さくなったりするおそれがある。
また、B1の範囲は、0≦B1≦0.34であり、B2の範囲は0≦B2≦0.5である。
B1が0.34を越える場合またはB2が0.5を越える場合には、電荷バランスが崩れ易くなり、変位量が小さくなるおそれがある。
好ましくはB1>0がよい。この場合には、上記一般式(1)における(Mn1-B1-B2B1SbB2)のWが必須成分になる。そのためこの場合には、上記一般式(1)においてMnとWとを共存させることができるため、より一層低温で焼結し易くなり、低温で焼成しても結晶粒が成長し易くなる。その結果、変位量をより向上させることができる。
また、好ましくはB2>0がよい。この場合には、上記一般式(1)における(Mn1-B1-B2B1SbB2)のSbが必須成分になる。そのためこの場合には、上記一般式(1)においてMnとSbとを共存させることができるため、より一層低温で焼結し易くなり、低温で焼成しても結晶粒が成長し易くなる。その結果、変位量をより向上させることができる。
また、上記圧電材料は、上記一般式(1)で表される化合物1molに対してSb23及び/又はSb25を0.7mol%以下含有する。
Sb23及び/又はSb25の含有量が0.7mol%を越える場合には、過剰のSbにより上記圧電材料の変位量が小さくなるおそれがある。
また、上記圧電材料において、上記一般式(1)の「Pb1-xMax」にかかる項は圧電材料の結晶格子(ペロブスカイト構造である)でPbがMaという元素で置換されていることを意味するが、Maとして複数の元素を選択した場合、複数の元素を合わせた合計のモル分率がxとなる。
例えばMaがBa、La、Sr、Ceからなる場合は、「Pb1-xBakLalSrmCen」でk+l+m+n=xとなる。
また、上記一般式(1)におけるMaは、Ba、La、Sr、及びCeから選ばれる1種以上の元素である。
好ましくは、上記一般式(1)におけるMaは、必須成分のSrと、Ba、La、又はCeとからなることがよい(請求項2)。
この場合には、上記圧電材料の結晶格子に歪を与えて分極を生じさせると共に、結晶構造を比較的安定に保つことができる。その結果、より高い変位量とより高いキュリー温度とを両立して発揮させるさせることができる。
また、より好ましくは、上記一般式(1)のMaにおいては、Ba、La、又はCeと、Srとは、Pbに対する置換割合が略同比率であることがよい(請求項3)。具体的には、例えばMa=Sr0.045Ba0.045等にすることができる。
この場合には、上記一般式(1)で表される化合物において、イオン半径の小さなSrとイオン半径の大きなBa、La、CeとがPbの一部を同比率で置換するため、結晶格子に歪を与えつつも、その結晶構造の安定性をより向上させることができる。したがってこの場合には、上記圧電材料の変位量を向上しつつ、キュリー温度をより高い値に保持することができる。
次に、上記圧電材料は、上記圧電材料は、上記一般式(1)で表される化合物100重量部に対して、PbOを0.05〜2重量部、及びWO3を0.001〜0.038重量部含有することが好ましい(請求項4)。
この場合には、焼成時に一部蒸発するPbを補うことにより変位量の低下を抑制できると共に、PbO−WO3の液相添加物により上記圧電材料の焼成温度をより低減させることができる。
PbOが0.05重量部未満の場合には、焼成時に蒸発するPb量を充分に補うことができず、変位量が低下するおそれがある。一方、PbOが2重量部を越える場合には、液相が過剰に形成され、変位量が小さくなるおそれがある。
また、WO3の含有量が0.001重量部未満の場合には、液相がほとんど形成されず、上述のPbO−WO3の液相添加物による焼成温度の低減効果がほとんど得られななくなるおそれがある。一方、WO3が0.038重量部を越える場合には、上記圧電材料の変位量が低下するおそれがある。
次に、上記第2の発明においては、圧電層と内部電極層とを交互に積層してなる積層型圧電素子を製造する。この製造方法においては、圧電層の圧電材料として、上記第1の発明の圧電材料を用いる。
すなわち、まず所定の組成比となるように出発原料を秤量し、該出発原料を仮焼した後、所定のBET比表面積となるまで粉砕する。その後、例えばPbO、WO3等の助剤酸化物等を加えて混合物となす。または、出発原料を仮焼し、その後助剤酸化物を加えて粉砕することもできる。
また、出発原料を仮焼、粉砕して得られた圧電材料の微粉は、助剤酸化物との反応性が高いため、助剤酸化物の圧電材料への固溶を極力抑えるために、圧電材料を粉砕した後、400〜700℃で予焼して得られた粉に、助剤酸化物、溶剤、バインダー、可塑剤、分散剤を添加して成形することもできる。
また、本発明における積層型圧電素子の製造方法において、圧電材料が所定のBET比表面積となるように調整する際は、ボールミルや媒体攪拌ミル等を用いて粉砕し、粒径を微粒化することによって行うことができる。
また、未焼シートを作製する際には、圧電材料と助剤酸化物等との混合物に、バインダー等を加えたスラリーを調製し、通常知られたドクターブレード法によって未焼シートを作製することができる。その後、未焼シートに電極材料を含有するペーストを印刷して印刷層を設ける。
上記印刷層を設けた未焼シートを所望の枚数積層して、圧着し、未焼積層体を作製する。この未焼積層体を脱脂、焼成し、その後内部電極層と電気的に導通させる側面電極等を設けた後、分極処理などを施すことで、積層型圧電素子を得ることができる。
また、ここで記載した手順は積層型圧電素子でよく知られた製造方法であり、これ以外の方法で積層型圧電素子を作製する場合に関して第2の発明を適用することもできる。
なお、内部電極層は、後述する実施例1で示した部分電極構成(積層方向に直交する断面での面積が圧電層よりも小さい。)の他、全面電極構成(圧電層と略等しい面積を備える。)として作製することもできる。
上記電極材料は、銅、ニッケル、及び銀から選ばれる1種以上を含有することが好ましい。
この場合には、上記積層型圧電素子を低コストで製造することができると共に、低温焼成可能な上記圧電材料の特徴を最大限に発揮することができる。
即ち、融点の低い銅、ニッケル、及び銀を電極材料に用いて印刷層を形成した未焼シートを焼成する場合には、低温にて焼成を行う必要がある。上記圧電材料を含有する上記未焼シートは、例えば1000℃以下という低温で焼結が可能であるため、上記電極材料と同時に焼成させることができるからである。
また、上記未焼積層体の焼成は、温度850℃〜1000℃で行うことが好ましい(請求項6)。
上記未焼積層体の焼成温度が850℃未満の場合には、充分に焼結させることが困難になるおそれがある。一方、1000℃を越える場合には、低温焼成可能な上記圧電材料の特徴を充分に発揮することができなくなると共に、上記電極材料として比較的低融点の銅、ニッケル、及び銀を用いた際に電極材料が溶融するおそれがある。
上記積層型圧電素子は、変位量が大きく、損失の小さい圧電材料からなる圧電層を有しており、優れた変位量を安定に発揮できる圧電アクチュエータに用いることができる。
このような圧電アクチュエータは、自動車エンジン等の内燃機関における燃料噴射用のインジェクタの駆動源として好適である。
(実施例1)
次に、本発明の圧電材料の実施例につき、説明する。
本例の圧電材料は、一般式(1):(Pb1-xMax)(Zr1-y-zTiySbz)1-p-q(Y1/2Nb1/2)p(Mn1-B1-B2B1SbB2)q3で示される化合物と、Sb23とを含有し、MaはBa、La、及びSrから選ばれる1種以上である。また、圧電材料は、上記一般式(1)で表される化合物1molに対してSb23を0.7mol%以下含有する。一般式(1)においては、0.04≦x≦0.1、0.44≦y≦0.48、0≦z≦0.01、0≦p≦0.02、0.003≦q≦0.01、0≦B1≦0.34、0≦B2≦0.5という関係を満たす。
以下、本例について詳細に説明する。
本例においては、本発明の実施例にかかる圧電材料(試料E1〜E12)と、比較用の圧電材料(試料C1〜C4)とを作製し、また、これらの圧電材料を用いて積層型圧電素子を作製しその性能を評価する。
即ち、試料E1〜E12は、一般式(1):(Pb1-xMax)(Zr1-y-zTiySbz)1-p-q(Y1/2Nb1/2)p(Mn1-B1-B2B1SbB2)q3の置換元素であるMaの種類、組成比(x、y、z、p、q、B1、及びB2)、及び一般式(1)の化合物に添加するSb23、PbO、及びWO3の配合割合を表1のように変更して得た圧電材料である。
一方、試料C1及び試料C2は、表1に示すごとく一般式(1)におけるqの値が0であり、本発明の範囲外の組成である。また、試料C3及び試料C4は、表1に示すごとくSb23が添加されておらず、本発明の範囲外の組成である。
本例においては、これらの圧電材料から図1〜図3に示すごとき積層型圧電素子1を作製し、その圧電特性を調べた。
積層型圧電素子1は、図1〜図3に示すごとく、圧電層11の層間に内部電極層21、22を交互に正負となるように作製してなる。図2(a)に示すごとく、一方の内部電極層21は圧電層11に対し控え部119を残して、図1に示すごとく、一方の側面101に露出するように配設され、他方の内部電極層22は他方の側面102に露出するように配設されている。
そして、積層型圧電素子1の側面101、102には、露出した内部電極層21、22の端部を導通させるように側面電極31が設けてある。
また、図3に示すごとく、積層型圧電素子1の積層方向の中央部分は内部電極層21、22に通電することで伸張する駆動部111であり、該駆動部111を挟持するセラミック層12は、少なくとも一方の面は、内部電極層21、22と接していない。よって、セラミック層12は内部電極層21、22に通電しても伸張しないダミー部112となる。
次に、圧電材料と積層型圧電素子の具体的な製造方法について説明する。
圧電材料の各構成原子を含む出発原料としてPbO、SrCO3、BaCO3、La23、ZrO2、TiO2、Y23、Nb25、Sb23、WO3、Mn23、CeO2を使用し、表1に示す所望の組成となるよう、すなわち、目的組成における各構成原子の比と出発原料における各構成原子の比が同じになるように秤量した。
秤量した原料を湿式混合し、乾燥後800℃で5時間仮焼し、これを媒体攪拌ミルにより湿式粉砕し、BET比表面積が2.5〜3m2/gの粉砕物を得た。これに溶剤、バインダー、可塑剤、分散剤を加えてボールミルにより混合してスラリーを得た。
ドクターブレード装置を用いて、上記スラリーから厚み100μmの未焼シートを成形した。この未焼シートに銀/パラジウム=7/3(重量比)からなる電極材料を含んだ導電ペーストを印刷して内部電極層用の印刷層を設けた。
上記印刷層を設けた未焼シートを図3に示すように20枚積層し、更に、上下端に内部電極層用の印刷層がない単なる未焼シートを載置し、熱圧着を行なって未焼積層体を作製した。
次いで、未焼積層体を電気炉において脱脂し、その後950℃で焼成し、全面研磨して7×7×1.8mmの積層焼結体を得た。この積層焼結体において、各圧電層の厚みは80μmであった。
更に、上記積層焼結体の側面に内部電極層を一層おきに導通させるため一対の側面電極を焼き付けた後、130℃、2kV/mmの印加電界で30分間分極し、48時間室温にて放置した。
以上により、積層型圧電素子を得た。
次いで、各試料を圧電層に用いて作製した積層型圧電素子について、圧電層の焼結密度及び変位量を調べた。その結果を表2に示す。
焼結密度は、圧電層を所定の寸法に研磨し、その重量と体積と測定して算出した。
変位量は、各積層型圧電素子に150Vの電圧を印加し、そのときの積層型圧電素子の変位をレーザー変位計により測定することにより測定した。なお、変位量の測定は室温で行うが、予め積層型圧電素子を駆動している状態で20分程度エージングした後に測定を行った。
さらに、本例においては、未焼積層体の焼成温度を1000℃、1050℃、及び1100℃に変えて焼成を行い、このときの圧電層の焼結密度及び変位量を調べた。その結果を表2に示す。
Figure 2006265059
Figure 2006265059
表1及び表2から知られるごとく、試料E1〜試料E12の圧電材料は、950℃という低温においても充分に焼結されていた。そして試料E1〜試料E12を圧電層の材料に用いて作製した積層型圧電素子は、950℃という低温で焼成した場合でも、電圧印加によって変位を生じることがわかった。また、試料E1〜試料E12は、焼成温度950〜1100℃において、それぞれ異なる焼成温度に変位量のピークを有しているが、その変位量のピークは、いずれもが1.55μm以上という優れたものであった。
これに対し、試料C1〜試料C4の圧電材料は、950℃での焼成では、変位を示すことができなかった。また、焼成温度950〜1100℃において、試料C1〜試料C4の変位量のピークは、焼成温度1050℃及び1100℃で焼成したときの試料C2であるが、これは1.45μm程度という低いものであった。
また、試料E1を用いて作製した積層型圧電素子と、試料C2を用いて作製した積層型圧電素子について、これらの圧電層の電子顕微鏡(SEM)写真を図4及び図5に示す。
図4は、試料E1を用いて作製した積層型圧電素子の圧電層を示し、(a)は温度1000℃で焼成した圧電層、(b)は1050℃で焼成した圧電層を示す。
また、図5は、試料C2を用いて作製した積層型圧電素子の圧電層を示し、(a)は温度1000℃で焼成した圧電層、(b)は1050℃で焼成した圧電層を示す。
図4及び図5から知られるごとく、試料E1の圧電材料においては、試料C2に比べて、より低温で結晶粒の成長がおこり、結晶粒径が大きくなっていることがわかる。そしてこの低温での成長のし易さによって、表2に示すごとく、試料E1は試料C2に比べてより高い変位量を発揮できると考えられる。
また、本例においては、試料E7、試料C3、及び試料C4を用いて作製した積層型圧電素子について、損失を測定し、その温度依存性を調べた。
具体的には、まず、各積層型圧電素子に、400Nの負荷荷重をかけ、温度−40℃〜160℃で0〜150Vの電圧を繰り返し印加して積層型圧電素子を作動させた。このときの入力エネルギーをE1、積層型圧電素子に蓄えられたエネルギーをE2とすると、損失Lは、次の式で算出される。
L=(E1−E2)/E1×100
その結果を表3に示す。
Figure 2006265059
表3から知られるごとく、Sbを含有する試料E7に比べて、Sbが添加されていない試料C3及び試料C4においては、各使用温度での損失が増大していることがわかる。
以上のように本例によれば、一般式(1):(Pb1-xMax)(Zr1-y-zTiySbz)1-p-q(Y1/2Nb1/2)p(Mn1-B1-B2B1SbB2)q3で示される化合物1molに対してSb23を0.7mol%以下含有し、0.04≦x≦0.1、0.44≦y≦0.48、0≦z≦0.01、0≦p≦0.02、0.003≦q≦0.01、0≦B1≦0.34、0≦B2≦0.5である圧電材料は、低温焼成が可能で、低温で焼成しても実用に耐えうる変位量を発揮でき、その損失も小さいことがわかる。
なお、表1に示すごとく、本例においては、一般式(1)で表される化合物におけるMaとして、SrとBa、又はSrとLaとの組み合わせを用いた。表中には示していないが、MaとしてSrとCeとの組み合わせを用いた場合においても、本例と同様の結果が得られることを確認している。
(実施例2)
次に、本例は、卑金属の電極材料を用いて実施例1と同様の積層型圧電素子を作製する例である。
即ち、まず、圧電材料として実施例1の試料E1を準備した。
この圧電材料を用いて実施例1と同様にしてスラリーを作製し、このスラリーを成形して未焼シートを作製した。次いで、未焼シートに銅とニッケルとの合金からなる電極材料を含んだ導電ペーストを印刷し、実施例1と同様に内部電極用の印刷層を設けた。なお、電極材料としては、銅とニッケルとの合金の他、銅又はニッケルを用いることもできる。
次いで、実施例1と同様にして、上記印刷層を設けた未焼シートを積層し、更に、上下端に内部電極層用の印刷層がない単なる未焼シートを載置し、熱圧着を行なって未焼積層体を作製した。
次に、この未焼積層体を加熱炉内に配置し、昇温速度50℃/hにて加熱を開始し、保持温度550℃にて37時間加熱した。このとき、雰囲気ガス供給装置から加熱炉内に雰囲気ガスとして窒素と水蒸気とを供給した。窒素は10000ml/minで供給し、水蒸気は加熱炉内の露点温度が70℃となるように供給した。
その後、炉冷し、積層体を加熱炉から取り出して、焼成炉内で焼成した。
焼成は、昇温速度300℃/hにて加熱を開始し、最高保持温度970℃で2時間加熱することにより行った。そして、炉冷速度で降温し、炉室の温度が90℃まで冷却されたときに、積層体を取り出した。
また、上記の焼成の際には、雰囲気ガスとしてCO2(ベースガス)、Ar(不活性ガス)とCO(還元性ガス)とからなるAr−CO(CO濃度は10体積%)、及び酸素分圧を調整するためのO2(酸素ガス)をそれぞれ一定の流量で炉室内に導入した。
室温から600℃近傍までは、炉外酸素分圧センサーで酸素分圧が10-12.9〜10-16.0atmになるように制御を行った。600℃以上からは、酸素分圧の制御を炉内酸素分圧センサに切り替えて行った。切り替え時の炉内酸素分圧センサの指示値は10-6.0〜10-14atmであった。切り替え後から最高保持温度までは、酸素分圧を直線的に上昇させ、最高保持温度では酸素分圧10-6.0〜10-8.0atmの範囲に保持して雰囲気制御を行う。
このようにして積層体を焼成して、積層型圧電素子を得た。
本例においては、上記のごとく、電極材料として、比較的低融点のCuとNiとの合金を用いて積層型圧電素子を作製しているが、圧電材料として実施例1の上記試料E1を用いているため、電極材料と圧電材料との同時焼成が可能であった。
即ち、本例において作製した積層型圧電素子は、最高保持温度970℃という低温で焼成を行っているにもかかわらず、圧電層が充分に焼結されていた。また、CuやNiは、比較的安価であるため、本例の積層型圧電素子は低コストで作製することができる。
実施例1にかかる、積層型圧電素子の斜視図。 実施例1にかかる、(a)積層型圧電素子の圧電層の平面図、及び(b)ダミー部を構成するセラミック層の平面図。 実施例1にかかる、圧電層の積層状態を示す斜視展開図。 実施例1にかかる、試料E1を圧電材料として用いて作製した積層型圧電素子の圧電層の電子顕微鏡(SEM)写真であって、(a)焼成温度1000℃で焼成したときの写真、及び(b)焼成温度1050℃で焼成した写真を示す説明図。 実施例1にかかる、試料C2を圧電材料として用いて作製した積層型圧電素子の圧電層の電子顕微鏡(SEM)写真であって、(a)焼成温度1000℃で焼成したときの写真、及び(b)焼成温度1050℃で焼成した写真を示す説明図。
符号の説明
1 積層型圧電素子
11 圧電層
21、22 内部電極層

Claims (6)

  1. 一般式(1):(Pb1-xMax)(Zr1-y-zTiySbz)1-p-q(Y1/2Nb1/2)p(Mn1-B1-B2B1SbB2)q3で示される化合物と、Sb23及び/又はSb25とを含有する圧電材料(ただし、MaはBa、La、Sr、及びCeから選ばれる1種以上)であって、
    該圧電材料は、上記一般式(1)で表される化合物1molに対してSb23及び/又はSb25を0.7mol%以下含有し、
    0.04≦x≦0.1
    0.44≦y≦0.48
    0≦z≦0.01
    0≦p≦0.02
    0.003≦q≦0.01
    0≦B1≦0.34
    0≦B2≦0.5
    であることを特徴とする圧電材料。
  2. 請求項1において、上記一般式(1)におけるMaは、必須成分のSrと、Ba、La、又はCeとからなることを特徴とする圧電材料。
  3. 請求項2において、上記一般式(1)のMaにおいては、Ba、La、又はCeとSrとは、Pbに対する置換割合が略同比率であることを特徴とする圧電材料。
  4. 請求項1〜3のいずれか一項において、上記圧電材料は、上記一般式(1)で表される化合物100重量部に対して、PbOを0.05〜2重量部、及びWO3を0.001〜0.038重量部含有することを特徴とする圧電材料。
  5. 圧電層と内部電極層とを交互に積層してなる積層型圧電素子の製造方法であって、
    請求項1〜4のいずれか一項に記載の圧電材料を含むシート形成材料を準備し、該シート形成材料を成形して未焼シートを作製し、該未焼シートに内部電極層用の電極材料を含有するペーストからなる印刷層を設け、
    その後上記印刷層を設けた未焼シートを複数枚積層して未焼積層体となし、該未焼積層体を焼成することを特徴とする積層型圧電素子の製造方法。
  6. 請求項5において、上記未焼積層体の焼成は、温度850℃〜1000℃で行うことを特徴とする積層型圧電素子の製造方法。
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